JPS6383275A - 被処理体の処理方法 - Google Patents
被処理体の処理方法Info
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- JPS6383275A JPS6383275A JP22905986A JP22905986A JPS6383275A JP S6383275 A JPS6383275 A JP S6383275A JP 22905986 A JP22905986 A JP 22905986A JP 22905986 A JP22905986 A JP 22905986A JP S6383275 A JPS6383275 A JP S6383275A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウェハ等の被処理基板にＣＶＤ［を形
成するＣＶＤ装置に関する。
成するＣＶＤ装置に関する。
（従来の技術）
一般に、半導体ウェハ等の被処理基板の表面にＳ ｉ０
２ 、ＰＳＧ、ＢＳＧ等のＣＶＤ膜を形成するＣＶＤ装
置には、減圧ＣＶＤ装置、常圧ＣＶＤ装置、プラズマＣ
ＶＤ装置等の種々のＣＶＤ装置がある。
２ 、ＰＳＧ、ＢＳＧ等のＣＶＤ膜を形成するＣＶＤ装
置には、減圧ＣＶＤ装置、常圧ＣＶＤ装置、プラズマＣ
ＶＤ装置等の種々のＣＶＤ装置がある。
これらの従来のＣＶＤ装置では、常圧あるいは減圧され
た処理室内に半導体ウェハ等の被処理基板を多数配置し
、これらの被処理基板を加熱するとともに、処理室内に
例えばＳｉＨ４とＰＨ３と０２あるいはＳｉＨ４と０２
等の所定の反応ガスを流通させ、バッチ方式あるいはイ
ンライン方式等により半導体ウェハ表面にＣＶＤ膜を形
成する。
た処理室内に半導体ウェハ等の被処理基板を多数配置し
、これらの被処理基板を加熱するとともに、処理室内に
例えばＳｉＨ４とＰＨ３と０２あるいはＳｉＨ４と０２
等の所定の反応ガスを流通させ、バッチ方式あるいはイ
ンライン方式等により半導体ウェハ表面にＣＶＤ膜を形
成する。
またプラズマＣＶＤ装置では、これらの反応ガスをプラ
ズマ化して処理室内に流通させる。
ズマ化して処理室内に流通させる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら上記説明の従来のＣＶＤ装置では、処理室
内に流通される反応ガスを処理室内に配置された半導体
ウェハ等の被処理基板の表面に均一に供給することが困
雛であり、このため各半導体ウェハ間あるいは半導体ウ
ェハの表面の部位によって、形成されたＣＶＤ膜の膜厚
か不均一になるという問題があった。
内に流通される反応ガスを処理室内に配置された半導体
ウェハ等の被処理基板の表面に均一に供給することが困
雛であり、このため各半導体ウェハ間あるいは半導体ウ
ェハの表面の部位によって、形成されたＣＶＤ膜の膜厚
か不均一になるという問題があった。
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたもので、
各半導体ウェハおよび半導体ウェハの表面全面に、均一
な膜厚でＣＶＤ膜を形成することのできるＣＶＤ装置を
提供しようとするものである。
各半導体ウェハおよび半導体ウェハの表面全面に、均一
な膜厚でＣＶＤ膜を形成することのできるＣＶＤ装置を
提供しようとするものである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
すなわち本発明のＣＶＤ装置は、被処理基板に酸素原子
ラジカルを含有するガスを噴射して成膜することを特徴
とする。
ラジカルを含有するガスを噴射して成膜することを特徴
とする。
（作 用〉
本発明のＣＶＤ装置では、酸素原子ラジカルを含有する
ガスを被処理基板に噴射することにより成膜する。この
手段として反応ガスとして０３ガスを用いた場合には、
被処理基板に例えば０．５乃至２０１Ｉｌｌ′Ｎ程度の
近接間隔で近接対向して配置され被処理基板へ向けて所
定の反応ガスを流出させるガス流出部と、このガス流出
部を冷却する手段と、被処理基板を加熱する手段とを備
えている。
ガスを被処理基板に噴射することにより成膜する。この
手段として反応ガスとして０３ガスを用いた場合には、
被処理基板に例えば０．５乃至２０１Ｉｌｌ′Ｎ程度の
近接間隔で近接対向して配置され被処理基板へ向けて所
定の反応ガスを流出させるガス流出部と、このガス流出
部を冷却する手段と、被処理基板を加熱する手段とを備
えている。
したがって、ガス流出部と半導体ウェハ等の被処理基板
との間に形成されたギャップが、均一なガス濃度の反応
空間となり、各被処理基板全面に均一なＣＶＤ膜を形成
することができる。
との間に形成されたギャップが、均一なガス濃度の反応
空間となり、各被処理基板全面に均一なＣＶＤ膜を形成
することができる。
また、所定の反応ガスは、冷却されたガス流出部から加
熱された被処理基板へ向けて流出されるので、高温にお
いて分解されやすい反応ガスでも被処理基板に供給され
る直前まで分解されることがなく反応ガスを有効に使用
することかでき、高速な成膜速度で処理を行なうことが
できる。
熱された被処理基板へ向けて流出されるので、高温にお
いて分解されやすい反応ガスでも被処理基板に供給され
る直前まで分解されることがなく反応ガスを有効に使用
することかでき、高速な成膜速度で処理を行なうことが
できる。
（実施例）
以下、本発明のＣＶＤ装置を図面を参照して実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
第１図および第４図は本発明の一実施例のＣＶＤ装置を
示すもので、この実施例のＣＶＤ装置では、処理室１１
内には、例えば真空チャック等により半導体ウェハ１２
を吸着保持する載置台１３が配置されており、この載置
台１３は、温度制御装置１４によって制御されるし−タ
１５を内蔵し、昇降装Ｗ１６により上下に移動自在とさ
れている。
示すもので、この実施例のＣＶＤ装置では、処理室１１
内には、例えば真空チャック等により半導体ウェハ１２
を吸着保持する載置台１３が配置されており、この載置
台１３は、温度制御装置１４によって制御されるし−タ
１５を内蔵し、昇降装Ｗ１６により上下に移動自在とさ
れている。
載置台１３」一方には、円錐形状に形成されたコーン部
１７ａと、このコーン部１７ａの開口部に配置され、第
３図にも示すように、例えば金属あるいはセラミック等
の焼結体からなる拡散板１７ｂとから構成されるガス流
出部１７が配置されており、ガス流出部１７は、冷却装
置１８からコーン部１７ａの外側に配置された配管１８
ａ内を循環される冷却水等により冷却されている。
１７ａと、このコーン部１７ａの開口部に配置され、第
３図にも示すように、例えば金属あるいはセラミック等
の焼結体からなる拡散板１７ｂとから構成されるガス流
出部１７が配置されており、ガス流出部１７は、冷却装
置１８からコーン部１７ａの外側に配置された配管１８
ａ内を循環される冷却水等により冷却されている。
そしてガス流出部１７は、それぞれガス流量調節器１．
９ ａ、１９ ｂ、１９ｃを備えたガス供給源２０ａ、
２０１）、２０ｃに接続されている。
９ ａ、１９ ｂ、１９ｃを備えたガス供給源２０ａ、
２０１）、２０ｃに接続されている。
また、載置台１３の周囲には、この載置台１３の周囲を
囲むように例えばスリット状あるいは複数の開口からな
る排気口２１が配置されており、この排気口２１は、排
気装置２２に接続されている。
囲むように例えばスリット状あるいは複数の開口からな
る排気口２１が配置されており、この排気口２１は、排
気装置２２に接続されている。
そして」１記構成のこの実施例のＣＶＤ装置では、次の
ようにしてＣＶＤを行なう。
ようにしてＣＶＤを行なう。
すなわち、まず昇降装置１６によって載置台１３を下降
させ、ガス流出部１７との間に図示しないウェハ搬送装
置のアーム等が導入される間隔が設けられ、半導体ウェ
ハ１２がこのウェハ搬送装置等により載置台１３上に載
置され、吸着保持される。
させ、ガス流出部１７との間に図示しないウェハ搬送装
置のアーム等が導入される間隔が設けられ、半導体ウェ
ハ１２がこのウェハ搬送装置等により載置台１３上に載
置され、吸着保持される。
この後、昇降装置１６によって載置台１３を上昇させ、
ガス流出部１７の拡散板１７ｂと、半導体ウェハ１２表
面との間隔が例えば０．５〜２０闘程度の所定の間隔に
設定される。なおこの場合、ガス流出部１７を昇降装置
によって上下動させてもよい。
ガス流出部１７の拡散板１７ｂと、半導体ウェハ１２表
面との間隔が例えば０．５〜２０闘程度の所定の間隔に
設定される。なおこの場合、ガス流出部１７を昇降装置
によって上下動させてもよい。
半導体ウェハ１２が載置台１３」二に配置されるとガス
供給源２０ａ、２０ｂ、２０ｃから供給される酸素ガス
およびＳ ｉＨ４、ＰＨ３、Ｂ２ Ｈ６等の所定の反応
ガスが、少なくとも２種のガス流量調節器１．９ ａ、
１９ｂ、１９ｃにより流量を調節されて、ガス流出部１
７の拡散板１．７ｂから半導体ウェハ１２表面へ向けて
流出される。なおこの時、ｍ置台１３は、温度制御装置
１４およびヒータ１５により例えば２５０°Ｃ乃至５０
０℃程度に加熱され、半導体ウェハ１２を加熱する。こ
の加熱された半導体ウェハ１２の表面に流出噴射された
反応ガスは、酸素原子ラジカルを生成し、この生成した
酸素原子ラジカルと他の反応ガスとの反応により成膜す
る。ガス流出部１７は、冷却装置１８から配管１８ａ内
を循環される冷却水により冷却されている。この冷却は
、反応ガスが高温に晒されて反応により変化するのを防
止するためである。そして、排気装置２２により排気口
