JPH0583630B2 - - Google Patents
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- JPH0583630B2 JPH0583630B2 JP27018586A JP27018586A JPH0583630B2 JP H0583630 B2 JPH0583630 B2 JP H0583630B2 JP 27018586 A JP27018586 A JP 27018586A JP 27018586 A JP27018586 A JP 27018586A JP H0583630 B2 JPH0583630 B2 JP H0583630B2
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- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 25
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 13
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 13
- 229910008423 Si—B Inorganic materials 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000031070 response to heat Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
(産業上の利用分野)
本発明は高い結晶化温度を有する非晶質合金の
製造方法に関するものである。 (従来の技術) 近年、各種の非晶質材料が開発され、金属材料
の分野において、多くの注目を集めている。これ
らの合金は、従来の結晶合金とは異なり、結晶構
造を持たない合金であり、その性質も従来の金属
材料にはみられないものが多く、機械的性質、耐
摩耗性、耐食性、軟磁性、電気的性質などに優れ
ているため、結晶質金属に代わりうる材料とし
て、各種の用途開発が行われ、さらに、その用途
に適した材料開発も行われている。これらの合金
は、従来、一般に、単ロール法等の液体急冷法に
よつて作製されている。 (発明が解決しようとする問題点) 非晶質合金の最大の問題点は、熱的に不安定な
点にある。これは非晶質状態が熱力学的に非平衡
な準安定状態であるということに由来するもの
で、非晶質合金の宿命ともいえることである。即
ち、非晶質合金は、一般に、それぞれ特有の結晶
化温度を有し、その温度を越えるとより熱的に安
定な結晶合金に変化してしまい、非晶質状態のと
きにみられた優れた諸特性が全て失われてしまう
のである。この結晶化温度は、材料によつて異な
るが、一般に、絶対温度で測定した融点の0.4〜
0.6倍程度の値をとることが知られている。従つ
て、結晶化温度の高い合金を得るためには、融点
の高い合金を非晶質化しなければならない。 Ta−Si−B合金は、融点が約2300℃以上とき
わめて高い。このため液体急冷法によつて製作さ
れたTa−Si−B系非晶質合金は、その結晶化温
度が800℃〜960℃と非常に高く、非晶質合金の問
題点を大幅に改善することが可能となつた(特願
昭61−012385号)。さらに、このTa−Si−B系非
晶質合金は、一般の非晶質合金に特有の高強度、
高高度などの優れた機械的性質を有しているため
に、例えば、耐摩耗性材料、および、温度上昇に
伴う電極用材料などへの応用が考えられる。 しかしながら、実際に前記Ta−Si−B系非晶
質合金を高温環境下で使用する場合には、経時変
化が問題となつてくるために、使用温度範囲は最
高600℃程度に限定されてしまう。 さらに、液体急冷法によつて作製されるTa−
Si−B系非晶質合金は、その形状が幅数mm〜数mm
のリボン状であるために、広い面積を有する非晶
質合金を得ることができないという問題点があつ
た。さらに、ある物質の上に、前記非晶質合金を
薄膜状で形成することも、従来の液体急冷法では
できなかつた。 本発明は、このような従来技術の問題点を解決
して、高い結晶化温度を有し、かつ、機械的特
性、耐食性等にすぐれたTa−W系非晶質合金薄
膜の製造方法を提供することを目的とする。 (問題点を解決するための手段) 本発明は、Ta1-xWx)1-y(Si1-uBu)yなる式で表
され、x=0.01〜1、y=0.1〜0.4、u=0.01〜
0.99である合金を、真空中において、金属を加熱
溶解し、金属原子を蒸発させることによつて、基
板上に付着させ、非晶質薄膜を形成することを特
徴とするTa−W系非晶質合金薄膜の製造方法で
ある。 (作用) Ta−W−B系合金では、後に実施例で示すよ
うに、TaとW、またはWが60at%〜90at%の組
成範囲で、非晶質合金ができることを本発明者は
見いだした。この組成範囲をはずれると非晶質構
造がほとんどみられなくなり、非晶質合金に特徴
的な優れた特性がすべて消失してしまう。また、
xの範囲を0.01以上と限定したのは、この範囲に
於て、Taのみの場合、および、Wを微量添加し
た場合よりも結晶化温度が高くなるからである。
さらに、uの範囲を0.01〜0.99と限定したのは、
この範囲において、SiまたはBを微量添加した場
合や、何れか一方だけを添加した場合よりも結晶
化温度が高くなるからである。 これらの非晶質合金の結晶化温度は、その融点
の高さに対応して、いずれも1000℃以上という高
い値である。また、これらの非晶質合金の機械的
特性は、非晶質合金に一般にみられるように、高
硬度かつ高高度である。また、耐食性において
も、TaおよびWのすぐれた耐食性に匹敵するほ
どの耐食性を有している。 本発明による製造方法は、真空中において、金
属を加熱溶解して、金属原子を蒸発させることに
よつて、基板上に付着させ、非晶質薄膜を形成す
る方法であるが、この際、原料合金の溶解を水冷
されたるつぼのなかで行うので、原料合金とるつ
ぼ金属の反応はほとんどおこらない。るつぼ金属
が十分に冷却されている場合には、たとえ高温度
の溶解金属が接触したとしても、るつぼ金属の温
度が低すぎるために合金化反応が極めて起こりに
くいからである。 また、基板は、水、液体窒素等の冷媒によつ
て、冷却しておくとより有効である。これは、薄
膜作製中の基板温度が高すぎると、形成された合
金薄膜が、結晶質になつてしまい、非晶質相が得
られにくくなるからであるある。 さらに、溶解手段としては、電子ビーム溶解、
レーザービーム溶解などのよく知られた方法を用
いることができる。 また、溶解される原料物質としては、目的組成
のTa−W−Si−B合金、あるいはTa、W、Siお
よびBを別々に準備することができる。Ta−W
−Si−B合金の場合には、この合金を溶解するこ
とによつて、また、Ta、W、SiおよびBを準備
する場合には、それぞれを同時に別個に溶解する
ことによつて、薄膜を形成することができる。ま
た、得られる合金薄膜の組成は、原料となるTa
−W−Si−B合金の組成を変化させることによ
り、また、Ta、W、SiおよびBの蒸気圧を調整
することにより、容易に変化させることが出来る
ため、目的とする組成の非晶質合金薄膜を容易に
得ることができる。 以上のように、本発明の製造方法によつて、
Ta−W系非晶質合金は、組成制御された、高純
度の合金薄膜として、大面積に、かつ、均質に、
基板上に形成することができる。 (実施例) 以下、本発明の一実施例を図により詳細に説明
する。第1図に、本発明のTa−W系非晶質合金
薄膜を作製する装置の一例を示す。第1図に示す
装置は高真空電子ビーム蒸着装置である。蒸発材
料1,2は、それぞれるつぼ3,4に保持されて
いる。本実施例においては、蒸発材料1にはTa、
蒸発材料2には、W−Si−B合金を使用した。各
蒸発材料は、るつぼ中に50g準備することができ
る。るつぼ3,4は銅製であり、冷却水導入管5
によつて、水冷されており、蒸発材料が溶解した
状態においても、温度が上昇することはない。 基板6は、基板ホルダー7に固定されている。
基板には、長さ50mm、幅25mmで厚さ0.2mmのガラ
スを用いた。基板ホルダー7には、液体窒素導入
管8より導入された液体窒素9が蓄えられてお
り、基板が十分冷却される構造になつている。 薄膜作製に際しては、最初に、真空チヤンバー
10を真空ポンプ11によつて、10-8Torr台の
真空まで排気する。この状態で、電子ビーム源1
2,13より、電子ビームを発生させ、蒸発材料
1,2を同時に加熱、溶解させる。溶解した材料
からは、Ta、W、SiおよびBが原子状態で蒸発
する。蒸着の最初1時間は、シヤツター14を閉
じた状態で予備蒸着を行う。つぎに、予備蒸着終
了後、シヤツターを開くことにより、基板上に薄
膜を作製した。蒸発材料1および2から飛び出し
た蒸発原子は、基板付近でお互いに混合状態にな
り、基板に付着する際には、均質な合金として付
着する。薄膜作製中の真空度は、10-7Torrであ
つた。また、薄膜作製中の基板温度を熱電対15
を通して、温度計16によつて測定したところ、
−180℃であつた。蒸着は、1時間行つた。得ら
れた薄膜の厚さは、5μm程度であつた。 得られたTa−W−Si−B合金薄膜の構造をX
線回折法によつて評価した。その結果、薄膜の組
成でTaとW、および、Wが60at%〜90at%の組
成範囲ではいずれの薄帯も結晶による鋭い回折ピ
ークはみられず、ブロードなハローパターンが得
られたことから、非晶質合金薄膜が、得られたこ
とが確認された。第1表に、示差熱分析で測定し
たこれらの試料の結晶化温度を示す。いずれも
1000℃以上の高い結晶化温度を示しており、Ta
−Si−B系非晶質合金の場合よりもさらに100℃
〜200℃高い結晶化温度を有していることがわか
る。また、これらの試料は800℃で1000時間焼鈍
した後も非晶質構造を有しており、非常に耐熱製
の高い非晶質合金であることが判明した。またこ
れらの機械的特性は、ビツカース高度が800〜
1500の範囲であるという優れた性質を示した。さ
らに、これらの試料は濃塩酸、濃硝酸、濃硫酸、
濃王水の中に一日放置しても何等腐食された見ら
れず、重量変化も認められなかつた。
製造方法に関するものである。 (従来の技術) 近年、各種の非晶質材料が開発され、金属材料
の分野において、多くの注目を集めている。これ
らの合金は、従来の結晶合金とは異なり、結晶構
造を持たない合金であり、その性質も従来の金属
材料にはみられないものが多く、機械的性質、耐
摩耗性、耐食性、軟磁性、電気的性質などに優れ
ているため、結晶質金属に代わりうる材料とし
て、各種の用途開発が行われ、さらに、その用途
に適した材料開発も行われている。これらの合金
は、従来、一般に、単ロール法等の液体急冷法に
よつて作製されている。 (発明が解決しようとする問題点) 非晶質合金の最大の問題点は、熱的に不安定な
点にある。これは非晶質状態が熱力学的に非平衡
な準安定状態であるということに由来するもの
で、非晶質合金の宿命ともいえることである。即
ち、非晶質合金は、一般に、それぞれ特有の結晶
化温度を有し、その温度を越えるとより熱的に安
定な結晶合金に変化してしまい、非晶質状態のと
きにみられた優れた諸特性が全て失われてしまう
のである。この結晶化温度は、材料によつて異な
るが、一般に、絶対温度で測定した融点の0.4〜
0.6倍程度の値をとることが知られている。従つ
て、結晶化温度の高い合金を得るためには、融点
の高い合金を非晶質化しなければならない。 Ta−Si−B合金は、融点が約2300℃以上とき
わめて高い。このため液体急冷法によつて製作さ
れたTa−Si−B系非晶質合金は、その結晶化温
度が800℃〜960℃と非常に高く、非晶質合金の問
題点を大幅に改善することが可能となつた(特願
昭61−012385号)。さらに、このTa−Si−B系非
晶質合金は、一般の非晶質合金に特有の高強度、
高高度などの優れた機械的性質を有しているため
に、例えば、耐摩耗性材料、および、温度上昇に
伴う電極用材料などへの応用が考えられる。 しかしながら、実際に前記Ta−Si−B系非晶
質合金を高温環境下で使用する場合には、経時変
化が問題となつてくるために、使用温度範囲は最
高600℃程度に限定されてしまう。 さらに、液体急冷法によつて作製されるTa−
Si−B系非晶質合金は、その形状が幅数mm〜数mm
のリボン状であるために、広い面積を有する非晶
質合金を得ることができないという問題点があつ
た。さらに、ある物質の上に、前記非晶質合金を
薄膜状で形成することも、従来の液体急冷法では
できなかつた。 本発明は、このような従来技術の問題点を解決
して、高い結晶化温度を有し、かつ、機械的特
性、耐食性等にすぐれたTa−W系非晶質合金薄
膜の製造方法を提供することを目的とする。 (問題点を解決するための手段) 本発明は、Ta1-xWx)1-y(Si1-uBu)yなる式で表
され、x=0.01〜1、y=0.1〜0.4、u=0.01〜
0.99である合金を、真空中において、金属を加熱
溶解し、金属原子を蒸発させることによつて、基
板上に付着させ、非晶質薄膜を形成することを特
徴とするTa−W系非晶質合金薄膜の製造方法で
ある。 (作用) Ta−W−B系合金では、後に実施例で示すよ
うに、TaとW、またはWが60at%〜90at%の組
成範囲で、非晶質合金ができることを本発明者は
見いだした。この組成範囲をはずれると非晶質構
造がほとんどみられなくなり、非晶質合金に特徴
的な優れた特性がすべて消失してしまう。また、
xの範囲を0.01以上と限定したのは、この範囲に
於て、Taのみの場合、および、Wを微量添加し
た場合よりも結晶化温度が高くなるからである。
さらに、uの範囲を0.01〜0.99と限定したのは、
この範囲において、SiまたはBを微量添加した場
合や、何れか一方だけを添加した場合よりも結晶
