JP6107826B2 - 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 340
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 67
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 126
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 81
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 80
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 68
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 48
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 48
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 40
- 229920006317 cationic polymer Polymers 0.000 claims description 34
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 34
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 26
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 13
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 9
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000005156 substituted alkylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 111
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 109
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 109
- 239000000463 material Substances 0.000 description 81
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 55
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 50
- -1 polyoxy Polymers 0.000 description 50
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 48
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 38
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 36
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 32
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N Allylamine Chemical compound NCC=C VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Ce+3] UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 28
- NJSSICCENMLTKO-HRCBOCMUSA-N [(1r,2s,4r,5r)-3-hydroxy-4-(4-methylphenyl)sulfonyloxy-6,8-dioxabicyclo[3.2.1]octan-2-yl] 4-methylbenzenesulfonate Chemical group C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)O[C@H]1C(O)[C@@H](OS(=O)(=O)C=2C=CC(C)=CC=2)[C@@H]2OC[C@H]1O2 NJSSICCENMLTKO-HRCBOCMUSA-N 0.000 description 23
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 23
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 22
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 21
- 229920006322 acrylamide copolymer Polymers 0.000 description 19
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical class C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N ethenamine Chemical compound NC=C UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 17
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- DYUWTXWIYMHBQS-UHFFFAOYSA-N n-prop-2-enylprop-2-en-1-amine Chemical compound C=CCNCC=C DYUWTXWIYMHBQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 14
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 12
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229920001661 Chitosan Polymers 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 11
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 8
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 8
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 241000282320 Panthera leo Species 0.000 description 7
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 7
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 6
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 6
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 6
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 5
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 5
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 5
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 5
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 125000003011 styrenyl group Chemical group [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 3
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 3
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 3
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 description 3
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 3
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 3
