JPS6376860A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPS6376860A JPS6376860A JP21817986A JP21817986A JPS6376860A JP S6376860 A JPS6376860 A JP S6376860A JP 21817986 A JP21817986 A JP 21817986A JP 21817986 A JP21817986 A JP 21817986A JP S6376860 A JPS6376860 A JP S6376860A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
光ディスク、光磁気ディスクなどのような情報記録媒体
の保護膜として特に有用な窒化珪素の薄膜を形成する方
法が開示される。本発明の薄膜形成方法によれば、スパ
ッタガスの圧力を0.3〜3Paとした雰囲気中でスパ
ッタリングを行ないかつスパッタガスとしてArとN2
の混合ガス(混合比N t / Ar ” 0〜0.8
)を用いることの結果、今までになくすぐれた光透過
特性をもった保護膜を提供することができる。
の保護膜として特に有用な窒化珪素の薄膜を形成する方
法が開示される。本発明の薄膜形成方法によれば、スパ
ッタガスの圧力を0.3〜3Paとした雰囲気中でスパ
ッタリングを行ないかつスパッタガスとしてArとN2
の混合ガス(混合比N t / Ar ” 0〜0.8
)を用いることの結果、今までになくすぐれた光透過
特性をもった保護膜を提供することができる。
本発明は薄膜形成方法に関する。本発明は、さらに詳し
く述べると、スパッタリング技術を使用して、例えば光
ディスク、光磁気ディスクなどのような情報記録媒体の
保護膜として有利に使用し得る窒化珪素の薄膜を形成す
る方法に関する。
く述べると、スパッタリング技術を使用して、例えば光
ディスク、光磁気ディスクなどのような情報記録媒体の
保護膜として有利に使用し得る窒化珪素の薄膜を形成す
る方法に関する。
例えば光ディスクは、レーザビームを1μm以下に絞っ
て記録膜に照射して情報の記録、再生を行なうもので、
大容量記録ファイルであり、また、記録及び再生は、基
板から数nml!iIれたところに配置された光学ヘッ
ドで行なうため、非接触記録、再生となる。記録膜とし
ては、再生専用、追記型、書換可能型のタイプがあるけ
れども、いずれも金属系の材料、すなわち、金属、半金
属又はその合金から構成されている。このような記録膜
の上方には、それが酸化や腐蝕を被りやすいことに原因
して発生する経時変化を防ぐため、例えばSin□。
て記録膜に照射して情報の記録、再生を行なうもので、
大容量記録ファイルであり、また、記録及び再生は、基
板から数nml!iIれたところに配置された光学ヘッ
ドで行なうため、非接触記録、再生となる。記録膜とし
ては、再生専用、追記型、書換可能型のタイプがあるけ
れども、いずれも金属系の材料、すなわち、金属、半金
属又はその合金から構成されている。このような記録膜
の上方には、それが酸化や腐蝕を被りやすいことに原因
して発生する経時変化を防ぐため、例えばSin□。
八1□0.などのような保護膜が施されている。
記録膜の劣化は、上記したような外気との接触面のほか
、基板と接している面からも発生ずる。
、基板と接している面からも発生ずる。
これは、基板として、例えばポリメチルメタクリレート
(PMMA)、ポリカーボネー) CPC”)などのプ
ラスチック材料や、ガラス上に紫外線硬化型樹脂(いわ
ゆる2P樹脂)を塗布したものを使用するけれども、基
板と記録膜とが接触していると、プラスチック材料や樹
脂の成分、あるいはこれらを透過してくる水分等により
記i3膜が酸化されるからである。この種の記録膜の劣
化は、特に書換可能な媒体である希土類−遷移金属膜に
顕著である。
(PMMA)、ポリカーボネー) CPC”)などのプ
ラスチック材料や、ガラス上に紫外線硬化型樹脂(いわ
ゆる2P樹脂)を塗布したものを使用するけれども、基
板と記録膜とが接触していると、プラスチック材料や樹
脂の成分、あるいはこれらを透過してくる水分等により
記i3膜が酸化されるからである。この種の記録膜の劣
化は、特に書換可能な媒体である希土類−遷移金属膜に
顕著である。
基板に原因する記録膜の経時変化を防ぐため、左板と記
録膜との間にも保護膜が、一般に下地膜として、施され
ている。かかる保護膜として窒化物が優れており、特に
窒化珪素膜がそのすぐれた保護効果の故に多用されてい
る。
録膜との間にも保護膜が、一般に下地膜として、施され
ている。かかる保護膜として窒化物が優れており、特に
窒化珪素膜がそのすぐれた保護効果の故に多用されてい
る。
[発明が解決しようとする問題点〕
情報記録媒体の保護膜、なかんずく下地膜として基板に
接して形成される保護膜は、情報の記録、再生が基板側
からレーザビームを照射して行なわれるため、透明であ
る必要がある。それというのも、もしも保護膜において
光の吸収があった場合、信号の減衰が生じ、正確な情報
の記録、再生が達成されなくなるからである。しかし、
現実には、上記した窒化珪素膜も含めたいずれの保護膜
にも光の吸収がつきまとっている。したがって、今、透
