JP5050062B2 - インピーダンス整合特性を制御するために発生器の出力とプラズマ容器の入力との間に結合された制御されたインピーダンス・ネットワーク - Google Patents
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Description
23、36 結合された変圧器
28、30 RFスイッチ・ネットワーク
28、30 ドライバ回路
Claims (16)
- インピーダンス整合特性を制御するために発生器の出力とプラズマ容器の入力との間に結合された制御されたインピーダンス・ネットワークであって、
実効リアクタンスを有しおよび前記発生器の出力と前記プラズマ容器との間に結合された1次巻線と2次巻線とを有する結合された変圧器と、
前記1次巻線の実効リアクタンスが変化するように少なくとも1つのリアクタンス性素子を前記変圧器2次巻線に選択的に結合するために動作することが可能なRFスイッチを有するRFスイッチ・ネットワークと、
前記RFスイッチに順方向バイアス電圧および逆方向バイアス電圧を加えるために前記RFスイッチ・ネットワークに結合され、それにより前記RFスイッチ・ネットワークを導電状態と非導電状態との間でスイッチングし、前記逆方向バイアス電圧を加えるために直列カスコード・スイッチによって制御される逆方向バイアス・スイッチを有するドライバ回路と、
を有し、前記直列カスコード・スイッチが分離されたカスコード・スイッチである制御されたインピーダンス・ネットワーク。 - インピーダンス整合特性を制御するために発生器の出力とプラズマ容器の入力との間に結合された制御されたインピーダンス・ネットワークであって、
実効リアクタンスを有しおよび前記発生器の出力と前記プラズマ容器との間に結合された1次巻線と2次巻線とを有する結合された変圧器と、
前記1次巻線の実効リアクタンスが変化するように少なくとも1つのリアクタンス性素子を前記変圧器2次巻線に選択的に結合するために動作することが可能なRFスイッチを有するRFスイッチ・ネットワークと、
前記RFスイッチに順方向バイアス電圧および逆方向バイアス電圧を加えるために前記RFスイッチ・ネットワークに結合され、それにより前記RFスイッチ・ネットワークを導電状態と非導電状態との間でスイッチングし、前記逆方向バイアス電圧を加えるために直列カスコード・スイッチによって制御される逆方向バイアス・スイッチを有するドライバ回路と、
を有し、前記直列カスコード・スイッチが分離されたカスコード・スイッチであり、
前記ドライバ回路が順方向バイアス電圧を加えるための順方向バイアス・スイッチをさらに有し、ここで前記順方向バイアス・スイッチがブートストラップ回路によって駆動される制御されたインピーダンス・ネットワーク。 - 請求項2記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記ドライバ回路を動作させるための駆動信号を発生するために前記ドライバ回路に結合された制御装置をさらに有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
- インピーダンス整合特性を制御するために発生器の出力とプラズマ容器の入力との間に結合された制御されたインピーダンス・ネットワークであって、
実効リアクタンスを有しおよび前記発生器の出力と前記プラズマ容器との間に結合された1次巻線と2次巻線とを有する結合された変圧器と、
前記1次巻線の実効リアクタンスが変化するように少なくとも1つのリアクタンス性素子を前記変圧器2次巻線に選択的に結合するために動作することが可能なRFスイッチを有するRFスイッチ・ネットワークと、
前記RFスイッチに順方向バイアス電圧および逆方向バイアス電圧を加えるために前記RFスイッチ・ネットワークに結合され、それにより前記RFスイッチ・ネットワークを導電状態と非導電状態との間でスイッチングし、前記逆方向バイアス電圧を加えるために直列カスコード・スイッチによって制御される逆方向バイアス・スイッチを有するドライバ回路と、
を有し、前記ドライバ回路が前記順方向バイアス・スイッチのターン・オフ時間を減少させるためにクランプ・ネットワークをさらに有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。 - インピーダンス整合特性を制御するために発生器の出力とプラズマ容器の入力との間に結合された制御されたインピーダンス・ネットワークであって、
前記発生器の出力と前記プラズマ容器との間に結合された1次巻線を有する変圧器と、
RFパワーが前記前記プラズマ容器に加えられている間インピーダンス整合特性に基づいて前記1次巻線の実効リアクタンスが変化するように、少なくとも1つのリアクタンス性素子を前記変圧器に選択的に結合するように構成された少なくとも1つのRFスイッチと、
アースから浮遊されたドライバ入力信号を用いて前記RFスイッチへのバイアス電圧をスイッチするように構成されたドライバ回路と、
を有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。 - 請求項5記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記ドライバ回路が、前記ドライバ入力信号からの電圧レベルの変換を提供するように構成された分離されたカスコード・スイッチを有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
- 請求項5記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記ドライバ回路が、
前記バイアス電圧をスイッチするように構成された順方向バイアス・スイッチおよび逆方向バイアス・スイッチと、
前記バイアス・スイッチ間に接続され前記順方向バイアス・スイッチのスイッチング時間を減少させるように構成されたクランプ・ネットワークと、
を有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。 - 請求項7記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記ドライバ回路が、前記順方向バイアス・スイッチのスイッチング速度を増加させるように構成されたブートストラップ回路をさらに有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
- 請求項7記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記順方向バイアス・スイッチおよび逆方向バイアス・スイッチが前記RFスイッチのキャリア寿命より短い時間で前記バイアス電圧をスイッチするようにさらに構成されている制御されたインピーダンス・ネットワーク。
- 請求項5記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記ドライバ回路が、前記ドライバ入力信号に直列に結合された第1と第2の光結合器を有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
- 請求項5記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記ドライバ回路が、逆方向バイアス・スイッチと該逆方向バイアス・スイッチを制御するように構成された分離されたカスコード・スイッチを有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
- 請求項5記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記ドライバ回路が、順方向バイアス電源と、順方向バイアス・スイッチと、該順方向バイアス電源と順方向バイアス・スイッチとの間に直列接続された電流調整器と、をさらに有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
- 請求項12記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記ドライバ回路が、前記順方向バイアス・スイッチのターン・オフ時間を減少させるためのクランプ・ネットワークをさらに有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
- 請求項5記載の制御されたインピーダンス・ネットワークにおいて、前記インピーダンス整合特性が電圧定在波比を含む制御されたインピーダンス・ネットワーク。
- 請求項5記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、制御装置と、RFスイッチでプラズマ容器負荷のリアル部分を同調からはずすように構成されたバイアス・センス回路、さらに有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
