JPH0539628Y2 - - Google Patents
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- JPH0539628Y2 JPH0539628Y2 JP5698187U JP5698187U JPH0539628Y2 JP H0539628 Y2 JPH0539628 Y2 JP H0539628Y2 JP 5698187 U JP5698187 U JP 5698187U JP 5698187 U JP5698187 U JP 5698187U JP H0539628 Y2 JPH0539628 Y2 JP H0539628Y2
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- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- reaction gas
- gas outlet
- wafer
- reactive gas
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- Expired - Lifetime
Links
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Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は半導体素子製造装置において大気圧中
にて熱化学反応により薄膜を半導体基板（以後ウ
エーハと略す）表面に堆積させる化学気相成長装
置（以後常圧CVD装置と略す）に関し、特に、
成膜の為の反応気体流出部の構造に関する。
にて熱化学反応により薄膜を半導体基板（以後ウ
エーハと略す）表面に堆積させる化学気相成長装
置（以後常圧CVD装置と略す）に関し、特に、
成膜の為の反応気体流出部の構造に関する。
従来この種の装置は反応気体流出部又はウエー
ハを装填した加熱受皿が一方向に移動又は往復す
ることにより、ウエーハ全面に薄膜を堆積する構
造となつていた。
ハを装填した加熱受皿が一方向に移動又は往復す
ることにより、ウエーハ全面に薄膜を堆積する構
造となつていた。
上述した従来の常圧CVD装置では、薄膜成長
時の反応気体流出部に対しウエーハ加熱受皿が一
方向に移動、又は往復する構造であるので、常圧
CVD装置特有の一定処理頻度で生じる反応気体
吹き出し口での反応固形物による局所的な詰まり
や反応気体流出部の製造上における僅かな吹き出
しの不均一があるとその部分に沿つたウエーハ加
熱受皿の移動線上の薄膜膜厚が薄くなりウエーハ
面内での膜厚不均一を生じるという欠点がある。
時の反応気体流出部に対しウエーハ加熱受皿が一
方向に移動、又は往復する構造であるので、常圧
CVD装置特有の一定処理頻度で生じる反応気体
吹き出し口での反応固形物による局所的な詰まり
や反応気体流出部の製造上における僅かな吹き出
しの不均一があるとその部分に沿つたウエーハ加
熱受皿の移動線上の薄膜膜厚が薄くなりウエーハ
面内での膜厚不均一を生じるという欠点がある。
本考案の常圧CVD装置はウエーハの進行方向
又は反応気体流出部の進行方向と直角な方向に可
動な構造となつており、任意の反応気体吹き出し
領域を選択して位置調整或いは揺動できる構造と
なつている。
又は反応気体流出部の進行方向と直角な方向に可
動な構造となつており、任意の反応気体吹き出し
領域を選択して位置調整或いは揺動できる構造と
なつている。
本考案についてシラン系及び酸素系ガスを用い
て酸化ケイ素膜をウエーハ上に堆積する常圧
CVD装置の場合について図面を参照して説明す
る。ここで第１図は本考案の上面図で第２図はそ
のＡ−Ｂ線縦断面図、第３図はＣ−Ｄ線縦断面図
である。ウエーハ１はウエーハ受皿加熱部３によ
り加熱されたウエーハ加熱受皿２により加熱され
４の方向に移動しながら上部の反応気体流出部５
のシラン系ガス吹き出し口６及び酸素系ガス吹き
出し口７より流出する反応気体（シラン系及び酸
素系ガス）の熱化学反応により、すべてのウエー
ハ表面全面に酸化ケイ素膜を堆積する。ここで、
本考案では反応気体流出部５をウエーハ加熱受皿
の進行方向４と直角なな方向にパルスモーター９
により移動できる構造をもたせ反応気体吹き出し
口６或いは７の反応固形物により詰まつた部分
（８方向の両端附近が詰まり易い）や吹き出しの
弱い部分がウエーハ軌道上にくるのを避けより均
一な反応気体の吹き出しが得られる位置に反応気
体流出部を移動固定してより均一な膜厚の薄膜を
ウエーハ表面に形成する。
て酸化ケイ素膜をウエーハ上に堆積する常圧
CVD装置の場合について図面を参照して説明す
る。ここで第１図は本考案の上面図で第２図はそ
のＡ−Ｂ線縦断面図、第３図はＣ−Ｄ線縦断面図
である。ウエーハ１はウエーハ受皿加熱部３によ
り加熱されたウエーハ加熱受皿２により加熱され
４の方向に移動しながら上部の反応気体流出部５
のシラン系ガス吹き出し口６及び酸素系ガス吹き
出し口７より流出する反応気体（シラン系及び酸
素系ガス）の熱化学反応により、すべてのウエー
ハ表面全面に酸化ケイ素膜を堆積する。ここで、
本考案では反応気体流出部５をウエーハ加熱受皿
の進行方向４と直角なな方向にパルスモーター９
により移動できる構造をもたせ反応気体吹き出し
口６或いは７の反応固形物により詰まつた部分
（８方向の両端附近が詰まり易い）や吹き出しの
弱い部分がウエーハ軌道上にくるのを避けより均
一な反応気体の吹き出しが得られる位置に反応気
体流出部を移動固定してより均一な膜厚の薄膜を
ウエーハ表面に形成する。
〔実施例２〕
次に実施例２について説明する。
第１図において、反応気体流出部５はウエーハ
加熱受皿２の移動とともに８の方向にパルスモー
ター９によつて一定周期で揺動する。この実施例
では、反応気体の吹出しが複数の箇所において存
在する場合に、薄膜の膜厚不均一を緩和できる利
点がある。
加熱受皿２の移動とともに８の方向にパルスモー
ター９によつて一定周期で揺動する。この実施例
では、反応気体の吹出しが複数の箇所において存
在する場合に、薄膜の膜厚不均一を緩和できる利
点がある。
以上説明したように本考案は、常圧CVD装置
においてウエーハ加熱受皿の進行方向と直角な方
向に反応気体流出部を可動とすることにより、常
圧CVD装置特有の一定処理頻度で生じる反応気
体吹き出し口での反応固形物による局所的な詰ま
りや、反応気体流出部の製造上における僅かな吹
き出しの不均一によるウエーハ面内での堆積薄膜
の不均一を緩和し、より均一な薄膜を形成でき
る。
においてウエーハ加熱受皿の進行方向と直角な方
向に反応気体流出部を可動とすることにより、常
圧CVD装置特有の一定処理頻度で生じる反応気
体吹き出し口での反応固形物による局所的な詰ま
りや、反応気体流出部の製造上における僅かな吹
き出しの不均一によるウエーハ面内での堆積薄膜
の不均一を緩和し、より均一な薄膜を形成でき
る。
第１図は本考案の上面図、第２図は第１図Ａ−
Ａ線断面図、第３図は第１図のＣ−Ｄ線断面図、
また第４図は従来の常圧CVD装置の縦断面図で
ある。 １……ウエーハ、２……ウエーハ（加熱）受
皿、３……ウエーハ受皿加熱部、４……ウエーハ
加熱受皿の移動方向、５……反応気体流出部、６
……シラン系ガス吹き出し口、７……酸素系ガス
吹き出し口、８……反応気体流出部移動方向、９
……パルスモーター、１０……ギヤ。
Ａ線断面図、第３図は第１図のＣ−Ｄ線断面図、
また第４図は従来の常圧CVD装置の縦断面図で
ある。 １……ウエーハ、２……ウエーハ（加熱）受
皿、３……ウエーハ受皿加熱部、４……ウエーハ
加熱受皿の移動方向、５……反応気体流出部、６
……シラン系ガス吹き出し口、７……酸素系ガス
吹き出し口、８……反応気体流出部移動方向、９
……パルスモーター、１０……ギヤ。
Claims (1)
- 半導体基板加熱受皿と、反応気体が流出する反
応気体流出部とを有し、前記半導体基板加熱受皿
または前記反応気体流出部が所定の方向に移動す
ることにより、前記半導体基板受皿に載置された
半導体基板上を前記反応気体流出部を通過させ前
記半導体基板上に化学気相成長を行う常圧化学気
相成長装置において、前記反応気体流出部は前記
半導体基板加熱受皿の前記所定の方向とは直交す
る方向の全幅にわたつて前記反応気体を同時に流
出可能な幅を有するものであり、かつ前記直交す
る方向に可動であることを特徴とする常圧化学気
相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5698187U JPH0539628Y2 (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5698187U JPH0539628Y2 (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164213U JPS63164213U (ja) | 1988-10-26 |
| JPH0539628Y2 true JPH0539628Y2 (ja) | 1993-10-07 |
Family
ID=30886276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5698187U Expired - Lifetime JPH0539628Y2 (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0539628Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-04-14 JP JP5698187U patent/JPH0539628Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63164213U (ja) | 1988-10-26 |
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