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 3
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 3
- 150000004804 polysaccharides Chemical class 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 3
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- UCMIRNVEIXFBKS-UHFFFAOYSA-N beta-alanine Chemical compound NCCC(O)=O UCMIRNVEIXFBKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000002057 carboxymethyl group Chemical group [H]OC(=O)C([H])([H])[*] 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000502 dialysis Methods 0.000 description 2
- YIOJGTBNHQAVBO-UHFFFAOYSA-N dimethyl-bis(prop-2-enyl)azanium Chemical class C=CC[N+](C)(C)CC=C YIOJGTBNHQAVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 2
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 2
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 2
- 238000007127 saponification reaction Methods 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- IVORCBKUUYGUOL-UHFFFAOYSA-N 1-ethynyl-2,4-dimethoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(C#C)C(OC)=C1 IVORCBKUUYGUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLJVXDMOQOGPHL-PPJXEINESA-N 2-phenylacetic acid Chemical compound O[14C](=O)CC1=CC=CC=C1 WLJVXDMOQOGPHL-PPJXEINESA-N 0.000 description 1
- UVRCNEIYXSRHNT-UHFFFAOYSA-N 3-ethylpent-2-enamide Chemical compound CCC(CC)=CC(N)=O UVRCNEIYXSRHNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNPOQXWAMXPTA-UHFFFAOYSA-N 3-methylbut-2-enamide Chemical compound CC(C)=CC(N)=O WHNPOQXWAMXPTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBVKVAIECGDBTC-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-2-methylidenebutanamide Chemical compound NC(=O)C(=C)CCO SBVKVAIECGDBTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHCTXKNWHHXJC-VKHMYHEASA-M 5-oxo-L-prolinate Chemical compound [O-]C(=O)[C@@H]1CCC(=O)N1 ODHCTXKNWHHXJC-VKHMYHEASA-M 0.000 description 1
- 229920001817 Agar Polymers 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N Asparagine Natural products OC(=O)C(N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001879 Curdlan Substances 0.000 description 1
- 229920002558 Curdlan Polymers 0.000 description 1
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 description 1
- 239000004375 Dextrin Substances 0.000 description 1
- 229920001353 Dextrin Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N L-asparagine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M Lactate Chemical compound CC(O)C([O-])=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002230 Pectic acid Polymers 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 1
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N Tryptophan Natural products C1=CC=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VRZFDJOWKAFVOO-UHFFFAOYSA-N [O-][Si]([O-])([O-])O.[B+3].P Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])O.[B+3].P VRZFDJOWKAFVOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000008351 acetate buffer Substances 0.000 description 1
- ZUQAPLKKNAQJAU-UHFFFAOYSA-N acetylenediol Chemical compound OC#CO ZUQAPLKKNAQJAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000005377 adsorption chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000008272 agar Substances 0.000 description 1
- 235000010419 agar Nutrition 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 239000000783 alginic acid Substances 0.000 description 1
- 235000010443 alginic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920000615 alginic acid Polymers 0.000 description 1
- 229960001126 alginic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000004781 alginic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012648 alternating copolymerization Methods 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 235000009582 asparagine Nutrition 0.000 description 1
- 229960001230 asparagine Drugs 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005102 attenuated total reflection Methods 0.000 description 1