化温度が高くなるからである。 これらの非晶質合金の結晶化温度は、その融点
の高さに対応して、いずれも1000℃以上という高
い値である。また、これらの非晶質合金の機械的
特性は、非晶質合金に一般にみられるように、高
硬度かつ高高度である。また、耐食性において
も、TaおよびWのすぐれた耐食性に匹敵するほ
どの耐食性を有している。 本発明による製造方法は、真空中において、金
属を加熱溶解して、金属原子を蒸発させることに
よつて、基板上に付着させ、非晶質薄膜を形成す
る方法であるが、この際、原料合金の溶解を水冷
されたるつぼのなかで行うので、原料合金とるつ
ぼ金属の反応はほとんどおこらない。るつぼ金属
が十分に冷却されている場合には、たとえ高温度
の溶解金属が接触したとしても、るつぼ金属の温
度が低すぎるために合金化反応が極めて起こりに
くいからである。 また、基板は、水、液体窒素等の冷媒によつ
て、冷却しておくとより有効である。これは、薄
膜作製中の基板温度が高すぎると、形成された合
金薄膜が、結晶質になつてしまい、非晶質相が得
られにくくなるからであるある。 さらに、溶解手段としては、電子ビーム溶解、
レーザービーム溶解などのよく知られた方法を用
いることができる。 また、溶解される原料物質としては、目的組成
のTa−W−Si−B合金、あるいはTa、W、Siお
よびBを別々に準備することができる。Ta−W
−Si−B合金の場合には、この合金を溶解するこ
とによつて、また、Ta、W、SiおよびBを準備
する場合には、それぞれを同時に別個に溶解する
ことによつて、薄膜を形成することができる。ま
た、得られる合金薄膜の組成は、原料となるTa
−W−Si−B合金の組成を変化させることによ
り、また、Ta、W、SiおよびBの蒸気圧を調整
することにより、容易に変化させることが出来る
ため、目的とする組成の非晶質合金薄膜を容易に
得ることができる。 以上のように、本発明の製造方法によつて、
Ta−W系非晶質合金は、組成制御された、高純
度の合金薄膜として、大面積に、かつ、均質に、
基板上に形成することができる。 (実施例) 以下、本発明の一実施例を図により詳細に説明
する。第1図に、本発明のTa−W系非晶質合金
薄膜を作製する装置の一例を示す。第1図に示す
装置は高真空電子ビーム蒸着装置である。蒸発材
料1,2は、それぞれるつぼ3,4に保持されて
いる。本実施例においては、蒸発材料1にはTa、
蒸発材料2には、W−Si−B合金を使用した。各
蒸発材料は、るつぼ中に50g準備することができ
る。るつぼ3,4は銅製であり、冷却水導入管5
によつて、水冷されており、蒸発材料が溶解した
状態においても、温度が上昇することはない。 基板6は、基板ホルダー7に固定されている。
基板には、長さ50mm、幅25mmで厚さ0.2mmのガラ
スを用いた。基板ホルダー7には、液体窒素導入
管8より導入された液体窒素9が蓄えられてお
り、基板が十分冷却される構造になつている。 薄膜作製に際しては、最初に、真空チヤンバー
10を真空ポンプ11によつて、10-8Torr台の
真空まで排気する。この状態で、電子ビーム源1
2,13より、電子ビームを発生させ、蒸発材料
1,2を同時に加熱、溶解させる。溶解した材料
からは、Ta、W、SiおよびBが原子状態で蒸発
する。蒸着の最初1時間は、シヤツター14を閉
じた状態で予備蒸着を行う。つぎに、予備蒸着終
了後、シヤツターを開くことにより、基板上に薄
膜を作製した。蒸発材料1および2から飛び出し
た蒸発原子は、基板付近でお互いに混合状態にな
り、基板に付着する際には、均質な合金として付
着する。薄膜作製中の真空度は、10-7Torrであ
つた。また、薄膜作製中の基板温度を熱電対15
を通して、温度計16によつて測定したところ、
−180℃であつた。蒸着は、1時間行つた。得ら
れた薄膜の厚さは、5μm程度であつた。 得られたTa−W−Si−B合金薄膜の構造をX
線回折法によつて評価した。その結果、薄膜の組
成でTaとW、および、Wが60at%〜90at%の組
成範囲ではいずれの薄帯も結晶による鋭い回折ピ
ークはみられず、ブロードなハローパターンが得
られたことから、非晶質合金薄膜が、得られたこ
とが確認された。第1表に、示差熱分析で測定し
たこれらの試料の結晶化温度を示す。いずれも
1000℃以上の高い結晶化温度を示しており、Ta
−Si−B系非晶質合金の場合よりもさらに100℃
〜200℃高い結晶化温度を有していることがわか
る。また、これらの試料は800℃で1000時間焼鈍
した後も非晶質構造を有しており、非常に耐熱製
の高い非晶質合金であることが判明した。またこ
れらの機械的特性は、ビツカース高度が800〜
1500の範囲であるという優れた性質を示した。さ
らに、これらの試料は濃塩酸、濃硝酸、濃硫酸、
濃王水の中に一日放置しても何等腐食された見ら
れず、重量変化も認められなかつた。
【表】
【表】
なお、本実施例では、高真空電子ビーム蒸着装
置によるTa−W系非晶質合金薄膜の製造方法を
紹介したが、非晶質薄膜を作製する際に、他の蒸
着方法、即ち、レーザービーム蒸着法、クラスタ
ーイオンビーム蒸着法等を利用してもさしつかえ
ない。 (発明の効果) 以上詳述に説明したように、本発明によるTa
−W系非晶質合金薄膜の製造方法は高い結晶化温
度を有し、かつ、機械的特性、耐食性等にすぐれ
た非晶質合金薄膜が容易に得られ、その効果は大
きい。
置によるTa−W系非晶質合金薄膜の製造方法を
紹介したが、非晶質薄膜を作製する際に、他の蒸
着方法、即ち、レーザービーム蒸着法、クラスタ
ーイオンビーム蒸着法等を利用してもさしつかえ
ない。 (発明の効果) 以上詳述に説明したように、本発明によるTa
−W系非晶質合金薄膜の製造方法は高い結晶化温
度を有し、かつ、機械的特性、耐食性等にすぐれ
た非晶質合金薄膜が容易に得られ、その効果は大
きい。
第1図は、本発明のTa−W系非晶質合金薄膜
を作製する装置の一例を示す図である。図におい
て、1および2は蒸発材料、3および4はるつ
ぼ、5は冷却水導入管、6は基板、7は基板ホル
ダー、8は液体窒素導入管、9は液体窒素、10
はチヤンバー、11は真空ポンプ、12および1
3は電子ビーム源、14はシヤツター、15は熱
電対、16は温度計である。
を作製する装置の一例を示す図である。図におい
て、1および2は蒸発材料、3および4はるつ
ぼ、5は冷却水導入管、6は基板、7は基板ホル
ダー、8は液体窒素導入管、9は液体窒素、10
はチヤンバー、11は真空ポンプ、12および1
3は電子ビーム源、14はシヤツター、15は熱
電対、16は温度計である。
Claims (1)
- 1 (Ta1-xWx)1-y(Si1-uBu)yなる式で表され、
x=0.01〜1、y=0.1〜0.4、u=0.01〜0.99であ
る組成の合金を、真空中において、金属を加熱溶
解し、金属原子を蒸発させることによつて、基板
上に薄膜を形成する真空蒸着装置を用いて、非晶
質化させることを特徴とするTa−W系非晶質合
金薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27018586A JPS63125669A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | Ta−W系非晶質合金薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27018586A JPS63125669A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | Ta−W系非晶質合金薄膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63125669A JPS63125669A (ja) | 1988-05-28 |
JPH0583630B2 true JPH0583630B2 (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=17482707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27018586A Granted JPS63125669A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | Ta−W系非晶質合金薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63125669A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3379333B2 (ja) * | 1996-05-13 | 2003-02-24 | トヨタ自動車株式会社 | 自動車用ドアハンドル |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP27018586A patent/JPS63125669A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63125669A (ja) | 1988-05-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |