JPS63140440A - 光学情報記録部材の製造方法 - Google Patents
光学情報記録部材の製造方法Info
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- JPS63140440A JPS63140440A JP28701186A JP28701186A JPS63140440A JP S63140440 A JPS63140440 A JP S63140440A JP 28701186 A JP28701186 A JP 28701186A JP 28701186 A JP28701186 A JP 28701186A JP S63140440 A JPS63140440 A JP S63140440A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光学的に情報を記録再生する情報記録薄膜の
製造法に関するものである。
製造法に関するものである。
従来の技術
テルルを含む酸化物系の薄膜の製造方法としては、Ｔｏ
およびＴａＯ２の２つの蒸発源からなる共蒸着系に３い
て、基板に、ＴｅとＴ ＱＯ２を同時に蒸着する方法が
知られている。さらにＴ ｅ Ｏ２と、還元材料カーボ
ンあるいはＡｇ等の混合体を真空中で加熱し、Ｔ ｅ
Ｏ２を一部還元して、形成する方法等が知られている。
およびＴａＯ２の２つの蒸発源からなる共蒸着系に３い
て、基板に、ＴｅとＴ ＱＯ２を同時に蒸着する方法が
知られている。さらにＴ ｅ Ｏ２と、還元材料カーボ
ンあるいはＡｇ等の混合体を真空中で加熱し、Ｔ ｅ
Ｏ２を一部還元して、形成する方法等が知られている。
父、テルル蒸発源を用い、蒸発テルルを、イオンブレー
ティング法により、一部酸化させて基板に形成する方法
等が知られている。
ティング法により、一部酸化させて基板に形成する方法
等が知られている。
発明が解決しようとする問題点
テルルを含む酸化物薄膜形成において、特に重要な点は
次の３点である。第１は、薄膜のテルルと酸素の組成比
を選び、かつこれを一定にして膜を形成することである
。
次の３点である。第１は、薄膜のテルルと酸素の組成比
を選び、かつこれを一定にして膜を形成することである
。
共蒸着法、還元蒸着法においては、それぞれの蒸発源の
温度、あるいは、Ｔｅ○２材料と、還元材料の混合比等
で、組成比を定めるが、温度制御の変動あるいは、還元
反応の進行により、組成比が若干変化する問題点があっ
た。これに対して、テルル蒸発源を用いた酸素によるイ
オンブレーティングの方法は、酸素分圧と、テルルの蒸
発源の速度制御により、比較的組成比を安定にできる利
点がある。
温度、あるいは、Ｔｅ○２材料と、還元材料の混合比等
で、組成比を定めるが、温度制御の変動あるいは、還元
反応の進行により、組成比が若干変化する問題点があっ
た。これに対して、テルル蒸発源を用いた酸素によるイ
オンブレーティングの方法は、酸素分圧と、テルルの蒸
発源の速度制御により、比較的組成比を安定にできる利
点がある。
第２に重要な点は、膜内の粒状異物、欠陥の除去である
。φ１μｍ以下の粒状欠陥が付着しても、情報の記録再
生に関して、ビ・ソトエラーの発生原因になる。
。φ１μｍ以下の粒状欠陥が付着しても、情報の記録再
生に関して、ビ・ソトエラーの発生原因になる。
この粒状欠陥は特に、テルルの蒸発時における突沸が主
たる原因で発生する。従来の方法は、いの ずれも加熱によシ、テルルの蒸気圧作用で、蒸発させ膜
を形成するものであり、ルツボ内の温度分布の差等によ
り、突沸を除去することは困難であシ、膜内にテルル等
の粒状異物の付着がみられた。
たる原因で発生する。従来の方法は、いの ずれも加熱によシ、テルルの蒸気圧作用で、蒸発させ膜
を形成するものであり、ルツボ内の温度分布の差等によ
り、突沸を除去することは困難であシ、膜内にテルル等
の粒状異物の付着がみられた。
第３に重要な点は、テルルと酸素に対し、他の添加材料
の適用方法である。
の適用方法である。
従来の方法では、いずれも蒸発プロセスを用いており添
加材料と、テルルの蒸気圧の差から一定量の添加等は困
難であった。
加材料と、テルルの蒸気圧の差から一定量の添加等は困
難であった。
問題点を解決するための手段
本発明は、複数種の成分からなる光学記録部材であるＴ
ｅＯ２とＴｏとＴｄの混合薄膜の製造において、安定か
つ均質な膜の形成を可能にすることを目的とするもので
ある。
ｅＯ２とＴｏとＴｄの混合薄膜の製造において、安定か
つ均質な膜の形成を可能にすることを目的とするもので
ある。
膜の形成手段としては、スパッタリング法を用い、スパ
ッタリングターゲットとして、Ｔｏを主成分としＰ’ｄ
、を添加材料として含ませた合金あるいは、混合体成型
ターゲットを用い、このターゲットを、真空チャンバー
内の酸素分圧０．５・１Ｑ−３Ｔｏｒｒ から、１．５
＊ １０−３Ｔｏｒｒの雰囲気に訃いてスパッタする
ことにより、酸素リアクティブスパッタにより、、基板
上に、Ｔｏ 、 ＴａＯ２，Ｐｄからなる均一膜を形成
するものである。
ッタリングターゲットとして、Ｔｏを主成分としＰ’ｄ
、を添加材料として含ませた合金あるいは、混合体成型
ターゲットを用い、このターゲットを、真空チャンバー
内の酸素分圧０．５・１Ｑ−３Ｔｏｒｒ から、１．５
＊ １０−３Ｔｏｒｒの雰囲気に訃いてスパッタする
ことにより、酸素リアクティブスパッタにより、、基板
上に、Ｔｏ 、 ＴａＯ２，Ｐｄからなる均一膜を形成
するものである。
作 用
ＴｏとＰｄからなる混合体ターゲットを用い、これを、
