JPS589234A - 光学的情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光学的情報記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS589234A JPS589234A JP56107036A JP10703681A JPS589234A JP S589234 A JPS589234 A JP S589234A JP 56107036 A JP56107036 A JP 56107036A JP 10703681 A JP10703681 A JP 10703681A JP S589234 A JPS589234 A JP S589234A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- optical information
- information recording
- melting point
- carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24304—Metals or metalloids group 2 or 12 elements (e.g. Be, Ca, Mg, Zn, Cd)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/2431—Metals or metalloids group 13 elements (B, Al, Ga, In)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/24328—Carbon
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2531—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising glass
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光、熱等のエネルギービームの照射によ〉記録
層に穴もしく5、は凹部、を形成することによ唯て情報
を可働するよう、KL九光学的情報記記録体に係〉、轡
、lIc感度の向上及び長寿命化を図、つた光学的情報
記録媒体、に関する。
層に穴もしく5、は凹部、を形成することによ唯て情報
を可働するよう、KL九光学的情報記記録体に係〉、轡
、lIc感度の向上及び長寿命化を図、つた光学的情報
記録媒体、に関する。
基板上に形成された薄膜層にエネルギービームを照射し
記録されるべき1、信号に対応したビット列を形成する
ようにした光学的情報記録媒体において、従来よ避紀碌
薄膜としてテルル(T・)、ビスマス(Bi)、!!鉛
(ム)等の低融点金属を使用することが知られている0
これらの金属薄膜は、低いエネルギーで所望のビットを
形成できるため、この種用途においては高感度材料とし
て有望である。こむで感度とは単位面積轟シのビット形
成Kllするエネルギー(w/cd )で定義される。
記録されるべき1、信号に対応したビット列を形成する
ようにした光学的情報記録媒体において、従来よ避紀碌
薄膜としてテルル(T・)、ビスマス(Bi)、!!鉛
(ム)等の低融点金属を使用することが知られている0
これらの金属薄膜は、低いエネルギーで所望のビットを
形成できるため、この種用途においては高感度材料とし
て有望である。こむで感度とは単位面積轟シのビット形
成Kllするエネルギー(w/cd )で定義される。
しかしながらこれらの低一点金属は大気中に放置された
場合、酸素中水分によシ酸化し中すく。
場合、酸素中水分によシ酸化し中すく。
膜表面Kll化物が形成されて感度が劣化する。たとえ
ばT・や81においてろこれらを70℃、相対温[88
慢の雰囲気に放置した場合、約5時間で感度が約20−
低下し、約腸時間で約501低下してしまう。このため
T@属上に有機保−属をコーテイ/グする等の手段がと
られているが、未九十分な寿命は得られていない0 本発明はこのような問題点に鑑みなされたもので、高感
度でかつ長寿命の光学的情報記録媒体を提供することを
目的とする。
ばT・や81においてろこれらを70℃、相対温[88
慢の雰囲気に放置した場合、約5時間で感度が約20−
低下し、約腸時間で約501低下してしまう。このため
T@属上に有機保−属をコーテイ/グする等の手段がと
られているが、未九十分な寿命は得られていない0 本発明はこのような問題点に鑑みなされたもので、高感
度でかつ長寿命の光学的情報記録媒体を提供することを
目的とする。
本発明の光学的情報記録媒体は、記i&属を低融点金属
、炭素及び水素を含有する薄膜で形成したことを特徴と
し、これによって高感度と長寿命とを兼ね備えたもので
ある。
、炭素及び水素を含有する薄膜で形成したことを特徴と
し、これによって高感度と長寿命とを兼ね備えたもので
ある。
以下図面を参照して本発明の実施例につき詳細に説−す
る。嬉1図は本発明の一実施例を示す断面構成図である
。
る。嬉1図は本発明の一実施例を示す断面構成図である
