JPH01112734A - レジストのアッシング方法 - Google Patents
レジストのアッシング方法Info
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- JPH01112734A JPH01112734A JP27131487A JP27131487A JPH01112734A JP H01112734 A JPH01112734 A JP H01112734A JP 27131487 A JP27131487 A JP 27131487A JP 27131487 A JP27131487 A JP 27131487A JP H01112734 A JPH01112734 A JP H01112734A
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造工程において用いられるダウンフロ一
方式のアッシング方法に関し。
方式のアッシング方法に関し。
レジスト層に注入された不純物イオンを残すことなくレ
ジスト層をアッシング除去可能とする方法を提供するこ
とを目的とし。
ジスト層をアッシング除去可能とする方法を提供するこ
とを目的とし。
ダウンフロ一方式のアッシング装置におけるプラズマ発
生室に0.ガスを主成分とじ820を副成分とする混合
ガスを導入して該混合ガスのプラズマを発生し、被処理
基板に塗布されたレジスト層ならびにレジスト層に注入
された不純物イオンを選択的に除去することから構成さ
れる。
生室に0.ガスを主成分とじ820を副成分とする混合
ガスを導入して該混合ガスのプラズマを発生し、被処理
基板に塗布されたレジスト層ならびにレジスト層に注入
された不純物イオンを選択的に除去することから構成さ
れる。
本発明は半導体装置の製造工程において用いられるレジ
スト塗布層の除去方法に係り、とくにダウンフロ一方式
のアッシング方法に関する。
スト塗布層の除去方法に係り、とくにダウンフロ一方式
のアッシング方法に関する。
半導体装置の微細化にともなって製造工程の乾式化が進
められている。リソグラフィ工程においてマスクとして
用いられたレジスト層の除去についても溶剤による湿式
除去に代わって、レジスト層を固相・気相反応で除去す
るアッシングと呼ばれる乾式方法が用いられている。
められている。リソグラフィ工程においてマスクとして
用いられたレジスト層の除去についても溶剤による湿式
除去に代わって、レジスト層を固相・気相反応で除去す
るアッシングと呼ばれる乾式方法が用いられている。
乾式除去方法においては、酸素ガスのプラズマを発生し
、このプラズマ中に含まれる原子状の酸素とレジスト層
との反応を利用する。このアッシング方法のうちには、
荷電粒子の衝突による基板の損傷を避けるために、被処
理基板を設置する場所をプラズマを発生する場所とを分
離し、プラズマ中のイオンあるいは電子等が被処理基板
に到達しないような手段を設けた装置を用いるいわゆる
ダウンフロ一方式の方法がある。
、このプラズマ中に含まれる原子状の酸素とレジスト層
との反応を利用する。このアッシング方法のうちには、
荷電粒子の衝突による基板の損傷を避けるために、被処
理基板を設置する場所をプラズマを発生する場所とを分
離し、プラズマ中のイオンあるいは電子等が被処理基板
に到達しないような手段を設けた装置を用いるいわゆる
ダウンフロ一方式の方法がある。
ダウンフロ一方式のレジスト層除去における反応ガスは
一般に酸素ガスを主成分とするが、中性酸素原子(0)
の生成効率を高めるために、少量の副成分ガスを添加す
ることが行われている。このダウンフロ一方式のアッシ
ングにおいては、有機物であるレジスト層は酸素原子と
化学反応を起こし、 COtおよび11□0等の揮発性
物質に変えられて除去される。
一般に酸素ガスを主成分とするが、中性酸素原子(0)
の生成効率を高めるために、少量の副成分ガスを添加す
ることが行われている。このダウンフロ一方式のアッシ
ングにおいては、有機物であるレジスト層は酸素原子と
化学反応を起こし、 COtおよび11□0等の揮発性
物質に変えられて除去される。
一方1通常の半導体装置の製造工程においては。
シリコンウェハ等の被処理基板に塗布形成されているレ
ジスト層にも、被処理基板に注入される不純物イオンが
同時に注入される。一般に不純物として注入される硼素
(B)、燐(P)、砒素(As)等はアッシング工程に
おいて不揮発性の酸化物を形成するために、レジスト層
と同時に除去されず。
ジスト層にも、被処理基板に注入される不純物イオンが
同時に注入される。一般に不純物として注入される硼素
(B)、燐(P)、砒素(As)等はアッシング工程に
おいて不揮発性の酸化物を形成するために、レジスト層
と同時に除去されず。
レジスト層除去後の被処理基板表面に残る。このような
残留不純物は、以後の熱処理工程において被処理基板に
拡散し、ここに形成されるトランジスタ等の素子特性に
好ましくない影響を与える。
残留不純物は、以後の熱処理工程において被処理基板に
拡散し、ここに形成されるトランジスタ等の素子特性に
好ましくない影響を与える。
とくに、半導体装置の微細化にともなって高ドーズ量の
イオン注入が行われる傾向にあり、アッシング後の残留
不純物の影響は大きくなる。
イオン注入が行われる傾向にあり、アッシング後の残留
不純物の影響は大きくなる。
本発明はダウンフロ一方式によるレジストのアッシング
において上記の問題が生じない方法を提供することを目
的とする。
において上記の問題が生じない方法を提供することを目
的とする。
上記の目的は、ダウンフロ一方式のレジストアッシング
方法において、処理室にレジスト層が形成された被処理
基板を設置し、プラズマ発生室に0!ガスを主成分とし
H,0を副成分とする。混合ガスを導入して該混合ガス
のプラズマを発生し、該レジスト層ならびに該レジスト
層に注入された不純物イオンを選択的に除去することを
特徴とする。
方法において、処理室にレジスト層が形成された被処理
基板を設置し、プラズマ発生室に0!ガスを主成分とし
H,0を副成分とする。混合ガスを導入して該混合ガス
のプラズマを発生し、該レジスト層ならびに該レジスト
層に注入された不純物イオンを選択的に除去することを
特徴とする。
本発明に係るレジストのアッシング方法により達成され
る。
る。
ダウンフロ一方式のアッシングにおいて+ 01ガスに
副成分としてHzOを添加することにより、イオン注入
工程においてレジスト層に注入されたB。
副成分としてHzOを添加することにより、イオン注入
工程においてレジスト層に注入されたB。
P、As等の不純物を揮発性の物質に変えてレジスト層
と同時に除去する。
と同時に除去する。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は本発明を実施するために用いられたダウンフロ
一方式のアッシング装置の模式的断面図である。真空容
器1の内部は、シャワーヘッド2によってプラズマ発生
室3と処理室4とに分離されている。プラズマ発生室3
には反応ガスを導入するための導入管5と反応ガスのプ
ラズマを発生させるためのマイクロ波発生源6に接続さ
れたマイクロ波導入管7が設けられている。
一方式のアッシング装置の模式的断面図である。真空容
器1の内部は、シャワーヘッド2によってプラズマ発生
室3と処理室4とに分離されている。プラズマ発生室3
には反応ガスを導入するための導入管5と反応ガスのプ
ラズマを発生させるためのマイクロ波発生源6に接続さ
れたマイクロ波導入管7が設けられている。
マイクロ波導入管7には1例えば石英ガラス板から成る
マイクロ波透過窓8と、該マイクロ波透過窓8を冷却す
るための水冷フランジ9が取りつけられている。一方、
処理室4には真空容器1内を所定の低圧に保持するため
の排気系に接続された排気管lOが設けられており、ま
た、処理室4の底面にはレジスト層が塗布されたシリコ
ンウェハ等の被処理基板11を載置するための温度制御
が可能なステージ13が設置されている。シャワーヘッ
ド2は接地電位に保持されており、また貫通する小孔1
2が多数設けられている。
マイクロ波透過窓8と、該マイクロ波透過窓8を冷却す
るための水冷フランジ9が取りつけられている。一方、
処理室4には真空容器1内を所定の低圧に保持するため
の排気系に接続された排気管lOが設けられており、ま
た、処理室4の底面にはレジスト層が塗布されたシリコ
ンウェハ等の被処理基板11を載置するための温度制御
が可能なステージ13が設置されている。シャワーヘッ
ド2は接地電位に保持されており、また貫通する小孔1
2が多数設けられている。
上記の装置を用いて下記の工程によりアッシングを行う
。
。
■ステージ13上に1例えば1 xIQISないし1x
1016原子/dの比較的高ドーズ量のB、P、^S等
の不純物イオンが注入されたレジスト層が形成されてい
るシリコンウェハのような被処理基板1を載置する。
1016原子/dの比較的高ドーズ量のB、P、^S等
の不純物イオンが注入されたレジスト層が形成されてい
るシリコンウェハのような被処理基板1を載置する。
■排気管10を通じて真空容器1の内部を真空に排気し
たのち、導入管5から1〜lO%程度のH2Oを含むO
z+HtO系の混合ガスを所定の流量で導入する。この
時のプラズマ発生室3内におけるガス圧が約1.0To
rrとなるように制御する。
たのち、導入管5から1〜lO%程度のH2Oを含むO
z+HtO系の混合ガスを所定の流量で導入する。この
時のプラズマ発生室3内におけるガス圧が約1.0To
rrとなるように制御する。
■マイクロ波発生源6を起動し、マイクロ波透過窓8を
通してプラズマ発生室3内の混合ガスにマイクロ波を照
射し、プラズマを発生させる。なお、マイクロの周波数
およびパワーの一例は、それぞれ、 2.45GHzお
よび1.5Kl(である。
通してプラズマ発生室3内の混合ガスにマイクロ波を照
射し、プラズマを発生させる。なお、マイクロの周波数
およびパワーの一例は、それぞれ、 2.45GHzお
よび1.5Kl(である。
上記のようにして発生されたプラズマ中のイオン、電子
はシャワーヘッド2に衝突して電荷を失うために、処理
室4内にはイオンあるいは電子が入らず、被処理基板に
好ましくない損傷を生じない。一方、プラズマ中の中性
の酸素原子(0)、11□0分子が解離して生じた中性
の水素原子(H)、遊離OH基等は拡散してシャワーヘ
ッド2の小孔12を通過し処理室4に入り、被処理基板
11に塗布されているレジスト層および該レジスト層に
注入されているB、P、As等の不純物イオンと反応す
る。その結果、上記の不純物イオンはレジスト層と共に
揮発性の物質として排気管10を通じて除去される。
はシャワーヘッド2に衝突して電荷を失うために、処理
室4内にはイオンあるいは電子が入らず、被処理基板に
好ましくない損傷を生じない。一方、プラズマ中の中性
の酸素原子(0)、11□0分子が解離して生じた中性
の水素原子(H)、遊離OH基等は拡散してシャワーヘ
ッド2の小孔12を通過し処理室4に入り、被処理基板
11に塗布されているレジスト層および該レジスト層に
注入されているB、P、As等の不純物イオンと反応す
る。その結果、上記の不純物イオンはレジスト層と共に
揮発性の物質として排気管10を通じて除去される。
O2ガスにHgOを添加するとプラズマ中の中性酸素原
子の量が0.ガス単独の場合よりも増加し、レジストの
アッシングレートが増大することが確かめられている。
子の量が0.ガス単独の場合よりも増加し、レジストの
アッシングレートが増大することが確かめられている。
一方、上記B、P、As等の不純物イオンが揮発性の物
質に変換されるのは、プラズマ中のH2Oから遊離した
中性Φ水素原子(H)がこれらの不純物イオンと反応し
、Bzllb、PH3,へsa3等の気体分子を生成す
るためと考えられる。
質に変換されるのは、プラズマ中のH2Oから遊離した
中性Φ水素原子(H)がこれらの不純物イオンと反応し
、Bzllb、PH3,へsa3等の気体分子を生成す
るためと考えられる。
本発明によれば、シリコンウェハのような被処理基板に
形成されたレジスト層のアッシング工程において、該レ
ジスト層に注入されている不純物イオンを同時に除去で
きるので、所望の特性を有する高集積半導体装置を高歩
留りで製造可能とする効果がある。
形成されたレジスト層のアッシング工程において、該レ
ジスト層に注入されている不純物イオンを同時に除去で
きるので、所望の特性を有する高集積半導体装置を高歩
留りで製造可能とする効果がある。
第1図は本発明の実施に用いたダウンフロ一方式のアッ
シング装置の構造を示す模式的断面図である。 図において。 1は真空容器。 2はシャワーヘッド。 3はプラズマ発生室。 4は処理室。 5は導入管。 6はマイクロ波発生源。 7はマイクロ波導入管。 8はマイクロ波透過窓。 9は水冷フランジ。 10は排気管。 11は被処理基板。 12は小孔。 13はステージ である。
シング装置の構造を示す模式的断面図である。 図において。 1は真空容器。 2はシャワーヘッド。 3はプラズマ発生室。 4は処理室。 5は導入管。 6はマイクロ波発生源。 7はマイクロ波導入管。 8はマイクロ波透過窓。 9は水冷フランジ。 10は排気管。 11は被処理基板。 12は小孔。 13はステージ である。
Claims (1)
- 反応ガスが導入され、該反応ガスのプラズマを発生さ
せるプラズマ発生室と、真空に排気され、被処理基板が
設置される処理室と、該プラズマ中の中性種を該プラズ
マ発生室から該処理室に選択的に通過させる手段とを備
えたアッシング装置における該処理室に、不純物イオン
の注入を受けたレジスト層が形成された被処理基板を設
置し、該プラズマ発生室にO_2ガスを主成分としH_
2Oを副成分とする混合ガスを導入して該混合ガスのプ
ラズマを発生し、該レジスト層ならびに該レジスト層に
注入された不純物イオンを選択的に除去することを特徴
とするレジストのアッシング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27131487A JPH01112734A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | レジストのアッシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27131487A JPH01112734A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | レジストのアッシング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01112734A true JPH01112734A (ja) | 1989-05-01 |
Family
ID=17498324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27131487A Pending JPH01112734A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | レジストのアッシング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01112734A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5545289A (en) * | 1994-02-03 | 1996-08-13 | Applied Materials, Inc. | Passivating, stripping and corrosion inhibition of semiconductor substrates |
US6007671A (en) * | 1992-10-28 | 1999-12-28 | Fujitsu Limited | Method for hydrogen plasma down-flow processing and apparatus thereof |
JP2002093779A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-29 | Yac Co Ltd | プラズマ処理方法ならびにプラズマ処理装置 |
US6440864B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-08-27 | Applied Materials Inc. | Substrate cleaning process |
US6692903B2 (en) | 2000-12-13 | 2004-02-17 | Applied Materials, Inc | Substrate cleaning apparatus and method |
JP2019036650A (ja) * | 2017-08-17 | 2019-03-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板エッチング方法 |
-
1987
- 1987-10-27 JP JP27131487A patent/JPH01112734A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6007671A (en) * | 1992-10-28 | 1999-12-28 | Fujitsu Limited | Method for hydrogen plasma down-flow processing and apparatus thereof |
WO2004093175A1 (ja) * | 1992-10-28 | 2004-10-28 | Shuzo Fujimura | 水素プラズマダウンフロー処理方法及び水素プラズマダウンフロー処理装置 |
US5545289A (en) * | 1994-02-03 | 1996-08-13 | Applied Materials, Inc. | Passivating, stripping and corrosion inhibition of semiconductor substrates |
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JP2019036650A (ja) * | 2017-08-17 | 2019-03-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板エッチング方法 |
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