JPS594123A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPS594123A JPS594123A JP57113149A JP11314982A JPS594123A JP S594123 A JPS594123 A JP S594123A JP 57113149 A JP57113149 A JP 57113149A JP 11314982 A JP11314982 A JP 11314982A JP S594123 A JPS594123 A JP S594123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- patterns
- reticle
- dust
- baked
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１１発明の技術分野
本発明はマスク等の露光方法、詳しくはレチクルの複数
パターンを用いる多重露光方法に関する。
パターンを用いる多重露光方法に関する。
（２）技術の背景
フォトマスクおよびウェハの露光は、レチクル上のパタ
ーンを、リピータまたはステツパーを（１） 用い縮小投影してなされている。第１図にレチクルとマ
スクの概略配置が示され、同図において、１は例えば１
２．７ｃｍ （５インチ）角のレチクル、２はパターン
、３はレンズ、４はマスクを示す。ガラス製のマスクで
あるレチクル１には、設計の段階でパターンジェネレー
タを用い、チップ上に投影される現実のパターンを１０
倍または５倍に拡大したパターン２が形成されている。
ーンを、リピータまたはステツパーを（１） 用い縮小投影してなされている。第１図にレチクルとマ
スクの概略配置が示され、同図において、１は例えば１
２．７ｃｍ （５インチ）角のレチクル、２はパターン
、３はレンズ、４はマスクを示す。ガラス製のマスクで
あるレチクル１には、設計の段階でパターンジェネレー
タを用い、チップ上に投影される現実のパターンを１０
倍または５倍に拡大したパターン２が形成されている。
レチクル１に光りを当て、レンズ３でそれを１／１ｏま
たは１１５に縮小してマスク４上に投影すると、パター
ン２′がマスク４に焼き付けられ、それは上記したチッ
プ上に投影されるパターンである。パターン２′はレン
ズ３から成る光学系をステップアンドリピート方式で図
に矢印■で示す方向に動がして横方向に１列のパターン
２’ 、、、を形成し、それが終ると光学系をもとに戻
し、次いで矢印■で示す方向に下方に動かし、再び上記
の横方向操作を繰り返して、パターン２′のアレイを焼
き付ける。かかる工程は現在一般に実施されている技術
である。
たは１１５に縮小してマスク４上に投影すると、パター
ン２′がマスク４に焼き付けられ、それは上記したチッ
プ上に投影されるパターンである。パターン２′はレン
ズ３から成る光学系をステップアンドリピート方式で図
に矢印■で示す方向に動がして横方向に１列のパターン
２’ 、、、を形成し、それが終ると光学系をもとに戻
し、次いで矢印■で示す方向に下方に動かし、再び上記
の横方向操作を繰り返して、パターン２′のアレイを焼
き付ける。かかる工程は現在一般に実施されている技術
である。
（３）従来技術と問題点
（２）
ここでレチクル上のパターン２にゴミ５が付着し、また
はレチクルが傷付けられたりもしくは水滴が付着したと
する。そうなると、ゴミ５の影はマスク上のすべてのパ
ターン２′従ってすべてのチップ上に現れることになる
。ゴミ５の大きさやその付着した場所によっては、すべ
てのチップが不良になることもあり、それは半導体装置
製造の歩留りと製品の信頼性の低下をもたらす。
はレチクルが傷付けられたりもしくは水滴が付着したと
する。そうなると、ゴミ５の影はマスク上のすべてのパ
ターン２′従ってすべてのチップ上に現れることになる
。ゴミ５の大きさやその付着した場所によっては、すべ
てのチップが不良になることもあり、それは半導体装置
製造の歩留りと製品の信頼性の低下をもたらす。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、レチクルを用いるマス
クまたはウェハの露光において、レチクル上にゴミ、水
滴等が付着していたりまたは傷があったとしても、その
欠陥がマスクまたはウェハ上に焼き付けられて現れるこ
とのない露光方法を提供するにある。
クまたはウェハの露光において、レチクル上にゴミ、水
滴等が付着していたりまたは傷があったとしても、その
欠陥がマスクまたはウェハ上に焼き付けられて現れるこ
とのない露光方法を提供するにある。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によると、レチクル上に同一パ
ターンを複数個行列状に作成し、それらを順次１パタ一
ン分ずつ移行させ重ねて複数回投影する多重露光方法を
提供することによって達（３） 成される。
ターンを複数個行列状に作成し、それらを順次１パタ一
ン分ずつ移行させ重ねて複数回投影する多重露光方法を
提供することによって達（３） 成される。
（６）発明の実施例
以下本発明の実施例を図面によって詳述する。
第２図に本発明の方法を実施するに用いるレチクル１１
が平面図で示され、このレチクル１１には４つの同じパ
ターンが上下に２個ずつ４個作成されていて、これらパ
ターンを、上の行のパターンを左から右に、またずく下
の行のパターンも左から右に、■、■、■、■の符号を
付して示す。これらパターンにそれぞれ１個ずつのゴミ
が付いていたとして、これらのゴミを上記パターンの符
号に対応して１５ａ 、 １５ｂ 、１５ｃ 、１５ｄ
で示ず。なおパターンの９６．■の各々は、従来技術の
場合と同様に、チップ上に投影されるパターンの１０倍
の大きさとする。
が平面図で示され、このレチクル１１には４つの同じパ
ターンが上下に２個ずつ４個作成されていて、これらパ
ターンを、上の行のパターンを左から右に、またずく下
の行のパターンも左から右に、■、■、■、■の符号を
付して示す。これらパターンにそれぞれ１個ずつのゴミ
が付いていたとして、これらのゴミを上記パターンの符
号に対応して１５ａ 、 １５ｂ 、１５ｃ 、１５ｄ
で示ず。なおパターンの９６．■の各々は、従来技術の
場合と同様に、チップ上に投影されるパターンの１０倍
の大きさとする。
このレチクル１１を用いて、第１図に示した従来技術の
場合と同様に各々パターン■００．■をマスク１２上に
１／１０に縮小投影する。その露光のための配置は第３
図に示すが、その構成および操作は第１図に示したもの
と同様である。第４図に投（４） 影されたパターンを拡大して示す、すなわち、従来と同
様にマスクの最も上方に最初のパターン（１）、その右
に（２）を、また下の列の最も左にパターン（３）をそ
の右にパターン（４）を焼き付ける。なお、パターンｆ
１１．．． （４１は、パターン■００．■が１／１０
に縮小されたものである。このとき、ゴミ１５ａ 、
１５ｂ 。
場合と同様に各々パターン■００．■をマスク１２上に
１／１０に縮小投影する。その露光のための配置は第３
図に示すが、その構成および操作は第１図に示したもの
と同様である。第４図に投（４） 影されたパターンを拡大して示す、すなわち、従来と同
様にマスクの最も上方に最初のパターン（１）、その右
に（２）を、また下の列の最も左にパターン（３）をそ
の右にパターン（４）を焼き付ける。なお、パターンｆ
１１．．． （４１は、パターン■００．■が１／１０
に縮小されたものである。このとき、ゴミ１５ａ 、
１５ｂ 。
１５ｃ 、 １５ｄに対応して、部分１５Ａ 、 １５
Ｂ、１５Ｃ８１５０は露光されない。
Ｂ、１５Ｃ８１５０は露光されない。
次にレンズ１３から成る光学系を１パタ一ン分だけ右に
動かし、再度同様の縮小投影をすると、パターン（２）
、（４）の上には、パターン（１１、（３）が二重に投
影され、これら二重投影したパターンにおいては、ゴミ
１５ｂ 、 １５ｄに対応して露光されなかった部分１
５Ｂ 、１５Ｄが二度目の投影で露光され、消去される
。このようにして消去された１５Ｂ 、 １５０は上に
横棒を付して示す。二度目の投影で、ゴミ１５ａ 、
１５ｃに対応する部分は露光されないが、その部分は最
初の投影ですでに露光されているのであるから、ゴミ１
５ａ 、 １５ｃで露光されなかったとしてもその影響
はほとんどない。
動かし、再度同様の縮小投影をすると、パターン（２）
、（４）の上には、パターン（１１、（３）が二重に投
影され、これら二重投影したパターンにおいては、ゴミ
１５ｂ 、 １５ｄに対応して露光されなかった部分１
５Ｂ 、１５Ｄが二度目の投影で露光され、消去される
。このようにして消去された１５Ｂ 、 １５０は上に
横棒を付して示す。二度目の投影で、ゴミ１５ａ 、
１５ｃに対応する部分は露光されないが、その部分は最
初の投影ですでに露光されているのであるから、ゴミ１
５ａ 、 １５ｃで露光されなかったとしてもその影響
はほとんどない。
（５）
以下順次この過程が繰り返され、第１行の投影が終った
とき、ゴミによって露光されなかった部分は一番左のパ
ターンの１５Ａ 、 １５Ｃだけになる。
とき、ゴミによって露光されなかった部分は一番左のパ
ターンの１５Ａ 、 １５Ｃだけになる。
この事実はマスクの露光において前以って考慮に入れて
おくことによって処理しうるだけでなく、それはウェハ
の周縁部分に位置するから、ウェハ処理においてそれの
影響はほとんどない。なおゴミが全く同じところに重な
る如くに存在し、その部分が再度の投影で露光されない
ことも考えられないではないが、そのようなことが発生
する確率は無視しうる程度に小である。
おくことによって処理しうるだけでなく、それはウェハ
の周縁部分に位置するから、ウェハ処理においてそれの
影響はほとんどない。なおゴミが全く同じところに重な
る如くに存在し、その部分が再度の投影で露光されない
ことも考えられないではないが、そのようなことが発生
する確率は無視しうる程度に小である。
以上の経過をパターン符号ｆｉｌ 、 、 、 （４１
を用いて要約すると第４図に示す如くになり、同図にお
いて、パターン符号の下のアンダーラインの数はそれが
第何回目の焼付であるかを示す。同図から明らかなよう
に一番左の列のパターンを除き、左右隣合ったパターン
は必ず二重に焼き付けられ、それによってゴミの影響は
（最も左のパターンを除き）消去されることが明らかで
ある。
を用いて要約すると第４図に示す如くになり、同図にお
いて、パターン符号の下のアンダーラインの数はそれが
第何回目の焼付であるかを示す。同図から明らかなよう
に一番左の列のパターンを除き、左右隣合ったパターン
は必ず二重に焼き付けられ、それによってゴミの影響は
（最も左のパターンを除き）消去されることが明らかで
ある。
レチクル１１上に複数個のパターンを作成する（６）
ことは、従来の技術を用いて容易になしうる。また、本
発明の方法では同一パターンが二重、三重０３．と露光
されるが、それに対応して、レジスト膜厚、現像時間、
エツチング時間等も、前記したゴミによって隠される部
分の露光等をも計算して適宜選択可能である。また、現
在光学系の機構はサブミクロンの精度で運転されるが、
複数個のパターンを微細にシフトして機構の送り精度を
微調整することも可能である。
発明の方法では同一パターンが二重、三重０３．と露光
されるが、それに対応して、レジスト膜厚、現像時間、
エツチング時間等も、前記したゴミによって隠される部
分の露光等をも計算して適宜選択可能である。また、現
在光学系の機構はサブミクロンの精度で運転されるが、
複数個のパターンを微細にシフトして機構の送り精度を
微調整することも可能である。
なお上記の例では、４個のパターンを上下２列に横に２
個ずつ並べた配列について説明したが、０列ｍ列のパタ
ーン行列（ただしｎ、ｍは任意の自然数）を形成するこ
とも可能である。また上記の例では、第１行においてパ
ターンを右方向に移動して投影し、次いで下の行に移行
して同様の投影を繰り返したが、本発明の原則は、隣合
うパターンを順に重ねて投影するにあるから、それが行
について行われても列について行われても結果は全く同
じである。
個ずつ並べた配列について説明したが、０列ｍ列のパタ
ーン行列（ただしｎ、ｍは任意の自然数）を形成するこ
とも可能である。また上記の例では、第１行においてパ
ターンを右方向に移動して投影し、次いで下の行に移行
して同様の投影を繰り返したが、本発明の原則は、隣合
うパターンを順に重ねて投影するにあるから、それが行
について行われても列について行われても結果は全く同
じである。
更に、本発明の方法は、ホトレジストがポジ（７）
ティブ型であってもネガティブ型であっても実施可能で
あることが１７ＬＪ！されている。
あることが１７ＬＪ！されている。
（７）発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の方法によるとき
は、レチクルにゴミ、水滴、優等パターンを乱す原因が
存在していたとしても、それは複数回の露光によって消
去され、結果としてパターンのみがきれいに投影される
ことになり、半導体装置製造歩留りと製品の信頼性向上
に効果大である。なお上記においてはマスクの露光を例
に説明したが、本発明の適用範囲はその場合に限定され
るものでなく、ウェハの露光の場合にも適用可能である
。
は、レチクルにゴミ、水滴、優等パターンを乱す原因が
存在していたとしても、それは複数回の露光によって消
去され、結果としてパターンのみがきれいに投影される
ことになり、半導体装置製造歩留りと製品の信頼性向上
に効果大である。なお上記においてはマスクの露光を例
に説明したが、本発明の適用範囲はその場合に限定され
るものでなく、ウェハの露光の場合にも適用可能である
。
第１図はレチクルを用いるマスクの露光を説明するため
のレチクルとマスクの概略配置図、第２図は本発明の方
法を実施するために用いるレチクルの平面図、第３図は
本発明の方法を実施するための第１図に類似の配置図、
第４図は本発明の方法により焼き付けられたパターンの
拡大平面図（８） である。 １１− レチクル、■、■、■、■・−レチクル上のパ
ターン、（１）、（２）、（３）、（４）−マスク上の
パターン、１２−・−マスク、１３− レンズ特 許
出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士 松 岡 宏四部 （９） 第１図 １ 第２図 ■ １１ １５ａ ’ ５ｂ １５ｃ ’ １５ｄ
のレチクルとマスクの概略配置図、第２図は本発明の方
法を実施するために用いるレチクルの平面図、第３図は
本発明の方法を実施するための第１図に類似の配置図、
第４図は本発明の方法により焼き付けられたパターンの
拡大平面図（８） である。 １１− レチクル、■、■、■、■・−レチクル上のパ
ターン、（１）、（２）、（３）、（４）−マスク上の
パターン、１２−・−マスク、１３− レンズ特 許
出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士 松 岡 宏四部 （９） 第１図 １ 第２図 ■ １１ １５ａ ’ ５ｂ １５ｃ ’ １５ｄ
Claims (1)
- 縮小投影用パターンが形成されたレチクルを用い行また
は列に沿って前記パターンを順次投影し、更に次の行ま
たは列についても順次同様の投影をなす露光において、
該レチクル上に同一パターンを１行ｍ列（ただしｎ、ｍ
は任意 の自然数）の行列に配置し、これら同一パター
ンを順に１パタ一ン分ずつ移行させて多重投影すること
を特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57113149A JPS594123A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57113149A JPS594123A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS594123A true JPS594123A (ja) | 1984-01-10 |
Family
ID=14604804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57113149A Pending JPS594123A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS594123A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112016005437T5 (de) | 2015-11-26 | 2018-10-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Band aus amorpher Legierung auf Fe-Basis |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP57113149A patent/JPS594123A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112016005437T5 (de) | 2015-11-26 | 2018-10-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Band aus amorpher Legierung auf Fe-Basis |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6421111B1 (en) | Multiple image reticle for forming layers | |
| US6185727B1 (en) | Design verification for asymmetric phase shift mask layouts | |
| US4849313A (en) | Method for making a reticle mask | |
| US4702592A (en) | Reticle assembly, system, and method for using the same | |
| JPH05206014A (ja) | リソグラフィーマスク、リソグラフィックマスク設計、並びにアラインメント及びシーケンシャル露出システム | |
| US5439765A (en) | Photomask for semiconductor integrated circuit device | |
| JPH08227851A (ja) | ホトリソグラフィ方法及びそれに使用するホトリソグラフィシステム | |
| US5237393A (en) | Reticle for a reduced projection exposure apparatus | |
| JPS60109228A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPS594123A (ja) | 露光方法 | |
| KR100228570B1 (ko) | 반도체 기판 노출 방법 | |
| US3950170A (en) | Method of photographic transfer using partial exposures to negate mask defects | |
| JPH01293616A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| US6440614B1 (en) | Mask and method of manufacturing semiconductor device | |
| JPH0664337B2 (ja) | 半導体集積回路用ホトマスク | |
| US5871889A (en) | Method for elimination of alignment field gap | |
| US7381502B2 (en) | Apparatus and method to improve the resolution of photolithography systems by improving the temperature stability of the reticle | |
| US20030143468A1 (en) | Multiple photolithographic exposures with different non-clear patterns | |
| JPS63278230A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0787174B2 (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP2545431B2 (ja) | リソグラフィ―用レチクルおよびレチクルパタ―ン転写方法 | |
| JP2715462B2 (ja) | レチクル及びこれを用いる半導体装置の製造方法 | |
| JPS6155106B2 (ja) | ||
| JPH065508A (ja) | 半導体の製造装置 | |
| JPS59105648A (ja) | 複合レテイクル |