。
11において(1)は基板で、本実施例では合成樹脂の
1つであるアクリル板が用いられる。しかしこの他にも
プラスチック中ガラス基板であってもよく、情報紀鍮の
読み出し方法によって適宜選択し得る。(11)はC及
びHを含有する低一点金属1Ilj[で26’0〜・O
Oυの融点を有し、その厚さは、十分な光反射率を得る
1度Kjl<、かつ感度を損なわない程IEK薄いこと
が必要で、5oo1〜1μm一度が適轟である。ζζで
低融点金属としてはT―1組、zaCd、I町mb、P
b、8trなどもしくはその含金が使用されCILびH
を含む低融点金属としてテ・を例にとると、!・をター
ゲットとし、Cを含む有機オス例えば、−CHa中C5
Hsガスとムrとの1金ガス中でスパッタすることによ
〉C及びHを會むT・薄膜が得られる。
1つであるアクリル板が用いられる。しかしこの他にも
プラスチック中ガラス基板であってもよく、情報紀鍮の
読み出し方法によって適宜選択し得る。(11)はC及
びHを含有する低一点金属1Ilj[で26’0〜・O
Oυの融点を有し、その厚さは、十分な光反射率を得る
1度Kjl<、かつ感度を損なわない程IEK薄いこと
が必要で、5oo1〜1μm一度が適轟である。ζζで
低融点金属としてはT―1組、zaCd、I町mb、P
b、8trなどもしくはその含金が使用されCILびH
を含む低融点金属としてテ・を例にとると、!・をター
ゲットとし、Cを含む有機オス例えば、−CHa中C5
Hsガスとムrとの1金ガス中でスパッタすることによ
〉C及びHを會むT・薄膜が得られる。
すなわちT−薄膜中のC及び°Hの含有量はムrと01
4(又はCff1m)との混合比を変えることによ)制
御でき、例えばAr/CH4W 1のときには% Te
1−xcx(H)と表記した場合約40原子−のCを含
有させることかで自、また原子数比でCに対し3@度の
Hを含有させることができる。尚、Te以外1cZa、
CもIn。
4(又はCff1m)との混合比を変えることによ)制
御でき、例えばAr/CH4W 1のときには% Te
1−xcx(H)と表記した場合約40原子−のCを含
有させることかで自、また原子数比でCに対し3@度の
Hを含有させることができる。尚、Te以外1cZa、
CもIn。
8b、Pb等の低融点金属をターゲットとし、 CHa
あるいはC出3ガスとArとの混合ガス中でス/4ツタ
する□ことによシ、中は)C及びHを含有する低融点金
属薄膜を得ることかで自る。
あるいはC出3ガスとArとの混合ガス中でス/4ツタ
する□ことによシ、中は)C及びHを含有する低融点金
属薄膜を得ることかで自る。
一方相あるいは8nにおいては、これらの低一点金属を
ルツボ又は&−)K入れて国4ガスとムrガスの混合ガ
ス中(IF”Torr)で加熱蒸発させ、基板と蒸発源
との間に予め電界を加えてにスをイオン化させておくこ
とによ〉CとHを゛′省有す4低融点金属薄属を得るこ
とができる。例えばBiの□場合□ムt/CHa =
1でかつ約soeνのイオンを与えることによ)、約I
′原子参のCと□、原子数比CK対し311度のHとを
含有する引薄膜を得ること□がで自るンこのようにして
形成されるC及びHな含有するl!融点金属薄膜におけ
る光学定数は、CとHとの含有量によって異なp、情報
紀鑞用として活用するには、反射率ならびに消衰係数を
考直して膜厚を決定する必要する必要がある。実験の結
果2001〜ls−の範囲が適崗で、約1ooolのと
龜に最良であることが判った。そして上記条件で形成し
た膜は非晶質であ)%低融点金属単体で形成し九麟に比
べて、記録状態のピット周辺エッヂ部がなめらかとな1
、情報読み出し時のノイズレベルを低くおさえ得基こと
が判明した。
ルツボ又は&−)K入れて国4ガスとムrガスの混合ガ
ス中(IF”Torr)で加熱蒸発させ、基板と蒸発源
との間に予め電界を加えてにスをイオン化させておくこ
とによ〉CとHを゛′省有す4低融点金属薄属を得るこ
とができる。例えばBiの□場合□ムt/CHa =
1でかつ約soeνのイオンを与えることによ)、約I
′原子参のCと□、原子数比CK対し311度のHとを
含有する引薄膜を得ること□がで自るンこのようにして
形成されるC及びHな含有するl!融点金属薄膜におけ
る光学定数は、CとHとの含有量によって異なp、情報
紀鑞用として活用するには、反射率ならびに消衰係数を
考直して膜厚を決定する必要する必要がある。実験の結
果2001〜ls−の範囲が適崗で、約1ooolのと
龜に最良であることが判った。そして上記条件で形成し
た膜は非晶質であ)%低融点金属単体で形成し九麟に比
べて、記録状態のピット周辺エッヂ部がなめらかとな1
、情報読み出し時のノイズレベルを低くおさえ得基こと
が判明した。
次にこのようにして形成されたC及びHを含有する”低
融点金属薄膜中のCとHの含有量の最適値11につ−で
説明する。まずCKついては、T・;−8Cx(H)と
表記した場合、5〜40原子−〇含有量であることが好
ましい。これFis原子−以下であると後述する寿命の
点で低融点金属単体で形成した記録膜との有意差がみら
れなくなるためであ)、ま九40原子−以上になると後
述する感度の点で不十分なものになるためである。次K
HKついては所望の感度を有する記録膜を作製した後に
その記録膜を真空中で放出jス分析を行りた結果Qim
の存在が確認されたところから、Hの含有量は原子数比
でCに対しm6度が好ましいことが推欄で自る。このよ
うなC及びHを所定量含有する本発明の低融点金属紀鍮
属が感度、寿命共に優れていることにつき以下に詳述す
る。
融点金属薄膜中のCとHの含有量の最適値11につ−で
説明する。まずCKついては、T・;−8Cx(H)と
表記した場合、5〜40原子−〇含有量であることが好
ましい。これFis原子−以下であると後述する寿命の
点で低融点金属単体で形成した記録膜との有意差がみら
れなくなるためであ)、ま九40原子−以上になると後
述する感度の点で不十分なものになるためである。次K
HKついては所望の感度を有する記録膜を作製した後に
その記録膜を真空中で放出jス分析を行りた結果Qim
の存在が確認されたところから、Hの含有量は原子数比
でCに対しm6度が好ましいことが推欄で自る。このよ
うなC及びHを所定量含有する本発明の低融点金属紀鍮
属が感度、寿命共に優れていることにつき以下に詳述す
る。
第2図(11〜(→は有機ガスとしてα4を用い、ガス
混合比すなわちムr /CHaをθ〜100と変化させ
1.5謹厚のアクリル基板(1)KC及びHを含有する
T・薄膜をスパッタによ〕形成し、得られ九7001種
度の記録膜についての緒特性を示したものである。
混合比すなわちムr /CHaをθ〜100と変化させ
1.5謹厚のアクリル基板(1)KC及びHを含有する
T・薄膜をスパッタによ〕形成し、得られ九7001種
度の記録膜についての緒特性を示したものである。
−において横軸はスパッタ中のガス混合比、縦軸は光吸
収、Gi4100−で得られた薄膜の呻性値で規格化し
た膜形成速度(膜形成速度比)JLび感度の逆数比(感
度比)を各々示す。ζζで単位体積のlII&に吸収さ
れる光エネルギーは、薄膜の屈折率をn、消衰係数をk
とすると、2ak lf:比例する。
収、Gi4100−で得られた薄膜の呻性値で規格化し
た膜形成速度(膜形成速度比)JLび感度の逆数比(感
度比)を各々示す。ζζで単位体積のlII&に吸収さ
れる光エネルギーは、薄膜の屈折率をn、消衰係数をk
とすると、2ak lf:比例する。
第2図でわかるように光吸収(2nk )は混合ガス中
のArが増加するにつれて増大するが、膜形成速度及び
感度は共K 1G % =程度の変化におさまっている
Cそして感度について着目すると、92図(C) K示
すようにガス混合比の広い範囲にわ九ってほぼ等しい値
をとっておシ、かつこの値は、アクリル基板上K 40
0ム程度の純T・薄膜を形成した場合の感度に相轟し、
本発明の記録媒体が高感度を有することを示している。
のArが増加するにつれて増大するが、膜形成速度及び
感度は共K 1G % =程度の変化におさまっている
Cそして感度について着目すると、92図(C) K示
すようにガス混合比の広い範囲にわ九ってほぼ等しい値
をとっておシ、かつこの値は、アクリル基板上K 40
0ム程度の純T・薄膜を形成した場合の感度に相轟し、
本発明の記録媒体が高感度を有することを示している。
ここで第2図(→、第2図(C)における人r/C■4
がO〜10−の間の場合は光吸収及び感度が減少してい
るが、これは上述し九〇の量が鉛原子−以上の場合に相
幽し、記録膜゛が透明に近づき記録の為のエネルギービ
ームの照射を強くする必豊かある丸め、この範囲は好ま
しくない。
がO〜10−の間の場合は光吸収及び感度が減少してい
るが、これは上述し九〇の量が鉛原子−以上の場合に相
幽し、記録膜゛が透明に近づき記録の為のエネルギービ
ームの照射を強くする必豊かある丸め、この範囲は好ま
しくない。
尚、第2図(→〜(→に示した特性はTe以外の低融点
金属(引、Zn、Cd、Is、1iib、Pb、8n
)及び引3T・3゜In8b4等の含金についても、は
ぼ同じ傾向がsii!された。
金属(引、Zn、Cd、Is、1iib、Pb、8n
)及び引3T・3゜In8b4等の含金についても、は
ぼ同じ傾向がsii!された。
第3図は70℃、相対温度859Gの雰囲気中での時
−関経過に対する感度の劣化を、従来のテ・単体°の
ものと、CをW〜あ原子−1Hを原子数比でCに対して
はぼ3倍含有するTe記録膜とで比軟した図である0本
図における感度の劣化は、記録に必費なエネルギーの逆
数の初期値に対する変化として表わしており、Tel単
体からなる従業の記録膜1本発明による記録膜共にアク
リル基板上に形成され九場合を示す。本図かられかるよ
うにT11単体からなる記録膜の場合は図中(A)で示
すように時間経過とともに感度が劣化する。これは時間
とともに局部的な透明領域(シミ)が発生するためで、
約170時間経過後には全面にわ九って劣化してしまう
。
−関経過に対する感度の劣化を、従来のテ・単体°の
ものと、CをW〜あ原子−1Hを原子数比でCに対して
はぼ3倍含有するTe記録膜とで比軟した図である0本
図における感度の劣化は、記録に必費なエネルギーの逆
数の初期値に対する変化として表わしており、Tel単
体からなる従業の記録膜1本発明による記録膜共にアク
リル基板上に形成され九場合を示す。本図かられかるよ
うにT11単体からなる記録膜の場合は図中(A)で示
すように時間経過とともに感度が劣化する。これは時間
とともに局部的な透明領域(シミ)が発生するためで、
約170時間経過後には全面にわ九って劣化してしまう
。
−万事発明によるC及びHを含有するT・薄膜の場合は
、同図中(呻で示すようK 1000時間経過後もT・
薄INK見られたようなシミは全く認められず、常Ki
tぼ一定の感度責保持してお)、長寿命化を達成してい
ることがわかる。
、同図中(呻で示すようK 1000時間経過後もT・
薄INK見られたようなシミは全く認められず、常Ki
tぼ一定の感度責保持してお)、長寿命化を達成してい
ることがわかる。
#I4図(a) 、 (b)は低融点金属としてT・を
例にとシこれにCを5〜4o原子優、Hを原子数比でC
K対して約3倍含有する記録膜をN2中で示差熱分析を
行った結果を示し、(I4は温度に対応した重量変化(
b)は温度に対応し良熱変化を示す。
例にとシこれにCを5〜4o原子優、Hを原子数比でC
K対して約3倍含有する記録膜をN2中で示差熱分析を
行った結果を示し、(I4は温度に対応した重量変化(
b)は温度に対応し良熱変化を示す。
これらの図からもわかるように140℃付近で結晶化に
よる発熱ピークと分解が観測され、さらに温度を上けて
443 ”0では融点を示す吸熱が見られる。こむで前
述のように放出ガス分析の結果、T@m(CHs)mの
形態でガス放出があることが確認されているため、第4
図における140℃付近で生ずる分解によって、CHs
基を會む蒸気圧の高いガスが放出されていることがわか
る そしてこのようにCHs基を含むガスが放出して分解後
結晶化された記録膜は実質的にはT@単体の薄膜Kfl
めて近い状■あると考えられるので、これが本発明の紀
鍮属が高感度である理由となる。
よる発熱ピークと分解が観測され、さらに温度を上けて
443 ”0では融点を示す吸熱が見られる。こむで前
述のように放出ガス分析の結果、T@m(CHs)mの
形態でガス放出があることが確認されているため、第4
図における140℃付近で生ずる分解によって、CHs
基を會む蒸気圧の高いガスが放出されていることがわか
る そしてこのようにCHs基を含むガスが放出して分解後
結晶化された記録膜は実質的にはT@単体の薄膜Kfl
めて近い状■あると考えられるので、これが本発明の紀
鍮属が高感度である理由となる。
ここでHの存在は蒸気圧の高い分解ガス生成(CHs″
基)K寄与し、これによつズ属の分解温度を下げる役割
を呆九している。ま九テ・原子KH4−Cが結合するこ
とによJ) HiO中01がT・と結合するのを賭止し
ていると考えられ、その結果本発明による記録膜が化学
的に安定で酸化しに((なっているものと考えられる。
基)K寄与し、これによつズ属の分解温度を下げる役割
を呆九している。ま九テ・原子KH4−Cが結合するこ
とによJ) HiO中01がT・と結合するのを賭止し
ていると考えられ、その結果本発明による記録膜が化学
的に安定で酸化しに((なっているものと考えられる。
崗1分析結兼はC及びHを所定量含有する!・属につい
てのみ示したが、先に列挙し九個の低融点金属及びそれ
らの合金についてもはは同じ傾向を示す。
てのみ示したが、先に列挙し九個の低融点金属及びそれ
らの合金についてもはは同じ傾向を示す。
以上詳しく説明したように本発明によれば感度寿命共に
優れ九4I法を有する記録層を提供することができ、そ
の結果基板として水分中酸素を通しやすいアクリル基板
、プラスチック基板等を用いることができる丸め、安価
でかつ量産−に優れた光学的情報記録謀体とすることが
できる。
優れ九4I法を有する記録層を提供することができ、そ
の結果基板として水分中酸素を通しやすいアクリル基板
、プラスチック基板等を用いることができる丸め、安価
でかつ量産−に優れた光学的情報記録謀体とすることが
できる。
第1図は本発明の一実施例を示す断面構成図。
第2図(Q〜(→は本発−による記録層のガス混合比に
対するM特性を示す図で、(姉は光1kIIILを、(
呻は膜形成速度比を、(→は感置比を各々示す図、第3
FjAは本発明による紀鎌属と従来の記録層との寿命に
ついての比較図、#I4図(荀、(b)は本発明による
記録層の温度に対する緒特性を示す図で(→は重量変化
、(→は熱変イビを示す図である。 (1)・・・基板、(2ト・・C及びHを含有する低融
点金属記録膜。 代理人 介珊士 則 近 盾 佑(ほか1名)第1図 1’ // h DI 4# 316671’ lid
f/ /melt %H。 第8図 第4図 手続補正書(自発) 昭和 年 月 日 57.1.13 特許庁長官島田春樹殿 1、事件の表示 昭和56年特願第107036号 2、発明の名称 光学的情報記龜媒体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307)東京芝浦電気株式会社 明細書の「発明の詳細な説明」の橢 及び図面の第2111.第4図 (1)明細書第3頁@12行目の「おいてろ」を「おい
ては」と訂正する。 (2)第5頁第4行目の「人r7cH4= tのときは
、」を「人r/CH4= 0のときは、」と訂正する〇
(3)同頁第8行目の「Ar、/CH4= 1で」を「
人r/CH4=0で」と訂正する〇 (4)第6頁第5行目の「決定する必要する必要がある
0」を「′決定する必要がある。」と訂正する。 (5)同頁第8行目の「単位」を「単体」と訂正する0 (6)第7頁第2行目のrcHsJを「CH3基」と訂
正する。 (7)同頁第9行目の「O〜100 Jを「θ〜1」と
訂正する。 (8)第8頁第5行目の[400A Jを「400X」
と訂正する。 (9)同頁第8行目乃至第13行目の「ここで・・・好
ましくない。」を次のように訂正する。 「ここで第2図におけるAr/CH4が0のときはCの
量が約40原子うに相轟するが、第2図0から4推測で
きるようにCの量が40原子%よ#)41多くなると感
度が徐々に低下していき記録膜が透明に近づいていくた
め、i己録の為のエネルギービームの照射を強くする必
要が生じてくる。従ってCの量は40%以下であること
が好ましい。」四第9頁第1行目の「はぼ3倍」を「は
ぼ3倍(詳しくは1〜4倍)」と訂正する。 αυ図面中第2図及び第4図を別紙のとうり訂正する。 以上 第2− 第4図 手続補正書(自発) 姉晶、、、%Oa 特許庁長官 若 極相 大股 1、 事件の表示 昭和56年特鵬第107036号 2、発明の名称、 光学的情報記録媒体 3、補正をする看 事件との関係 特許出願人 (307)東京芝浦電気株式会社 4、代理人 〒100 東京都千代田区内幸町1−$−6 6、補正の内容 (1)特許請求の範囲を別紙のどう一ノ補正する。 (2)明細書第2頁第15行目の「凹部」を「例え゛ば
凹部等の変形部」と訂正する。 以上 特許請求の範囲 (1) 基板上に記録膜を形成し、この記録膜にエネ
ルギービームな照射すること鑑=よって記録膜に穴もし
くは変形部を形成して情報を記録するようにした光学的
情報記録媒体(二おいて、前記記録膜を低融点金属、炭
素及び水−を含む薄膜で形成したことを特徴とする光学
的情報記録媒体。 (2)低融点金属はテルル、ビスマス、亜鉛、カドミウ
ム、インジウム、アンチモン、鉛、錫のうちのいずれか
、もしくはこれらのうちの複数からなる合金であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的情報記
録媒体。 (3)合金は25℃乃至600℃の融点を有することを
特徴とする特許請求の範囲第2項記載の光学的情報記録
媒体。 (4)炭素及び水素は炭化水素基として含有されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的情
報記録媒体。 (5)記録膜中の炭素の含有量は5乃至40原子鴨で、
水素の含有量は原子数比で炭素に対しほぼ3であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的情報記
録媒体。 (6)記録膜は非晶質であることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の光学的情報記録媒体。 (7)記録膜の厚さは200A乃至1.mであることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的情報記録
媒体。 (8) 基板はガラスもしくは合成樹脂であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的情報記録
媒体。
対するM特性を示す図で、(姉は光1kIIILを、(
呻は膜形成速度比を、(→は感置比を各々示す図、第3
FjAは本発明による紀鎌属と従来の記録層との寿命に
ついての比較図、#I4図(荀、(b)は本発明による
記録層の温度に対する緒特性を示す図で(→は重量変化
、(→は熱変イビを示す図である。 (1)・・・基板、(2ト・・C及びHを含有する低融
点金属記録膜。 代理人 介珊士 則 近 盾 佑(ほか1名)第1図 1’ // h DI 4# 316671’ lid
f/ /melt %H。 第8図 第4図 手続補正書(自発) 昭和 年 月 日 57.1.13 特許庁長官島田春樹殿 1、事件の表示 昭和56年特願第107036号 2、発明の名称 光学的情報記龜媒体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307)東京芝浦電気株式会社 明細書の「発明の詳細な説明」の橢 及び図面の第2111.第4図 (1)明細書第3頁@12行目の「おいてろ」を「おい
ては」と訂正する。 (2)第5頁第4行目の「人r7cH4= tのときは
、」を「人r/CH4= 0のときは、」と訂正する〇
(3)同頁第8行目の「Ar、/CH4= 1で」を「
人r/CH4=0で」と訂正する〇 (4)第6頁第5行目の「決定する必要する必要がある
0」を「′決定する必要がある。」と訂正する。 (5)同頁第8行目の「単位」を「単体」と訂正する0 (6)第7頁第2行目のrcHsJを「CH3基」と訂
正する。 (7)同頁第9行目の「O〜100 Jを「θ〜1」と
訂正する。 (8)第8頁第5行目の[400A Jを「400X」
と訂正する。 (9)同頁第8行目乃至第13行目の「ここで・・・好
ましくない。」を次のように訂正する。 「ここで第2図におけるAr/CH4が0のときはCの
量が約40原子うに相轟するが、第2図0から4推測で
きるようにCの量が40原子%よ#)41多くなると感
度が徐々に低下していき記録膜が透明に近づいていくた
め、i己録の為のエネルギービームの照射を強くする必
要が生じてくる。従ってCの量は40%以下であること
が好ましい。」四第9頁第1行目の「はぼ3倍」を「は
ぼ3倍(詳しくは1〜4倍)」と訂正する。 αυ図面中第2図及び第4図を別紙のとうり訂正する。 以上 第2− 第4図 手続補正書(自発) 姉晶、、、%Oa 特許庁長官 若 極相 大股 1、 事件の表示 昭和56年特鵬第107036号 2、発明の名称、 光学的情報記録媒体 3、補正をする看 事件との関係 特許出願人 (307)東京芝浦電気株式会社 4、代理人 〒100 東京都千代田区内幸町1−$−6 6、補正の内容 (1)特許請求の範囲を別紙のどう一ノ補正する。 (2)明細書第2頁第15行目の「凹部」を「例え゛ば
凹部等の変形部」と訂正する。 以上 特許請求の範囲 (1) 基板上に記録膜を形成し、この記録膜にエネ
ルギービームな照射すること鑑=よって記録膜に穴もし
くは変形部を形成して情報を記録するようにした光学的
情報記録媒体(二おいて、前記記録膜を低融点金属、炭
素及び水−を含む薄膜で形成したことを特徴とする光学
的情報記録媒体。 (2)低融点金属はテルル、ビスマス、亜鉛、カドミウ
ム、インジウム、アンチモン、鉛、錫のうちのいずれか
、もしくはこれらのうちの複数からなる合金であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的情報記
録媒体。 (3)合金は25℃乃至600℃の融点を有することを
特徴とする特許請求の範囲第2項記載の光学的情報記録
媒体。 (4)炭素及び水素は炭化水素基として含有されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的情
報記録媒体。 (5)記録膜中の炭素の含有量は5乃至40原子鴨で、
水素の含有量は原子数比で炭素に対しほぼ3であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的情報記
録媒体。 (6)記録膜は非晶質であることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の光学的情報記録媒体。 (7)記録膜の厚さは200A乃至1.mであることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的情報記録
媒体。 (8) 基板はガラスもしくは合成樹脂であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的情報記録
媒体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)基板上に記録、属を形成し、との記録11[Kエ
ネルギービームを照射することによって記録層に穴もし
くは凹部を形成して情報を記−するようにした光学的情
報記#に媒体において、前記岬鍮属を低融点金属、炭素
及び水素を含む薄膜で形成したことを特徴とする光学的
情報記録媒体。、(2)低融点金属はテルル、、ビスマ
ス、亜鉛、カドンクム、インジウム、アンチモノ、鉛、
錫のうちのいずれか、もしくはこれらのうちの複数から
なる合金であることを4+1黴・とする特、、許請求の
@置薬1項記載の光学的情報記録媒体。 (3)合金はS”O乃ji60G℃の、融点を有、する
ことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の光学的情
報記録媒体。 ・(4)炭素及び
水素は炭化水素基として含有されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1.3J[記載の光学的情報記−媒
体〇 (5)me鍮属中の炭素の含有量は5乃至4oX子−で
水素の含有量は原子数比で炭素に対しほぼ3であゐこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的情報記
録媒体。 (6)記録層は、非晶質であることを特徴とする特許請
求のl[II嬉1項記載の光学的情報記録媒体。 (7)記録層の厚さはzoo X乃至1μmであること
を特徴とする11!#杵請求の範Sat項記載の光学的
情報記録媒体。 (8)基1!拡ガラス、もしくは合、成樹脂であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の、光学的情報
記鍮媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56107036A JPS589234A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56107036A JPS589234A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS589234A true JPS589234A (ja) | 1983-01-19 |
JPS6327778B2 JPS6327778B2 (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=14448886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56107036A Granted JPS589234A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS589234A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59160841A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-11 | Toshiba Corp | 光学的記録媒体膜 |
EP0335275A2 (en) * | 1988-03-31 | 1989-10-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium |
US4929485A (en) * | 1988-02-01 | 1990-05-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium and method of manufacturing the same |
JPH0420852U (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-21 | ||
US6416929B2 (en) | 1997-10-17 | 2002-07-09 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Memory member |
US8124211B2 (en) | 2007-03-28 | 2012-02-28 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, sputtering target, and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107647578A (zh) * | 2017-07-17 | 2018-02-02 | 东莞集思工业设计有限公司 | 一种带有散热功能的背包 |
JP7373180B2 (ja) * | 2019-06-24 | 2023-11-02 | 株式会社セフト研究所 | 乳幼児冷却装置 |
KR102530135B1 (ko) * | 2021-08-24 | 2023-05-10 | (주)대성파인텍 | 터널 구조형 유연성 덕트와 이를 포함한 가방 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5627395A (en) * | 1979-08-14 | 1981-03-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Recording medium and preparation thereof |
JPS5662192A (en) * | 1979-10-29 | 1981-05-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Medium for optical recording use and preparation thereof |
-
1981
- 1981-07-10 JP JP56107036A patent/JPS589234A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5627395A (en) * | 1979-08-14 | 1981-03-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Recording medium and preparation thereof |
JPS5662192A (en) * | 1979-10-29 | 1981-05-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Medium for optical recording use and preparation thereof |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59160841A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-11 | Toshiba Corp | 光学的記録媒体膜 |
JPH0441056B2 (ja) * | 1983-03-04 | 1992-07-07 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
US4929485A (en) * | 1988-02-01 | 1990-05-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium and method of manufacturing the same |
EP0335275A2 (en) * | 1988-03-31 | 1989-10-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium |
JPH0420852U (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-21 | ||
US6416929B2 (en) | 1997-10-17 | 2002-07-09 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Memory member |
US8124211B2 (en) | 2007-03-28 | 2012-02-28 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, sputtering target, and method for manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6327778B2 (ja) | 1988-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6761950B2 (en) | Information recording medium and method for producing the same | |
EP0062975B1 (en) | Optical recording medium | |
EP0195532B1 (en) | An information recording medium | |
JP2990036B2 (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
US7014903B2 (en) | Optical recording medium | |
US7291375B2 (en) | Phase-change optical recording medium | |
KR100709931B1 (ko) | 정보 기록 매체 및 그 제조 방법 | |
EP1414029A2 (en) | Optical recording medium and method for manufacturing the same | |
EP1657071A1 (en) | Recording medium | |
JPS589234A (ja) | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 | |
US6432502B1 (en) | Optical recording medium and method of manufacturing the same | |
US6933031B2 (en) | Optical information recording medium and its manufacturing method | |
US20050002322A1 (en) | Optical information recording medium | |
EP1592003B1 (en) | Optical recording medium and method for manufacturing same | |
JP2002352472A (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法およびその記録再生方法 | |
JP4216178B2 (ja) | 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法 | |
KR20080033528A (ko) | 다층 광 기록 매체 및 광 기록 방법 | |
US20070166505A1 (en) | Optical storage medium, manufacturing method of recording layer thereof, and recording method thereof | |
JPH0375940B2 (ja) | ||
JP2002123977A (ja) | 追記型光学記録媒体 | |
US20050118530A1 (en) | Optical recording medium | |
US20050207329A1 (en) | Optical recording medium | |
JP2000339748A (ja) | 光記録媒体 | |
JPH10134414A (ja) | 光記録媒体 | |
JPH01137436A (ja) | 光記録媒体 |