JPS6134743A - 光学記録媒体の製造方法 - Google Patents
光学記録媒体の製造方法Info
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- JPS6134743A JPS6134743A JP15580484A JP15580484A JPS6134743A JP S6134743 A JPS6134743 A JP S6134743A JP 15580484 A JP15580484 A JP 15580484A JP 15580484 A JP15580484 A JP 15580484A JP S6134743 A JPS6134743 A JP S6134743A
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- mixed
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/2432—Oxygen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光、熱等を用いて高速かつ高密度に光学的な
情報を記録、再生できる光学記録媒体として、Ｔ ｅ
＝ Ｔ ｅ ０２系薄膜を再現性よくかつ容易に形成す
る製造方法に関するものである。
情報を記録、再生できる光学記録媒体として、Ｔ ｅ
＝ Ｔ ｅ ０２系薄膜を再現性よくかつ容易に形成す
る製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、半導体レーザの技術的発達に伴ない、し、−ザ線
を利用して高密度、高速な情報の記録、再生を行なうこ
とが種々試みられている。
を利用して高密度、高速な情報の記録、再生を行なうこ
とが種々試みられている。
光学的な変化を利用する記録部材としてのＴｅ−Ｔ ｅ
０２薄膜は高感度かつ信号品質の高い光学情報記録媒
体として公知であり、現在、この記録媒体を用いた静止
画ファイルおよび文書ファイル等が商品化されている。
０２薄膜は高感度かつ信号品質の高い光学情報記録媒
体として公知であり、現在、この記録媒体を用いた静止
画ファイルおよび文書ファイル等が商品化されている。
従来、Ｔｏ−Ｔｅａ２薄膜の形成方法としては、タング
ステンあるいはモリブデンボートにＴ ｅ ０２粉末を
入れて真空蒸着する方法、ＴｅとＴ ｅ ０２の２ソー
スで、各ソースの蒸着温度を制御し、基板上に同時に蒸
着してＴ ｅ −Ｔ ｅ ％薄膜を合成する方法、Ｔ
ｅ ０２に還元性金属物質を混合し、石英ルツボ中にて
コイルヒータ等によシ加熱して還元反応を生じさせなが
ら蒸着する方法等が知られているタングステンあるいは
モリブデンボートにＴ ｅ ０２粉末を入れて真空蒸着
する方法においては、タングステンあるいはモリブデン
ボートに通電、加熱して、ボートとＴ ｅ ０２界面で
還元反応を生じさせ、Ｔ ｅ ０２中の酸素を一部除き
ながら蒸着してＴｏ−Ｔｅａ２薄膜を得ようとするもの
であり、この方法は極めて容易にＴ ｅ −Ｔ ｅ ０
２薄膜を得ることができるという特徴があるが、還元反
応の進行に伴ってボート表面の還元能力が低下し、膜厚
方向においてＴｅとＯの組成比のずれが生じ、また蒸着
時に毎回ボートの交換を必要とするために還元反応速度
の制御が困難であり、再現性に欠けるという欠点を有し
ている。
ステンあるいはモリブデンボートにＴ ｅ ０２粉末を
入れて真空蒸着する方法、ＴｅとＴ ｅ ０２の２ソー
スで、各ソースの蒸着温度を制御し、基板上に同時に蒸
着してＴ ｅ −Ｔ ｅ ％薄膜を合成する方法、Ｔ
ｅ ０２に還元性金属物質を混合し、石英ルツボ中にて
コイルヒータ等によシ加熱して還元反応を生じさせなが
ら蒸着する方法等が知られているタングステンあるいは
モリブデンボートにＴ ｅ ０２粉末を入れて真空蒸着
する方法においては、タングステンあるいはモリブデン
ボートに通電、加熱して、ボートとＴ ｅ ０２界面で
還元反応を生じさせ、Ｔ ｅ ０２中の酸素を一部除き
ながら蒸着してＴｏ−Ｔｅａ２薄膜を得ようとするもの
であり、この方法は極めて容易にＴ ｅ −Ｔ ｅ ０
２薄膜を得ることができるという特徴があるが、還元反
応の進行に伴ってボート表面の還元能力が低下し、膜厚
方向においてＴｅとＯの組成比のずれが生じ、また蒸着
時に毎回ボートの交換を必要とするために還元反応速度
の制御が困難であり、再現性に欠けるという欠点を有し
ている。
また、ＴｅとＴ ｅ ０２の２ソースでＴ ｅ −Ｔ
ｅ ０２薄膜を基板上に合成する方法においては、連続
的に多数回の蒸着を行なうことができる点に有意性があ
るが、Ｔｅは非常に蒸気圧の高い物質であるため、その
蒸着速度の制御は非常に困難であり、突沸によシトロツ
ブアウトが生じ、特性の再現性に欠ける欠点を有する。
ｅ ０２薄膜を基板上に合成する方法においては、連続
的に多数回の蒸着を行なうことができる点に有意性があ
るが、Ｔｅは非常に蒸気圧の高い物質であるため、その
蒸着速度の制御は非常に困難であり、突沸によシトロツ
ブアウトが生じ、特性の再現性に欠ける欠点を有する。
また、Ｔ ｅ ０２と還元性金属との混合物を用いる方
法においても、還元反応が進行するに伴い還元金属の還
元能力が低下し、膜厚方向の組成ずれが大きい欠点を有
している。
法においても、還元反応が進行するに伴い還元金属の還
元能力が低下し、膜厚方向の組成ずれが大きい欠点を有
している。
発明の目的
本発明は、薄膜の組成の均一性、堆積速度の制御性１組
成および特性の再現性に優れるとともに、容易かつ連続
的に多数回の薄膜形成を繰り返すことができる、Ｔｅ−
Ｔｅ％薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
成および特性の再現性に優れるとともに、容易かつ連続
的に多数回の薄膜形成を繰り返すことができる、Ｔｅ−
Ｔｅ％薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明の製造方法は、ＴｅとＴ ｅ ０２の混合粉末、
または、Ｔ ｅ ０２を還元して得られた粉末を加圧成
型し、得られた成型体をＣｕプレート上にボンディング
接合したもの、あるいは、Ｔｓ とＴ ｅ ０２の各々
の加圧成型体を電極上に混在させたもの等をターゲット
とし、スパッタガスにはＡｒ（フルボン）ガスと０２（
酸素）ガスを用いて、スパッタリングにより薄膜を形成
するものであり、ターゲットの酸素対テルルの比を０．
２〜１．６とすることにより、Ｏ／Ｔｅ比の値を任意に
制御することが容易であり、優れた光学記録媒体を得る
ことができる。
または、Ｔ ｅ ０２を還元して得られた粉末を加圧成
型し、得られた成型体をＣｕプレート上にボンディング
接合したもの、あるいは、Ｔｓ とＴ ｅ ０２の各々
の加圧成型体を電極上に混在させたもの等をターゲット
とし、スパッタガスにはＡｒ（フルボン）ガスと０２（
酸素）ガスを用いて、スパッタリングにより薄膜を形成
するものであり、ターゲットの酸素対テルルの比を０．
２〜１．６とすることにより、Ｏ／Ｔｅ比の値を任意に
制御することが容易であり、優れた光学記録媒体を得る
ことができる。
実施例の説明
スパッタ蒸着に用いるスパッタガスは、通常アルゴンガ
スが用いられるが、本発明にもとづく薄膜形成において
は、アルゴンガスに反応ガス（例えば：酸素ガス）を混
入させた混合ガスを用いて。
スが用いられるが、本発明にもとづく薄膜形成において
は、アルゴンガスに反応ガス（例えば：酸素ガス）を混
入させた混合ガスを用いて。
ターゲットとスパッタガスとを反応させる反応性スパッ
タリングを行う。
タリングを行う。
どのようなターゲットを用いても、酸素ガスの流入量す
なわちＡｒ１０２比が小さくなるに伴い生成される薄膜
のＯ／Ｔｅ比が大きくなる傾向であり、スパッタガス中
の酸素ガス混合量を変化させることにより、Ｏ／Ｔ ｅ
比Ｃ，がＯ＜Ｃ，＜２ の範囲において任意に制御さ
れたＴ ｅ −Ｔ ｅ Ｏ２薄膜を形成することができ
る。
なわちＡｒ１０２比が小さくなるに伴い生成される薄膜
のＯ／Ｔｅ比が大きくなる傾向であり、スパッタガス中
の酸素ガス混合量を変化させることにより、Ｏ／Ｔ ｅ
比Ｃ，がＯ＜Ｃ，＜２ の範囲において任意に制御さ
れたＴ ｅ −Ｔ ｅ Ｏ２薄膜を形成することができ
る。
ところで、ターゲット中のＯ／Ｔ ｅ比Ｃ丁についての
