JP7482689B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Description

開示の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板を処理する基板処理部に基板を搬入して載置する技術が知られている（特許文献１参照）。
特開２０１８－１３７３８３号公報
本開示は、基板処理部内に基板を載置する際のセンタリング精度を向上させることができる技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置は、基板処理部と、基板搬送部と、第１検出部と、第２検出部と、第３検出部とを備える。基板処理部は、基板を保持して処理する。基板搬送部は、回転軸を有し、前記基板処理部に前記基板を搬入する。第１検出部は、進行方向に向けて前記基板を前記基板処理部に搬入する際に、前記基板処理部に対する前記基板搬送部の前記進行方向の位置を検出する。第２検出部は、前記基板処理部に対する前記基板搬送部の前記進行方向とは垂直な方向の位置を検出する。第３検出部は、前記基板処理部に対する前記基板搬送部の前記回転軸の傾きを検出する。
本開示によれば、基板処理部内に基板を載置する際のセンタリング精度を向上させることができる。
図１は、実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す模式図である。 図２は、実施形態に係る洗浄ユニットの具体的な構成例を示す模式図である。 図３は、実施形態に係る基板搬送装置を示す平面図である。 図４は、実施形態に係るウェハ検出ユニットを示す斜視図である。 図５は、実施形態に係る基板搬送装置および洗浄ユニットを示す平面図である。 図６は、実施形態に係る第１検出部、第２検出部および第３検出部を示す平面図である。 図７は、図６に示すＡ－Ａ線の矢視断面図である。 図８は、図６に示すＢ－Ｂ線の矢視断面図である。 図９は、図６に示すＣ－Ｃ線の矢視断面図である。 図１０は、実施形態に係る傾き検出処理を説明するための図である。 図１１は、実施形態に係る傾き検出処理を説明するための図である。 図１２は、実施形態に係るウェハの搬入処理について説明するための図である。 図１３は、実施形態に係るウェハの搬入処理について説明するための図である。 図１４は、実施形態に係るウェハの搬入処理について説明するための図である。 図１５は、実施形態の変形例１に係る第１検出部、第２検出部、第３検出部およびフォークを示す平面図である。 図１６は、実施形態の変形例２に係る第１検出部、第２検出部、第３検出部およびフォークを示す平面図である。 図１７は、実施形態に係る基板処理システムが実行する搬入処理の手順を示すフローチャートである。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す各実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板を処理する基板処理部に基板を搬入して載置する技術が知られている。しかしながら、基板を搬入する基板搬送部の向きが傾いていた場合、基板処理部に対する基板のセンタリング精度を向上させることが困難であった。
そこで、上述の問題点を克服し、基板処理部内に基板を載置する際のセンタリング精度を向上させることができる技術が期待されている。
＜基板処理システムの概要＞
最初に、図１を参照しながら、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す模式図である。
なお、基板処理システム１は、基板処理装置の一例である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、第１実施形態では半導体ウェハＷ（以下、ウェハＷと呼称する。）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の洗浄ユニット１６とを備える。複数の洗浄ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と洗浄ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。かかる基板搬送装置１７の詳細については後述する。
洗浄ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷの周縁部に対して所定の洗浄処理を行う。かかる洗浄ユニット１６の詳細については後述する。
なお、本開示では、Ｘ軸に沿った方向を前後方向とし、Ｘ軸正方向を前方向とする。また、本開示では、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とが並んで配置される方向（図では、Ｙ軸に沿った方向）を左右方向とし、搬入出ステーション２が設けられる一端側を右側とする。そして、本開示では、Ｙ軸正方向を右方向とする。
また、基板処理システム１は、制御装置５を備える。かかる制御装置５は、たとえばコンピュータであり、制御部６と記憶部７とを備える。記憶部７には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部６は、記憶部７に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置５の記憶部７にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、洗浄ユニット１６へ搬入される。
洗浄ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、洗浄ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって洗浄ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
＜洗浄ユニットの構成＞
