JPH10204643A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH10204643A JPH10204643A JP1255997A JP1255997A JPH10204643A JP H10204643 A JPH10204643 A JP H10204643A JP 1255997 A JP1255997 A JP 1255997A JP 1255997 A JP1255997 A JP 1255997A JP H10204643 A JPH10204643 A JP H10204643A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板表面にガスを均等に流し込むことを課題と
する。 【解決手段】上部にガス導入口(22)を有する処理容器(2
1)と、この処理容器(21)内に配置され、ウェハ(23)を載
置する基板受け(24)と、前記処理容器(21)内で前記基板
受け(24)の上方に配置され、前記ウェハ(23)にガスを送
る多数の整流穴(27)を有するガス整流ノズル板(26)と、
前記処理容器(21)内に配置され、前記ガス導入口(22)か
ら導入されたガスの流れ方向に対して傾斜したガス案内
板(31)とを具備することを特徴とする気相成長装置。
する。 【解決手段】上部にガス導入口(22)を有する処理容器(2
1)と、この処理容器(21)内に配置され、ウェハ(23)を載
置する基板受け(24)と、前記処理容器(21)内で前記基板
受け(24)の上方に配置され、前記ウェハ(23)にガスを送
る多数の整流穴(27)を有するガス整流ノズル板(26)と、
前記処理容器(21)内に配置され、前記ガス導入口(22)か
ら導入されたガスの流れ方向に対して傾斜したガス案内
板(31)とを具備することを特徴とする気相成長装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は気相成長装置に関
し、特にガス導入口から導入されたガスの流れを基板の
外周から渦を発生するように変えるガス案内板を有した
気相成長装置に関する。
し、特にガス導入口から導入されたガスの流れを基板の
外周から渦を発生するように変えるガス案内板を有した
気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、気相成長装置としては、例えば図
１（Ａ），（Ｂ）に示す構成のものが知られている。こ
こで、図１（Ａ）は気相成長装置の断面図、図１（Ｂ）
は図１（Ａ）の平面図である。
１（Ａ），（Ｂ）に示す構成のものが知られている。こ
こで、図１（Ａ）は気相成長装置の断面図、図１（Ｂ）
は図１（Ａ）の平面図である。
【０００３】図中の付番１は、上部に材料ガスを導入す
るガス導入口２を有した円筒状の処理容器である。この
処理容器１内には、円形状の基板（ウェハ）３を載置す
る基板受け４が配置されている。前記処理容器１内には
該処理容器１の内壁に係止す環状のガス整流ノズル板用
止め部材５が配置され、この止め部材５にガス整流ノズ
ル板６が前記ウェハ３の上方に位置するように設置され
ている。ここで、前記ガス整流ノズル板には、多数の整
流穴７が等間隔で設けられている。
るガス導入口２を有した円筒状の処理容器である。この
処理容器１内には、円形状の基板（ウェハ）３を載置す
る基板受け４が配置されている。前記処理容器１内には
該処理容器１の内壁に係止す環状のガス整流ノズル板用
止め部材５が配置され、この止め部材５にガス整流ノズ
ル板６が前記ウェハ３の上方に位置するように設置され
ている。ここで、前記ガス整流ノズル板には、多数の整
流穴７が等間隔で設けられている。
【０００４】前記処理容器１の上部には、Ｏリング８を
介して処理容器蓋９が載置されている。前記処理容器１
の下部には、材料ガスを排気するガス排気口10を有した
筒状部材11がＯリング12を介して取り付けられている。
なお、付番13は材料ガス、付番14はガスの流れを示す。
介して処理容器蓋９が載置されている。前記処理容器１
の下部には、材料ガスを排気するガス排気口10を有した
筒状部材11がＯリング12を介して取り付けられている。
なお、付番13は材料ガス、付番14はガスの流れを示す。
【０００５】また、従来、他の気相成長装置として図２
（Ａ），（Ｂ）に示す構成のものが知られている。ここ
で、図２（Ａ）は気相成長装置の断面図、図２（Ｂ）は
図２（Ａ）の平面図である。但し、図１と同部材は同符
号を付して説明を省略する。図２の気相成長装置では、
図１と比べ、ガス整流ノズル板６の上方に位置する処理
容器蓋９の裏側に材料ガスの流れを変える円盤状のブロ
ック15を設けた点が異なる。
（Ａ），（Ｂ）に示す構成のものが知られている。ここ
で、図２（Ａ）は気相成長装置の断面図、図２（Ｂ）は
図２（Ａ）の平面図である。但し、図１と同部材は同符
号を付して説明を省略する。図２の気相成長装置では、
図１と比べ、ガス整流ノズル板６の上方に位置する処理
容器蓋９の裏側に材料ガスの流れを変える円盤状のブロ
ック15を設けた点が異なる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図１の気相
成長装置の場合、材料ガス３はガス導入口２から処理容
器１内に導入され、ほとんど全部がそのまま直進して処
理容器１の内壁に衝突した後、処理容器１の内壁に沿っ
て流れてから、ガス整流ノズル板６に送られる。従っ
て、処理容器１内に導入されたガスをガス整流ノズル板
６の中心に向かって噴出して、多数の整流穴７に均等に
注ぎ込むことができない。
成長装置の場合、材料ガス３はガス導入口２から処理容
器１内に導入され、ほとんど全部がそのまま直進して処
理容器１の内壁に衝突した後、処理容器１の内壁に沿っ
て流れてから、ガス整流ノズル板６に送られる。従っ
て、処理容器１内に導入されたガスをガス整流ノズル板
６の中心に向かって噴出して、多数の整流穴７に均等に
注ぎ込むことができない。
【０００７】一方、図２の気相成長装置の場合、円盤状
のブロック15がガス導入口２から送られるガスの流れを
遮るように設けられているため、材料ガス３はガス導入
口２から処理容器１内に導入された後、そのまま直進す
ることなくブロック15の外周壁と処理容器１の内壁に沿
って流れる。しかし、図２の装置の場合も、図１と同
様、材料ガスをガス整流ノズル板６の整流穴７に均等に
注ぎ込むことができないという課題があった。
のブロック15がガス導入口２から送られるガスの流れを
遮るように設けられているため、材料ガス３はガス導入
口２から処理容器１内に導入された後、そのまま直進す
ることなくブロック15の外周壁と処理容器１の内壁に沿
って流れる。しかし、図２の装置の場合も、図１と同
様、材料ガスをガス整流ノズル板６の整流穴７に均等に
注ぎ込むことができないという課題があった。
【０００８】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
で、材料ガスが基板の外周から渦を発生してガス整流ノ
ズル板中心へ向かって流れ込むようにガスの方向を変え
るガス案内板を設けることにより、基板表面に均等にガ
スを流し込むことが可能な気相成長装置を提供すること
を目的とする。また、本発明は、外周部から中心部へ向
うにしたがって整流穴の数が多くなる構成のガス整流ノ
ズル板，又は外周部から中心部へ向かうにしたがって整
流穴の径が大きくなる構成のガス整流ノズル板を用いる
ことにより、通常のガス整流板の場合と比べて、材料ガ
スを一層均等に基板表面に送ることができる気相成長装
置を提供することを目的とする。
で、材料ガスが基板の外周から渦を発生してガス整流ノ
ズル板中心へ向かって流れ込むようにガスの方向を変え
るガス案内板を設けることにより、基板表面に均等にガ
スを流し込むことが可能な気相成長装置を提供すること
を目的とする。また、本発明は、外周部から中心部へ向
うにしたがって整流穴の数が多くなる構成のガス整流ノ
ズル板，又は外周部から中心部へ向かうにしたがって整
流穴の径が大きくなる構成のガス整流ノズル板を用いる
ことにより、通常のガス整流板の場合と比べて、材料ガ
スを一層均等に基板表面に送ることができる気相成長装
置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、上部にガス
導入口を有する処理容器と、この処理容器内に配置さ
れ、円形状の基板を載置する基板受けと、前記処理容器
内で前記基板受けの上方に配置され、前記基板にガスを
送る多数の整流穴を有するガス整流ノズル板と、前記処
理容器内に配置され、前記ガス導入口から導入されたガ
スの流れ方向に対して傾斜したガス案内板とを具備する
ことを特徴とする気相成長装置である。
導入口を有する処理容器と、この処理容器内に配置さ
れ、円形状の基板を載置する基板受けと、前記処理容器
内で前記基板受けの上方に配置され、前記基板にガスを
送る多数の整流穴を有するガス整流ノズル板と、前記処
理容器内に配置され、前記ガス導入口から導入されたガ
スの流れ方向に対して傾斜したガス案内板とを具備する
ことを特徴とする気相成長装置である。
【００１０】本発明において、前記ガス案内板はガス導
入口から導入されたガスの流れ方向に対して傾斜して配
置されているが、この傾斜した配置しおたガス案内板に
より導入されるガスに渦を発生させてガス整流ノズル板
へ送ることが好ましい。ここで、ガス案内板の傾斜角度
は厳密には設定できないが、渦が発生する程度の傾斜角
度であればよい。
入口から導入されたガスの流れ方向に対して傾斜して配
置されているが、この傾斜した配置しおたガス案内板に
より導入されるガスに渦を発生させてガス整流ノズル板
へ送ることが好ましい。ここで、ガス案内板の傾斜角度
は厳密には設定できないが、渦が発生する程度の傾斜角
度であればよい。
【００１１】本発明において、前記ガス整流ノズル板と
しては、例えば外周部から中心部へ向うにしたがって整
流穴の数が多くなる構成のもの（図３参照）、あるいは
外周部から中心部へ向かうにしたがって整流穴の径が大
きくなる構成のもの（図４参照）が挙げられるが、これ
に限定されない。
しては、例えば外周部から中心部へ向うにしたがって整
流穴の数が多くなる構成のもの（図３参照）、あるいは
外周部から中心部へ向かうにしたがって整流穴の径が大
きくなる構成のもの（図４参照）が挙げられるが、これ
に限定されない。
【００１２】（作用）本発明においては、ガス案内板が
ガス導入口から導入される材料ガスの流れに対してガス
案内板を傾斜して配置された構成となっているため、材
料ガスは外周から渦を巻くように流れる。そして、流れ
てくるガスは、ガス整流ノズル板の整流穴を通過して基
板表面に均等に流れる。
ガス導入口から導入される材料ガスの流れに対してガス
案内板を傾斜して配置された構成となっているため、材
料ガスは外周から渦を巻くように流れる。そして、流れ
てくるガスは、ガス整流ノズル板の整流穴を通過して基
板表面に均等に流れる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例に係る気
相成長装置を図３（Ａ），（Ｂ）を参照して説明する。
ここで、図３（Ａ）は同気相成長装置の断面図、図３
（Ｂ）は図３（Ａ）の平面図である。
相成長装置を図３（Ａ），（Ｂ）を参照して説明する。
ここで、図３（Ａ）は同気相成長装置の断面図、図３
（Ｂ）は図３（Ａ）の平面図である。
【００１４】図中の付番21は、上部に材料ガスを導入す
るガス導入口22を有した円筒状の処理容器である。この
処理容器21内には、円形状の基板（ウェハ）23を載置す
る基板受け24が配置されている。前記処理容器21内には
該処理容器21の内壁に係止す環状のガス整流ノズル板用
止め部材25が配置され、この止め部材25にガス整流ノズ
ル板26が前記ウェハ23の上方に位置するように設置され
ている。ここで、前記ガス整流ノズル板26は多数の整流
穴27を有し、該整流穴27は図３（Ｂ）から分かるように
外周部から中心部へ向かうにしたがって穴数が多くなる
ような構成となっている。
るガス導入口22を有した円筒状の処理容器である。この
処理容器21内には、円形状の基板（ウェハ）23を載置す
る基板受け24が配置されている。前記処理容器21内には
該処理容器21の内壁に係止す環状のガス整流ノズル板用
止め部材25が配置され、この止め部材25にガス整流ノズ
ル板26が前記ウェハ23の上方に位置するように設置され
ている。ここで、前記ガス整流ノズル板26は多数の整流
穴27を有し、該整流穴27は図３（Ｂ）から分かるように
外周部から中心部へ向かうにしたがって穴数が多くなる
ような構成となっている。
【００１５】前記処理容器21の上部には、Ｏリング28を
介して処理容器蓋29が載置されている。前記ガス整流ノ
ズル板26の上方に位置する処理容器蓋29の裏側には、円
盤状のブロック30が設けられている。前記処理容器蓋29
と前記ブロック27，止め部材25間に位置する処理容器21
内には、ガス導入口22から導入される材料ガスの流れを
変えるガス案内板31が配置されている。このガス案内板
31は、材料ガスの流れをガス整流ノズル板26の外周側か
ら渦を発生するように変えるように材料ガスの流れに対
して図３（Ｂ）に示すように傾斜して配置されている。
前記処理容器21の下部には、材料ガスを排気するガス排