２１から排気を行ない、処理室１１内の気体圧力を７０
０〜２００Ｔｏｒｒ程度に設定する。
供給源２０ａ、２０ｂ、２０ｃから供給される酸素ガス
およびＳ ｉＨ４、ＰＨ３、Ｂ２ Ｈ６等の所定の反応
ガスが、少なくとも２種のガス流量調節器１．９ ａ、
１９ｂ、１９ｃにより流量を調節されて、ガス流出部１
７の拡散板１．７ｂから半導体ウェハ１２表面へ向けて
流出される。なおこの時、ｍ置台１３は、温度制御装置
１４およびヒータ１５により例えば２５０°Ｃ乃至５０
０℃程度に加熱され、半導体ウェハ１２を加熱する。こ
の加熱された半導体ウェハ１２の表面に流出噴射された
反応ガスは、酸素原子ラジカルを生成し、この生成した
酸素原子ラジカルと他の反応ガスとの反応により成膜す
る。ガス流出部１７は、冷却装置１８から配管１８ａ内
を循環される冷却水により冷却されている。この冷却は
、反応ガスが高温に晒されて反応により変化するのを防
止するためである。そして、排気装置２２により排気口
２１から排気を行ない、処理室１１内の気体圧力を７０
０〜２００Ｔｏｒｒ程度に設定する。
この時、第２図に矢印で示すように、ガス流出部１７の
拡散板］、７ｂから流出したガスは、拡散板１７ｂと半
導体ウェハ１２との間に形成された反応空間内で、半導
体ウェハ１２の中央部から周辺部へ向かうガスの流れを
形成する。ここで所定の反応ガスは、加熱された半導体
ウェハ１２およびその周囲の雰囲気により加熱され、化
学的な反応を起こし、半導体ウェハ１２の表面にＣＶＤ
Ｗｉ＆が形成される。
拡散板］、７ｂから流出したガスは、拡散板１７ｂと半
導体ウェハ１２との間に形成された反応空間内で、半導
体ウェハ１２の中央部から周辺部へ向かうガスの流れを
形成する。ここで所定の反応ガスは、加熱された半導体
ウェハ１２およびその周囲の雰囲気により加熱され、化
学的な反応を起こし、半導体ウェハ１２の表面にＣＶＤ
Ｗｉ＆が形成される。
上記説明のこの実施例のＣＶＤ装置では、ガス流出部１
７と半導体ウェハ１２との間に形成されたギャップが、
均一なガス濃度の反応空間となり、各半導体ウェハ１２
全面に均一なＣＶＤＭを形成することができる。また、
所定の反応ガスは、冷却されたガス流出部１７から力ｉ
熱された半導体ウェハ１２へ向けて流出されるので、高
温において分解されやすい反応ガスでも半導体ウェハ１
２に供給される直前まで分解されることがなく反応ガス
を有効に使用することかでき、高速な成膜速度で処理を
行なうことができる。
７と半導体ウェハ１２との間に形成されたギャップが、
均一なガス濃度の反応空間となり、各半導体ウェハ１２
全面に均一なＣＶＤＭを形成することができる。また、
所定の反応ガスは、冷却されたガス流出部１７から力ｉ
熱された半導体ウェハ１２へ向けて流出されるので、高
温において分解されやすい反応ガスでも半導体ウェハ１
２に供給される直前まで分解されることがなく反応ガス
を有効に使用することかでき、高速な成膜速度で処理を
行なうことができる。
なお、この実施例では、所定の反応ガスの１つとして酸
素ガスを用いる場合について説明したが、例えば第４図
に示すように、酸素供給源２５がら供給される酸素ガス
内にオゾン発生器２６によってオゾンを発生させ、オゾ
ンを含む酸素ガスによってＣＶＤＵを形成するよう構成
してもよい。このようなオゾンは、高温とされると分解
が促進されるので、ガス流出部１７の温度は２５℃程度
とすることが好ましい。なお同図において前述の第１図
に示ずＣＶＤ装置と同一部分には、同一符号を付しであ
る。
素ガスを用いる場合について説明したが、例えば第４図
に示すように、酸素供給源２５がら供給される酸素ガス
内にオゾン発生器２６によってオゾンを発生させ、オゾ
ンを含む酸素ガスによってＣＶＤＵを形成するよう構成
してもよい。このようなオゾンは、高温とされると分解
が促進されるので、ガス流出部１７の温度は２５℃程度
とすることが好ましい。なお同図において前述の第１図
に示ずＣＶＤ装置と同一部分には、同一符号を付しであ
る。
縦軸を成膜速度、横軸を半導体ウェハ１２の温度とした
第５図のグラフの実線Ａ、Ｂは、それぞれ第１図に示し
なＣＶＤ装置および第４図に示したオゾンを含む酸素ガ
スによってＣＶＤ膜を形成するＣＶＤ装置の成膜速度を
示している。このグラフかられかるように、オゾンを含
む酸素ガスを用いると、より低温で高速な成膜速度を得
ることができる。
第５図のグラフの実線Ａ、Ｂは、それぞれ第１図に示し
なＣＶＤ装置および第４図に示したオゾンを含む酸素ガ
スによってＣＶＤ膜を形成するＣＶＤ装置の成膜速度を
示している。このグラフかられかるように、オゾンを含
む酸素ガスを用いると、より低温で高速な成膜速度を得
ることができる。
なお、これら実施例ではガス流出部１７を、円錐形状の
コーン部１７ａの開口部に金属あるいはセラミック等の
焼結体からなる拡散板１７ｂを配置して構成したが、本
発明は係る実施例に限定されるものではなく、例えば拡
散板１７ｂは、第６図に示すように多数の小孔３０ｃを
備えた拡散板３０ｂとしてもよく、第７図に示すように
複数の同心円状のスリット３１ ｃを備えた拡散板３１
． ｂ、第８図に示すように直線状のスリブＩ・３２
ｃを備えた拡散板３２ｂ、第９図に示すように大きさの
異なる小孔３３ｃを配置された拡散板３３ｂ、第１０図
に示すように渦巻状のスリット３４． ｃを備えた拡散
板３４ｂ等としてもよい。
コーン部１７ａの開口部に金属あるいはセラミック等の
焼結体からなる拡散板１７ｂを配置して構成したが、本
発明は係る実施例に限定されるものではなく、例えば拡
散板１７ｂは、第６図に示すように多数の小孔３０ｃを
備えた拡散板３０ｂとしてもよく、第７図に示すように
複数の同心円状のスリット３１ ｃを備えた拡散板３１
． ｂ、第８図に示すように直線状のスリブＩ・３２
ｃを備えた拡散板３２ｂ、第９図に示すように大きさの
異なる小孔３３ｃを配置された拡散板３３ｂ、第１０図
に示すように渦巻状のスリット３４． ｃを備えた拡散
板３４ｂ等としてもよい。
［発明の効果］
上述のように本発明のＣＶＤ装置では、ガス流出部と半
導体ウェハ等の被処理基板との間に形成されたギャップ
が、均一なガス濃度の反応空間となり、各被処理基板全
面に均一なＣＶＤＰＡを形成することができる。また、
所定の反応ガスは、冷却されたガス流出部から加熱され
た被処理基板へ向けて流出されるので、例えばオゾン等
の高温において分解されやすい反応ガスでも被処理基板
に供給される直前まで分解されることがなく反応ガスを
有効に使用することができ、高速な成膜速度で処理を行
なうことができる。
導体ウェハ等の被処理基板との間に形成されたギャップ
が、均一なガス濃度の反応空間となり、各被処理基板全
面に均一なＣＶＤＰＡを形成することができる。また、
所定の反応ガスは、冷却されたガス流出部から加熱され
た被処理基板へ向けて流出されるので、例えばオゾン等
の高温において分解されやすい反応ガスでも被処理基板
に供給される直前まで分解されることがなく反応ガスを
有効に使用することができ、高速な成膜速度で処理を行
なうことができる。
第１図は本発明の一実施例のＣＶＤ装置を示す構成図、
第２図は第１図の要部を示ず縦断面図、第３図は第１図
の要部を示す下面図、第４図は第１図のＣＶＤ装置の変
形例を示ず構成図、第５図は成膜速度と温度の関係を示
すグラフ、第６図〜第１０図は第３図の変形例を示す下
面図である。 １２・・・・・・半導体ウェハ、１７・・・・・・ガス
流出部、１４・・・・・・温度制御装置、１５・・・・
・・ヒータ、１８・・・・・・冷却装置。 出願人 東京エレクトロン株式会社代理人 弁理
士 須 由 佐 − 第６図
第２図は第１図の要部を示ず縦断面図、第３図は第１図
の要部を示す下面図、第４図は第１図のＣＶＤ装置の変
形例を示ず構成図、第５図は成膜速度と温度の関係を示
すグラフ、第６図〜第１０図は第３図の変形例を示す下
面図である。 １２・・・・・・半導体ウェハ、１７・・・・・・ガス
流出部、１４・・・・・・温度制御装置、１５・・・・
・・ヒータ、１８・・・・・・冷却装置。 出願人 東京エレクトロン株式会社代理人 弁理
士 須 由 佐 − 第６図
Claims (4)
- （１）被処理基板に酸素原子ラジカルを含有するガスを
噴射して成膜することを特徴とするＣＶＤ装置。 - （２）酸素原子ラジカルを含有するガスを被処理基板に
噴射する手段は、被処理基板に近接対向して配置され前
記被処理基板へ向けて所定の反応ガスを流出させるガス
流出部と、このガス流出部を冷却する手段と、前記被処
理基板を加熱する手段とを備えたものであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のＣＶＤ装置。 - （３）被処理基板とガス流出部との近接対向間隔は、０
．５ｍｍ乃至２０ｍｍである特許請求の範囲第２項記載
のＣＶＤ装置。 - （４）酸素原子ラジカルを含有するガスは、前記酸素元
子ラジカルがオゾンを原料として生成することを特徴と
する特許請求の範囲第１項乃至第２項記載のＣＶＤ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229059A JPH062948B2 (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | 被処理体の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229059A JPH062948B2 (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | 被処理体の処理方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6310129A Division JP2751015B2 (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 被処理体の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6383275A true JPS6383275A (ja) | 1988-04-13 |
| JPH062948B2 JPH062948B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=16886093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61229059A Expired - Lifetime JPH062948B2 (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | 被処理体の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062948B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02194177A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-07-31 | Anelva Corp | 薄膜作製装置および方法 |
| JP2001152344A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-05 | Fujitsu Ltd | 化学蒸着装置 |
| KR100717583B1 (ko) * | 2000-08-26 | 2007-05-15 | 주성엔지니어링(주) | Ｐｅｃｖｄ 장치 |
| US7740703B2 (en) * | 2003-03-18 | 2010-06-22 | Hitachi Cable, Ltd. | Semiconductor film formation device |
| US7775141B2 (en) | 2008-08-01 | 2010-08-17 | Snap-On Incorporated | Extended low-torque ratchet wrench |
| JP4542641B2 (ja) * | 1999-05-24 | 2010-09-15 | 株式会社アルバック | 半導体製造装置及びこの装置を利用したバリアメタル膜の形成方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5976870A (ja) * | 1982-10-25 | 1984-05-02 | Seiko Epson Corp | 酸化膜の化学蒸着法 |
| JPS6085531A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Sony Corp | 薄膜の形成方法 |
| JPS60131969A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | Applied Material Japan Kk | 化学気相成長処理装置 |
| JPS61110767A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-29 | Fujitsu Ltd | Ｃｖｄ装置 |
-
1986
- 1986-09-27 JP JP61229059A patent/JPH062948B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
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| JP2001152344A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-05 | Fujitsu Ltd | 化学蒸着装置 |
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| US7775141B2 (en) | 2008-08-01 | 2010-08-17 | Snap-On Incorporated | Extended low-torque ratchet wrench |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH062948B2 (ja) | 1994-01-12 |
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