JPH01216967A - 液晶化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、表示素子用に有用な新規な液晶性化合物およ
び該化合物を含有する液晶組成物に関する。

（従来の技術） 液晶物質およびその組成物は、その液晶相における誘電
率の異方性（ΔＣと略記する）および光の屈折率の異方
性（Δｎと略記する）を利用して、種々の表示装置に使
用されている。

液晶表示方式には、応用される電気光学効果に対応して
、電界制御複屈折型（ＥＣＢ屋）、ねじれネマチック型
（ＴＮ型）、スーパーツイスト複屈折型（ＳＢＥ型）、
動的散乱型（ＤＳ型）、ゲスト・ホスト型など稿々の方
式がある。

表示装置に用いられる液晶材料は、その表示方式により
、また表示素子に要求される緒特性により、広い液晶相
温度範囲、低粘性、大きな正のΔε値または負のΔε値
、および広い温度域にわたって表示素子の緒特性（４！
Ｐにしきい値電の 圧）が大きく変化しないことなｔ１々の特性を兼ね備え
ていなければならない。

しかし、現在のところ、液晶相温度範囲、動作電圧、応
答性能の面から実用にできる単一化合物はない。実用に
は、数穫の液晶化合物の混合物、または、数種の液晶化
合物に潜在的に液晶性を有する化合物もしくは非液晶物
質全混合した物が供せられている。

（発明の目的） 本発明の目的はＴＮ型液晶表示素子に使用する液晶組成
物の成分として有用な液晶性化合物、特にΔＣが正で大
きく、その割に低粘性な液晶性化合物を提供することＫ
ある。ここで、液晶性化合物とは、液晶相を示す化合物
のほかに、それ自体では液晶相を示さないが、他の液晶
化合物に溶解した場合に液晶挙動の成る面に有効に作用
する化合物をも意味する。

（発明の構成） 本発明は一般式 （式中、ｎは０及び１〜２０の自然数である）で表わさ
れる化合物及び少なくともその一種を含有する液晶組成
物である。

本発明の（１）式の化合物を更に具体的に示すと、であ
る。

（発明の作用及び効果） 本発明の（Ｄ式の化合物は、液晶表示装置が使用される
温度付近で、あるものはモノトロピックではあるがネマ
チック性を有する化合物である。

さらに、本発明の化合物は、比較的に低粘度の化合物で
あり、より応答速度の速い液晶表示装置を作成するのに
好適な化合物である。又、本発明の化合物の誘電率異方
性値は正で比較的大きく、液晶表示装置の駆動電圧の低
い液晶組成物を作成するのに好適な化合物である。

本発明の化合物は、又、液晶表示材料に必要な、熱、光
、電気、空気、水分等に対する安定性を有し、既存の他
の液晶性化合物、例えば、エステル系、シック系、エタ
ン系、アセチＬ／ン系、アゾキシ系、ビフェニル系、シ
クロヘキサン系、ピリミジン系、ピリジン系等の液晶化
合物との相溶性が優れているのでそれらの化合物または
、それらの混合物と混合することによシ、種々の用途に
適した液晶材料とすることができる。

（化合物の製法） 本発明の化合物は例えば次の合成法に従って製造できる
。

０ＨＣ−（ＣＨｔ躯が”４ｃＮ（１） （上式中ｎは前記と同じ） すなわち、後述の様にして得られる、最終目的物に対応
するアルデヒド誘導体［）ヲ、溶媒（ジエチレンクリコ
ールジメチルエテル、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチ
ルピロリドン等）中でトリフェニルホスフィンとクロロ
ジフルオロ酢酸ナトリウムと反応させることＫより得ら
れる。

この反応は、Ｗｉｔｔｉｇ反応として、炭素−炭素二重
結合を生成せしめる反応として知られている（例えば、
Ｏｒｇ−５７ｎｔｈ、　Ｃｏ１１．　Ｖｏｌ、　Ｖ　、
　３９０（１９７３）参照）。この反応生成物に対し通
常行なわれる減圧蒸留、クロマトグラフィー、再結晶等
の分離精製操作を行なうことにより、目的の化合物（Ｉ
）’ｔ−得ることができる。原料として用いるアルデヒ
ド誘導体（１）は、例えば次の合成法に従って製造でき
る。

ＣＨ＊０ＣＨｔ−＠＠−ＣＮ　　　ＩＤａｏｃａｔ−［
〆）ＣＮ　　（ト） ＯＨＣ頃〆）ｏｃＮ　α） すなわち公知の（例えば特開昭５８−５９９５６に記載
の方法で得られる）トランス−４−メトキシメチル−１
−（４−シアノフェニル）シクロヘキサン（ＩＩＤヲ公
知の方法、例えばＪ、　Ｏｒｇ−Ｃｈｅｍ、、４４．１
２４７（１９７９）Ｋ記載された方法に準じて、トリメ
チルシリルクロライドとヨウ化ナトリウムとをアセトニ
トリル溶媒中で反応させ、トランス−４−（４−シアノ
フェニル）シクロヘキシルカルビノールａｖ）を得る。

さらに、この化合物（Ｖ）を５ｙｎｔｈｅｓｉｓ、　２
４５（１９８２）に記載した方法に準じて、ピリジニラ
ムク党ロクロメート（ＦＣＣ）でアルデヒドに酸化し、
トランス−４−（４−シアノフェニル）シクロヘキシル
カルボアルデヒドｃｖ’）を得る。この化合物（Ｖ）は
アルデヒド誘導体（１）に於けるｎ＝ｏの化合物である
。さらに、アルデヒド誘導体（１）に於けるｎが１〜２
０の整数である化合物は、例えば次の合成法に従って製
造できる。

０ＨＣ−＠＠−ＣＮ（ｖ） ｃＨｓｏｃＨ−ｃＨ−＠）−＠−ｃＮ（ＶＤＯＨＣ−Ｃ
Ｈ＊ゆ）＠＝ＣＮ　　　（２）す々わち、アルデヒド誘
導体（Ｖ）Ｋメトキシメチルトリフェニルホスホニウム
クロライド及び塩基（例えば、カリウム−ｔ−ブトキシ
ド、ナトリウムメチラート、フェニルリチウム、ｎ−ブ
チルリチウム等）を反応させるＷｉｔｔｉｇ反応により
、メトキシビニル誘導体＠を得る。この化合物（ＶＤヲ
酸性下で加熱すると（例えば、テトラヒドロフラン溶媒
下塩酸と加熱する）、もとのアルデヒド誘導体（Ｖ）よ
ジメチレンが１つ増えたアにｎ回逐次に反応することに
より、ｎが１以上のアルデヒド誘導体（１）を得ること
ができる。

（実施例） 以下、実施例により、本発明の詳細な説明するが、本発
明は、これらの実施例に限られるものではない。実施例
中で、結晶−→ネマチック相転移点およびネマチック相
−等方性液体相転移点をそれぞれＣＮ点およびＮＩ点と
略記する。

実施例１ 〔トランス−１−（２，２−ジフルオロ−１−エチニル
）−４−（４−シアノフェニル）シクロヘキサン（（Ｉ
）式でｎ＝ｏのもの、即ち（１）の調製〕 （１）　）ランス−４−（４−シアノフェニル）シクロ
ヘキサンカルボアルデヒドの調製 トランスー４−メトキシメチル−１−（４−シアノフェ
ニル）シクロヘキサンＩＤ３２２．５ｆ（１，４１ｍｏ
ｔ）、ヨウ化ナトリウＡ４２ｌ−６ｆ分間でトリメチル
シリルクロライド３０５．６ｆ（２，８１ｍｏｔ）を滴
下した。滴下終了後２０分間攪拌した後に１０’Ｃに冷
却した。反応混合物を吸引ろ過し、母液を氷水２＃にあ
けクロロホルム１．５１で抽出した。このクロロホルム
溶液’ｉｌ　Ｏ３ｉ量％のチオ硫酸ナトリウム水溶液０
．５１で２回分液洗浄後、さらに水１１で３回分液洗浄
しクロロホルムを留去した。残渣をトルエン３００　ｄ
で３回再結晶して精製しトランス−４−（４−シアノフ
ェニル）シクロヘキシルカルビノール＠１８２．５　Ｉ
Ｉ　（０，８４８ｍｏｔ）を得た。この化合物の融点は
１０８．５〜１１０．８℃であった。一方ビリジニウム
クロロクロメート１６１７　ｆ　（０，７５０ｍｏｔ）
　ｆジクロロメタン１１に、加えておき、攪拌下に先に
得られたトランス−４−（４−シアノフェニルシクロへ
キシルカルビノール＠　１０７．６９　（０，５００ｍ
ｏｌ　）のジクロロメタン０．７１溶液を室温にて、瞬
時に加えて、さらに室温で１．５時間攪拌した。この反
応液にジエチルエーテル１１を加えて、上澄液をフロリ
ジルカラムクロマトグラフィを通して濃縮して、トラン
ス−４−（４−シアノフェニル）シクロヘキシルカルビ
ノルデヒ）”（Ｖ）１０１．２１　（０，４７４ｍｏｔ
）　ｋ得た。

（！１）表題化合物の調製 （１）で得られたトランス−４−（４−シアノフェニル
）シクロヘキシルカルボアルデヒド（Ｖ）４７、８　ｆ
　（０，２２４ｍｏｔ）、トリフェニルホスフィ７６４
．６　Ｆ（０，２４６ｍｏｔ）、りｏａジフルオロ酢酸
ナトリウム５４．６　ｆ　（０，５３８ｍｏｔ）および
ジメチルホルムアミド２００ｍ？窒素気流下にて、３時
間約９０℃に加熱攪拌後室源まで冷却した。反応液にト
ルエン２００ｇ１ｌおよび水２００　ｙｘｌを加えた。

とのトルエン溶液を水２００　ｍｌで３回分液洗浄し、
無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。乾燥剤を分離後、ト
ルエンを留去して、得られた残渣を減圧蒸留（沸点１３
６°Ｃ〜１３８℃／　１　ｓｍＨｇ　）　Ｉ、た、蒸留
物をトルエンに溶解して、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにで精製後メタノールにて再結晶を繰り返した
後、乾燥して目的の表題化合物２０．３ｆ（（１０８２
１ｍｏｔ）ｋ得た。この化合物の融点は５９．３℃、Ｎ
Ｉ点は９．８℃（モノトロピック）であった。

実施例２ 〔トランス−１−（３，３−ジフルオロ−２−プロペニ
ル）−４−（４−シアノフェニル）シクロヘキサン（（
１）式でｎ−１のもの、即ち（２や調製〕 （１））ランス−４−（４−シアノフェニル）シクロヘ
キシルアセトアルデヒド（イ）の調製市販のメトキシメ
チルトリフェニルホスホニクムクロライド１２７．５　
ｆ　（０，３７２ｍｏｔ）　ｔ−メチル−ｔ−ブチルエ
ーテル１１に加え、アルゴン雰囲気中で攪拌下に一１０
℃にて１０分間でカリウム−１−ブトキシド４　Ｂ、　
１　ｆｌ　（０，３８４ｍｏｌ　）　？添加した。反応
液を１時間、０°Ｃにて攪拌後、−１０℃にて、実施例
１（１）で得られたトランス−４−（４−シアノフェニ
ル）シクロヘキシルカルボアルデヒド（η４４．１１　
（０，２０７ｍｏｔ）のメチル−ｔ−ブチルエーテル２
００　ｍｌ溶液を一１０℃にて１５分間で滴下した。反
応液を０℃で１時間攪拌稜トルエ：１０．３ｇ訃よび水
０．３１ｆ加えた。このトルエン溶液を水０．３１で４
回分液洗浄し、無水硫酸す）　ＩＪウムにて乾燥した。

乾燥剤を分離後、トルエンを留去して得られた残渣を酢
酸エチル１００　ｍｌに加熱溶解し１日室温に静置した
。析出した結晶をろ別し、母液を濃縮し、ヘプタンに溶
解して、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精
製してトランス−１−（２−メトキシ−１−エテニル）
−４−（４−シアノフェニル）シクロヘキサン３９．８
　ｆ　（０，１６５ｍｏｔ）を得た。その全量にテトラ
ヒドロフラン５００耐および２Ｎ−塩酸１２０　ｍｌを
加えて、１時間攪拌下に加熱還流した後冷却した１７反
応液にトルエン３００ｄおよび水１１を加えて洗浄する
３、このトルエン溶液を水１１で３回分液洗浄し、無水
硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥剤を分離後トルエンを
留去して、トランス−４−（４−シアノフェニル）シク
ロヘキシルアセトアルデヒド（Ｓ’１３５．４ｆ　（０
，１５６ｍｏｔ）ｅ得た。

（１１）表題化合物の製造 （＋）で得られたトランス−４−（４−シアノフェニル
）シクロヘキシルアセトアルデヒド■３５．４　ｆ　（
０，１５６ｍｏｔ）、トリフェニルホスフィン４９．Ｏ
ｆ　（０，１８７ｍｏｔ）、りｏｏジフルオロ酢酸ナト
リウム４７．５９　（０，３１１ｍｏｔ）及びジメチル
ホルムアミド１００ｍ１？窒素気流下で、３時間、約９
０℃に加熱攪拌後、室温まで冷却した。反応液にトルエ
ン２００　ｍｌおよび水２００ｇ／ｅ加えた。このトル
エン溶液を水２００　ｍｌで３回分液洗浄し、無水硫酸
す）　ＩＪウムにて乾燥した。乾燥剤を分離後、トルエ
ンを留去して、得られた残渣を減圧蒸留（沸点１５６〜
１５８°Ｃ１０，５ｊｌｌＨｇ　）　した。蒸留物をト
ルエンに溶解して、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで精製後、エタノールで再結晶を繰り返した後、乾燥
し、目的の表題化合物１８．６９　（０，０７１２ｍｏ
ｔ）を得た。この化合物の融点は、３０．８〜３１．５
°（３であった。又、外挿法によるＮＩ点は−３７，３
°Ｃであった。

実施例３ 〔トランス−１−（４，４−ジフルオロ−２−ブテニル
）−４−（４−シアノフェニル）シクロヘキサン（（１
）式でｎ−２のもの、即ち（３））の調製〕 （１）トランス−４−（４−シアノフェニル）シクロヘ
キシルプロピルアルデヒドの調製 市販のメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロラ
イド１５．７１　（０，０４５８ｍｏｔ）をテトラヒド
ロ７ラン１００ｄに加え、アルゴン雰囲気中で攪拌下に
一１０℃にて、２５重量％のフェニルリチウムのトルエ
ン溶液２３ｇ／を１０分間で滴下した。反応液を０℃で
３０分間攪拌後、−１０℃にて、実施例２（１）で得ら
れたトランス−４−（４−シアノフェニル）シクロヘキ
シルアセトアルデヒド（至）７．３Ｆ（０，０３２ｍｏ
ｔ）のテトラヒドロフラン９０ｇ１溶液を一１０°Ｃに
て１０分間で滴下した。反応液１−０℃で２時間攪拌後
トルエン溶液０ｍ？および水２００ｇ／を加えて洗浄す
る。このトルエン溶液全水２００　ｖｔｌで３回分液洗
浄後、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。乾燥剤を分離
後、トルエン金留去して得られた残渣を酢酸エチル２０
ｓ／に加熱溶解し１日室温にて静置した。析出した結晶
全ろ別し、母液を！縮してヘプタンに溶解し、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより精製してトランス−
１−（３−メトキシ−２−フロベニル）−４−（４−シ
アノフェニル）シクロヘキサン４．４　ｆ　（０，０１
７ｍｏｔ）　ｔ−得た。

その全量にテトラヒドロフラン７０ｍおよび２Ｎ−塩酸
１８ｇ／を加えて、１時間、攪拌下に加熱還流後、冷却
した。反応液にジエチルエーテル５０ｘ！および水５０
Ｍｔｆｔ加えた。このジエチルエーテル溶液全水５０肩
１で３回分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した
。乾燥剤を分離後、ジエチルエーテルを留去して、トラ
ンス−４−（４−シアノフェニル）シクロヘキシルプロ
ピルアルデヒド４．２１　（０，０１７ｍｏｔ）を得た
。

