JP2003160826A - 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット - Google Patents
光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲットInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍ）などの光記録媒体のＡｇ合金反射層を形成するため
の銀合金スパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】（１）Ｓｎ：１〜１１質量％を含有し、さ
らにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上
の合計：０．００５〜０．０５質量％を含有し、残部が
Ａｇである組成の銀合金、（２）Ｓｎ：１〜１１質量％
を含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選
ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％を
含有し、残部がＡｇである組成の銀合金、または（３）
Ｓｎ：１〜１１質量％を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓ
ｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５
〜０．０５質量％を含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，
Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上の合計：
０．１〜３質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀
合金からなる。
Ｍ）などの光記録媒体のＡｇ合金反射層を形成するため
の銀合金スパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】（１）Ｓｎ：１〜１１質量％を含有し、さ
らにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上
の合計：０．００５〜０．０５質量％を含有し、残部が
Ａｇである組成の銀合金、（２）Ｓｎ：１〜１１質量％
を含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選
ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％を
含有し、残部がＡｇである組成の銀合金、または（３）
Ｓｎ：１〜１１質量％を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓ
ｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５
〜０．０５質量％を含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，
Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上の合計：
０．１〜３質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀
合金からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体レーザー
などのレーザービームを用いて音声、映像、文字などの情
報信号を再生あるいは記録・再生・消去を行う光記録デ
ィスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒
体の構成層である半透明反射層または反射層(以下、両者
を含めて反射層と呼ぶ)をスパッタリング法にて形成す
るための銀合金スパッタリングターゲットに関するもの
である。
などのレーザービームを用いて音声、映像、文字などの情
報信号を再生あるいは記録・再生・消去を行う光記録デ
ィスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒
体の構成層である半透明反射層または反射層(以下、両者
を含めて反射層と呼ぶ)をスパッタリング法にて形成す
るための銀合金スパッタリングターゲットに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，Ｄ
ＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体の反射層としてＡｇま
たはＡｇ合金反射層が使用されており、このＡｇまたは
Ａｇ合金反射層は４００〜８３０ｎｍの幅広い波長域で
の反射率が高く、特に光記録媒体の高密度化記録に用い
られる短波長のレーザー光に対して反射率が大きいので
好適であるとされている。 前記ＡｇまたはＡｇ合金反射層の形成には、Ａｇまたは
Ａｇ−Ｓｎ合金からなるターゲットをスパッタすること
により形成されることが知られている（特開２００１−
３５０１４号公報参照）。
ＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体の反射層としてＡｇま
たはＡｇ合金反射層が使用されており、このＡｇまたは
Ａｇ合金反射層は４００〜８３０ｎｍの幅広い波長域で
の反射率が高く、特に光記録媒体の高密度化記録に用い
られる短波長のレーザー光に対して反射率が大きいので
好適であるとされている。 前記ＡｇまたはＡｇ合金反射層の形成には、Ａｇまたは
Ａｇ−Ｓｎ合金からなるターゲットをスパッタすること
により形成されることが知られている（特開２００１−
３５０１４号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、光記録媒体の
中でも記録層に相変化記録材料を用い、繰り返し記録・
再生・消去を行う光記録媒体においては、記録・再生・
消去の繰り返し回数が増大するにつれて、ＡｇまたはＡ
ｇ−Ｓｎ合金反射層の反射率が低下し、長期に亘る十分
な記録再生耐性が得られなかった。 この原因の一つとして光記録媒体に繰り返し記録・再生
・消去を行うと、レーザー光の照射によりＡｇ反射層の
加熱冷却が繰り返され、それによってＡｇ反射層が再結
晶化し、結晶粒が粗大化することによって反射率が低下
することを突き止めた。
中でも記録層に相変化記録材料を用い、繰り返し記録・
再生・消去を行う光記録媒体においては、記録・再生・
消去の繰り返し回数が増大するにつれて、ＡｇまたはＡ
ｇ−Ｓｎ合金反射層の反射率が低下し、長期に亘る十分
な記録再生耐性が得られなかった。 この原因の一つとして光記録媒体に繰り返し記録・再生
・消去を行うと、レーザー光の照射によりＡｇ反射層の
加熱冷却が繰り返され、それによってＡｇ反射層が再結
晶化し、結晶粒が粗大化することによって反射率が低下
することを突き止めた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、記
録・再生・消去の繰り返し回数が増大しても反射層の反
射率が低下することの少ないＡｇ合金反射層を得るべく
研究を行った。その結果、（イ）ＡｇにＳｎ：１〜１１
質量％を添加したＡｇ−Ｓｎ合金にＣａ，Ｂｅ，Ｓｉか
ら選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜
０．０５質量％を含有せしめた組成の銀合金ターゲット
を用いてスパッタリングすることにより得られた銀合金
反射層は、従来のＡｇまたはＡｇ−Ｓｎ合金からなるタ
ーゲットを用いてスパッタすることにより得られた銀ま
たは銀合金反射層に比べて、レーザービームの繰り返し
照射に伴う繰り返し加熱冷却を受けても結晶粒が粗大化
することが少なく、したがって、長期間使用しても反射
率の低下が極めて少ない、（ロ）ＡｇにＳｎ：１〜１１
質量％を添加したＡｇ−Ｓｎ合金にＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，
Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上の合計：
０．１〜３質量％を含有させた組成の銀合金ターゲット
を用いてスパッタリングすることにより得られた銀合金
反射層は、従来のＡｇまたはＡｇ−Ｓｎ合金からなるタ
ーゲットを用いてスパッタすることにより得られた銀ま
たは銀合金反射層に比べて、レーザービームの繰り返し
照射に伴う繰り返し加熱冷却を受けても結晶粒が粗大化
することが少なく、したがって、長期間使用しても反射
率の低下が極めて少ない、（ハ）ＡｇにＳｎ：１〜１１
質量％を添加したＡｇ−Ｓｎ合金に、さらにＣａ，Ｂ
ｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．
００５〜０．０５質量％とＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇ
ｄから選ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３
質量％とを共に含有せしめた銀合金ターゲットを用いて
スパッタリングすることにより得られた銀合金反射層で
も同じ効果が得られる、という研究結果が得られたので
ある。
録・再生・消去の繰り返し回数が増大しても反射層の反
射率が低下することの少ないＡｇ合金反射層を得るべく
研究を行った。その結果、（イ）ＡｇにＳｎ：１〜１１
質量％を添加したＡｇ−Ｓｎ合金にＣａ，Ｂｅ，Ｓｉか
ら選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜
０．０５質量％を含有せしめた組成の銀合金ターゲット
を用いてスパッタリングすることにより得られた銀合金
反射層は、従来のＡｇまたはＡｇ−Ｓｎ合金からなるタ
ーゲットを用いてスパッタすることにより得られた銀ま
たは銀合金反射層に比べて、レーザービームの繰り返し
照射に伴う繰り返し加熱冷却を受けても結晶粒が粗大化
することが少なく、したがって、長期間使用しても反射
率の低下が極めて少ない、（ロ）ＡｇにＳｎ：１〜１１
質量％を添加したＡｇ−Ｓｎ合金にＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，
Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上の合計：
０．１〜３質量％を含有させた組成の銀合金ターゲット
を用いてスパッタリングすることにより得られた銀合金
反射層は、従来のＡｇまたはＡｇ−Ｓｎ合金からなるタ
ーゲットを用いてスパッタすることにより得られた銀ま
たは銀合金反射層に比べて、レーザービームの繰り返し
照射に伴う繰り返し加熱冷却を受けても結晶粒が粗大化
することが少なく、したがって、長期間使用しても反射
率の低下が極めて少ない、（ハ）ＡｇにＳｎ：１〜１１
質量％を添加したＡｇ−Ｓｎ合金に、さらにＣａ，Ｂ
ｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．
００５〜０．０５質量％とＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇ
ｄから選ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３
質量％とを共に含有せしめた銀合金ターゲットを用いて
スパッタリングすることにより得られた銀合金反射層で
も同じ効果が得られる、という研究結果が得られたので
ある。
【０００５】この発明は、かかる研究結果に基づいて成
されたものであって、（１）Ｓｎ：１〜１１質量％を含
有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または
２種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％を含有
し、残部がＡｇである組成の銀合金からなる光記録媒体
の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット、
（２）Ｓｎ：１〜１１質量％を含有し、さらにＤｙ，Ｌ
ａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上
の合計：０．１〜３質量％を含有し、残部がＡｇである
組成の銀合金からなる光記録媒体の反射層形成用銀合金
スパッタリングターゲット、（３）Ｓｎ：１〜１１質量
％を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種
または２種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％を
含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ば
れる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％を含
有し、残部がＡｇである組成の銀合金からなる光記録媒
体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット、に
特徴を有するものである。
されたものであって、（１）Ｓｎ：１〜１１質量％を含
有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または
２種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％を含有
し、残部がＡｇである組成の銀合金からなる光記録媒体
の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット、
（２）Ｓｎ：１〜１１質量％を含有し、さらにＤｙ，Ｌ
ａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上
の合計：０．１〜３質量％を含有し、残部がＡｇである
組成の銀合金からなる光記録媒体の反射層形成用銀合金
スパッタリングターゲット、（３）Ｓｎ：１〜１１質量
％を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種
または２種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％を
含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ば
れる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％を含
有し、残部がＡｇである組成の銀合金からなる光記録媒
体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット、に
特徴を有するものである。
【０００６】この発明の銀合金反射層を形成するための
スパッタリングターゲットは、原料としていずれも純
度：９９.９９質量％以上の高純度Ａｇおよび高純度Ｓ
ｎ、並びに純度：９９.９質量％以上のＤｙ，Ｌａ，Ｎ
ｄ，ＴｂおよびＧｄを用意し、これら原料を高真空また
は不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯を真空ま
たは不活性ガス雰囲気中で鋳造してインゴットを作製
し、これらインゴットを熱間加工したのち機械加工する
ことにより製造することができる。
スパッタリングターゲットは、原料としていずれも純
度：９９.９９質量％以上の高純度Ａｇおよび高純度Ｓ
ｎ、並びに純度：９９.９質量％以上のＤｙ，Ｌａ，Ｎ
ｄ，ＴｂおよびＧｄを用意し、これら原料を高真空また
は不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯を真空ま
たは不活性ガス雰囲気中で鋳造してインゴットを作製
し、これらインゴットを熱間加工したのち機械加工する
ことにより製造することができる。
【０００７】Ａｇへの固溶が殆どないＣａ，Ｂｅおよび
Ｓｉについては、それぞれの各元素の濃度が０.２０質
量％となるようにＡｇを配合した後、高周波真空溶解に
て溶解し、溶解後炉内圧力が大気圧となるまでＡｒガス
を充填したのち黒鉛製鋳型に鋳造してＣａ，Ｂｅおよび
Ｓｉを含むＡｇの母合金を作製し、この母合金をＳｎと
ともにＡｇに添加して溶解し鋳造することによりインゴ
ットを作製し、得られたインゴットを熱間加工したのち
機械加工することにより製造することができる。
Ｓｉについては、それぞれの各元素の濃度が０.２０質
量％となるようにＡｇを配合した後、高周波真空溶解に
て溶解し、溶解後炉内圧力が大気圧となるまでＡｒガス
を充填したのち黒鉛製鋳型に鋳造してＣａ，Ｂｅおよび
Ｓｉを含むＡｇの母合金を作製し、この母合金をＳｎと
ともにＡｇに添加して溶解し鋳造することによりインゴ
ットを作製し、得られたインゴットを熱間加工したのち
機械加工することにより製造することができる。
【０００８】次に、この発明のＡｇ合金からなる反射層
およびこのＡｇ合金からなる反射層を形成するためのス
パッタリングターゲットにおける成分組成を前記の如く
限定した理由を説明する。
およびこのＡｇ合金からなる反射層を形成するためのス
パッタリングターゲットにおける成分組成を前記の如く
限定した理由を説明する。
【０００９】Ｓｎ：Ｓｎは、Ａｇに固溶して結晶粒の強
度を高め、結晶粒の再結晶粒化を防止し、スパッタにより
形成された反射層の反射率の低下を抑制する効果がある
が、Ｓｎを１質量％未満含んでも十分な結晶粒の再結晶
粒化を防止することができないので反射層の反射率の低
下を抑止することができず、一方、Ｓｎが１１質量％を越
えて含有すると、スパッタにより形成されたＡｇ合金反
射層の内部応力が大きくなり、ターゲットの製造時に結
晶粒内および／または結晶粒界に金属間化合物を形成
し、割れが生じやすくなるので好ましくない。したがっ
て、Ａｇ合金反射層およびこのＡｇ合金反射層を形成す
るためのスパッタリングターゲットに含まれるこれらＳ
ｎの含有量は１〜１１質量％(一層好ましくは３〜７質
量％)に定めた。
度を高め、結晶粒の再結晶粒化を防止し、スパッタにより
形成された反射層の反射率の低下を抑制する効果がある
が、Ｓｎを１質量％未満含んでも十分な結晶粒の再結晶
粒化を防止することができないので反射層の反射率の低
下を抑止することができず、一方、Ｓｎが１１質量％を越
えて含有すると、スパッタにより形成されたＡｇ合金反
射層の内部応力が大きくなり、ターゲットの製造時に結
晶粒内および／または結晶粒界に金属間化合物を形成
し、割れが生じやすくなるので好ましくない。したがっ
て、Ａｇ合金反射層およびこのＡｇ合金反射層を形成す
るためのスパッタリングターゲットに含まれるこれらＳ
ｎの含有量は１〜１１質量％(一層好ましくは３〜７質
量％)に定めた。
【００１０】Ｃａ，Ｂｅ，Ｓｉ：これら成分は、Ａｇに
殆ど固溶せず、結晶粒界に析出することにより結晶粒同
士の結合を防止し、Ａｇ合金反射層の再結晶化防止をさ
らに促進する成分であるが、これら成分の１種または２
種以上を合計で０．００５質量％未満含んでも格段の効
果が得られず、一方、これら成分の１種または２種以上を
合計で０．０５質量％を越えて含有すると、ターゲット
が著しく硬化し、ターゲットの作製が困難になるので好
ましくない。したがって、Ａｇ合金反射層およびこのＡ
ｇ合金反射層を形成するためのスパッタリングターゲッ
トに含まれるこれら成分の含有量は０.００５〜０．０
５質量％(一層好ましくは０．０１０〜０．０３５質量
％)に定めた。
殆ど固溶せず、結晶粒界に析出することにより結晶粒同
士の結合を防止し、Ａｇ合金反射層の再結晶化防止をさ
らに促進する成分であるが、これら成分の１種または２
種以上を合計で０．００５質量％未満含んでも格段の効
果が得られず、一方、これら成分の１種または２種以上を
合計で０．０５質量％を越えて含有すると、ターゲット
が著しく硬化し、ターゲットの作製が困難になるので好
ましくない。したがって、Ａｇ合金反射層およびこのＡ
ｇ合金反射層を形成するためのスパッタリングターゲッ
トに含まれるこれら成分の含有量は０.００５〜０．０
５質量％(一層好ましくは０．０１０〜０．０３５質量
％)に定めた。
【００１１】Ｄｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄ：これら成
分は、Ａｇとの反応により金属間化合物を結晶粒界に形
成して結晶粒同士の結合を防止し、Ａｇ合金反射層の再
結晶化防止をさらに促進する成分であるが、これら成分
の内の１種または２種以上を合計で０．１質量％未満含
んでも格段の効果が得られず、一方、これら成分の１種ま
たは２種以上を合計で３質量％を越えて含有すると、タ
ーゲットが著しく硬化し、ターゲットの作製が困難にな
るので好ましくない。したがって、Ａｇ合金反射層およ
びこのＡｇ合金反射層を形成するためのスパッタリング
ターゲットに含まれるこれら成分の含有量は０．１〜３
質量％(一層好ましくは０．２〜１．５質量％)に定め
た。
分は、Ａｇとの反応により金属間化合物を結晶粒界に形
成して結晶粒同士の結合を防止し、Ａｇ合金反射層の再
結晶化防止をさらに促進する成分であるが、これら成分
の内の１種または２種以上を合計で０．１質量％未満含
んでも格段の効果が得られず、一方、これら成分の１種ま
たは２種以上を合計で３質量％を越えて含有すると、タ
ーゲットが著しく硬化し、ターゲットの作製が困難にな
るので好ましくない。したがって、Ａｇ合金反射層およ
びこのＡｇ合金反射層を形成するためのスパッタリング
ターゲットに含まれるこれら成分の含有量は０．１〜３
質量％(一層好ましくは０．２〜１．５質量％)に定め
た。
【００１２】
【発明の実施の形態】実施例１
原料として純度：９９.９９質量％以上の高純度Ａｇお
よび高純度Ｓｎ、並びに純度：９９.９質量％以上のＣ
ａ，ＢｅおよびＳｉを用意した。Ｃａ，ＢｅおよびＳｉ
はＡｇへの固溶が殆どないので、それぞれの各元素の濃
度が０.２０質量％となるようにＡｇを配合した後、高周
波真空溶解炉にて溶解し、溶解後炉内圧力が大気圧とな
るまでＡｒガスを充填したのち黒鉛製鋳型に鋳造するこ
とにより予めＣａ，ＢｅおよびＳｉを含むＡｇの母合金
を作製した。この母合金をＳｎと共にＡｇに添加して溶
解し鋳造することによりインゴットを作製し、得られた
インゴットを６００℃、２時間加熱した後、圧延し、次い
で機械加工することにより直径：１２５ｍｍ、厚さ：５
ｍｍの寸法を有し、表１〜２に示される成分組成を有す
る本発明ターゲット１〜１８、比較ターゲット１〜４お
よび従来ターゲット１〜２を製造した。
よび高純度Ｓｎ、並びに純度：９９.９質量％以上のＣ
ａ，ＢｅおよびＳｉを用意した。Ｃａ，ＢｅおよびＳｉ
はＡｇへの固溶が殆どないので、それぞれの各元素の濃
度が０.２０質量％となるようにＡｇを配合した後、高周
波真空溶解炉にて溶解し、溶解後炉内圧力が大気圧とな
るまでＡｒガスを充填したのち黒鉛製鋳型に鋳造するこ
とにより予めＣａ，ＢｅおよびＳｉを含むＡｇの母合金
を作製した。この母合金をＳｎと共にＡｇに添加して溶
解し鋳造することによりインゴットを作製し、得られた
インゴットを６００℃、２時間加熱した後、圧延し、次い
で機械加工することにより直径：１２５ｍｍ、厚さ：５
ｍｍの寸法を有し、表１〜２に示される成分組成を有す
る本発明ターゲット１〜１８、比較ターゲット１〜４お
よび従来ターゲット１〜２を製造した。
【００１３】これら本発明ターゲット１〜９、比較ター
ゲット１〜４および従来ターゲット１〜２をそれぞれ無
酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、これを
直流マグネトロンスパッタ装置に装着し、真空排気装置
にて直流マグネトロンスパッタ装置内を１×１０-4Ｐａ
まで排気した後、Ａｒガスを導入して１．０Ｐａのスパ
ッタガス圧とし、続いて直流電源にてターゲットに１０
０Ｗの直流スパッタ電力を印加し、前記ターゲットに対
抗しかつ７０ｍｍの間隔を設けてターゲットと平行に配
置した直径：３０ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍのガラス基板
と前記ターゲットの間にプラズマを発生させ、厚さ：１
００ｎｍのＡｇおよびＡｇ合金反射膜を形成した。
ゲット１〜４および従来ターゲット１〜２をそれぞれ無
酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、これを
直流マグネトロンスパッタ装置に装着し、真空排気装置
にて直流マグネトロンスパッタ装置内を１×１０-4Ｐａ
まで排気した後、Ａｒガスを導入して１．０Ｐａのスパ
ッタガス圧とし、続いて直流電源にてターゲットに１０
０Ｗの直流スパッタ電力を印加し、前記ターゲットに対
抗しかつ７０ｍｍの間隔を設けてターゲットと平行に配
置した直径：３０ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍのガラス基板
と前記ターゲットの間にプラズマを発生させ、厚さ：１
００ｎｍのＡｇおよびＡｇ合金反射膜を形成した。
【００１４】このようにして形成したＡｇおよびＡｇ合
金反射膜の成膜直後の反射率を分光光度計により測定し
た。その後、形成したＡｇおよびＡｇ合金反射膜を温
度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿槽にて２００
時間保持したのち、再度同じ条件で反射率を測定した。
得られた反射率データから、波長：４００ｎｍおよび６
５０ｎｍにおける各反射率を求め、その結果を表１〜２
に示して光記録媒体の反射膜として記録再生耐性を評価
した。
金反射膜の成膜直後の反射率を分光光度計により測定し
た。その後、形成したＡｇおよびＡｇ合金反射膜を温
度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿槽にて２００
時間保持したのち、再度同じ条件で反射率を測定した。
得られた反射率データから、波長：４００ｎｍおよび６
５０ｎｍにおける各反射率を求め、その結果を表１〜２
に示して光記録媒体の反射膜として記録再生耐性を評価
した。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】表１〜２に示される結果から、この発明の
本発明ターゲット１〜１８を用いてスパッタリングを行
うことにより得られた反射層は、従来ターゲット１〜２
を用いてスパッタリングを行うことにより得られた反射
層に比べて、温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿
槽にて２００時間保持後の反射率の低下が少ないことが
わかる。しかし、この発明の範囲から外れてＺｎ、Ｃ
ａ，ＢｅおよびＳｉを多く含む比較ターゲット１〜４
は、割れが発生したり、硬くなって成形できなくなるこ
とが分かる。
本発明ターゲット１〜１８を用いてスパッタリングを行
うことにより得られた反射層は、従来ターゲット１〜２
を用いてスパッタリングを行うことにより得られた反射
層に比べて、温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿
槽にて２００時間保持後の反射率の低下が少ないことが
わかる。しかし、この発明の範囲から外れてＺｎ、Ｃ
ａ，ＢｅおよびＳｉを多く含む比較ターゲット１〜４
は、割れが発生したり、硬くなって成形できなくなるこ
とが分かる。
【００１８】実施例２
原料として純度：９９.９９質量％以上の高純度Ａｇお
よびＳｎを用意し、さらに純度：９９.９質量％以上の
Ｄｙ，Ｌａ，Ｎｄ，ＴｂおよびＧｄを用意し、これら原
料を高周波真空溶解炉で溶解し、得られた溶湯をＡｒガ
ス雰囲気中で黒鉛鋳型に鋳造してインゴットを作製し、
得られたインゴットを６００℃、２時間加熱した後、圧延
し、次いで機械加工することにより直径：１２５ｍｍ、
厚さ：５ｍｍの寸法を有し、表３〜５に示される成分組
成を有する本発明ターゲット１９〜４３および比較ター
ゲット５〜１０を製造した。
よびＳｎを用意し、さらに純度：９９.９質量％以上の
Ｄｙ，Ｌａ，Ｎｄ，ＴｂおよびＧｄを用意し、これら原
料を高周波真空溶解炉で溶解し、得られた溶湯をＡｒガ
ス雰囲気中で黒鉛鋳型に鋳造してインゴットを作製し、
得られたインゴットを６００℃、２時間加熱した後、圧延
し、次いで機械加工することにより直径：１２５ｍｍ、
厚さ：５ｍｍの寸法を有し、表３〜５に示される成分組
成を有する本発明ターゲット１９〜４３および比較ター
ゲット５〜１０を製造した。
【００１９】これら本発明ターゲット１９〜４３および
較ターゲット５〜１０をそれぞれ無酸素銅製のバッキン
グプレートにはんだ付けし、これを直流マグネトロンス
パッタ装置に装着し、真空排気装置にて直流マグネトロ
ンスパッタ装置内を１×１０- 4Ｐａまで排気した後、Ａ
ｒガスを導入して１．０Ｐａのスパッタガス圧とし、続
いて直流電源にてターゲットに１００Ｗの直流スパッタ
電力を印加し、前記ターゲットに対抗しかつ７０ｍｍの
間隔を設けてターゲットと平行に配置した直径：３０ｍ
ｍ、厚さ：０．５ｍｍのガラス基板と前記ターゲットの
間にプラズマを発生させ、厚さ：１００ｎｍのＡｇ合金
反射膜を形成した。
較ターゲット５〜１０をそれぞれ無酸素銅製のバッキン
グプレートにはんだ付けし、これを直流マグネトロンス
パッタ装置に装着し、真空排気装置にて直流マグネトロ
ンスパッタ装置内を１×１０- 4Ｐａまで排気した後、Ａ
ｒガスを導入して１．０Ｐａのスパッタガス圧とし、続
いて直流電源にてターゲットに１００Ｗの直流スパッタ
電力を印加し、前記ターゲットに対抗しかつ７０ｍｍの
間隔を設けてターゲットと平行に配置した直径：３０ｍ
ｍ、厚さ：０．５ｍｍのガラス基板と前記ターゲットの
間にプラズマを発生させ、厚さ：１００ｎｍのＡｇ合金
反射膜を形成した。
【００２０】このようにして形成した各Ａｇ合金反射膜
の成膜直後の反射率を分光光度計により測定した。その
後、形成した各Ａｇ合金反射膜を温度：８０℃、相対湿
度：８５％の恒温恒湿槽にて２００時間保持したのち、
再度同じ条件で反射率を測定した。得られた反射率デー
タから、波長：４００ｎｍおよび６５０ｎｍにおける各
反射率を求め、その結果を表３〜５に示して光記録媒体
の反射膜として記録再生耐性を評価した。
の成膜直後の反射率を分光光度計により測定した。その
後、形成した各Ａｇ合金反射膜を温度：８０℃、相対湿
度：８５％の恒温恒湿槽にて２００時間保持したのち、
再度同じ条件で反射率を測定した。得られた反射率デー
タから、波長：４００ｎｍおよび６５０ｎｍにおける各
反射率を求め、その結果を表３〜５に示して光記録媒体
の反射膜として記録再生耐性を評価した。
【００２１】
【表３】
【００２２】
【表４】
【００２３】
【表５】
【００２４】表３〜５に示される結果から、この発明の
本発明ターゲット１９〜４３を用いてスパッタリングを
行うことにより得られた反射層は、表２に示される従来
ターゲット１〜２を用いてスパッタリングを行うことに
より得られた反射層に比べて、温度：８０℃、相対湿度：
８５％の恒温恒湿槽にて２００時間保持後の反射率の低
下が少ないことがわかる。しかし、比較ターゲット５〜
１０に見られるように、Ｄｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂおよび
Ｇｄの合計が３質量％より多く含有すると、圧延中に割
れが発生するなどして成形できなくなることが分かる。
本発明ターゲット１９〜４３を用いてスパッタリングを
行うことにより得られた反射層は、表２に示される従来
ターゲット１〜２を用いてスパッタリングを行うことに
より得られた反射層に比べて、温度：８０℃、相対湿度：
８５％の恒温恒湿槽にて２００時間保持後の反射率の低
下が少ないことがわかる。しかし、比較ターゲット５〜
１０に見られるように、Ｄｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂおよび
Ｇｄの合計が３質量％より多く含有すると、圧延中に割
れが発生するなどして成形できなくなることが分かる。
【００２５】実施例３
実施例１で用意した高純度Ａｇおよび高純度Ｓｎ、Ｃ
ａ，ＢｅおよびＳｉを含む母合金、並びに実施例２で用
意したＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，ＴｂおよびＧｄを用いて表６
に示される成分組成を有する本発明ターゲット４４〜５
５を作製し、これらターゲットについて実施例１と同様
にしてガラス基板表面に厚さ：１００ｎｍのＡｇ合金反
射膜を形成し、各Ａｇ合金反射膜の成膜直後の反射率を
分光光度計により測定した。その後、形成した各Ａｇ合
金反射膜を温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿
槽にて２００時間保持したのち、再度同じ条件で反射率
を測定した。得られた反射率データから、波長：４００ｎ
ｍおよび６５０ｎｍにおける各反射率を求め、その結果
を表６に示して光記録媒体の反射膜として記録再生耐性
を評価した。
ａ，ＢｅおよびＳｉを含む母合金、並びに実施例２で用
意したＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，ＴｂおよびＧｄを用いて表６
に示される成分組成を有する本発明ターゲット４４〜５
５を作製し、これらターゲットについて実施例１と同様
にしてガラス基板表面に厚さ：１００ｎｍのＡｇ合金反
射膜を形成し、各Ａｇ合金反射膜の成膜直後の反射率を
分光光度計により測定した。その後、形成した各Ａｇ合
金反射膜を温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿
槽にて２００時間保持したのち、再度同じ条件で反射率
を測定した。得られた反射率データから、波長：４００ｎ
ｍおよび６５０ｎｍにおける各反射率を求め、その結果
を表６に示して光記録媒体の反射膜として記録再生耐性
を評価した。
【００２６】
【表６】
【００２７】表６に示される結果から、この発明の本発
明ターゲット４４〜５５を用いてスパッタリングを行う
ことにより得られた反射層は表２の従来ターゲット１〜
２を用いてスパッタリングを行うことにより得られた反
射層に比べて、波長：４００ｎｍおよび６５０ｎｍにお
ける温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿槽にて
２００時間保持後の反射率の低下が少ないことがわか
る。
明ターゲット４４〜５５を用いてスパッタリングを行う
ことにより得られた反射層は表２の従来ターゲット１〜
２を用いてスパッタリングを行うことにより得られた反
射層に比べて、波長：４００ｎｍおよび６５０ｎｍにお
ける温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒湿槽にて
２００時間保持後の反射率の低下が少ないことがわか
る。
【００２８】
【発明の効果】上述のように、この発明の光記録媒体の
反射層形成用銀合金スパッタリングターゲットを用いて
作製した反射層は、従来の光記録媒体の反射層形成用銀
合金スパッタリングターゲットを用いて作製した反射層
に比べて、経時変化による反射率の低下が少なく、長期に
わたって使用できる光記録媒体を製造することができ、
メディア産業の発展に大いに貢献し得るものである。
反射層形成用銀合金スパッタリングターゲットを用いて
作製した反射層は、従来の光記録媒体の反射層形成用銀
合金スパッタリングターゲットを用いて作製した反射層
に比べて、経時変化による反射率の低下が少なく、長期に
わたって使用できる光記録媒体を製造することができ、
メディア産業の発展に大いに貢献し得るものである。
Claims (4)
- 【請求項１】Ｓｎ：１〜１１質量％を含有し、さらにＣ
ａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合
計：０．００５〜０．０５質量％を含有し、残部がＡｇ
である組成の銀合金からなることを特徴とする光記録媒
体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】Ｓｎ：１〜１１質量％を含有し、さらにＤ
ｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２
種以上の合計：０．１〜３質量％を含有し、残部がＡｇ
である組成の銀合金からなることを特徴とする光記録媒
体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】Ｓｎ：１〜１１質量％を含有し、さらにＣ
ａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合
計：０．００５〜０．０５質量％を含有し、さらにＤ
ｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２
種以上の合計：０．１〜３質量％を含有し、残部がＡｇ
である組成の銀合金からなることを特徴とする光記録媒
体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット。 - 【請求項４】請求項１、２または３記載の銀合金スパッ
タリングターゲットを用いて作製した光記録媒体の反射
層。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001358850A JP3772972B2 (ja) | 2001-11-26 | 2001-11-26 | 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001358850A JP3772972B2 (ja) | 2001-11-26 | 2001-11-26 | 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003160826A true JP2003160826A (ja) | 2003-06-06 |
| JP3772972B2 JP3772972B2 (ja) | 2006-05-10 |
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| JP2001358850A Expired - Fee Related JP3772972B2 (ja) | 2001-11-26 | 2001-11-26 | 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット |
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|---|---|
| JP (1) | JP3772972B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1303437C (zh) * | 2003-07-07 | 2007-03-07 | 株式会社神户制钢所 | 反射器用银合金反射膜及使用该银合金反射膜的反射器 |
| EP1746590A3 (en) * | 2005-07-22 | 2009-04-08 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical |
| US7517575B2 (en) | 2005-07-22 | 2009-04-14 | Kobe Steel, Ltd. | Optical information recording media and silver alloy reflective films for the same |
| US7695790B2 (en) | 2004-07-15 | 2010-04-13 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective film, sputtering target therefor, and optical information recording medium using the same |
| US7713608B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-05-11 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
| US7754307B2 (en) | 2005-04-14 | 2010-07-13 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
| US7790263B2 (en) | 2005-12-21 | 2010-09-07 | Sony Corporation | Ag alloy reflective film for optical information recording medium, optical information recording medium and Ag alloy sputtering target for forming Ag alloy reflective film for optical information recording medium |
| US7843796B2 (en) | 2006-05-16 | 2010-11-30 | Sony Corporation | Optical information recording medium and method of marking BCA (burst cutting area) into the same |
| US7871686B2 (en) | 2002-08-08 | 2011-01-18 | Kobe Steel, Ltd. | Ag base alloy thin film and sputtering target for forming Ag base alloy thin film |
| US8092889B2 (en) | 2006-08-28 | 2012-01-10 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective film for optical information storage media, optical information storage medium, and sputtering target for the deposition of silver alloy reflective film for optical information storage media |
| US8152976B2 (en) | 2007-08-29 | 2012-04-10 | Kobelco Research Institute, Inc. | AG-based alloy sputtering target |
| US8309195B2 (en) | 2007-09-19 | 2012-11-13 | Kobe Steel, Ltd. | Read-only optical information recording medium |
| US8431931B2 (en) | 2008-11-10 | 2013-04-30 | Kobe Steel, Ltd. | Reflective anode and wiring film for organic EL display device |
| US8470426B2 (en) | 2008-09-11 | 2013-06-25 | Kobe Steel, Ltd. | Read-only optical information recording medium and sputtering target for depositing reflective film for the optical information recording medium |
| US8530023B2 (en) | 2009-04-14 | 2013-09-10 | Kobe Steel, Ltd. | Optical information recording medium and sputtering target for forming reflective film for optical information recording medium |
-
2001
- 2001-11-26 JP JP2001358850A patent/JP3772972B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US8936856B2 (en) | 2002-08-08 | 2015-01-20 | Kobe Steel, Ltd. | AG base alloy thin film and sputtering target for forming AG base alloy thin film |
| US7871686B2 (en) | 2002-08-08 | 2011-01-18 | Kobe Steel, Ltd. | Ag base alloy thin film and sputtering target for forming Ag base alloy thin film |
| US7452604B2 (en) | 2003-07-07 | 2008-11-18 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Reflective Ag alloy film for reflectors and reflector provided with the same |
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| US7754307B2 (en) | 2005-04-14 | 2010-07-13 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
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| US7517575B2 (en) | 2005-07-22 | 2009-04-14 | Kobe Steel, Ltd. | Optical information recording media and silver alloy reflective films for the same |
| US7695792B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-04-13 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
| US7713608B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-05-11 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
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| JP3772972B2 (ja) | 2006-05-10 |
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