- WBOXZLRDVULSGV-UHFFFAOYSA-N azanium;ethyl sulfate Chemical compound [H+].N.CCOS([O-])(=O)=O WBOXZLRDVULSGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- 229940000635 beta-alanine Drugs 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- SNCZNSNPXMPCGN-UHFFFAOYSA-N butanediamide Chemical compound NC(=O)CCC(N)=O SNCZNSNPXMPCGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 150000001785 cerium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 235000019316 curdlan Nutrition 0.000 description 1
- 229940078035 curdlan Drugs 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 235000019425 dextrin Nutrition 0.000 description 1
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- OJCDKHXKHLJDOT-UHFFFAOYSA-N fluoro hypofluorite;silicon Chemical compound [Si].FOF OJCDKHXKHLJDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940054190 hydroxypropyl chitosan Drugs 0.000 description 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N isoleucine Natural products CCC(C)C(N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- WGESLFUSXZBFQF-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-prop-2-enylprop-2-en-1-amine Chemical compound C=CCN(C)CC=C WGESLFUSXZBFQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- LCLHHZYHLXDRQG-ZNKJPWOQSA-N pectic acid Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@@H](O)O[C@H](C(O)=O)[C@@H]1OC1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](OC2[C@@H]([C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O2)C(O)=O)O)[C@@H](C(O)=O)O1 LCLHHZYHLXDRQG-ZNKJPWOQSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000010318 polygalacturonic acid Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011085 pressure filtration Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940071139 pyrrolidone carboxylate Drugs 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N schardinger α-dextrin Chemical compound O1C(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(O)C2O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC2C(O)C(O)C1OC2CO HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005628 tolylene group Chemical group 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N tyrosine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005199 ultracentrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000003828 vacuum filtration Methods 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000004474 valine Substances 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006839 xylylene group Chemical group 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Description
R11-O-(R12-O)m1-H …(I)
[式(I)中、R11は、置換基を有していてもよいアリール基を表し、R12は、置換基を有していてもよい炭素数1〜5のアルキレン基を表し、m1は、15以上の整数を表す。]
本明細書において、「研磨剤」(abrasive)とは、研磨時に被研磨面に触れる組成物として定義される。「研磨剤」という語句自体は、研磨剤に含有される成分をなんら限定しない。後述するように、本実施形態に係る研磨剤は砥粒(abrasive grain)を含有する。砥粒は、「研磨粒子」(abrasive
particle)ともいわれるが、本明細書では「砥粒」という。砥粒は、一般的には固体粒子である。この場合、研磨時に、砥粒が有する機械的作用、及び、砥粒(主に砥粒の表面)が有する化学的作用によって、除去対象物が除去(remove)されると考えられるが、メカニズムはこれに限定されない。
本実施形態に係る研磨剤は、例えばCMP用研磨剤である。具体的には、本実施形態に係る研磨剤は、液状媒体と、4価金属元素の水酸化物を含む砥粒と、添加剤とを少なくとも含有し、前記添加剤として、芳香環及びポリオキシアルキレン鎖を有する高分子化合物(以下、「芳香族ポリオキシアルキレン化合物」という。)と、陽イオン性ポリマとを少なくとも含有する。以下、必須成分、及び、任意に添加できる成分について説明する。
本実施形態に係る研磨剤の砥粒は、4価金属元素の水酸化物を含む。「4価金属元素の水酸化物」は、4価の金属(M4+)と、少なくとも一つの水酸化物イオン(OH−)とを含む化合物である。4価金属元素の水酸化物は、水酸化物イオン以外の陰イオン(例えば、硝酸イオンNO3 −、硫酸イオンSO4 2−)を含んでいてもよい。例えば、4価金属元素の水酸化物は、4価金属元素に結合した陰イオン(例えば硝酸イオン、硫酸イオン)を含んでいてもよい。前記4価金属元素の水酸化物を含む砥粒は、シリカ、アルミナ、セリア等からなる従来の砥粒と比較して、絶縁材料(例えば酸化珪素)との反応性が高く、絶縁材料を高研磨速度で研磨できる。
検出器:株式会社日立製作所製、UV−VISディテクター、商品名「L−4200」、波長:400nm
インテグレータ:株式会社日立製作所製、GPCインテグレータ、商品名「D−2500」
ポンプ:株式会社日立製作所製、商品名「L−7100」
カラム:日立化成株式会社製、水系HPLC用充填カラム、商品名「GL−W550S」
溶離液:脱イオン水
測定温度:23℃
流速:1mL/分(圧力:40〜50kg/cm2程度)
測定時間:60分
本実施形態に係る研磨剤は、添加剤を含有する。ここで「添加剤」とは、研磨速度、研磨選択性等の研磨特性;砥粒の分散性、保存安定性等の研磨剤特性などを調整するために、液状媒体及び砥粒以外に研磨剤が含有する物質を指す。
本実施形態に係る研磨剤は、第1の添加剤として芳香族ポリオキシアルキレン化合物(芳香環及びポリオキシアルキレン鎖を有する高分子化合物)を含有する。芳香族ポリオキシアルキレン化合物は、芳香環を有する置換基をポリオキシアルキレン鎖の末端に導入した化合物である。芳香環は、ポリオキシアルキレン鎖に直接結合していてもよく、直接結合していなくてもよい。芳香環は、単環であってもよく、多環であってもよい。芳香族ポリオキシアルキレン化合物は、芳香環を有する置換基を介して複数のポリオキシアルキレン鎖が結合する構造を有していてもよい。ポリオキシアルキレン鎖は、ポリオキシエチレン鎖、ポリオキシプロピレン鎖が好ましい。ポリオキシアルキレン鎖の構造単位数は、15以上が好ましい。