- 請求項5記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記少なくとも1つのRFスイッチは、複数の2進荷重リアクティブ成分を前記変圧器に選択的に接続するよう構成された複数のRFスイッチを有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US640426 | 2000-08-17 | ||
US09/640,426 US6677828B1 (en) | 2000-08-17 | 2000-08-17 | Method of hot switching a plasma tuner |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001287842A Division JP2002164762A (ja) | 2000-08-17 | 2001-08-17 | プラズマ・チューナのホット・スイッチングの方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010103123A JP2010103123A (ja) | 2010-05-06 |
JP5050062B2 true JP5050062B2 (ja) | 2012-10-17 |
Family
ID=24568183
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001287842A Pending JP2002164762A (ja) | 2000-08-17 | 2001-08-17 | プラズマ・チューナのホット・スイッチングの方法 |
JP2010000105A Expired - Fee Related JP5050062B2 (ja) | 2000-08-17 | 2010-01-04 | インピーダンス整合特性を制御するために発生器の出力とプラズマ容器の入力との間に結合された制御されたインピーダンス・ネットワーク |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001287842A Pending JP2002164762A (ja) | 2000-08-17 | 2001-08-17 | プラズマ・チューナのホット・スイッチングの方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6677828B1 (ja) |
EP (1) | EP1182686A2 (ja) |
JP (2) | JP2002164762A (ja) |
KR (1) | KR20020014765A (ja) |
CN (1) | CN1214523C (ja) |
TW (1) | TW506233B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190077001A (ko) | 2016-11-17 | 2019-07-02 | 가부시키가이샤 다이헨 | 구동회로 및 임피던스 정합장치 |
US10778209B1 (en) | 2019-03-26 | 2020-09-15 | Daihen Corporation | Pin diode driving circuit and threshold value determination method |
Families Citing this family (83)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6677828B1 (en) * | 2000-08-17 | 2004-01-13 | Eni Technology, Inc. | Method of hot switching a plasma tuner |
US6794951B2 (en) * | 2002-08-05 | 2004-09-21 | Veeco Instruments, Inc. | Solid state RF power switching network |
US6992543B2 (en) * | 2002-11-22 | 2006-01-31 | Raytheon Company | Mems-tuned high power, high efficiency, wide bandwidth power amplifier |
US7251121B2 (en) * | 2005-03-05 | 2007-07-31 | Innovation Engineering Llc | Electronically variable capacitor array |
WO2006133132A2 (en) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Plasma Control Systems, Llc | Combinations of plasma production devices and method and rf driver circuits with adjustable duty cycle |
US7498908B2 (en) * | 2006-08-04 | 2009-03-03 | Advanced Energy Industries, Inc | High-power PIN diode switch |
US20080061901A1 (en) * | 2006-09-13 | 2008-03-13 | Jack Arthur Gilmore | Apparatus and Method for Switching Between Matching Impedances |
US8236144B2 (en) * | 2007-09-21 | 2012-08-07 | Rf Thummim Technologies, Inc. | Method and apparatus for multiple resonant structure process and reaction chamber |
US7970562B2 (en) * | 2008-05-07 | 2011-06-28 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method, and apparatus for monitoring power |
US7928794B2 (en) * | 2008-07-21 | 2011-04-19 | Analog Devices, Inc. | Method and apparatus for a dynamically self-bootstrapped switch |
CN101640969B (zh) * | 2008-07-29 | 2012-09-05 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 匹配方法及应用该匹配方法的等离子体装置 |
EP2420113A4 (en) | 2009-04-14 | 2014-04-02 | Rf Thummim Technologies Inc | METHOD AND DEVICE FOR EXPLORING RESONANCES IN MOLECULES |
US9295968B2 (en) | 2010-03-17 | 2016-03-29 | Rf Thummim Technologies, Inc. | Method and apparatus for electromagnetically producing a disturbance in a medium with simultaneous resonance of acoustic waves created by the disturbance |
KR20120007794A (ko) * | 2010-07-15 | 2012-01-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 무선 통신 기기용 안테나 임피던스 매칭 조정 시스템 |
US8436643B2 (en) | 2010-11-04 | 2013-05-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | High frequency solid state switching for impedance matching |
US9065426B2 (en) * | 2011-11-03 | 2015-06-23 | Advanced Energy Industries, Inc. | High frequency solid state switching for impedance matching |
TWI455172B (zh) | 2010-12-30 | 2014-10-01 | Semes Co Ltd | 基板處理設備、電漿阻抗匹配裝置及可變電容器 |
US8923356B1 (en) | 2011-10-04 | 2014-12-30 | Kern Technologies, LLC. | Gas laser pre-ionization optical monitoring and compensation |
CN103311082B (zh) * | 2012-03-13 | 2016-04-27 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种射频匹配网络及其所应用的等离子体处理腔 |
US9171700B2 (en) * | 2012-06-15 | 2015-10-27 | COMET Technologies USA, Inc. | Plasma pulse tracking system and method |
US9263849B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-02-16 | Gerald L Kern | Impedance matching system for slab type lasers |
US10431428B2 (en) | 2014-01-10 | 2019-10-01 | Reno Technologies, Inc. | System for providing variable capacitance |
US10455729B2 (en) | 2014-01-10 | 2019-10-22 | Reno Technologies, Inc. | Enclosure cooling system |
US9496122B1 (en) | 2014-01-10 | 2016-11-15 | Reno Technologies, Inc. | Electronically variable capacitor and RF matching network incorporating same |
US20160065207A1 (en) * | 2014-01-10 | 2016-03-03 | Reno Technologies, Inc. | High voltage control circuit for an electronic switch |
US9844127B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-12-12 | Reno Technologies, Inc. | High voltage switching circuit |
US9755641B1 (en) * | 2014-01-10 | 2017-09-05 | Reno Technologies, Inc. | High speed high voltage switching circuit |
US9196459B2 (en) * | 2014-01-10 | 2015-11-24 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US10679824B2 (en) | 2015-06-29 | 2020-06-09 | Reno Technologies, Inc. | Capacitance variation |
US9865432B1 (en) | 2014-01-10 | 2018-01-09 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US9697991B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-07-04 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
EP3032565A1 (en) * | 2014-12-08 | 2016-06-15 | Soleras Advanced Coatings bvba | A device having two end blocks, an assembly and a sputter system comprising same, and a method of providing RF power to a target tube using said device or assembly |
US9525412B2 (en) | 2015-02-18 | 2016-12-20 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US9729122B2 (en) | 2015-02-18 | 2017-08-08 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US10340879B2 (en) | 2015-02-18 | 2019-07-02 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US11017983B2 (en) | 2015-02-18 | 2021-05-25 | Reno Technologies, Inc. | RF power amplifier |
US9306533B1 (en) | 2015-02-20 | 2016-04-05 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US11081316B2 (en) | 2015-06-29 | 2021-08-03 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US10692699B2 (en) | 2015-06-29 | 2020-06-23 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching with restricted capacitor switching |
US11150283B2 (en) | 2015-06-29 | 2021-10-19 | Reno Technologies, Inc. | Amplitude and phase detection circuit |
US11342161B2 (en) | 2015-06-29 | 2022-05-24 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit with voltage bias |
US11335540B2 (en) | 2015-06-29 | 2022-05-17 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US11342160B2 (en) | 2015-06-29 | 2022-05-24 | Reno Technologies, Inc. | Filter for impedance matching |
US10984986B2 (en) | 2015-06-29 | 2021-04-20 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US10229816B2 (en) | 2016-05-24 | 2019-03-12 | Mks Instruments, Inc. | Solid-state impedance matching systems including a hybrid tuning network with a switchable coarse tuning network and a varactor fine tuning network |
US10763814B2 (en) | 2016-08-09 | 2020-09-01 | John Bean Technologies Corporation | Radio frequency processing apparatus and method |
JP6653285B2 (ja) * | 2017-03-21 | 2020-02-26 | 矢崎総業株式会社 | スイッチング制御装置 |
US11289307B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-03-29 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US10483090B2 (en) | 2017-07-10 | 2019-11-19 | Reno Technologies, Inc. | Restricted capacitor switching |
US11114280B2 (en) | 2017-07-10 | 2021-09-07 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching with multi-level power setpoint |
US11315758B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-04-26 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching using electronically variable capacitance and frequency considerations |
US11521833B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-12-06 | Reno Technologies, Inc. | Combined RF generator and RF solid-state matching network |
US10714314B1 (en) | 2017-07-10 | 2020-07-14 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US11476091B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-10-18 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network for diagnosing plasma chamber |
US11393659B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-07-19 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US11398370B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-07-26 | Reno Technologies, Inc. | Semiconductor manufacturing using artificial intelligence |
US11101110B2 (en) | 2017-07-10 | 2021-08-24 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US10727029B2 (en) | 2017-07-10 | 2020-07-28 | Reno Technologies, Inc | Impedance matching using independent capacitance and frequency control |
DE202017105350U1 (de) | 2017-08-25 | 2018-11-27 | Aurion Anlagentechnik Gmbh | Hochfrequenz- Impedanz Anpassungsnetzwerk und seine Verwendung |
WO2020112108A1 (en) | 2017-11-29 | 2020-06-04 | COMET Technologies USA, Inc. | Retuning for impedance matching network control |
JP7112952B2 (ja) | 2018-12-26 | 2022-08-04 | 株式会社ダイヘン | インピーダンス整合装置及びインピーダンス整合方法 |
JP7211806B2 (ja) | 2018-12-26 | 2023-01-24 | 株式会社ダイヘン | インピーダンス整合装置及びインピーダンス整合方法 |
JP7105183B2 (ja) | 2018-12-27 | 2022-07-22 | 株式会社ダイヘン | インピーダンス整合装置及びインピーダンス整合方法 |
JP7105184B2 (ja) | 2018-12-27 | 2022-07-22 | 株式会社ダイヘン | インピーダンス整合装置及びインピーダンス整合方法 |
JP7105185B2 (ja) | 2018-12-28 | 2022-07-22 | 株式会社ダイヘン | インピーダンス整合装置及びインピーダンス整合方法 |
US11538662B2 (en) | 2019-05-21 | 2022-12-27 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method with reduced memory requirements |
US11527385B2 (en) | 2021-04-29 | 2022-12-13 | COMET Technologies USA, Inc. | Systems and methods for calibrating capacitors of matching networks |
US11114279B2 (en) | 2019-06-28 | 2021-09-07 | COMET Technologies USA, Inc. | Arc suppression device for plasma processing equipment |
US11596309B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-07 | COMET Technologies USA, Inc. | Hybrid matching network topology |
US11107661B2 (en) * | 2019-07-09 | 2021-08-31 | COMET Technologies USA, Inc. | Hybrid matching network topology |
WO2021041984A1 (en) | 2019-08-28 | 2021-03-04 | COMET Technologies USA, Inc. | High power low frequency coils |
US12027351B2 (en) | 2020-01-10 | 2024-07-02 | COMET Technologies USA, Inc. | Plasma non-uniformity detection |
US11521832B2 (en) | 2020-01-10 | 2022-12-06 | COMET Technologies USA, Inc. | Uniformity control for radio frequency plasma processing systems |
US11830708B2 (en) | 2020-01-10 | 2023-11-28 | COMET Technologies USA, Inc. | Inductive broad-band sensors for electromagnetic waves |
US11887820B2 (en) | 2020-01-10 | 2024-01-30 | COMET Technologies USA, Inc. | Sector shunts for plasma-based wafer processing systems |
US11670488B2 (en) | 2020-01-10 | 2023-06-06 | COMET Technologies USA, Inc. | Fast arc detecting match network |
US11961711B2 (en) | 2020-01-20 | 2024-04-16 | COMET Technologies USA, Inc. | Radio frequency match network and generator |
US11605527B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-03-14 | COMET Technologies USA, Inc. | Pulsing control match network |
US11373844B2 (en) | 2020-09-28 | 2022-06-28 | COMET Technologies USA, Inc. | Systems and methods for repetitive tuning of matching networks |
KR20240037886A (ko) * | 2021-05-25 | 2024-03-22 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 클램핑 회로를 갖는 rf 임피던스 매칭 네트워크 |
US11923175B2 (en) | 2021-07-28 | 2024-03-05 | COMET Technologies USA, Inc. | Systems and methods for variable gain tuning of matching networks |
WO2023050047A1 (zh) * | 2021-09-28 | 2023-04-06 | 华为技术有限公司 | 驱动装置、射频阻抗匹配器和射频等离子体*** |
US11657980B1 (en) | 2022-05-09 | 2023-05-23 | COMET Technologies USA, Inc. | Dielectric fluid variable capacitor |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58106902A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-25 | Nec Corp | Pinダイオ−ド駆動回路 |
US4564807A (en) * | 1984-03-27 | 1986-01-14 | Ga Technologies Inc. | Method of judging carrier lifetime in semiconductor devices |
US5055836A (en) * | 1988-12-07 | 1991-10-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Wideband solid-state analog switch |
JP2875010B2 (ja) * | 1990-11-29 | 1999-03-24 | 株式会社東芝 | ダイオードスイッチ駆動回路 |
WO1992017896A1 (en) * | 1991-03-28 | 1992-10-15 | Kilovac Corporation | Dc vacuum relay device with angular impact break mechanism |
US5424691A (en) * | 1994-02-03 | 1995-06-13 | Sadinsky; Samuel | Apparatus and method for electronically controlled admittance matching network |
US5473291A (en) | 1994-11-16 | 1995-12-05 | Brounley Associates, Inc. | Solid state plasma chamber tuner |
US6252354B1 (en) * | 1996-11-04 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | RF tuning method for an RF plasma reactor using frequency servoing and power, voltage, current or DI/DT control |
US5654679A (en) * | 1996-06-13 | 1997-08-05 | Rf Power Products, Inc. | Apparatus for matching a variable load impedance with an RF power generator impedance |
CN1129229C (zh) * | 1997-09-17 | 2003-11-26 | 东京电子株式会社 | 电抗匹配***及方法 |
US6677828B1 (en) * | 2000-08-17 | 2004-01-13 | Eni Technology, Inc. | Method of hot switching a plasma tuner |
-
2000
- 2000-08-17 US US09/640,426 patent/US6677828B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-08-16 EP EP01119867A patent/EP1182686A2/en not_active Withdrawn
- 2001-08-17 KR KR1020010049564A patent/KR20020014765A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-08-17 TW TW090120301A patent/TW506233B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-08-17 CN CNB011357371A patent/CN1214523C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-17 JP JP2001287842A patent/JP2002164762A/ja active Pending
-
2010
- 2010-01-04 JP JP2010000105A patent/JP5050062B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190077001A (ko) | 2016-11-17 | 2019-07-02 | 가부시키가이샤 다이헨 | 구동회로 및 임피던스 정합장치 |
US10812071B2 (en) | 2016-11-17 | 2020-10-20 | Daihen Corporation | Drive circuit and impedance matching device |
US11211930B2 (en) | 2016-11-17 | 2021-12-28 | Daihen Corporation | Drive circuit and impedance matching device |
US10778209B1 (en) | 2019-03-26 | 2020-09-15 | Daihen Corporation | Pin diode driving circuit and threshold value determination method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1182686A2 (en) | 2002-02-27 |
TW506233B (en) | 2002-10-11 |
JP2002164762A (ja) | 2002-06-07 |
JP2010103123A (ja) | 2010-05-06 |
US6677828B1 (en) | 2004-01-13 |
CN1214523C (zh) | 2005-08-10 |
CN1340913A (zh) | 2002-03-20 |
KR20020014765A (ko) | 2002-02-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110201 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110502 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110510 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110531 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110603 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110620 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110623 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110729 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120629 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120723 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |