JP2002038258A - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
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Abstract
e系薄膜を形成するにあたって、その膜厚分布の均一性
を格段に向上させたスパッタリングターゲットが求めら
れている。 【解決手段】 高純度Ge、もしくはB、C、Al、S
i、Fe、Cr、Ta、Nb、Cu、Mn、Mo、W、
Ni、Ti、Zr、Hf、Co、IrおよびRuから選
ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子%の範囲で含
むGe合金からなるスパッタリングターゲットである。
このようなスパッタリングターゲットにおいて、ターゲ
ット表面の面方位をX線回折法で測定した際に、(111)
面のピーク強度に対する(220)面のピーク強度の比((22
0)/(111))が0.3以上とされている。さらに、この(22
0)/(111)ピーク強度比は、ターゲット表面全体として
のバラツキが±30%以内とされている。
Description
の構成層としてのGe層、Ge化合物層、Ge合金層な
どを形成する際に用いられるスパッタリングターゲット
に関する。
に伴って、大量のデータを高速にかつ高密度に記録・再
生することが可能な記録装置や記録媒体が求められてい
る。光ディスクは、このような用途に適した記録媒体と
いうことができる。代表的な光ディスクとしては、光磁
気効果を利用した光磁気記録媒体や、記録層を結晶質状
態と非晶質状態との間で可逆的に相変化させ、この相変
化に伴う反射率の違いを利用した相変化型光記録媒体が
挙げられる。
することで記録層を相変化させ、これにより情報の記録
・消去を行うものであり、光学系の構造が簡単であると
いうような特徴を有している。さらに、光磁気記録のよ
うに磁界を必要とせず、光の強度変調による重ね書き
(オーバーライト)が容易で、またさらにデータ転送速
度が速いというような特徴を有している。加えて、CD
−ROMなどの再生専用ディスクとの互換性にも優れて
おり、DVD−RAMなどをはじめとする大容量タイプ
の書換え可能型記録媒体に適用されている。
ばポリカーボネート基板上などに反射層/保護層/中間
層/記録層/中間層/保護層の6層を形成した構造が挙
げられる。記録層にはGeSbTe系合金やInSbT
e系合金などのカルコゲン系合金薄膜が適用されてい
る。また、保護層にはZnS−SiO2が、反射層には
Al−Mo、Al−Ti、Agなどの材料が使用されて
いる。中間層は、記録性の向上のために設けられるよう
になったものであり、Ge単体、GeNのようなGe化
合物、Ge−CrやGe−SiなどのGe合金などで構
成されている。
ディスクは、スパッタ法で各構成層を形成して作製する
ことが一般的である。具体的には、カセット式回転タイ
プのスパッタリング装置を用い、あるタクトタイムを維
持しながら各構成層を連続して形成することによって、
光ディスクを作製している。光ディスクの生産量は膨大
であり、また製造コストの低減が求められていることか
ら、各構成層を形成する際のスパッタ成膜は連続して実
施すること、さらにスパッタリングターゲットの使用効
率を高めることなどが重要である。
うに相変化型光ディスクでは、情報が記録された記録層
に光を照射し、記録層の結晶質状態と非晶質状態との間
の反射率の違いに基づく反射光量の違いを0と1に対応
させて、記録データの読み出しが行われる。このような
反射率の違いに基づいて記録データの読み出し(再生)
を行う場合、その信頼性(再生精度)には各構成層の膜
厚の均一性が大きく影響する。
程度とされているが、再生の信頼性をさらに高めるため
に膜厚の均一性を向上させることが求められている。具
体的には、相変化型光ディスクを構成する各層の膜厚の
均一性を1%以下に抑制することが望ましいとされてい
る。
層を構成するGeやGe合金は、他の構成層の材料に比
べてスパッタレートが低く、他の構成層を成膜する際の
タクトタイムに合せると膜厚が不均一になりやすいとい
う問題がある。また、上述したように、光ディスクの製
造工程では連続成膜作業が必須であることから、工程途
中でスパッタ条件などにより膜厚分布を調整することは
困難である。
なされたもので、Ge膜、Ge化合物膜、Ge合金膜な
どのGe系薄膜を形成するにあたって、その膜厚分布の
均一性を格段に向上させ、連続成膜工程においても膜厚
の均一性を安定に保つことを可能にしたスパッタリング
ターゲットを提供することを目的としている。
解決するために、GeもしくはGe合金ターゲットの表
面(ターゲット面)の結晶方位について検討した結果、
ターゲット表面のX線回折による(220)面ピークと(111)
面ピークとの強度比、すなわち(220)/(111)ピーク強度
比が、得られる膜(スパッタ膜)の膜厚分布に影響を及
ぼし、この(220)/(111)ピーク強度比を0.3以上とする
ことによって、スパッタ膜(Ge膜、Ge化合物膜、G
e合金膜など)の膜厚均一性を大幅に高めることが可能
であることを見出した。
たものである。すなわち、本発明のスパッタリングター
ゲットは、請求項1に記載したように、高純度Ge、も
しくはB、C、Al、Si、Fe、Cr、Ta、Nb、
Cu、Mn、Mo、W、Ni、Ti、Zr、Hf、C
o、IrおよびRuから選ばれる少なくとも1種の元素
を0.1〜50原子%の範囲で含むGe合金からなるスパッ
タリングターゲットであって、前記ターゲット表面の面
方位をX線回折法で測定した際の(111)面のピーク強度
に対する(220)面のピーク強度の比((220)/(111))が
0.3以上であることを特徴としている。
らに請求項2に記載したように、前記ターゲット表面全
体における前記(220)/(111)ピーク強度比のバラツキが
±30%以内であることを特徴としている。
えば請求項3に記載したように、バッキングプレートと
接合されて用いられる。また、本発明のスパッタリング
ターゲットは、例えば請求項4に記載したように、光デ
ィスクの構成層を形成する際に用いられるものである。
特に、請求項5に記載したように、相変化型などの光デ
ィスクの中間層を構成するGe層、Ge化合物層、Ge
合金層の形成用として好適である。
態について説明する。
純度GeまたはGe合金からなるものである。ターゲッ
トの構成材料としてのGe合金は、B、C、Al、S
i、Fe、Cr、Ta、Nb、Cu、Mn、Mo、W、
Ni、Ti、Zr、Hf、Co、IrおよびRuから選
ばれる少なくとも1種の元素(M元素)を0.1〜50原子%
の範囲で含むものである。
合金で構成する場合、合金元素としてのM元素は、膜の
使用目的に応じて適宜に選択される。例えば、スパッタ
膜を光ディスクの中間層として使用する場合には、M元
素としてSi、Cr、W、B、Taなどを適用すること
が好ましい。このような場合のM元素の含有量は、記録
層と保護層との密着性を良好にする上で、0.1〜50原子
%の範囲とすることが好ましい。
トは、上記したような高純度Geもしくは高純度Ge合
金からなるターゲットの表面(ターゲット面)におい
て、その面方位をX線回折法で測定した際の(111)面の
ピーク強度に対する(220)面のピーク強度の比((220)/
(111))を0.3以上としている。なお、ここで言うピーク
強度比とはX線回折法により得られる最大強度の比を指
すものである。このように、高純度GeもしくはGe合
金からなるターゲットの表面の面方位を規定することに
よって、得られる膜(Ge膜、Ge化合物膜、Ge合金
膜などのGe系薄膜)の膜厚分布の均一性を格段に向上
させることが可能となる。
e合金ターゲットを用いたスパッタ成膜において、ター
ゲット組成の膜を形成する際にはAr、Kr、Xe、N
eなどの希ガスがスパッタガスとして用いられる。ま
た、GeNやGeOなどのGe化合物膜、さらにはGe
合金窒化膜やGe合金酸化膜などを形成する場合には、
リアクティブスパッタ法が適用され、希ガスと窒素もし
くは酸素ガスとの混合ガスがスパッタガスとして使用さ
れる。
Ge系薄膜は、上述したようなスパッタ方式を採用した
DCもしくはRFスパッタにより成膜される。このよう
なGe系薄膜のスパッタ成膜において、GeやGe合金
はスパッタレートが低く、タクトタイムの短縮などを図
った場合には、特に膜厚分布が不均一になりやすい。ス
パッタ膜の膜厚分布は、通常ターゲットと基板との距
離、ガス圧、磁界強度などによっても変化するが、光デ
ィスクの製造工程のように、連続成膜作業が必須とされ
る場合には、工程途中でスパッタ条件などを調整するこ
とにより膜厚分布を制御することが困難である。
ーゲット自体の構成条件のうち、スパッタ膜の膜厚分布
に影響を及ぼしている要因を検討したところ、ターゲッ
ト面の面方位が大きく影響していることを見出した。さ
らに、ターゲット面の面方位とスパッタ膜の膜厚分布と
の関係について検討した結果、ターゲット面を構成する
面方位のうち(220)面のピーク強度の影響が大きく、こ
の(220)面ピークの(111)面ピークに対するピーク強度
比、すなわち(220)/(111)ピーク強度比を高めることに
よって、スパッタ膜(Ge膜、Ge化合物膜、Ge合金
膜など)の膜厚分布の均一性を大幅に高めることが可能
であることを見出した。
り、通常は(111)面が最密面となる。また、Ge単体や
Ge合金からなるターゲットの表面(ターゲット面)に
おいて、X線回折法で測定される結晶方位は多数存在す
るが、その中でも(220)面は他の結晶面に比べてスパッ
タされやすく、またスパッタ粒子の飛翔方向が等方的で
あるという特性を有する。従って、このような(220)面
のターゲット面における出現比率を、最密面である(11
1)面のピーク強度に対する(220)面のピーク強度の比
((220)/(111))として表した場合に、その値を高める
ことによって、スパッタ膜(Ge膜、Ge化合物膜、G
e合金膜など)の膜厚分布の均一性を大幅に向上させる
ことができる。
ングターゲットにおいては、ターゲット面の面方位をX
線回折法で測定した際に、(111)面のピーク強度に対す
る(220)面のピーク強度の比((220)/(111))を0.3以上
としている。すなわち、ターゲット面の面方位におい
て、(220)/(111)ピーク強度比を0.3以上とすることに
よって、スパッタの均一性などに優れる(220)面のスパ
ッタリングに関与する影響が大きくなり、これによって
得られるスパッタ膜の膜厚分布の均一性を大幅に高める
ことができる。
グターゲットにおいて、ターゲット面の(220)/(111)ピ
ーク強度比が0.3未満であると、最密面である(111)面や
他の結晶面の影響が大きくなり、スパッタ粒子の飛翔方
向がある方向に優先的になってしまい、その結果として
スパッタ膜の膜厚分布が不均一になってしまう。ターゲ
ット面の(220)/(111)ピーク強度比は0.5以上とするこ
とがより好ましく、さらに望ましくは0.7以上である。
は、ターゲット面全体としてのバラツキを±30%以内と
することがさらに好ましい。このように、ターゲット面
全体として上記した結晶面のピーク強度比のバラツキを
抑えることによって、スパッタ膜の膜厚の面内均一性を
さらに高めることができる。すなわち、(111)面ピーク
に対する(220)面ピークの強度比がターゲット面全体と
して±30%を超えてばらついていると、局所的に膜厚の
変動などが生じるおそれがある。ターゲット面全体とし
ての(220)/(111)ピーク強度比のバラツキは±15%以内
とすることがより好ましく、望ましくは±10%以内であ
る。
トにおけるターゲット面の(220)/(111)ピーク強度比
は、以下に示す方法により測定された値を示すものとす
る。すなわち、図1に示すように、例えば円板状ターゲ
ットの中心部(位置1)と、中心部を通り円周を均等に
分割した4本の直線上の外周近傍位置(位置2〜9)お
よびその1/2の距離の位置(位置10〜17)の計17点
について、X線回折を実施して結晶面のピーク強度を測
定し、各位置における(220)/(111)ピーク強度比を求め
る。これら17点のピーク強度比を平均した値を、本発明
における(220)/(111)ピーク強度比とする。
/(111)ピーク強度比のバラツキは、上記した17点の各
位置で求めた(220)/(111)ピーク強度比の最大値および
最小値から、{(最大値−最小値)/(最大値+最小
値)}×100の式に基づいて求めた値(%)を示すもの
とする。
する高純度Geもしくは高純度Ge合金は、通常のター
ゲットと同程度の純度を有していれば特に不純物量など
が限定されるものではない。すなわち、高純度Geもし
くは高純度Ge合金は、通常の高純度金属材料と同程度
の不純物であれば含んでいてもよい。
不純物量があまり多いと、例えば光ディスクの中間層な
どとしての特性が低下するおそれがある。従って、本発
明のスパッタリングターゲットは、不純物元素としての
Fe、Ni、Mn、Na、Kの合計含有量が1000ppm以
下の高純度Geもしくは高純度Ge合金で構成すること
が好ましい。言い換えると、Fe、Ni、Mn、Na、
Kの各含有量(質量%)の合計量を100%から引いた値
[100−(Fe%+Ni%+Mn%+Na%+K%)]が99.9
%以上の高純度Geもしくは高純度Ge合金を用いるこ
とが好ましい。
て、高純度Ge合金により構成されたターゲットは、
B、C、Al、Si、Fe、Cr、Ta、Nb、Cu、
Mn、Mo、W、Ni、Ti、Zr、Hf、Co、Ir
およびRuから選ばれる少なくとも1種の元素(M元
素)を0.1〜50原子%の範囲で含み、残部がGeおよび
不可避不純物からなるものである。
えば焼結法もしくは溶解法により作製される。焼結法を
適用する場合には、まずターゲット原料として高純度G
e粉末を用意する。また、Ge合金ターゲットを作製す
る場合には、合金元素としてのM元素粉末を用意する。
M元素の種類および添加量は、目的とするスパッタ膜の
種類に応じて適宜に選択される。
上述したような高純度Ge粉末を所定のターゲット形状
に合せたカーボン型などに充填し、例えばホットプレス
により加圧焼結する。また、Ge合金ターゲットを作製
する場合には、上述したような高純度Ge粉末とM元素
粉末とを所定の比率で混合した粉末を、同様にターゲッ
トサイズに合せたカーボン型などに充填し、ホットプレ
スなどにより加圧焼結する。Ge粉末とM元素粉末との
混合は、例えばボールミルを用いて12時間以上実施する
ことが好ましい。
焼結温度まで昇温する前に、例えば400〜600℃の温度で
2時間程度保持して脱ガス処理を実施することが好まし
い。これは原料粉末に付着している吸着酸素や他の不純
物元素を除去するためである。このような脱ガス処理を
実施した後に、例えば6.5Pa以下の真空雰囲気下で9.8MP
a以上の圧力を加えつつ加熱して焼結させる。焼結温度
は対象材料の状態図から得られる融点の±30℃の範囲内
とすることが好ましく、そのような焼結温度での保持時
間は2時間以上とすることが好ましい。さらに、焼結後
の冷却工程においては、例えば雰囲気をArなどで置換
した後、室温まで10℃/min以上の冷却速度で比較的急速
に冷却することが好ましい。
とによって、ターゲット材料(焼結体)の面方位を所定
の方位((220)/(111)ピーク強度比が0.3以上の面方
位)に制御することができると共に、ターゲット各部に
おける面方位の均一性((220)/(111)ピーク強度比のバ
ラツキが±30%以内)を向上させることが可能となる。
焼結温度や焼結時間は、特に(220)面の出現比率に影響
を及ぼす。また、焼結後の冷却速度は、ターゲット各部
における面方位の均一性などに影響を及ぼす。また、上
記したような加圧焼結工程は、結晶格子の配列を整合さ
せる役割を果たすことから、微小内部欠陥の除去などに
対しても有効に作用する。
たターゲット材料を機械加工し、これを例えばAlやC
uからなるバッキングプレートと接合する。バッキング
プレートとの接合には、拡散接合やろう付け接合などが
適用される。拡散接合時の温度は600℃以下とすること
が好ましい。また、ろう付け接合は公知のIn系やSn
系の接合材を使用して実施する。このようにして得られ
たターゲット素材を所定サイズに機械加工することによ
って、本発明のスパッタリングターゲットが得られる。
に溶解法を適用する場合には、焼結法と同様に高純度の
Ge材料、さらには合金元素としてのM元素材料を用意
する。Ge単体ターゲットを作製する場合には、上述し
たような高純度Ge材料を例えば真空溶解した後に、所
定のターゲット形状に合せた鋳型内に流し込んでGeイ
ンゴットを作製する。また、Ge合金ターゲットの場合
には、Ge材料とM元素材料を所望の合金組成となるよ
うに秤量し、これを例えば真空溶解した後に鋳型内に流
し込んでGe合金インゴットを作製する。
んだ後の冷却は、Arなどの希ガスもしくはN2ガスを
チャンバ内に導入して雰囲気冷却することにより行うこ
とが好ましい。また、GeインゴットやGe合金インゴ
ットには、真空中、Arなどの希ガス中、もしくはH2
雰囲気中にて200〜600℃の条件下で熱処理を施すことが
好ましい。これらによって、ターゲット材料(インゴッ
ト)の面方位を所定の方位に制御することができると共
に、ターゲット各部における面方位の均一性を高めるこ
とが可能となる。
は、焼結法を適用したターゲット材料と同様に、機械加
工した後にバッキングプレートと接合し、さらに所定サ
イズに機械加工することによって、本発明のスパッタリ
ングターゲットが得られる。
録媒体の構成層、半導体デバイスの構成膜、液晶表示素
子やPDPなどの構成膜など、種々の分野に使用されて
いるGe単体膜、GeNやGeOなどのGe化合物膜、
Ge−Cr、Ge−Si、Ge−WなどのGe合金膜、
さらにはGe合金の窒化膜や酸化膜などを形成する際に
用いられる。特に、本発明のスパッタリングターゲット
は、相変化型光ディスクの構成層、具体的にはGe単体
膜、Ge化合物膜、Ge合金膜などからなる中間層の形
成に好ましく用いられるものである。
ることによって、得られるGe単体膜、Ge化合物膜、
Ge合金膜などの膜厚分布の均一性を大幅に高めること
ができる。従って、そのようなGe系薄膜を相変化型光
ディスクの中間層として使用することによって、相変化
型光ディスクの記録データの読み出し(再生)の信頼性
を高めることが可能になる。これは相変化型光ディスク
の性能向上、さらには製造工数や製造コストの低減に寄
与するものである。
価結果について述べる。
をカーボン型(直径:185mm)内に充填してホットプレ
ス装置にセットした。ここでは4つの試料を用意し、そ
れぞれ以下に示すような条件下で加圧焼結工程を実施し
た。
は、それぞれ6.7Pa以下の真空雰囲気中にて600℃×2hの
条件で脱ガス処理を施した。次いで、同様な真空雰囲気
中で25MPaの圧力を加えつつ880〜920℃の温度まで昇温
し、この圧力および温度で30〜300分保持することによ
って、それぞれターゲット材料としてのGe焼結体を作
製した。焼結後の冷却は雰囲気をArで置換し、かつ1
〜10℃/minの冷却速度で実施した。各試料の詳細な製造
条件は表1に示す通りである。
寸法(直径180mm×厚さ6mm)に機械加工した後、Cu製
バッキングプレートにろう付け接合することによって、
4種類のGeスパッタリングターゲットをそれぞれ得
た。
X線回折を、理学社製のXRD装置を用いて行った。測
定条件は、X線:Cuκ-α1(50kV,100mA)、縦型ゴ
ニオメータ、発散スリット:1deg、散乱スリット:1de
g、受光スリット:0.15mm、走査モード:連続、スキャ
ンスピード:4°/min、スキャンステップ:0.04°、走
査軸:2θ/θ、である。各X線回折結果から(220)面ピ
ークと(111)面ピークの最大強度値を用いて、(220)/(11
1)ピーク強度比を求めた。さらに、(220)/(111)ピーク
強度比のバラツキを前述した方法にしたがって求めた。
これらの結果を表1に示す。
それぞれ用いて、スパッタ方式:回転成膜、基板−ター
ゲット間距離:120mm、スパッタガス:Ar(0.5Pa)、
背圧:1×10-5Pa、出力DC:1kW、スパッタ時間:1mi
n、の条件下で、直径120mmのポリカーボネート基板上に
Ge膜を成膜した。得られたGe膜の膜厚分布を以下の
ようにして求めた。基板の直径に対して端部から5mm間
隔でGe膜の膜厚を測定し、これらの測定値の最大値お
よび最小値から、{(最大値−最小値)/(最大値+最
小値)}×100の式に基づいて、膜厚分布(%)を求め
た。この値を併せて表1に示す。
の面方位に制御した本発明のGeスパッタリングターゲ
ットによれば、膜厚分布の均一性に優れるGe膜が得ら
れることが分かる。
れらの粉末をGe−10at%Alの組成となるように混合
した。混合はボールミルを用いて実施し、混合時間は24
時間とした。ボールミルによる混合はAr雰囲気中で行
った。この混合粉末をカーボン型(直径:185mm)内に
充填してホットプレス装置にセットした。ここでは4つ
の試料を用意し、それぞれ以下に示すような条件下で加
圧焼結工程を実施した。
は、それぞれ6.7Pa以下の真空雰囲気中にて600℃×2hの
条件で脱ガス処理を施した。次いで、同様な真空雰囲気
中で25MPaの圧力を加えつつ350〜426℃の温度まで昇温
し、この圧力および温度で30〜300分保持することによ
って、それぞれターゲット材料としてのGe−Al合金
焼結体を作製した。焼結後の冷却は雰囲気をArで置換
し、かつ1〜10℃/minの冷却速度で実施した。各試料の
詳細な製造条件は表2に示す通りである。
ターゲット寸法(直径180mm×厚さ6mm)に機械加工した
後、Cu製バッキングプレートにろう付け接合すること
によって、4種類のGe−Al合金スパッタリングター
ゲットをそれぞれ得た。得られた各ターゲットの表面の
X線回折を、実施例1と同様にして行い、その結果から
(220)/(111)ピーク強度比、さらに(220)/(111)ピーク強
度比のバラツキを前述した方法にしたがって求めた。こ
れらの結果を表2に示す。
ーゲットをそれぞれ用いて、実施例1と同一条件でポリ
カーボネート基板上にGe−Al合金膜を成膜した。こ
れらGe−Al合金膜の膜厚分布を実施例1と同様にし
て求めた。この値を併せて表2に示す。
の面方位に制御した本発明のGe合金スパッタリングタ
ーゲットによれば、膜厚分布の均一性に優れるGe合金
膜が得られることが分かる。
Ge合金からなるスパッタリングターゲットを作製し
た。各ターゲットの製造条件は、表3および表4に示す
通りである。
の表面のX線回折を、実施例1と同様にして行い、それ
らの結果から(220)/(111)ピーク強度比、さらに(220)/
(111)ピーク強度比のバラツキを前述した方法にしたが
って求めた。これらの結果を表3および表4に示す。
いて、実施例1と同一条件でポリカーボネート基板上に
Ge合金膜を成膜した。これらGe合金膜の膜厚分布を
実施例1と同様にして求めた。この値を併せて表3およ
び表4に示す。
晶面を所定の面方位に制御した本発明のGe合金スパッ
タリングターゲットによれば、膜厚分布の均一性に優れ
るGe合金膜が得られることが分かる。
at%Wの3種類のGe合金を作製するために、純度99.99
9%のGeインゴットを破砕した破砕片と、純度99%の
Cr、Ta、Wの各インゴットを破砕した破砕片とを用
意した。これらの破砕片を各合金組成となるように秤量
し、それらを真空溶解して鋳型(直径:200mm)内に流
し込み、それぞれGe合金インゴットを作製した。
を準備し、溶解後の冷却方法およびインゴットに対する
熱処理の有無などを変えて、それぞれ4個のターゲット
材料を作製した。具体的には、溶解後の冷却を真空雰囲
気のままで実施する、雰囲気をArやN2で置換した後
に冷却する、のいずれかを採用した。冷却速度は10℃/m
inで一定とした。また、得られたインゴットに対してA
r雰囲気中にて600℃×5hの条件で熱処理を施したもの
と、熱処理を施していないものをそれぞれ作製した。
ット材料を、それぞれ所望のターゲット寸法(直径180m
m×厚さ6mm)に機械加工した後、Cu製バッキングプレ
ートにろう付け接合することによって、各Ge合金につ
いて4種類のスパッタリングターゲットをそれぞれ得
た。得られた各ターゲットの表面のX線回折を、実施例
1と同様にして行い、その結果から(220)/(111)ピーク
強度比、さらに(220)/(111)ピーク強度比のバラツキを
前述した方法にしたがって求めた。これらの結果を表5
に示す。
リングターゲットをそれぞれ用いて、実施例1と同一条
件でポリカーボネート基板上にGe合金膜を成膜した。
これら各Ge合金膜の膜厚分布を実施例1と同様にして
求めた。この値を併せて表5に示す。
の面方位に制御した本発明のGe合金スパッタリングタ
ーゲットによれば、膜厚分布の均一性に優れるGe合金
膜が得られることが分かる。
リングターゲットによれば、それを用いてGe単体膜、
Ge化合物膜、Ge合金膜などをスパッタ成膜した際
に、得られる膜の膜厚分布の均一性を大幅に高めること
が可能となる。従って、そのようなGe系薄膜を使用し
た電気・電子部品や磁気部品などの性能や信頼性の向
上、さらには製造工数や製造コストの低減を図ることが
できる。
ターゲット面の面方位の測定方法を説明するための図で
ある。
Claims (5)
- 【請求項1】 高純度Ge、もしくはB、C、Al、S
i、Fe、Cr、Ta、Nb、Cu、Mn、Mo、W、
Ni、Ti、Zr、Hf、Co、IrおよびRuから選
ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子%の範囲で含
むGe合金からなるスパッタリングターゲットであっ
て、 前記ターゲット表面の面方位をX線回折法で測定した際
の(111)面のピーク強度に対する(220)面のピーク強度の
比((220)/(111))が0.3以上であることを特徴とする
スパッタリングターゲット。 - 【請求項2】 請求項1記載のスパッタリングターゲッ
トにおいて、 前記ターゲット表面全体における前記(220)/(111)ピー
ク強度比のバラツキが±30%以内であることを特徴とす
るスパッタリングターゲット。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2記載のスパッタ
リングターゲットにおいて、 前記ターゲットはバッキングプレートと接合されている
ことを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれか1項
記載のスパッタリングターゲットにおいて、 前記ターゲットは光ディスクの構成層を形成する際に用
いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 【請求項5】 請求項1ないし請求項3のいずれか1項
記載のスパッタリングターゲットにおいて、 前記ターゲットは光ディスクの中間層を構成するGe
層、Ge化合物層またはGe合金層を形成する際に用い
られることを特徴とするスパッタリングターゲット。
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