R11-O-(R12-O)m1-H …(I)
[式(I)中、R11は、置換基を有していてもよいアリール基を表し、R12は、置換基を有していてもよい炭素数1〜5のアルキレン基を表し、m1は、15以上の整数を表す。]
H-(O-R23)n1-O-R21-R25-R22-O-(R24-O)n2-H …(II)
[式(II)中、R21及びR22は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基を表し、R23、R24及びR25は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1〜5のアルキレン基を表し、n1及びn2は、それぞれ独立に15以上の整数を表す。]
・R11としては、芳香環を有する置換基として例示した上記のアリール基が好ましく、アルキル基又はスチレン基が置換基として導入されたフェニル基がより好ましい。
・R21及びR22としては、芳香環を有する置換基として例示した上記のアリーレン基が好ましい。
・R12、R23、R24及びR25としては、エチレン基、n−プロピレン基が好ましい。
・m1は、15以上が好ましく、30以上がより好ましく、45以上が更に好ましく、60以上が特に好ましい。
・m1は、2000以下が好ましく、900以下がより好ましく、600以下が更に好ましく、300以下が特に好ましい。
・n1及びn2は、15以上が好ましく、30以上がより好ましい。
・n1及びn2は、2000以下が好ましく、900以下がより好ましく、600以下が更に好ましく、300以下が特に好ましい。
・R31としては、エチレン基、n−プロピレン基が好ましく、エチレン基がより好ましい。
・R41としては、炭素数1〜40のアルキル基が好ましく、炭素数6〜20のアルキル基がより好ましい。
・R42としては、エチレン基、n−プロピレン基が好ましく、エチレン基がより好ましい。
・m2は、1以上が好ましい。
・m3は、15以上が好ましく、30以上がより好ましく、45以上が更に好ましく、60以上が特に好ましい。
・m3は、2000以下が好ましく、900以下がより好ましく、600以下が更に好ましく、300以下が特に好ましい。
・m4は、15以上が好ましく、30以上がより好ましく、45以上が更に好ましく、60以上が特に好ましい。
・m4は、2000以下が好ましく、900以下がより好ましく、600以下が更に好ましく、300以下が特に好ましい。
・式(IV)の芳香環がR41以外に更に有する置換基としては、プロペニル基が好ましい。
ポリオキシエチレンフェニルエーテル、ポリオキシプロピレンフェニルエーテル、ポリオキシエチレンクミルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンベンジルエーテル;
ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル(例えば、花王株式会社製、エマルゲンA−500;第一工業製薬株式会社製、ノイゲンEA−7シリーズ)等の前記式(III)で表される芳香族ポリオキシアルキレン化合物;
ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル(例えば、第一工業製薬株式会社製、エマルジットシリーズ)、ポリオキシエチレンノニルプロペニルフェニルエーテル(例えば、第一工業製薬株式会社製、アクアロンRNシリーズ)等の式(IV)で表される芳香族ポリオキシアルキレン化合物;などが挙げられる。
使用機器:日立L−6000型〔株式会社日立製作所製〕
カラム:ゲルパックGL−R420+ゲルパックGL−R430+ゲルパックGL−R440〔日立化成株式会社製 商品名、計3本〕
溶離液:テトラヒドロフラン
測定温度:40℃
流量:1.75mL/分
検出器:L−3300RI〔株式会社日立製作所製〕
本実施形態に係る研磨剤は、前記第1の添加剤(芳香族ポリオキシアルキレン化合物)の他に、第2の添加剤として陽イオン性ポリマを含有する。「陽イオン性ポリマ」とは、カチオン基、又は、カチオン基にイオン化され得る基を主鎖又は側鎖に有するポリマとして定義される。カチオン基としては、アミノ基、イミノ基、シアノ基等が挙げられる。
本実施形態に係る研磨剤は、研磨特性を調整する目的で、前記第1の添加剤及び前記第2の添加剤の他に、その他の添加剤を更に含有していてもよい。その他の添加剤としては、カルボン酸、アミノ酸、水溶性高分子、酸化剤(例えば過酸化水素)、並びに、後述するpH調整剤及び緩衝剤等が挙げられる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用できる。
本実施形態に係る研磨剤における液状媒体は、特に制限はないが、脱イオン水、超純水等の水が好ましい。液状媒体の含有量は、他の構成成分の含有量を除いた研磨剤の残部でよく、特に限定されない。
本実施形態に係る研磨剤のpHは、研磨剤の保存安定性及び絶縁材料の研磨速度に更に優れる観点から、3.0以上12.0以下が好ましい。なお、pHは、液温25℃におけるpHと定義する。研磨剤のpHは、主に研磨速度に影響する。pHの下限は、絶縁材料の研磨速度を更に向上させる観点から、4.0以上がより好ましく、4.5以上が更に好ましく、5.0以上が特に好ましい。pHの上限は、絶縁材料の研磨速度を更に向上させる観点から、11.0以下がより好ましく、10.0以下が更に好ましく、9.0以下が特に好ましく、8.0以下が極めて好ましく、7.0以下が非常に好ましい。
本実施形態に係る基体の研磨方法は、前記研磨剤を用いて基体の被研磨面を研磨する研磨工程を備えていてもよい。研磨工程では、例えば、被研磨材料を有する基体の該被研磨材料を研磨定盤の研磨パッド(研磨布)に押圧した状態で、前記研磨剤を被研磨材料と研磨パッドとの間に供給すると共に、基体と研磨定盤とを相対的に動かして被研磨材料を研磨する。研磨工程では、例えば、被研磨材料の少なくとも一部を研磨により除去する。
350gのCe(NH4)2(NO3)650質量%水溶液(日本化学産業株式会社製、製品名:CAN50液)を7825gの純水に溶解して溶液を得た。次いで、この溶液を攪拌しながら、750gのイミダゾール水溶液(10質量%水溶液)を5mL/分の速度で滴下して、セリウムの水酸化物を含む沈殿物を得た。
[実施例1]
ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル〔第一工業製薬株式会社製ノイゲンEA−207D、重量平均分子量:4500〕2質量%、イミダゾール0.08質量%、酢酸0.05質量%及び水97.87質量%を含有する添加液用貯蔵液100gと、前記で得たスラリ用貯蔵液50gと、水820gと、陽イオン性ポリマとして0.1質量%ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体〔ニットーボーメディカル株式会社製PAS−J−81、重量平均分子量:200000〕を含有する水溶液30gとを混合することにより、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルを0.2質量%、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体を0.003質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル及びジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体の含有量以外は実施例1と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルを0.5質量%、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体を0.0015質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体の含有量以外は実施例2と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルを0.5質量%、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体を0.003質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル、イミダゾール及び酢酸の含有量以外は実施例3と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルを1.0質量%、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体を0.003質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