明な、換言すると、光吸収係数の小さな、特に窒化珪素
からなる保護膜を提供することが望まれている。
接して形成される保護膜は、情報の記録、再生が基板側
からレーザビームを照射して行なわれるため、透明であ
る必要がある。それというのも、もしも保護膜において
光の吸収があった場合、信号の減衰が生じ、正確な情報
の記録、再生が達成されなくなるからである。しかし、
現実には、上記した窒化珪素膜も含めたいずれの保護膜
にも光の吸収がつきまとっている。したがって、今、透
明な、換言すると、光吸収係数の小さな、特に窒化珪素
からなる保護膜を提供することが望まれている。
本発明者らは、このたび、ターゲットの化合物としてS
i3Naを使用して、スパッタリングによって窒化珪素
の薄膜を形成する方法であって、アルゴンと窒素の混合
比Nア/Ar=0〜0.8の混合ガスをスパッタガスと
して用い、また、該スパ・ツタガスの圧力を0.3〜3
Paの範囲に調整した雰囲気中においてスパッタリング
を行なうことを特徴とする薄膜形成方法によって上記し
た問題点を解決し得るということを見い出した。すなわ
ち、本発明方法は、すぐれた保護効果を有する窒化珪素
膜の光の吸収率は、スパッタリングの際のスパッタガス
のガス圧、あるいはスパッタガスを構成するArとNt
の混合比によっているいろに変わるという知見をベース
として、完成されたものである。
i3Naを使用して、スパッタリングによって窒化珪素
の薄膜を形成する方法であって、アルゴンと窒素の混合
比Nア/Ar=0〜0.8の混合ガスをスパッタガスと
して用い、また、該スパ・ツタガスの圧力を0.3〜3
Paの範囲に調整した雰囲気中においてスパッタリング
を行なうことを特徴とする薄膜形成方法によって上記し
た問題点を解決し得るということを見い出した。すなわ
ち、本発明方法は、すぐれた保護効果を有する窒化珪素
膜の光の吸収率は、スパッタリングの際のスパッタガス
のガス圧、あるいはスパッタガスを構成するArとNt
の混合比によっているいろに変わるという知見をベース
として、完成されたものである。
本発明方法では、上記したような条件を適用しない限り
、光の透過度を所望のレベルまで大きくすることができ
ない。例えば、スパッタガスのガス圧が0.3Paを下
廻ると、基板上に到達する原子のエネルギーが大きいた
め、基板を再スパツタし、形成される膜の組成ズレが生
じる。反対に、ガス圧が3Paを上廻ると、形成される
膜の密度が小さく、膜中のボイドで散乱されて、見掛は
上の吸収が大きくなる。さらに、混合ガス中に占める窒
素の量が上記した上限よりも増加すると、スパッタ効率
が落ちるため、密度が小さくなり、見掛は上の吸収が大
きくなる。すなわち、吸収係数として0.1μm−’以
下の望ましい値を得るためには、ガス圧及び混合比N
z / A rの両者に適正なところがある。
、光の透過度を所望のレベルまで大きくすることができ
ない。例えば、スパッタガスのガス圧が0.3Paを下
廻ると、基板上に到達する原子のエネルギーが大きいた
め、基板を再スパツタし、形成される膜の組成ズレが生
じる。反対に、ガス圧が3Paを上廻ると、形成される
膜の密度が小さく、膜中のボイドで散乱されて、見掛は
上の吸収が大きくなる。さらに、混合ガス中に占める窒
素の量が上記した上限よりも増加すると、スパッタ効率
が落ちるため、密度が小さくなり、見掛は上の吸収が大
きくなる。すなわち、吸収係数として0.1μm−’以
下の望ましい値を得るためには、ガス圧及び混合比N
z / A rの両者に適正なところがある。
本発明方法は、情報記録媒体内であって、保護膜の形成
が望まれている位置に任意に適用することができる。例
えば、窒化峰素の薄膜を記録媒体の最外層に形成しても
よく、あるいは媒体の基板と記録膜の中間に形成しても
よい。
が望まれている位置に任意に適用することができる。例
えば、窒化峰素の薄膜を記録媒体の最外層に形成しても
よく、あるいは媒体の基板と記録膜の中間に形成しても
よい。
基板とターゲットが対向する構成の一般型スバッタリン
グ装置内に基板:石英及びターゲット=Si3N、をセ
ットした。装置のチャンバを排気して、真空度がlXl
0−’Pa以下になったところでアルゴンガスを導入し
た(窒素ガスは導入せず)。アルゴンガスの流計を一定
に保ちつつ、チャンバ内のガス圧をいろいろに変更して
何種類かのスパッタリングを行なった。スパッタ条件は
、RFパワー 600W、ターゲット径6インチ、基板
−ターゲソト間距離80mmである。得られた窒化珪素
膜についての、ガス圧とレーザ波長830nmでの吸収
係数との関係を測定したところ、第1図に示すようなグ
ラフが得られた。このグラフは、ガス圧が0.3〜3P
aの範囲にある時に吸収係数は0.1μm −’以下に
なることを示している。
グ装置内に基板:石英及びターゲット=Si3N、をセ
ットした。装置のチャンバを排気して、真空度がlXl
0−’Pa以下になったところでアルゴンガスを導入し
た(窒素ガスは導入せず)。アルゴンガスの流計を一定
に保ちつつ、チャンバ内のガス圧をいろいろに変更して
何種類かのスパッタリングを行なった。スパッタ条件は
、RFパワー 600W、ターゲット径6インチ、基板
−ターゲソト間距離80mmである。得られた窒化珪素
膜についての、ガス圧とレーザ波長830nmでの吸収
