JPH01164034A - ウェハース周辺部膜厚均一化機構 - Google Patents
ウェハース周辺部膜厚均一化機構Info
- Publication number
- JPH01164034A JPH01164034A JP32349987A JP32349987A JPH01164034A JP H01164034 A JPH01164034 A JP H01164034A JP 32349987 A JP32349987 A JP 32349987A JP 32349987 A JP32349987 A JP 32349987A JP H01164034 A JPH01164034 A JP H01164034A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- ring
- resist
- face
- chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特にウェハース表面に
化学薬品を滴下し、回転させながら処理を行う塗布、現
像装置に関する。
化学薬品を滴下し、回転させながら処理を行う塗布、現
像装置に関する。
従来、ウェハースにレジストを塗布するには第３図（ａ
）、（ｂ）に示すようにウェハーチャック４にウェハー
ス１を吸着し、ウェハースにレジスト等を滴下し、回転
させながらその全面に付着させていた。
）、（ｂ）に示すようにウェハーチャック４にウェハー
ス１を吸着し、ウェハースにレジスト等を滴下し、回転
させながらその全面に付着させていた。
上記目的に使用する従来のレジスト塗布装置は第３図（
ｂ）に示すようにウェハース１の中心部分がウェハーチ
ャック４に支えられるのみのため、回転による遠心力作
用でレジスト塗布時にウェハース１の周辺部に塗布され
たフォトレジスト２の膜厚２ａがウェハース中央部の膜
厚２ｂよりも厚くなり、それによってウェハース１上に
パターニングした際、ウェハース周辺部では良好なパタ
ーン形成ができない。また現像液をウェハース上に盛る
場合は、ウェハース中央部と周辺部とでは盛られる液量
が異なり、ウェハース中央部と周辺部でパターン形成状
態に差が出てしまう。さらに現像液はウェハース裏面に
まわり込みやすく、裏面汚れの原因となるという欠点が
ある。
ｂ）に示すようにウェハース１の中心部分がウェハーチ
ャック４に支えられるのみのため、回転による遠心力作
用でレジスト塗布時にウェハース１の周辺部に塗布され
たフォトレジスト２の膜厚２ａがウェハース中央部の膜
厚２ｂよりも厚くなり、それによってウェハース１上に
パターニングした際、ウェハース周辺部では良好なパタ
ーン形成ができない。また現像液をウェハース上に盛る
場合は、ウェハース中央部と周辺部とでは盛られる液量
が異なり、ウェハース中央部と周辺部でパターン形成状
態に差が出てしまう。さらに現像液はウェハース裏面に
まわり込みやすく、裏面汚れの原因となるという欠点が
ある。
本発明の目的は上記欠点を解消し、レジストなどの塗布
時にウェハース周辺部とウェハース中央部とに均一な厚
さの塗膜を形成させるウエハース周辺部膜厚均一化機構
を提供することにある。
時にウェハース周辺部とウェハース中央部とに均一な厚
さの塗膜を形成させるウエハース周辺部膜厚均一化機構
を提供することにある。
上述した従来のレジスト塗布装置に対し、本発明はウェ
ハースを受け入れ、ウェハース表面に続いてその周縁延
長面に塗膜を形成させる立上り部を備えたダミー用リン
グを用い、ウェハース周辺部と中央部とに同じ膜厚の塗
膜を形成できるという相違点を有する。
ハースを受け入れ、ウェハース表面に続いてその周縁延
長面に塗膜を形成させる立上り部を備えたダミー用リン
グを用い、ウェハース周辺部と中央部とに同じ膜厚の塗
膜を形成できるという相違点を有する。
本発明はウェハースを吸着保持してこれを回転させるウ
ェハーチャックと、該ウェハースを開口内に受け入れ、
受け入れられたウェハースの周縁延長面上に該ウェハー
スの表面と同一高さのレジスト等の塗布面を形成する環
状立上り部を有するダミーリングとを備えたことを特徴
とするウェハース周辺部膜厚均一化機構である。
ェハーチャックと、該ウェハースを開口内に受け入れ、
受け入れられたウェハースの周縁延長面上に該ウェハー
スの表面と同一高さのレジスト等の塗布面を形成する環
状立上り部を有するダミーリングとを備えたことを特徴
とするウェハース周辺部膜厚均一化機構である。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図（ａ）、（ｂ）において１本発明はウェハースを
吸着保持してこれを回転させるウェハーチャック４に、
ウェハース１を受け入れる開口を有するダミー用リング
３を装備したものである。ダミー用リング３は、ウェハ
ース１の外径よりやや大口径の開口を有する環状体で、
環状立上り部３ａの立上り高さは開口内に受け入れてチ
ャック４上に保持されたウェハース１の厚味と同一に設
定され、立上り部３ａの上面はウェハース１の表面に続
く延長面をなしている。
吸着保持してこれを回転させるウェハーチャック４に、
ウェハース１を受け入れる開口を有するダミー用リング
３を装備したものである。ダミー用リング３は、ウェハ
ース１の外径よりやや大口径の開口を有する環状体で、
環状立上り部３ａの立上り高さは開口内に受け入れてチ
ャック４上に保持されたウェハース１の厚味と同一に設
定され、立上り部３ａの上面はウェハース１の表面に続
く延長面をなしている。
図に示すように、ウェハース１上にレジスト２を滴下さ
せ回転させるとレジスト２は周辺部へと広がっていく。
せ回転させるとレジスト２は周辺部へと広がっていく。
このとき、ダミー用リング３はウェハース１の外周縁に
隣接し、同一平面をなしているため、レジスト２はダミ
ー用リング３の立上り部３ａの上面にまで広がっていく
。塗布終了時にはレジスト膜厚の厚い部分はダミー用リ
ング３上にあり、ウェハース１上の膜厚は第１図（ｃ）
のように均一となる。また、上記機構はレジストだけで
はなく、ポリイミド塗布の場合にも同様に適用できる。
隣接し、同一平面をなしているため、レジスト２はダミ
ー用リング３の立上り部３ａの上面にまで広がっていく
。塗布終了時にはレジスト膜厚の厚い部分はダミー用リ
ング３上にあり、ウェハース１上の膜厚は第１図（ｃ）
のように均一となる。また、上記機構はレジストだけで
はなく、ポリイミド塗布の場合にも同様に適用できる。
（実施例２）
第２図（ａ）は本発明の実施例２の平面図である。
第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＢ−８’線断面図である
。
。
実施例２は現像液５を用いる現像処理に適用した例を示
すもので、裏面汚れ防止機能付ダミー用リング６を用い
ている。この裏面汚れ防止機能付ダミー用リング６は立
上り部６ａの下部に内径側に張り出した段部６ｂを有し
、段部６ｂとウェハース裏゛ 面とに０．５ｍ程度の
間隔を確保させている。段部６ｂはウェハース裏面へま
わり込みそうになった液をその液の表面張力でウェハー
ス裏面とのα５ｍｎ程度の間隔に閉じ込め、それ以上の
液のまわり込みを防ぐ効果がある。
すもので、裏面汚れ防止機能付ダミー用リング６を用い
ている。この裏面汚れ防止機能付ダミー用リング６は立
上り部６ａの下部に内径側に張り出した段部６ｂを有し
、段部６ｂとウェハース裏゛ 面とに０．５ｍ程度の
間隔を確保させている。段部６ｂはウェハース裏面へま
わり込みそうになった液をその液の表面張力でウェハー
ス裏面とのα５ｍｎ程度の間隔に閉じ込め、それ以上の
液のまわり込みを防ぐ効果がある。
従って、この実施例ではウェハース裏面ま”わり込みが
起きやすい現像液も使用でき、それによりウェハース上
の現像液量の面内均一化ができ、現像後のパターン寸法
の面内バラツキを減少させるという利点を有する。
起きやすい現像液も使用でき、それによりウェハース上
の現像液量の面内均一化ができ、現像後のパターン寸法
の面内バラツキを減少させるという利点を有する。
以上説明したように本発明はウェハースを受け入れ、そ
の周辺延長面に塗布面を形成するダミー用リングを用い
ることにより、レジストや現像液量のウェハース面内均
一化を図ることができ、パターンニング寸法の面内バラ
ツキを減少させる効果がある。
の周辺延長面に塗布面を形成するダミー用リングを用い
ることにより、レジストや現像液量のウェハース面内均
一化を図ることができ、パターンニング寸法の面内バラ
ツキを減少させる効果がある。
第１図（ａ）は本発明のウェハース周辺部膜厚均一化機
構の平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線
断面図、第１図（ｃ）はレジスト塗布後のウェハースの
断面図、第２図（ａ）は実施例２の平面図、第２図（ｂ
）は第２図（ａ）の８−Ｂ′線断面図、第３図（ａ）は
従来のウェハーチャックの上面図、第３図（ｂ）は第３
図（ａ）のｃ−ｃ’線断面図である。 １・・・ウェハース ２・・・レジスト３・・
・ダミー用リング ４・・・ウェハーチャック５・
・・現像液
構の平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線
断面図、第１図（ｃ）はレジスト塗布後のウェハースの
断面図、第２図（ａ）は実施例２の平面図、第２図（ｂ
）は第２図（ａ）の８−Ｂ′線断面図、第３図（ａ）は
従来のウェハーチャックの上面図、第３図（ｂ）は第３
図（ａ）のｃ−ｃ’線断面図である。 １・・・ウェハース ２・・・レジスト３・・
・ダミー用リング ４・・・ウェハーチャック５・
・・現像液
Claims (1)
- （１）ウェハースを吸着保持してこれを回転させるウェ
ハーチャックと、該ウェハースを開口内に受け入れ、受
け入れられたウェハースの周縁延長面上に該ウェハース
の表面と同一高さのレジスト等の塗布面を形成する環状
立上り部を有するダミーリングとを備えたことを特徴と
するウェハース周辺部膜厚均一化機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32349987A JPH01164034A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | ウェハース周辺部膜厚均一化機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32349987A JPH01164034A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | ウェハース周辺部膜厚均一化機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01164034A true JPH01164034A (ja) | 1989-06-28 |
Family
ID=18155370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32349987A Pending JPH01164034A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | ウェハース周辺部膜厚均一化機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01164034A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000048045A1 (en) * | 1999-02-11 | 2000-08-17 | Mitel Semiconductor Limited | Mounting for mask plate and method of developing mask plate |
| JP2001345543A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | フラックス転写装置 |
| US8202460B2 (en) | 2005-09-22 | 2012-06-19 | International Business Machines Corporation | Microelectronic substrate having removable edge extension element |
-
1987
- 1987-12-21 JP JP32349987A patent/JPH01164034A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000048045A1 (en) * | 1999-02-11 | 2000-08-17 | Mitel Semiconductor Limited | Mounting for mask plate and method of developing mask plate |
| JP2001345543A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | フラックス転写装置 |
| US8202460B2 (en) | 2005-09-22 | 2012-06-19 | International Business Machines Corporation | Microelectronic substrate having removable edge extension element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6094965A (en) | Semiconductor calibration structures and calibration wafers for ascertaining layer alignment during processing and calibrating multiple semiconductor wafer coating systems | |
| JPH01164034A (ja) | ウェハース周辺部膜厚均一化機構 | |
| JPH02266517A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04267969A (ja) | 回転塗布装置のチャック | |
| JPS63141670A (ja) | 回転塗布装置 | |
| JPS60198818A (ja) | フオトレジストの現像装置 | |
| JPS62221464A (ja) | 回転塗布用真空吸着台 | |
| JP2537611B2 (ja) | 塗布材料の塗布装置 | |
| JPS62185322A (ja) | フオトレジスト塗布装置 | |
| JPS6217851B2 (ja) | ||
| JPS60161767A (ja) | 自動回転塗布機 | |
| JPS6342526Y2 (ja) | ||
| JPH0556847B2 (ja) | ||
| JPH0342816A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPS591386B2 (ja) | 回転塗布装置 | |
| KR100706781B1 (ko) | 개선된 구조의 노즐 유닛을 포함하는 현상 장치 | |
| JPS61184824A (ja) | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 | |
| JPS6281715A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS60226124A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPS5812336A (ja) | バキユ−ム・チヤツク | |
| JPH0632673Y2 (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPS63260025A (ja) | 回転塗布装置 | |
| JPS63258667A (ja) | チヤツク | |
| JPS63213929A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPS639130U (ja) |