JP3289806B2 - 化学気相成長装置および化学気相成長方法 - Google Patents
化学気相成長装置および化学気相成長方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、化学気相成長装置お
よび化学気相成長方法に関し、特に反応ガスを半導体ウ
エハに向けて導出するガスヘッドの改良に関するもので
ある。
よび化学気相成長方法に関し、特に反応ガスを半導体ウ
エハに向けて導出するガスヘッドの改良に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術を、反応ガスとしてＳｉＨ4
ガスとＯ2ガスを用いる枚葉、フェースダウン式常圧化
学気相成長装置の構成について説明する。図９は従来の
化学気相成長装置の概略構成を示す断面図である。図に
おいて、１は反応生成膜が形成される半導体ウエハ、２
は半導体ウエハ１を載置するためのステージ、３はステ
ージ２を介して半導体ウエハ１を加熱するためのヒー
タ、４はガス導入口４ａ，４ｂと中空部４ｃを形成しス
テージ２と対抗する対向面、ここでは上面５に複数のガ
ス吹き出し穴５ａを有するガスヘッド、６は反応空間６
ａを形成させステージ２の周囲に排気口７を備えてなる
反応室、Ａは導入されるＳｉＨ4ガス、Ｂは導入される
Ｏ2ガス、Ｃは導出される反応ガス、Ｄは半導体ウエハ
１に形成される反応生成膜、Ｅは排気ガスである。
ガスとＯ2ガスを用いる枚葉、フェースダウン式常圧化
学気相成長装置の構成について説明する。図９は従来の
化学気相成長装置の概略構成を示す断面図である。図に
おいて、１は反応生成膜が形成される半導体ウエハ、２
は半導体ウエハ１を載置するためのステージ、３はステ
ージ２を介して半導体ウエハ１を加熱するためのヒー
タ、４はガス導入口４ａ，４ｂと中空部４ｃを形成しス
テージ２と対抗する対向面、ここでは上面５に複数のガ
ス吹き出し穴５ａを有するガスヘッド、６は反応空間６
ａを形成させステージ２の周囲に排気口７を備えてなる
反応室、Ａは導入されるＳｉＨ4ガス、Ｂは導入される
Ｏ2ガス、Ｃは導出される反応ガス、Ｄは半導体ウエハ
１に形成される反応生成膜、Ｅは排気ガスである。
【０００３】次に動作について説明する。上記のように
構成された化学気相成長装置においては、ガス導入口４
ａおよび４ｂよりガスヘッド４の中空部４ｃに導入され
たＳｉＨ4ガスＡおよびＯ2ガスＢが混合し、反応ガスＣ
としてガス吹き出し口５ａより、ステージ２上に載置さ
れてヒータ３によって加熱されている半導体ウエハ１の
表面に供給され、この表面上に反応生成膜Ｄが形成され
る。反応が終わった、または未反応の反応ガスＣは排気
ガスＥとして排気口７より反応室６の外へ排気される。
構成された化学気相成長装置においては、ガス導入口４
ａおよび４ｂよりガスヘッド４の中空部４ｃに導入され
たＳｉＨ4ガスＡおよびＯ2ガスＢが混合し、反応ガスＣ
としてガス吹き出し口５ａより、ステージ２上に載置さ
れてヒータ３によって加熱されている半導体ウエハ１の
表面に供給され、この表面上に反応生成膜Ｄが形成され
る。反応が終わった、または未反応の反応ガスＣは排気
ガスＥとして排気口７より反応室６の外へ排気される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、この種
の化学気相成長装置では、半導体ウエハ１に形成される
反応生成膜Ｄの膜厚は、反応に寄与するガスの濃度に依
存しており、濃度が高いほど膜厚は厚くなる。また、反
応室内は常圧であるので、半導体ウエハ１上の反応ガス
Ｃの濃度は、反応ガスＣの流れ方に依存し、反応ガスＣ
が多く流れる所ほど形成される反応生成膜Ｄの膜厚が厚
くなる。この反応空間６ａの反応ガスＣの流れは、反応
空間６ａ内各部の圧力差による圧力損失によってその分
布が決まる。
の化学気相成長装置では、半導体ウエハ１に形成される
反応生成膜Ｄの膜厚は、反応に寄与するガスの濃度に依
存しており、濃度が高いほど膜厚は厚くなる。また、反
応室内は常圧であるので、半導体ウエハ１上の反応ガス
Ｃの濃度は、反応ガスＣの流れ方に依存し、反応ガスＣ
が多く流れる所ほど形成される反応生成膜Ｄの膜厚が厚
くなる。この反応空間６ａの反応ガスＣの流れは、反応
空間６ａ内各部の圧力差による圧力損失によってその分
布が決まる。
【０００５】ガスヘッド４の中空部４ｃと反応空間６ａ
との間の圧力損失より、反応空間６ａと排気口７との間
の圧力損失の方が大きい場合には、ガスヘッド４の中空
部４ｃからガス吹き出し口５ａを通って反応空間６ａへ
流れる反応ガスＣの流量は、各ガス吹き出し口５ａで同
じにならず、排気口７に近いガスヘッド上面５の周辺部
で多く、排気口７より遠いガスヘッド上面５の中心部で
少なくなる。この結果半導体ウエハ１表面上の反応ガス
Ｃは周辺部で多くなり、この状態で形成される反応生成
膜Ｄ1の膜厚は図１０に示すように周辺部で厚く、中心
部で薄くなる。上記膜厚分布の不均一を解決するために
は、ガスヘッド４の中空部４ｃと反応空間６ａとの間の
圧力損失を、反応空間６ａと排気口７との間の圧力損失
より大きくすればよい。
との間の圧力損失より、反応空間６ａと排気口７との間
の圧力損失の方が大きい場合には、ガスヘッド４の中空
部４ｃからガス吹き出し口５ａを通って反応空間６ａへ
流れる反応ガスＣの流量は、各ガス吹き出し口５ａで同
じにならず、排気口７に近いガスヘッド上面５の周辺部
で多く、排気口７より遠いガスヘッド上面５の中心部で
少なくなる。この結果半導体ウエハ１表面上の反応ガス
Ｃは周辺部で多くなり、この状態で形成される反応生成
膜Ｄ1の膜厚は図１０に示すように周辺部で厚く、中心
部で薄くなる。上記膜厚分布の不均一を解決するために
は、ガスヘッド４の中空部４ｃと反応空間６ａとの間の
圧力損失を、反応空間６ａと排気口７との間の圧力損失
より大きくすればよい。
【０００６】そのための手段の一つを図１１の化学気相
成長装置の概略構成を示す断面図で説明する。この図中
の記号は図９で用いられているものと同一である。この
図１１は図９に比べて、ガスヘッド上面５に設けられた
ガス吹き出し口５ａの個数が少なく、ガス吹き出し口５
ａの総断面積が小さいため、ガスヘッド４の中空部４ｃ
と反応空間６ａとの間の圧力損失が大きくなる。このた
め排気口７に近いガスヘッド上面５の周辺部で多く、排
気口７より遠いガスヘッド上面５の中心部で少なくはな
らず、前記半導体ウエハ１表面の反応ガスＣは周辺部と
中心部が比較的均等になり、この状態で形成される反応
生成膜Ｄの膜厚は図１０に示すように周辺部で厚く、中
心部で薄くなることはない。
成長装置の概略構成を示す断面図で説明する。この図中
の記号は図９で用いられているものと同一である。この
図１１は図９に比べて、ガスヘッド上面５に設けられた
ガス吹き出し口５ａの個数が少なく、ガス吹き出し口５
ａの総断面積が小さいため、ガスヘッド４の中空部４ｃ
と反応空間６ａとの間の圧力損失が大きくなる。このた
め排気口７に近いガスヘッド上面５の周辺部で多く、排
気口７より遠いガスヘッド上面５の中心部で少なくはな
らず、前記半導体ウエハ１表面の反応ガスＣは周辺部と
中心部が比較的均等になり、この状態で形成される反応
生成膜Ｄの膜厚は図１０に示すように周辺部で厚く、中
心部で薄くなることはない。
【０００７】しかし、ガス吹き出し口５ａの個数が少な
いため、半導体ウエハ１上でガス吹き出し口５ａに対向
する部分では、反応ガスＣは多くなり、そうでない部分
では少なくなるため、前記半導体ウエハ１上に形成され
る反応生成膜Ｄの膜厚は図１２の半導体ウエハ１上に形
成される反応生成膜Ｄ2の膜厚分布を模式的に表す図に
示されるように、ガス吹き出し口５ａに対向する部分で
は厚くそうでない部分では薄くなり、全面均一なものと
はならない。またガスヘッド４の中空部４ｃと反応空間
６ａとの間の圧力損失を、反応空間６ａと排気口７との
間の圧力損失より大きくするための、一つの手段として
図１３の化学気相成長装置の概略構成を示す断面図で説
明する。この図中の記号は図９で用いられているものと
同一である。この図１３は前記図９に比べて、ガスヘッ
ド上面５に設けられたガス吹き出し口５ａ個々の穴径が
小さく、ガス吹き出し口７の総断面積が小さいため、ガ
スヘッド４の中空部４ｃと反応空間６ａとの間の圧力損
失が大きくなる。このため排気口７に近いガスヘッド上
面５の周辺部で多く、排気口７より遠いガスヘッド上面
５の中心部で少なくはならず、半導体ウエハ１表面上の
反応ガスＣは周辺部で多くなり、この状態で形成される
反応生成膜Ｄの膜厚は図１０に示すように周辺部で厚
く、中心部で薄くなることはない。
いため、半導体ウエハ１上でガス吹き出し口５ａに対向
する部分では、反応ガスＣは多くなり、そうでない部分
では少なくなるため、前記半導体ウエハ１上に形成され
る反応生成膜Ｄの膜厚は図１２の半導体ウエハ１上に形
成される反応生成膜Ｄ2の膜厚分布を模式的に表す図に
示されるように、ガス吹き出し口５ａに対向する部分で
は厚くそうでない部分では薄くなり、全面均一なものと
はならない。またガスヘッド４の中空部４ｃと反応空間
６ａとの間の圧力損失を、反応空間６ａと排気口７との
間の圧力損失より大きくするための、一つの手段として
図１３の化学気相成長装置の概略構成を示す断面図で説
明する。この図中の記号は図９で用いられているものと
同一である。この図１３は前記図９に比べて、ガスヘッ
ド上面５に設けられたガス吹き出し口５ａ個々の穴径が
小さく、ガス吹き出し口７の総断面積が小さいため、ガ
スヘッド４の中空部４ｃと反応空間６ａとの間の圧力損
失が大きくなる。このため排気口７に近いガスヘッド上
面５の周辺部で多く、排気口７より遠いガスヘッド上面
５の中心部で少なくはならず、半導体ウエハ１表面上の
反応ガスＣは周辺部で多くなり、この状態で形成される
反応生成膜Ｄの膜厚は図１０に示すように周辺部で厚
く、中心部で薄くなることはない。
【０００８】しかし、ガス吹き出し口５ａ個々の穴径が
小さいため、穴の内部に異物が付着するとそれによる穴
の断面積の変化する度合いが大きく、それによるガス吹
き出し口５ａでの反応ガスＣの流量の変動が生じやす
い。特に図１３に示すような構成の化学気相成長装置の
反応室では、ヒーター３で加熱されたステージ２に対抗
しているガスヘッド４のガスヘッド上面５は、ステージ
２からの輻射熱によって温度が上昇し、周囲への熱の逃
げが少ないガスヘッド上面５の中心部は同周辺部に比べ
て温度が高くなっている。この時、図１３のガスヘッド
上面５の部分を表す図１４に示すように、ガスヘッド上
面５の他の周辺部に比べて中心部に反応副生物Ｆの付着
が多くなり、ガス吹き出し口５ａでの反応ガスＣの流れ
に対して抵抗となり、この抵抗となる度合いが図１３に
示されるガス吹き出し口５ａの穴径が小さい場合では大
きくなる。この反応副生成物Ｆは反応ガスＣが熱により
反応し半導体ウエハ１上以外の他の部分に付着したもの
である。このガスヘッド上面５中心部への反応副生成物
Ｆの付着により、反応ガスＣのガスヘッド上面５上での
流量は中心部で少なく、周辺部で多くなり、この状態で
形成される反応生成膜Ｄの膜厚は、図１０の半導体ウエ
ハ１表面上に形成される反応生成膜Ｄ1の膜厚分布を模
式的に表す図に示されるように、周辺部で厚く、中心部
で薄くなり、均一にはならない。上記の理由により、こ
の種の化学気相成長装置では、半導体ウエハ１上に形成
される反応生成膜Ｄの膜厚分布を均一に保つことができ
ず、半導体ウエハ１上に形成される製品の歩留まりを低
下させることとなっている。
小さいため、穴の内部に異物が付着するとそれによる穴
の断面積の変化する度合いが大きく、それによるガス吹
き出し口５ａでの反応ガスＣの流量の変動が生じやす
い。特に図１３に示すような構成の化学気相成長装置の
反応室では、ヒーター３で加熱されたステージ２に対抗
しているガスヘッド４のガスヘッド上面５は、ステージ
２からの輻射熱によって温度が上昇し、周囲への熱の逃
げが少ないガスヘッド上面５の中心部は同周辺部に比べ
て温度が高くなっている。この時、図１３のガスヘッド
上面５の部分を表す図１４に示すように、ガスヘッド上
面５の他の周辺部に比べて中心部に反応副生物Ｆの付着
が多くなり、ガス吹き出し口５ａでの反応ガスＣの流れ
に対して抵抗となり、この抵抗となる度合いが図１３に
示されるガス吹き出し口５ａの穴径が小さい場合では大
きくなる。この反応副生成物Ｆは反応ガスＣが熱により
反応し半導体ウエハ１上以外の他の部分に付着したもの
である。このガスヘッド上面５中心部への反応副生成物
Ｆの付着により、反応ガスＣのガスヘッド上面５上での
流量は中心部で少なく、周辺部で多くなり、この状態で
形成される反応生成膜Ｄの膜厚は、図１０の半導体ウエ
ハ１表面上に形成される反応生成膜Ｄ1の膜厚分布を模
式的に表す図に示されるように、周辺部で厚く、中心部
で薄くなり、均一にはならない。上記の理由により、こ
の種の化学気相成長装置では、半導体ウエハ１上に形成
される反応生成膜Ｄの膜厚分布を均一に保つことができ
ず、半導体ウエハ１上に形成される製品の歩留まりを低
下させることとなっている。
【０００９】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、半導体ウエハ表面上に形成され
る反応生成膜の膜厚分布を均一にし、またガスヘッド上
面のガス吹き出し穴に付着する反応副生成物によって反
応生成膜の膜厚分布の変動が起こらない化学気相成長装
置および化学気相成長方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、半導体ウエハ表面上に形成され
る反応生成膜の膜厚分布を均一にし、またガスヘッド上
面のガス吹き出し穴に付着する反応副生成物によって反
応生成膜の膜厚分布の変動が起こらない化学気相成長装
置および化学気相成長方法を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
の化学気相成長装置は、半導体ウエハを加熱，保持する
ステージと、導入されるガスを混合し反応ガスとする中
空部を形成しステージに対向する対向面に複数のガス吹
き出し穴を有し反応ガスを半導体ウエハ表面に噴射する
ガスヘッドと、ステージとガスヘッド間に反応空間を形
成させステージの周囲に反応空間の排気口を有してなる
反応室を備えた化学気相成長装置において、ガスヘッド
の中空部に対向面と平行でかつ複数のガス通過穴が形成
された面を有し、通過するガスに対する抵抗が対向面の
抵抗より大きい拡散板を設け、この拡散板と対向面との
空間に拡散板と対向面に接して対向面と拡散板に垂直な
方向となる隔壁をガスヘッド中心から排気口に向かう方
向に複数設けたものである。
の化学気相成長装置は、半導体ウエハを加熱，保持する
ステージと、導入されるガスを混合し反応ガスとする中
空部を形成しステージに対向する対向面に複数のガス吹
き出し穴を有し反応ガスを半導体ウエハ表面に噴射する
ガスヘッドと、ステージとガスヘッド間に反応空間を形
成させステージの周囲に反応空間の排気口を有してなる
反応室を備えた化学気相成長装置において、ガスヘッド
の中空部に対向面と平行でかつ複数のガス通過穴が形成
された面を有し、通過するガスに対する抵抗が対向面の
抵抗より大きい拡散板を設け、この拡散板と対向面との
空間に拡散板と対向面に接して対向面と拡散板に垂直な
方向となる隔壁をガスヘッド中心から排気口に向かう方
向に複数設けたものである。
【００１１】また、請求項２の化学気相成長装置は請求
項１または２において、拡散板のガス通過穴に対して任
意のガス通過穴が塞げるよう穴の塞ぎ手段を設けたもの
である。
項１または２において、拡散板のガス通過穴に対して任
意のガス通過穴が塞げるよう穴の塞ぎ手段を設けたもの
である。
【００１２】また、請求項３の化学気相成長装置は請求
項１〜３のいずれかにおいて、ガスヘッドの対向面と拡
散板との間の空間に、反応ガスの所定流路に対し抵抗と
なる抵抗板を配置したものである。
項１〜３のいずれかにおいて、ガスヘッドの対向面と拡
散板との間の空間に、反応ガスの所定流路に対し抵抗と
なる抵抗板を配置したものである。
【００１３】また、請求項４の化学気相成長装置は請求
項１において、ガスヘッドの対向面に設けられたガス吹
き出し穴と拡散板に設けられたガス通過穴が互いに位置
をずらして配置されているものである。
項１において、ガスヘッドの対向面に設けられたガス吹
き出し穴と拡散板に設けられたガス通過穴が互いに位置
をずらして配置されているものである。
【００１４】また、請求項５の化学気相成長方法は、請
求項１に記載の化学気相成長装置を用いた化学気相成長
方法において、半導体ウエハをステージ上に載置し、中
空部に複数種のガスを導入して混合し反応ガスとし、反
応ガスを拡散板にてその流れを抑制して、拡散板の各ガ
ス通過穴から反応ガスが均一な流量となるように通過さ
せる工程と、反応ガスを隔壁にて隔離された中空部を通
過させる工程と、反応ガスを対向面の各ガス吹き出し穴
から半導体ウエハ上に吹き付けて半導体ウエハ上にて化
学気相成長を行うとともに、反応ガスを排気口から排気
するものである。
求項１に記載の化学気相成長装置を用いた化学気相成長
方法において、半導体ウエハをステージ上に載置し、中
空部に複数種のガスを導入して混合し反応ガスとし、反
応ガスを拡散板にてその流れを抑制して、拡散板の各ガ
ス通過穴から反応ガスが均一な流量となるように通過さ
せる工程と、反応ガスを隔壁にて隔離された中空部を通
過させる工程と、反応ガスを対向面の各ガス吹き出し穴
から半導体ウエハ上に吹き付けて半導体ウエハ上にて化
学気相成長を行うとともに、反応ガスを排気口から排気
するものである。
【００１５】
【作用】この発明における化学気相成長装置および化学
気相成長方法は、中空部の拡散板が反応ガスの流れに対
する抵抗を大きくし、反応ガスの拡散板での圧力損失は
反応空間のガスヘッド中心と排気口との間の圧力損失よ
り大きくなり、また、排気口から遠くにあるためガス通
過口を通る反応ガスの流量を各部で均一な流量にする。
さらに、拡散板と対向面に接した隔壁がガスヘッドの中
心から排気口側へ向かう反応ガスの流れを止めるため、
各隔壁間の空間における反応ガスの流量は均一なままで
ガスヘッド上面のガス吹き出し穴を通って流れ半導体ウ
エハの各部へ供給される反応ガスの流量を等しくするこ
とができる。
気相成長方法は、中空部の拡散板が反応ガスの流れに対
する抵抗を大きくし、反応ガスの拡散板での圧力損失は
反応空間のガスヘッド中心と排気口との間の圧力損失よ
り大きくなり、また、排気口から遠くにあるためガス通
過口を通る反応ガスの流量を各部で均一な流量にする。
さらに、拡散板と対向面に接した隔壁がガスヘッドの中
心から排気口側へ向かう反応ガスの流れを止めるため、
各隔壁間の空間における反応ガスの流量は均一なままで
ガスヘッド上面のガス吹き出し穴を通って流れ半導体ウ
エハの各部へ供給される反応ガスの流量を等しくするこ
とができる。
【００１６】また、拡散板のガス通過穴で任意の穴を塞
ぐ手段が各々の隔壁間の反応ガス流量の調整を容易に可
能としガスヘッド上面のガス吹き出し穴から出る反応ガ
ス流量を各部均一にする。
ぐ手段が各々の隔壁間の反応ガス流量の調整を容易に可
能としガスヘッド上面のガス吹き出し穴から出る反応ガ
ス流量を各部均一にする。
【００１７】また、ガスヘッドの対向面と拡散板との間
の抵抗板が各々の隔壁間内部で反応ガスの流れが排気口
側に多くなるのを防ぎガスヘッド上面のガス吹き出し穴
から出る反応ガス流量を各部さらに均一にする。
の抵抗板が各々の隔壁間内部で反応ガスの流れが排気口
側に多くなるのを防ぎガスヘッド上面のガス吹き出し穴
から出る反応ガス流量を各部さらに均一にする。
【００１８】また、対向面のガス吹き出し穴と拡散板の
ガス通過穴が互いにずらして位置しているので、ガス通
過穴を通過した反応ガスが十分に拡散されてガス吹き出
し穴より出ることになり全体のガス流量の分布を均一に
できる。
ガス通過穴が互いにずらして位置しているので、ガス通
過穴を通過した反応ガスが十分に拡散されてガス吹き出
し穴より出ることになり全体のガス流量の分布を均一に
できる。
【００１９】
【実施例】実施例１． 以下、この発明の実施例１を図について説明する。図１
はこの発明の実施例１における化学気相成長装置の概略
構成を示す断面図である。図において、１〜７，Ａ，
Ｂ，Ｄ，Ｅは従来と同様でありその説明は省略する。８
はガスヘッド４の中空部４ｃにガスヘッド上面５と平行
でかつ複数のガス通過穴８ａが形成された面を有するガ
ス拡散板、４ｄは拡散板８とガスヘッド上面５間に形成
された中空部、９は拡散板８とガスヘッド上面５に接し
て拡散板８とガスヘッド上面５に垂直な方向に配され、
ガスヘッド４の中心から排気口に向かう方向を仕切る
（この場合３区域）複数の隔壁、Ｃ1はガス通過穴８ａ
から導出される反応ガス、Ｃ2はガス吹き出し穴５ａか
ら導出される反応ガスである。
はこの発明の実施例１における化学気相成長装置の概略
構成を示す断面図である。図において、１〜７，Ａ，
Ｂ，Ｄ，Ｅは従来と同様でありその説明は省略する。８
はガスヘッド４の中空部４ｃにガスヘッド上面５と平行
でかつ複数のガス通過穴８ａが形成された面を有するガ
ス拡散板、４ｄは拡散板８とガスヘッド上面５間に形成
された中空部、９は拡散板８とガスヘッド上面５に接し
て拡散板８とガスヘッド上面５に垂直な方向に配され、
ガスヘッド４の中心から排気口に向かう方向を仕切る
（この場合３区域）複数の隔壁、Ｃ1はガス通過穴８ａ
から導出される反応ガス、Ｃ2はガス吹き出し穴５ａか
ら導出される反応ガスである。
【００２０】次に動作について説明する。各々のガス導
入口４ａ，４ｂよりガスヘッド４の中空部４ｃへ導入さ
れたＳｉＨ4ガスＡとＯ2ガスＢは拡散板８の下部で混合
し、反応ガスＣ1としてガス通過穴８ａを通って拡散板
８とガスヘッド上面５間の中空部４ｄに流れる。この拡
散板８の反応ガスＣ1の流れに対する抵抗は大きいため
拡散板８上下での圧力損失は、ガスヘッド上面５の中心
部と排気口７との間の圧力損失より大きく、また、排気
口７から離れているため、ガス通過穴８ａを通る反応ガ
スＣ1の流量は排出口７側で多くならず、各部で均一な
流量となる。
入口４ａ，４ｂよりガスヘッド４の中空部４ｃへ導入さ
れたＳｉＨ4ガスＡとＯ2ガスＢは拡散板８の下部で混合
し、反応ガスＣ1としてガス通過穴８ａを通って拡散板
８とガスヘッド上面５間の中空部４ｄに流れる。この拡
散板８の反応ガスＣ1の流れに対する抵抗は大きいため
拡散板８上下での圧力損失は、ガスヘッド上面５の中心
部と排気口７との間の圧力損失より大きく、また、排気
口７から離れているため、ガス通過穴８ａを通る反応ガ
スＣ1の流量は排出口７側で多くならず、各部で均一な
流量となる。
【００２１】続いて各部で均一な流量でガス通過穴８ａ
を通過した反応ガスＣ1はガスヘッド上面５へ向かって
流れていくが、隔壁９がガスヘッド４の中心から排気口
７に向かう方向への反応ガスＣ1の流れを止めるため、
各隔壁９間の空間における反応ガスＣ1の流量は均一な
ままでガスヘッド上面５のガス吹き出し穴５ａを通って
流れるので、半導体ウエハ１の各部へ供給される反応ガ
スＣ2の流量を等しくすることができる。この時図２に
示すように、半導体ウエハ１表面上に均一な膜厚分布の
反応生成膜Ｄ3を形成することができる。このことは、
課題で述べたガス吹き出し穴の個数を少なくして発生す
る弊害、ガス吹き出し穴の径を小さくして発生する弊害
なども同時に解決でき均一な膜厚分布の反応生成膜を形
成させることが可能となる。
を通過した反応ガスＣ1はガスヘッド上面５へ向かって
流れていくが、隔壁９がガスヘッド４の中心から排気口
７に向かう方向への反応ガスＣ1の流れを止めるため、
各隔壁９間の空間における反応ガスＣ1の流量は均一な
ままでガスヘッド上面５のガス吹き出し穴５ａを通って
流れるので、半導体ウエハ１の各部へ供給される反応ガ
スＣ2の流量を等しくすることができる。この時図２に
示すように、半導体ウエハ１表面上に均一な膜厚分布の
反応生成膜Ｄ3を形成することができる。このことは、
課題で述べたガス吹き出し穴の個数を少なくして発生す
る弊害、ガス吹き出し穴の径を小さくして発生する弊害
なども同時に解決でき均一な膜厚分布の反応生成膜を形
成させることが可能となる。
【００２２】実施例２． また、実施例１の構成において、ガス拡散板８のガス通
過穴８ａの分布等により、ガス通過穴８ａを通る反応ガ
スＣ1の流量が各部で均一な流量とならない場合図４に
示すように半導体ウエハ表面上に各隔壁間の空間での反
応ガスＣ2のガス流量に対応した不均一な膜厚分布の反
応生成膜Ｄ4が形成されることになる。これを解決する
構成を以下実施例２として図３について説明する。図に
おいて、１〜９およびＡ，Ｂ，Ｃ1，Ｃ2，Ｄ，Ｅは図１
と同様でありその説明は省略する。１０はガス通過穴８
ａで所定のものを塞ぐ手段となる栓で、例えばガス通過
穴８ａには雌ネジが設けられ栓１０は雄ネジで形成され
ている。
過穴８ａの分布等により、ガス通過穴８ａを通る反応ガ
スＣ1の流量が各部で均一な流量とならない場合図４に
示すように半導体ウエハ表面上に各隔壁間の空間での反
応ガスＣ2のガス流量に対応した不均一な膜厚分布の反
応生成膜Ｄ4が形成されることになる。これを解決する
構成を以下実施例２として図３について説明する。図に
おいて、１〜９およびＡ，Ｂ，Ｃ1，Ｃ2，Ｄ，Ｅは図１
と同様でありその説明は省略する。１０はガス通過穴８
ａで所定のものを塞ぐ手段となる栓で、例えばガス通過
穴８ａには雌ネジが設けられ栓１０は雄ネジで形成され
ている。
【００２３】次に動作について説明する。栓１０はガス
拡散板８のガス通過穴８ａの内、拡散板８上部の各隔壁
９間の空間で反応ガスＣ1の流量の多い部分にあるガス
通過穴８ａに対して適当数行い、その部分に相当するガ
ス通過穴８ａの総面積を少なくすることにより、反応ガ
スＣ1の流量の多い部分の流量を少なくして、全体のガ
ス流量の分布を均一にすることができる。これにより図
２の半導体ウエハ１表面上に形成される反応生成膜Ｄの
膜厚分布を模式的に表す図２に示されるように、半導体
ウエハ表面上に均一な膜厚分布の反応生成膜を形成する
ことができる。
拡散板８のガス通過穴８ａの内、拡散板８上部の各隔壁
９間の空間で反応ガスＣ1の流量の多い部分にあるガス
通過穴８ａに対して適当数行い、その部分に相当するガ
ス通過穴８ａの総面積を少なくすることにより、反応ガ
スＣ1の流量の多い部分の流量を少なくして、全体のガ
ス流量の分布を均一にすることができる。これにより図
２の半導体ウエハ１表面上に形成される反応生成膜Ｄの
膜厚分布を模式的に表す図２に示されるように、半導体
ウエハ表面上に均一な膜厚分布の反応生成膜を形成する
ことができる。
【００２４】実施例３． また、実施例１の構成において、ガスヘッド５中心と排
気口７との間の圧力損失が大きい場合、各隔壁９間の空
間内における反応ガスＣ1の流量は均一なままでガスヘ
ッド上面５のガス吹き出し穴５ａを通って流れずにそれ
ぞれ排気口７側の方に多く偏って流れ、図６に示すよう
に各隔壁９間の空間内に対向する範囲ごとに、外周部の
排気口７側の方にいくにつれて反応生成膜Ｄ5が厚く形
成されることになる。これを解決する構成を以下実施例
３として図５について説明する。図において、１〜９お
よびＡ，Ｂ，Ｃ1，Ｃ2，Ｄ，Ｅは図１と同様でありその
説明は省略する。１１は各隔壁９間の空間内に反応ガス
Ｃ1の流れに対して抵抗となるように設けられた抵抗板
で、特に排気口７に近い側では隔壁９に接しガスヘッド
４の中心に近い側では隔壁９とは接しないで開口部を持
つように設けたものである。
気口７との間の圧力損失が大きい場合、各隔壁９間の空
間内における反応ガスＣ1の流量は均一なままでガスヘ
ッド上面５のガス吹き出し穴５ａを通って流れずにそれ
ぞれ排気口７側の方に多く偏って流れ、図６に示すよう
に各隔壁９間の空間内に対向する範囲ごとに、外周部の
排気口７側の方にいくにつれて反応生成膜Ｄ5が厚く形
成されることになる。これを解決する構成を以下実施例
３として図５について説明する。図において、１〜９お
よびＡ，Ｂ，Ｃ1，Ｃ2，Ｄ，Ｅは図１と同様でありその
説明は省略する。１１は各隔壁９間の空間内に反応ガス
Ｃ1の流れに対して抵抗となるように設けられた抵抗板
で、特に排気口７に近い側では隔壁９に接しガスヘッド
４の中心に近い側では隔壁９とは接しないで開口部を持
つように設けたものである。
【００２５】次に動作について説明する。抵抗板１１は
反応ガスＣ1の流量が多くなっている排気口７に近い側
で反応ガスＣ1の流れに対して抵抗となり、反応ガスＣ1
の流量が少なくなっているガスヘッド４の中心に近い側
では開口部を持ち抵抗となっていないため、この拡散板
１１と開口部の割合を各々の場所で反応ガスＣ1の流れ
の偏りに対して適当にすることによって、各隔壁９間の
空間内で反応ガスＣ1の流れの偏りをガスヘッド上面５
の直下でなくして、全体のガス流量の分布を均一にでき
るので、図２の半導体ウエハ１上に形成される反応生成
膜Ｄの膜厚分布を模式的に表す図に示されるように、半
導体ウエハ１上に均一な膜厚分布の反応生成膜Ｄを形成
することができる。なお、この構成は実施例２の構成と
併用しても効果的である。
反応ガスＣ1の流量が多くなっている排気口７に近い側
で反応ガスＣ1の流れに対して抵抗となり、反応ガスＣ1
の流量が少なくなっているガスヘッド４の中心に近い側
では開口部を持ち抵抗となっていないため、この拡散板
１１と開口部の割合を各々の場所で反応ガスＣ1の流れ
の偏りに対して適当にすることによって、各隔壁９間の
空間内で反応ガスＣ1の流れの偏りをガスヘッド上面５
の直下でなくして、全体のガス流量の分布を均一にでき
るので、図２の半導体ウエハ１上に形成される反応生成
膜Ｄの膜厚分布を模式的に表す図に示されるように、半
導体ウエハ１上に均一な膜厚分布の反応生成膜Ｄを形成
することができる。なお、この構成は実施例２の構成と
併用しても効果的である。
【００２６】実施例４． また、実施例１の構成において、ガス拡散板８のガス通
過穴８ａとガスヘッド上面５のガス吹き出し穴の位置
が、ガス拡散板８からガスヘッド上面５に向かう反応ガ
スＣ1の流れ方向で重なっている部分がある場合、ガス
通過穴８ａを通過した反応ガスＣ1は十分に拡散しない
ままガス吹き出し穴５ａより流れ出るために、その部分
の反応ガスＣ2の流量が周囲に比べて多くなってしまう
ため、図８に示すようにガス吹き出し穴５ａに対向する
部分では、半導体ウエハ１表面上に形成される反応生成
膜Ｄ6の膜厚が厚くなるような不均一な膜厚分布となっ
てしまう。これを解決する構成を以下実施例４として図
７について説明する。図において、１〜７およびＡ，
Ｂ，Ｃ1，Ｃ2，Ｄ，Ｅは図１と同様でありその説明は省
略する。１２はガスヘッド４の中空部４ｃにガスヘッド
上面５と平行な面を形成し全面に複数のガス通過穴１２
ａを有するガス拡散板で、ガス通過穴１２ａはガスヘッ
ド上面５のガス吹き出し穴５ａとはガス拡散板１２から
ガスヘッド上面５に向かう反応ガスＣ1の流れ方向で重
ならないように配置されている。１３は拡散板１２とガ
スヘッド上面５に接して拡散板１２とガスヘッド上面５
に垂直な方向に配され、ガスヘッド４の中心から排気口
７に向かう方向を仕切る複数の隔壁である。
過穴８ａとガスヘッド上面５のガス吹き出し穴の位置
が、ガス拡散板８からガスヘッド上面５に向かう反応ガ
スＣ1の流れ方向で重なっている部分がある場合、ガス
通過穴８ａを通過した反応ガスＣ1は十分に拡散しない
ままガス吹き出し穴５ａより流れ出るために、その部分
の反応ガスＣ2の流量が周囲に比べて多くなってしまう
ため、図８に示すようにガス吹き出し穴５ａに対向する
部分では、半導体ウエハ１表面上に形成される反応生成
膜Ｄ6の膜厚が厚くなるような不均一な膜厚分布となっ
てしまう。これを解決する構成を以下実施例４として図
７について説明する。図において、１〜７およびＡ，
Ｂ，Ｃ1，Ｃ2，Ｄ，Ｅは図１と同様でありその説明は省
略する。１２はガスヘッド４の中空部４ｃにガスヘッド
上面５と平行な面を形成し全面に複数のガス通過穴１２
ａを有するガス拡散板で、ガス通過穴１２ａはガスヘッ
ド上面５のガス吹き出し穴５ａとはガス拡散板１２から
ガスヘッド上面５に向かう反応ガスＣ1の流れ方向で重
ならないように配置されている。１３は拡散板１２とガ
スヘッド上面５に接して拡散板１２とガスヘッド上面５
に垂直な方向に配され、ガスヘッド４の中心から排気口
７に向かう方向を仕切る複数の隔壁である。
【００２７】次に動作について説明する。ガス拡散板１
２上のガス通過口１２ａとガスヘッド上面５のガス吹き
出し口５ａとはガス拡散板１２からガスヘッド上面５に
向かう反応ガスＣ1の流れ方向で重ならないように配置
されているため、前述したガス通過口１２を通過した前
記反応ガスＣ1が十分に拡散しないままガス吹き出し口
５ａより流れ出て、その部分の反応ガスＣ2の流量が周
囲に比べて多くなることがなく、全体のガス流量の分布
を均一にできるので、図２の半導体ウエハ１上に形成さ
れる反応生成膜Ｄの膜厚分布を模式的に表す図に示され
るように、半導体ウエハ１上に均一な膜厚分布の反応生
成膜Ｄ3を形成することができる。なお、この構成は実
施例２および実施例３の構成と併用しても良い。
２上のガス通過口１２ａとガスヘッド上面５のガス吹き
出し口５ａとはガス拡散板１２からガスヘッド上面５に
向かう反応ガスＣ1の流れ方向で重ならないように配置
されているため、前述したガス通過口１２を通過した前
記反応ガスＣ1が十分に拡散しないままガス吹き出し口
５ａより流れ出て、その部分の反応ガスＣ2の流量が周
囲に比べて多くなることがなく、全体のガス流量の分布
を均一にできるので、図２の半導体ウエハ１上に形成さ
れる反応生成膜Ｄの膜厚分布を模式的に表す図に示され
るように、半導体ウエハ１上に均一な膜厚分布の反応生
成膜Ｄ3を形成することができる。なお、この構成は実
施例２および実施例３の構成と併用しても良い。
【００２８】また、上記各実施例では、反応ガスとして
ＳｉＨ4ガスとＯ2ガスを用いたが、反応ガスとしてＴＥ
ＯＳ（テトラエトキシシラン）液を気化させたガスとＯ
3ガスを用いてもよく、この場合前述の反応ガスとして
ＳｉＨ4ガスとＯ2ガスを用いる場合に比べて前述した反
応副生成物Ｆの発生が多く、このガス吹き出し穴５ａへ
の付着により反応生成膜Ｄが不均一になりやすいため
に、この構成を用いた効果が顕著になる。
ＳｉＨ4ガスとＯ2ガスを用いたが、反応ガスとしてＴＥ
ＯＳ（テトラエトキシシラン）液を気化させたガスとＯ
3ガスを用いてもよく、この場合前述の反応ガスとして
ＳｉＨ4ガスとＯ2ガスを用いる場合に比べて前述した反
応副生成物Ｆの発生が多く、このガス吹き出し穴５ａへ
の付着により反応生成膜Ｄが不均一になりやすいため
に、この構成を用いた効果が顕著になる。
【００２９】さらに、上記各実施例でのガス拡散板８ま
たは１２、隔壁９または１３、栓１０、抵抗板１１は上
記性能を有するものであれば他のどのような形態であっ
てもよい。
たは１２、隔壁９または１３、栓１０、抵抗板１１は上
記性能を有するものであれば他のどのような形態であっ
てもよい。
【００３０】また、ステージ２、ヒーター３、排気口
４、ガスヘッド４等の反応室各部の構成、形状なども上
記作動の範囲内において特に規定するものではない。
４、ガスヘッド４等の反応室各部の構成、形状なども上
記作動の範囲内において特に規定するものではない。
【００３１】
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば、半導体ウエハを加熱，保持するステージと、導入
されるガスを混合し反応ガスとする中空部を形成しステ
ージに対向する対向面に複数のガス吹き出し穴を有し反
応ガスを半導体ウエハ表面に噴射するガスヘッドと、ス
テージとガスヘッド間に反応空間を形成させステージの
周囲に反応空間の排気口を有してなる反応室を備えた化
学気相成長装置において、ガスヘッドの中空部に対向面
と平行でかつ複数のガス通過穴が形成された面を有し、
通過するガスに対する抵抗が対向面の抵抗より大きい拡
散板を設け、この拡散板と対向面との空間に拡散板と対
向面に接して対向面と拡散板に垂直な方向となる隔壁を
ガスヘッド中心から排気口に向かう方向に複数設けたの
で、反応ガスの流量は均一な状態でガスヘッド上面のガ
ス吹き出し穴を通って流れ半導体ウエハの各部へ供給さ
れる反応ガスの流量を等しくできるめ半導体ウエハ表面
上に形成する膜の膜厚分布を均一にすることができる。
れば、半導体ウエハを加熱，保持するステージと、導入
されるガスを混合し反応ガスとする中空部を形成しステ
ージに対向する対向面に複数のガス吹き出し穴を有し反
応ガスを半導体ウエハ表面に噴射するガスヘッドと、ス
テージとガスヘッド間に反応空間を形成させステージの
周囲に反応空間の排気口を有してなる反応室を備えた化
学気相成長装置において、ガスヘッドの中空部に対向面
と平行でかつ複数のガス通過穴が形成された面を有し、
通過するガスに対する抵抗が対向面の抵抗より大きい拡
散板を設け、この拡散板と対向面との空間に拡散板と対
向面に接して対向面と拡散板に垂直な方向となる隔壁を
ガスヘッド中心から排気口に向かう方向に複数設けたの
で、反応ガスの流量は均一な状態でガスヘッド上面のガ
ス吹き出し穴を通って流れ半導体ウエハの各部へ供給さ
れる反応ガスの流量を等しくできるめ半導体ウエハ表面
上に形成する膜の膜厚分布を均一にすることができる。
【００３２】また、この発明の請求項２によれば請求項
１において、拡散板のガス通過穴に対して任意のガス通
過穴を塞げるよう穴の塞ぎ手段を設けたので、各々の隔
壁間の反応ガス流量の調整を容易に可能とし反応ガスの
流れを半導体ウエハに対して均一にでき半導体ウエハ上
に形成する膜の膜厚分布を均一にすることができる。
１において、拡散板のガス通過穴に対して任意のガス通
過穴を塞げるよう穴の塞ぎ手段を設けたので、各々の隔
壁間の反応ガス流量の調整を容易に可能とし反応ガスの
流れを半導体ウエハに対して均一にでき半導体ウエハ上
に形成する膜の膜厚分布を均一にすることができる。
【００３３】また、この発明の請求項３によれば請求項
１または２において、ガスヘッドの対向面と拡散板との
間の空間に、反応ガスの所定流路に対し抵抗となる抵抗
板を配置したので、各々の隔壁間内部で反応ガスの流れ
が排気口側に多くなるのを防ぎガスヘッド上面のガス吹
き出し穴から出る反応ガス流量を各部さらに均一にし半
導体ウエハ上に形成する膜の膜厚分布を均一にすること
ができる。
１または２において、ガスヘッドの対向面と拡散板との
間の空間に、反応ガスの所定流路に対し抵抗となる抵抗
板を配置したので、各々の隔壁間内部で反応ガスの流れ
が排気口側に多くなるのを防ぎガスヘッド上面のガス吹
き出し穴から出る反応ガス流量を各部さらに均一にし半
導体ウエハ上に形成する膜の膜厚分布を均一にすること
ができる。
【００３４】また、この発明の請求項４によれば請求項
１〜３のいずれかにおいて、ガスヘッドの対向面に設け
られたガス吹き出し穴と拡散板に設けられたガス通過穴
が互いに位置をずらして配置されているので、ガス通過
穴を通過した反応ガスが十分に拡散されてガス吹き出し
穴より出ることになり全体のガス流量の分布を均一にし
半導体ウエハ上に形成する膜の膜厚分布を均一にするこ
とができる。
１〜３のいずれかにおいて、ガスヘッドの対向面に設け
られたガス吹き出し穴と拡散板に設けられたガス通過穴
が互いに位置をずらして配置されているので、ガス通過
穴を通過した反応ガスが十分に拡散されてガス吹き出し
穴より出ることになり全体のガス流量の分布を均一にし
半導体ウエハ上に形成する膜の膜厚分布を均一にするこ
とができる。
【００３５】また、この発明の請求項５によれば、請求
項１に記載の化学気相成長装置を用いた化学気相成長方
法において、半導体ウエハをステージ上に載置し、中空
部に複数種のガスを導入して混合し反応ガスとし、反応
ガスを拡散板にてその流れを抑制して、拡散板の各ガス
通過穴から反応ガスが均一な流量となるように通過さ
せ、反応ガスを隔壁にて隔離された中空部を通過させ、
反応ガスを対向面の各ガス吹き出し穴から半導体ウエハ
上に吹き付けて半導体ウエハ上にて化学気相成長を行う
とともに、反応ガスを排気口から排気するもので、反応
ガスの流量は均一な状態でガスヘッド上面のガス吹き出
し穴を通って流れ半導体ウエハの各部へ供給される反応
ガスの流量を等しくできるめ半導体ウエハ表面上に形成
する膜の膜厚分布を均一にすることができる。
項１に記載の化学気相成長装置を用いた化学気相成長方
法において、半導体ウエハをステージ上に載置し、中空
部に複数種のガスを導入して混合し反応ガスとし、反応
ガスを拡散板にてその流れを抑制して、拡散板の各ガス
通過穴から反応ガスが均一な流量となるように通過さ
せ、反応ガスを隔壁にて隔離された中空部を通過させ、
反応ガスを対向面の各ガス吹き出し穴から半導体ウエハ
上に吹き付けて半導体ウエハ上にて化学気相成長を行う
とともに、反応ガスを排気口から排気するもので、反応
ガスの流量は均一な状態でガスヘッド上面のガス吹き出
し穴を通って流れ半導体ウエハの各部へ供給される反応
ガスの流量を等しくできるめ半導体ウエハ表面上に形成
する膜の膜厚分布を均一にすることができる。
【図１】 この発明の実施例１における化学気相成長装
置の概略構成を示す断面図である。
置の概略構成を示す断面図である。
【図２】 この発明の実施例により、半導体ウエハ上に
形成した反応生成膜を示す側断面図である。
形成した反応生成膜を示す側断面図である。
【図３】 この発明の実施例２における化学気相成長装
置の概略構成を示す断面図である。
置の概略構成を示す断面図である。
【図４】 実施例２に関連した反応生成膜を説明する側
断面図である。
断面図である。
【図５】 この発明の実施例３における化学気相成長装
置の概略構成を示す断面図である。
置の概略構成を示す断面図である。
【図６】 実施例３に関連した反応生成膜を説明する側
断面図である。
断面図である。
【図７】 この発明の実施例４における化学気相成長装
置の概略構成を示す断面図である。
置の概略構成を示す断面図である。
【図８】 実施例４に関連した反応生成膜を説明する側
断面図である。
断面図である。
【図９】 従来の化学気相成長装置の概略構成を示す断
面図である。
面図である。
【図１０】 従来の化学気相成長装置で半導体ウエハ上
に形成した反応生成膜を示す断面図である。
に形成した反応生成膜を示す断面図である。
【図１１】 従来の他の化学気相成長装置の概略構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１２】 従来の他の化学気相成長装置で半導体ウエ
ハ上に形成した反応生成膜を示す断面図である。
ハ上に形成した反応生成膜を示す断面図である。
【図１３】 従来の他の化学気相成長装置の概略構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１４】 従来の他の化学気相成長装置でガスヘッド
上面の反応副生成物付着状況を示す断面図である。
上面の反応副生成物付着状況を示す断面図である。
１ 半導体ウエハ、２ ステージ、４ ガスヘッド、４
ｃ 中空部、５ ガスヘッド上面（対向面）、５ａ ガ
ス吹き出し穴、６ 反応室、６ａ 反応空間、７ 排気
口、８ 拡散板、８ａ ガス通過穴、９ 隔壁、１０
栓（穴を塞ぐ手段）、１１ 抵抗板、１２ 拡散板、１
２ａ ガス通過穴、１３ 隔壁、Ｃ 反応ガス、Ｃ1
拡散板を通過した反応ガス、Ｃ2 ガス吹き出し穴を通
過した反応ガス、Ｄ 反応生成膜、Ｅ 排気ガス。
ｃ 中空部、５ ガスヘッド上面（対向面）、５ａ ガ
ス吹き出し穴、６ 反応室、６ａ 反応空間、７ 排気
口、８ 拡散板、８ａ ガス通過穴、９ 隔壁、１０
栓（穴を塞ぐ手段）、１１ 抵抗板、１２ 拡散板、１
２ａ ガス通過穴、１３ 隔壁、Ｃ 反応ガス、Ｃ1
拡散板を通過した反応ガス、Ｃ2 ガス吹き出し穴を通
過した反応ガス、Ｄ 反応生成膜、Ｅ 排気ガス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−170675（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−348031（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−160034（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−217914（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−22341（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/31
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体ウエハを加熱，保持するステージ
と、導入されるガスを混合し反応ガスとする中空部を形
成し上記ステージに対向する対向面に複数のガス吹き出
し穴を有し上記反応ガスを上記半導体ウエハ表面に噴射
するガスヘッドと、上記ステージと上記ガスヘッド間に
反応空間を形成させ上記ステージの周囲に上記反応空間
の排気口を有してなる反応室を備えた化学気相成長装置
において、上記ガスヘッドの上記中空部に上記対向面と
平行でかつ複数のガス通過穴が形成された面を有し、通
過するガスに対する抵抗が上記対向面の抵抗より大きい
拡散板を設け、この拡散板と上記対向面との空間に上記
拡散板と上記対向面に接して上記対向面と上記拡散板に
垂直な方向となる隔壁を上記ガスヘッド中心から上記排
気口に向かう方向に複数設けたことを特徴とする化学気
相成長装置。 - 【請求項２】 拡散板のガス通過穴に対して任意の上記
ガス通過穴が塞げるよう穴の塞ぎ手段を備えたことを特
徴とする請求項１に記載の化学気相成長装置。 - 【請求項３】 ガスヘッドの対向面と拡散板との間の空
間に、反応ガスの所定流路に対し抵抗となる抵抗板を配
置したことを特徴とする請求項１または２に記載の化学
気相成長装置。 - 【請求項４】 ガスヘッドの対向面に設けられたガス吹
き出し穴と拡散板に設けられたガス通過穴が互いに位置
をずらして配置されていることを特徴とする請求項１〜
３のいずれかに記載の化学気相成長装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載の化学気相成長装置を用
いた化学気相成長方法において、半導体ウエハをステー
ジ上に載置し、中空部に複数種のガスを導入して混合し
反応ガスとし、上記反応ガスを拡散板にてその流れを抑
制して、上記拡散板の各ガス通過穴から上記反応ガスが
均一な流量となるように通過させる工程と、上記反応ガ
スを隔壁にて隔離された上記中空部を通過させる工程
と、上記反応ガスを上記対向面の各ガス吹き出し穴から
上記半導体ウエハ上に吹き付けて上記半導体ウエハ上に
て化学気相成長を行うとともに、上記反応ガスを排気口
か ら排気する工程とを備えたことを特徴とする化学気相
成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22334194A JP3289806B2 (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 化学気相成長装置および化学気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22334194A JP3289806B2 (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 化学気相成長装置および化学気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888184A JPH0888184A (ja) | 1996-04-02 |
| JP3289806B2 true JP3289806B2 (ja) | 2002-06-10 |
Family
ID=16796648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22334194A Expired - Fee Related JP3289806B2 (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 化学気相成長装置および化学気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3289806B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101110080B1 (ko) * | 2009-07-08 | 2012-03-13 | 주식회사 유진테크 | 확산판을 선택적으로 삽입설치하는 기판처리방법 |
| US9362091B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-06-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and blocker plate assembly |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4943407B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2012-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | Ｃｖｄ処理装置及びｃｖｄ処理方法 |
| JP5332916B2 (ja) * | 2009-06-03 | 2013-11-06 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
| WO2021050386A1 (en) * | 2019-09-13 | 2021-03-18 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber |
| CN111424264A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-07-17 | 深圳市原速光电科技有限公司 | 薄膜材料沉积反应装置 |
-
1994
- 1994-09-19 JP JP22334194A patent/JP3289806B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101110080B1 (ko) * | 2009-07-08 | 2012-03-13 | 주식회사 유진테크 | 확산판을 선택적으로 삽입설치하는 기판처리방법 |
| US8771418B2 (en) | 2009-07-08 | 2014-07-08 | Eugene Technology Co., Ltd. | Substrate-processing apparatus and substrate-processing method for selectively inserting diffusion plates |
| US9362091B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-06-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and blocker plate assembly |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0888184A (ja) | 1996-04-02 |
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