JPH01214109A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01214109A JPH01214109A JP4001988A JP4001988A JPH01214109A JP H01214109 A JPH01214109 A JP H01214109A JP 4001988 A JP4001988 A JP 4001988A JP 4001988 A JP4001988 A JP 4001988A JP H01214109 A JPH01214109 A JP H01214109A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor device
- circuit
- defective
- recess
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ウェハ全面を１個の機能回路群として用い
る半導体素子の欠陥修復に関するものである。
る半導体素子の欠陥修復に関するものである。
従来のこの種の半導体装置の平面図を第４図に示す。図
において（１）はウェハ、（２）は欠陥回路部、（３）
は欠陥回路部（２）と周辺の良品部と電気的に接続して
いる配線である。
において（１）はウェハ、（２）は欠陥回路部、（３）
は欠陥回路部（２）と周辺の良品部と電気的に接続して
いる配線である。
次に作用について説明する。
完成した半導体素子をテストし、機能的に欠陥のある部
分を発見すると、その欠陥回路部（２）と周辺を接続し
ている配線（３）を、スクライバ−等の機械的方法や、
過電流やレーザーを用いた電気的方法により切断し、欠
陥回路部（２）を周辺部より弧立させ、欠陥回路部（２
）が周辺部に影響を与えないようにする。
分を発見すると、その欠陥回路部（２）と周辺を接続し
ている配線（３）を、スクライバ−等の機械的方法や、
過電流やレーザーを用いた電気的方法により切断し、欠
陥回路部（２）を周辺部より弧立させ、欠陥回路部（２
）が周辺部に影響を与えないようにする。
従来は、このような半導体素子には必ず欠陥が発生する
という前提に立′ら、ウェハ上に回路的に同一回路を複
数個用意し、欠陥回路部１個を弧立させても予備が使用
できるように設計されているため、集積度が低下しまた
回路的に冗長度が大きくなるなどの欠点があった。
という前提に立′ら、ウェハ上に回路的に同一回路を複
数個用意し、欠陥回路部１個を弧立させても予備が使用
できるように設計されているため、集積度が低下しまた
回路的に冗長度が大きくなるなどの欠点があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、欠陥回路部を良品素子と置き換え
るようにしたものである。
めになされたもので、欠陥回路部を良品素子と置き換え
るようにしたものである。
この発明はおける半導体装置は、ウェハ上の欠陥回路部
を良品素子と置き換えるので、ウェハ上に予め予備回路
を設けておかなくても完全な機能回路群を完成すること
ができる。
を良品素子と置き換えるので、ウェハ上に予め予備回路
を設けておかなくても完全な機能回路群を完成すること
ができる。
第１図はこの発明による半導体装置の一実施例を示す平
面図、第２図及び第３図は共に第１図に示すＡ−Ａにお
ける断面図で、第２図は欠陥回路部を良品素子と置き換
える前の状況、第３図は置き換え後の完成状況を示す。
面図、第２図及び第３図は共に第１図に示すＡ−Ａにお
ける断面図で、第２図は欠陥回路部を良品素子と置き換
える前の状況、第３図は置き換え後の完成状況を示す。
図において、（１）はウェハ、（２）は欠陥回路部（（
２）はウェハ（１）に掘り込んだくぼみ、（２）は、欠
陥回路部（２）と同一の回路を有する良品素子、（２）
は、ウェハ（１）と良品素子（２）を結ぶ電気的接続で
ある。
２）はウェハ（１）に掘り込んだくぼみ、（２）は、欠
陥回路部（２）と同一の回路を有する良品素子、（２）
は、ウェハ（１）と良品素子（２）を結ぶ電気的接続で
ある。
次に作用について説明する。
ウェハ（１）上に完成した半導体素子をテストし、機能
的に欠陥のある部分を発見すると、欠陥回路部（２）を
グラインダ等の機械的方法、エツチング等の化学的方法
、又はレーザー等の光学的方法により、ウェハ（１）を
掘り込み、くぼみ（２）を作る。くぼみ（ロ）と形状的
、厚さ的に同一で、欠陥回路部（２）の正常回路と回路
的に同一な良品素子（２）を、くぼみ（財）にはめ込む
。ウェハ（１）と良品素子（２）の機械的接合は、接着
剤、ろう付け、圧接、あるいは金属相互拡散等の方法に
よりオーミック接合する。次に、ウェハ（１１と良品素
子（２）を、写真製版法やワイヤボンディング法を用い
てｒα電気的接続２）を作る。
的に欠陥のある部分を発見すると、欠陥回路部（２）を
グラインダ等の機械的方法、エツチング等の化学的方法
、又はレーザー等の光学的方法により、ウェハ（１）を
掘り込み、くぼみ（２）を作る。くぼみ（ロ）と形状的
、厚さ的に同一で、欠陥回路部（２）の正常回路と回路
的に同一な良品素子（２）を、くぼみ（財）にはめ込む
。ウェハ（１）と良品素子（２）の機械的接合は、接着
剤、ろう付け、圧接、あるいは金属相互拡散等の方法に
よりオーミック接合する。次に、ウェハ（１１と良品素
子（２）を、写真製版法やワイヤボンディング法を用い
てｒα電気的接続２）を作る。
以上のように、この発明によれば、欠陥回路部を別の良
品素子と置き換えるので設計的に予備回路を設（ブる必
要がなく、集積度が向上し、また冗長度も必要最小限に
低くできる。
品素子と置き換えるので設計的に予備回路を設（ブる必
要がなく、集積度が向上し、また冗長度も必要最小限に
低くできる。
第１図はこの発明による半導体装置の一実施例を示す平
面図、第２図及び第３図は共に第１図に示すＡ−Ａにお
ける断面図で、第２図は欠陥回路部を良品素子と置き換
える前の状況、第３図は置き換え後の完成状況を示す。 第４図は従来の半導体装置の一例を示す平面図である。 図において、（１）はウェハ、（２）は欠陥回路部、（
２）はくぼみ、（２）は良品素子、働は電気的接続であ
る。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
面図、第２図及び第３図は共に第１図に示すＡ−Ａにお
ける断面図で、第２図は欠陥回路部を良品素子と置き換
える前の状況、第３図は置き換え後の完成状況を示す。 第４図は従来の半導体装置の一例を示す平面図である。 図において、（１）はウェハ、（２）は欠陥回路部、（
２）はくぼみ、（２）は良品素子、働は電気的接続であ
る。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- ウェハ全面を１個の機能回路群として使用する半導体
素子において、一部の不良部分を修復するために、上記
不良部分を削り去り、その部分に相当する良品素子を、
上記削り去つた部分に表面が一致するようにはめ込み、
元のウェハと、はめ込んだ良品素子とを機械的、電気的
に接続してなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4001988A JPH01214109A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4001988A JPH01214109A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01214109A true JPH01214109A (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=12569193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4001988A Pending JPH01214109A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01214109A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011108327A1 (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-09 | 株式会社日立製作所 | 再配列ウェーハの製造方法および半導体装置の製造方法 |
| CN106971952A (zh) * | 2016-01-13 | 2017-07-21 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 半导体器件失效分析样品及其制备方法、失效分析方法 |
-
1988
- 1988-02-23 JP JP4001988A patent/JPH01214109A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011108327A1 (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-09 | 株式会社日立製作所 | 再配列ウェーハの製造方法および半導体装置の製造方法 |
| JPWO2011108327A1 (ja) * | 2010-03-04 | 2013-06-24 | 株式会社日立製作所 | 再配列ウェーハの製造方法および半導体装置の製造方法 |
| CN106971952A (zh) * | 2016-01-13 | 2017-07-21 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 半导体器件失效分析样品及其制备方法、失效分析方法 |
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