イミダゾールの含有量以外は実施例3と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルを0.5質量%、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体を0.003質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
イミダゾールの含有量以外は実施例3と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルを0.5質量%、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体を0.003質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
陽イオン性ポリマの種類と含有量以外は実施例3と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルを0.5質量%、ポリアリルアミン〔ニットーボーメディカル株式会社製PAA−01、重量平均分子量:1600〕を0.001質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
陽イオン性ポリマの種類以外は実施例3と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルを0.5質量%、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド重合体〔ニットーボーメディカル株式会社製PAS−H−10L、重量平均分子量:200000〕を0.003質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
陽イオン性ポリマの種類以外は実施例3と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルを0.5質量%、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体〔ニットーボーメディカル株式会社製PAS−J−81L、重量平均分子量:10000〕を0.003質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
芳香族ポリオキシアルキレン化合物の種類を変更した以外は実施例3と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル〔第一工業製薬株式会社製エマルジット49、重量平均分子量:3000〕を0.5質量%、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体を0.003質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
前記で得たスラリ用貯蔵液50gと、水940gと、1質量%イミダゾール水溶液10gとを混合し、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
ポリエチレングリコール〔ライオン株式会社製PEG#600、重量平均分子量:600〕5質量%、イミダゾール0.08質量%、酢酸0.05質量%及び水94.87質量%を含有する添加液用貯蔵液100gと、前記で得たスラリ用貯蔵液50gと、水850gとを混合し、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリエチレングリコールを0.5質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル〔第一工業製薬株式会社製ノイゲンEA−207D、重量平均分子量:4500〕5質量%、イミダゾール0.08質量%、酢酸0.05質量%及び水94.87質量%を含有する添加液用貯蔵液100gと、前記で得たスラリ用貯蔵液50gと、水850gとを混合し、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルを0.5質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
ポリビニルアルコール〔株式会社クラレ製PVA−403、平均重合度:300、ケン化度:80モル%、重量平均分子量:14000〕5質量%、イミダゾール0.08質量%、酢酸0.05質量%及び水94.87質量%を含有する添加液用貯蔵液100gと、前記で得たスラリ用貯蔵液50gと、水850gとを混合し、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリビニルアルコールを0.5質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
陽イオン性ポリマとしてポリアリルアミン〔ニットーボーメディカル株式会社製PAA−01、重量平均分子量:1600〕を加えた以外は比較例4と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリビニルアルコールを0.5質量%、ポリアリルアミンを0.0001質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
陽イオン性ポリマとしてポリアリルアミン〔ニットーボーメディカル株式会社製PAA−08、重量平均分子量:8000〕を加えた以外は比較例4と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリビニルアルコールを0.5質量%、ポリアリルアミンを0.0008質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
芳香族ポリオキシアルキレン化合物の代わりにポリエチレングリコール〔ライオン株式会社製PEG#600、重量平均分子量:600〕を用いた以外は実施例2と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリエチレングリコールを0.5質量%、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体を0.0015質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
芳香族ポリオキシアルキレン化合物の代わりにポリエチレングリコール〔ライオン株式会社製PEG#600、重量平均分子量:600〕を用いた以外は実施例4と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリエチレングリコールを1.0質量%、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体を0.003質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
芳香族ポリオキシアルキレン化合物の代わりにポリエチレングリコール〔ライオン株式会社製PEG#600、重量平均分子量:600〕を用いた以外は実施例5と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリエチレングリコールを0.5質量%、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体を0.003質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
芳香族ポリオキシアルキレン化合物の代わりにポリエチレングリコール〔ライオン株式会社製PEG#600、重量平均分子量:600〕を用いた以外は実施例3と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリエチレングリコールを0.5質量%、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体を0.003質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
芳香族ポリオキシアルキレン化合物の代わりにポリエチレングリコール〔ライオン株式会社製PEG#600、重量平均分子量:600〕を用いた以外は実施例6と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリエチレングリコールを0.5質量%、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体を0.003質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
