JPH01235954A - リソグラフィー用レチクルおよびレチクルパターン転写方法 - Google Patents
リソグラフィー用レチクルおよびレチクルパターン転写方法Info
- Publication number
- JPH01235954A JPH01235954A JP63061808A JP6180888A JPH01235954A JP H01235954 A JPH01235954 A JP H01235954A JP 63061808 A JP63061808 A JP 63061808A JP 6180888 A JP6180888 A JP 6180888A JP H01235954 A JPH01235954 A JP H01235954A
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- JP
- Japan
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 235000002595 Solanum tuberosum Nutrition 0.000 description 1
- 244000061456 Solanum tuberosum Species 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置のリソグラフィー用レチクルに関し、単一の
レチクルでレチクルパターン転写を行なうことができる
半導体装置のリソグラフィー用レチクルを提供すること
を目的とし、 半導体装置のリソグラフィー用レチクルにおいて、主パ
ターン領域以外の領域に指標パターンが形成されている
ように構成する。
レチクルでレチクルパターン転写を行なうことができる
半導体装置のリソグラフィー用レチクルを提供すること
を目的とし、 半導体装置のリソグラフィー用レチクルにおいて、主パ
ターン領域以外の領域に指標パターンが形成されている
ように構成する。
（産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置のリソグラフィー用レチクルおよ
びそれを使用するレチクルパターン転写方法に関する。
びそれを使用するレチクルパターン転写方法に関する。
半導体装置を製造するリソグラフィーにおいて、レチク
ルを用いてウェハーやマスターマスクに主パターン（半
導体装置自体のパターン）および各種の指標パターン（
プロセスモニターパターン、設計モニターパターン、位
置合せターゲットパターン等）を転写する（焼付ける）
場合、従来はそれぞれ主パターン用レチクルと指標パタ
ーン用レチクルとを別個に作製し、それぞれを別個の工
程で焼付けていた。
ルを用いてウェハーやマスターマスクに主パターン（半
導体装置自体のパターン）および各種の指標パターン（
プロセスモニターパターン、設計モニターパターン、位
置合せターゲットパターン等）を転写する（焼付ける）
場合、従来はそれぞれ主パターン用レチクルと指標パタ
ーン用レチクルとを別個に作製し、それぞれを別個の工
程で焼付けていた。
従来の例として、ウェハーに半導体装置自体の主パター
ンと位置合せターゲントとしての指標パターンとをステ
ップアントリピート操作で焼付ける場合について、用い
るレチクルと焼付けの手順を説明する。第３図（ａ）〜
（ｄ）において、（ａ）および（ｂ）はそれぞれ主パタ
ーン用レチクル３０１および指標、 パターン用レチク
ル３１１を示し、（Ｃ）および（ｄ）はウェハー３２０
上にそれぞれ主パターン「Ｆ」を焼付けた状態および主
パターン焼付は後に指標パターン「±」を焼付けた状態
を示す。
ンと位置合せターゲントとしての指標パターンとをステ
ップアントリピート操作で焼付ける場合について、用い
るレチクルと焼付けの手順を説明する。第３図（ａ）〜
（ｄ）において、（ａ）および（ｂ）はそれぞれ主パタ
ーン用レチクル３０１および指標、 パターン用レチク
ル３１１を示し、（Ｃ）および（ｄ）はウェハー３２０
上にそれぞれ主パターン「Ｆ」を焼付けた状態および主
パターン焼付は後に指標パターン「±」を焼付けた状態
を示す。
用いるレチクルは上記のように２種類を別個に作成する
。主パターン用レチクル３０１は、中央部の主パターン
領域３０３に主パターン１−Ｆ」がＣｒ蒸着等により形
成されており、主パターン領域３０３以外の領域３０５
（以下場合により「外囲領域」と略称する）には何もパ
ターンは形成されていない。外囲領域３０５はステッパ
ー（縮小投影露光装置）にレチクルを装着するため等の
取扱いのために一部が用いられる。指標パターン用レチ
クル３１１ は、主パターン領域３１３に主パターンの
代りに指標パターン「＋」が形成されている以外は、主
パターン用レチクルと同様の構成である。
。主パターン用レチクル３０１は、中央部の主パターン
領域３０３に主パターン１−Ｆ」がＣｒ蒸着等により形
成されており、主パターン領域３０３以外の領域３０５
（以下場合により「外囲領域」と略称する）には何もパ
ターンは形成されていない。外囲領域３０５はステッパ
ー（縮小投影露光装置）にレチクルを装着するため等の
取扱いのために一部が用いられる。指標パターン用レチ
クル３１１ は、主パターン領域３１３に主パターンの
代りに指標パターン「＋」が形成されている以外は、主
パターン用レチクルと同様の構成である。
焼付は工程は、次のように別個の２工程から成第１工程
では、主パターン「Ｆ」のみの焼付けを以下の手順で行
なう。まずステッパーに主パターン用レチクル３０１を
装着する。ステッパーによ′る露光を、第３図（Ｃ）の
ウェハー３２０の最上列左端のフレーム（レチクルの主
パターン領域に対応して１回の露光で焼付りられるウェ
ハー上の領域）から開始し、矢印Ｘに沿って右方向へ順
次繰返し、最上列右端のフレームを露光して最上列の露
光が完了したら、矢印ｙに沿って下の列に露光位置を移
動させ（必要ならばＸ方向にも移動させ）、以下同様の
ステップアンドリピート操作でウェハー３２０上の所定
領域に主パターン「Ｆ」を複数個（たとえば第３図（Ｃ
）のようにモザイク状あるいは格子状に）焼付ける。そ
の際、後に指標パターンを焼付けるべきフレーム３２９
では露光を行なわずブランク状態で残しておく。
では、主パターン「Ｆ」のみの焼付けを以下の手順で行
なう。まずステッパーに主パターン用レチクル３０１を
装着する。ステッパーによ′る露光を、第３図（Ｃ）の
ウェハー３２０の最上列左端のフレーム（レチクルの主
パターン領域に対応して１回の露光で焼付りられるウェ
ハー上の領域）から開始し、矢印Ｘに沿って右方向へ順
次繰返し、最上列右端のフレームを露光して最上列の露
光が完了したら、矢印ｙに沿って下の列に露光位置を移
動させ（必要ならばＸ方向にも移動させ）、以下同様の
ステップアンドリピート操作でウェハー３２０上の所定
領域に主パターン「Ｆ」を複数個（たとえば第３図（Ｃ
）のようにモザイク状あるいは格子状に）焼付ける。そ
の際、後に指標パターンを焼付けるべきフレーム３２９
では露光を行なわずブランク状態で残しておく。
第２工程では、指標パターン「＋」のみの焼イ」けを行
なう。まず、ステッパーから主パターン用レチクル３０
１を取りはずし、代りに指標パターン用レチクル３１１
をステッパーに装着する。ステッパーをＸ方向、Ｘ方向
にそれぞれ必要変位量だけ移動させ、第１工程でブラン
ク状態にした未露光のフレーム３２９のみで露光を行な
い指標パターン「十」を焼付ける（第３図（ｄ））。
なう。まず、ステッパーから主パターン用レチクル３０
１を取りはずし、代りに指標パターン用レチクル３１１
をステッパーに装着する。ステッパーをＸ方向、Ｘ方向
にそれぞれ必要変位量だけ移動させ、第１工程でブラン
ク状態にした未露光のフレーム３２９のみで露光を行な
い指標パターン「十」を焼付ける（第３図（ｄ））。
このように、従来のレチクルおよびレチクルパターン転
写方法においては、レチクルを２枚以上必要とするため
レチクル作製コストが高く、焼付工程もレチクル交換操
作を含む２工程以上を要するため生産性が低いという問
題があった。
写方法においては、レチクルを２枚以上必要とするため
レチクル作製コストが高く、焼付工程もレチクル交換操
作を含む２工程以上を要するため生産性が低いという問
題があった。
〔発明が解決しようとする課題］
本発明は、単一のレチクルおよび単一の焼付工程でレチ
クルパターン転写を行なうことができる半導体装置のリ
ソグラフィー用レチクルおよびこのレチクルを使用する
レチクルパターン転写方法を提供することを目的とする
。
クルパターン転写を行なうことができる半導体装置のリ
ソグラフィー用レチクルおよびこのレチクルを使用する
レチクルパターン転写方法を提供することを目的とする
。
〔課題を解決するだめの手段］
上記の目的は、本発明にしたがえば、半導体装置のリソ
グラフィー用レチクルにおいて、主パターン領域以外の
領域に指標パターンが形成されていることを特徴とする
リソグラフィー用レチクルによって達成される。
グラフィー用レチクルにおいて、主パターン領域以外の
領域に指標パターンが形成されていることを特徴とする
リソグラフィー用レチクルによって達成される。
また、上記の目的は、上記のレチクルを使用して主パタ
ーンと指標パターンとを同時に焼付ける工程を含むこと
を特徴とするレチクルパターン転写方法によっても達成
される。
ーンと指標パターンとを同時に焼付ける工程を含むこと
を特徴とするレチクルパターン転写方法によっても達成
される。
（作 用〕
本発明のリソグラフィー用レチクルによれば、単一のレ
チクルで主パターンと指標パターンとを有するので、レ
チクル交換操作なしに１回の露光でこれら両パターンを
同時に焼付けることができる。
チクルで主パターンと指標パターンとを有するので、レ
チクル交換操作なしに１回の露光でこれら両パターンを
同時に焼付けることができる。
また、本発明のレチクルパターン転写方法によれば、上
記のレチクルを使用してウェハーやマスターマスク上の
必要箇所で主パターンと指標パターンとを同時に焼付け
ることによって単一の焼付工程でレチクルパターン転写
を行なうことができ以下に図面を参照して、実施例によ
って本発明を更に詳細に説明する。
記のレチクルを使用してウェハーやマスターマスク上の
必要箇所で主パターンと指標パターンとを同時に焼付け
ることによって単一の焼付工程でレチクルパターン転写
を行なうことができ以下に図面を参照して、実施例によ
って本発明を更に詳細に説明する。
第１図（ａ）に、本発明にしたがったリソグラフィー用
レチクルの一例を示す。
レチクルの一例を示す。
レチク・ル１０１は主パターン領域１０３とそれ以外の
領域（外囲領域）１０５とから成る。主パターン領域１
０３には主パターン１Ｆ」が形成されている。
領域（外囲領域）１０５とから成る。主パターン領域１
０３には主パターン１Ｆ」が形成されている。
外囲領域１０５には、主パターン領域１０３の左右両側
にそれぞれ指標パターン「＋」が形成されている。
にそれぞれ指標パターン「＋」が形成されている。
第１図（ｂ）〜（ｅ）に、上記第１図（ａ）のレチクル
１０１を使用してウェハー上にレチクルパターン転写を
行なう焼付工程の一例を示す。
１０１を使用してウェハー上にレチクルパターン転写を
行なう焼付工程の一例を示す。
ステッパー（図示せず）にレチクル１０１を装着する。
ステッパーは、レチクル１０１を芋パターン領域１０３
の上下両側の外囲領域１０５で保持し、主パターン領域
１０３の左右両側の外囲領域１０５は、主パターン領域
１０３と同様に露光光線を必要に応じて照射可能な状態
に維持されている。
の上下両側の外囲領域１０５で保持し、主パターン領域
１０３の左右両側の外囲領域１０５は、主パターン領域
１０３と同様に露光光線を必要に応じて照射可能な状態
に維持されている。
ステッパーによる露光を、第１図（ｂ）のウェハー１２
０の最上列左端のフレームから開始する。その際、ステ
ッパーのプレー１（絞り）は、レチクル１０１の主パタ
ーン領域１０３のみに露光光線が照射されるような開Ｉ
」度にしておく。すなわち、この状態で露光すると第１
図（Ｃ）に斜線で示した主パターン領域１０３の主パタ
ーン「Ｆ」のみがウェハー上に焼付けられる。この開口
状態で露光を矢印Ｘに沿って右方向へ順次繰返し、最上
列右端のフレームを露光して最上列の露光が完了したら
、矢印ｙに沿って下の列に露光位置を移動さ・Ｕる（必
要ならばＸ方向にも移動させる）。以下同様のステップ
アンドリピート操作でウェハー１２０上の第３列までの
全フレームに主パターン「Ｆ」を焼イζＪける。第４列
の露光を開始する前に、ステッパーのブレードの開口度
を拡大して、第１図（ｄ）に斜線で示したようにレチク
ルの主パターン領域１０３と外囲領域１０５の一部１０
５Ａとに露光光線が照射されるような開口度にする。こ
の開口状態で第４列左端のフレーム１２３Ａの位置で露
光を行なうと、フレーム１２３Ａにはレチクル１０１の
主パターン領域ｆ域１０３の主パターン１Ｆ」が焼付け
られ、同時に右隣のフレーム１２５Ａにはレチクル１０
１ の外囲領域１０５の一部１０５Ａの指標パターンｒ
＋、が焼付けられる。次に露光位置を右へ２フレ一ム分
１なわちフレーム１２３Ｐまで移動させる。ステッパー
のブレードの開口度を、最初と同様に、レチクル１０１
の主パターン領域１０３（第１図（Ｃ）の斜線部）のみ
に露光光線が照射されるように縮小する。この開口状態
で右へ順次繰返して露光を行ない、フレーム１２３Ｐか
らフレーム１２３Ｑまでのフレームに主パターンｒ Ｆ
Ｊを焼付ける。次に露光位置を右へ２フレ一ム分すなわ
ち第４列右端のフレーム１２３Ｂまで移動させる。この
段階では、フレーム１２５Ｂは未霞光状態である。ステ
ッパーのブレードの開口度を、第４列左端の場合とは逆
向きに拡大して、第１図（ｅ）に示したようにレチクル
１０１の主パターン領域１０３と外囲領域１０５の一部
１０５Ｂとに露光光線が照射されるようにする。この開
口状態で第４列右端のフレーム１２３Ｂの位置で露光を
行なうと、フレーム１２３Ｂにはレチクル１０１の主パ
ターン領域１０３の主パターンｌ’ Ｆ Ｊが焼付けら
れ、同時に左隣のフレーム１２５Ｂにはレチクル１０１
の外囲領域の一部１０５Ｂの指標パターン「＋」が焼付
けられる。ステッパーのブレードの開口度を、最初と同
様に、レチクル１０１の主パターン領域１０３（第１１
１（Ｃ）の斜線部）のみに露光光線が照射されるように
縮小する。以下、第１列（最上列）〜第３列までと同様
にステップアンドリピート操作を行なって、第５列およ
び第６列の各フレームに主パターン「Ｆ」を焼付け、焼
付工程を完了する。
０の最上列左端のフレームから開始する。その際、ステ
ッパーのプレー１（絞り）は、レチクル１０１の主パタ
ーン領域１０３のみに露光光線が照射されるような開Ｉ
」度にしておく。すなわち、この状態で露光すると第１
図（Ｃ）に斜線で示した主パターン領域１０３の主パタ
ーン「Ｆ」のみがウェハー上に焼付けられる。この開口
状態で露光を矢印Ｘに沿って右方向へ順次繰返し、最上
列右端のフレームを露光して最上列の露光が完了したら
、矢印ｙに沿って下の列に露光位置を移動さ・Ｕる（必
要ならばＸ方向にも移動させる）。以下同様のステップ
アンドリピート操作でウェハー１２０上の第３列までの
全フレームに主パターン「Ｆ」を焼イζＪける。第４列
の露光を開始する前に、ステッパーのブレードの開口度
を拡大して、第１図（ｄ）に斜線で示したようにレチク
ルの主パターン領域１０３と外囲領域１０５の一部１０
５Ａとに露光光線が照射されるような開口度にする。こ
の開口状態で第４列左端のフレーム１２３Ａの位置で露
光を行なうと、フレーム１２３Ａにはレチクル１０１の
主パターン領域ｆ域１０３の主パターン１Ｆ」が焼付け
られ、同時に右隣のフレーム１２５Ａにはレチクル１０
１ の外囲領域１０５の一部１０５Ａの指標パターンｒ
＋、が焼付けられる。次に露光位置を右へ２フレ一ム分
１なわちフレーム１２３Ｐまで移動させる。ステッパー
のブレードの開口度を、最初と同様に、レチクル１０１
の主パターン領域１０３（第１図（Ｃ）の斜線部）のみ
に露光光線が照射されるように縮小する。この開口状態
で右へ順次繰返して露光を行ない、フレーム１２３Ｐか
らフレーム１２３Ｑまでのフレームに主パターンｒ Ｆ
Ｊを焼付ける。次に露光位置を右へ２フレ一ム分すなわ
ち第４列右端のフレーム１２３Ｂまで移動させる。この
段階では、フレーム１２５Ｂは未霞光状態である。ステ
ッパーのブレードの開口度を、第４列左端の場合とは逆
向きに拡大して、第１図（ｅ）に示したようにレチクル
１０１の主パターン領域１０３と外囲領域１０５の一部
１０５Ｂとに露光光線が照射されるようにする。この開
口状態で第４列右端のフレーム１２３Ｂの位置で露光を
行なうと、フレーム１２３Ｂにはレチクル１０１の主パ
ターン領域１０３の主パターンｌ’ Ｆ Ｊが焼付けら
れ、同時に左隣のフレーム１２５Ｂにはレチクル１０１
の外囲領域の一部１０５Ｂの指標パターン「＋」が焼付
けられる。ステッパーのブレードの開口度を、最初と同
様に、レチクル１０１の主パターン領域１０３（第１１
１（Ｃ）の斜線部）のみに露光光線が照射されるように
縮小する。以下、第１列（最上列）〜第３列までと同様
にステップアンドリピート操作を行なって、第５列およ
び第６列の各フレームに主パターン「Ｆ」を焼付け、焼
付工程を完了する。
以上のように、単一のレチクルを使用してレチクル交換
操作のない単一の焼付工程でウェハー１２０上には所定
の配列で主パターンおよび指標パターンが焼付けられる
。
操作のない単一の焼付工程でウェハー１２０上には所定
の配列で主パターンおよび指標パターンが焼付けられる
。
次に、本発明に従ったリソグラフィー用レチクルの望ま
しい実施態様の一例を説明する。
しい実施態様の一例を説明する。
第２図において、レチクル２０１ は主パターン領域２
０３とそれ以外の外囲領域とから成る。この例では、外