気口32を有した筒状部材33がＯリング34を介して取り付
けられている。なお、付番35は材料ガス、付番36は材料
ガス35の流れを示す。
介して処理容器蓋29が載置されている。前記ガス整流ノ
ズル板26の上方に位置する処理容器蓋29の裏側には、円
盤状のブロック30が設けられている。前記処理容器蓋29
と前記ブロック27，止め部材25間に位置する処理容器21
内には、ガス導入口22から導入される材料ガスの流れを
変えるガス案内板31が配置されている。このガス案内板
31は、材料ガスの流れをガス整流ノズル板26の外周側か
ら渦を発生するように変えるように材料ガスの流れに対
して図３（Ｂ）に示すように傾斜して配置されている。
前記処理容器21の下部には、材料ガスを排気するガス排
気口32を有した筒状部材33がＯリング34を介して取り付
けられている。なお、付番35は材料ガス、付番36は材料
ガス35の流れを示す。
【００１６】上記実施例に係る気相成長装置によれば、
処理容器蓋29とブロック27，止め部材25間に位置する処
理容器21内に、ガス導入口22から導入される材料ガス35
の流れの向きを変えるガス案内板31が傾斜して配置され
た構成となっているため、ガス導入口22から噴出する材
料ガス35はガス案内板31によりガス整流ノズル板26の外
周側から渦を巻くように流れる。従って、材料ガス35は
ガス整流ノズル板26の整流穴27を通過してウェハ23表面
に均等に流れる。また、ウェハ23の表面に達した材料ガ
スは一般に中心部から周辺部へ向って流れる傾向にある
が、前記ガス整流ノズル板26は外周部から中心部へ向う
にしたがって整流穴27の数が多くなる構成となっている
ため、整流孔が格子状に形成された通常のガス整流板の
場合と比べて、材料ガスを一層均等にウェハ23表面に送
ることができる。
処理容器蓋29とブロック27，止め部材25間に位置する処
理容器21内に、ガス導入口22から導入される材料ガス35
の流れの向きを変えるガス案内板31が傾斜して配置され
た構成となっているため、ガス導入口22から噴出する材
料ガス35はガス案内板31によりガス整流ノズル板26の外
周側から渦を巻くように流れる。従って、材料ガス35は
ガス整流ノズル板26の整流穴27を通過してウェハ23表面
に均等に流れる。また、ウェハ23の表面に達した材料ガ
スは一般に中心部から周辺部へ向って流れる傾向にある
が、前記ガス整流ノズル板26は外周部から中心部へ向う
にしたがって整流穴27の数が多くなる構成となっている
ため、整流孔が格子状に形成された通常のガス整流板の
場合と比べて、材料ガスを一層均等にウェハ23表面に送
ることができる。
【００１７】なお、上記実施例では、ガス整流ノズル板
として、外周部から中心部へ向うにしたがって整流穴の
数が多くなる構成のものについて述べたが、これに限定
されず、例えば図４に示す如く外周部から中心部へ向か
うにしたがって整流穴の径が大きくなる構成のガス整流
ノズル板でもよい。
として、外周部から中心部へ向うにしたがって整流穴の
数が多くなる構成のものについて述べたが、これに限定
されず、例えば図４に示す如く外周部から中心部へ向か
うにしたがって整流穴の径が大きくなる構成のガス整流
ノズル板でもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明によれば、材料
ガスが基板の外周から渦を発生してガス整流ノズル板中
心へ向かって流れ込むようにガスの方向を変えるガス案
内板を傾斜して設けることにより、基板表面にガスを均
等に流し込むことができ、基板に気相成長の成長分布を
均一にすることができる基板の製造歩留りよい気相成長
装置を提供できる。また、本発明によれば、外周部から
中心部へ向うにしたがって整流穴の数が多くなる構成の
ガス整流ノズル板，又は外周部から中心部へ向かうにし
たがって整流穴の径が大きくなる構成のガス整流ノズル
板を用いることにより、通常のガス整流板の場合と比べ
て、材料ガスを一層均等に基板表面に送ることができる
気相成長装置を提供できる。
ガスが基板の外周から渦を発生してガス整流ノズル板中
心へ向かって流れ込むようにガスの方向を変えるガス案
内板を傾斜して設けることにより、基板表面にガスを均
等に流し込むことができ、基板に気相成長の成長分布を
均一にすることができる基板の製造歩留りよい気相成長
装置を提供できる。また、本発明によれば、外周部から
中心部へ向うにしたがって整流穴の数が多くなる構成の
ガス整流ノズル板，又は外周部から中心部へ向かうにし
たがって整流穴の径が大きくなる構成のガス整流ノズル
板を用いることにより、通常のガス整流板の場合と比べ
て、材料ガスを一層均等に基板表面に送ることができる
気相成長装置を提供できる。
【図１】従来の気相成長装置の説明図であり、図１
（Ａ）は同気相成長装置の断面図、図１（Ｂ）は図１
（Ａ）の平面図。
（Ａ）は同気相成長装置の断面図、図１（Ｂ）は図１
（Ａ）の平面図。
【図２】従来の他の気相成長装置の説明図であり、図２
（Ａ）は同気相成長装置の断面図、図２（Ｂ）は図２
（Ａ）の平面図。
（Ａ）は同気相成長装置の断面図、図２（Ｂ）は図２
（Ａ）の平面図。
【図３】本発明の一実施例に係る気相成長装置の説明図
であり、図３（Ａ）は同気相成長装置の断面図、図３
（Ｂ）は図３（Ａ）の平面図。
であり、図３（Ａ）は同気相成長装置の断面図、図３
（Ｂ）は図３（Ａ）の平面図。
【図４】本発明の一実施例に係る気相成長装置のガス整
流ノズル板とは異なる他のガス整流ノズル板の平面図。
流ノズル板とは異なる他のガス整流ノズル板の平面図。
21…処理容器、 22…ガス導入口、 23…ウェハ、 24…基板受け、 26…ガス整流ノズル板、 27…整流穴、 29…処理容器蓋、 30…円盤状のブロック、 31…ガス案内板。
Claims (3)
- 【請求項１】 上部にガス導入口を有する処理容器と、
この処理容器内に配置され、円形状の基板を載置する基
板受けと、前記処理容器内で前記基板受けの上方に配置
され、前記基板にガスを送る多数の整流穴を有するガス
整流ノズル板と、前記処理容器内に配置され、前記ガス
導入口から導入されたガスの流れ方向に対して傾斜した
ガス案内板とを具備することを特徴とする気相成長装
置。 - 【請求項２】 前記ガス整流ノズル板は、外周部から中
心部へ向うにしたがって整流穴の数が多くなる構成であ
ることを特徴とする請求項１記載の気相成長装置。 - 【請求項３】 前記ガス整流ノズル板は、外周部から中
心部へ向かうにしたがって整流穴の径が大きくなる構成
であることを特徴とする請求項１記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1255997A JPH10204643A (ja) | 1997-01-27 | 1997-01-27 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1255997A JPH10204643A (ja) | 1997-01-27 | 1997-01-27 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10204643A true JPH10204643A (ja) | 1998-08-04 |
Family
ID=11808709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1255997A Pending JPH10204643A (ja) | 1997-01-27 | 1997-01-27 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10204643A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100899222B1 (ko) * | 2007-05-17 | 2009-05-26 | 주식회사 마이크로텍 | 샤워헤드 및 이를 채용한 증착장치 |
| CN118148751A (zh) * | 2024-05-13 | 2024-06-07 | 潍柴动力股份有限公司 | 混合器、scr、后处理***及车辆 |
-
1997
- 1997-01-27 JP JP1255997A patent/JPH10204643A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100899222B1 (ko) * | 2007-05-17 | 2009-05-26 | 주식회사 마이크로텍 | 샤워헤드 및 이를 채용한 증착장치 |
| CN118148751A (zh) * | 2024-05-13 | 2024-06-07 | 潍柴动力股份有限公司 | 混合器、scr、后处理***及车辆 |
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