芳香族ポリオキシアルキレン化合物の代わりにポリエチレングリコール〔ライオン株式会社製PEG#4000、重量平均分子量:4000〕を用いた以外は実施例3と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリエチレングリコールを0.5質量%、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体を0.003質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
芳香族ポリオキシアルキレン化合物としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル〔第一工業製薬株式会社製ノイゲンEA−137、重量平均分子量:700〕を用いた以外は実施例3と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルを0.5質量%、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体を0.003質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
芳香族ポリオキシアルキレン化合物の代わりにポリオキシエチレンラウリルエーテル〔花王株式会社製エマルゲン130K〕を用いた以外は実施例3と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリオキシエチレンラウリルエーテルを0.5質量%、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体を0.003質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
芳香族ポリオキシアルキレン化合物の代わりにアセチレンジオールのEO(エチレンオキサイド)付加物〔日信化学工業株式会社製サーフィノール465〕を用いた以外は実施例3と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、アセチレンジオールのEO付加物を0.5質量%、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド・アクリルアミド共重合体を0.003質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
ポリグリセリン〔阪本薬品工業株式会社製ポリグリセリン#750、重量平均分子量:750〕5質量%、イミダゾール0.08質量%、酢酸0.05質量%及び水94.87質量%を含有する添加液用貯蔵液100gと、前記で得たスラリ用貯蔵液50gと、水830gと、陽イオン性ポリマとして0.1質量%ポリアリルアミン〔ニットーボーメディカル株式会社製PAA−01、重量平均分子量:1600〕を含有する水溶液20gとを混合することにより、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリグリセリンを0.5質量%、ポリアリルアミンを0.002質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
芳香族ポリオキシアルキレン化合物の代わりにポリオキシエチレンポリグリセリルエーテル〔阪本薬品工業株式会社製SC−E2000、重量平均分子量:2000〕を用いた以外は実施例7と同様にして、セリウムの水酸化物を含む砥粒を0.05質量%、ポリオキシエチレンポリグリセリルエーテルを0.5質量%、ポリアリルアミンを0.001質量%含有するCMP用研磨剤を調製した。
前記で得られたCMP用研磨剤のpH、及び、CMP用研磨剤中の砥粒の平均粒径を下記の条件で評価した。
測定温度:25±5℃
測定装置:電気化学計器株式会社製、型番PHL−40
測定方法:標準緩衝液(フタル酸塩pH緩衝液、pH:4.01(25℃);中性リン酸塩pH緩衝液、pH6.86(25℃))を用いて2点校正した後、電極をCMP用研磨剤に入れて、2分以上経過して安定した後のpHを前記測定装置により測定した。
ベックマンコールター社製、商品名:N5を用いてCMP用研磨剤中の砥粒の平均粒径を測定した。測定法は下記のとおりである。まず、CMP用研磨剤を1cm角のセルに約1mL入れた後、N5内にセルを設置した。測定サンプルの屈折率を1.333、測定サンプルの粘度を0.887mPa・sに調整した後、25℃において測定を行い、Unimodal Size Meanとして表示される値を読み取った。
前記CMP用研磨剤のそれぞれを用いて下記研磨条件で被研磨基板を研磨した。但し、比較例1については、パターンウエハの研磨を行わなかった。
・研磨装置:Reflexion(APPLIED MATERIALS社製)
・CMP用研磨剤流量:200mL/分
・被研磨基板:下記「パターンなしウエハ」及び「パターンウエハ」
・研磨パッド:独立気泡を有する発泡ポリウレタン樹脂(ローム・アンド・ハース・ジャパン株式会社製、型番IC1010)
・研磨圧力:16.5kPa(2.4psi)
・基板と研磨定盤との相対速度:85m/分
・研磨時間:ブランケットウエハは、1分間研磨を行った。パターンウエハは、ストッパ膜であるポリシリコン膜が露出するまで研磨を行った。また、ポリシリコン膜が露出するまでにかかった研磨時間と同じ時間更に削り込んでポリシリコン膜の膜厚差の広がり度合いの確認を行った。
・洗浄:CMP処理後、超音波水による洗浄を行った後、スピンドライヤで乾燥させた。
パターンが形成されていないブランケットウエハとして、厚さ1μmの酸化珪素膜をシリコン基板上にプラズマCVD法で形成した基板と、厚さ0.2μmのポリシリコン膜をシリコン基板上にCVD法で形成した基板とを用いた。
模擬パターンが形成されたパターンウエハとして、SEMATECH社製、764ウエハ(商品名、直径:300mm)を用いた。該パターンウエハは、ストッパ膜としてポリシリコン膜をシリコン基板上に積層後、露光工程においてトレンチを形成し、ポリシリコン膜及びトレンチを埋めるようにシリコン基板及びポリシリコン膜の上に絶縁膜として酸化珪素膜(SiO2膜)を積層することにより得られたウエハであった。酸化珪素膜は、HDP(High Density Plasma)法により成膜されたものであった。
[ブランケットウエハ研磨速度]
前記条件で研磨及び洗浄した被研磨基板について、各被研磨膜(酸化珪素膜、ポリシリコン膜)の研磨速度(酸化珪素膜の研磨速度:SiO2RR、ポリシリコン膜の研磨速度:p−SiRR)を次式より求めた。なお、研磨前後での各被研磨膜の膜厚差は、光干渉式膜厚装置(フィルメトリクス社製、商品名:F80)を用いて求めた。
(研磨速度:RR)=(研磨前後での各被研磨膜の膜厚差(nm))/(研磨時間(分))
前記条件で研磨及び洗浄した被研磨基板(ブランケットウエハ)を0.5質量%のフッ化水素の水溶液に15秒間浸漬した後に、60秒間水洗した。続いて、PVAブラシで被研磨膜表面を、水を供給しながら1分間洗浄した後に、乾燥させた。APPLIED MATERIALS製Complusを用いて、被研磨膜表面の0.2μm以上の欠陥を検出した。更に、Complusで得られた欠陥検出座標とAPPLIED MATERIALS製SEM Visionを用いて、被研磨膜表面を観測したところ、被研磨膜表面における0.2μm以上の研磨傷の個数は、実施例1〜10及び比較例1〜17のいずれにおいても0〜3(個/ウエハ)程度であり、研磨傷の発生が充分に抑制されていた。
凸部パターン密度が異なる各部分について、前記条件で研磨及び洗浄したパターンウエハの凸部におけるポリシリコン膜の残膜厚を測定した。ポリシリコン膜厚の凸部パターン密度に対する依存性を評価するため、凸部パターン密度が異なる各部分について測定して得られたポリシリコン膜厚における最大値と最小値の差を次式より求めた。なお、研磨前後での各被研磨膜の膜厚は、光干渉式膜厚装置(ナノメトリクス社製、商品名:Nanospec AFT−5100)を用いて求めた。
ポリシリコン膜厚の差(nm)=(ポリシリコン膜厚の最大値(nm))−(ポリシリコン膜厚の最小値(nm))
・R11:スチレン化フェニル基
・R12、R31:エチレン基
・m1、m3:100
・m2:1〜3
・R11:アルキルフェニル基
・R12、R42:エチレン基
・R41:ノニル基
・m1、m4:70
Claims (8)
- 液状媒体と、4価金属元素の水酸化物を含む砥粒と、芳香環及びポリオキシアルキレン鎖を有する高分子化合物と、陽イオン性ポリマ(但し、前記高分子化合物に該当する化合物を除く)と、を含有し、
前記高分子化合物が、下記一般式(I)で表される化合物、及び、下記一般式(II)で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種を含み、
前記高分子化合物の重量平均分子量が1000以上である、研磨剤。
R 11 -O-(R 12 -O) m1 -H …(I)
[式(I)中、R 11 は、置換基を有していてもよいアリール基を表し、R 12 は、置換基を有していてもよい炭素数1〜5のアルキレン基を表し、m1は、15以上の整数を表す。]
H-(O-R 23 ) n1 -O-R 21 -R 25 -R 22 -O-(R 24 -O) n2 -H …(II)