検討の結果、Ｃｔ＝ｏの組成のターゲットを用いた場合
は、膜中のＯ／Ｔ ｅ比Ｃｆは、スパッタガス中の酸素
ガス混合量が約０〜７６容積チの範囲で可能であり、Ｃ
ｔ＝２の組成のターゲットを用いた場合は、ＣＦの制御
は、スパッタガス中の酸素ガス混合量が約０〜１０容積
係の範囲で可能である。
検討の結果、Ｃｔ＝ｏの組成のターゲットを用いた場合
は、膜中のＯ／Ｔ ｅ比Ｃｆは、スパッタガス中の酸素
ガス混合量が約０〜７６容積チの範囲で可能であり、Ｃ
ｔ＝２の組成のターゲットを用いた場合は、ＣＦの制御
は、スパッタガス中の酸素ガス混合量が約０〜１０容積
係の範囲で可能である。
しかしながら、膜中のＯ／Ｔｅ比を望ましい範囲である
０、３〜１．６の範囲に制御しようとする場合、Ｃ０が
０，２以下の組成のターゲットを用いた場合は、酸素ガ
ス混合量を変化できる制御領域が非常に狭く、しかも不
活性スパッタガス中の酸素の混合量が非常に多い領域で
あるため、スパッタ効率が非常に悪い。また、Ｃが１．
６以上の組成をターゲットとした場合においても酸素ガ
スの制御領域が非常に狭い。このようにＣｆの制御可能
な範囲が不活性スパッタガス中の酸素ガス量について狭
い領域に限られるため、組成ずれが起きやすく、再現性
に劣り、不活性スパッタガス中の酸素量によるＯ／Ｔｅ
比の制御は極めて困難であることがわかった。
０、３〜１．６の範囲に制御しようとする場合、Ｃ０が
０，２以下の組成のターゲットを用いた場合は、酸素ガ
ス混合量を変化できる制御領域が非常に狭く、しかも不
活性スパッタガス中の酸素の混合量が非常に多い領域で
あるため、スパッタ効率が非常に悪い。また、Ｃが１．
６以上の組成をターゲットとした場合においても酸素ガ
スの制御領域が非常に狭い。このようにＣｆの制御可能
な範囲が不活性スパッタガス中の酸素ガス量について狭
い領域に限られるため、組成ずれが起きやすく、再現性
に劣り、不活性スパッタガス中の酸素量によるＯ／Ｔｅ
比の制御は極めて困難であることがわかった。
なお、形成された薄膜のＯ／Ｔ ｅ比が０．３〜１．６
であることが望ましい理由は、０．３以下では非常にテ
ルル成分の多い膜であり、熱的に不安定な特性となり、
Ｏ／Ｔｅ比が１．６以上においては非常に酸素成分の多
い膜が形成され、光吸収係数が小さく記録前後の光学的
変化が不十分であり、光学記録媒体として使用できない
ためである。
であることが望ましい理由は、０．３以下では非常にテ
ルル成分の多い膜であり、熱的に不安定な特性となり、
Ｏ／Ｔｅ比が１．６以上においては非常に酸素成分の多
い膜が形成され、光吸収係数が小さく記録前後の光学的
変化が不十分であり、光学記録媒体として使用できない
ためである。
すなわち、光学記録媒体として使用可能にできるＯ／Ｔ
ｅ比は０．３以上、１．６以下の範囲内である。
ｅ比は０．３以上、１．６以下の範囲内である。
不活性スパッタガス中に酸素ガスを混合するスパッタ法
は、抵抗加熱法や、電子線ビーム法に比べて組成ずれを
起こしにくく、再現性に優れたＴ ｏ −Ｔ ｅ Ｏ２
薄膜を形成することができるだけでなく、形成された薄
膜は他法に比べて耐湿特性が向上することがわかった。
は、抵抗加熱法や、電子線ビーム法に比べて組成ずれを
起こしにくく、再現性に優れたＴ ｏ −Ｔ ｅ Ｏ２
薄膜を形成することができるだけでなく、形成された薄
膜は他法に比べて耐湿特性が向上することがわかった。
これは、抵抗加熱法や電子線ビーム法で形成された薄膜
構造に比べ、スパッタ法で形成された薄膜構造の方が非
常に緻密で均質であシ、外気の影響を受けにくいため耐
湿特性が向上したと考えられる。
構造に比べ、スパッタ法で形成された薄膜構造の方が非
常に緻密で均質であシ、外気の影響を受けにくいため耐
湿特性が向上したと考えられる。
次に本発明の光学記録媒体の製造方法を更に具体的な例
をもって詳細に説明する。
をもって詳細に説明する。
実施例１
第１図は、Ｔｅ−Ｔｅａ２薄膜を形成するだめのスパッ
タ装置の断面図である。
タ装置の断面図である。
同装置下部に設置されたターゲット１は、成型体１ａと
Ｃｕプレート２からなる。成型体１ａは、平均組成が０
≦Ｃ≦２．０となるようにＴｅ粉末とＴ ｅ Ｏ２粉末