囲領域には、指標パターンとしてプリアラインメント用
の位置合せターゲットパターン２０７、レチクルカバー
２１２、およびスクライブ２１４が形成されている。２
１６は外囲領域のうち、何も形成されていない空領域で
ある。レチクルカバー２１２は、ウェハー上で１つのフ
レームの露光中に隣りのフレームに露光光線の影響を及
ぼさないためのパターンである。スクライブ２１４はダ
イシングラインとも呼ばれ、最終的にリソグラフィー処
理後のウェハーから各フレームをチップとして切り出す
ための切断線（もしくは切り代）を規定するパターンで
ある。
０３とそれ以外の外囲領域とから成る。この例では、外
囲領域には、指標パターンとしてプリアラインメント用
の位置合せターゲットパターン２０７、レチクルカバー
２１２、およびスクライブ２１４が形成されている。２
１６は外囲領域のうち、何も形成されていない空領域で
ある。レチクルカバー２１２は、ウェハー上で１つのフ
レームの露光中に隣りのフレームに露光光線の影響を及
ぼさないためのパターンである。スクライブ２１４はダ
イシングラインとも呼ばれ、最終的にリソグラフィー処
理後のウェハーから各フレームをチップとして切り出す
ための切断線（もしくは切り代）を規定するパターンで
ある。
レチクル２０１ は石英等の通常レチクル用として用い
られる材質であり、その表面上に主パターン、指標パタ
ーンその他上記のような必要な各種のパターンがＣｒ蒸
着膜等として形成される。
られる材質であり、その表面上に主パターン、指標パタ
ーンその他上記のような必要な各種のパターンがＣｒ蒸
着膜等として形成される。
［発明の効果］
本発明のリソグラフィー用レチクルおよびこのレチクル
を使用するレチクルパターン転写方法は、単一のレチク
ルおよび単一の焼付工程で主パターンおよび指標パター
ンを同時に焼付けることができるので、レチクル作製コ
ストを従来のほぼ１７２以下に低減しかつ生産性を最大
３０％高めることができるという効果を奏する。
を使用するレチクルパターン転写方法は、単一のレチク
ルおよび単一の焼付工程で主パターンおよび指標パター
ンを同時に焼付けることができるので、レチクル作製コ
ストを従来のほぼ１７２以下に低減しかつ生産性を最大
３０％高めることができるという効果を奏する。
第１図（ａ）は、本発明のレチクルの例を示す平面図、
第１図（ｂ）〜（ｅ）は、第１図（ａ）のレチクルを使
用する本発明のレチクルパターン転写方法の工程例を説
明するための平面図、 第２図は、第１図（ａ）のレチクルの望ましい態様の例
を示す平面図、 第３１１ａ（ａ）および（ｂ）は、従来のレチクルの例
を示す平面図、および 第３図（Ｃ）および（ｄ）は、第３図（ａ）および（ｂ
）のレチクルを使用する従来のレチクルパターン転写方
法の工程例を説明するための平面図である。 １０１．２０１，３０１，３１１・・・レチクル、１０
３．２０３，３０３．３１３・・・主パターン領域、１
０５．３０５，３１５・・・外囲領域（主パターン領域
以外の領域）、 ２０７・・・指標パターン、 １２０．３２０・・・ウェハー。
用する本発明のレチクルパターン転写方法の工程例を説
明するための平面図、 第２図は、第１図（ａ）のレチクルの望ましい態様の例
を示す平面図、 第３１１ａ（ａ）および（ｂ）は、従来のレチクルの例
を示す平面図、および 第３図（Ｃ）および（ｄ）は、第３図（ａ）および（ｂ
）のレチクルを使用する従来のレチクルパターン転写方
法の工程例を説明するための平面図である。 １０１．２０１，３０１，３１１・・・レチクル、１０
３．２０３，３０３．３１３・・・主パターン領域、１
０５．３０５，３１５・・・外囲領域（主パターン領域
以外の領域）、 ２０７・・・指標パターン、 １２０．３２０・・・ウェハー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体装置のリソグラフィー用レチクルにおいて、
主パターン領域以外の領域に指標パターンが形成されて
いることを特徴とするリソグラフィー用レチクル。 ２、請求項１記載のレチクルを使用して主パターンと指
標パターンとを同時に焼付ける工程を含むことを特徴と
するレチクルパターン転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6180888A JP2545431B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | リソグラフィ―用レチクルおよびレチクルパタ―ン転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6180888A JP2545431B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | リソグラフィ―用レチクルおよびレチクルパタ―ン転写方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01235954A true JPH01235954A (ja) | 1989-09-20 |
| JP2545431B2 JP2545431B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=13181760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6180888A Expired - Fee Related JP2545431B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | リソグラフィ―用レチクルおよびレチクルパタ―ン転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2545431B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002093260A1 (fr) * | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Nikon Corporation | Masque et procede de production associe, element optique et procede de production associe, dispositif optique d'eclairage fourni avec ledit element optique et systeme d'exposition |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5339075A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Step and repeat exposure method of masks |
| JPS62144168A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Hitachi Ltd | レチクル |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP6180888A patent/JP2545431B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5339075A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Step and repeat exposure method of masks |
| JPS62144168A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Hitachi Ltd | レチクル |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002093260A1 (fr) * | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Nikon Corporation | Masque et procede de production associe, element optique et procede de production associe, dispositif optique d'eclairage fourni avec ledit element optique et systeme d'exposition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2545431B2 (ja) | 1996-10-16 |
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