[式(II)中、R 21 及びR 22 は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基を表し、R 23 、R 24 及びR 25 は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1〜5のアルキレン基を表し、n1及びn2は、それぞれ独立に15以上の整数を表す。] - 前記4価金属元素が、希土類元素及びジルコニウムからなる群より選択される少なくとも一種を含む、請求項1に記載の研磨剤。
- 前記高分子化合物の含有量が、研磨剤の全質量を基準として0.01質量%以上である、請求項1又は2に記載の研磨剤。
- 前記高分子化合物が、前記一般式(I)で表される化合物を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 酸化珪素を含む被研磨面を研磨するために使用される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の研磨剤の構成成分が第1の液と第2の液とに分けて保存され、前記第1の液が前記砥粒及び液状媒体を含み、前記第2の液が前記高分子化合物、前記陽イオン性ポリマ及び液状媒体を含む、研磨剤セット。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の研磨剤を用いて基体の被研磨面を研磨する工程を備える、基体の研磨方法。
- 請求項6に記載の研磨剤セットにおける前記第1の液と前記第2の液とを混合して得られる研磨剤を用いて基体の被研磨面を研磨する工程を備える、基体の研磨方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012190033 | 2012-08-30 | ||
JP2012190033 | 2012-08-30 | ||
PCT/JP2013/070619 WO2014034358A1 (ja) | 2012-08-30 | 2013-07-30 | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014034358A1 JPWO2014034358A1 (ja) | 2016-08-08 |
JP6107826B2 true JP6107826B2 (ja) | 2017-04-05 |
Family
ID=50183178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014532891A Active JP6107826B2 (ja) | 2012-08-30 | 2013-07-30 | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9163162B2 (ja) |
JP (1) | JP6107826B2 (ja) |
KR (1) | KR102137293B1 (ja) |
CN (1) | CN104582899B (ja) |
SG (1) | SG11201501334RA (ja) |
TW (1) | TWI565793B (ja) |
WO (1) | WO2014034358A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102226501B1 (ko) * | 2013-02-21 | 2021-03-11 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물 및 연마물 제조 방법 |
WO2014199739A1 (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-18 | 日立化成株式会社 | Cmp用研磨液及び研磨方法 |
US20150050816A1 (en) * | 2013-08-19 | 2015-02-19 | Korea Atomic Energy Research Institute | Method of electrochemically preparing silicon film |
KR102517248B1 (ko) * | 2013-09-10 | 2023-04-03 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 슬러리, 연마액 세트, 연마액, 기체의 연마 방법 및 기체 |
JP6256482B2 (ja) | 2013-12-26 | 2018-01-10 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 |
JP6569191B2 (ja) * | 2014-06-10 | 2019-09-04 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 |
JPWO2016006553A1 (ja) * | 2014-07-09 | 2017-05-25 | 日立化成株式会社 | Cmp用研磨液及び研磨方法 |
KR102434586B1 (ko) * | 2015-08-06 | 2022-08-23 | 주식회사 케이씨텍 | 다기능성 연마 슬러리 조성물 |
SG11201801790UA (en) * | 2015-09-09 | 2018-04-27 | Hitachi Chemical Co Ltd | Polishing liquid, polishing liquid set, and substrate polishing method |
KR102509260B1 (ko) * | 2015-11-20 | 2023-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 실리콘 연마 슬러리, 다결정 실리콘의 연마방법 및 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 |
KR101827366B1 (ko) * | 2016-05-16 | 2018-02-09 | 주식회사 케이씨텍 | 고단차 연마용 슬러리 조성물 |
WO2018124226A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用組成物及び研磨方法 |
CN110462791B (zh) * | 2017-03-27 | 2023-06-16 | 株式会社力森诺科 | 悬浮液和研磨方法 |
WO2018179061A1 (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-04 | 日立化成株式会社 | 研磨液、研磨液セット及び研磨方法 |
KR102571098B1 (ko) * | 2017-08-09 | 2023-08-24 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 연마액 및 연마 방법 |
US10711158B2 (en) * | 2017-09-28 | 2020-07-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Aqueous silica slurry and amine carboxylic acid compositions for use in shallow trench isolation and methods of using them |
JP7167042B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2022-11-08 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 研磨液、研磨液セット及び研磨方法 |
JP7421855B2 (ja) * | 2018-03-02 | 2024-01-25 | Agc株式会社 | 研磨剤と研磨方法、および研磨用添加液 |
JP6973620B2 (ja) * | 2018-03-22 | 2021-12-01 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 研磨液、研磨液セット及び研磨方法 |
WO2020021680A1 (ja) | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 日立化成株式会社 | スラリ及び研磨方法 |
JP7176225B2 (ja) * | 2018-04-27 | 2022-11-22 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 研磨液、研磨液セット及び研磨方法 |
WO2020100985A1 (ja) * | 2018-11-15 | 2020-05-22 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