係数との関係を測定したところ、第1図に示すようなグ
ラフが得られた。このグラフは、ガス圧が0.3〜3P
aの範囲にある時に吸収係数は0.1μm −’以下に
なることを示している。
引き続いて、上記の手法を同一のスパッタ条件下に繰り
返した。但し、本例の場合、アルゴンガスに窒素ガスを
混入し、ガス圧がIPaになるように混合比を変更した
。得られた窒化珪素膜の、N t / A r比とレー
ザ波長830nmでの吸収係数との関係を測定したとこ
ろ、第2図に示すようなグラフが得られた。図から明ら
かなように、NtZAr比が0〜0.8の範囲で吸収係
数は0.1μm−’以下になる。
返した。但し、本例の場合、アルゴンガスに窒素ガスを
混入し、ガス圧がIPaになるように混合比を変更した
。得られた窒化珪素膜の、N t / A r比とレー
ザ波長830nmでの吸収係数との関係を測定したとこ
ろ、第2図に示すようなグラフが得られた。図から明ら
かなように、NtZAr比が0〜0.8の範囲で吸収係
数は0.1μm−’以下になる。
本発明によれば、吸収係数の小さい窒化珪素膜が得られ
るので、光ディスク等の記録媒体の保護膜として用いた
場合、特性の低下を防ぐことができる。
るので、光ディスク等の記録媒体の保護膜として用いた
場合、特性の低下を防ぐことができる。
第1図はガス圧と窒化珪素の吸収係数の関係を示したグ
ラフ、そして 第2図はNz/Ar混合比と窒化珪素の吸収係数との関
係を示したグラフである。
ラフ、そして 第2図はNz/Ar混合比と窒化珪素の吸収係数との関
係を示したグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ターゲットの化合物としてSi_3N_4を使用し
て、スパッタリングによって窒化珪素の薄膜を形成する
方法であって、アルゴンと窒素の混合比N_2/Ar=
0〜0.8の混合ガスをスパッタガスとして用い、また
、該スパッタガスの圧力を0.3〜3Paの範囲に調整
した雰囲気中においてスパッタリングを行なうことを特
徴とする薄膜形成方法。 2、前記窒化珪素の薄膜を情報記録媒体の最外層に形成
する、特許請求の範囲第1項に記載の薄膜形成方法。 3、前記窒化珪素の薄膜を情報記録媒体の基板と記録膜
の中間に形成する、特許請求の範囲第1項に記載の薄膜
形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21817986A JPS6376860A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21817986A JPS6376860A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6376860A true JPS6376860A (ja) | 1988-04-07 |
Family
ID=16715849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21817986A Pending JPS6376860A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6376860A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63136342A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
JPH02108253A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-20 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
EP0391423A2 (en) * | 1989-04-06 | 1990-10-10 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Optical recording medium and method of making same |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP21817986A patent/JPS6376860A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63136342A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
JPH02108253A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-20 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
EP0391423A2 (en) * | 1989-04-06 | 1990-10-10 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Optical recording medium and method of making same |
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