次に、実施形態に係る洗浄ユニット１６の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、実施形態に係る洗浄ユニット１６の具体的な構成例を示す模式図である。図２に示すように、洗浄ユニット１６は、チャンバ７１と、基板処理部７２と、洗浄液吐出部７３と、回収カップ７４とを備える。
チャンバ７１は、基板処理部７２、洗浄液吐出部７３および回収カップ７４を収容する。チャンバ７１の天井部には、チャンバ７１内にダウンフローを形成するＦＦＵ（Fun Filter Unit）７１ａが設けられる。
基板処理部７２は、ウェハＷを回転可能に保持し、保持されたウェハＷに液処理を施す。基板処理部７２は、ウェハＷを水平に保持する保持部７２ａと、鉛直方向に延在して保持部７２ａを支持する支柱部材７２ｂと、支柱部材７２ｂを鉛直軸周りに回転させる駆動部７２ｃとを有する。
保持部７２ａは、真空ポンプなどの吸気装置（図示せず）に接続され、かかる吸気装置の吸気によって発生する負圧を利用してウェハＷの裏面を吸着することによってウェハＷを水平に保持する。保持部７２ａとしては、たとえばポーラスチャックや静電チャックなどを用いることができる。
保持部７２ａは、ウェハＷよりも小径の吸着領域を有する。これにより、後述する洗浄液吐出部７３の下側ノズル７３ｂから吐出される洗浄液をウェハＷにおける周縁部の裏面側に供給することができる。
洗浄液吐出部７３は、上側ノズル７３ａと下側ノズル７３ｂとを有する。上側ノズル７３ａは、基板処理部７２に保持されたウェハＷの上方に配置され、下側ノズル７３ｂは、かかるウェハＷの下方に配置される。
上側ノズル７３ａおよび下側ノズル７３ｂには、洗浄液供給部７５が接続される。洗浄液供給部７５は、上流側から順に、洗浄液供給源７５ａと、バルブ７５ｂと、流量調整器７５ｃとを有する。洗浄液供給源７５ａは、たとえば、洗浄液を貯留するタンクである。流量調整器７５ｃは、洗浄液供給源７５ａからバルブ７５ｂを介して上側ノズル７３ａおよび下側ノズル７３ｂに供給される洗浄液の流量を調整する。
上側ノズル７３ａは、洗浄液供給部７５から供給される洗浄液を、基板処理部７２に保持されたウェハＷにおける周縁部のおもて面側に吐出する。下側ノズル７３ｂは、洗浄液供給部７５から供給される洗浄液を、基板処理部７２に保持されたウェハＷにおける周縁部の裏面側に吐出する。
また、洗浄液吐出部７３は、上側ノズル７３ａを移動させる第１移動機構７３ｃと、下側ノズル７３ｂを移動させる第２移動機構７３ｄとを有する。これら第１移動機構７３ｃおよび第２移動機構７３ｄを用いて上側ノズル７３ａおよび下側ノズル７３ｂを移動させることにより、ウェハＷに対する洗浄液の吐出位置を変更することができる。
回収カップ７４は、基板処理部７２を取り囲むように配置される。回収カップ７４の底部には、洗浄液吐出部７３から吐出される洗浄液をチャンバ７１の外部へ排出するための排液口７４ａと、チャンバ７１内の雰囲気を排気するための排気口７４ｂとが形成される。
洗浄ユニット１６は、上記のように構成されており、ウェハＷの裏面を保持部７２ａで吸着保持した後、駆動部７２ｃを用いてウェハＷを回転させる。
次に、洗浄ユニット１６は、回転するウェハＷにおける周縁部のおもて面側へ向けて、上側ノズル７３ａから洗浄液を吐出する。また、かかる吐出処理と並行して、洗浄ユニット１６は、回転するウェハＷの周縁部における裏面側へ向けて、下側ノズル７３ｂから洗浄液を吐出する。これにより、ウェハＷの周縁部を洗浄処理することができる。
＜基板搬送装置の構成＞
つづいては、実施形態に係る基板搬送装置１７の構成について、図３～図１１を参照しながら説明する。図３は、実施形態に係る基板搬送装置１７の平面図である。基板搬送装置１７は、上下に重なって配置される２つのフォーク２５（一方は図示せず）を有する。フォーク２５は、基板搬送部の一例である。
２つのフォーク２５のうちの一方は、モジュールからウェハＷを受け取るために用いられ、他方はモジュールに対してウェハＷを受け渡すために用いられる。
フォーク２５は、本体部２５ａと、複数の爪部２６とを有する。本体部２５ａは、基部から先端部が二股に分かれるとともに、フォーク２５の前進方向に向けて伸出し、ウェハＷの側周を囲むような馬蹄状に構成される。複数（図では４つ）の爪部２６は、馬蹄状の本体部２５ａの内側に向けて突出し、ウェハＷの裏面を支持する。
複数の爪部２６には、ウェハＷの裏面を吸引して保持する吸引孔２７がそれぞれ形成される。なお、ウェハＷをモジュールに受け渡すために基台２４が下降するときには、この吸引は停止される。
また、フォーク２５における本体部２５ａの基端側には、３つの貫通孔２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃが設けられる。貫通孔２８Ａおよび貫通孔２８Ｂは、フォーク２５の前進方向と垂直な方向に沿って並んで設けられる。貫通孔２８Ａおよび貫通孔２８Ｃは、フォーク２５の前進方向に沿って並んで設けられる。
ウェハ検出ユニット２９は、４つの発光部３１と、４つの受光部３２と、支持部３３とを有する。４つの発光部３１は、フォーク２５の下方に設けられる。４つの受光部３２は、フォーク２５の上方かつ４つの発光部３１の上方にそれぞれ設けられる。支持部３３は、４つの発光部３１および４つの受光部３２を基台２４に対して支持する。
１つの発光部３１と１つの受光部３２とは互いに組をなし、１つの透過型の光学式センサとして構成される。以降においては、この発光部３１と受光部３２との組をウェハ検出用センサ３０とする。
同じウェハ検出用センサ３０に属する発光部３１および受光部３２は、後退位置に位置するフォーク２５に保持されるウェハＷの周縁部を上下から挟むように設けられており、各組は、ウェハＷの周方向に間隔を空けて設けられる。
図４は、実施形態に係るウェハ検出ユニット２９の斜視図である。図４に示すように、発光部３１は上方へ光を照射するように構成され、図４中の矢印はかかる光路を示している。受光部３２は、ウェハＷの中心側から外周側へ向かうように直線状に配置された多数の受光素子によって構成される。