（１１）表題化合物の製造 （１）で得られたトランス−４−（４−シアノフェニル
）シクロヘキシルプロピルアルデヒド４．２　ｇ（０，
０１７ｍｏｔ　）、トリフェニルホスフィン５．２　ｆ
　（０，０２０ｍｏｔ）、クロロジフルオロ酢酸ナトリ
ウム４．５Ｆ（０，０２９ｍｏｔ　）及びジメチルホル
ムアミド３０ｘｌｆ窒素気流下にて３時間約９０°Ｃに
加熱攪拌後室源まで冷却した。

反応液にジエチルエーテル５０ｇ／および水１００Ｈ１
ｆ加えた。このジエチルエーテル溶液を水１００−で３
回分液洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。乾燥
剤を分離後ジエチルエーテルを留去してから、ヘキサン
に溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精
製後、エタノールで再結晶を繰り返して、目的の表題化
合物１．６Ｆ（０，００５８ｍｏｔ）？得た。この化合
物のＣＮ点は１１．６℃、ＮＩ点は２７．９°Ｃであっ
た。

実施例４（使用例１） からなる液晶組成物ＡのＮＩ点は、７２．０℃、２０°
Ｃに於ける粘度η１は、２７．５ｃｐ、Δεは、１１．
０（ε／−１５，７、ｇ上−４，７）、Δｎははθ、１
４（ｎ、＝１．６３、ｎｏ　””　１．４９　）であシ
、これをセル厚９μｍのＴＮセルに封入したもののしき
い値電圧は１．８３Ｖ、飽和電圧は２．７９■であった
。この液晶組成物Ａ８５重量部に実施例１で得られたト
ランス−１−（２，２−ジフルオロ−１−エチニル）−
４−（４−シアノフェニル）シクロヘキサンｔ−１５重
量部加えた液晶組成物のＮＩ点は６４７℃とあまり大き
く下降せず、η９は２６．６　ｃｐと減少し、ΔＥは１
０．３　（ｔｌ−１５，１、ｇ土−４，８）とやや減少
し、Δｎは０．１４　（ｎ＠雪１．６３、ｎＱＱ１０４
９）と変らなかった。この組成物を前述のものと同じ９
μｍ厚のＴＮのセルに封入したもののしきい値電圧は１
．７１Ｖ％飽和電圧はＬ６９Ｖと低下した。

実施例５（使用例２） 実施例４に示した液晶組成物Ａ８５重量部に実施例２で
得られたトランス−１−（３，３−ジフルオロ−２−プ
ロペニル）−４−（４−シアノフェニル）シクロヘキサ
ンｔ−１５重量部加えた液晶組成物のＮＩ点は５５．６
℃、η９は３０、Ｏｅｐ、ΔＣは１Ｇ、０（Ｅ／■１５
．０、ε土−５，０）でありΔ亀は（Ｌｉ２（ｎｅ−１
，６２、ｎ□■１．４９）となつ九。この液晶組成物を
前述のものと同じ９μｍ厚のＴＮセルに封入したものの
しきい値電圧は、Ｌ５３Ｖ、飽和電圧は１４１ｖと低下
した。

実施例６（使用例３） 使用例ＩＫ示した液晶組成物Ａ８５重量部に実施例３で
得られたトランス−１−（４，４−ジフルオロ−２−ブ
テニル）−４−（４−シアノフェニル）シクロヘキサン
を１５重置部加えた液晶組成物のＮＩ点は６６．６℃、
η卸は２８．９６ｐと低下し、ΔＣは１０．７（（／謹
１５．６、ｔｌ−４，９）であり、Δｎは０．１３（ｎ
＠−１，６２、ｎ０諺１．４９）となつ九。この液晶組
成物を前述のものと同じ９μｍ厚のＴＮセルに封入した
もののしきい値電圧は１．６９Ｖ、飽和電圧は２．７４
Ｖと低下した。

以上の如く本発明の（Ｉ）式の化合物を液晶の成分とし
て使用するととＫよシ、駆動電圧の低いＴＮ型表示素子
が得られる。

以上 手続補正書 平成元年３　月１７　日 １、事件の表示 昭和６３年特許願第４３３８５号 ２、発明の名称 液晶化合物 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 大阪府大阪市北区中之島三丁目６番３２号（〒５３０）
（２０７）チッソ株式会社 代表者野木貞雄 ４、代理人 東京都新宿区新宿２丁目８番１号（〒１６０）新宿セブ
ンビル３０３号室 ＋１） （６６０１）弁理士　佐々井　彌太部　　。

（電話　ａ　５４−１２８５　）　　−”’６、補正に
より増加する請求項の数 な　　し ７、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ８、補正の内容 １）明細書の第１６頁、第１３行目、「ジフルオロ−２
−Ｊｔｒジフルオロ−３−」に改める。

２）明細書の第２１頁、下から２行目「ＴＮ型・・・得
られる。」の後に、っぎの文章を加入する。

［実施例７ 〔トランス−１−（５，５−ジフルオロ−４−ペンテニ
ル）−４−（４−シアノフェニル）シクロヘキサン（（
１）式でｎ　ｗ−３のもの、即ち（４））の調製〕 （１）　）ランス−４−（４−シアノフェニル）シクロ
ヘキシルブチルアルデヒドの調製 市販のメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロラ
イド２５７　ｆ　（０，７５ｍｏｔ）　ｋテトラヒドロ
フラン５００　ｍｌに加え、アルゴン雰囲気中で攪拌下
に一１０℃にて、４０分間でカリウム−ｔ−ブトキシド
８４．２１　（０，７５ｍｏｔ）を添加した。反応液を
１時間、０°Ｃにて攪拌後、−１０°Ｃにて、実施例３
（１）の方法で得られるトーｙ７スー４−Ｃ４−シアノ
フェニル）シクロヘキシルブチルアルデヒド１２１ｇ（
０，５０ｍｏｔ）のテトラヒドロフラン４００　ｍｌ溶
液を一１０℃にて１時間で滴下した。反応液を０℃で１
時間攪拌後さらに２０°Ｃにて、２時間攪拌した。反応
液に０°Ｃにてトルエン１１及び水１１を加えた。この
トルエン溶液を水１ｇで４回分液洗浄し、無水硫酸マグ
オシラムにて乾燥した。乾燥剤を分離後、トルエンを留
去して得られた残渣をヘプタンを溶離液として、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製してトランス
−１−（４−メトキシ−３−ブテニル）−４−（４−シ
アノフェニル）シクロヘキサン１１０、８９　（０，４
１ｍｏｔ）　ｔ−得た。

その全量にテトラヒドロフラン１．５１および２Ｎ−塩
酸０．４１ｆ加えて、１時間、攪拌下に加熱還流後、冷
却した。反応液にジエチルエーテル０．５１及び水１１
に加えた。このジエチルエーテル溶液を水０．５１で３
回分液洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾
燥剤を分離後、減圧下に濃縮して１２０ｇの残渣を得た
。

これをヘプタン：酢酸エチル（３：１）の混合溶媒で再
結晶して、乾燥してトランス−４−（４−シアノフェニ
ル）シクロヘキシルブチルアルデヒド９８．０ｇ（０，
３６ｍｏｊ）を得た。

（１１）表題化合物の装造 （１）で得られたトランス−４−（４−シアノフェニル
）シクロへキシルブチルアルデヒド２０．０ＩＣ０，０
７８３ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン２４．７！Ｉ
　（０，０９４０ｍｏｔ）、りｏ。

ジフルオロ酢酸ナトリウム２３．９１　（０，１５７ｍ
ｏｌ　）及びジメチルホルムアミド７０ｇ１ｆ５１素気
流下にて３時間約９０″Ｃに加熱攪拌後室温まで冷却し
た７反応液にトルエン２００　ｙｔおよび水２００　ｄ
を加えた。このトルエン溶液を水３００ｇ／で３回分液
洗浄し、無水硫酸す）ＩＪウムにて乾燥した。乾燥剤を
分離後トルエンを留去してから、ヘプタンを溶離液とし
てシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製後、
ヘプタンを留去して、得られた残渣を減圧蒸留（沸Ａ１
６４°Ｃ１０，５闘Ｈｇ　）した。　これをエタノール
で再結晶を繰り返した後、乾燥し、目的の表題化合物７
．２ｆ　（０，０２５ｍｏｔ）？得た。

この化合物の融点は９．１°Ｃ％ＮＩ点は−１９，０”
Ｃ（モノトロピック）であった。

実施例８ 〔トランス−１−（６，６−ジフルオロ−５−へキセニ
ル）−４−（４−シアノフェニル）シクロヘキサン（（
１）式でｎ＝４のもの、即ち（５））の調製〕 （１）　）　ランス−４−（４−シアノフェニル）シク
ロヘキシルペンチルアルデヒドの調製 市ｕのメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロラ
イド１２０．８Ｆ　（０，３５ｍｏｔ）ｋテトラヒドロ
フラン４００ｇ１に加え、アルゴン雰囲気中で攪拌下に
一１０℃にて２０分間でカリウム−ｔ−ブトキシド３９
．５９　（０，３５ｍｏｔ）を添加したｅ反応液を１時
間０℃にて攪拌後、−１０℃にて、実施例７（１）の方
法で得たトラ／ス−４−（４−シアノフェニル）シクロ
ヘキシルブチルアルデヒド６０．０１　（０，２３ｍｏ
ｔ）のテトラヒドロフラン３００　ｍｌ溶液’１−１０
”Ｃにて１時間で滴下した。反応液を０°Ｃで１時間攪
拌後、さらに２０’Ｃにて２時間攪拌した。反応液に０
℃にてトルエン１１及び水ｌｌを加えた。

このトルエン溶液を水１１で４回分液洗浄し、無水硫酸
マグネシウムにて乾燥した。乾燥剤を分離後トルエンを
留去して得、られた残渣をヘプタンを溶離液としてシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して、トラ
ンス−１−（５−メトキシ−４−ペンテニル）−４−（
４−シアノフェニル）シクロヘキサン５２．６９（０，
１９ｍｏｔ）を得た。

その全量にテトラヒドロフラン７５０　ｍｌおよび２Ｎ
−塩酸１９０＋ｌを加えて、１時間、攪拌下に加熱還流
後冷却した。反応液にジエチルエーテル０．５１及び水
ＩＡ’を加えた。このジエチルエーテル溶液を水０．５
１で３回分液洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥し
た。乾燥剤を分離後減圧下に濃縮して５０ｆの残渣を得
た。

これをヘプタン：酢酸エチル（３：１）の混合溶媒で再
結晶して、乾燥して、トランス−４−（４−シアノフェ
ニル）シクロヘキシルペンチルアルデヒド４８．１１　
（０，１６ｍｏ７　）を得た。

（１１）表題化合物の製造 （１）で得られたトランス−４−（４−シアノフェニル
）シクロヘキシルペンチルアルデヒド２０、Ｏｆ　（０
，０７４ｍｏｔ）、トリフェニルホスフィン２８．５　
ｆ　（０，０９０ｍｏｔ）、クロロジフルオロ酢酸ナト
リウム２２．７　ｆ　（０，１４９ｍｏｔ）及びジメチ
ルホルムアミド７０−を窒素気流下にて３時間約９０°
Ｃに加熱攪拌後室源まで冷却しな。反応液にトルエン２
００厘ｌおよび水２００ｍａｒ加えた。このトルエン溶
液を水２００１１１で３回分液洗浄し、無水硫酸す）　
ＩＪウムにて乾燥した。乾燥剤を分離後トルエンを留去
してから、ヘプタンを溶離液としてシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにより精製後、ヘプタンを留去して、
得られた残渣をエタノールで再結晶を繰り返した後、乾
燥し目的の表題化合物１５．４Ｆ（０，０５１ｍｏｔ）
　ｋ得た。この化合物のＣＮ点は１９．６°Ｃ，ＮＩ点
は３４．７°Ｃであった。　」以上

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、ｎは０〜２０の整数である） で表わされる化合物。
2. （２）請求項１記載の（ I ）式に於いてｎが０〜６の
   整数である化合物。
3. （３）請求項１記載の（ I ）式の化合物を少くとも１
   種含有する液晶組成物。