JPH01112732A - レジストのアッシング方法 - Google Patents
レジストのアッシング方法Info
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- JPH01112732A JPH01112732A JP27130687A JP27130687A JPH01112732A JP H01112732 A JPH01112732 A JP H01112732A JP 27130687 A JP27130687 A JP 27130687A JP 27130687 A JP27130687 A JP 27130687A JP H01112732 A JPH01112732 A JP H01112732A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造工程において用いられるダウンフロ一
方式のアッシング方法に関し。
方式のアッシング方法に関し。
レジスト層に注入された不純物イオンを残すことなくレ
ジスト層をアッシング除去可能とする方法を提供するこ
とを目的とし。
ジスト層をアッシング除去可能とする方法を提供するこ
とを目的とし。
ダウンフロ一方式のアッシング装置におけるプラズマ発
生室に０２ガスを主成分としＨｌを副成分とする混合ガ
スを導入して該混合ガスのプラズマを発生し、被処理基
板に塗布されたレジスト層ならびにレジスト層に注入さ
れた不純物イオンを選択的に除去することから構成され
る。
生室に０２ガスを主成分としＨｌを副成分とする混合ガ
スを導入して該混合ガスのプラズマを発生し、被処理基
板に塗布されたレジスト層ならびにレジスト層に注入さ
れた不純物イオンを選択的に除去することから構成され
る。
本発明は半導体装置の製造工程において用いられるレジ
スト塗布層の除去方法に係り、とくにダウンフロ一方式
のアッシング方法に関する。
スト塗布層の除去方法に係り、とくにダウンフロ一方式
のアッシング方法に関する。
半導体装置の微細化にともなって製造工程の乾式化が進
められている。リングラフィ工程においてマスクとして
用いられたレジスト層の除去についても溶剤による湿式
除去に代わって、レジスト層を固相・気相反応で除去す
るアッシングと呼ばれる乾式方法が用いられている。
められている。リングラフィ工程においてマスクとして
用いられたレジスト層の除去についても溶剤による湿式
除去に代わって、レジスト層を固相・気相反応で除去す
るアッシングと呼ばれる乾式方法が用いられている。
乾式除去方法においては、酸素ガスのプラズマを発生し
、このプラズマ中に含まれる原子状の酸素とレジスト層
との反応を利用する。このアッシング方法のうちには、
荷電粒子の衝突による基板の損傷を避けるために、被処
理基板を設置する場所をプラズマを発生する場所とを分
離し、プラズマ中のイオンあるいは電子等が被処理基板
に到達しないような手段を設けた装置を用いるいわゆる
ダウンフロ一方式の方法がある。
、このプラズマ中に含まれる原子状の酸素とレジスト層
との反応を利用する。このアッシング方法のうちには、
荷電粒子の衝突による基板の損傷を避けるために、被処
理基板を設置する場所をプラズマを発生する場所とを分
離し、プラズマ中のイオンあるいは電子等が被処理基板
に到達しないような手段を設けた装置を用いるいわゆる
ダウンフロ一方式の方法がある。
ダウンフロ一方式のレジスト層除去における反応ガスは
一般に酸素ガスを主成分とするが、中性酸素原子（０）
の生成効率を高めるために、少量の副成分ガスを添加す
ることが行われている。このダウンフロ一方式のアッシ
ングにおいては、有機物であるレジスト層は酸素原子と
化学反応を起こし、 ＣＯｔおよび■２０等の揮発性物
質に変えられて除去される。
一般に酸素ガスを主成分とするが、中性酸素原子（０）
の生成効率を高めるために、少量の副成分ガスを添加す
ることが行われている。このダウンフロ一方式のアッシ
ングにおいては、有機物であるレジスト層は酸素原子と
化学反応を起こし、 ＣＯｔおよび■２０等の揮発性物
質に変えられて除去される。
一方１通常の半導体装置の製造工程においては。
シリコンウェハ等の被処理基板に塗布形成されているレ
ジスト層にも、被処理基板に注入される不純物イオンが
同時に注入される。一般に不純物として注入される硼素
（Ｂ） 、 ｔａ （Ｐ） 、砒素（八３）等はアッシ
ング工程において不揮発性の酸化物を形成するために、
レジスト層と同時に除去されず。
ジスト層にも、被処理基板に注入される不純物イオンが
同時に注入される。一般に不純物として注入される硼素
（Ｂ） 、 ｔａ （Ｐ） 、砒素（八３）等はアッシ
ング工程において不揮発性の酸化物を形成するために、
レジスト層と同時に除去されず。
レジスト層除去後の被処理基板表面に残る。このような
残留不純物は、以後の熱処理工程において被処理基板に
拡散し、ここに形成されるトランジスタ等の素子特性に
好ましくない影響を与える。
残留不純物は、以後の熱処理工程において被処理基板に
拡散し、ここに形成されるトランジスタ等の素子特性に
好ましくない影響を与える。
とくに、半導体装置の微細化部ともなって高ドーズ量の
イオン注入が行われる傾向にあり、アッシング後の残留
不純物の影響は大きくなる。
イオン注入が行われる傾向にあり、アッシング後の残留
不純物の影響は大きくなる。
本発明はダウンフロ一方式によるレジストのアッシング
において上記の問題が生じない方法を提供することを目
的とする。
において上記の問題が生じない方法を提供することを目
的とする。
上記の目的は、ダウンフロ一方式のレジストアッシング
方法において、処理室にレジスト層が形成された被処理
基板を設置し、プラズマ発生室に０□ガスを主成分とし
Ｈ２を副成分とする混合ガスを導入して該混合ガスのプ
ラズマを発生し、該レジスト層ならびに該レジスト層に
注入された不純物イオンを選択的に除去することを特徴
とする９本発明に係るレジストのアッシング方法により
達成される。
方法において、処理室にレジスト層が形成された被処理
基板を設置し、プラズマ発生室に０□ガスを主成分とし
Ｈ２を副成分とする混合ガスを導入して該混合ガスのプ
ラズマを発生し、該レジスト層ならびに該レジスト層に
注入された不純物イオンを選択的に除去することを特徴
とする９本発明に係るレジストのアッシング方法により
達成される。
ダウンフロ一方式のアッシングにおいて、０□ガスに副
成分としてＨ２を添加することにより、イオン注入工程
においてレジスト層に注入されたＢ。
成分としてＨ２を添加することにより、イオン注入工程
においてレジスト層に注入されたＢ。
Ｐ＋Ａｓ等の不純物を揮発性の物質に変えてレジスト層
と同時に除去する。
と同時に除去する。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明を実施するために用いられたダウンフロ
一方式のアッシング装置の模式的断面図である。真空容
器１の内部は、シャワーヘッド２によってプラズマ発生
室３と処理室４とに分離されている。プラズマ発生室３
には反応ガスを導入するための導入管５と反応ガスのプ
ラズマを発生させるためのマイクロ波発生源６に接続さ
れたマイクロ波導入管７が設けられている。
一方式のアッシング装置の模式的断面図である。真空容
器１の内部は、シャワーヘッド２によってプラズマ発生
室３と処理室４とに分離されている。プラズマ発生室３
には反応ガスを導入するための導入管５と反応ガスのプ
ラズマを発生させるためのマイクロ波発生源６に接続さ
れたマイクロ波導入管７が設けられている。
マイクロ波導入管７には２例えば石英ガラス板から成る
マイクロ波透過窓８と、該マイクロ波透過窓８を冷却す
るための水冷フランジ９が取りつけられている。一方、
処理室４には真空容器１内を所定の低圧に保持するため
の排気系に接続された排気管１０が設けられており、ま
た、処理室４の底面にはレジスト層が塗布されたシリコ
ンウェハ等の被処理基板１１を載置するための温度制御
が可能ナステージ１３が設置されている。シャワーへフ
ド２は接地電位に保持されており、また貫通する小孔１
２が多数設けられている。
マイクロ波透過窓８と、該マイクロ波透過窓８を冷却す
るための水冷フランジ９が取りつけられている。一方、
処理室４には真空容器１内を所定の低圧に保持するため
の排気系に接続された排気管１０が設けられており、ま
た、処理室４の底面にはレジスト層が塗布されたシリコ
ンウェハ等の被処理基板１１を載置するための温度制御
が可能ナステージ１３が設置されている。シャワーへフ
ド２は接地電位に保持されており、また貫通する小孔１
２が多数設けられている。
上記の装置を用いて下記の工程によりアッシングを行う
。
。
■ステージ１３上に２例えば１ｘｌＯ”ないし１ｘ１０
″原子／ｄの比較的高ドーズ量のＢ、Ｐ、Ａｓ等の不純
物イオンが注入されたレジスト層が形成されているシリ
コンウェハのような被処理基板１を！！置する。
″原子／ｄの比較的高ドーズ量のＢ、Ｐ、Ａｓ等の不純
物イオンが注入されたレジスト層が形成されているシリ
コンウェハのような被処理基板１を！！置する。
■排気管１０を通じて真空容器１の内部を真空に排気し
たのち、ａｌ入管５から１〜１０％程度のＨ２を含むＯ
２＋Ｈ，系の混合ガスを所定の流量で導入する。
たのち、ａｌ入管５から１〜１０％程度のＨ２を含むＯ
２＋Ｈ，系の混合ガスを所定の流量で導入する。
この時のプラズマ発生室３内におけるガス圧が約１．０
Ｔｏｒｒとなるように制御する。
Ｔｏｒｒとなるように制御する。
■マイクロ波発生源６を起動し、マイクロ波透過窓８を
通してプラズマ発生室３内の混合ガスにマイクロ波を照
射し、プラズマを発生させる。なお、マイクロの周波数
およびパワーの一例は、それぞれ、 ２．４５ＧＨｚお
よび１．５ＫＭである。
通してプラズマ発生室３内の混合ガスにマイクロ波を照
射し、プラズマを発生させる。なお、マイクロの周波数
およびパワーの一例は、それぞれ、 ２．４５ＧＨｚお
よび１．５ＫＭである。
上記のようにして発生されたプラズマ中のイオン、電子
はシャワーヘッド２に衝突して電荷を失うために、処理
室４内にはイオンあるいは電子が入らず、被処理基板に
好ましくない損傷を生じない。一方、プラズマ中の中性
の酸素原子（ｏ）、 ８２分子が解離して生じた中性の
水素原子（Ｈ）等は拡散してシャワーヘッド２の小孔１
２を通過し処理室４に入り、被処理基板１１に塗布され
ているレジスト層および該レジスト層に注入されている
Ｂ、Ｐ。
はシャワーヘッド２に衝突して電荷を失うために、処理
室４内にはイオンあるいは電子が入らず、被処理基板に
好ましくない損傷を生じない。一方、プラズマ中の中性
の酸素原子（ｏ）、 ８２分子が解離して生じた中性の
水素原子（Ｈ）等は拡散してシャワーヘッド２の小孔１
２を通過し処理室４に入り、被処理基板１１に塗布され
ているレジスト層および該レジスト層に注入されている
Ｂ、Ｐ。
Ａｓ等の不純物イオンと反応する。その結果、上記の不
純物イオンはレジスト層と共に揮発性の物質として排気
管１０を通じて除去される。
純物イオンはレジスト層と共に揮発性の物質として排気
管１０を通じて除去される。
０！ガスにＨ２を添加するとプラズマ中の中性酸素原子
の量がＯｔガス単独の場合よりも増加し、レジストのア
ッシングレートが増大することが確かめられている。一
方、上記Ｂ、Ｐ、Ａｓ等の不純物イオンが揮発性の物質
に変換されるのは、プラズマ中のＨ２から生成した中性
の水素原子（Ｈ）がこれらの不純物イオンと反応し＋
ＲｔＨｂ＊ ＰＨｚ＋ ＡＳＨ３等の気体分子を生成す
るためと考えられる。
の量がＯｔガス単独の場合よりも増加し、レジストのア
ッシングレートが増大することが確かめられている。一
方、上記Ｂ、Ｐ、Ａｓ等の不純物イオンが揮発性の物質
に変換されるのは、プラズマ中のＨ２から生成した中性
の水素原子（Ｈ）がこれらの不純物イオンと反応し＋
ＲｔＨｂ＊ ＰＨｚ＋ ＡＳＨ３等の気体分子を生成す
るためと考えられる。
本発明によれば、シリコンウェハのような被処理基板に
形成されたレジスト層のアッシング工程において、該レ
ジスト層に注入されている不純物イオンを同時に除去で
きるので、所望の特性を有する高集積半導体装置を高歩
留りで製造可能とする効果がある。
形成されたレジスト層のアッシング工程において、該レ
ジスト層に注入されている不純物イオンを同時に除去で
きるので、所望の特性を有する高集積半導体装置を高歩
留りで製造可能とする効果がある。
第１図は本発明の実施に用いたダウンフロ一方式のアッ
シング装置の構造を示す模式的断面図である。 図において。 １は真空容器。 ２はシャワーヘッド。 ３はプラズマ発生室。 ４は処理室。 ５は導入管。 ６はマイクロ波発生源。 ７はマイクロ波導入管。 ８はマイクロ波透過窓。 ９は水冷フランジ。 １０は排気管。 １１は被処理基板。 １２は小孔。 １３はステージ であ邊。
シング装置の構造を示す模式的断面図である。 図において。 １は真空容器。 ２はシャワーヘッド。 ３はプラズマ発生室。 ４は処理室。 ５は導入管。 ６はマイクロ波発生源。 ７はマイクロ波導入管。 ８はマイクロ波透過窓。 ９は水冷フランジ。 １０は排気管。 １１は被処理基板。 １２は小孔。 １３はステージ であ邊。
Claims (1)
- 反応ガスが導入され、該反応ガスのプラズマを発生さ
せるプラズマ発生室と、真空に排気され、被処理基板が
設置される処理室と、該プラズマ中の中性種を該プラズ
マ発生室から該処理室に選択的に通過させる手段とを備
えたアッシング装置における該処理室に、不純物イオン
の注入を受けたレジスト層が形成された被処理基板を設
置し、該プラズマ発生室にＯ＿２ガスを主成分としＨ＿
２を副成分とする混合ガスを導入して該混合ガスのプラ
ズマを発生し、該レジスト層ならびに該レジスト層に注
入された不純物イオンを選択的に除去することを特徴と
するレジストのアッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27130687A JPH01112732A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | レジストのアッシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27130687A JPH01112732A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | レジストのアッシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01112732A true JPH01112732A (ja) | 1989-05-01 |
Family
ID=17498209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27130687A Pending JPH01112732A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | レジストのアッシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01112732A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02263436A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 活性化学種発生方法及び電子部材の製造方法 |
| WO2009085965A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Applied Materials, Inc. | Removal of surface dopants from a substrate |
-
1987
- 1987-10-27 JP JP27130687A patent/JPH01112732A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02263436A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 活性化学種発生方法及び電子部材の製造方法 |
| WO2009085965A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Applied Materials, Inc. | Removal of surface dopants from a substrate |
| US7989329B2 (en) | 2007-12-21 | 2011-08-02 | Applied Materials, Inc. | Removal of surface dopants from a substrate |
| JP2012104841A (ja) * | 2007-12-21 | 2012-05-31 | Applied Materials Inc | 基板からの表面ドーパントの除去 |
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