JPH01261204A - Production of oxide based superconductor - Google Patents
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- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 17
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 51
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 34
- -1 etc. Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009203 Y-Ba-Cu-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の［１１川分野］
本発明は、例えばジョセフソン素子、超電導記憶素子等
の超電導デバイス、超電導マグネット用コイルなどとし
て使用可能な酸化物系超電導体の製造方法に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Field] The present invention provides a method for producing an oxide-based superconductor that can be used as a superconducting device such as a Josephson element, a superconducting memory element, a coil for a superconducting magnet, etc. Regarding.
し従来技術およびその課題］
近年、常電導状態から超電導状態に遷移する臨界温度（
Ｔ ｃ）が液体窒素１変以上の高い値を示す酸化物系の
超電導体が種々発見されつつある。[Prior art and its problems] In recent years, the critical temperature at which the normal conductive state transitions to the superconducting state (
Various oxide-based superconductors are being discovered that exhibit a high value of Tc) of 1 or higher than that of liquid nitrogen.
現在のところ、このような酸化物系超電導体の薄膜を製
造する方法としては、例えば真空蒸着法、スパッタリン
グ法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法、ＣＶＤ（化学
気相成長）法、ＩＶＤ（イオン気相成長）法などの成膜
法が知られている。そして、このような成膜法において
は、いずれの場合も、例えば１Ｔｏｒｒ以下の低圧下で
、かつ酸素ガス雰囲気あるいは酸素ガスと不活性ガスと
の混合ガス雰囲気中で酸化物系超電導体からなる膜体を
製造することができる。しかし、このままでｉよ、成膜
時の雰囲気中の酸素分圧が低いことから、基体上に形成
される膜体の結晶中に所望量の酸素が導入されにくく、
その結晶組成が化学量論的組成からずれてしまうため、
臨界温度（’ｒｃ）や臨界電流密度（Ｊｃ）や臨界磁界
（１−１ｃｍ）などの超電導特性が低い膜体が生成され
る傾向があり、このため、成膜後に酸素雰囲気中で高温
熱処理（例えば、８００〜ｔｏｏｏ℃）を行うことによ
って、上記膜体の結晶中に酸素を所望量導入して膜体の
超電導特性を改善する試みがなされている。At present, methods for producing thin films of such oxide superconductors include, for example, vacuum evaporation, sputtering, MBE (molecular beam epitaxy), CVD (chemical vapor deposition), and IVD (ion vapor deposition). Film forming methods such as phase growth) are known. In any case, in such a film forming method, a film made of an oxide superconductor is formed under a low pressure of, for example, 1 Torr or less and in an oxygen gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of oxygen gas and an inert gas. body can be manufactured. However, since the oxygen partial pressure in the atmosphere during film formation is low, it is difficult to introduce the desired amount of oxygen into the crystals of the film formed on the substrate.
Because the crystal composition deviates from the stoichiometric composition,
There is a tendency to produce films with low superconducting properties such as critical temperature ('rc), critical current density (Jc), and critical magnetic field (1-1 cm). Therefore, after film formation, high-temperature heat treatment ( For example, attempts have been made to introduce a desired amount of oxygen into the crystals of the film body to improve the superconducting properties of the film body by heating the film at a temperature of 800° C. to 800° C.
なかでも、酸化物系超電導体の構成元素からなるターゲ
ットを使用したスパッタリング法により、酸化物系超電
導体の薄膜を形成したのち、酸素雰囲気中で高温熱処理
を施し、酸素を結晶中に注入し、酸化物系超電導体薄膜
を形成する方法は、良好な超電導特性を示す酸化物系超
電導体を製造できることから広く利用されている。In particular, a thin film of an oxide superconductor is formed by a sputtering method using a target made of constituent elements of the oxide superconductor, and then a high temperature heat treatment is performed in an oxygen atmosphere to inject oxygen into the crystal. The method of forming an oxide-based superconductor thin film is widely used because it can produce an oxide-based superconductor exhibiting good superconducting properties.
しかしながら、このようなスパッタリング法による酸化
物系超電導体の製造方法では、以下のような不都合な点
が生じる。However, this method of manufacturing an oxide superconductor using sputtering method has the following disadvantages.
■成膜後の熱処理により膜体中に酸素を拡散し得る深さ
に限界があり、膜厚の厚い膜体では良好な超電導特性を
付与することが困難である。(2) There is a limit to the depth to which oxygen can be diffused into the film due to heat treatment after film formation, and it is difficult to impart good superconducting properties to a thick film.
■成膜後に別工程で熱処理を施すので製造工程が繁雑に
なる。■The manufacturing process becomes complicated because heat treatment is performed in a separate process after film formation.
■熱処理時に膜体と基体との界面で化合物が生じ、超電
導特性を劣化させる。■Compounds are generated at the interface between the membrane and the substrate during heat treatment, deteriorating the superconducting properties.
このような不都合に対し、成膜される酸化物系超電導体
の酸素欠損を補うように、酸化物系超電導体の各構成元
素の酸化物からなる酸化物ターゲットを使用する方法や
、スパッタリング雰囲気中に酸素ガスを混入する方法等
、酸素の供給を行いながらスパッタリングを行う方法が
提案されている。To deal with these disadvantages, there are methods that use an oxide target consisting of oxides of each constituent element of the oxide superconductor to compensate for oxygen vacancies in the oxide superconductor being deposited, and a method that uses a sputtering atmosphere to compensate for oxygen vacancies in the oxide superconductor being formed. Methods have been proposed in which sputtering is performed while supplying oxygen, such as a method in which oxygen gas is mixed into the substrate.
しかしながら、一般に酸化物ターゲットを使用したスパ
ッタリングは成膜速度が小さく、膜厚の厚いものを製造
するには時間がかかる問題があった。However, in general, sputtering using an oxide target has a problem that the film formation rate is low and it takes time to produce a thick film.
さらに酸化物ターゲットは熱伝導率が低く、脆いので、
成膜速度を′上げるためにスパッタリング時に大電力を
印加すると破損しやすく、その点においても成膜速度を
大きくすることは困難である。Furthermore, oxide targets have low thermal conductivity and are brittle.
If high power is applied during sputtering in order to increase the film formation rate, damage tends to occur, and in this respect, it is difficult to increase the film formation rate.
この発明は上記課題を解決するためになされたもので、
成膜速度が速く超電導特性が良好な酸化物系超電導体薄
膜を製造できるような方法を提供することを目的として
いる。This invention was made to solve the above problems,
The object of the present invention is to provide a method that can produce an oxide-based superconductor thin film that has a high deposition rate and good superconducting properties.
［課題を解決するための手段］
この発明は、一般式Ａ−Ｉ３−Ｃ−Ｄ（ただしＡはＹ
、Ｓ ｃ、Ｌ ａ、）Ｉｏ、Ｅ ｒなどの周期率表第Ｉ
ＩＩａ族元素またはＢｉ、Ｓｂ、Ａｓなどの周期率表第
１ｂ族元素のうち１種あるいは２種以上を表し、ＢはＳ
ｒ。[Means for Solving the Problems] This invention has the general formula A-I3-C-D (where A is Y
, S c, L a, ) Io, E r, etc. Periodic Table I
Represents one or more elements of group IIa elements or elements of group 1b of the periodic table such as Bi, Sb, and As, and B represents S.
r.
Ｂａ、Ｃａなどの周期率表第１ａ族元素のうち１種ある
いは２種以上を表し、ＣはＣｕ、Ａｇ、Ａｕの周期率表
第１ｂ族元素とＮｂのうちＣｕあるいはＣｕを含む２種
以上を表し、ＤはＯ，Ｓ、Ｓｅなどの周期率表第１ｂ族
元素およびＰなどの周期率表第１ｂ族元素のうち０ある
いは０を含む２種以上を表す。）で示される酸化物系超
電導体を形成する方法であって、前記Ａ元素とＢ元素と
Ｃ元素とＤ元素のうち少なくとも１つの元素を含む金属
製あるいは合金製のターゲットを用意し、前記ターゲッ
トを１つ以上、少なくともへ元素とＢ元素とＣ元素とが
そろうように用いてスパッタリングを行うと同時に、Ｄ
元素をイオンビームアシストなどの方法により加速して
照射することをを解決手段とした。Represents one or more elements of group 1a of the periodic table, such as Ba and Ca, and C represents elements of group 1b of the periodic table, such as Cu, Ag, and Au, and Cu or two or more of Nb, including Cu or Cu. , and D represents 0 or two or more types containing 0 among elements of group 1b of the periodic table such as O, S, and Se, and elements of group 1b of the periodic table such as P. ) is a method for forming an oxide-based superconductor represented by At the same time, sputtering is performed using one or more of D so that at least the B element, the B element, and the C element are aligned.
The solution was to accelerate the irradiation of elements using methods such as ion beam assist.
［作用 ］
金属製あるいは合金製ターゲットを用いてスパッタリン
グするために成膜速度が向上する。また、スパッタリン
グと同時にイオンビームアシスト等により酸素を照射し
つつ酸化物系超電導体薄膜を成膜するので、成膜速度を
低下させることなく、酸化物系超電導体中に酸素を効率
良く注入し、充分に内部拡散させつつ高特性の酸化物系
超電導体を生成する。[Function] Sputtering is performed using a metal or alloy target, which improves the film formation rate. In addition, since the oxide-based superconductor thin film is formed while irradiating oxygen with ion beam assist or the like at the same time as sputtering, oxygen can be efficiently injected into the oxide-based superconductor without reducing the film-forming rate. Oxide-based superconductors with high characteristics are produced with sufficient internal diffusion.
以下、本発明の詳細な説明する。The present invention will be explained in detail below.
第１図は基体Ａ上に本発明の製造方法により形成された
酸化物系超電導体（膜体）Ｂを示している。FIG. 1 shows an oxide superconductor (film body) B formed on a substrate A by the manufacturing method of the present invention.
この基体へには、例えば板材、線材、テープ材、筒状体
、柱状体など種々の形状のものが用いられる。そして、
このような基体への形成材料としては、例えば銀、金、
白金、ステンレス、アルミニウム、銅等の金属材料、こ
れら金属の合金材料、上記金属または合金材料の窒化物
や炭化物、チタン酸ストロンチウム、アルミナ、シリコ
ン、シリカ、ニオブ酸リチウム、サファイア、ルビー等
の結晶材料などが好適に用いられる。Various shapes such as a plate material, a wire material, a tape material, a cylindrical body, a columnar body, etc. are used for this base body. and,
Materials for forming such a substrate include, for example, silver, gold,
Metal materials such as platinum, stainless steel, aluminum, copper, alloy materials of these metals, nitrides and carbides of the above metals or alloy materials, crystal materials such as strontium titanate, alumina, silicon, silica, lithium niobate, sapphire, ruby, etc. etc. are preferably used.
このような基体Ａ上に形成された酸化物系超電導体から
なる膜体Ｂは、一般式Ａ−Ｉ３−Ｃ−Ｄ（ただしＡはＹ
、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐ ｒ、Ｎｄ、Ｐａ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ。A film body B made of an oxide superconductor formed on such a substrate A has the general formula A-I3-C-D (where A is Y
, Sc, La, Ce, Pr, Nd, Pa, Sm, E
u.
Ｇ’＋１．Ｔ ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌ
ｕの周期率表第１ｂ族元索またはＢｉ、Ｓｂ、Ａｓなど
の周期率表第１ｂ族元素のうち１種あるいは２種以上を
表し、ＢはＳ ｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｒａの周
期率表第１ｂ族元素のうち１種あるいは２種以上を表し
、ＣはＣｕ。G'+1. T b, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, L
U represents one or more elements of group 1b of the periodic table or elements of group 1b of the periodic table such as Bi, Sb, and As, and B represents Sr, Ba, Ca, Be, Mg, and Ra. represents one or more of the elements of group 1b of the periodic table, and C is Cu.
Ａｇ、Ａｕの周期率表第１ｂ族元素とＮｂのうちＣｕあ
るいはＣｕを含む２Ｍ以上を表し、ＤはＯ，Ｓ、Ｓｅ。Among Ag and Au, Group 1b elements of the periodic table, and Nb, Cu or 2M or more containing Cu is represented, and D is O, S, and Se.
Ｔｅ、Ｐｏの周期率表第１ｂ族元索およびＦ、ＣＱ、Ｂ
ｒ。Group 1b element of the periodic table of Te, Po and F, CQ, B
r.
！、ＡＬの周期率表第１ｂ族元索のうちＯあるいは０を
含む２種以上を表す。）で示されるものである。そして
この酸化物系超電導体の各構成元素の組成は、例えばＹ
−Ｂａ−Ｃｕ−０系超電導体の場合、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ：
０−１ ：（１，５〜３）：（２〜４）：（７−δ）と
され、δはＯ≦δ≦５の範囲とされろ。! , represents two or more types including O or 0 among the group 1b group members of the periodic table of AL. ). The composition of each constituent element of this oxide-based superconductor is, for example, Y
- In the case of Ba-Cu-0 based superconductor, Y:Ba:Cu:
0-1:(1,5-3):(2-4):(7-δ), and δ is in the range O≦δ≦5.
また、この膜体Ｂの形成方法としては、前記Ａ−１３−
Ｃ−Ｄ系の酸化物系超電導体の構成元素の少なくとも１
つの元素を含む金属製あるいは合金製ターゲットを、少
なくともへ元素とＢ元素とＣ元素とがそろうように１つ
以上選択して用いてスパッタリングし、この時同時に、
形成される酸化物系超電導体の酸素の組成比を調節する
ために、イオンビームアシストにより酸素の補給を行う
。Further, as a method for forming this film body B, the above-mentioned A-13-
At least one constituent element of the CD-based oxide superconductor
At the same time, sputtering is carried out using a metal or alloy target containing at least one of the following elements:
In order to adjust the oxygen composition ratio of the oxide-based superconductor to be formed, oxygen is supplied by ion beam assist.
このイオンビームアシストは補給すべき酸素を、イオン
、原子状、分子状などとして対象物（膜体Ｂ）に照射す
る方法である。このような方法を用いれば、対象物とし
ての膜体Ｂの内部に酸素を効率良く注入し、酸素を充分
に内部拡散させることが可能となり、形成された膜体Ｂ
の超電導特性を向上させることが可能となる。This ion beam assist is a method of irradiating the target object (film body B) with oxygen to be supplied in the form of ions, atoms, molecules, etc. By using such a method, it becomes possible to efficiently inject oxygen into the interior of the film body B as a target object and to diffuse the oxygen sufficiently, so that the formed film body B
It becomes possible to improve the superconducting properties of.
第２図に、本発明の製造方法に用いられる製造装置の一
例を示す。この製造装置は、高周波スパッタリング装置
ｌにイオンビームアシスト用の酸素イオン源２を並設し
てなるものである。FIG. 2 shows an example of a manufacturing apparatus used in the manufacturing method of the present invention. This manufacturing apparatus is constructed by installing an oxygen ion source 2 for ion beam assist in parallel to a high frequency sputtering apparatus 1.
この高周波スパッタリング装置１は、基体Ａを保持する
板状の基体ホルダ３と、この基体ホルダ３に所定間隔を
もって対向する３枚の板状のターゲラ）４１，４２．４
３とから概略構成されている。そして、上記基体ホルダ
３には、バイアス電源５が接続されており、この電源５
により基体ホルダ３とターゲット４１，４２．４３との
間の空間には、電場と磁場とが発生するようになってい
る。また、上記基体ボルダ３とターゲット４１．４２．
４３とは共に真空等の低圧下におかれ、両者間の空間は
アルゴンガス等からなる不活性ガス雰囲気あるいは酸素
を含む不活性ガス雰囲気とされている。なお、上記基体
ホルダ３には、保持する基体Ａを成膜に適した温度に加
熱するためのヒータ（図示略）が取り付けられている。This high-frequency sputtering apparatus 1 includes a plate-shaped substrate holder 3 that holds a substrate A, and three plate-shaped target plates (41, 42, 4) facing the substrate holder 3 at a predetermined interval.
It is roughly composed of 3. A bias power source 5 is connected to the substrate holder 3, and this power source 5
Therefore, an electric field and a magnetic field are generated in the space between the substrate holder 3 and the targets 41, 42, and 43. Further, the base boulder 3 and targets 41, 42.
43 are both placed under low pressure such as vacuum, and the space between them is an inert gas atmosphere consisting of argon gas or the like or an inert gas atmosphere containing oxygen. Note that a heater (not shown) is attached to the substrate holder 3 for heating the substrate A held therein to a temperature suitable for film formation.
このターゲット４１，４２．４３には、前述したＡ−Ｂ
−Ｃ−Ｄ系の酸化物系超電導体の構成元素であるＡ元素
、Ｂ元素、Ｃ元素のうち少なくとも１つの元素を含む金
属製あるいは合金製ターゲットを使用することができる
。すなわち、４１をへ元素からなる金属製ターゲット、
４２をＢ元素からなる金属製ターゲット、４３をＣ元素
からなる金属製ターゲットを使用して、各ターゲットへ
のイオン電流を制御することにより、成膜される膜体Ｂ
の組成比を調節できるようになっている。These targets 41, 42, and 43 have the above-mentioned A-B
A metal or alloy target containing at least one of the elements A, B, and C, which are constituent elements of the -CD-based oxide superconductor, can be used. That is, a metal target consisting of the element 41,
Film body B is formed by using a metal target 42 made of element B and a metal target 43 made of element C, and controlling the ion current to each target.
The composition ratio can be adjusted.
さらに、各ターゲットへのイオン電流を等しくし、成膜
される膜体Ｂの組成比に応じた敢の金属ターゲットを使
用することも可能である。たとえば、Ａ：Ｂ：Ｃ＝Ｉ：
２：３の組成比の膜体を成膜するに（°ま、へ元素から
なる金属製ターゲット４１を１枚、Ｂ元素からなる金属
製ターゲット４２を２枚、Ｃ元素からなる金属製ターゲ
ット４３を３枚用へし、合計６枚のターゲットを同時に
スパッタリングしても良い。Furthermore, it is also possible to equalize the ion current to each target and use different metal targets depending on the composition ratio of the film body B to be formed. For example, A:B:C=I:
To form a film body with a composition ratio of 2:3 (°, one metal target 41 made of the elements B, two metal targets 42 made of the B element, and a metal target 43 made of the C element). It is also possible to sputter a total of six targets at the same time by using three targets.
また、本例では各ターゲット中に酸化物系超１導体の構
成元素を各々１つずつ含ませたが、これら構成元素から
２つ以上を選択し、合金化した合金製ターゲットを使用
しても良い。すなわち、たとえば■Ａ元素とＢ元素とか
らなる合金製ターゲットと、Ｃ元素とＤ元素とからなる
合金製ターゲットとの２枚のターゲットを使用する。■
へ元素とＢ元素とＣ元素とＤ元素のすべての構成元素を
合金化した１枚の合金製ターゲットのみを使用する。In addition, in this example, each target contained one of each of the constituent elements of the oxide-based superconductor, but it is also possible to use an alloy target made by selecting two or more of these constituent elements and alloying them. good. That is, for example, two targets are used: an alloy target made of elements A and B, and an alloy target made of elements C and D. ■
Only one alloy target is used, which is an alloy of all the constituent elements: F, B, C, and D.
など基体Ａ上に形成する膜体Ｂの性状および用途により
適宜選択して使用することができる。They can be appropriately selected and used depending on the properties and purpose of the film body B to be formed on the substrate A.
これら金属製あるいは合金製ターゲットは例えば粉末冶
金法、真空溶解法等の常法を用いることにより製造する
ことができる。These metal or alloy targets can be manufactured using conventional methods such as powder metallurgy and vacuum melting.
また、このスパッタリング装置１の近傍には、酸素イオ
ン源２が配設されている。この酸素イオン源２は、上記
基体ホルダ３に保持された基体Ａ上で成膜中の膜体Ｂに
向けて、酸素イオン、原子状酸素、分子状酸素（以下こ
の３者を酸素イオン等と略称する。）を単独あるいは２
種以上含むビームを照射するものである。そして、この
酸素イオン源２の先端部に設けられた引出し電極（図示
路）により酸素イオン等が所定の速度に加速され、加速
された酸素イオン等は雰囲気中の不活性ガス（イオンあ
るいは原子状）と共に基体Ａの表面に照射される。ここ
で、上記の引出し電極に印加される加速電圧は、膜体Ｂ
内に照射される際の酸素イオンなどの衝突速度、酸素イ
オン源２と基体Ａとの離間寸法、スパッタリング条件な
どに応じて適宜法められる。また、加速により酸素イオ
ン等に与えられるエネルギーはｌＯ〜２０００ｅＶの範
囲であることが好ましい。これは１ｏｅＶ未満では、エ
ネルギー不足で酸素イオン等が膜体Ｂ内に注入されにく
く、２０００ｅＶを超過すると酸素の注入効果が頭打ち
となり、不経済であるからである。なお、この例では酸
素のみをイオンビームアシストによって導入するように
したが、酸素イオン源２の他に、新たなイオン源を用い
てＡ−１３−Ｃ−Ｄ系酸化物超電導体の構成元素であろ
Ｄ元素のうち、非金属元素を導入することも可能である
。Further, an oxygen ion source 2 is arranged near the sputtering apparatus 1. This oxygen ion source 2 supplies oxygen ions, atomic oxygen, and molecular oxygen (hereinafter referred to as oxygen ions, etc.) to a film body B that is being formed on a substrate A held in the substrate holder 3. ) alone or in combination
It irradiates a beam containing more than one species. Oxygen ions, etc. are accelerated to a predetermined speed by an extraction electrode (shown in the figure) provided at the tip of the oxygen ion source 2, and the accelerated oxygen ions, etc. ) is irradiated onto the surface of the substrate A. Here, the accelerating voltage applied to the above extraction electrode is
It is determined as appropriate depending on the collision speed of oxygen ions, etc. when irradiating the inside, the distance between the oxygen ion source 2 and the substrate A, the sputtering conditions, etc. Moreover, it is preferable that the energy given to oxygen ions etc. by acceleration is in the range of lO to 2000 eV. This is because when the voltage is less than 1 oeV, it is difficult to inject oxygen ions and the like into the membrane body B due to lack of energy, and when it exceeds 2000 eV, the effect of oxygen injection reaches its peak, which is uneconomical. In this example, only oxygen was introduced by ion beam assist, but in addition to oxygen ion source 2, a new ion source was used to introduce the constituent elements of the A-13-C-D oxide superconductor. Among AroD elements, it is also possible to introduce nonmetallic elements.
このような製造装置を用いれば、高周波スパッタリング
装置ｌにより基体ホルダ３とターゲット４との間の空間
に電場と磁場とを発生さけ、これによりイオン化したア
ルゴンをターゲット４の対向面に衝突させ、この衝突に
よりスパッタされたターゲット材料の中性原子や分子を
基体へ表面に堆積させて膜体Ｂを形成する。そして、こ
の膜体Ｂの形成と同時に酸素イオン源２から膜体Ｂに酸
素イオン等を照射する。これにより、上記膜体Ｂの結晶
中に所定量の酸素を導入することができるので、酸素を
充分に注入した超電導特性の優れた膜体Ｂを得ることが
可能である。また、この膜体Ｂは、スパッタリング法に
より形成されたものであるので、成膜速度と結晶配向性
が良好であるばかりでなく、イオンビームアシストの効
果により、全体が均一で基体Ａとの付着強度の良好なし
のとなる。If such a manufacturing device is used, an electric field and a magnetic field are generated in the space between the substrate holder 3 and the target 4 by the high-frequency sputtering device 1, and this causes ionized argon to collide with the opposing surface of the target 4. Neutral atoms and molecules of the target material sputtered by the collision are deposited on the surface of the substrate to form a film body B. Then, at the same time as this film body B is formed, oxygen ions and the like are irradiated from the oxygen ion source 2 to the film body B. Thereby, a predetermined amount of oxygen can be introduced into the crystal of the film body B, so that it is possible to obtain a film body B with excellent superconducting properties in which a sufficient amount of oxygen is injected. In addition, since this film body B is formed by sputtering, it not only has good film formation speed and crystal orientation, but also has uniformity throughout and good adhesion to substrate A due to the effect of ion beam assist. It has good strength and good strength.
したがって、このような製造方法によれば、次のような
効果を得ることができる。Therefore, according to such a manufacturing method, the following effects can be obtained.
■成膜中の膜体Ｂに対してイオンビームアシストにより
酸素イオン等を照射するようにしたので、酸素補給を成
膜と同時に漸次行うことが可能であるので、膜体Ｂの内
部側の結晶まで所定量の酸素を確実に導入でき、膜体Ｂ
の超電導特性を向上させることができる。■Since the film body B during film formation is irradiated with oxygen ions, etc. by ion beam assist, it is possible to gradually supply oxygen at the same time as film formation. It is possible to reliably introduce a predetermined amount of oxygen up to
can improve the superconducting properties of
■膜体Ｂの成膜時に酸素を供給することができるので、
後に高温熱処理を施す必要がなくなり、従来法より製造
工程を少なくすることが可能である。■ Oxygen can be supplied during film formation of film body B, so
There is no need for subsequent high-temperature heat treatment, and the number of manufacturing steps can be reduced compared to conventional methods.
これにより、基体Ａと膜体Ｂとの界面に化合物が生じに
くくなるので、膜体Ｂの超電導特性が向」−する。This makes it difficult for compounds to form at the interface between the substrate A and the film body B, so that the superconducting properties of the film body B are improved.
■高温熱処理を不必要としたので、膜体Ｂに微細加工を
施すことができ、高度に集積化された例えばジョセフソ
ン素子等の超電導デバイスを精度よく製造できる。(2) Since high-temperature heat treatment is unnecessary, the film body B can be microfabricated, and highly integrated superconducting devices such as Josephson elements can be manufactured with high precision.
■高温熱処理を不必要としたので、膜体Ｂと基体Ａとの
剥離が起きにくく、また製造された超７ｒｉ導体はスパ
ッタリング法によるものであるので、基体Ａへの付着強
度と結晶配向性とが良好となる。■Since high-temperature heat treatment is unnecessary, peeling between film B and substrate A is less likely to occur, and since the manufactured super 7ri conductor is made by sputtering, the adhesion strength to substrate A and crystal orientation are becomes good.
［実施例コ
第２図に示した製造装置を用い、本発明の製造方法を実
施して板状の堰体表面にＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の超電導
体からなる膜体を形成した。[Example 2] Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 2, the manufacturing method of the present invention was carried out to form a film body made of a Y-Ba-Cu-O based superconductor on the surface of a plate-shaped weir body.
上記基体には、酸化マグネシウム製のものを使用すると
ともに、ターゲットはイツトリウム金属ターゲット、バ
リウム金属ターゲット、銅金属ターゲットをそれぞれ１
枚ずつ用意し、スパッタリングされた膜中のＹ：Ｂａ：
Ｃｕの組成比がｌ ：２ ：３になるようにそれぞれの
ターゲットに印加される電圧およびイオン電流を制御し
た。スパッタリング時の雰囲気は１００％アルゴンガス
で、圧力は０．２５Ｐａとした。また、酸素イオン源の
イオン電流密度は５００ μＡ／ｃ＋ｎ”、加速電圧は
５００Ｖに設定し、上記基体の温度は７００°Ｃとした
。The above substrate is made of magnesium oxide, and the targets are one yttrium metal target, one barium metal target, and one copper metal target.
Y:Ba in the sputtered film prepared one by one:
The voltage and ion current applied to each target were controlled so that the Cu composition ratio was 1:2:3. The atmosphere during sputtering was 100% argon gas, and the pressure was 0.25 Pa. Further, the ion current density of the oxygen ion source was set to 500 μA/c+n'', the acceleration voltage was set to 500 V, and the temperature of the substrate was set to 700°C.
このような条件で酸素補給を行いながら、約４時間かけ
て厚さ１．５μｍのＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の酸化物系超
電導体薄膜を形成した。この薄膜の臨界温度（Ｔ ｃ）
を測定したところ、１１１５Ｋを示した。Under these conditions and while supplementing with oxygen, a Y-Ba-Cu-0 based oxide superconductor thin film having a thickness of 1.5 μm was formed over about 4 hours. Critical temperature of this thin film (T c)
When measured, it showed 1115K.
（比較例１）
加速電圧５００Ｖ、イオン電流１００ｍＡ、１００％ア
ルゴンガス、圧力０．２５Ｐａの条件下で、金属ターゲ
ットおよび酸化物ターゲットを使用した場合の成膜速度
を測定した。(Comparative Example 1) The film formation rate was measured using a metal target and an oxide target under the conditions of an accelerating voltage of 500 V, an ion current of 100 mA, 100% argon gas, and a pressure of 0.25 Pa.
その結果を第１表に示す。The results are shown in Table 1.
第１表
第１表に示すように、金属ターゲットを使用した場合の
成膜速度は、酸化物ターゲットを使用した場合の成膜速
度に比較して、約８倍近いことが判明し、このことから
も、本発明の製造方法を用いれば、膜厚の厚い酸化物系
超電導体を短時間で製造することができることが確認さ
れた。Table 1 As shown in Table 1, the film formation rate when using a metal target was found to be approximately 8 times that when using an oxide target; It was also confirmed that by using the manufacturing method of the present invention, a thick oxide-based superconductor can be manufactured in a short time.
また、バリウム酸化物をターゲットとして使用した場合
、ターゲットが破損して成膜が不可能であった。Furthermore, when barium oxide was used as a target, the target was damaged and film formation was impossible.
（比較例２）
また、実施例で使用した装置を用いて、スパッタリング
時の雰囲気をアルゴンガスと酸素ガスとの等ｍ混合ガス
とした以外は実施例の条件と同様にして成膜したところ
、ターゲット中のバリウムと雰囲気中の酸素とが急激に
酸化反応を起こしてターゲットが破損し、成膜は不可能
であった。(Comparative Example 2) In addition, a film was formed using the apparatus used in the example under the same conditions as in the example except that the atmosphere during sputtering was an equal mixed gas of argon gas and oxygen gas. The barium in the target and the oxygen in the atmosphere caused a rapid oxidation reaction, damaging the target and making film formation impossible.
これらターゲットの破損はバリウムの強い酸化性のため
で、スパッタリング時にターゲット中のバリウムと酸素
とか急激に反応するからであり、この点からし本発明の
製造方法を使用すれば、ターゲットの破損を招くことな
く、酸素を供給することができる。These target breakages are due to the strong oxidizing properties of barium, and the barium in the target reacts rapidly with oxygen during sputtering.From this point of view, if the manufacturing method of the present invention is used, the target may be damaged. Oxygen can be supplied without
（比較例３）
酸化物系超電導体の構成元素からなる金属ターゲットを
ごく低圧の酸素ガス雰囲気中でスパッタリングした。こ
の方法では、製造中の酸素分圧が非常に低いことから、
ターゲット中のバリウムとの反応が抑えられるものの、
基体上に形成される゛膜体の結晶中に所望量の酸素が導
入されず、その結晶組成が化学型論的組成からずれてし
まい、形成された膜体の臨界温度や臨界電流密度などの
超電導特性は低かった。(Comparative Example 3) A metal target made of constituent elements of an oxide-based superconductor was sputtered in a very low pressure oxygen gas atmosphere. In this method, since the oxygen partial pressure during production is very low,
Although the reaction with barium in the target is suppressed,
The desired amount of oxygen is not introduced into the crystal of the film formed on the substrate, and the crystal composition deviates from the chemotypic composition, causing problems such as the critical temperature and critical current density of the formed film. Superconducting properties were low.
また、スパッタリング雰囲気中に酸素を混合することに
より、プロセスが変化し、成膜速度が通常のスパッタリ
ングによる成膜速度の約半分以下に低下し、膜厚の厚い
酸化物系超電導体を製造するので好ましくない。Furthermore, by mixing oxygen into the sputtering atmosphere, the process changes and the film formation rate decreases to about half or less of the film formation speed by normal sputtering, making it difficult to produce thick oxide superconductors. Undesirable.
（比較例４）
また、従来の高周波スパッタリング装置を用い、スパッ
タリング時の雰囲気をアルゴンガス１００％とした以外
は上記比較例１と同様の条件で酸化物系超電導体の前駆
体からなる膜体を形成したのち、９００６Ｃ，１時間の
熱処理を施して超電導体薄膜を形成した。この超電導体
薄膜の臨界涯度（Ｔ ｃ）を測定したところ６３にであ
った。(Comparative Example 4) A film made of an oxide-based superconductor precursor was also formed under the same conditions as Comparative Example 1, except that a conventional high-frequency sputtering device was used and the atmosphere during sputtering was 100% argon gas. After the formation, heat treatment was performed at 9006C for 1 hour to form a superconductor thin film. The critical temperature (T c ) of this superconductor thin film was measured and found to be 63.
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の酸化物系超電導体の製造
方法は、前記一般式Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄて示される酸化物系
超電導体を形成する方法であって、前記へ元素とＢ元素
とＣ元素とＤ元素のうち少ζくと６１つの元素を含む金
属製あるいは合金製ターゲットを用きし、前記ターゲッ
トを１つ以上、少なくともへ元素とＢ元素とＣ元素とが
そろうように用いてスパッタリングを行うと同時に、Ｄ
元素をイオンビームアシストなどの方法により加速して
照射するものであるので、形成された酸化物系超電導体
薄膜内に所定量の酸素を導入することができ、よって良
好な超電導特性を示す酸化物系超電導体を製造すること
ができる。[Effects of the Invention] As explained above, the method for manufacturing an oxide-based superconductor of the present invention is a method for forming an oxide-based superconductor represented by the general formula A-B-C-D, comprising: A metal or alloy target containing at least 61 elements of the above-mentioned element B, element B, element C, and element D is used, and one or more of the targets include at least the element B, the element B, and the element C. At the same time, sputtering is performed using D
Since the element is accelerated and irradiated using a method such as ion beam assist, a predetermined amount of oxygen can be introduced into the formed oxide-based superconductor thin film. system superconductor can be manufactured.
また、この製造法によれば、金属製あるいは合金製ター
ゲットを使用するので、成膜速度を大きくすることがで
き、良好な超電導特性を有する膜厚の厚い酸化物系超電
導体の製造が可能である。In addition, since this manufacturing method uses a metal or alloy target, it is possible to increase the deposition rate, and it is possible to manufacture thick oxide-based superconductors with good superconducting properties. be.
さらに、この製造方法によれば、従来法と異なり、成膜
後に酸化物系超電導体に対して高温熱処理を施す必要が
ないので、以下のようなことが可能となる。Further, according to this manufacturing method, unlike the conventional method, there is no need to perform high-temperature heat treatment on the oxide-based superconductor after film formation, so that the following becomes possible.
■成膜後の酸化物系超電導体がこの酸化物系超電導体の
生成基盤となる基体などと反応し不純物が生成される不
都合がなく、この点においても良好な超電導特性を有す
る酸化物系超電導体を製造することができる。■Oxide-based superconductors that have good superconducting properties without the inconvenience that impurities are generated when the oxide-based superconductor after film formation reacts with the substrate that forms the basis of the oxide-based superconductor. body can be manufactured.
■従来法に比較して製造工程を少なくすることが可能で
あり、良好な超電導特性を有する酸化物系超電導体を安
価で製造することができる。(2) It is possible to reduce the number of manufacturing steps compared to conventional methods, and it is possible to manufacture oxide-based superconductors with good superconducting properties at low cost.
■熱処理時に生じやすい酸化物系超電導体薄膜の基体か
らの剥離を防ぐことかでき付着強度および結晶配向性の
良好な酸化物系超電導体薄膜を製造することができる。(2) Peeling of the oxide superconductor thin film from the substrate, which tends to occur during heat treatment, can be prevented, and an oxide superconductor thin film with good adhesion strength and crystal orientation can be produced.
■製造時の温度を低くすることができるので、酸化物系
超電導体に微細加工を施す場合でもその微細加工部分に
同等不都合を生じることがなく、高度に集積化された例
えばジョセフソン素子等の超電導デバイスを精度良く製
造できる。■Since the manufacturing temperature can be lowered, even when microfabrication is applied to oxide-based superconductors, the same inconvenience does not occur in the microfabricated parts, and it is possible to use highly integrated Josephson devices, etc. Superconducting devices can be manufactured with high precision.
第１図は、本発明の製造方法によって製造された酸化物
系超電導体薄膜の一例を示す概略断面図、第２図は、本
発明の製造方法に好適に使用される製造装置に一実施例
を示す概略構成図である。
Ｂ・・・膜体（酸化物系超電導体）、
ｌ・・高周波スパッタリング装置、
２・・・酸素イオン源、
４１・・・ターゲット、
４２・・・ターゲット、
４３・・・ターゲット。
出顎人 藤倉電線株式会社
中部電力株式会社
中国電力法式会社
九州電力株式会社
第１図FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an oxide-based superconductor thin film produced by the production method of the present invention, and FIG. 2 is an example of a production apparatus suitably used in the production method of the present invention. FIG. B... Film body (oxide superconductor), l... High frequency sputtering device, 2... Oxygen ion source, 41... Target, 42... Target, 43... Target. Jaw Person Fujikura Electric Cable Co., Ltd. Chubu Electric Power Co., Ltd. Chugoku Electric Power Act Company Kyushu Electric Power Co., Ltd. Figure 1
Claims (1)
Ｈｏ、Ｅｒなどの周期率表第IIIａ族元素またはＢｉ、
Ｓｂ、Ａｓなどの周期率表第Ｖｂ族元素のうち１種ある
いは２種以上を表し、ＢはＳｒ、Ｂａ、Ｃａなどの周期
率表第IIａ族元素のうち１種あるいは２種以上を表し、
ＣはＣｕ、Ａｇ、Ａｕの周期率表第 I ｂ族元素とＮｂ
のうちＣｕあるいはＣｕを含む２種以上を表し、ＤはＯ
、Ｓ、Ｓｅなどの周期率表第VIｂ族元素およびＦなどの
周期率表第VIIｂ族元素のうちＯあるいはＯを含む２種
以上を表す。）で示される酸化物系超電導体を形成する
方法であって、 前記Ａ元素とＢ元素とＣ元素とＤ元素のうち少なくとも
１つの元素を含む金属製あるいは合金製のターゲットを
用意し、前記ターゲットを１つ以上、少なくともＡ元素
とＢ元素とＣ元素とがそろうように用いてスパッタリン
グを行うと同時に、Ｄ元素をイオンビームアシストなど
の方法により加速して照射することを特徴とする酸化物
系超電導体の製造方法。[Claims] General formula A-B-C-D (where A is Y, Sc, La,
Group IIIa elements of the periodic table such as Ho and Er, or Bi,
represents one or more types of elements of group Vb of the periodic table such as Sb and As; B represents one or more of elements of group IIa of the periodic table such as Sr, Ba, and Ca;
C is Cu, Ag, Au, group Ib elements of the periodic table, and Nb
represents Cu or two or more types containing Cu, and D represents O
, S, Se, etc., and Periodic Table VIIb group elements such as F, O or two or more containing O. ), the method comprises: preparing a metal or alloy target containing at least one of the elements A, B, C, and D; An oxide system characterized in that sputtering is performed using one or more elements such that at least elements A, B, and C are aligned, and at the same time element D is accelerated and irradiated by a method such as ion beam assist. Method for manufacturing superconductors.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63088656A JPH01261204A (en) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | Production of oxide based superconductor |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP63088656A JPH01261204A (en) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | Production of oxide based superconductor |
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|---|---|
| JPH01261204A true JPH01261204A (en) | 1989-10-18 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63088656A Pending JPH01261204A (en) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | Production of oxide based superconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01261204A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0431558A2 (en) * | 1989-12-04 | 1991-06-12 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for forming a multiple-element thin film based on ion beam sputtering |
| JPH04357827A (en) * | 1990-02-12 | 1992-12-10 | American Teleph & Telegr Co <Att> | Electronic element and manufacture thereof |
| EP1420088A1 (en) * | 2001-08-22 | 2004-05-19 | International Superconductivity Technology Center, The Juridical Foundation | High-temperature superconductive film having flat surface |
| US8182862B2 (en) * | 2003-06-05 | 2012-05-22 | Superpower Inc. | Ion beam-assisted high-temperature superconductor (HTS) deposition for thick film tape |
Citations (5)
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| JPH01183496A (en) * | 1988-01-14 | 1989-07-21 | Nec Corp | Production of single crystal oxide superconducting thin film |
-
1988
- 1988-04-11 JP JP63088656A patent/JPH01261204A/en active Pending
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