後退位置のフォーク２５に保持されるウェハＷの周縁部によって、発光部３１から照射された光について、一部は遮られ、他の一部はウェハＷの側方を通過して受光部３２に照射される。したがって、発光部３１の直上におけるウェハＷの周端の位置に応じて、受光部３２において光が照射される領域の大きさ、すなわち光を受光する受光素子の数が変化する。
受光部３２は、光の照射領域の大きさに応じた検出信号を制御部６（図１参照）に送信する。制御部６は、かかる検出信号に基づいて各受光部３２の直上におけるウェハＷの周端の各位置を検出し、検出された各位置からフォーク２５に保持されたウェハＷの中心位置を算出する。
図５は、実施形態に係る基板搬送装置１７および洗浄ユニット１６の平面図である。図５に示すように、基板搬送装置１７は、左右駆動ユニット２１と、フレーム２２と、昇降台２３と、基台２４と、２つのフォーク２５と、ウェハ検出ユニット２９とを有する。左右駆動ユニット２１は、フレーム２２を左右に水平移動させる。
フレーム２２は、昇降台２３を囲むように起立して設けられ、かかる昇降台２３を鉛直方向に昇降させる。基台２４は、昇降台２３上に設けられ、昇降台２３によって鉛直軸周りに回転する。
２つのフォーク２５は、互いに上下に重なるように基台２４上に設けられ、基台２４は、これらのフォーク２５を基台２４上における後退位置と前進位置との間で、各々独立して進退移動させる。
このように各部を移動させることができるように、左右駆動ユニット２１、フレーム２２、昇降台２３および基台２４は、モータ、タイミングベルトおよびプーリからなる駆動機構（図示せず）を備える。このモータは、制御部６（図１参照）が各部の位置を検出できるようにエンコーダを備える。
また、図５に示すように、洗浄ユニット１６は、上述した基板処理部７２と、回収カップ７４とを備える。さらに、基板処理部７２には昇降ピン７６が設けられる。
かかる昇降ピン７６は、回収カップ７４の内側に設けられる昇降自在な３本の昇降ピンである。昇降ピン７６は、回収カップ７４上に位置したフォーク２５と基板処理部７２との間でウェハＷを受け渡す。
洗浄ユニット１６は、搬送部１５から洗浄ユニット１６を区画する垂直な壁部４８を有する。かかる壁部４８によって、洗浄ユニット１６の内部で行われる処理が、搬送部１５における気流の影響を受けることを抑制することができる。
壁部４８には、基板処理部７２にウェハＷを搬入出する搬入口４９が設けられる。また、搬入口４９の近傍には、透過型の光学式センサである第１検出部５１と、第２検出部５２と、第３検出部５３とが設けられる。
第１検出部５１および第２検出部５２は、第１検出部５１が搬送部１５から洗浄ユニット１６に対して左側となるように左右方向に沿って並んで設けられる。第１検出部５１および第３検出部５３は、第１検出部５１が後方側となるように前後方向に沿って並んで設けられる。すなわち、第３検出部５３は、第１検出部５１および第２検出部５２よりも洗浄ユニット１６の内側または外側（図では内側）に設けられる。
図６は、実施形態に係る第１検出部５１、第２検出部５２および第３検出部５３を示す平面図である。なお、図６には、ウェハＷを搬入して基板処理部７２にウェハＷを受け渡すために、搬入口４９を介して洗浄ユニット１６内に前方向に進入したフォーク２５についても示している。
図６に示すように、第１検出部５１は、上下方向に並んで配置される発光部５１ａと受光部５１ｂとを有する。発光部５１ａは搬入口４９よりも下方に設けられ、受光部５１ｂは搬入口４９よりも上方に設けられる。
また、発光部５１ａは、上方に光を照射する。受光部５１ｂは、複数（たとえば、１０２４個）の受光素子を有し、かかる複数の受光素子が前後方向（Ｘ軸方向）に沿って並んで配置される。
第２検出部５２は、上下方向に並んで配置される発光部５２ａと受光部５２ｂとを有する。発光部５２ａは搬入口４９よりも下方に設けられ、受光部５２ｂは搬入口４９よりも上方に設けられる。
また、発光部５２ａは、上方に光を照射する。受光部５２ｂは、複数（たとえば、１０２４個）の受光素子を有し、かかる複数の受光素子が左右方向（Ｙ軸方向）に沿って並んで配置される。
第３検出部５３は、上下方向に並んで配置される発光部５３ａと受光部５３ｂとを有する。発光部５３ａは搬入口４９よりも下方に設けられ、受光部５３ｂは搬入口４９よりも上方に設けられる。
また、発光部５３ａは、上方に光を照射する。受光部５３ｂは、複数（たとえば、１０２４個）の受光素子を有し、かかる複数の受光素子が左右方向（Ｙ軸方向）に沿って並んで配置される。
図７は、図６に示すＡ－Ａ線の矢視断面図であり、第１検出部５１の動作について説明するための図である。なお、図７では、発光部５１ａによって形成される光路を矢印で模式的に示している。
図７に示すように、発光部５１ａは、ウェハＷを受け渡すために基板処理部７２（図５参照）の上方に進行したフォーク２５の貫通孔２８Ａ、およびかかる貫通孔２８Ａの前方側（Ｘ軸正方向側）の縁部２８Ａａに光を照射するように配置される。
第１検出部５１では、貫通孔２８Ａの前方側の縁部２８Ａａの位置に応じて、受光部５１ｂが受光する領域の大きさが変化する。そこで、受光部５１ｂは、この受光領域の大きさに応じた信号を制御部６に出力する。
制御部６は、かかる出力信号に基づいて、貫通孔２８Ａの前方側の縁部２８Ａａ（以下、単に貫通孔２８Ａの縁部２８Ａａとも呼称する）のＸ軸方向における位置を検出することができる。すなわち、第１検出部５１は、基板処理部７２に対するフォーク２５の進行方向の位置を検出することができる。
図８は、図６に示すＢ－Ｂ線の矢視断面図であり、第２検出部５２の動作について説明するための図である。なお、図８では、発光部５２ａによって形成される光路を矢印で模式的に示している。
図８に示すように、発光部５２ａは、ウェハＷを受け渡すために基板処理部７２（図５参照）の上方に進行したフォーク２５の貫通孔２８Ｂ、およびかかる貫通孔２８Ｂの右側（Ｙ軸正方向側）の縁部２８Ｂａに光を照射するように配置される。
第２検出部５２では、貫通孔２８Ｂの右側の縁部２８Ｂａの位置に応じて、受光部５２ｂが受光する領域の大きさが変化する。そこで、受光部５２ｂは、この受光領域の大きさに応じた信号を制御部６に出力する。
制御部６は、かかる出力信号に基づいて、貫通孔２８Ｂの右側の縁部２８Ｂａ（以下、単に貫通孔２８Ｂの縁部２８Ｂａとも呼称する）のＹ軸方向における位置を検出することができる。すなわち、第２検出部５２は、基板処理部７２に対するフォーク２５の進行方向とは垂直な方向の位置を検出することができる。
ここまで説明したように、第１検出部５１および第２検出部５２は、基板処理部７２に対して、互いに直交する２つの水平軸におけるフォーク２５の位置を検出することができる。
図９は、図６に示すＣ－Ｃ線の矢視断面図であり、第３検出部５３の動作について説明するための図である。なお、図９では、発光部５３ａによって形成される光路を矢印で模式的に示している。
図９に示すように、発光部５３ａは、ウェハＷを受け渡すために基板処理部７２（図５参照）の上方に進行したフォーク２５の貫通孔２８Ｃ、およびかかる貫通孔２８Ｃの右側（Ｙ軸正方向側）の縁部２８Ｃａに光を照射するように配置される。
第３検出部５３では、貫通孔２８Ｃの右側の縁部２８Ｃａの位置に応じて、受光部５３ｂが受光する領域の大きさが変化する。そこで、受光部５３ｂは、この受光領域の大きさに応じた信号を制御部６に出力する。
制御部６は、かかる出力信号に基づいて、貫通孔２８Ｃの右側の縁部２８Ｃａ（以下、単に貫通孔２８Ｃの縁部２８Ｃａとも呼称する）のＹ軸方向における位置を検出することができる。すなわち、第３検出部５３は、基板処理部７２に対するフォーク２５の進行方向とは垂直な方向の位置を検出することができる。
ここで、実施形態に係る第３検出部５３は、第２検出部５２と協業することによって、基板処理部７２に対するフォーク２５の回転軸の傾きを検出することができる。かかる回転軸の傾き検出処理の詳細について、図１０および図１１を参照しながら説明する。
図１０および図１１は、実施形態に係る傾き検出処理を説明するための図である。なお、図１０および図１１では、理解を容易にするため、第２検出部５２および第３検出部５３を上下に並べて示している。
また、図１０は、基板処理部７２（図６参照）に対してフォーク２５（図６参照）の回転軸が傾いていない場合（すなわち、傾き角度が０（ｒａｄ））について示している。図１０に示すように、第２検出部５２は、受光部５２ｂにおける受光領域の大きさに基づいて、貫通孔２８Ｂの縁部２８Ｂａと受光部５２ｂの端部５２ｂａとの距離Ｙａを求めることができる。
同様に、第３検出部５３は、受光部５３ｂにおける受光領域の大きさに基づいて、貫通孔２８Ｃの縁部２８Ｃａと受光部５３ｂの端部５３ｂａとの距離Ｙｂを求めることができる。
ここで、受光部５２ｂおよび受光部５３ｂはＹ軸方向に沿って配置されることから、上記した距離Ｙａおよび距離Ｙｂは、Ｙ軸方向における縁部２８Ｂａ（２８Ｃａ）と端部５２ｂａ（５３ｂａ）との距離である。また、受光部５２ｂと受光部５３ｂとのＸ軸方向における距離を距離Ｘａとする。
たとえば、実施形態では、基板処理部７２に対してフォーク２５の回転軸が傾いていない場合、図１０に示すように、距離Ｙａと距離Ｙｂとが等しくなるように、第２検出部５２と、第３検出部５３と、貫通孔２８Ｂ、２８Ｃとを配置する。
図１１は、基板処理部７２（図６参照）に対してフォーク２５（図６参照）の回転軸が傾いている場合について示している。図１１に示すように、フォーク２５の回転軸が傾いている場合、かかるフォーク２５に設けられる貫通孔２８Ｂと貫通孔２８Ｃとの位置関係が変わることから、距離Ｙａおよび距離Ｙｂは互いに異なる値となる。
そして、基板処理部７２に対するフォーク２５の回転軸の傾き角度θ（ｒａｄ）は、図１１にも示すように、以下の式（１）で算出することができる。
θ＝ｔａｎ－１（（Ｙａ－Ｙｂ）／Ｘａ） ・・・（１）
ここまで説明したように、実施形態に係る第３検出部５３は、第２検出部５２と協業することによって、基板処理部７２に対するフォーク２５の回転軸の傾き角度θを求めることができる。
＜ウェハの搬入処理＞
次に、洗浄ユニット１６の基板処理部７２に対して、基板搬送装置１７を用いてウェハＷを搬入する処理の詳細について、先に説明した図６などを参照しながら説明する。
基板処理部７２にウェハＷを受け渡すためのフォーク２５の位置はあらかじめ設定されており、この設定位置を受け渡し初期位置とする。より詳しくは、受け渡し初期位置として、基台２４上におけるフォーク２５の前進位置およびフォーク２５の向きについてあらかじめ設定される。
換言すると、フォーク２５を進退させる基台２４、フォーク２５および昇降台２３（図５参照）にそれぞれ含まれるモータに設けられたエンコーダから、各々出力されるパルス数（エンコーダ値）についてあらかじめ設定されることになる。このように、あらかじめ設定された基台２４上のフォーク２５の位置およびフォーク２５の向きについて、それぞれ「前進設定位置」、「設定向き」とする。
フォーク２５においてウェハＷが所定の基準保持位置に保持され、かつフォーク２５がこの受け渡し初期位置に位置する場合には、基板処理部７２上でウェハＷの中心がかかる基板処理部７２の回転軸上に位置する。図６では、フォーク２５、ウェハＷがそのように受け渡し初期位置、基準位置にそれぞれ位置した状態を示している。
以降の図面では、基準保持位置に保持される場合のウェハＷの中心点をＰ０、実際に保持されたウェハＷの中心点をＰ１、基板処理部７２の回転軸をＰ２として示す。なお、フォーク２５の向きとは、フォーク２５の回転軸から見た中心点Ｐ０の向きである。
たとえば、基準保持位置からずれてウェハＷがフォーク２５に保持された場合、ウェハＷを基板処理部７２に受け渡すに際し、制御部６は、このずれを補償するために前進設定位置および設定向きからフォーク２５をずらすようにフォーク２５を移動させる。
つまり、あらかじめ設定されたエンコーダ値からウェハＷのずれに対応する分だけ補正したエンコーダ値を制御部６が算出し、この補正したエンコーダ値に応じてフォーク２５が移動する。本開示では、このフォーク２５が移動した位置を、受け渡しの暫定位置とする。
次に、制御部６は、基板搬送装置１７を制御して、ウェハＷが保持されたフォーク２５を前方向（Ｘ軸正方向）に向けて移動させ、ウェハＷを洗浄ユニット１６内の基板処理部７２の上方に搬入する。
次に、第１検出部５１がフォーク２５に設けられる貫通孔２８Ａの縁部２８Ａａの位置を検出し、第２検出部５２が貫通孔２８Ｂの縁部２８Ｂａの位置を検出し、第３検出部５３が貫通孔２８Ｃの縁部２８Ｃａの位置を検出する。
次に、制御部６は、検出された縁部２８Ａａ、２８Ｂａの位置と、受け渡し初期位置から受け渡しの暫定位置へとフォーク２５を補正したことが加味された、縁部２８Ａａ、２８Ｂａについて検出されるべき位置とのずれを求める。
すなわち、制御部６は、設定された受け渡しの暫定位置と実際のフォーク２５の位置との位置ずれを検出する。
次に、制御部６は、この位置ずれが解消されるように、フォーク２５の向きを設定向きからさらに補正するとともに、基台２４上のフォーク２５の位置を前進設定位置からさらに補正する。
すなわち、制御部６は、フォーク２５の位置ずれ分だけ各エンコーダから出力されるエンコーダ値をあらかじめ設定されたエンコーダ値からさらに補正するようにフォーク２５を移動させる。そして、基板処理部７２の回転軸Ｐ２上にウェハＷの中心点Ｐ１を位置させた状態で、ウェハＷの受け渡しが行われる。
ここまで説明したフォーク２５の位置ずれを補正する処理において、基板処理部７２に対するフォーク２５のＸ軸方向の位置およびＹ軸方向の位置のみを参照し、基板処理部７２に対するフォーク２５の向きがずれていないとみなして処理を実施したとする。
この場合、フォーク２５の向きのずれ量に応じて、補正の精度が低下してしまう。なぜなら、制御部６は、フォーク２５を回転させることによりＹ軸方向の位置の補正を行っているが、フォーク２５の向きがずれている場合には、Ｙ軸方向の位置の補正が不足してしまうとともに、Ｘ軸方向の位置が予期せずずれてしまうからである。
しかしながら、実施形態では、洗浄ユニット１６に第３検出部５３が設けられていることから、フォーク２５の位置ずれを補正する処理において、フォーク２５の向き（傾き角度θ）も参照しながらフォーク２５の位置ずれを補正することができる。
したがって、実施形態によれば、洗浄ユニット１６内の基板処理部７２にウェハＷを載置する際のセンタリング精度を向上させることができる。
フォーク２５の位置ずれの原因としては、たとえば、基板搬送装置１７の基台２４が水平移動する間に当該基台２４が旋回することで、慣性によってこの水平移動が影響を受けることが挙げられる。実施形態では、ここまで説明したようにフォーク２５の位置ずれを補正することができることから、上述した原因によるウェハＷの受け渡しの異常の発生を抑制することができる。
＜ウェハの搬送処理＞
つづいて、洗浄ユニット１６へのウェハＷの搬入処理の詳細について、図１２～図１４を参照しながら説明する。図１２～図１４は、実施形態に係るウェハＷの搬入処理について説明するための図である。
なお、図１２では、理解の容易のため、鎖線の矢印の先にウェハＷの中心点Ｐ０、Ｐ１を含む領域を拡大して示している。また、フォーク２５の受け渡し初期位置において検出される貫通孔２８Ａの縁部２８Ａａの位置、貫通孔２８Ｂの縁部２８Ｂａの位置を、それぞれ縁部２８Ａａ、２８Ｂａの基準位置とする。
最初に、制御部６は、基台２４を受渡部１４の手前に位置させ、フォーク２５が前進位置に位置する状態で基台２４を上昇させ、ウェハＷを受渡部１４からフォーク２５に受け渡して保持する。そして、制御部６は、フォーク２５を後退位置に移動させる。
次に、制御部６は、各ウェハ検出用センサ３０からの検出信号に基づいて、ウェハＷの中心点Ｐ１の位置を算出し、かかる中心点Ｐ１と上記の基準保持位置に保持されるウェハＷの中心点Ｐ０とのずれ量を検出する。
制御部６は、具体的なずれ量として、フォーク２５の回転中心と中心点Ｐ１とを結ぶ第１の直線Ｌ１に沿った水平方向のずれ量ΔＸ１と、かかる第１の直線Ｌ１と直交する第２の直線Ｌ２に沿った水平方向のずれ量ΔＹ１とを算出する。これにより、フォーク２５におけるウェハＷの位置を検出することができる。
次に、制御部６は、基板搬送装置１７の左右駆動ユニット２１によって、フレーム２２を所定の位置に移動させる。すなわち、制御部６は、左右駆動ユニット２１のモータから所定のエンコーダ値が出力されるようにフレーム２２を移動させる。なお、このフレーム２２の移動と並行して、制御部６は、フォーク２５を設定向きに回転させる。
次に、制御部６は、基板処理部７２上へウェハＷを搬入するために、基板搬送装置１７を制御して、フォーク２５の前進とフォーク２５の回転とを行う。実施形態において、かかるフォーク２５の前進とフォーク２５の回転とは、たとえば、並行して行われる。
この際、制御部６は、フォーク２５の前進処理を、ずれ量ΔＸ１に対応する分、前進設定位置からずれた位置にフォーク２５が位置するように実施する。同様に、制御部６は、フォーク２５の回転処理を、ずれ量ΔＹ１に対応する分、設定向きからずれた向きをフォーク２５が向くように実施する。
すなわち、実施形態では、図１３に示すように、ずれ量ΔＸ１、ΔＹ１が補正されてウェハＷの中心点Ｐ１と基板処理部７２の回転軸Ｐ２とが揃うように、フォーク２５が上記の受け渡しの暫定位置へと移動して静止する。
次に、制御部６は、第１検出部５１、第２検出部５２および第３検出部５３を制御して、フォーク２５の貫通孔２８Ａの縁部２８Ａａ、貫通孔２８Ｂの縁部２８Ｂａおよび貫通孔２８Ｃの縁部２８Ｃａの位置を検出する。
また、貫通孔２８Ａの縁部２８Ａａの基準位置についてずれ量ΔＸ１に対応する分が補正され、貫通孔２８Ａの縁部２８Ａａについて検出されるべき位置として取得される。
同様に、貫通孔２８Ｂの縁部２８Ｂａの基準位置について、設定向きからフォーク２５の向きを変更した分、すなわちずれ量ΔＹ１に対応する分が補正され、貫通孔２８Ｂの縁部２８Ｂａについて検出されるべき位置として取得される。
そして、制御部６は、貫通孔２８Ａについて、検出されるべき位置と検出された位置とのずれ量（以下、ΔＸ２とする。）を算出するとともに、貫通孔２８Ｂについて、検出されるべき位置と検出された位置とのずれ量（以下、ΔＹ２とする。）を算出する。なお、かかるずれ量ΔＸ２、ΔＹ２は図面には示していない。
ここで、実施形態では、制御部６が、かかるずれ量ΔＸ２、ΔＹ２の算出処理の前に、検出された貫通孔２８Ｂの縁部２８Ｂａと貫通孔２８Ｃの縁部２８Ｃａの位置とに基づいて、基板処理部７２に対するフォーク２５の回転軸の傾き角度θを算出する。
そして、制御部６は、ずれ量ΔＸ２、ΔＹ２の算出処理の際に、基板処理部７２に対するフォーク２５の回転軸の傾き角度θをパラメータとして用いながらずれ量ΔＸ２、ΔＹ２の算出処理を行う。これにより、ずれ量ΔＸ２、ΔＹ２の算出精度を向上させることができる。
したがって、実施形態によれば、洗浄ユニット１６内の基板処理部７２にウェハＷを載置する際のセンタリング精度を向上させることができる。
次に、制御部６は、基板搬送装置１７を制御して、ΔＸ２に対応する分のフォーク２５の進退と、ΔＹ２に対応する分のフォーク２５の回転とをたとえば並行して行う。これにより、制御部６は、ウェハＷの中心点Ｐ１が基板処理部７２の回転軸Ｐ２上に位置するようにフォーク２５を移動させることができる。
すなわち、制御部６は、図１４に示すように、フォーク２５を上記の受け渡しの暫定位置から、かかる暫定位置とずれ量ΔＸ２、ΔＹ２とに基づいて新たに設定されたウェハＷの受け渡し位置へと移動させることができる。
次に、制御部６は、洗浄ユニット１６の昇降ピン７６を上昇させることにより、フォーク２５からかかる昇降ピン７６にウェハＷを受け渡す。そして、制御部６は、フォーク２５の後退、昇降ピン７６の下降をこの順に行うことにより、基板処理部７２にウェハＷを受け渡す。
なお、上記の説明では省略しているが、一方のフォーク２５がウェハＷの搬入処理を行う前または同時に、他方のフォーク２５が基板処理部７２に保持されていたウェハＷの搬出処理を行う。
また、受け渡し初期位置や基準保持位置など、ここまで説明したフォーク２５の位置の補正を行うために必要なデータは、制御装置５の記憶部７にあらかじめ格納されており、このデータに基づいてフォーク２５の動作の制御が行われる。
ここまで説明したように、実施形態では、ウェハＷの中心点Ｐ１が基板処理部７２の回転軸Ｐ２に揃うようにウェハＷを搬送することができる。これにより、洗浄ユニット１６において、例えばウェハＷの周縁部の膜を除去する場合に、除去される幅が設定値からずれることを防ぐことができるため、ウェハＷの歩留りを向上させることができる。
そして、実施形態では、第１検出部５１および第２検出部５２に加えて第３検出部５３が設けられていることから、フォーク２５の向き（傾き角度θ）も参照しながらフォーク２５の位置ずれを補正することができる。したがって、実施形態によれば、基板処理部７２にウェハＷを載置する際のセンタリング精度を向上させることができる。
また、実施形態では、第２検出部５２に加えて、第３検出部５３も基板処理部７２に対するフォーク２５の進行方向とは垂直な方向（すなわち、Ｙ軸方向）の位置を検出することができる。
これにより、第２検出部５２に不具合が生じた場合でも、この第２検出部５２を用いて行う処理を第３検出部５３によって行うことができる。したがって、実施形態によれば、基板処理システム１の信頼性を向上させることができる。
また、実施形態では、第３検出部５３が、第２検出部５２に対してＹ軸方向に沿わないように配置されるとよい。これにより、フォーク２５の回転軸が傾いた場合に、第２検出部５２で測定される距離Ｙａ（図１１参照）と、第３検出部５３で測定される距離Ｙｂ（図１１参照）とを互いに異なる値にすることができる。
したがって、実施形態によれば、基板処理部７２に対するフォーク２５の回転軸の傾き角度θを精度よく求めることができる。
また、実施形態では、第１検出部５１と第２検出部５２とが、搬入口４９に隣接して設けられ、第３検出部５３は、基板処理部７２に対して第１検出部５１および第２検出部５２よりも内側または外側に設けられるとよい。
これにより、ウェハＷを基板処理部７２に搬入処理する際のフォーク２５の位置および傾き角度θを、かかる搬入処理の妨げとなることなく測定することができる。したがって、実施形態によれば、ウェハＷを基板処理部７２に円滑に搬入することができる。
また、実施形態では、第１検出部５１～第３検出部５３が、いずれも発光部５１ａ～５３ａと受光部５１ｂ～５３ｂとを有する光学式センサである。そして、実施形態では、フォーク２５の位置を検出する際に、発光部５１ａ～５３ａと受光部５１ｂ～５３ｂとがフォーク２５に設けられる貫通孔２８Ａ～２８Ｃを挟んで配置されるとよい。
これにより、ウェハＷを基板処理部７２に搬入処理する際のフォーク２５の位置および傾き角度θを、かかる搬入処理の妨げとなることなく、かつ精度よく測定することができる。したがって、実施形態によれば、ウェハＷを基板処理部７２に円滑かつ精度よく搬入することができる。
また、実施形態において、第１検出部５１～第３検出部５３に対応する貫通孔２８Ａ～２８Ｃがフォーク２５にそれぞれ設けられるとよい。これにより、洗浄ユニット１６に第１検出部５１～第３検出部５３を設ける際の配置の自由度や、フォーク２５に貫通孔２８Ａ～２８Ｃを設ける際の配置の自由度を高めることができる。
なお、実施形態では、第１検出部５１～第３検出部５３に対応する貫通孔２８Ａ～２８Ｃがフォーク２５にそれぞれ設けられる場合に限られない。図１５は、実施形態の変形例１に係る第１検出部５１、第２検出部５２、第３検出部５３およびフォーク２５を示す平面図である。
図１５に示すように、変形例１では、実施形態と同様に、第１検出部５１に対応する位置に貫通孔２８Ａが設けられ、第２検出部５２に対応する位置に貫通孔２８Ｂが設けられる。一方で、変形例１では、第３検出部５３が、第２検出部５２と共通の貫通孔２８Ｂの縁部２８Ｂａに光を照射するように配置される。
この場合であっても、第１検出部５１～第３検出部５３を用いることにより、基板処理部７２に対するフォーク２５のＸ軸方向の位置と、Ｙ軸方向の位置と、傾き角度θとを測定することができる。
図１６は、実施形態の変形例２に係る第１検出部５１、第２検出部５２、第３検出部５３およびフォーク２５を示す平面図である。図１６に示すように、変形例２では、第１検出部５１～第３検出部５３に共通の貫通孔２８がフォーク２５に設けられる。
そして、変形例２では、第１検出部５１が、貫通孔２８におけるＹ軸方向に沿った縁部２８ａに光を照射するように配置され、第２検出部５２および第３検出部５３が、貫通孔２８におけるＸ軸方向に沿った縁部２８ｂに光を照射するように配置される。
この場合であっても、第１検出部５１～第３検出部５３を用いることにより、基板処理部７２に対するフォーク２５のＸ軸方向の位置と、Ｙ軸方向の位置と、傾き角度θとを測定することができる。
なお、上記の実施形態において、第１検出部５１～第３検出部５３は、発光部５１ａ～５３ａと受光部５１ｂ～５３ｂとを有する光学式センサに限られない。たとえば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）センサやＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサなどを用いて、貫通孔２８Ａ～２８Ｃの縁部２８Ａａ～２８Ｃａの位置を検出してもよい。
また、上記の実施形態において、第１検出部５１～第３検出部５３が検出する対象は、貫通孔２８Ａ～２８Ｃの縁部２８Ａａ～２８Ｃａに限られず、フォーク２５の位置を検出するための目印であればどのような対象であってもよい。
また、上記の実施形態では、Ｙ軸方向におけるずれの修正をフォーク２５を回転させることにより行っているが、基板搬送装置１７のフレーム２２をＹ軸方向に移動させてフォーク２５のＹ軸方向の位置をずらすことで行うようにしてもよい。
実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、基板処理部７２と、基板搬送部（フォーク２５）と、第１検出部５１と、第２検出部５２と、第３検出部５３とを備える。基板処理部７２は、基板（ウェハＷ）を保持して処理する。基板搬送部（フォーク２５）は、回転軸を有し、基板処理部７２に基板（ウェハＷ）を搬入する。第１検出部５１は、進行方向（Ｘ軸方向）に向けて基板（ウェハＷ）を基板処理部７２に搬入する際に、基板処理部７２に対する基板搬送部（フォーク２５）の進行方向（Ｘ軸方向）の位置を検出する。第２検出部５２は、基板処理部７２に対する基板搬送部（フォーク２５）の進行方向とは垂直な方向（Ｙ軸方向）の位置を検出する。第３検出部５３は、基板処理部７２に対する基板搬送部（フォーク２５）の回転軸の傾きを検出する。これにより、基板処理部７２にウェハＷを載置する際のセンタリング精度を向上させることができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、第３検出部５３は、第２検出部５２に対して進行方向とは垂直な方向（Ｙ軸方向）に沿わないように配置される。これにより、基板処理部７２に対するフォーク２５の回転軸の傾き角度θを精度よく求めることができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、第１検出部５１と第２検出部５２とは、基板処理部７２の搬入口４９に隣接して設けられる。また、第３検出部５３は、基板処理部７２に対して第１検出部５１および第２検出部５２よりも内側または外側に設けられる。これにより、ウェハＷを基板処理部７２に円滑に搬入することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、第１検出部５１、第２検出部５２および第３検出部５３は、いずれも発光部５１ａ～５３ａと受光部５１ｂ～５３ｂとを有する光学式センサである。また、基板搬送部（フォーク２５）の位置を検出する際には、発光部５１ａ～５３ａと受光部５１ｂ～５３ｂとが基板搬送部（フォーク２５）に設けられる貫通孔２８Ａ～２８Ｃを挟んで配置される。これにより、ウェハＷを基板処理部７２に円滑かつ精度よく搬入することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、貫通孔２８Ａ～２８Ｃは、第１検出部５１、第２検出部５２および第３検出部５３に対応する位置に複数設けられる。これにより、洗浄ユニット１６に第１検出部５１～第３検出部５３を設ける際の配置の自由度や、フォーク２５に貫通孔２８Ａ～２８Ｃを設ける際の配置の自由度を高めることができる。
＜処理の手順＞
つづいて、実施形態に係る搬入処理の手順について、図１７を参照しながら説明する。図１７は、実施形態に係る基板処理システム１が実行する搬入処理の手順を示すフローチャートである。
最初に、制御部６は、ウェハ検出用センサ３０を制御して、フォーク２５に対するウェハＷの位置ずれを検出する（ステップＳ１０１）。そして、制御部６は、基板搬送装置１７を制御して、ウェハＷが保持されたフォーク２５を前方向に向けて移動させ、ウェハＷを洗浄ユニット１６内の基板処理部７２に搬入する（ステップＳ１０２）。
次に、制御部６は、第１検出部５１～第３検出部５３を制御して、基板処理部７２に対するフォーク２５の位置（Ｘ軸方向の位置およびＹ軸方向の位置）および傾き角度θを検出する（ステップＳ１０３）。そして、制御部６は、第１検出部５１～第３検出部５３で検出された各検出値に基づいて、基準位置に対する補正量を算出する（ステップＳ１０４）。
次に、制御部６は、算出された補正量に基づいて基板搬送装置１７を動作させて、基板処理部７２に対するフォーク２５の位置を補正する（ステップＳ１０５）。そして、制御部６は、第１検出部５１～第３検出部５３を制御して、基板処理部７２に対するフォーク２５の位置（Ｘ軸方向の位置およびＹ軸方向の位置）および傾き角度θを検出する（ステップＳ１０６）。
次に、制御部６は、第１検出部５１および第２検出部５２で検出されたフォーク２５の位置（Ｘ軸方向の位置およびＹ軸方向の位置）に基づいて、フォーク２５の位置ずれが所定の範囲内であるか否かを判定する（ステップＳ１０７）。
ここで、フォーク２５の位置ずれが所定の範囲内である場合（ステップＳ１０７，Ｙｅｓ）、制御部６は、フォーク２５および洗浄ユニット１６を制御して、ウェハＷを基板処理部７２に載置し（ステップＳ１０８）、処理を完了する。
一方で、フォーク２５の位置ずれが所定の範囲内ではない場合（ステップＳ１０７，Ｎｏ）、ステップＳ１０４の処理に戻る。
実施形態に係る基板処理方法は、検出工程（ステップＳ１０３）と、算出工程（ステップＳ１０４）と、補正工程（ステップＳ１０５）と、を含む。検出工程（ステップＳ１０３）は、回転軸を有する基板搬送部（フォーク２５）を用いて、進行方向（Ｘ軸方向）に向けて基板（ウェハＷ）を基板処理部７２に搬入する際に、基板処理部に対する基板搬送部の進行方向の位置と、基板処理部に対する基板搬送部の進行方向とは垂直な方向（Ｙ軸方向）の位置と、基板処理部に対する基板搬送部の回転軸の傾きとを検出する。算出工程（ステップＳ１０４）は、検出工程（ステップＳ１０３）で検出された各検出値に基づいて、基準位置に対する補正量を算出する。補正工程（ステップＳ１０５）は、算出工程（ステップＳ１０４）で算出された補正量に基づいて、基板処理部７２に対する基板搬送部（フォーク２５）の進行方向の位置と、基板処理部に対する基板搬送部の進行方向とは垂直な方向の位置とを補正する。これにより、基板処理部７２にウェハＷを載置する際のセンタリング精度を向上させることができる。
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｗ ウェハ（基板の一例）
１ 基板処理システム（基板処理装置の一例）
６ 制御部
１６ 洗浄ユニット
１７ 基板搬送装置
２５ フォーク（基板搬送部の一例）
２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃ 貫通孔
５１ 第１検出部
５１ａ 発光部
５１ｂ 受光部
５２ 第２検出部
５２ａ 発光部
５２ｂ 受光部
５３ 第３検出部
５３ａ 発光部
５３ｂ 受光部
７２ 基板処理部

Claims (6)

  1. 基板を保持して処理する基板処理部と、
    鉛直方向に沿って延びる回転軸を有し、前記基板処理部に前記基板を搬入する基板搬送部と、
    進行方向に向けて前記基板を前記基板処理部に搬入する際に、前記基板処理部に対する前記基板搬送部の前記進行方向の位置を検出する第１検出部と、
    前記基板処理部に対する前記基板搬送部の水平面上における前記進行方向とは垂直な方向の位置を検出する第２検出部と、
    前記第２検出部と協業することによって、前記基板処理部に対する前記基板搬送部の前記回転軸の傾きを検出する第３検出部と、
    各部を制御する制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、前記第１検出部、前記第２検出部および前記第３検出部で検出された各検出値に基づいて、基準位置に対する前記基板搬送部の位置ずれを補正し、
    前記第３検出部は、前記第２検出部に対して前記進行方向とは垂直な方向に沿わないように配置される
    基板処理装置。
  2. 前記第１検出部と前記第２検出部とは、前記基板処理部の搬入口に隣接して設けられ、
    前記第３検出部は、前記基板処理部に対して前記第１検出部および前記第２検出部よりも内側または外側に設けられる
    請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第１検出部、前記第２検出部および前記第３検出部は、いずれも発光部と受光部とを有する光学式センサであり、
    前記基板搬送部の位置を検出する際には、前記発光部と前記受光部とが前記基板搬送部に設けられる貫通孔を挟んで配置される
    請求項１または２に記載の基板処理装置。
  4. 前記貫通孔は、前記第１検出部、前記第２検出部および前記第３検出部に対応する位置に複数設けられる
    請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記制御部は、
    前記基板搬送部で前記基板を前記基板処理部に搬入する際に、前記第１検出部、前記第２検出部および前記第３検出部によって、前記基板処理部に対する前記基板搬送部の前記進行方向の位置と、前記基板処理部に対する前記基板搬送部の前記進行方向とは垂直な方向の位置と、前記基板処理部に対する前記基板搬送部の前記回転軸の傾きとを検出し、
    前記第１検出部、前記第２検出部および前記第３検出部で検出された各検出値に基づいて、基準位置に対する補正量を算出し、
    算出された前記補正量に基づいて、前記基板処理部に対する前記基板搬送部の前記進行方向の位置と、前記基板処理部に対する前記基板搬送部の前記進行方向とは垂直な方向の位置とを補正する
    請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  6. 鉛直方向に沿って延びる回転軸を有する基板搬送部を用いて、進行方向に向けて基板を基板処理部に搬入する際に、前記基板処理部に対する前記基板搬送部の前記進行方向の位置と、前記基板処理部に対する前記基板搬送部の水平面上における前記進行方向とは垂直な方向の位置と、前記基板処理部に対する前記基板搬送部の前記回転軸の傾きとを検出する検出工程と、
    前記検出工程で検出された各検出値に基づいて、基準位置に対する補正量を算出する算出工程と、
    前記算出工程で算出された前記補正量に基づいて、前記基板処理部に対する前記基板搬送部の前記進行方向の位置と、前記基板処理部に対する前記基板搬送部の前記進行方向とは垂直な方向の位置とを補正する補正工程と、
    を含み、
    前記基板処理部に対する前記基板搬送部の前記進行方向の位置は、第１検出部によって検出され、
    前記基板処理部に対する前記基板搬送部の水平面上における前記進行方向とは垂直な方向の位置は、第２検出部によって検出され、
    前記基板処理部に対する前記基板搬送部の前記回転軸の傾きは、第３検出部が前記第２検出部と協業することによって検出され、
    前記第３検出部は、前記第２検出部に対して前記進行方向とは垂直な方向に沿わないように配置される
    基板処理方法。
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