JP7467188B2 - Cmp方法及びcmp用洗浄剤 - Google Patents
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Description
図1は第1の実施形態の研磨方法に適用する研磨装置の一例を示す図であって、図1(A)は研磨装置1による研磨工程の準備段階、図1(B)は研磨装置1による研磨工程を示す図である。図1(A)に示す研磨装置1は、表面に研磨布2が設けられた回転台3を有する。回転台3は回転軸4を有し、回転軸4に接続された図示しない回転機構により回転可能に構成されている。回転軸4を介した回転台3の回転数は、図示しない回転機構により調整可能とされている。
次に、第2の実施形態の研磨方法について説明する。第2の実施形態においては、第1の実施形態と同様に、図1に示したような研磨装置1を用いて、研磨対象物5の被研磨面5aの研磨を実施する。研磨装置1は、第1の実施形態で説明したように、研磨布2が設けられた回転台3と、被研磨面5aを有する研磨対象物5を保持する保持部6と、研磨布2上に研磨剤を供給する研磨剤供給部8と、研磨布2の温度を調整する温度制御部11とを具備する。研磨装置1の具体的な構成は、第1の実施形態で説明した通りであり、回転機構等を含む各部の詳細構成は第1の実施形態と同様である。
Claims (8)
- 回転台の上に設けられた研磨布上に、半導体基板を含む研磨対象物の被研磨面を前記研磨布に対向させて、前記研磨対象物を保持部により保持する工程と、
前記被研磨面と前記研磨布との間に供給部から研磨剤を供給する工程と、
前記保持部に設けられた回転軸を回転させて前記研磨対象物を回転させる、又は前記回転軸を回転させて前記研磨布を回転させることで、前記研磨剤を用いて前記被研磨面を研磨する工程とを具備するスラリーを用いたCMP方法において、
前記研磨剤は、研磨砥粒と、温度に応じてゲル状態とゾル状態との間で可逆的に相転移する有機ポリマーとを含み、
前記被研磨面を研磨する工程は、前記研磨布の温度が前記供給時の前記研磨剤の温度よりも高い第1の研磨工程を備え、前記第1の研磨工程における前記有機ポリマーの粘度は前記研磨剤を供給する工程における前記有機ポリマーの粘度より高い、CMP方法。 - 前記被研磨面を研磨する工程は、さらに、前記研磨布の温度が前記第1の研磨工程より低い、又はせん断速度が前記第1の研磨工程より大きい第2の研磨工程を備え、前記第2の研磨工程における前記有機ポリマーの粘度は第1の研磨工程における前記有機ポリマーの粘度より低い、請求項1に記載のCMP方法。
- 前記有機ポリマーは、前記被研磨面と前記研磨布との間に前記研磨剤を供給するときはゾル状態であり、前記被研磨面を研磨するときはゾル状態からゲル状態に変化する、請求項1に記載のCMP方法。
- 前記被研磨面を研磨する工程は、前記研磨布の温度を変化させることで、前記被研磨面の研磨レートや平坦化速度を変化させることを含む、請求項1に記載のCMP方法。
- 前記有機ポリマーは、アルキルセルロースを含む、請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のCMP方法。
- 前記有機ポリマーは、下限臨界溶液温度以下のときにゾル状態であり、前記下限臨界溶液温度を超えるとゲル状態に相転移する感熱応答性ポリマーであり、
前記研磨剤を供給する工程における前記研磨剤の温度が前記下限臨界溶液温度以下であり、
前記被研磨面を研磨する工程における前記研磨布の温度を前記下限臨界溶液温度より高くする工程と、
前記研磨布の温度を前記下限臨界溶液温度より高くする工程の後に、前記研磨布の温度を前記下限臨界溶液温度以下にして前記研磨剤を前記研磨布上から排出する工程をさらに備える、請求項1に記載のCMP方法。 - さらに、前記研磨布上に洗浄剤を供給し、前記研磨布を洗浄する工程を具備し、
前記研磨布を洗浄する工程は、前記洗浄剤がゾル状態を維持する温度に制御された前記洗浄剤の供給工程と、前記洗浄剤がゲル状態に相転移する温度に制御された洗浄工程とを備える、請求項6に記載のCMP方法。 - 請求項7に記載のCMP方法に用いられる前記洗浄剤であって、
温度によりゲル状態とゾル状態との間で可逆的に相転移する部位を有するモノマーと、金属イオンとキレート結合する部位を有するモノマーとの重合体を含み、
前記モノマーは、第1の温度でゾル状態を有し、前記第1の温度より高い第2の温度においてゲル状態を有する、CMP用洗浄剤。
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