JPH02122453U - - Google Patents

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JPH02122453U
JPH02122453U JP3152789U JP3152789U JPH02122453U JP H02122453 U JPH02122453 U JP H02122453U JP 3152789 U JP3152789 U JP 3152789U JP 3152789 U JP3152789 U JP 3152789U JP H02122453 U JPH02122453 U JP H02122453U
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semiconductor substrate
gate electrode
insulating layer
conductivity type
element formation
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JP3152789U
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【図面の簡単な説明】
第1図は本考案に係る半導体装置の一実施例を
示す断面図、第2図は第1図の半導体装置におけ
るゲート電圧及びバイアス電圧と時間との関係を
示す波形図、第3図は第2図のゲート電圧及びバ
イアス電圧の印加時での状態を示す第1図の半導
体装置の断面図である。第4図はMOSトランジ
スタの具体的構造例を示す断面図である。 10……半導体基板、11……ゲート電極、1
3……ソース領域、14……ドレイン領域、15
……絶縁層、16……導電層。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 一導電型半導体基板の表面の素子形成領域に酸
    化膜を介してゲート電極を形成し、素子成領域の
    、ゲート電極と隣接する部位に他導電型不純物を
    選択的に拡散させてソース及びドレイン領域を形
    成したものであつて、 上記半導体基板の裏面全面に亘つて絶縁層を形
    成すると共に、上記絶縁層のドレイン領域の下方
    部位に、半導体基板内をドレイン領域下近傍まで
    延びる導電層を形成したことを特徴とする半導体
    装置。
JP3152789U 1989-03-20 1989-03-20 Pending JPH02122453U (ja)

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JPH02122453U true JPH02122453U (ja) 1990-10-08

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