JPH01105243A - ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂 - Google Patents
ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂Info
- Publication number
- JPH01105243A JPH01105243A JP62220664A JP22066487A JPH01105243A JP H01105243 A JPH01105243 A JP H01105243A JP 62220664 A JP62220664 A JP 62220664A JP 22066487 A JP22066487 A JP 22066487A JP H01105243 A JPH01105243 A JP H01105243A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- novolak resin
- molecular weight
- ethyl cellosolve
- gpc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 title claims abstract description 81
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 59
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 22
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 claims description 42
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229940100630 metacresol Drugs 0.000 claims description 17
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000001896 cresols Chemical class 0.000 claims description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 34
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 21
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 34
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 9
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 8
- -1 etc.) Chemical compound 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 5
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 3
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N zafuleptine Chemical compound OC(=O)CCCCCC(C(C)C)NCC1=CC=C(F)C=C1 YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N 2-butylphenol Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1O GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical group [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEEBETSNAGEFCY-UHFFFAOYSA-N [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].O=C1C=CC(=O)C=C1 Chemical group [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].O=C1C=CC(=O)C=C1 LEEBETSNAGEFCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical group [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXQGCWUGDFDQMF-UHFFFAOYSA-N o-Hydroxyethylbenzene Natural products CCC1=CC=CC=C1O IXQGCWUGDFDQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZDYUUBIMAGBMPY-UHFFFAOYSA-N oxalic acid;hydrate Chemical compound O.OC(=O)C(O)=O ZDYUUBIMAGBMPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DEQUKPCANKRTPZ-UHFFFAOYSA-N (2,3-dihydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O DEQUKPCANKRTPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRUGBBIQLIVCSI-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trimethylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(C)=C1C XRUGBBIQLIVCSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-N-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)acetamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)NC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVKRKMWZYMKVTQ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-N-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)acetamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C=NN(C=1)CC(=O)NC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 JVKRKMWZYMKVTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCHYEKKJCUJAKN-UHFFFAOYSA-N 2-propylphenol Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1O LCHYEKKJCUJAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHPQWRBYOIRBIT-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 QHPQWRBYOIRBIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002168 ethanoic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000008098 formaldehyde solution Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L magnesium acetate Chemical compound [Mg+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011654 magnesium acetate Substances 0.000 description 1
- 229940069446 magnesium acetate Drugs 0.000 description 1
- 235000011285 magnesium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 150000003739 xylenols Chemical class 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
- 235000013904 zinc acetate Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G8/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G8/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
- C08G8/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes
- C08G8/08—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes of formaldehyde, e.g. of formaldehyde formed in situ
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
- G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、感度、耐熱性及び寸法再現性等に優れたポジ
型フォトレジスト組成物に関するものである。
型フォトレジスト組成物に関するものである。
ナフトキノンジアジド基やベンゾキノンジアジド基等の
キノンジアジド基を有する化合物を含む感光性樹脂組成
物は、300〜500nmの光照射によりキノンジアジ
ド基が分解してカルボキシル基を生ずることにより、ア
ルカリ不溶の状態からアルカリ可溶性になることを利用
してポジ型フォトレジストとして用いられる。この場合
、通常ノボラック樹脂が組合わせて用いられる。ノボラ
ック樹脂は均一で丈夫なレジスト塗膜を得るのに重要で
ある。このポジ型フォトレジストはネガ型フォトレジス
トに比べ解像力が著しく優れているという特長を有する
。この高解像力を生かしてプリント配線用銅張積層板、
ICやLSIなどの集積回路製作を行うときの写真食刻
法のエツチング保護膜として利用されている。 このうち集積回路については高集積化に伴う微細化が進
み、今やサブミクロンのパターン形成が要求されるに到
っている。従来、集積回路の形成には、マスク密着方式
が用いられてきたが、この方式では2μmが限界といわ
れており、これに代わり縮小投影露光方式が注目されて
いる。この方式ハマスターマスク (レチクル)のパタ
ーンをレンズ系により縮小投影して露光する方式であり
、解像力はサブミクロンまで可能である。しかしながら
この縮小投影露光方式の場合の問題点の1つとしてスル
ープットが低いという点がある。即ち、従来のマスク密
着方式のような一括露光方式と異なり、縮小投影露光方
式では分割くり返し露光であるため、ウェハー1枚当り
の露光トータル時間が長くなるという問題である。 これを解決する方法としては、装置の改良もさることな
がら、用いるレジストの高感度化が最も重要である。高
感度化により露光時間が短縮できればスルーブツトの向
上ひいては歩留まりの向上が達成されうる。
キノンジアジド基を有する化合物を含む感光性樹脂組成
物は、300〜500nmの光照射によりキノンジアジ
ド基が分解してカルボキシル基を生ずることにより、ア
ルカリ不溶の状態からアルカリ可溶性になることを利用
してポジ型フォトレジストとして用いられる。この場合
、通常ノボラック樹脂が組合わせて用いられる。ノボラ
ック樹脂は均一で丈夫なレジスト塗膜を得るのに重要で
ある。このポジ型フォトレジストはネガ型フォトレジス
トに比べ解像力が著しく優れているという特長を有する
。この高解像力を生かしてプリント配線用銅張積層板、
ICやLSIなどの集積回路製作を行うときの写真食刻
法のエツチング保護膜として利用されている。 このうち集積回路については高集積化に伴う微細化が進
み、今やサブミクロンのパターン形成が要求されるに到
っている。従来、集積回路の形成には、マスク密着方式
が用いられてきたが、この方式では2μmが限界といわ
れており、これに代わり縮小投影露光方式が注目されて
いる。この方式ハマスターマスク (レチクル)のパタ
ーンをレンズ系により縮小投影して露光する方式であり
、解像力はサブミクロンまで可能である。しかしながら
この縮小投影露光方式の場合の問題点の1つとしてスル
ープットが低いという点がある。即ち、従来のマスク密
着方式のような一括露光方式と異なり、縮小投影露光方
式では分割くり返し露光であるため、ウェハー1枚当り
の露光トータル時間が長くなるという問題である。 これを解決する方法としては、装置の改良もさることな
がら、用いるレジストの高感度化が最も重要である。高
感度化により露光時間が短縮できればスルーブツトの向
上ひいては歩留まりの向上が達成されうる。
こうした観点で現在用いられているポジ型フォトレジス
トを見ると、必ずしも感度の点で満足なものとはいえな
い。一般にポジ型フォトレジストはネガ型フォトレジス
トに比べ感度が低く、改良が望まれている。 高感度化を達成する最も簡単な方法として、ポジ型フォ
トレジストに用いられているノボラック樹脂の分子量を
下げる方法があり、アルカリ現像液に対する溶解速度が
増し、見かけ上、レジストの感度は上がる。 しかしこの方法では、非露光部の膜ベリが大きくなった
り(いわゆる残膜率の低下)、パターン形状が悪化した
り、露光部と非露光部の現像液に対する溶解速度の差が
小さくなることからくる、いわゆるγ(ガンマ)値の低
下といった問題点の他に、レジストの耐熱性が低下する
という極めて深刻な不都合を生じる。 ここでいうポジ型フォトレジストの耐熱性とは、現像後
のレジストパターンの熱に対する耐性を意味する。より
具体的には、基板上に形成されたレジストパターンに外
界から熱を加えた時、ある程度以上になるとレジストパ
ターンがだれたり、変形したりするが、このとき、どの
程度の外界雰囲気温度までレジストパターンが変形せず
シャープな形状を保持しうるかをもってレジストの耐熱
性の尺度とする。レジストパターンがだれたり、変形し
たりすると、エツチング後の被エツチング種の寸法が狂
ったり、寸法のバラツキが生じたりしてレジストに要求
されるエツチング保護膜としての役割を果たすことがで
きない。即ち歩留まりの大幅低下をきたし、好ましくな
い。 ところで、これらの技術に関連して、特開昭60−18
9739号公報には、ノボラック樹脂の1〜3核体含量
を10重量%未満にすると耐熱性に優れたフォトレジス
ト組成物が得られることが記載されている。 一方、レジストに要求される三大特性として「感度」
「解像度」 「耐熱性」が挙げられる。 これらのうちいずれの1つが欠けてももはやレジストと
しては使用できず、王者とも優れている必要があるが、
これらのうち「感度」と「耐熱性」については、ある面
では相反する傾向にあり、現在までのところ、これらを
同時に満たすものは市販されていない。
トを見ると、必ずしも感度の点で満足なものとはいえな
い。一般にポジ型フォトレジストはネガ型フォトレジス
トに比べ感度が低く、改良が望まれている。 高感度化を達成する最も簡単な方法として、ポジ型フォ
トレジストに用いられているノボラック樹脂の分子量を
下げる方法があり、アルカリ現像液に対する溶解速度が
増し、見かけ上、レジストの感度は上がる。 しかしこの方法では、非露光部の膜ベリが大きくなった
り(いわゆる残膜率の低下)、パターン形状が悪化した
り、露光部と非露光部の現像液に対する溶解速度の差が
小さくなることからくる、いわゆるγ(ガンマ)値の低
下といった問題点の他に、レジストの耐熱性が低下する
という極めて深刻な不都合を生じる。 ここでいうポジ型フォトレジストの耐熱性とは、現像後
のレジストパターンの熱に対する耐性を意味する。より
具体的には、基板上に形成されたレジストパターンに外
界から熱を加えた時、ある程度以上になるとレジストパ
ターンがだれたり、変形したりするが、このとき、どの
程度の外界雰囲気温度までレジストパターンが変形せず
シャープな形状を保持しうるかをもってレジストの耐熱
性の尺度とする。レジストパターンがだれたり、変形し
たりすると、エツチング後の被エツチング種の寸法が狂
ったり、寸法のバラツキが生じたりしてレジストに要求
されるエツチング保護膜としての役割を果たすことがで
きない。即ち歩留まりの大幅低下をきたし、好ましくな
い。 ところで、これらの技術に関連して、特開昭60−18
9739号公報には、ノボラック樹脂の1〜3核体含量
を10重量%未満にすると耐熱性に優れたフォトレジス
ト組成物が得られることが記載されている。 一方、レジストに要求される三大特性として「感度」
「解像度」 「耐熱性」が挙げられる。 これらのうちいずれの1つが欠けてももはやレジストと
しては使用できず、王者とも優れている必要があるが、
これらのうち「感度」と「耐熱性」については、ある面
では相反する傾向にあり、現在までのところ、これらを
同時に満たすものは市販されていない。
【問題点を解決するための具体的手段】本発明者らはこ
のような現状に鑑み、「感度」および「耐熱性」のいず
れについても他の一方を損なうことなく改良し、しかも
「解像度」のすぐれたポジ型フォトレジストを開発すべ
く鋭意検討した結果、ノボラック樹脂のGPCパターン
を所定の形状にyA製することにより、高感度を維持し
たまま、耐熱性に優れたポジ型フォトレジスト組成物が
得られることを見出し、本発明を完成したものである。 すなわち、本発明はポジ型フォトレジストに用いられる
ノボラック樹脂として、 フェノール類をホルムアルデヒドと付加縮合反応させる
ことによって製造されるノボラック樹脂であって1.そ
のゲルパーミェーションクロマトグラフ(GPC)パタ
ーン(IIV(254nm)検出器使用)の面積比がポ
リスチレン換算分子量で150乃至500未満(フェノ
ール類未反応モノマーは含ま橘い)の範囲(以下へ領域
と称する)が8〜35%であり、ポリスチレン換算分子
量で500乃至5000未満の範囲(以下B領域と称す
る)が0〜30%であり、ポリスチレン換算分子量で5
000を越える範囲(以下C領域と称する)が35〜9
2%であり、かつB領域/A領域= 2.50以下であ
ることを特徴とするポジ型フォトレジスト用ノボラック
樹脂である。 なお、本発明でいうノボラック樹脂の分子量とは、単分
散ポリスチレンを標準とするゲルパーミェーションクロ
マトグラフ法(以下GPCという)で求めた値である。 GPCクロマトグラフの測定は、東洋曹達G1製のHL
C−802A型クロマトグラフ装置に東洋曹達■のG−
4000H,、G−2000H,カラムを各1本づつ直
列に連結してキャリア溶媒として、テトラヒドロフラン
を1mj2/分の流速で流して行なった。クロマトグラ
フは254nmのUV検出器を使用した。分子量は、単
分散ポリスチレンを用いて得られる検量線から求めた。 すなわち、重量平均分子量がそれぞれ300.000、
100,000 、35,000.4,000、及び8
00の単分散ポリスチレン5本とスチレンモノマー(分
子量104)を用いて、3次回帰法により検量線を作製
した。 以下、本発明の特徴とするノボラック樹脂のGPCパタ
ーンとレジストとしての感度、耐熱性との相関関係を説
明する。 第1図は、本発明に特定したノボラック樹脂の代表的な
GPCパターンであり、このようなGPCパターンを示
すノボラック樹脂は、感度と耐熱性の双方を同時に満た
すのみならず、解像度の指針となるマスクパターンの寸
法再現性も大幅に改善されるのである。 第2図は、従来公知のノボラック樹脂の代表的なGPC
パターンを表し、このパターンをもつノボラック樹脂を
用いたレジストは、感度と耐熱性が相反する傾向にあり
、好ましくない。 第3図は、前記特開昭60−189739号公報に記載
のものに類似のノボラック樹脂のGPCパターンを表し
、これを用いたレジストは感度と耐熱性のバランスはあ
る程度改善されるものの、未だ充分とは言えない。 第4図のGPCパターンをもつノボラック樹脂は分別等
により、独自に調製したものであり、A1B領域の面積
比を小さくしたものであり、これを用いたレジストは耐
熱性は改善されるものの感度が大幅に低下する。 各図から明らかな通り、第1図のGPCパターンは、B
領域の面積比がA領域とC領域に比して小さいことが特
徴的である。 以下、本発明について、更に詳細に説明する。 本発明に用いるノボラック樹脂の原料として使用するフ
ェノール類の具体例としては、フェノール、クレゾール
、キシレノール、エチルフェノール、トリメチルフェノ
ール、プロピルフェノール、ブチルフェノール、ジヒド
ロキシベンゼン、ナフトール類等を挙げることができる
。これらフェノール類は、単独で、又は混合して使用す
ることができる。 フェノール類として、クレゾール類を用いることは、特
に好ましい。ここで、クレゾール類としては、オルソ、
メタ、バラクレゾールを単独又は混合して用いることが
できる。 具体的には、メタクレゾール単独、あるいはメタ及びパ
ラクレゾールを混合して使用する場合が好ましい態様で
ある。後者の場合のメタクレゾール/パラクレゾール比
率はメタ/パラ= 10010〜20/ 80が好ま
しく用いられる。 なかでも、本発明の目的をより効果的に達成するには、
前記A領域に相当するノボラック樹脂に含まれるメタク
レゾールとパラクレゾールの比率が1070〜2/8で
あり、かつ前記C領域に相当するノボラック樹脂に含ま
れるメタクレゾールとパラクレゾールの比率が1070
〜4/6であることが最も好ましい。 本発明においてフェノール類と付加縮合反応させるホル
ムアルデヒドとしてはホルムアルデヒド水溶液(ホルマ
リン)やホルムアルデヒドのオリゴマーであるパラホル
ムアルデヒドが用いられる。 特に37%のホルマリンは工業的に量産されており好都
合である。 本発明においてフェノール類とホルムアルデヒドとの付
加縮合反応は常法に従って行われる。反応は通常60〜
120℃、2〜30時間で行われる。 触媒としては有機酸或いは無機酸や二価金属塩等が用い
られる。具体例としては蓚酸、塩酸、硫酸、過塩素酸、
P−トルエンスルホン酸、トリクロル酢酸、リン酸、蟻
酸、酢酸亜鉛、酢酸マグネシウム等があげられる。 また反応はバルクで行っても適当な溶剤を用いてもよい
。 通常の方法によって得られるノボラック樹脂のGPCパ
ターン(、UV(254nm)検出器使用)の面積比は
、例えばA領域で5〜20%であり、B領域で32〜4
5%であり、C領域で46〜60%である。これをGP
Cパターンの面積比が、A領域で8〜35%であり、B
領域で0〜30%であり、C領域で35〜92%であり
、かつB領域/A領域= 2.50以下である様に調製
することによって、本発明に特定するレジスト用ノボラ
ック樹脂が得られる。 このようにノボラック樹脂のGPCパターンを調製する
方法としては、ノボラック樹脂を分別し、各フラクショ
ンを調合する方法が好ましい態様として挙げられる。 分別方法としては、合成されたノボラック樹脂を、良溶
媒、例えばアルコール類(メタノール、エタノール、プ
ロパツール等)、ケトン類(アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン等)、エチレングリコー
ルおよびそのエーテル類、エーテルエステル類(エチル
セロソルブ、エチルセロソルブアセテート等)、プロピ
レングリコールおよびそのエーテル類、エーテルエステ
ル類(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート等)、酢酸エステル類(酢酸メチル、酢酸エチル等
)、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、ジメチルスルホキシド、アセト
ニトリル等に溶解し、次に水に入れて沈澱させる方法ま
たはへブタン、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン等
の貧溶媒に入れ分液させる方法がある。 或いはまた、このノボラック樹脂のGPCパターンを調
製する別の方法としては、各ASB又はC領域を主成分
とするノボラック樹脂を別途合成し、分別により得られ
るフラクションと組み合わせることにより望ましいGP
Cパターンを有するノボラック樹脂を得ることもできる
。 このようにして調製したノボラック樹脂のポリスチレン
換算での重量平均分子量としては3000〜35000
、好ましくは5000〜30000 、更に好ましく
は7000〜26000である。 次に本発明のノボラック樹脂を用いたポジ型フォトレジ
スト組成物について述べると、感光成分については、キ
ノンジアジド化合物が用いられる。 このキノンジアジド化合物は、公知の方法、例えばナフ
トキノンジアジドスルホン酸クロリドやベンゾキノンジ
アジドスルホン酸クロリドとヒドロキシル基を有する化
合物を弱アルカリの存在下で縮合することにより得られ
る。ここでヒドロキシル基を有する化合物の例としては
、ハイドロキノン、レゾルシン、フロログリシン、2.
4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2.3.4− )ジ
ヒドロキシベンゾフェノン、2.3,4.4°−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノン、2.2°、 4.4’
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2.3,4.3″
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2.3.4.2’
、 3’ −ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2
.3.4.2’ 、 4° −ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3,4.2°、5° −ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン、2,3.4.3”、4° −ペンタ
ヒドロキシベンゾフェノン、2.3,4.3′、5°
−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2.3.4.3°
、4°、5゛−へキサヒドロキシベンゾフェノン、没食
子酸アル牛ルエステル等があげられる。 ポジ型フォトレジスト液の調製は、前記キノンジアジド
化合物と本発明のノボラック樹脂を溶剤に混合溶解する
ことによって行う。ノボラック樹脂とキノンジアジド化
合物の割合は1:1〜6:1の範囲が好ましい。文月い
る溶剤は、適当な乾繰速度で溶剤が蒸発し、均一で平滑
な塗膜を与えるものがよい。このような溶剤としては、
エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテ
ート、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ブチ
ル、メチルイソブチルケトン、キシレン等があげられる
。以上の方法で得られたポジ型フォトレジスト組成物は
、さらに必要に応じて付加物として少量の樹脂や染料等
が添加されていてもよい。
のような現状に鑑み、「感度」および「耐熱性」のいず
れについても他の一方を損なうことなく改良し、しかも
「解像度」のすぐれたポジ型フォトレジストを開発すべ
く鋭意検討した結果、ノボラック樹脂のGPCパターン
を所定の形状にyA製することにより、高感度を維持し
たまま、耐熱性に優れたポジ型フォトレジスト組成物が
得られることを見出し、本発明を完成したものである。 すなわち、本発明はポジ型フォトレジストに用いられる
ノボラック樹脂として、 フェノール類をホルムアルデヒドと付加縮合反応させる
ことによって製造されるノボラック樹脂であって1.そ
のゲルパーミェーションクロマトグラフ(GPC)パタ
ーン(IIV(254nm)検出器使用)の面積比がポ
リスチレン換算分子量で150乃至500未満(フェノ
ール類未反応モノマーは含ま橘い)の範囲(以下へ領域
と称する)が8〜35%であり、ポリスチレン換算分子
量で500乃至5000未満の範囲(以下B領域と称す
る)が0〜30%であり、ポリスチレン換算分子量で5
000を越える範囲(以下C領域と称する)が35〜9
2%であり、かつB領域/A領域= 2.50以下であ
ることを特徴とするポジ型フォトレジスト用ノボラック
樹脂である。 なお、本発明でいうノボラック樹脂の分子量とは、単分
散ポリスチレンを標準とするゲルパーミェーションクロ
マトグラフ法(以下GPCという)で求めた値である。 GPCクロマトグラフの測定は、東洋曹達G1製のHL
C−802A型クロマトグラフ装置に東洋曹達■のG−
4000H,、G−2000H,カラムを各1本づつ直
列に連結してキャリア溶媒として、テトラヒドロフラン
を1mj2/分の流速で流して行なった。クロマトグラ
フは254nmのUV検出器を使用した。分子量は、単
分散ポリスチレンを用いて得られる検量線から求めた。 すなわち、重量平均分子量がそれぞれ300.000、
100,000 、35,000.4,000、及び8
00の単分散ポリスチレン5本とスチレンモノマー(分
子量104)を用いて、3次回帰法により検量線を作製
した。 以下、本発明の特徴とするノボラック樹脂のGPCパタ
ーンとレジストとしての感度、耐熱性との相関関係を説
明する。 第1図は、本発明に特定したノボラック樹脂の代表的な
GPCパターンであり、このようなGPCパターンを示
すノボラック樹脂は、感度と耐熱性の双方を同時に満た
すのみならず、解像度の指針となるマスクパターンの寸
法再現性も大幅に改善されるのである。 第2図は、従来公知のノボラック樹脂の代表的なGPC
パターンを表し、このパターンをもつノボラック樹脂を
用いたレジストは、感度と耐熱性が相反する傾向にあり
、好ましくない。 第3図は、前記特開昭60−189739号公報に記載
のものに類似のノボラック樹脂のGPCパターンを表し
、これを用いたレジストは感度と耐熱性のバランスはあ
る程度改善されるものの、未だ充分とは言えない。 第4図のGPCパターンをもつノボラック樹脂は分別等
により、独自に調製したものであり、A1B領域の面積
比を小さくしたものであり、これを用いたレジストは耐
熱性は改善されるものの感度が大幅に低下する。 各図から明らかな通り、第1図のGPCパターンは、B
領域の面積比がA領域とC領域に比して小さいことが特
徴的である。 以下、本発明について、更に詳細に説明する。 本発明に用いるノボラック樹脂の原料として使用するフ
ェノール類の具体例としては、フェノール、クレゾール
、キシレノール、エチルフェノール、トリメチルフェノ
ール、プロピルフェノール、ブチルフェノール、ジヒド
ロキシベンゼン、ナフトール類等を挙げることができる
。これらフェノール類は、単独で、又は混合して使用す
ることができる。 フェノール類として、クレゾール類を用いることは、特
に好ましい。ここで、クレゾール類としては、オルソ、
メタ、バラクレゾールを単独又は混合して用いることが
できる。 具体的には、メタクレゾール単独、あるいはメタ及びパ
ラクレゾールを混合して使用する場合が好ましい態様で
ある。後者の場合のメタクレゾール/パラクレゾール比
率はメタ/パラ= 10010〜20/ 80が好ま
しく用いられる。 なかでも、本発明の目的をより効果的に達成するには、
前記A領域に相当するノボラック樹脂に含まれるメタク
レゾールとパラクレゾールの比率が1070〜2/8で
あり、かつ前記C領域に相当するノボラック樹脂に含ま
れるメタクレゾールとパラクレゾールの比率が1070
〜4/6であることが最も好ましい。 本発明においてフェノール類と付加縮合反応させるホル
ムアルデヒドとしてはホルムアルデヒド水溶液(ホルマ
リン)やホルムアルデヒドのオリゴマーであるパラホル
ムアルデヒドが用いられる。 特に37%のホルマリンは工業的に量産されており好都
合である。 本発明においてフェノール類とホルムアルデヒドとの付
加縮合反応は常法に従って行われる。反応は通常60〜
120℃、2〜30時間で行われる。 触媒としては有機酸或いは無機酸や二価金属塩等が用い
られる。具体例としては蓚酸、塩酸、硫酸、過塩素酸、
P−トルエンスルホン酸、トリクロル酢酸、リン酸、蟻
酸、酢酸亜鉛、酢酸マグネシウム等があげられる。 また反応はバルクで行っても適当な溶剤を用いてもよい
。 通常の方法によって得られるノボラック樹脂のGPCパ
ターン(、UV(254nm)検出器使用)の面積比は
、例えばA領域で5〜20%であり、B領域で32〜4
5%であり、C領域で46〜60%である。これをGP
Cパターンの面積比が、A領域で8〜35%であり、B
領域で0〜30%であり、C領域で35〜92%であり
、かつB領域/A領域= 2.50以下である様に調製
することによって、本発明に特定するレジスト用ノボラ
ック樹脂が得られる。 このようにノボラック樹脂のGPCパターンを調製する
方法としては、ノボラック樹脂を分別し、各フラクショ
ンを調合する方法が好ましい態様として挙げられる。 分別方法としては、合成されたノボラック樹脂を、良溶
媒、例えばアルコール類(メタノール、エタノール、プ
ロパツール等)、ケトン類(アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン等)、エチレングリコー
ルおよびそのエーテル類、エーテルエステル類(エチル
セロソルブ、エチルセロソルブアセテート等)、プロピ
レングリコールおよびそのエーテル類、エーテルエステ
ル類(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート等)、酢酸エステル類(酢酸メチル、酢酸エチル等
)、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、ジメチルスルホキシド、アセト
ニトリル等に溶解し、次に水に入れて沈澱させる方法ま
たはへブタン、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン等
の貧溶媒に入れ分液させる方法がある。 或いはまた、このノボラック樹脂のGPCパターンを調
製する別の方法としては、各ASB又はC領域を主成分
とするノボラック樹脂を別途合成し、分別により得られ
るフラクションと組み合わせることにより望ましいGP
Cパターンを有するノボラック樹脂を得ることもできる
。 このようにして調製したノボラック樹脂のポリスチレン
換算での重量平均分子量としては3000〜35000
、好ましくは5000〜30000 、更に好ましく
は7000〜26000である。 次に本発明のノボラック樹脂を用いたポジ型フォトレジ
スト組成物について述べると、感光成分については、キ
ノンジアジド化合物が用いられる。 このキノンジアジド化合物は、公知の方法、例えばナフ
トキノンジアジドスルホン酸クロリドやベンゾキノンジ
アジドスルホン酸クロリドとヒドロキシル基を有する化
合物を弱アルカリの存在下で縮合することにより得られ
る。ここでヒドロキシル基を有する化合物の例としては
、ハイドロキノン、レゾルシン、フロログリシン、2.
4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2.3.4− )ジ
ヒドロキシベンゾフェノン、2.3,4.4°−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノン、2.2°、 4.4’
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2.3,4.3″
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2.3.4.2’
、 3’ −ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2
.3.4.2’ 、 4° −ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3,4.2°、5° −ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン、2,3.4.3”、4° −ペンタ
ヒドロキシベンゾフェノン、2.3,4.3′、5°
−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2.3.4.3°
、4°、5゛−へキサヒドロキシベンゾフェノン、没食
子酸アル牛ルエステル等があげられる。 ポジ型フォトレジスト液の調製は、前記キノンジアジド
化合物と本発明のノボラック樹脂を溶剤に混合溶解する
ことによって行う。ノボラック樹脂とキノンジアジド化
合物の割合は1:1〜6:1の範囲が好ましい。文月い
る溶剤は、適当な乾繰速度で溶剤が蒸発し、均一で平滑
な塗膜を与えるものがよい。このような溶剤としては、
エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテ
ート、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ブチ
ル、メチルイソブチルケトン、キシレン等があげられる
。以上の方法で得られたポジ型フォトレジスト組成物は
、さらに必要に応じて付加物として少量の樹脂や染料等
が添加されていてもよい。
本発明のノボラック樹脂を用い、例えば感光成分として
、キノンジアジド化合物と組合わせて用いたポジ型フォ
トレジスト組成物は、感度に優れ、かつ耐熱性、寸法再
現性が著しく向上する。
、キノンジアジド化合物と組合わせて用いたポジ型フォ
トレジスト組成物は、感度に優れ、かつ耐熱性、寸法再
現性が著しく向上する。
次に実施例をあげて、本発明をさらに具体的に説明する
が、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるも
のではない。 〈参考例1〜4〉 内容積10100Oの三ツロフラスコに、メタクレゾー
ル2/0g 、酢酸亜鉛二水物2.7g、イオン交換水
2/gを仕込み、90℃の油浴で加熱攪拌しながらホル
マリン(37,0%)水溶液182gを40分かけて滴
下し、その後3時間さらに加熱攪拌反応させた。ついで
エチルセロソルブアセテート 250gを仕込み、続い
て5%シュウ酸水溶液40gを40分かけて滴下し、そ
の後所定時間加熱攪拌反応させ、その後、中和、水洗、
脱水してノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート
溶液を得た。GPCクロマトグラフによる重量平均分子
量並びにGPCパターンの面積比は次の通りであった。 〈参考例5〜6〉 内容積10100Oの三ツロフラスコに、メタクレゾー
ル189g 、パラクレゾール81g1酢酸亜鉛二水物
2.7g、イオン交換水2/gを仕込み、90℃の油浴
で加熱攪拌しながらホルマリン(37,0%)水溶液1
82gを40分かけて滴下し、その後6時間さらに加熱
攪拌反応させた。ついでエチルセロソルブアセテート
250gを仕込み、続いて5%シュウ酸水溶液40gを
40分かけて滴下し、その後10時間加熱攪拌反応させ
て、その後 中和、水洗、脱水してノボラック樹脂のエ
チルセロソルブアセテート溶液を得た。GPCクロマト
グラフによる重量平均分子量並びにGPCパターンの面
積比は次の通りであった。 実施例1 [1回目分別コ 参考例1で得られたノボラック樹脂のエチルセロソルブ
アセテート溶液(ノボラック樹脂の含有ff146.4
%) 308gを5A!の底抜きセパラブルフラスコに
仕込み、さらにエチルセロソルブアセテー) 646
gとノルマルへブタン1892gを加えて、20分で3
0分間攪拌後、静置分液した。 [2回目分別] 次に、51の底抜きセパラブルフラスコに下Jmのマス
424gを仕込み、さらにエチルセロソルブアセテート
2134gとノルマへブタン1042gを加えて、1
回目分別と同じ操作を繰り返した。分液により得られた
下層マスに1回目分別上層マスを加えたのち、エバポレ
ータによりヘプタンを除去して、ノボラック樹脂のエチ
ルセロソルブアセテート溶液を得た。GPCクロマトグ
ラフによる重量平均分子量並びにGPCパターンの面積
比は次の通りであった。 実施例2〜4 分別前原体としてのノボラック樹脂のエチルセロソルブ
アセテート溶液並びにエチルセロソルブアセテート、ノ
ルマルヘプタンの仕込量以外は、実施例1と全く同じ操
作を行ってノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテー
ト溶液を得た。分別前原体とエチルセロソルブアセテー
ト、ノルマルヘプタンの仕込量は次の通りである。 分別により得られたノボラック樹脂のGPCクロマトグ
ラフによる重量平均分子量並びにGPCパターンの面積
比は次の通りであった。 実施例5 内容積10100Oの三ツロフラスコに、メタクレゾー
ル2/0g並びに5%シュウ酸50gを仕込み、90℃
の油浴で加熱撹拌しながらホルマリン(37,0%)水
溶液120gを40分かけて滴下し、その後3時間さら
に加熱攪拌反応させた。その後、中和、水洗、脱水して
ノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液(樹
脂−■)を得た。(樹脂−■)の重量平均分子量は71
0であった。 一方、参考例1で得られたノボラック樹脂のエチルセロ
ソルブアセテート溶液(ノボラック樹脂の含有ff14
6.4%) 481gを101の底抜きセパラブルフラ
スコに仕込み、さらにエチルセロソルブアセテート 3
92/gとノルマルヘプタン1795gを加えて、20
℃で30分間攪拌後、静置・分液した。分液で得られた
下層のマスに、前記した(樹脂−■)を重量パーセント
(ノボラック樹脂換算として〔(樹脂−■)/(分液下
層樹脂+樹脂−■)〕X100)が20.0%になる様
に加えた後、ノルマルへブタンをエバポレータにより除
去して、ノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート
溶液を得た。GPCクロマトグラフによる重量平均分子
量ならびにGPCパターンの面積比は次の通りであった
。 く参考例7〜8〉 分別前原体として、参考例2の樹脂を用いて、エチルセ
ロソルブアセテート、ノルマルヘプタンの仕込量以外は
、実施例1全く同じ操作を行ってノボラック樹脂のエチ
ルセロソルブアセテート溶液を得た。分別により得られ
たノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量並
びにGPCクロマトグラフによるGPCパターンの面積
比は、次の通りであった。 実施例6 内容積3000mlの三ツロフラスコに、メタ/パラ混
合クレゾール(メタクレゾール61.5%品)625g
、バラクレゾール185 g、 5%蓚酸水91g1エ
チルセロソルブアセテート756gを仕込み、80℃の
油浴で加熱撹拌しながらホルマリン(37%)水溶液4
44gを40分かけて滴下し、その後6時間さらに加熱
攪拌反応させた。その後、中和、水洗、脱水してノボラ
ック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液を得た。 このようにして得られたノボラック樹脂を用いて、エチ
ルセロソルブアセテート、ノルマルヘプタンの仕込量以
外は、実施例1と全く同じ操作を行ってノボラック樹脂
のエチルセロソルブアセテート溶液を得た。分別により
得られたノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分
子量、GPCクロマトグラフによるGPCパターンの面
積比は次の通りであった。 実施例7 内容積10100Oの三ツロフラスコに、メタクレゾー
ル2/0gおよび5%蓚酸水50gを仕込み、90℃の
油浴で加熱撹拌しながらホルマリン(37%)水溶液5
7gを40分かけて滴下し、その後2時間さらに加熱攪
拌反応させた。その後、中和、エチルセロソルブアセテ
ートによる希釈後、水洗、脱水してノボラック樹脂のエ
チルセロソルブアセテート溶液(樹脂■)を得た。この
樹脂■の重量平均分子量は330であった。 一方、内容積300(bnlの三ツロフラスコに、メタ
/パラ混合クレゾール(メタクレゾール61.5%品)
724g 、バラクレゾール86g、 5%蓚酸水9
1g1エチルセロソルブアセテート756gを仕込み、
80℃の油浴で加熱撹拌しながらホルマリン(37%)
水溶液444gを40分かけて滴下し、その後8時間さ
らに加熱攪拌反応させた。その後、中和、水洗、脱水し
てノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液を
得た。 こうして得たノボラック樹脂を用いて、エチルセロソル
ブアセテート、ノルマルヘプタンの仕込量以外は実施例
5と全く同じ操作を行って得られた下層のマスに、前記
した樹脂■を重量パーセント(ノボラック樹脂換算とし
て 〔(樹脂−■)/(分液下層樹脂+樹脂−II))
xloo)が25゜0 %になる様に加えた後、ノルマ
ルへブタンをエバポレータにより除去して、ノボラック
樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液を得た。GPC
クロマトグラフによる重量平均分子量ならびにGPCパ
ターンの面積比は次の通りであった。 実施例8 内容量 10100Oの三ツロフラスコに、メタクレ
ゾール2/0g 、酢酸亜鉛二水物2.7g、イオン交
換水2/gを仕込み、80℃の油浴で加熱攪拌しながら
ホルマリン(37゜0%)水溶液121gを40分かけ
て滴下し、その後3時間さらに加熱攪拌反応させた。つ
いで5%シュウ酸水溶液30gを仕込み、その後所定時
間加熱攪拌反応させ、その後、中和、エチルセロソルブ
アセテートによる希釈後、水洗、脱水してノボラック樹
脂のエチルセロソルブアセテート溶液(樹脂■)を得た
。この樹脂の重量平均分子量は、710であった。 一方、内容積3000mlの三ツロフラスコに、メタ/
パラ混合クレゾール(メタクレゾール61.5%品)6
58g、バラクレゾール152g、5%都酸水91gを
仕込み、80℃の油浴で加熱撹拌しながらホルマリン(
37%)水溶液426gを40分かけて滴下し、その後
3時間さらに加熱攪拌反応させた。その後、中和、エチ
ルセロソルブアセテートによる希釈後、水洗、脱水して
ノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液を得
た。 こうして得たノボラック樹脂を用いて、エチルセロソル
ブアセテート、ノルマルヘプタンの仕込量以外は実施例
5と全く同じ操作を行って得られた下層のマスに、前記
した樹脂■を重量パーセント (ノボラック樹脂換算と
して 〔(樹脂−■)/(分液下層樹脂+樹脂−III
)IXloo)が32゜0 %になる様に加えた後、ノ
ルマルへブタンをエバポレータにより除去して、ノボラ
ック樹、脂のエチルセロソルブアセテート溶液を得た。 得られたノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分
子量、GPCクロマトグラフによるGP実施例9 内容積10100Oの三ツロフラスコに、メタクレゾー
ル189g、パラターシャルブチルフェノール113g
、5%蓚酸水30gを仕込み、80℃の油浴で加熱撹拌
しながらホルマリン(37%)水溶液152gを40分
かけて滴下し、その後6時間さらに加熱攪拌反応させた
。その後、中和、エチルセロソルブアセテートによる希
釈後、水洗、脱水してノボラック樹脂のエチルセロソル
ブアセテート溶液を得た。 こうして得たノボラック樹脂を用いて、エチルセロソル
ブアセテート、ノルマルヘプタンの仕込量以外は実施例
5と全く同じ操作を行って得られた下層のマスに、前記
した実施例7の樹脂■を重量パーセント(ノボラック樹
脂換算として 〔(樹脂−■)/(分液下層樹脂+樹脂
−■)〕×100)が25.0 %になる様に加えた
後、ノルマ −ルへブタンをエバポレータにより除去し
て、ノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液
を得た。得られたノボラック樹脂のポリスチレン換算重
量平均分子量、GPCクロマトグラフによるGPCパタ
ーンの面積比は次の通りであった。 実施例10 内容積10100Oの三ツロフラスコに、メタ/パラ混
合クレゾール(メタクレゾール61.5%品)154g
、パラクレゾール36g1オルソクレゾール82g、5
%蓚酸水30gを仕込み、80℃の油浴で加熱撹拌しな
がらホルマリン(37%)水溶液170gを40分かけ
て滴下し、その後9時間さらに加熱攪拌反応させた。そ
の後、中和、エチルセロソルブアセテートによる希釈後
、水洗、脱水してノボラック樹脂のエチルセロソルブア
セテート溶液を得た。 このようにして得られたノボラック樹脂を用いて、エチ
ルセロソルブアセテート、ノルマルヘプタンの仕込量以
外は、実施例5と全く同じ操作を行って得られた下層の
マスに、前記した実施例7の樹脂■を重量パーセント(
ノボラック樹脂換算として 〔(樹脂−■)/(分液下
層樹脂十樹脂−II))X100)が25.0 %に
なる様に加えた後、ノルマルへブタンをエバポレータに
より除去して、ノボラック樹脂のエチルセロソルブアセ
テート溶液を得た。 得られたノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分
子ffi、GPCクロマトグラフによるGPCパターン
の面積比は次の通りであった。 使用例及び比較例 実施例及び参考例で得られたノボラック樹脂をそれぞれ
感光剤とともに、表−1に示す組成でエチルセロソルブ
アセテート/酢酸n−ブチル−8/2の溶剤に溶かしレ
ジスト液を調合した。なお、溶剤量は以下に示す塗布条
件で厚膜1.28μmになるように調製した。 これら各組成物を0.2μmのテフロン製フィルターで
喧過し、レジスト液を調製した。これを常法によって洗
浄したシリコンウェハーに回転塗布機を用いて4000
r、p9mで塗布した。ついで、このシリコンウェハ
ーを100℃の真空吸着型ホットプレートで1分間ベー
タした。その後、35011の超高圧水銀灯を光源とす
る縮小投影露光装置を用い、ショット毎に露光時間を段
階的に変えて露光した。ついで、現像液5OPD (住
友化学工業側製商品名)を用い現像した。リンス、乾燥
復啓ショットの膜減り量と露光時間をプロットして、感
度を求めた。また、未露光部の残膜厚から残膜率を求め
た。また、レジストパターンのついたシリコンウェハー
を種々の温度に設定したクリーンオーブン中に30分間
、空気雰囲気中で放置し、その後、レジストパターンを
走査型顕微鏡で観察することにより、耐熱性を評価した
。 これらの結果をまとめて表−1に示す。表−1から使用
例の感度と耐熱性のバランスは、比較例に比べて、格段
に向上していることが認められた。
が、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるも
のではない。 〈参考例1〜4〉 内容積10100Oの三ツロフラスコに、メタクレゾー
ル2/0g 、酢酸亜鉛二水物2.7g、イオン交換水
2/gを仕込み、90℃の油浴で加熱攪拌しながらホル
マリン(37,0%)水溶液182gを40分かけて滴
下し、その後3時間さらに加熱攪拌反応させた。ついで
エチルセロソルブアセテート 250gを仕込み、続い
て5%シュウ酸水溶液40gを40分かけて滴下し、そ
の後所定時間加熱攪拌反応させ、その後、中和、水洗、
脱水してノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート
溶液を得た。GPCクロマトグラフによる重量平均分子
量並びにGPCパターンの面積比は次の通りであった。 〈参考例5〜6〉 内容積10100Oの三ツロフラスコに、メタクレゾー
ル189g 、パラクレゾール81g1酢酸亜鉛二水物
2.7g、イオン交換水2/gを仕込み、90℃の油浴
で加熱攪拌しながらホルマリン(37,0%)水溶液1
82gを40分かけて滴下し、その後6時間さらに加熱
攪拌反応させた。ついでエチルセロソルブアセテート
250gを仕込み、続いて5%シュウ酸水溶液40gを
40分かけて滴下し、その後10時間加熱攪拌反応させ
て、その後 中和、水洗、脱水してノボラック樹脂のエ
チルセロソルブアセテート溶液を得た。GPCクロマト
グラフによる重量平均分子量並びにGPCパターンの面
積比は次の通りであった。 実施例1 [1回目分別コ 参考例1で得られたノボラック樹脂のエチルセロソルブ
アセテート溶液(ノボラック樹脂の含有ff146.4
%) 308gを5A!の底抜きセパラブルフラスコに
仕込み、さらにエチルセロソルブアセテー) 646
gとノルマルへブタン1892gを加えて、20分で3
0分間攪拌後、静置分液した。 [2回目分別] 次に、51の底抜きセパラブルフラスコに下Jmのマス
424gを仕込み、さらにエチルセロソルブアセテート
2134gとノルマへブタン1042gを加えて、1
回目分別と同じ操作を繰り返した。分液により得られた
下層マスに1回目分別上層マスを加えたのち、エバポレ
ータによりヘプタンを除去して、ノボラック樹脂のエチ
ルセロソルブアセテート溶液を得た。GPCクロマトグ
ラフによる重量平均分子量並びにGPCパターンの面積
比は次の通りであった。 実施例2〜4 分別前原体としてのノボラック樹脂のエチルセロソルブ
アセテート溶液並びにエチルセロソルブアセテート、ノ
ルマルヘプタンの仕込量以外は、実施例1と全く同じ操
作を行ってノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテー
ト溶液を得た。分別前原体とエチルセロソルブアセテー
ト、ノルマルヘプタンの仕込量は次の通りである。 分別により得られたノボラック樹脂のGPCクロマトグ
ラフによる重量平均分子量並びにGPCパターンの面積
比は次の通りであった。 実施例5 内容積10100Oの三ツロフラスコに、メタクレゾー
ル2/0g並びに5%シュウ酸50gを仕込み、90℃
の油浴で加熱撹拌しながらホルマリン(37,0%)水
溶液120gを40分かけて滴下し、その後3時間さら
に加熱攪拌反応させた。その後、中和、水洗、脱水して
ノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液(樹
脂−■)を得た。(樹脂−■)の重量平均分子量は71
0であった。 一方、参考例1で得られたノボラック樹脂のエチルセロ
ソルブアセテート溶液(ノボラック樹脂の含有ff14
6.4%) 481gを101の底抜きセパラブルフラ
スコに仕込み、さらにエチルセロソルブアセテート 3
92/gとノルマルヘプタン1795gを加えて、20
℃で30分間攪拌後、静置・分液した。分液で得られた
下層のマスに、前記した(樹脂−■)を重量パーセント
(ノボラック樹脂換算として〔(樹脂−■)/(分液下
層樹脂+樹脂−■)〕X100)が20.0%になる様
に加えた後、ノルマルへブタンをエバポレータにより除
去して、ノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート
溶液を得た。GPCクロマトグラフによる重量平均分子
量ならびにGPCパターンの面積比は次の通りであった
。 く参考例7〜8〉 分別前原体として、参考例2の樹脂を用いて、エチルセ
ロソルブアセテート、ノルマルヘプタンの仕込量以外は
、実施例1全く同じ操作を行ってノボラック樹脂のエチ
ルセロソルブアセテート溶液を得た。分別により得られ
たノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量並
びにGPCクロマトグラフによるGPCパターンの面積
比は、次の通りであった。 実施例6 内容積3000mlの三ツロフラスコに、メタ/パラ混
合クレゾール(メタクレゾール61.5%品)625g
、バラクレゾール185 g、 5%蓚酸水91g1エ
チルセロソルブアセテート756gを仕込み、80℃の
油浴で加熱撹拌しながらホルマリン(37%)水溶液4
44gを40分かけて滴下し、その後6時間さらに加熱
攪拌反応させた。その後、中和、水洗、脱水してノボラ
ック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液を得た。 このようにして得られたノボラック樹脂を用いて、エチ
ルセロソルブアセテート、ノルマルヘプタンの仕込量以
外は、実施例1と全く同じ操作を行ってノボラック樹脂
のエチルセロソルブアセテート溶液を得た。分別により
得られたノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分
子量、GPCクロマトグラフによるGPCパターンの面
積比は次の通りであった。 実施例7 内容積10100Oの三ツロフラスコに、メタクレゾー
ル2/0gおよび5%蓚酸水50gを仕込み、90℃の
油浴で加熱撹拌しながらホルマリン(37%)水溶液5
7gを40分かけて滴下し、その後2時間さらに加熱攪
拌反応させた。その後、中和、エチルセロソルブアセテ
ートによる希釈後、水洗、脱水してノボラック樹脂のエ
チルセロソルブアセテート溶液(樹脂■)を得た。この
樹脂■の重量平均分子量は330であった。 一方、内容積300(bnlの三ツロフラスコに、メタ
/パラ混合クレゾール(メタクレゾール61.5%品)
724g 、バラクレゾール86g、 5%蓚酸水9
1g1エチルセロソルブアセテート756gを仕込み、
80℃の油浴で加熱撹拌しながらホルマリン(37%)
水溶液444gを40分かけて滴下し、その後8時間さ
らに加熱攪拌反応させた。その後、中和、水洗、脱水し
てノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液を
得た。 こうして得たノボラック樹脂を用いて、エチルセロソル
ブアセテート、ノルマルヘプタンの仕込量以外は実施例
5と全く同じ操作を行って得られた下層のマスに、前記
した樹脂■を重量パーセント(ノボラック樹脂換算とし
て 〔(樹脂−■)/(分液下層樹脂+樹脂−II))
xloo)が25゜0 %になる様に加えた後、ノルマ
ルへブタンをエバポレータにより除去して、ノボラック
樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液を得た。GPC
クロマトグラフによる重量平均分子量ならびにGPCパ
ターンの面積比は次の通りであった。 実施例8 内容量 10100Oの三ツロフラスコに、メタクレ
ゾール2/0g 、酢酸亜鉛二水物2.7g、イオン交
換水2/gを仕込み、80℃の油浴で加熱攪拌しながら
ホルマリン(37゜0%)水溶液121gを40分かけ
て滴下し、その後3時間さらに加熱攪拌反応させた。つ
いで5%シュウ酸水溶液30gを仕込み、その後所定時
間加熱攪拌反応させ、その後、中和、エチルセロソルブ
アセテートによる希釈後、水洗、脱水してノボラック樹
脂のエチルセロソルブアセテート溶液(樹脂■)を得た
。この樹脂の重量平均分子量は、710であった。 一方、内容積3000mlの三ツロフラスコに、メタ/
パラ混合クレゾール(メタクレゾール61.5%品)6
58g、バラクレゾール152g、5%都酸水91gを
仕込み、80℃の油浴で加熱撹拌しながらホルマリン(
37%)水溶液426gを40分かけて滴下し、その後
3時間さらに加熱攪拌反応させた。その後、中和、エチ
ルセロソルブアセテートによる希釈後、水洗、脱水して
ノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液を得
た。 こうして得たノボラック樹脂を用いて、エチルセロソル
ブアセテート、ノルマルヘプタンの仕込量以外は実施例
5と全く同じ操作を行って得られた下層のマスに、前記
した樹脂■を重量パーセント (ノボラック樹脂換算と
して 〔(樹脂−■)/(分液下層樹脂+樹脂−III
)IXloo)が32゜0 %になる様に加えた後、ノ
ルマルへブタンをエバポレータにより除去して、ノボラ
ック樹、脂のエチルセロソルブアセテート溶液を得た。 得られたノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分
子量、GPCクロマトグラフによるGP実施例9 内容積10100Oの三ツロフラスコに、メタクレゾー
ル189g、パラターシャルブチルフェノール113g
、5%蓚酸水30gを仕込み、80℃の油浴で加熱撹拌
しながらホルマリン(37%)水溶液152gを40分
かけて滴下し、その後6時間さらに加熱攪拌反応させた
。その後、中和、エチルセロソルブアセテートによる希
釈後、水洗、脱水してノボラック樹脂のエチルセロソル
ブアセテート溶液を得た。 こうして得たノボラック樹脂を用いて、エチルセロソル
ブアセテート、ノルマルヘプタンの仕込量以外は実施例
5と全く同じ操作を行って得られた下層のマスに、前記
した実施例7の樹脂■を重量パーセント(ノボラック樹
脂換算として 〔(樹脂−■)/(分液下層樹脂+樹脂
−■)〕×100)が25.0 %になる様に加えた
後、ノルマ −ルへブタンをエバポレータにより除去し
て、ノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液
を得た。得られたノボラック樹脂のポリスチレン換算重
量平均分子量、GPCクロマトグラフによるGPCパタ
ーンの面積比は次の通りであった。 実施例10 内容積10100Oの三ツロフラスコに、メタ/パラ混
合クレゾール(メタクレゾール61.5%品)154g
、パラクレゾール36g1オルソクレゾール82g、5
%蓚酸水30gを仕込み、80℃の油浴で加熱撹拌しな
がらホルマリン(37%)水溶液170gを40分かけ
て滴下し、その後9時間さらに加熱攪拌反応させた。そ
の後、中和、エチルセロソルブアセテートによる希釈後
、水洗、脱水してノボラック樹脂のエチルセロソルブア
セテート溶液を得た。 このようにして得られたノボラック樹脂を用いて、エチ
ルセロソルブアセテート、ノルマルヘプタンの仕込量以
外は、実施例5と全く同じ操作を行って得られた下層の
マスに、前記した実施例7の樹脂■を重量パーセント(
ノボラック樹脂換算として 〔(樹脂−■)/(分液下
層樹脂十樹脂−II))X100)が25.0 %に
なる様に加えた後、ノルマルへブタンをエバポレータに
より除去して、ノボラック樹脂のエチルセロソルブアセ
テート溶液を得た。 得られたノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分
子ffi、GPCクロマトグラフによるGPCパターン
の面積比は次の通りであった。 使用例及び比較例 実施例及び参考例で得られたノボラック樹脂をそれぞれ
感光剤とともに、表−1に示す組成でエチルセロソルブ
アセテート/酢酸n−ブチル−8/2の溶剤に溶かしレ
ジスト液を調合した。なお、溶剤量は以下に示す塗布条
件で厚膜1.28μmになるように調製した。 これら各組成物を0.2μmのテフロン製フィルターで
喧過し、レジスト液を調製した。これを常法によって洗
浄したシリコンウェハーに回転塗布機を用いて4000
r、p9mで塗布した。ついで、このシリコンウェハ
ーを100℃の真空吸着型ホットプレートで1分間ベー
タした。その後、35011の超高圧水銀灯を光源とす
る縮小投影露光装置を用い、ショット毎に露光時間を段
階的に変えて露光した。ついで、現像液5OPD (住
友化学工業側製商品名)を用い現像した。リンス、乾燥
復啓ショットの膜減り量と露光時間をプロットして、感
度を求めた。また、未露光部の残膜厚から残膜率を求め
た。また、レジストパターンのついたシリコンウェハー
を種々の温度に設定したクリーンオーブン中に30分間
、空気雰囲気中で放置し、その後、レジストパターンを
走査型顕微鏡で観察することにより、耐熱性を評価した
。 これらの結果をまとめて表−1に示す。表−1から使用
例の感度と耐熱性のバランスは、比較例に比べて、格段
に向上していることが認められた。
第1〜第4図は、ノボラック樹脂のGPCパターンを表
し、第2〜第4図は従来の方法によって得られたノボラ
ック樹脂或いは独自に調整したノボラック樹脂のGPC
パターン、第1図は、本発明に特定するノボラック樹脂
のGPCパターンをそれぞれ表す。 第3図 第4図 …仕阻仕■且[
し、第2〜第4図は従来の方法によって得られたノボラ
ック樹脂或いは独自に調整したノボラック樹脂のGPC
パターン、第1図は、本発明に特定するノボラック樹脂
のGPCパターンをそれぞれ表す。 第3図 第4図 …仕阻仕■且[
Claims (5)
- (1)フェノール類をホルムアルデヒドと付加縮合反応
させることによって製造されるノボラック樹脂であって
、そのゲルパーミエーションクロマトグラフ(GPC)
パターン(UV(254nm)検出器使用)の面積比が
ポリスチレン換算分子量で150乃至500未満(フェ
ノール類未反応モノマーは含まない)の範囲(以下A領
域と称する)が8〜35%であり、ポリスチレン換算分
子量で500乃至5000未満の範囲(以下B領域と称
する)が0〜30%であり、ポリスチレン換算分子量で
5000を越える範囲(以下C領域と称する)が35〜
92%であり、かつB領域/A領域=2.50以下であ
ることを特徴とするポジ型フォトレジスト用ノボラック
樹脂。 - (2)ノボラック樹脂のポリスチレン換算での重量平均
分子量が3000乃至35,000であることを特徴と
する特許請求の範囲第1項に記載のポジ型フォトレジス
ト用ノボラック樹脂。 - (3)フェノール類としてクレゾール類を使用すること
を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のポジ型フォ
トレジスト用ノボラック樹脂。 - (4)クレゾール類がメタクレゾール及びパラクレゾー
ルから成ることを特徴とする特許請求の範囲第3項に記
載のポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂。 - (5)A領域に相当するノボラック樹脂に含まれるメタ
クレゾールとパラクレゾールの比率が10/0〜2/8
であり、かつC領域に相当するノボラック樹脂に含まれ
るメタクレゾールとパラクレゾールの比率が10/0〜
4/6であることを特徴とする特許請求の範囲第4項に
記載のポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62220664A JP2590342B2 (ja) | 1986-11-08 | 1987-09-02 | ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂及びそれを含有するポジ型フォトレジスト組成物 |
DE8787309646T DE3781650T2 (de) | 1986-11-08 | 1987-10-30 | Novolackharz fuer positiv-photolack. |
EP87309646A EP0271199B1 (en) | 1986-11-08 | 1987-10-30 | Novolak resin for positive photoresist |
CA000551269A CA1287438C (en) | 1986-11-08 | 1987-11-06 | Novolak resin for positive photoresist |
KR1019870012598A KR960006405B1 (ko) | 1986-11-08 | 1987-11-09 | 포지티브 감광성 내식막용 노볼락수지 |
US07/118,041 US4812551A (en) | 1986-11-08 | 1987-11-09 | Novolak resin for positive photoresist |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26640286 | 1986-11-08 | ||
JP61-266402 | 1986-11-08 | ||
JP62220664A JP2590342B2 (ja) | 1986-11-08 | 1987-09-02 | ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂及びそれを含有するポジ型フォトレジスト組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01105243A true JPH01105243A (ja) | 1989-04-21 |
JP2590342B2 JP2590342B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=26523847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62220664A Expired - Fee Related JP2590342B2 (ja) | 1986-11-08 | 1987-09-02 | ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂及びそれを含有するポジ型フォトレジスト組成物 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4812551A (ja) |
EP (1) | EP0271199B1 (ja) |
JP (1) | JP2590342B2 (ja) |
KR (1) | KR960006405B1 (ja) |
CA (1) | CA1287438C (ja) |
DE (1) | DE3781650T2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03125152A (ja) * | 1989-10-09 | 1991-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | フォトレジスト塗布組成物 |
JPH03200251A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-02 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
EP0786699A1 (en) | 1996-01-22 | 1997-07-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
EP0789041A1 (en) | 1995-10-30 | 1997-08-13 | Gun Ei Chemical Industry Co., Ltd. | Novolak type phenolic resins and methods of manufacturing thereof |
US5859168A (en) * | 1995-10-30 | 1999-01-12 | Gun Ei Chemical Industry Co., Ltd. | Novolak type phenolic resins and methods of manufacturing thereof |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1279430C (en) * | 1985-12-06 | 1991-01-22 | Takashi Kubota | High-molecular-weight soluble novolak resin and process for preparation thereof |
JP2552891B2 (ja) * | 1988-01-26 | 1996-11-13 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
DE3810631A1 (de) * | 1988-03-29 | 1989-10-12 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial mit hohem waermestand |
US5861229A (en) * | 1988-07-07 | 1999-01-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Radiation-sensitive positive resist composition comprising a 1,2-quinone diazide compound, an alkali-soluble resin and a polyphenol compound |
US5456995A (en) * | 1988-07-07 | 1995-10-10 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Radiation-sensitive positive resist composition |
JP2636348B2 (ja) * | 1988-07-20 | 1997-07-30 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型レジスト用組成物 |
DE3901930A1 (de) * | 1989-01-24 | 1990-07-26 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung von novolaken und deren verwendung |
CA2023791A1 (en) * | 1989-08-24 | 1991-02-25 | Ayako Ida | Radiation-sensitive positive resist composition |
US5288587A (en) * | 1989-09-05 | 1994-02-22 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Radiation-sensitive positive resist composition comprising an o-quinone diazide, an alkali-soluble resin and a polyphenol compound |
US5132376A (en) * | 1989-09-08 | 1992-07-21 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Process for selective removal of dimeric species from phenolic polymers |
US5324620A (en) * | 1989-09-08 | 1994-06-28 | Ocg Microeletronic Materials, Inc. | Radiation-sensitive compositions containing novolak polymers made from four phenolic derivatives and an aldehyde |
AU6339390A (en) * | 1989-09-08 | 1991-04-08 | Olin Hunt Specialty Products Inc. | Radiation-sensitive compositions containing fully substituted novolak polymers |
US5151339A (en) * | 1989-09-08 | 1992-09-29 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Photoresist composition containing diazoquinone photosensitizer and novalak resin characterized by the complete and selective removal of dimeric species from the novolak resin |
JP3063148B2 (ja) * | 1989-12-27 | 2000-07-12 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
TW202504B (ja) * | 1990-02-23 | 1993-03-21 | Sumitomo Chemical Co | |
JPH03294861A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
US5145763A (en) * | 1990-06-29 | 1992-09-08 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Positive photoresist composition |
JP2711590B2 (ja) * | 1990-09-13 | 1998-02-10 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
JPH05204144A (ja) * | 1991-08-21 | 1993-08-13 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
US5346799A (en) * | 1991-12-23 | 1994-09-13 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Novolak resins and their use in radiation-sensitive compositions wherein the novolak resins are made by condensing 2,6-dimethylphenol, 2,3-dimethylphenol, a para-substituted phenol and an aldehyde |
US5374693A (en) * | 1992-12-29 | 1994-12-20 | Hoechst Celanese Corporation | Novolak resin blends for photoresist applications |
EP0720052A1 (en) * | 1994-12-27 | 1996-07-03 | Mitsubishi Chemical Corporation | Photosensitive composition and photosensitive lithographic printing plate |
JPH0990622A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-04-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
TW442710B (en) * | 1995-12-07 | 2001-06-23 | Clariant Finance Bvi Ltd | Isolation of novolak resin without high temperature distillation and photoresist composition therefrom |
TW475099B (en) * | 1996-12-18 | 2002-02-01 | Hoechst Celanese Corp | Isolation of novolak resin without high temperature distillation and photoresist composition therefrom |
US5853954A (en) * | 1996-12-18 | 1998-12-29 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Fractionated novolak resin and photoresist composition therefrom |
US6045966A (en) * | 1997-12-15 | 2000-04-04 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Fractionated novolak resin and photoresist composition therefrom |
US6027853A (en) * | 1998-01-16 | 2000-02-22 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Process for preparing a radiation-sensitive composition |
WO2000034829A1 (fr) | 1998-12-10 | 2000-06-15 | Clariant International Ltd. | Composition a base de resine photosensible |
JP4068260B2 (ja) * | 1999-04-02 | 2008-03-26 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
KR20010112227A (ko) | 1999-10-07 | 2001-12-20 | 데머 얀, 당코 제니아 떼. | 감광성 조성물 |
KR100709520B1 (ko) * | 2000-02-29 | 2007-04-20 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 페놀 노볼락 수지, 그것의 합성 방법, 및 이것을 사용한포지티브형 포토레지스트 조성물 |
JP4213366B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2009-01-21 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 厚膜レジストパターンの形成方法 |
JP4237430B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2009-03-11 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | エッチング方法及びエッチング保護層形成用組成物 |
JP4235466B2 (ja) * | 2003-02-24 | 2009-03-11 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 水溶性樹脂組成物、パターン形成方法及びレジストパターンの検査方法 |
JP4012480B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2007-11-21 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 微細パターン形成補助剤及びその製造法 |
CN101107283B (zh) * | 2005-01-25 | 2010-08-18 | 保土谷化学工业株式会社 | 酮改性的间苯二酚-甲醛树脂 |
US7923200B2 (en) * | 2007-04-09 | 2011-04-12 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern comprising a lactam |
JP5069494B2 (ja) * | 2007-05-01 | 2012-11-07 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | 微細化パターン形成用水溶性樹脂組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法 |
US7745077B2 (en) * | 2008-06-18 | 2010-06-29 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern |
EP2532710B1 (en) * | 2010-02-03 | 2018-08-22 | DIC Corporation | Phenol resin composition, curable resin composition, cured products thereof, and printed circuit board |
KR101400186B1 (ko) | 2010-12-31 | 2014-05-27 | 제일모직 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60140235A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-25 | オリン マイクロエレクトロニック ケミカルズ インコーポレーテッド | ポジ作用性ホトレジスト組成物 |
JPS60189739A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JPS61205933A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-12 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光性平版印刷版 |
JPS6273255A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-03 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光性組成物 |
JPS62143045A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-26 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型感光性平版印刷版 |
JPS632044A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
JPS642038A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-06 | Sumitomo Chem Co Ltd | Positive type photoresist composition |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3666473A (en) * | 1970-10-06 | 1972-05-30 | Ibm | Positive photoresists for projection exposure |
US4173470A (en) * | 1977-11-09 | 1979-11-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Novolak photoresist composition and preparation thereof |
JPS61185741A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-19 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
DE3751743T2 (de) * | 1986-03-28 | 1996-11-14 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Positiv arbeitende photoempfindliche Kunststoffzusammensetzung |
-
1987
- 1987-09-02 JP JP62220664A patent/JP2590342B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1987-10-30 DE DE8787309646T patent/DE3781650T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-10-30 EP EP87309646A patent/EP0271199B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-11-06 CA CA000551269A patent/CA1287438C/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-11-09 KR KR1019870012598A patent/KR960006405B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1987-11-09 US US07/118,041 patent/US4812551A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60140235A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-25 | オリン マイクロエレクトロニック ケミカルズ インコーポレーテッド | ポジ作用性ホトレジスト組成物 |
JPS60189739A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JPS61205933A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-12 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光性平版印刷版 |
JPS6273255A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-03 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光性組成物 |
JPS62143045A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-26 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型感光性平版印刷版 |
JPS632044A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
JPS642038A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-06 | Sumitomo Chem Co Ltd | Positive type photoresist composition |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03125152A (ja) * | 1989-10-09 | 1991-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | フォトレジスト塗布組成物 |
JPH03200251A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-02 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
EP0789041A1 (en) | 1995-10-30 | 1997-08-13 | Gun Ei Chemical Industry Co., Ltd. | Novolak type phenolic resins and methods of manufacturing thereof |
US5859168A (en) * | 1995-10-30 | 1999-01-12 | Gun Ei Chemical Industry Co., Ltd. | Novolak type phenolic resins and methods of manufacturing thereof |
US5929191A (en) * | 1995-12-13 | 1999-07-27 | Gun Ei Chemical Industry Co., Ltd. | Novolak type phenolic resins and methods of manufacturing thereof |
US6001949A (en) * | 1995-12-13 | 1999-12-14 | Gun Ei Chemical Industry Co., Ltd. | Novolak type phenolic resins and methods of manufacturing thereof |
EP0786699A1 (en) | 1996-01-22 | 1997-07-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0271199B1 (en) | 1992-09-09 |
EP0271199A2 (en) | 1988-06-15 |
DE3781650D1 (de) | 1992-10-15 |
CA1287438C (en) | 1991-08-06 |
KR960006405B1 (ko) | 1996-05-15 |
DE3781650T2 (de) | 1993-04-15 |
EP0271199A3 (en) | 1989-10-18 |
US4812551A (en) | 1989-03-14 |
JP2590342B2 (ja) | 1997-03-12 |
KR890005563A (ko) | 1989-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH01105243A (ja) | ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂 | |
JPH03228059A (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
EP0458988B1 (en) | Positive resist composition | |
JPH03294861A (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
JPH042181B2 (ja) | ||
US6121412A (en) | Preparation of fractionated novolak resins by a novel extraction technique | |
JP3063148B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
US5739265A (en) | Fractionation of phenol formaldehyde condensate and photoresist compositions produced therefrom | |
JPH04261B2 (ja) | ||
JP2617594B2 (ja) | 熱的に安定なフエノール樹脂組成物及び感光性組成物におけるそれらの使用 | |
JP2814721B2 (ja) | ポジ型感放射線性レジスト組成物 | |
JPH01289946A (ja) | ポジ型レジスト用組成物 | |
EP0948553B1 (en) | Fractionated novolak resin from cresol-formaldehyde reaction mixture and photoresist composition therefrom | |
EP1042381B1 (en) | Fractionated novolak resin and photoresist composition therefrom | |
JPH01289947A (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
US5977288A (en) | Fractionated novolak resin and photoresist composition therefrom | |
JPH02300751A (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
JP2000131835A (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
EP0865455B1 (en) | Isolation of novolak resin without high temperature distillation and photoresist composition therefrom | |
JPH06242599A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP3458385B2 (ja) | ノボラック樹脂の製造方法およびポジ型レジスト組成物 | |
EP0948552B1 (en) | Method for producing a water insoluble, aqueous alkali soluble novolak resin | |
JP3968763B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JPH04211257A (ja) | ポリフェノール化合物 | |
JP2654947B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |