JPS6293922A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、処理技術、特に、処理ガスを用いて被処理物
に所望の処理を施す処理技術に関し、例えば、半ｚり体
装胃の！ｌｉ！Ｉ造工程において、ウェハに酸化膜を形
成するのに１＋Ｉ用して有効な技術に関する。

〔背景技術〕

半導体装置の製造］、程において、ウェハに酸化膜を形
成する場合、常圧ＣＶＤ装置が使用されることがあり、
この常圧ＣＶＤ装置として、細長いガス吹出口を複数条
備えているヘノ１゛と、ガスを吹出口の短手方向に吸引
するように排気する手段とを備えており、ウェハを吹出
口の近傍において短手方向に連続的に移送してウェハー
ににＣｖＤ１９を被着させて行くように構成されている
ものがある。

しかし、このような連続式常圧ＣＶＤ装置においては、
吹出口から吹き出されたガスが吹出口で流れを乱すため
、吹出口近傍に未反応生成物が付着ｔ（ｆｆ　ｂ’ｘ　
ｔ、、この付着物のウェハへの落下が歩留り低下の原因
になるという問題点があることが、本発明者によって明
らかにされた。

なお、酸化膜形成技術を述べである例としては、株式会
社工業調査会発行「電子材料１９８３年１１月号別冊」
昭和５８年１１月１５日発行　Ｐ５７〜Ｐ６２、がある
。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、未反応物の生成を防止することができ
る処ＰＰ技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔発明の１既要〕 ４：廓において開示される発明のうち代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、次の通りである。

吹出口における少なくとも排気手段の吸引が強く作用す
る側に位置する縁辺部に先方広がりに傾斜されてなる整
流部を設けることにより、吹出口から吹き出されたガス
が吹出方向と直角方向への吸引に逆られずシこ流れるよ
う乙こして、その流れを整え、もって、吹出Ｅ−〕の近
（）に未反応生成物が付着するのを抑止するようにした
ものである。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例である常圧ＣＶＤ装置を示す
縦断面図、第２図ばヘノ（・を示す斜視図、第３図は第
１図ｍ部を示す拡大部分断面図、第４図はその作用を説
明するための拡大ｆｆ１ｆ分断面図である。

本実施例において、酸素膜の形成処理を行う処理装置と
しての常圧ＣＶＤ装置は処理室ｌを備えており、処理室
ｌの瓦いに対向するＩＩＩ壁（以下、左右壁とする。）
には扉を有する１絞入口２および搬出口３が、被処理物
としてのウェハ４が複数枚宛収容されているカセット５
を１ｕ人律出し５得る６１、うにそれぞれ開設されてい
る。処理室１内の下部には移送手段としてのコンへアロ
が左右方１ｉｉｌ　ニウエハ４を搬送するように敷設さ
れており、コンヘア６の両端部にはハンドラ（図示せず
）がカセ。

ト５とコンヘア６との間でウェハ４の受は渡しを行える
ようにそれぞれ設備されている。

処理室１内には排気フード７がコンヘア６の略中央部の
真上に配されて吊持されており、排気ツー［７には貫穿
ポンプ等のようなυト気装置（図示せず）に接続される
排気口８が開設されている。

排気フード７内には４側面に凹所ｌＯを形成されている
略立方体形状のヘッド１１が嵌挿されて支持されており
、各凹所１０は排気口８に連通されるごとによりフード
７との間でガスを吸引するための排気手段としての排気
路９をそれぞれ形成するようになっている。

ヘノＦｉｌの下面には細長いスリット状の吹出口Ｉ２が
複数条、ガスをコンヘア６に向けて吹き出せるように開
設されており、各吹出口１２は互いに平行で両端を揃え
られ、かつ長手方向がコンへ７６の搬送方向と略直角と
なるように配設されている。各吹出口１２には整流部１
３が、吹出口１２Ｑこおける左右のに辺のうち、ヘット
川ｌにおけ乙左右両脇の排気路１０に近い方に位置する
、すなわち、吸引力を相対的に強く受ける側の長辺部分
に配されてＦ方法がりの傾斜面を構成するようにそれぞ
れ形成されており、この整流部１３の顛２１而は略平坦
になっている。

ヘッド１１の内部にはガス通路１４が各吹出口Ｉ２のそ
れぞれに対応して、吹田口１２を縦プｊ向に連続させて
なる中空形状に形成されており、各ガス通路１４のそれ
ぞれは互いに連通を遮断されている。また、ヘッド１１
の内部には２系統のガス供給路１５ａ、＋５ｂがそれぞ
れ形成されており、両供給路＋５２．１５ｂには互いに
隣り合うガス通路１４ａ、１４ｂがそれぞれ交互に接続
されている。

次に作用を説明する。

処理すべきウェハ４はカセット５に複数枚宛収容された
状態でｌ駁人口２から処理室１内へ適時１校人される。

この実カセット５内のウェハ４はハンドラによりコンヘ
ア６上に適当なピッチで１列または２刈取上Ｇこ並ふよ
うに順次移載され、コンヘア６により順次移送されて行
く。

一方、ガス供給路１５ａ、１５ｂには所望の処理を行う
ための処理ガスがそれぞれ送り込まれる。

例えば、ウェハ上にシリコン酸化膜を被着させる場合に
は、モノシランおよび酸素がそれぞれ送り込まれる。同
時に、排気口８を通じて各排気路９が排気される。

両供給路１５ａ、１５ｂにそれぞれ送り込まれたガスは
これらに接続されている通路１４ａ、１４ｂ群にそれぞ
れ供給され、それらの吹出口Ｉ２からコンヘア６上のウ
ェハ４に向けてそれぞれ吹き出される。このとき、ヘッ
ド１１の外側に配された排気路９が排気を行っているた
め、吹出口１２から吹き出したガスは外側方向に吸引さ
れるように流れることになる。

そして、吹き出されたガスはＣＶＤ反応を起こすことに
より、ヘッド１１の真下をコンヘア６によって移送され
て行くウェハ４上にＣＶＤ膜を形成する。

ガスにより処理されたウェハ４はコンヘア６によって搬
出側へ移送され、ハンドラにより空力セット５に順次収
容されて行く。カセット５が満杯になると、処理済みウ
ェハはカセットに収容されたまま、１船出口３から外部
へ適時搬出される。

ところで、第４図に示されているように、ガス吹出口１
２Ａに整流部が設けられておらず、吹出口１２Ａの開口
縁部の断面形状が直角になっている場合、吹き出したガ
スが吹出方向と直角方向に吸引されるため、吹出口１２
Δの吸引側開口縁辺部において流れが乱れて渦流が発生
する。このガス流の乱れおよびそれに伴うガスの滞留に
よって未反応物が生成されるため、その生成物が開口縁
辺部に付着し堆積する。この付着物がウェハに落丁する
と、製品の歩留りが低下されることになる。

しかし、本実施例においては、ガス吹出口の吸引力が相
対的に強く作用する側に位置する縁辺部に整流部が設け
られているため、未反応物の生成は抑止され、その結果
、未反応生成物の吹出口近傍への付着および堆積は回避
され、付着物の落下による歩留り低下は未然に防止され
る。

すなわち、吹出口１２から吹き出されたガスはヘッド１
１の外側に配された排気路９による排気によって排気が
強く作用する横方向に吸引されるが、吹出口１２の吸引
される側の長辺部分に整流部１３が下方法がりに傾斜す
るように形成されているため、垂直方向に吹き出そうと
するガスはその流れの向きを整流部１３の傾斜面に沿っ
て横方向に変更することにより、吸引力に逆られずに追
従するように流れることになる。そして、吹き出したガ
スは整流部１３に沿って流れるため、吹出方向と直角方
向に吸引されるにもかかわらず、ガス流は整った屓流伏
態になり、吹出口１２の開口縁辺部には渦流は発生しな
い。その結果、未反応物の生成が惹起されることはな（
、未反応生成物が吹出口１２の開口縁辺部に付着堆積す
る現象は回避されることになる。

〔実施例２〕 第５図は本発明の他の実施例を示す第３図に相当する拡
大部分断面図である。

本実施例２が前記実施例１と異なる点は、整流部１３Ａ
が凸状弯曲面に形成されている点にある。

本実施例２によれば、整流部１３Ａが凸状弯曲面に形成
されているため、ガスの種類やガスの吹出流９、流速等
の条件によっては整流効果か−、―高まる。

〔実施例３］ 第６図は本発明の別の他の実施例を示す第３図に相当す
る拡大部分断面図である。

本実施例３が前記実施例と異なる点は、整流部１３Ｂが
吹出口１２の両側に形成されている点にある。

本実施例によれば、整流部１３Ｂが両側に形成されてい
るため、吹き出したガスが遠くからの排気のに？Ｅを受
けてそちら方向にも吸引される場合に、その方向に対す
る流れをも整えることができる。したがって、未反応物
の生成抑止効果が一層向上されることになる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、整流部の形状、（頃斜角度、長さ、深さ等は前
記実施例に限らず、ガスの種類、吹田流９、吹出流速、
吹出口の大きさ等の条件に応して最適化することが望ま
しい。

吹出口の幅、１シさ、条数等に限定はないし、吹出口に
連通ずる通路、ヘットや排気手段の形状、構造等にも限
定はない。

吹き出さ−Ｕるガスの種類は２ｆ（？Ｎに限らず、１種
類でも３種類以Ｆであってもよいし、隣り合う吹出口が
互いるこ異なる種類のガスを吹き出すように構成するに
限らず、複数置きに異なる種類のガスを吹き出すように
構成してもよい。

〔効果〕

ｆｉｌ　　吹出Ｌ］における少な（とも排気手段の吸引
力が相対的に強く作用する側に位置する開口縁辺部に先
方広がりに傾斜されてなる整流部を設けることにより、
吹出口からの吹き出されたガスが排気手段の吸引力によ
って吹出方向と直角方向に吸引されても、ガス流が層流
となるように整えることができるため、未反応物が生成
されるのを防止することかできる。

（２）　　未反応物の生成物を防止することりこより、
吹出口に未反応生成物が付着Ｉｌｌ　＋Ｒ１−るのを防
１トすることができるため、（＝Ｊ着物の落下による被
処理物の７〜染を防止することができ、それによる製品
歩留りの低下を未然に防止することができる。

（３）未反応物の生成が抑止されることによｚつ、処理
ガスが有すＪに利用されるため、処理ガスの消費量を低
減することができる。

〔利用分野］ 以上の説明では主として不発叩打によってなされた発明
をその背景となったｆｌｌ用分野である常圧ＣＶＤ装置
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、その他のＣＶ　Ｉ）２：置、酸化膜形成
装置、拡散装置等のような処理ガスを使用する処理装置
全般に通用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である常圧ＣＶ　Ｄ装置を示
す縦断面図、 第２図はヘッドを示す斜視図、 第３図は第１図■部を示す拡大部分断面図、第４図はそ
の作用を説明するための拡大部分断面図である。 第５図は本発明の他の実施例を示す第３図に相当する拡
大部分１折面図である。 第６図は本発明の別の他の実施例を示す第３図に相当す
る拡大部分断面図である。 １・・・処理室、２・・・搬入口、３・・・搬出口、４
・・・ウェハ（被処理物）、５・・・カセット、６　・
・コンヘア（移送手段）、７・・・排気フード、８・・
　排気口、９・　・排気路（排気手段）、１０・・・凹
所、１１・・・ヘット、１２・　・吹出口、１３．１３
Ａ、１３Ｂ・・・整流部、１４・・　ガス通路、１５ａ
、１５・・・ガス供給路。 代理人　　弁理士　　　小　川　袴　男１．゛　　・＼
゛ゝ・ノ 第　　１　　図 ？か 第　　２　　図 第　　３　　　図 第　　４　　　図 ／〆／　　　／、７’δ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、細長いガス吹出口を複数条備えているヘッドと、ガ
   スを吹出口の短手方向に吸引する排気手段とを備えてお
   り、前記ヘッドにおける各吹出口の少なくとも前記排気
   手段の吸引力が相対的に強く作用する側に位置する縁辺
   部に先方広がりに傾斜されてなる整流部がそれぞれ設け
   られている処理装置。 ２、整流部が、平面に形成されていることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の処理装置。 ３、整流部が、弯曲面に形成されていることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の処理装置。 ４、整流部が、反吸引側縁辺部にも設けられていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。 ５、ヘッドが、異なった種類のガスを吹出口群から吹き
   出させるように構成されていることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の処理装置。