CN113004797B (zh) * | 2019-12-19 | 2024-04-12 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
CN115039203A (zh) * | 2021-01-06 | 2022-09-09 | 昭和电工材料株式会社 | 研磨液、研磨液组及研磨方法 |
TWI771983B (zh) * | 2021-04-14 | 2022-07-21 | 國立中山大學 | 氮化鎵高電子移動率電晶體的缺陷檢測方法 |
CN113563802A (zh) * | 2021-08-12 | 2021-10-29 | 南昌大学 | 一种纳米铈基抛光浆液的制备方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3278532B2 (ja) | 1994-07-08 | 2002-04-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JPH10106994A (ja) | 1997-01-28 | 1998-04-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 |
US6786945B2 (en) | 2001-02-20 | 2004-09-07 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Polishing compound and method for polishing substrate |
US7044836B2 (en) * | 2003-04-21 | 2006-05-16 | Cabot Microelectronics Corporation | Coated metal oxide particles for CMP |
JP2006249129A (ja) | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤の製造方法及び研磨剤 |
TW201000613A (en) * | 2008-04-23 | 2010-01-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Polishing agent and method for polishing substrate using the same |
JP5441362B2 (ja) * | 2008-05-30 | 2014-03-12 | 富士フイルム株式会社 | 研磨液及び研磨方法 |
US8247327B2 (en) * | 2008-07-30 | 2012-08-21 | Cabot Microelectronics Corporation | Methods and compositions for polishing silicon-containing substrates |
JP2010095650A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤組成物及びこの研磨剤組成物を用いた基板の研磨方法 |
KR101268615B1 (ko) | 2008-12-11 | 2013-06-04 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | Cmp용 연마액 및 이것을 이용한 연마 방법 |
JP4930641B2 (ja) * | 2009-02-16 | 2012-05-16 | 日立化成工業株式会社 | 銅研磨用研磨剤及びそれを用いた研磨方法 |
KR20140027561A (ko) | 2009-06-09 | 2014-03-06 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 연마제, 연마제 세트 및 기판의 연마 방법 |
US8728341B2 (en) * | 2009-10-22 | 2014-05-20 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polishing agent, concentrated one-pack type polishing agent, two-pack type polishing agent and method for polishing substrate |
JP5516604B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-06-11 | 日立化成株式会社 | Cmp用研磨液及びこれを用いた研磨方法 |
KR20130129396A (ko) | 2010-11-22 | 2013-11-28 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 슬러리, 연마액 세트, 연마액, 기판의 연마 방법 및 기판 |
WO2012070542A1 (ja) | 2010-11-22 | 2012-05-31 | 日立化成工業株式会社 | スラリー、研磨液セット、研磨液、基板の研磨方法及び基板 |
KR20130133186A (ko) | 2010-11-22 | 2013-12-06 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 지립의 제조 방법, 슬러리의 제조 방법 및 연마액의 제조 방법 |
JP2013038211A (ja) | 2011-08-08 | 2013-02-21 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp用研磨液及びこれを用いた研磨方法 |
JP2015088495A (ja) * | 2012-02-21 | 2015-05-07 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 |
US10557058B2 (en) | 2012-02-21 | 2020-02-11 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polishing agent, polishing agent set, and substrate polishing method |
WO2013124441A1 (en) | 2012-02-23 | 2013-08-29 | Pancosma S.A. | Use of dialkyl-thiosulfinate and/or thiosulfonate to improve the resistance of an animal infected by a pathogen |
-
2013
- 2013-07-30 CN CN201380045013.4A patent/CN104582899B/zh active Active
- 2013-07-30 US US14/424,970 patent/US9163162B2/en active Active
- 2013-07-30 KR KR1020157007136A patent/KR102137293B1/ko active IP Right Grant
- 2013-07-30 SG SG11201501334RA patent/SG11201501334RA/en unknown
- 2013-07-30 JP JP2014532891A patent/JP6107826B2/ja active Active
- 2013-07-30 WO PCT/JP2013/070619 patent/WO2014034358A1/ja active Application Filing
- 2013-08-07 TW TW102128194A patent/TWI565793B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150048790A (ko) | 2015-05-07 |
KR102137293B1 (ko) | 2020-07-23 |
US9163162B2 (en) | 2015-10-20 |
WO2014034358A1 (ja) | 2014-03-06 |
TW201410855A (zh) | 2014-03-16 |
SG11201501334RA (en) | 2015-05-28 |
CN104582899A (zh) | 2015-04-29 |
JPWO2014034358A1 (ja) | 2016-08-08 |
US20150232704A1 (en) | 2015-08-20 |
TWI565793B (zh) | 2017-01-11 |
CN104582899B (zh) | 2018-11-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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