をメノー乳鉢にて混合した後、ボールミルにて再度混合
して得られた混合粉末を、３ｔｏｎ／ｃｄｌで加圧して
得られたもので、５ ｔ Ｘｌ ００φの大きさであり
、Ｃｕプレート２上にボンディング接合されている。バ
リアプルリークバルブ３からはアルゴンガス４を、バリ
アプルリークバルブ５からは任意のＡｒ１０２比になる
ように酸素ガス６を導入混合し、１Ｘ１０−２〜６Ｘ１
０−２Ｔｏｒｒの真空度で、上部モータ７により１５０
ｒｐｍ で回転１１させられている蒸着ホルダー８に
設置された厚さ１咽で１８Ｘ１ Ｂｍｍのシリコンウェ
ハー基板９１１０上に、１ｏ０〇へのＴ ｅ −Ｔ ｅ
０２薄膜をスパッタ法にて形成し、オージェ電子分光
法を用いて組成分析を行なった。
Ｃｕプレート２からなる。成型体１ａは、平均組成が０
≦Ｃ≦２．０となるようにＴｅ粉末とＴ ｅ Ｏ２粉末
をメノー乳鉢にて混合した後、ボールミルにて再度混合
して得られた混合粉末を、３ｔｏｎ／ｃｄｌで加圧して
得られたもので、５ ｔ Ｘｌ ００φの大きさであり
、Ｃｕプレート２上にボンディング接合されている。バ
リアプルリークバルブ３からはアルゴンガス４を、バリ
アプルリークバルブ５からは任意のＡｒ１０２比になる
ように酸素ガス６を導入混合し、１Ｘ１０−２〜６Ｘ１
０−２Ｔｏｒｒの真空度で、上部モータ７により１５０
ｒｐｍ で回転１１させられている蒸着ホルダー８に
設置された厚さ１咽で１８Ｘ１ Ｂｍｍのシリコンウェ
ハー基板９１１０上に、１ｏ０〇へのＴ ｅ −Ｔ ｅ
０２薄膜をスパッタ法にて形成し、オージェ電子分光
法を用いて組成分析を行なった。
その結果を第２図に示す。
同図より不活性スパッタガス中の酸素ガス混合量による
膜中のＯ／Ｔｅ比の再現性に関して次のことがわかる。
膜中のＯ／Ｔｅ比の再現性に関して次のことがわかる。
出発物質のＯ／Ｔｏ比が０≦Ｃｔ （ｏ −２の組成の
ターゲノ）を用いた場合は、膜中のＯ／Ｔｅ比を０．３
（ＣＩ（１，６にするだめのスパッタガス中の酸素ガス
量の制御範囲が非常に狭い領域であ、 るため、組成
ずれが起きやすく、また１、６（Ｃ５０，０の組成をタ
ーゲットとした場合においても酸素量による制御範囲が
狭いうえに、出発物質が酸素欠損を起こしやすいため組
成ずれが起きやすく、再現性に劣る。
ターゲノ）を用いた場合は、膜中のＯ／Ｔｅ比を０．３
（ＣＩ（１，６にするだめのスパッタガス中の酸素ガス
量の制御範囲が非常に狭い領域であ、 るため、組成
ずれが起きやすく、また１、６（Ｃ５０，０の組成をタ
ーゲットとした場合においても酸素量による制御範囲が
狭いうえに、出発物質が酸素欠損を起こしやすいため組
成ずれが起きやすく、再現性に劣る。
歩。
しかし、膜中のＯ／Ｔ ｅか０．２≦Ｃ≦１．６の組成
をターゲットとした場合ね・”酸素ガス量での制御範囲
が非常に広く、膜中のＯ／’Ｔ ｅ比を容易に制御でき
、優れた再現性を示すことがわかった。
をターゲットとした場合ね・”酸素ガス量での制御範囲
が非常に広く、膜中のＯ／’Ｔ ｅ比を容易に制御でき
、優れた再現性を示すことがわかった。
実施例２
Ｔｅ・粉末とＴ ｅ ０２粉末をメノー乳鉢にて混合し
た後、ボールミルにて再度混合して得られた混合粉末を
５ｔｏｎ／ｃｄの加圧でペレット化し、石英ボートに入
れ、Ｎ２雰囲気中にて６５０℃、８時間の条件にて焼成
を行ない、得られた灰色の焼成物を、再度メノー乳鉢と
ボールミルにて粉砕混合した混合粉末、すなわち、Ｔ
ｅ ０２の還元粉末を３ ｔｏｎ／ｃ４の加圧で、５
ｔ Ｘｌ ００φの成型体とし、これをターゲットとし
た。
た後、ボールミルにて再度混合して得られた混合粉末を
５ｔｏｎ／ｃｄの加圧でペレット化し、石英ボートに入
れ、Ｎ２雰囲気中にて６５０℃、８時間の条件にて焼成
を行ない、得られた灰色の焼成物を、再度メノー乳鉢と
ボールミルにて粉砕混合した混合粉末、すなわち、Ｔ
ｅ ０２の還元粉末を３ ｔｏｎ／ｃ４の加圧で、５
ｔ Ｘｌ ００φの成型体とし、これをターゲットとし
た。
薄膜形成方法は実施例１に示す方法と同様に行なった。
その結果を第３図に示す。
実施例１と比べると絶対値は若干低い値をとるが、傾向
は同様な結果が得られ、不活性スパッタガス中の酸素ガ
ス混合量によってＯ／Ｔｅ比を任意に制御できることが
わかる。
は同様な結果が得られ、不活性スパッタガス中の酸素ガ
ス混合量によってＯ／Ｔｅ比を任意に制御できることが
わかる。
そして、不活性スパッタガス中の酸素ガス混合量による
Ｏ／Ｔｅの再現性に関しては、出発物質の０／Ｔ ｅ比
が○≦０１ （０、３２，１、ｅ（Ｃｔ≦２．０の組成
をターゲットとした場合は、Ｏ／Ｔ ｅ比を制御する不
活性スパッタガス中の酸素ガス量の制御範囲は非常に狭
い領域であシ、組成制御が難しく内であることがわがへ
る。
Ｏ／Ｔｅの再現性に関しては、出発物質の０／Ｔ ｅ比
が○≦０１ （０、３２，１、ｅ（Ｃｔ≦２．０の組成
をターゲットとした場合は、Ｏ／Ｔ ｅ比を制御する不
活性スパッタガス中の酸素ガス量の制御範囲は非常に狭
い領域であシ、組成制御が難しく内であることがわがへ
る。
実施例３
Ｔｅ粉末とＴ ｅ ０２粉末を別々にボールミルにて粉
砕混合し、実施例１および２と同等な粒径分布とし、こ
の各粉末を３ ｔｏｎ７−の加圧にて５ｔＸ１５φの形
状にペレット化し、得られた独自の成形体を電極（Ｃｕ
プレート）２上に、組成がＯ≦Ｃ≦２．０となるように
混在させて置き、これをターゲットとした。
砕混合し、実施例１および２と同等な粒径分布とし、こ
の各粉末を３ ｔｏｎ７−の加圧にて５ｔＸ１５φの形
状にペレット化し、得られた独自の成形体を電極（Ｃｕ
プレート）２上に、組成がＯ≦Ｃ≦２．０となるように
混在させて置き、これをターゲットとした。
薄膜形成方法は、実施例１に示す方法と同様に行なった
。
。
その結果を第４図に示す。
同図より、不活性スパッタガス中の酸素ガス混合量によ
る膜中のＯ／Ｔ ｅ比の再現性に関して、出発物質の○
／Ｔｅ比がＱ≦（４＜０．２，１．ｅ（（４≦２．０の
組成をターゲットとした場合、○／Ｔ ｅ比を制御する
不活性スパッタガス中の酸素ガス量の制御範囲が非常に
狭い領域であるため、組成ずれが起きやすく、再現性に
劣るが、Ｏ／Ｔ ｅ比が０．３≦ｃｔ≦１．６の組成を
ターゲットとした場合は、酸素ガス量の制御範囲が非常
に広く、はとんど同じ、値を示し、優れた再現性を示し
た。
る膜中のＯ／Ｔ ｅ比の再現性に関して、出発物質の○
／Ｔｅ比がＱ≦（４＜０．２，１．ｅ（（４≦２．０の
組成をターゲットとした場合、○／Ｔ ｅ比を制御する
不活性スパッタガス中の酸素ガス量の制御範囲が非常に
狭い領域であるため、組成ずれが起きやすく、再現性に
劣るが、Ｏ／Ｔ ｅ比が０．３≦ｃｔ≦１．６の組成を
ターゲットとした場合は、酸素ガス量の制御範囲が非常
に広く、はとんど同じ、値を示し、優れた再現性を示し
た。
以上、上述したように不活性スパッタガス中の酸素の混
合量によって形成するＴｅ−ＴｅＯ２薄膜の０／Ｔ ｅ
比の値を任意に制御することができ、その制御領域にお
ける酸素の混合量の変化範囲は、実施例１．実施例２．
実施例３においてほぼ同様であり、本発明のＴｅ−Ｔｅ
Ｏ２薄膜の製造方法は、いずれも優れた再現性を示す。
合量によって形成するＴｅ−ＴｅＯ２薄膜の０／Ｔ ｅ
比の値を任意に制御することができ、その制御領域にお
ける酸素の混合量の変化範囲は、実施例１．実施例２．
実施例３においてほぼ同様であり、本発明のＴｅ−Ｔｅ
Ｏ２薄膜の製造方法は、いずれも優れた再現性を示す。
実施例４
１５０ｒｐｍで回転する１ 、１ ｔＸｌ ８Ｘ１８咽
のＰＭＭＡ樹脂基板の試験片上に、出発物質がＣ＝１．
。
のＰＭＭＡ樹脂基板の試験片上に、出発物質がＣ＝１．
。
なる組成をターゲットとして、実施例１．実施例２、実
施例３で用いた同条件にて厚さ１０００人のＴｅ−Ｔｅ
Ｏ２薄膜を形成した。
施例３で用いた同条件にて厚さ１０００人のＴｅ−Ｔｅ
Ｏ２薄膜を形成した。
これら得られた薄膜と、従来例で示したような抵抗加熱
法により得られたＴ ｅ −Ｔ ｅ ０２薄膜および電
子線ビーム加熱法で得られたＴｓ−ＴｅＯ２薄膜を６０
℃−９０Ｈ％の恒温高湿槽内に放置し、８３０ｎｍの光
での透過率変化により耐湿度特性を求めた。
法により得られたＴ ｅ −Ｔ ｅ ０２薄膜および電
子線ビーム加熱法で得られたＴｓ−ＴｅＯ２薄膜を６０
℃−９０Ｈ％の恒温高湿槽内に放置し、８３０ｎｍの光
での透過率変化により耐湿度特性を求めた。
各方法で形成されたＴ ｅ −Ｔ ｅ ０２薄膜等の組
成はオージェ電子分光法によりＯ／Ｔｅ比の値が１．１
近傍であることを確認している。
成はオージェ電子分光法によりＯ／Ｔｅ比の値が１．１
近傍であることを確認している。
その結果を第６図に示す。
図において、縦軸は透過率変化で初期値をＴｏ。
経過日数後の透化率をＴ工とした場合、１００×（１−
Ｔ０／Ｔｘ） で表わされた値である。
Ｔ０／Ｔｘ） で表わされた値である。
４１口およびハは本発明の方法で形成されたＴ ｅ −
Ｔ ｅ ０２薄膜で、イは実施例１の方法で、口は実施
例２の方法で、ハは実施例３の方法で形成されたＴ ｏ
−Ｔ ｅ ０２薄膜である。
Ｔ ｅ ０２薄膜で、イは実施例１の方法で、口は実施
例２の方法で、ハは実施例３の方法で形成されたＴ ｏ
−Ｔ ｅ ０２薄膜である。
また、二は抵抗加熱法で、ホは電子線ビーム法によって
形成されたＴ ｅ −Ｔ ｅ ０２薄膜である。
形成されたＴ ｅ −Ｔ ｅ ０２薄膜である。
図から明らかなように、本発明の方法で形成されたＴ
ｅ −Ｔ ｅ ０２薄膜は、抵抗加熱法および電子線ビ
ーム法によって形成宮れたＴ ｅ −Ｔ ｅ ０２薄膜
よりも透過率の経時変化が少なく耐湿性に優れることが
わかる。
ｅ −Ｔ ｅ ０２薄膜は、抵抗加熱法および電子線ビ
ーム法によって形成宮れたＴ ｅ −Ｔ ｅ ０２薄膜
よりも透過率の経時変化が少なく耐湿性に優れることが
わかる。
これは、本発明の方法で形成されたＴｅ−ＴｅＯ２薄膜
の方が、他の形成方法のＴ ｅ −Ｔ ｅ ０２薄膜に
比べ、膜構造が緻密かつ均質であるためと考えられる。
の方が、他の形成方法のＴ ｅ −Ｔ ｅ ０２薄膜に
比べ、膜構造が緻密かつ均質であるためと考えられる。
実施例６
１５０ｒｐｍで回転する１、１ｔＸ２００φのＰＭＭＡ
樹脂基板上に、出発物質が０．２≦Ｃ≦１．６からなる
組成をターゲットとして、実施例１．実施例２゜実施例
３で用いた同条件にて厚さ１０００人のＴｅ−Ｔ ｅ
０２薄膜を形成し、光ディスクを試作した。
樹脂基板上に、出発物質が０．２≦Ｃ≦１．６からなる
組成をターゲットとして、実施例１．実施例２゜実施例
３で用いた同条件にて厚さ１０００人のＴｅ−Ｔ ｅ
０２薄膜を形成し、光ディスクを試作した。
これらのディスクを用い、第６図のような系で記録実験
を行なった。半導体レーザ１２を出た光は、第１のレン
ズ１３によって疑似平行光１４となり、第２のレンズ１
６で丸く整形した後、第３のレンズ１６で再び平行光に
なり、ハーフミラ−１７を介して第４のレンズ１８で、
波長限界的０．８μの大きさのスポット１９に集光され
る。この円スポットによって照射されたディスク２０上
の記録膜は黒化変態し記録が行なわれる。ここで半導体
レーザを変調してディスク上に情報信号を記録すること
ができる。
を行なった。半導体レーザ１２を出た光は、第１のレン
ズ１３によって疑似平行光１４となり、第２のレンズ１
６で丸く整形した後、第３のレンズ１６で再び平行光に
なり、ハーフミラ−１７を介して第４のレンズ１８で、
波長限界的０．８μの大きさのスポット１９に集光され
る。この円スポットによって照射されたディスク２０上
の記録膜は黒化変態し記録が行なわれる。ここで半導体
レーザを変調してディスク上に情報信号を記録すること
ができる。
信号の検出は、ディスク面２ｏからの反射光２１をハー
フミラ−２２を介して受け、レンズ２３を通じて光感応
ダイオード２４で行なった。
フミラ−２２を介して受け、レンズ２３を通じて光感応
ダイオード２４で行なった。
半導体レーザ光を単一周波数５ＭＨｚで変調し、照射パ
ワー８ｍＷで１８００ｒｐｍで回転２６するディスク面
を照射した。
ワー８ｍＷで１８００ｒｐｍで回転２６するディスク面
を照射した。
０．２≦Ｃｔ≦１．６である組成の出発物質から形成さ
れたすべてのＴｏ−Ｔｅａ２薄膜において、形成された
薄膜のＯ／Ｔｅ比が０．３以下では非常にテルル成分の
多い膜であり、熱的に不安定な特性となり、Ｏ／Ｔｅ比
が１．６以上では非常に酸素成分の多い膜が形成され、
光吸収係数が小さく記録前後の光学的変化が不十分であ
り光学記録媒体としては使用できなかった。
れたすべてのＴｏ−Ｔｅａ２薄膜において、形成された
薄膜のＯ／Ｔｅ比が０．３以下では非常にテルル成分の
多い膜であり、熱的に不安定な特性となり、Ｏ／Ｔｅ比
が１．６以上では非常に酸素成分の多い膜が形成され、
光吸収係数が小さく記録前後の光学的変化が不十分であ
り光学記録媒体としては使用できなかった。
しかし、Ｔｅ−Ｔｅ○２薄膜のＯ／Ｔｅ比が０．３以上
、１．６以下においては、レーザ光をディス多面に照射
したところ、記録が行なわれた。スペクトルアナライザ
ーを用いてＣハを測定した結果、例えば、出発物質がＣ
＝１．０からなる組成から形成されたＴ ｅ −Ｔ ｅ
０２薄膜の○／Ｔ ｅ比が１．１なる組成の光ディス
クにおいて、実施例１で形成されたＴｅ−Ｔｅ○２薄膜
は５９ｄＢ、実施例２で形成されたＴｅ−Ｔｅａ２薄膜
は５ｏｄＢ、実施例３で形成されたＴｅ−Ｔｅ○２薄膜
はｔｓ ｓ ｄＢが得られた。
、１．６以下においては、レーザ光をディス多面に照射
したところ、記録が行なわれた。スペクトルアナライザ
ーを用いてＣハを測定した結果、例えば、出発物質がＣ
＝１．０からなる組成から形成されたＴ ｅ −Ｔ ｅ
０２薄膜の○／Ｔ ｅ比が１．１なる組成の光ディス
クにおいて、実施例１で形成されたＴｅ−Ｔｅ○２薄膜
は５９ｄＢ、実施例２で形成されたＴｅ−Ｔｅａ２薄膜
は５ｏｄＢ、実施例３で形成されたＴｅ−Ｔｅ○２薄膜
はｔｓ ｓ ｄＢが得られた。
これらの結果から、光学記録媒体として使用可能なＴｅ
−Ｔｅ○２薄膜のＯ／Ｔｅ比は０．３以上、１．６以下
の範囲であることがわかった。
−Ｔｅ○２薄膜のＯ／Ｔｅ比は０．３以上、１．６以下
の範囲であることがわかった。
発明の効果
本発明によれば、従来のＴｅ−Ｔｅ○２薄膜の製造方法
に比べて、 （１）組成ずれが起きにくい。
に比べて、 （１）組成ずれが起きにくい。
（２）湿度劣化が小さい。
（３）特性の再現性に優れる。
（４）特性の制御・薄膜形成が容易である。
等の特徴をもつＴｅ−Ｔｅ○２薄膜の製造方法を得るこ
とができる。
とができる。
第１図は本発明の一実施例におけるＴｅ−Ｔｅ○２薄膜
を形成するだめの装置の断面図、第２図〜第４図は本発
明の各実施例におけるスパッタガス中の０２混合比と膜
組成との関係を示すグラフ、第６図は本発明の方法で形
成されたＴｅ−Ｔｅａ２薄膜と抵抗加熱法および電子線
ビーム法で形成されたＴ ｅ −Ｔ ｅ ０２薄膜の透
過率の変化を比較した耐湿特性の差を示すグラフ、第６
図は本発明の方法で形成した光ディスクに情報信号を記
録・再生する装置の概略図である。！・・・９−’Ｊ”
・７Ｆ７Ｉ司°゛′八タフ不代理人の氏名 弁理士 中
尾 敏 男 ほか１名第１図 第２図 スへ０・ソタカパスーρ、混合Ｌ （Ｚ＃％Ｊ第３図 ヌへ°ツタ力“′ヌクθ、シ毘会比Ｃ容線ヅーノ第４図 ズノ（０ツタη°゛スｔｎｌ、漬しか上ヒ（ｌ貢４んン
第５図 斜道ｅ＠＜ｎ＞
を形成するだめの装置の断面図、第２図〜第４図は本発
明の各実施例におけるスパッタガス中の０２混合比と膜
組成との関係を示すグラフ、第６図は本発明の方法で形
成されたＴｅ−Ｔｅａ２薄膜と抵抗加熱法および電子線
ビーム法で形成されたＴ ｅ −Ｔ ｅ ０２薄膜の透
過率の変化を比較した耐湿特性の差を示すグラフ、第６
図は本発明の方法で形成した光ディスクに情報信号を記
録・再生する装置の概略図である。！・・・９−’Ｊ”
・７Ｆ７Ｉ司°゛′八タフ不代理人の氏名 弁理士 中
尾 敏 男 ほか１名第１図 第２図 スへ０・ソタカパスーρ、混合Ｌ （Ｚ＃％Ｊ第３図 ヌへ°ツタ力“′ヌクθ、シ毘会比Ｃ容線ヅーノ第４図 ズノ（０ツタη°゛スｔｎｌ、漬しか上ヒ（ｌ貢４んン
第５図 斜道ｅ＠＜ｎ＞
Claims (5)
- （１）出発物質として、平均組成におけるテルル対酸素
の比Ｃ＿ｔが０．２＜Ｃ＜１．６であるターゲットを用
い、かつ不活性スパッタガス中に酸素ガスを混合してス
パッタリングを行うことによりテルル対酸素の比が０．
３以上１．６以下である薄膜を形成することを特徴とす
る光学記録媒体の製造方法。 - （２）ターゲットとして、平均組成において０．２＜Ｃ
＿ｔ＜１．６となるようにＴｅとＴｅＯ＿２を混合した
組成物を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光学記録媒体の製造方法。 - （３）ターゲットとして、平均組成において０．２＜Ｃ
＿ｔ＜１．６となるようにＴｅＯ＿２を還元した組成物
を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光学記録媒体の製造方法。 - （４）ターゲットとして、平均組成において０．２＜Ｃ
＜１．６となるようにＴｅとＴｅＯ＿２の独立な成型物
を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光学記録媒体の製造方法。 - （５）不活性スパッタガス中に混入する酸素ガスの濃度
が２容積％以上、７５容積％以下であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の光学記録媒体の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15580484A JPS6134743A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 光学記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15580484A JPS6134743A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 光学記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6134743A true JPS6134743A (ja) | 1986-02-19 |
Family
ID=15613810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15580484A Pending JPS6134743A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 光学記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6134743A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113511882A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-10-19 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种高纯TeOX平面靶材及其制备方法 |
| CN113666717A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-11-19 | 先导薄膜材料有限公司 | 一种导电TeOX旋转靶材及其制备方法 |
-
1984
- 1984-07-26 JP JP15580484A patent/JPS6134743A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113511882A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-10-19 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种高纯TeOX平面靶材及其制备方法 |
| CN113511882B (zh) * | 2021-03-15 | 2022-09-06 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种高纯TeOX平面靶材及其制备方法 |
| CN113666717A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-11-19 | 先导薄膜材料有限公司 | 一种导电TeOX旋转靶材及其制备方法 |
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