酸素分圧が数ｍＴｏｒｒ以下のガス雰囲気中でスパッタ
リングすることにより、形成した膜のＴｅとＰｄの比を
あらかじめ選んだ混合体ターゲットにおけるＴｏとＰｄ
Ｏ比によって一定にすることが可能になる。
酸素分圧が数ｍＴｏｒｒ以下のガス雰囲気中でスパッタ
リングすることにより、形成した膜のＴｅとＰｄの比を
あらかじめ選んだ混合体ターゲットにおけるＴｏとＰｄ
Ｏ比によって一定にすることが可能になる。
さらに、スパッタ中の雰囲気として、酸素分圧を一定に
保つことにより、Ｔｏｏｘ＋ＰｄＯ形で形成した膜の酸
素比Ｘを一定にすることが可能になる。
保つことにより、Ｔｏｏｘ＋ＰｄＯ形で形成した膜の酸
素比Ｘを一定にすることが可能になる。
又、混合体ターゲットを、バッキングプレートを介して
水冷等の手段で冷却することにより、Ｔｅのターゲット
からの蒸発を阻止でき、突沸蒸発に伴う欠陥の発生が除
去できる。
水冷等の手段で冷却することにより、Ｔｅのターゲット
からの蒸発を阻止でき、突沸蒸発に伴う欠陥の発生が除
去できる。
実施例
Ａｒガス、０２ガスを用いて、テルルと添加材料Ｐｄか
らなるターゲットを用い、スパッタ法でＴｅとＴ ｅ
Ｏ２とＰｄからなる光学情報記録部材の製造方法を、図
の概念図を用いて説明する。
らなるターゲットを用い、スパッタ法でＴｅとＴ ｅ
Ｏ２とＰｄからなる光学情報記録部材の製造方法を、図
の概念図を用いて説明する。
真空槽１の中に、ガス導入パルプ２，３を通して、Ａｒ
および０２を導入する。１つの実施例として、真空槽の
全圧を４ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒに保ち、Ａｒの導入流
量を４．０８０ＣＭとし、０２の導入量を、２．ＣＣ１
５ｃｃ に選び、真空槽１を導入ガスで一定雰囲気にす
る。ターゲット５は、テルルと添加材料パラジウムの混
合体である。例えば、Ｔｅ ａ ｏ Ｐ ｄ ２０の組
成比の合金又は、ポットプレス混合体を用いる。このタ
ーゲットは、バッキングプレート６を介して水冷する。
および０２を導入する。１つの実施例として、真空槽の
全圧を４ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒに保ち、Ａｒの導入流
量を４．０８０ＣＭとし、０２の導入量を、２．ＣＣ１
５ｃｃ に選び、真空槽１を導入ガスで一定雰囲気にす
る。ターゲット５は、テルルと添加材料パラジウムの混
合体である。例えば、Ｔｅ ａ ｏ Ｐ ｄ ２０の組
成比の合金又は、ポットプレス混合体を用いる。このタ
ーゲットは、バッキングプレート６を介して水冷する。
基板７としては、ポリカーボネートインジェクション板
を用いる。基板７は、１２ Ｏｒｐｍで回転させる。Ｒ
Ｆスパッタを用いる場合、ターゲット６の真径を６イン
チどし、基板７とφ１３０に選ぶ、基板７内の膜厚全一
定にするために基板７の中心とターゲット５の中心の偏
心を選ぶ。
を用いる。基板７は、１２ Ｏｒｐｍで回転させる。Ｒ
Ｆスパッタを用いる場合、ターゲット６の真径を６イン
チどし、基板７とφ１３０に選ぶ、基板７内の膜厚全一
定にするために基板７の中心とターゲット５の中心の偏
心を選ぶ。
ＲＦ入カバｒ）−２４ｏＷで約５００人／韻ノスパッタ
レイトで膜形成できる。
レイトで膜形成できる。
ターゲット上にゴミ等がある場合は、異常放電が生じ膜
中に粒状欠陥を発生する場合があるが、この場合はエラ
ーレイトが、１０〜１０ 台と低下する。
中に粒状欠陥を発生する場合があるが、この場合はエラ
ーレイトが、１０〜１０ 台と低下する。
異常放電のない場合、１０〜１０ 台とエラーレイト品
質が向上する。
質が向上する。
この方法によれば、スパッタ時の組成変動は、非常に少
なく、１２ｏｈの連続スパンタにおいて、膜の組成変動
を±１ ａｔ ４以内に訃さえることが可能である。
なく、１２ｏｈの連続スパンタにおいて、膜の組成変動
を±１ ａｔ ４以内に訃さえることが可能である。
発明の効果
ＡｒおよびＱ２ガスを用い、合金又は混合体からなる、
Ｔｅ１−ｘＰｄＰｄ−ゲットから直接反応スパッタを行
うことにより次の効果を得る。
Ｔｅ１−ｘＰｄＰｄ−ゲットから直接反応スパッタを行
うことにより次の効果を得る。
（１）膜中のテルルと酸素の比は、酸素流量によシ定め
ることができ、一定酸素流量に対し、安定な膜形成が可
能になる。
ることができ、一定酸素流量に対し、安定な膜形成が可
能になる。
（２）水冷ターゲットからのスパッタにより、膜形成す
るため、蒸発プロセスを介せず、粒状欠陥の少い膜が実
現できる。
るため、蒸発プロセスを介せず、粒状欠陥の少い膜が実
現できる。
（２）添加材料の膜への添加量は、ターゲット面積に占
める、テルルの量と、パラジウムの量によシ定まり、任
意の高融点添加材料の添加を安定に行うことが実現する
。
める、テルルの量と、パラジウムの量によシ定まり、任
意の高融点添加材料の添加を安定に行うことが実現する
。
図は本発明の光学情報記録部材の製造方法を実施したス
パッタ法を行う真空槽系の概念図である。 １・・・・・・真空槽、２，３・・・・・・ガス導入パ
ルプ、５・・・・・・ターゲット、６・・・・・・バッ
キングプレート、７・・・・・・基板、８・・・・・・
マグネット。
パッタ法を行う真空槽系の概念図である。 １・・・・・・真空槽、２，３・・・・・・ガス導入パ
ルプ、５・・・・・・ターゲット、６・・・・・・バッ
キングプレート、７・・・・・・基板、８・・・・・・
マグネット。
Claims (4)
- （１）レーザ等の光を薄膜に照射し、そのエネルギーを
吸収し、昇温させ、状態を変化させて情報を記録する部
材において、その薄膜を、テルルを含む酸化物とし、添
加材料としてパラジウムを含ませてなる部材を形成する
方法においてスパッタ法を用い、ターゲット材料として
、Ｔｅ、Ｐｄからなる合金または、混合体とし、真空チ
ャンバー内の酸素分圧を、０．５・１０＾−＾３Ｔｏｒ
ｒから、１．５・１０＾−＾３Ｔｏｒｒに選んでスパッ
タすることにより、基板上に、Ｔｅ、Ｏ、Ｐｄを含む薄
膜を形成することを特徴とする光学情報記録部材の製造
方法。 - （２）ターゲット材料として、Ｔｅ＿１＿−＿ｘＰｄ＿
ｘからなる合金または混合体とし、その組成比を０＜ｘ
＜０．３に選ぶことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光学情報記録部材の製造方法。 - （３）チャンペ内のスパッタガスを、ＡｒおよびＯ＿２
に選ぶことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
学情報記録部材の製造方法。 - （４）Ａｒのガス導入流量を一定とし、酸素のガス導入
流量を選ぶことにより、形成膜のＴｅとＯの組成比を定
めることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学
情報記録部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61287011A JP2543056B2 (ja) | 1986-12-02 | 1986-12-02 | 光学情報記録部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61287011A JP2543056B2 (ja) | 1986-12-02 | 1986-12-02 | 光学情報記録部材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63140440A true JPS63140440A (ja) | 1988-06-13 |
| JP2543056B2 JP2543056B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=17711872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61287011A Expired - Fee Related JP2543056B2 (ja) | 1986-12-02 | 1986-12-02 | 光学情報記録部材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2543056B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012047509A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 水蒸気透過性評価用セルおよびその製造方法 |
| US8241834B2 (en) * | 2008-05-01 | 2012-08-14 | Sony Corporation | Optical recording medium and production method therefor, and sputtering target and production method therefor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62137748A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
| JPS62148291A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録担体およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-12-02 JP JP61287011A patent/JP2543056B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62137748A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
| JPS62148291A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録担体およびその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8241834B2 (en) * | 2008-05-01 | 2012-08-14 | Sony Corporation | Optical recording medium and production method therefor, and sputtering target and production method therefor |
| JP2012047509A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 水蒸気透過性評価用セルおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2543056B2 (ja) | 1996-10-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |