JP7465093B2 - 硬化体及びその製造方法、樹脂シート及び樹脂組成物 - Google Patents

Description

本発明は、樹脂組成物を硬化した硬化材料で形成され且つ研磨面を有する硬化体及びその製造方法、樹脂組成物を含む樹脂組成物層を備えた樹脂シート、並びに、樹脂組成物に関する。

配線板の製造方法としては、回路形成された導体層としての配線層と絶縁層とを交互に積み上げていくビルドアップ方式が広く用いられている。また、絶縁層は、樹脂組成物を硬化した硬化材料で形成されることが知られている。
近年、電子機器の軽薄短小化が進められている。それに伴い、折り曲げて電子機器に収納可能であるフレキシブル配線板が求められている。また、配線板の更なる薄型化を可能とするために、埋め込み型の配線層を備える配線板が求められている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１７－８２２０１号公報

埋め込み型の配線層を備える配線板に使用する絶縁層の材料としては、配線層と絶縁層との間の平均線熱膨張係数（Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ：ＣＴＥ、熱膨張率ともいう）の不整合を低減するため、無機充填材を高充填させた硬い材料が使用されてきた。

また、埋め込み型の配線層を備える配線板に使用する絶縁層の材料としては、平均線熱膨張係数を低くするために、柔軟な樹脂に無機充填材を高充填させた材料の使用も検討されてきた。

このような背景において、本発明者らは、絶縁層に埋め込まれた埋め込み型の配線層を露出させるために、絶縁層を研磨することを行った。そして、研磨によって形成された研磨面に、前記の配線層に接続される再配線層を形成することを試みた。ところが、従来の絶縁層を用いた場合には、微細な再配線層を形成することが困難であったので、歩留まりが低くなっていた。

また、本発明者らは、絶縁層に部品が埋め込まれた場合についても、同様の検討を行った。具体的には、絶縁層に埋め込まれた部品の端子を露出させるために、絶縁層を研磨して研磨面を形成し、その研磨面に再配線層を形成することを試みた。ところが、従来の絶縁層を用いた場合には、やはり微細な再配線層を形成することが困難であり、歩留まりが低かった。

そこで、本発明者が更に検討を進めたところ、従来の絶縁層の研磨面の塗布均一性に劣ることが、再配線層の形成を困難にする原因であることが判明した。
通常、研磨面に再配線層を形成する場合には、研磨面にフォトレジストとして感光性樹脂を塗布して薄膜層を形成する。そして、その薄膜層の一部（具体的には、配線層又は端子に対応する部分）を除去した後で、再配線層を形成する。再配線層は、薄膜層が除かれた部分では研磨面上に直接に形成されるが、薄膜層が残った部分ではその薄膜層を介して研磨面上に形成される。
研磨面の塗布均一性が劣っていると、薄膜層が不均一となり、抜けが生じることがある。ここで「抜け」とは、薄膜層が形成されていなかったり、薄膜層の表面が局所的に凹んでいたりすることで、薄膜層の表面の高さが周囲よりも低くなっている箇所のことをいう。このような抜けは、通常、微小なものである。しかし、微細な再配線層を形成しようとする場合、その抜けの箇所においては、意図したとおりの再配線層を形成することが難しい。

本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填材を含む樹脂組成物を硬化した硬化材料で形成され、樹脂の塗布均一性に優れた研磨面を有する、硬化体；前記硬化体の製造方法；前記硬化体を製造することができる樹脂シート及び樹脂組成物；を提供することを目的とする。

本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討した結果、研磨面には不可避的に形成される微小な凹みがあり、この凹みが研磨面の塗布均一性を低下させる原因となっていることを見い出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下のものを含む。

〔１〕 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填材を含む樹脂組成物を硬化した硬化材料で形成され、研磨面を有する硬化体であって、
前記研磨面に存在する凹みの最大深さが、１０μｍ未満である、硬化体。
〔２〕 （Ｂ）成分が、フェノール系硬化剤又は酸無水物系硬化剤である、〔１〕に記載の硬化体。
〔３〕 （Ｃ）成分の平均粒径が、０．５μｍ～２０μｍである、〔１〕又は〔２〕に記載の硬化体。
〔４〕 （Ｃ）成分が、アミノシラン化合物又はエポキシシラン化合物で処理されている、〔１〕～〔３〕のいずれか一項に記載の硬化体。
〔５〕 前記研磨面が、前記（Ｃ）成分が研磨されて形成された充填材面部分を含み、
前記充填材面部分に、深さ１０μｍ未満の凹みが形成されている、〔１〕～〔４〕のいずれか一項に記載の硬化体。
〔６〕 （Ｃ）成分が、内部に中空部を形成された中空充填材粒子を含み、
（Ｃ）成分に含まれる前記中空充填材粒子の中空部の長径が最大でも５μｍ未満である、〔１〕～〔５〕のいずれか一項に記載の硬化体。
〔７〕 前記硬化体が、前記研磨面に再配線層を形成されるためのものである、〔１〕～〔６〕のいずれか一項に記載の硬化体。
〔８〕 前記硬化体が、前記研磨面と面一な表面部分を有する接続端子部と組み合わせて構造体に含まれ、前記研磨面に再配線層を形成されるためのものである、〔１〕～〔７〕のいずれか一項に記載の硬化体。
〔９〕 前記硬化体が、前記研磨面に薄膜層を形成された後に再配線層を形成されるためのものである、〔１〕～〔８〕のいずれか一項に記載の硬化体。
〔１０〕 前記樹脂組成物によって樹脂組成物層を形成する工程と、
前記樹脂組成物を硬化させて、硬化体を得る工程と、
前記硬化体を研磨する工程と、を含む、〔１〕～〔９〕のいずれか一項に記載の硬化体の製造方法。
〔１１〕 支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を備え、
前記樹脂組成物が、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填材を含み、
前記樹脂組成物を１８０℃１時間で硬化し、研磨して、算術平均粗さ５００ｎｍ以下の研磨面を形成した場合、前記研磨面に存在する凹みの最大深さが、１０μｍ未満である、樹脂シート。
〔１２〕 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填材を含む、液状の樹脂組成物であって、
前記樹脂組成物を１８０℃１時間で硬化し、研磨して、算術平均粗さ５００ｎｍ以下の研磨面を形成した場合、前記研磨面に存在する凹みの最大深さが、１０μｍ未満である、樹脂組成物。
〔１３〕 再配線層を形成される研磨面を有する硬化体を得るための樹脂組成物であって、
前記樹脂組成物が、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填材を含み、
（Ｃ）成分の平均粒径が、０．５μｍ～２０μｍであり、
（Ｃ）成分が、アミノシラン化合物又はエポキシシラン化合物で処理されており、
（Ｃ）成分が、内部に中空部を形成された中空充填材粒子を含み、
（Ｃ）成分に含まれる前記中空充填材粒子の中空部の長径が最大でも５μｍ未満である、樹脂組成物。

本発明によれば、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填材を含む樹脂組成物を硬化した硬化材料で形成され、樹脂の塗布均一性に優れた研磨面を有する、硬化体；前記硬化体の製造方法；前記硬化体を製造することができる樹脂シート及び樹脂組成物；を提供できる。

図１は、本発明の一実施形態としての硬化体を模式的に示す断面図である。 図２は、（Ｃ）無機充填材に含まれる一例としての中空充填材粒子の断面を模式的に示す断面図である。 図３は、一例としての樹脂組成物を用いて得られた硬化体が有する研磨面の凹みの近傍部分を拡大して模式的に示す断面図である。 図４は、一例としての樹脂組成物を用いて得られた硬化体が有する研磨面の凹みの近傍部分を拡大して模式的に示す断面図である。 図５は、構造体の第一実施形態としての配線板を模式的に示す断面図である。 図６は、構造体の第一実施形態としての配線板の製造過程を模式的に示す断面図である。 図７は、構造体の第一実施形態としての配線板の製造過程を模式的に示す断面図である。 図８は、構造体の第一実施形態としての配線板の製造過程を模式的に示す断面図である。 図９は、構造体の第二実施形態としての部品内蔵回路基板を模式的に示す断面図である。 図１０は、構造体の第二実施形態としての部品内蔵回路基板の製造過程を模式的に示す断面図である。 図１１は、構造体の第二実施形態としての部品内蔵回路基板の製造過程を模式的に示す断面図である。 図１２は、構造体の第二実施形態としての部品内蔵回路基板の製造過程を模式的に示す断面図である。 図１３は、構造体の第二実施形態としての部品内蔵回路基板の製造過程を模式的に示す断面図である。 図１４は、構造体の第一実施形態の変形例としての配線板を模式的に示す断面図である。 図１５は、構造体の第二実施形態の変形例としての部品内蔵回路基板を模式的に示す断面図である。 図１６は、再配線層を形成する方法の一実施形態を説明するため、構造体を模式的に示す断面図である。 図１７は、再配線層を形成する方法の一実施形態を説明するため、構造体を模式的に示す断面図である。 図１８は、再配線層を形成する方法の一実施形態を説明するため、構造体を模式的に示す断面図である。

以下、実施形態及び例示物を示して、本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に挙げる実施形態及び例示物に限定されるものでは無く、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。

［１．硬化体の概要］
図１は、本発明の一実施形態としての硬化体１００を模式的に示す断面図である。
図１に示す本発明の一実施形態としての硬化体１００は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填材を含む樹脂組成物を硬化した硬化材料で形成されている。通常、硬化体１００は、図１に示すように層状に形成されるが、硬化体１００の形状は、層状には限定されない。

硬化体１００は、当該硬化体１００が研磨されることによって形成された研磨面１００Ｕを有する。硬化体１００が層状である場合、研磨面１００Ｕは、通常、硬化体１００の層平面に平行に設けられるので、硬化体１００の厚み方向に対して垂直な面となっている。

研磨面１００Ｕは、巨視的に見ると、平坦な平面である。しかし、研磨面１００Ｕは、微視的に見ると、凹み１１０を含むことがある。本実施形態に係る硬化体１００では、研磨面１００Ｕに存在するこの凹み１１０の最大深さＤが、所定の範囲にある。凹み１１０の最大深さＤとは、研磨面１００Ｕにある全ての凹み１１０のうち、最も深い凹み１１０の深さをいう。具体的には、凹み１１０の最大深さＤは、通常１０μｍ未満、好ましくは５μｍ未満である。研磨面１００Ｕの凹み１１０の最大深さＤが前記のような所定の範囲にあることによって、研磨面１００Ｕに樹脂を塗布する際の塗布均一性を良好にできる。よって、研磨面１００Ｕには、抜けの発生を抑えて均一な薄膜層を形成することが可能であるので、微細な再配線層（図１では図示せず）を形成することが可能である。

研磨面１００Ｕの凹み１１０の最大深さＤは、理想的には０μｍであるが、（Ｃ）無機充填材が含まれるため、通常は、０μｍより大きくなる。凹み１１０の最大深さＤは、例えば、０．６μｍ以上、１．０μｍ以上、１．５μｍ以上、２．０μｍ以上、でありうる。

研磨面１００Ｕの凹み１１０の最大深さＤは、下記の方法によって測定できる。
硬化体１００の研磨面１００Ｕに垂直な断面が現れるように、ＦＩＢ（集束イオンビーム）によって、硬化体１００を削る。現れた断面を透過型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて撮影して、断面ＳＥＭ画像（観察幅６０μｍ、観察倍率２，０００倍）を取得する。この断面観察を、無作為に選んだ５０箇所で行なう。ただし、測定箇所は、凹み１１０を撮影できる５０箇所を選択する。その後、得られた断面ＳＥＭ画像から、凹み１１０の深さの最大値を求める。この最大値を、凹み１１０の最大深さＤとして得る。

研磨面１００Ｕの凹み１１０の最大深さＤを上述した範囲に収める方法としては、例えば、
（Ｃ）無機充填材の粒子の研磨面１００Ｕからの脱離を抑制できるように、樹脂組成物の組成を調整すること、
（Ｃ）無機充填材の粒子が研磨面１００Ｕから脱離しても、その脱離跡が浅くなるように粒子径を調整すること、及び、
（Ｃ）無機充填材に含まれる中空充填材粒子の内部に形成された中空部を小さくすること、
が挙げられる。

［２．樹脂組成物］
樹脂組成物は、上述した通り、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填材を含む。また、樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填材以外に、任意の成分を含んでいてもよい。

〔２．１．（Ａ）エポキシ樹脂〕
樹脂組成物は、（Ａ）成分として、エポキシ樹脂を含む。（Ａ）エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

（Ａ）エポキシ樹脂としては、硬化体の平均線熱膨張率を低下させる観点から、芳香族系のエポキシ樹脂が好ましい。ここで、芳香族系のエポキシ樹脂とは、その分子が芳香族骨格を含有するエポキシ樹脂をいう。また、芳香族骨格とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、ベンゼン環等の単環構造だけでなく、ナフタレン環等の多環芳香族構造及び芳香族複素環構造をも含む。中でも、（Ａ）エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂及びグリシジルアミン型エポキシ樹脂からなる群より選ばれる１種類以上のエポキシ樹脂であることが好ましい。これらを用いることにより、研磨面の凹みの深さを小さくしたり、樹脂組成物を硬化した硬化材料の誘電正接を低くしたり、硬化材料の引張弾性率を小さくしたりする効果を、顕著に得ることができる。

また、（Ａ）エポキシ樹脂としては、硬化体の耐熱性を向上させる観点から、分子中に窒素原子を含有するエポキシ樹脂が好ましい。中でも、（Ａ）エポキシ樹脂は、グリシジルアミン型エポキシ樹脂が好ましい。これを用いることにより、研磨面の凹みの深さを小さくしたり、樹脂組成物を硬化した硬化材料の誘電正接を低くしたり、硬化材料の引張弾性率を小さくしたりする効果を、顕著に得ることができる。

さらに、（Ａ）エポキシ樹脂としては、可撓性を有するエポキシ樹脂が好ましい。可撓性を有するエポキシ樹脂を用いることにより、硬化体の弾性率を効果的に下げることができる。

樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂として、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。架橋密度を高めて表面粗さの小さい研磨面を得る観点から、（Ａ）エポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。

エポキシ樹脂には、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。）と、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（「固体状エポキシ樹脂」ということがある。）とがある。樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、固体状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよいが、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて含むことが好ましい。（Ａ）エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いることで、樹脂組成物層の可撓性を向上させたり、樹脂組成物を硬化した硬化材料の破断強度を向上させたりできる。

液状エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する芳香族系の液状エポキシ樹脂がより好ましい。

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。

液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」、「８２５」、「エピコート８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ８０７」、「１７５０」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ－７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「ＰＢ－３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４－グリシジルシクロヘキサン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７９８４」（可撓性を有する、特殊２官能液状エポキシ樹脂）；などが挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

固体状エポキシ樹脂としては、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する芳香族系の固体状エポキシ樹脂がより好ましい。

固体状エポキシ樹脂としては、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。

固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－４７００」、「ＨＰ－４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ－６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ－６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－７２００ＨＨ」、「ＨＰ－７２００Ｈ」、「ＥＸＡ－７３１１」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ３」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフトール型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ－１００」、「ＣＧ－５００」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）；が挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との質量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、好ましくは１：０～１：１５、より好ましくは１：０．１５～１：１０、特に好ましくは１：０．２～１：８である。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との質量比が前記の範囲にあることにより、樹脂シートの形態で使用する場合に、好ましい粘着性を得ることができる。また、樹脂シートの形態で使用する場合に、十分な可撓性が得られ、取り扱い性を向上させることができる。さらに、樹脂組成物を硬化した硬化材料の破断強度を効果的に高めることができる。

（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０～５０００、より好ましくは５０～３０００、さらに好ましくは８０～２０００、特に好ましくは１１０～１０００である。（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ当量が前記の範囲にあることにより、樹脂組成物を硬化した硬化材料の架橋密度が十分となり、表面粗さの小さい硬化体を得ることができる。なお、エポキシ当量は、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量であり、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができる。

（Ａ）エポキシ樹脂の重量平均分子量は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１００～５０００であり、より好ましくは２５０～３０００であり、さらに好ましくは４００～１５００である。エポキシ樹脂等の樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。

樹脂組成物における（Ａ）エポキシ樹脂の量は、良好な機械強度及び絶縁信頼性を示す硬化体を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、特に好ましくは５質量％以上であり、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４０質量％以下、特に好ましくは３０質量％以下である。

〔２．２．（Ｂ）硬化剤〕
樹脂組成物は、（Ｂ）成分として、硬化剤を含む。（Ｂ）硬化剤は、通常、（Ａ）エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させる機能を有する。（Ｂ）硬化剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

（Ｂ）硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させることができる化合物を用いることができ、例えば、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、活性エステル系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤などが挙げられる。中でも、フェノール系硬化剤及び酸無水物系硬化剤が好ましい。これらを用いることにより、研磨面の凹みの深さを小さくしたり、樹脂組成物を硬化した硬化材料の誘電正接を低くしたり、硬化材料の引張弾性率を小さくしたりする効果を、顕著に得ることができる。

フェノール系硬化剤としては、芳香環（ベンゼン環、ナフタレン環等）に結合した水酸基を１分子中に１個以上、好ましくは２個以上有する硬化剤が挙げられる。中でも、ベンゼン環に結合した水酸基を有する化合物が好ましい。また、耐熱性及び耐水性の観点からは、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤が好ましい。さらに、密着性の観点からは、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。特に、耐熱性、耐水性、及び密着性を高度に満足させる観点からは、トリアジン骨格含有フェノールノボラック硬化剤が好ましい。

フェノール系硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「ＭＥＨ－７７００」、「ＭＥＨ－７８１０」、「ＭＥＨ－７８５１」、「ＭＥＨ－８０００Ｈ」；日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」；新日鉄住金化学社製の「ＳＮ－１７０」、「ＳＮ－１８０」、「ＳＮ－１９０」、「ＳＮ－４７５」、「ＳＮ－４８５」、「ＳＮ－４９５」、「ＳＮ－４９５Ｖ」、「ＳＮ－３７５」、「ＳＮ－３９５」；ＤＩＣ社製の「ＴＤ－２０９０」、「ＴＤ－２０９０－６０Ｍ」、「ＬＡ－７０５２」、「ＬＡ－７０５４」、「ＬＡ－１３５６」、「ＬＡ－３０１８」、「ＬＡ－３０１８－５０Ｐ」、「ＥＸＢ－９５００」、「ＨＰＣ－９５００」、「ＫＡ－１１６０」、「ＫＡ－１１６３」、「ＫＡ－１１６５」；群栄化学社製の「ＧＤＰ－６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ－６１１５Ｈ」、「ＥＬＰＣ７５」等が挙げられる。

酸無水物系硬化剤としては、１分子内中に１個以上の酸無水物基を有する硬化剤が挙げられる。酸無水物系硬化剤の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５－（２，５－ジオキソテトラヒドロ－３－フラニル）－３－メチル－３－シクロヘキセン－１，２－ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’－４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ－ヘキサヒドロ－５－（テトラヒドロ－２，５－ジオキソ－３－フラニル）－ナフト［１，２－Ｃ］フラン－１，３－ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。

活性エステル系硬化剤としては、１分子中に１個以上の活性エステル基を有する硬化剤が挙げられる。中でも、活性エステル系硬化剤としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ－ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましい。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。

カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。

フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、カテコール、α－ナフトール、β－ナフトール、１，５－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、２，６－ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。

活性エステル系硬化剤の好ましい具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が挙げられる。中でも、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン－ジシクロペンチレン－フェニレンからなる２価の構造を表す。

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ－８０００」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ」、「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ－６５ＴＭ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ－６５ＴＭ」、「ＥＸＢ－８１５０－６５Ｔ」（ＤＩＣ社製）；ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６－７０ＢＫ」（ＤＩＣ社製）；フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）；等が挙げられる。

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３－メチレン－１，５－フェニレンシアネート）、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルフェニルシアネート）、４，４’－エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２－ビス（４－シアネート）フェニルプロパン、１，１－ビス（４－シアネートフェニルメタン）、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４－シアネートフェニル）エーテル、等の２官能シアネート樹脂；フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂；これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマー；などが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）；「ＵＬＬ－９５０Ｓ」（多官能シアネートエステル樹脂）；「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）；等が挙げられる。

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ－ｄ」、「Ｆ－ａ」が挙げられる。

カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製の「Ｖ－０３」、「Ｖ－０７」等が挙げられる。

樹脂組成物における（Ｂ）硬化剤の量は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上であり、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。（Ｂ）硬化剤の量が前記の範囲にあることにより、研磨面の凹みの深さを小さくしたり、樹脂組成物を硬化した硬化材料の誘電正接を低くしたり、硬化材料の引張弾性率を小さくしたりする効果を、顕著に得ることができる。

（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ基数を１とした場合、（Ｂ）硬化剤の活性基数は、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．２以上、更に好ましくは０．３以上であり、好ましくは１．５以下、より好ましくは１．２以下、更に好ましくは１．１以下、特に好ましくは１．０以下である。ここで、「（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ基数」とは、樹脂組成物中に存在する（Ａ）エポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値を全て合計した値である。また、「（Ｂ）硬化剤の活性基数」とは、樹脂組成物中に存在する（Ｂ）硬化剤の不揮発成分の質量を活性基当量で除した値を全て合計した値である。（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ基数を１とした場合の（Ｂ）硬化剤の活性基数が前記範囲にあることにより、研磨面の凹みの深さを小さくしたり、樹脂組成物を硬化した硬化材料の誘電正接を低くしたり、硬化材料の引張弾性率を小さくしたりする効果を、顕著に得ることができる。

〔２．３．（Ｃ）無機充填材〕
樹脂組成物は、（Ｃ）成分として、無機充填材を含む。（Ｃ）無機充填材を用いることにより、樹脂組成物を硬化した硬化材料の線熱膨張係数を小さくでき、また、反りを抑制することができる。（Ｃ）無機充填材は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

（Ｃ）無機充填材の材料としては、通常、無機化合物を用いる。（Ｃ）無機充填材の材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でも、シリカ及びアルミナが好ましく、シリカが特に好ましい。シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられる。また、シリカとしては、球形シリカが好ましい。これらを用いることにより、研磨面の凹みの深さを小さくしたり、樹脂組成物を硬化した硬化材料の誘電正接を低くしたり、硬化材料の引張弾性率を小さくしたりする効果を、顕著に得ることができる。

図２は、（Ｃ）無機充填材に含まれる一例としての中空充填材粒子２００の断面を模式的に示す断面図である。
（Ｃ）無機充填材は、通常、図２に示すように、内部に中空部２１０を形成された中空充填材粒子２００を含む。樹脂組成物を硬化して研磨する時に中空充填材粒子２００が研磨されると、内部の中空部２１０が研磨面に開口し、凹みを形成することがある。よって、中空充填材粒子２００は、（Ｃ）無機充填材から排除することが好ましい。しかし、中空充填材粒子２００は、一般に、（Ｃ）無機充填材の製造時に不可避的に生じるものであり、（Ｃ）無機充填材から完全に排除することは、難しい。

これに対し、（Ｃ）無機充填材に含まれる中空充填材粒子２００の中空部２１０を小さくすることは、可能である。中空部２１０が小さければ、中空充填材粒子２００が研磨された場合に形成される凹みの深さを小さくできる。よって、（Ｃ）無機充填材としては、当該（Ｃ）無機充填材に含まれる中空充填材粒子２００の中空部２１０が小さいものを採用することが好ましい。具体的には、（Ｃ）無機充填材に含まれる中空充填材粒子２００の中空部２１０の長径Ｌが最大でも５μｍ未満となる（Ｃ）無機充填材を採用することが好ましい。すなわち、（Ｃ）無機充填材に含まれる中空充填材粒子２００の中空部２１０の長径Ｌの最大値が、５μｍ未満であることが好ましい。前記中空充填材粒子２００の中空部２１０の長径Ｌの最大値の下限は、理想的には０μｍであるが、通常は０μｍより大きく、例えば０．６μｍ以上、１．０μｍ以上、１．５μｍ以上、２．０μｍ以上、などでありうる。

中空充填材粒子２００の中空部２１０の長径Ｌは、下記の方法によって測定できる。
中空充填材粒子２００を含む樹脂組成物の硬化体を用意し、ＦＩＢ（集束イオンビーム）によって、中空充填材粒子２００が切断されるように削る。現れた断面をＳＥＭで観察して、中空部２１０の長径Ｌを測定できる。

（Ｃ）無機充填材に含まれる中空充填材粒子２００の中空部２１０を小さくする方法としては、例えば、（Ｃ）無機充填材の製造原料を調整する方法が挙げられる。また、別の方法としては、例えば、（Ｃ）無機充填材に浮力による分級処理を施すことで、中空部２１０が大きい中空充填材粒子２００を（Ｃ）無機充填材から排除する方法が挙げられる。

中空充填材粒子２００を含めた（Ｃ）無機充填材の平均粒径は、所定の範囲に収まることが好ましい。具体的には、（Ｃ）無機充填材の平均粒径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１．０μｍ以上、更に好ましくは２．０μｍ以上、特に好ましくは２．５μｍ以上であり、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、更に好ましくは８．０μｍ以下、特に好ましくは５．０μｍ以下である。一般に、（Ｃ）無機充填材の粒子が小さいと、その粒子は凝集して大きな二次粒子を形成し易い傾向がある。しかし、（Ｃ）無機充填材の平均粒径が前記範囲の下限値以上であると、凝集による二次粒子の発生を抑制できるので、その二次粒子の研磨面からの脱離による大きな脱離跡の発生を抑制できると考えられる。また、（Ｃ）無機充填材の平均粒径が前記範囲の上限以下であることにより、研磨面からの（Ｃ）無機充填材の粒子の脱離による大きな脱離跡の発生を抑制できる。したがって、（Ｃ）無機充填材の平均粒径が前記範囲にあることにより、研磨面に形成される凹みの深さを小さくできる。

（Ｃ）無機充填材等の粒子の平均粒径は、ミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により、測定できる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、粒子の粒径分布を体積基準で作成し、その粒径分布からメディアン径として平均粒径を測定できる。測定サンプルは、粒子を超音波により水等の溶剤中に分散させたものを好ましく使用できる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ－５００」等を使用することができる。

（Ｃ）無機充填材の最大粒子径は、好ましくは１５μｍ未満、より好ましくは１０μｍ未満である。（Ｃ）無機充填材の最大粒子径が前記範囲にあることにより、研磨面からの（Ｃ）無機充填材の粒子の脱離による大きな脱離跡の発生を抑制できるので、研磨面に形成される凹みの深さを小さくできる。（Ｃ）無機充填材の最大粒子径の下限は、例えば、１μｍとしうる。このような最大粒子径を有する（Ｃ）無機充填材は、分級によって大きな粒子を取り除くことにより、得ることができる。

（Ｃ）無機充填材の比表面積は、好ましくは０．１ｍ^２／ｇ以上、より好ましくは０．５ｍ^２／ｇ以上、特に好ましくは１．０ｍ^２／ｇ以上であり、好ましくは６０ｍ^２／ｇ以下、より好ましくは５０ｍ^２／ｇ以下、特に好ましくは４０ｍ^２／ｇ以下である。（Ｃ）無機充填材の平均粒径が前記範囲にある場合、研磨面に形成される凹みの深さを小さくし易い。（Ｃ）無機充填材の比表面積は、ＢＥＴ法によって測定できる。

（Ｃ）無機充填材は、適切な表面処理剤で表面処理されていることが好ましい。表面処理されることにより、（Ｃ）無機充填材の粒子の凝集を抑制したり、（Ｃ）無機充填材の粒子の研磨面からの脱離を抑制したりできるので、研磨面に形成される凹みの深さを小さくできる。また、表面処理により、通常は、（Ｃ）無機充填材の耐湿性及び分散性を高めることができる。

表面処理剤としては、シラン化合物が好ましく、特に、アミノシラン化合物及びエポキシシラン化合物が好ましい。

アミノシラン化合物としては、アミノ基を有するシラン化合物を用いることができる。特に、アミノシラン系カップリング剤が好ましい。アミノシラン化合物の例としては、信越化学工業社製の「ＫＢＭ－９０３」（３－アミノプロピルトリメトキシシラン）、「ＫＢＥ－９０３」（３－アミノプロピルトリエトキシシラン）、「ＫＢＭ－５７３」（Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）、「ＫＢＭ－６０２」（Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン）、「ＫＢＭ－６０３」（Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）、「ＫＢＭ－６８０３」（Ｎ－２－（アミノエチル）－８－アミノオクチルトリメトキシシラン）などが挙げられる。

エポキシシラン化合物としては、エポキシ基を有するシラン化合物を用いることができる。特に、エポキシシラン系カップリング剤が好ましい。エポキシシラン化合物の例としては、信越化学工業社製の「Ｘ－１２－１２３１」（３－（２－グリシジルフェニル）プロピルトリメトキシシラン）、「ＫＢＭ－４０３」（３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、「ＫＢＭ－３０３」（２－（３，４）－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン）、「ＫＢＭ－４０２」（３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン）、「ＫＢＥ－４０３」（３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン）、「ＫＢＥ－４０２」（３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン）、「ＫＢＭ－４８０３」（８－グリシドキシオクチルトリメトキシシラン）などが挙げられる。

表面処理剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

表面処理剤による表面処理の程度は、（Ｃ）無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価できる。（Ｃ）無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、（Ｃ）無機充填材の分散性向上の観点から、好ましくは０．０２ｍｇ／ｍ^２以上、より好ましくは０．１ｍｇ／ｍ^２以上、特に好ましくは０．２ｍｇ／ｍ^２以上である。一方、樹脂組成物の溶融粘度及びシート形態での溶融粘度の上昇を抑制する観点から、前記のカーボン量は、好ましくは１ｍｇ／ｍ^２以下、より好ましくは０．８ｍｇ／ｍ^２以下、特に好ましくは０．５ｍｇ／ｍ^２以下である。

（Ｃ）無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の（Ｃ）無機充填材を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（以下「ＭＥＫ」と略称することがある。））により洗浄処理した後に、測定できる。具体的には、十分な量のメチルエチルケトンと、表面処理剤で表面処理された（Ｃ）無機充填材とを混合して、２５℃で５分間、超音波洗浄する。その後、上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて、（Ｃ）無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定できる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「ＥＭＩＡ－３２０Ｖ」を使用できる。

樹脂組成物中の（Ｃ）無機充填材の量は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは４０質量％以上、より好ましくは５０質量％以上、さらに好ましくは６０質量％以上であり、また、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９２質量％以下、さらに好ましくは９０質量％以下である。（Ｃ）無機充填材の量が前記範囲にあることにより、研磨面の凹みの深さを小さくしたり、樹脂組成物を硬化した硬化材料の誘電正接を低くしたり、硬化材料の引張弾性率を小さくしたりする効果を、顕著に得ることができる。

〔２．４．（Ｄ）硬化促進剤〕
樹脂組成物は、任意の成分として、上述した成分以外に（Ｄ）硬化促進剤を含んでいてもよい。（Ｄ）硬化促進剤を用いることにより、樹脂組成物を硬化させる際に硬化を促進できる。

（Ｄ）成分としての硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましい。中でも、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、イミダゾール系硬化促進剤が特に好ましい。これらを用いることにより、通常は、研磨面の凹みの深さを小さくしたり、樹脂組成物を硬化した硬化材料の誘電正接を低くしたり、硬化材料の引張弾性率を小さくしたりする効果を、顕著に得ることができる。硬化促進剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ－ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４－メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。中でも、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４－ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン等が挙げられる。中でも、４－ジメチルアミノピリジン、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセンが好ましい。

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）]－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。中でも、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾールが好ましい。

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００－Ｈ５０」；四国化成工業社製「１Ｂ２ＰＺ」；等が挙げられる。

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１－メチルグアニジン、１－エチルグアニジン、１－シクロヘキシルグアニジン、１－フェニルグアニジン、１－（ｏ－トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、１－メチルビグアニド、１－エチルビグアニド、１－ｎ－ブチルビグアニド、１－ｎ－オクタデシルビグアニド、１，１－ジメチルビグアニド、１，１－ジエチルビグアニド、１－シクロヘキシルビグアニド、１－アリルビグアニド、１－フェニルビグアニド、１－（ｏ－トリル）ビグアニド等が挙げられる。中でも、ジシアンジアミド、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エンが好ましい。

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。

樹脂組成物が（Ｄ）硬化促進剤を含む場合、（Ｄ）硬化促進剤の量は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０３質量％以上、特に好ましくは０．０５質量％以上であり、好ましくは３質量％以下、より好ましくは１．５質量％以下、特に好ましくは１質量％以下である。（Ｄ）硬化促進剤の量が前記範囲にある場合に、樹脂組成物の硬化を効果的に促進できる。また、（Ｄ）硬化促進剤の量が前記範囲にあることにより、通常は、研磨面の凹みの深さを小さくしたり、樹脂組成物を硬化した硬化材料の誘電正接を低くしたり、硬化材料の引張弾性率を小さくしたりする効果を、顕著に得ることができる。

〔２．５．（Ｅ）有機充填材〕
樹脂組成物は、任意の成分として、上述した成分以外に（Ｅ）有機充填材を含んでいてもよい。（Ｅ）有機充填材を用いることにより、樹脂組成物を硬化した硬化材料の引張弾性率等の機械的特性を好適な範囲に容易に調整できる。

（Ｅ）成分としての有機充填材としては、ゴム粒子が好ましい。ゴム粒子としては、例えば、樹脂ワニスの調整に用いる有機溶剤に溶解せず、（Ａ）成分～（Ｃ）成分と相溶しないゴム粒子が使用できる。このようなゴム粒子は、一般には、ゴム粒子の成分の分子量を有機溶剤及び樹脂に溶解しない程度まで大きくし、粒子状とすることで調製される。

ゴム粒子としては、例えば、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される２層構造；又は、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、内層のコア層がガラス状ポリマーで構成される３層構造のゴム粒子；などが挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メチルメタクリレート重合物などで構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物（ブチルゴム）などで構成される。ゴム粒子の例としては、ガンツ社製「スタフィロイドＩＭ－４０１」が挙げられる。また、ゴム粒子等の（Ｅ）有機充填材は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

（Ｅ）有機充填材の平均粒径は、好ましくは０．００５μｍ～１μｍの範囲であり、より好ましくは０．２μｍ～０．６μｍの範囲である。（Ｅ）有機充填材の平均粒径は、（Ｃ）無機充填材の平均粒径の測定方法と同様にして測定できる。

樹脂組成物が（Ｅ）有機充填材を含有する場合、（Ｅ）有機充填材の量は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．２質量％以上、更に好ましくは０．３質量％以上、特に好ましくは０．５質量％以上であり、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下、更に好ましくは５質量％以下、特に好ましくは３質量％以下である。（Ｅ）有機充填材の量が前記範囲にある場合に、樹脂組成物を硬化した硬化材料の機械的特性を好適な範囲に容易に調整できる。また、（Ｅ）有機充填材の量が前記範囲にあることにより、通常は、研磨面の凹みの深さを小さくしたり、樹脂組成物を硬化した硬化材料の誘電正接を低くしたり、硬化材料の引張弾性率を小さくしたりする効果を、顕著に得ることができる。

〔２．６．（Ｆ）着色剤〕
樹脂組成物は、任意の成分として、上述した成分以外に（Ｆ）着色剤を含んでいてもよい。（Ｆ）着色剤を用いることにより、樹脂組成物及びその硬化材料を、（Ｆ）着色剤の色に呈色させることができる。

（Ｆ）着色剤としては、顔料を用いてもよく、染料を用いてもよく、これらを組み合わせて用いてもよい。中でも、（Ｆ）着色剤としては、顔料が好ましい。顔料は着色能力が高いので、樹脂組成物およびその硬化材料を効果的に呈色させることができる。

顔料の例を挙げると、青色顔料としては、例えば、フタロシアニン系顔料、アントラキノン系顔料、ジオキサジン系顔料などが挙げられる。黄色顔料としては、例えば、モノアゾ系顔料、ジスアゾ系顔料、縮合アゾ系顔料、ベンズイミダゾロン系顔料、イソインドリノン系顔料、アントラキノン系顔料などが挙げられる。赤色顔料としては、例えば、モノアゾ系顔料、ジスアゾ系顔料、アゾレーキ系顔料、ベンズイミダゾロン系顔料、ペリレン系顔料、ジケトピロロピロール系顔料、縮合アゾ系顔料、アントラキノン系顔料、キナクリドン系顔料などが挙げられる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック、黒鉛などが挙げられる。緑色顔料としては、例えば、フタロシアニン系顔料などが挙げられる。

顔料は、通常、樹脂組成物中において（Ａ）エポキシ樹脂には溶解せず、粒子として存在する。この顔料の粒子の平均粒径は、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、特に好ましくは１５ｎｍ以上であり、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下である。平均粒径の小さい顔料を用いることにより、樹脂組成物及びその硬化材料の色の調整を容易に行うことができる。

（Ｆ）着色剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組合わせて用いてもよい。

樹脂組成物が（Ｆ）着色剤を含む場合、（Ｆ）着色剤の量は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．２質量％以上、特に好ましくは０．３質量％以上であり、好ましくは５質量％以下、より好ましくは４質量％以下、特に好ましくは３質量％以下である。

〔２．７．（Ｇ）任意の成分〕
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更に任意の添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物；熱可塑性樹脂；増粘剤；消泡剤；レベリング剤；密着性付与剤；難燃剤；等の樹脂添加剤が挙げられる。これらの添加剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

〔２．８．樹脂組成物の状態〕
樹脂組成物は、液状であってもよく、固体状であってもよい。
例えば、常温（例えば、２０℃）において液状の樹脂組成物は、特段の温度調整を行うことなく、常温で成形できる。よって、このような樹脂組成物は、常温で、ラミネート法及び圧縮成型法等の成形方法を用いた硬化体の製造に用いることができる。また、このような樹脂組成物を、適切な温度に加熱して成形を行ってもよい。
例えば、常温において固体状の樹脂組成物は、通常、その温度をより高い温度（例えば、１３０℃）に調整することによって、液状になれる。よって、このような樹脂組成物は、加熱等の適切な温度調整を行うことにより、ラミネート法及び圧縮成型法等の成形方法を用いた硬化体の製造に用いることができる。

〔２．９．樹脂組成物の硬化材料の特性〕
樹脂組成物は、当該樹脂組成物を硬化させて得られる硬化材料を研磨した場合に、凹みの最大深さが小さい研磨面を得ることができる。具体的には、樹脂組成物を１８０℃１時間で硬化して得られる評価用硬化体を研磨して、算術平均粗さＲａが５００ｎｍ以下の評価用研磨面を形成する評価試験を行った場合に、この評価用研磨面に存在する凹みの最大深さＤを、上述した所定の範囲に収めることができる。ここで、「評価用硬化体」及びその「評価用研磨面」とは、樹脂組成物の評価のために用いる硬化体及びその研磨面を、評価用途以外に用いる硬化体及び研磨面から区別して示すために用いる用語である。よって、この樹脂組成物を用いることにより、凹みの最大深さＤが小さい研磨面を有する硬化体を形成できる。したがって、樹脂組成物を用いることにより、樹脂の塗布均一性に優れた研磨面を有する硬化体を得ることができる。

以下、研磨面に形成されうる凹みについて、その最大深さＤを小さくできる仕組みを説明する。ただし、本発明の技術的範囲は、以下に説明する仕組みによって制限されない。

図３は、一例としての樹脂組成物を用いて得られた硬化体３００が有する研磨面３００Ｕの凹み３１０の近傍部分を拡大して模式的に示す断面図である。
図３に示すように、研磨面３００Ｕの凹み３１０は、硬化体３００に含まれる（Ｃ）無機充填材の粒子３２０が脱離して形成されることがある。このようなタイプの凹み３１０は、粒子３２０の粒径が小さければ、その深さを小さくできる。また、複数の粒子３２０が凝集して二次粒子（図示せず）を形成し、その二次粒子が脱離することも考えられるが、粒子３２０の粒径を適切に調整すれば、凝集の抑制は可能である。よって、（Ｃ）無機充填材の粒子３２０の脱離により形成される凹み３１０は、（Ｃ）無機充填材の平均粒径を適切に設定することで、その深さを１０μｍ未満と小さくすることができる。さらには、樹脂組成物に含まれる樹脂成分を適切に調整したり、（Ｃ）無機充填材の表面処理を行ったりすることで、粒子３２０の脱離自体を抑制することができる。これにより、研磨面３００Ｕの凹み３１０の最大深さＤを上述した所定の範囲に収めることができる。ここで「樹脂成分」とは、樹脂組成物に含まれる不揮発成分のうち、（Ｃ）無機充填材以外の成分をいう。

図４は、一例としての樹脂組成物を用いて得られた硬化体４００が有する研磨面４００Ｕの凹み４１０の近傍部分を拡大して模式的に示す断面図である。
図４に示すように、研磨面４００Ｕの凹み４１０は、（Ｃ）無機充填材に含まれる粒子としての中空充填材粒子４２０が硬化体４００の研磨時に研磨されることで、その中空充填材粒子４２０の中空部４３０が研磨面４００Ｕに開口して形成されることがある。この凹み４１０が形成された研磨面４００Ｕは、通常、中空充填材粒子４２０等の（Ｃ）無機充填材が研磨されて形成された充填材面部分４２０Ｕを含む。そして、この充填材面部分４２０Ｕに、凹み４１０が形成されている。このようなタイプの凹み４１０は、（Ｃ）無機充填材に含まれる中空充填材粒子４２０の中空部４３０が小さければ、その深さを小さくできる。中空部４３０の形状は一般に一様ではないが、中空部４３０の長径が十分に小さければ、その中空部４３０が研磨面４００Ｕに開口しても、凹み４１０の深さは小さくできる。よって、（Ｃ）無機充填材の中空充填材粒子４２０の研磨により形成される凹み４１０は、中空充填材粒子４２０の中空部の長径を小さくすることで、その深さを１０μｍ未満と小さくすることができる。これにより、研磨面４００Ｕの凹み４１０の最大深さＤを上述した所定の範囲に収めることができる。前記のように凹み４１０が形成された充填材面部分４２０Ｕを有する硬化体４００は、通常、当該硬化体４００内に中空充填材粒子４２０を含む。よって、硬化体４００を切って断面観察をした場合には、通常、硬化体４００内の研磨面４００Ｕ以外の位置に中空充填材粒子４２０を観察することができる。

通常、樹脂組成物を硬化した硬化材料は、誘電正接が低い。したがって、この硬化材料で形成される硬化体は、誘電正接の低い絶縁層として用いることができる。
例えば、実施例に記載の方法によって、樹脂組成物を硬化して硬化材料を製造する。この硬化材料について実施例に記載の測定方法で測定される誘電正接は、好ましくは０．０１０以下、より好ましくは０．００８以下である。誘電正接の値の下限は、低いほど好ましく、例えば０．００１以上でありうる。

通常、樹脂組成物を硬化した硬化材料は、絶縁層に求められる適切な範囲の引張弾性率を有する。例えば、実施例に記載の方法によって、樹脂組成物を硬化して硬化材料を製造する。この硬化材料について実施例に記載の測定方法で測定される引張弾性率は、好ましくは５ＧＰａ以上、より好ましくは８ＧＰａ以上、さらに好ましくは１０ＧＰａ以上であり、好ましくは２０ＧＰａ以下、より好ましくは１８ＧＰａ以下、さらに好ましくは１７ＧＰａ以下である。

［３．硬化体の特性］
硬化体は、上述した樹脂組成物を硬化させた硬化材料で形成されている。この硬化体は、少なくとも一つの研磨面を有する。通常、研磨面は、前記の凹みを除いて面一（ツライチ）な平面となっている。ここで、ある面が「面一」であるとは、当該面が同一平面にあることをいう。

硬化体の研磨面は、当該研磨面に樹脂を均一に塗布できるようにする観点から、表面粗さが小さいことが好ましい。具体的には、研磨面の算術平均粗さＲａは、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下、特に好ましくは１００ｎｍ以下である。研磨面の算術平均粗さＲａの下限は、特段の制限は無く、例えば、１０ｎｍ以上、２０ｎｍ以上などでありうる。
研磨面の算術表面粗さＲａは、後述する実施例に記載の方法によって測定できる。

硬化体の研磨面には、前記のように、１０μｍ以上の深さの凹みが無い。よって、このような研磨面には、フォトレジスト等の樹脂を均一に塗布することができる。例えば、直径４インチの円形の研磨面に、実施例に記載の条件で樹脂をスピンコートして、薄膜層を形成する。この際、形成される薄膜層における抜けの発生を抑制することができる。そして、このように均一な薄膜層を形成できるので、この薄膜層を介して研磨面上に、微細な再配線層を形成することが可能である。

硬化体は、上述した樹脂組成物を硬化した硬化材料で形成されているので、通常、前記のように、優れた誘電正接及び引張弾性率を有する。

硬化体の形状に制限は無いが、通常は、層状に形成される。層状の硬化体が有する研磨面は、通常、硬化体の層の層平面と平行な平面となっている。層状の硬化体の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７００μｍ以下、より好ましくは６５０μｍ以下、更に好ましくは６２０μｍ以下である。厚さの下限は、特に限定されず、例えば１０μｍ以上でありうる。

［４．硬化体の製造方法］
硬化体は、通常、樹脂組成物を硬化した後に、研磨して製造できる。また、特に、層状の硬化体は、例えば、下記の工程（１）～工程（３）を含む製造方法によって、製造できる。
（１）樹脂組成物によって樹脂組成物層を形成する工程。
（２）樹脂組成物を硬化させて、硬化体を得る工程。
（３）硬化体を研磨する工程。

工程（１）では、通常、基材を用意し、この基材上に樹脂組成物層を形成する。基材としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板（ステンレスや冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）など）、シリコンウエハー、ガラスウエハー、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板が挙げられる。また、基材の内部又は表面には、配線層が設けられていてもよく、部品が設けられていてもよい。

樹脂組成物層の形成は、例えば、樹脂シートと基材とを積層することによって行ってもよい。樹脂シートとは、支持体と、この支持体上に設けられた樹脂組成物層と、を有する部材である。この積層は、例えば、支持体側から樹脂シートを基材に加熱圧着することにより、基材に樹脂組成物層を貼り合わせることで、行うことができる。樹脂シートを基材に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ということがある。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール等）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、基材の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。

基材と樹脂シートとの積層は、例えば、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃～１６０℃、より好ましくは８０℃～１４０℃の範囲である。加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ～１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ～１．４７ＭＰａの範囲である。加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間～４００秒間、より好ましくは３０秒間～３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力１３ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。

積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。なお、積層と平滑化処理は、真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。

樹脂組成物層の形成は、例えば、圧縮成型法によって行ってもよい。圧縮成型法では、通常、基材及び樹脂組成物を型に配置し、その型内で樹脂組成物に圧力及び必要に応じて熱を加えて、基材上に樹脂組成物層を形成する。

圧縮成型時の型の温度は、樹脂組成物が優れた圧縮成型性を発揮できる温度が好ましく、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上、特に好ましくは１２０℃以上であり、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１７０℃以下、特に好ましくは１５０℃以下である。また、成形時に加える圧力は、好ましくは１ＭＰａ以上、より好ましくは３ＭＰａ以上、特に好ましくは５ＭＰａ以上であり、好ましくは５０ＭＰａ以下、より好ましくは３０ＭＰａ以下、特に好ましくは２０ＭＰａ以下である。キュアタイムは、好ましくは１分以上、より好ましくは２分以上、特に好ましくは５分以上であり、好ましくは６０分以下、より好ましくは３０分以下、特に好ましくは２０分以下である。通常、樹脂組成物層の形成後、型は取り外される。型の取り外しは、樹脂組成物層の熱硬化前に行ってもよく、熱硬化後に行ってもよい。

工程（２）では、基材上に樹脂組成物層を形成した後、樹脂組成物を硬化させて、硬化体を形成する。通常は、樹脂組成物層を加熱することにより、熱硬化させる。硬化条件は、樹脂組成物の種類によっても異なるが、硬化温度は、通常１２０℃～２４０℃、好ましくは１５０℃～２２０℃、より好ましくは１７０℃～２００℃である。また、硬化時間は、通常５分間～１２０分間、好ましくは１０分間～１００分間、より好ましくは１５分間～９０分間である。

樹脂組成物を熱硬化させる前に、樹脂組成物層に対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。予備加熱処理の条件は、例えば、温度条件は、通常５０℃以上１２０℃未満、好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下である。また、加熱時間は、通常５分間以上、好ましくは５分間～１５０分間、より好ましくは１５分間～１２０分間である。

工程（３）では、硬化体を得た後で、その硬化体を研磨して、研磨面を形成する。研磨方法は、所望の表面粗さの研磨面が得られる方法を採用できる。研磨方法の例としては、化学機械研磨装置による化学機械研磨方法、バフ等の機械研磨方法、砥石回転による平面研削方法、等が挙げられる。

また、前記の硬化体の製造方法は、基材を除去する工程を含んでいてもよい。

［５．硬化体の用途］
硬化体は、上述した利点を活用して、封止層及び絶縁層として用いることができる。硬化体は、例えば、半導体チップパッケージの絶縁層、プリント配線板等の回路基板の絶縁層として用いることができる。また、硬化体は、例えば、半導体チップの封止層として用いることができる。組成を調整することにより溶剤を含まなくても上述した樹脂組成物が適切な温度において液状になれることを利用して、硬化体を封止層に適用する場合には、樹脂組成物を液状封止材として用いてもよい。さらに、硬化体は、例えば、半導体チップを基板に接続した後に用いるＭＵＦ（Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｕｎｄｅｒ Ｆｉｌｌｉｎｇ）の材料として用いてもよい。また、硬化体は、例えば、ソルダーレジスト、ダイボンディング材、穴埋め樹脂、部品埋め込み樹脂等として用いてもよい。

特に、硬化体は、上述したように大きな凹みの無い研磨面を有することを活用して、研磨面に再配線層を形成されるために用いられることが好ましい。さらには、硬化体は、研磨面と面一な表面部分を有する接続端子部と組み合わせて構造体に含まれ、研磨面に再配線層を形成されるために用いられることがより好ましい。中でも、硬化体は、研磨面に薄膜層を形成された後に再配線層を形成されるために用いられることが特に好ましい。薄膜層は、硬化体の研磨面が樹脂の塗布均一性に優れることを活かして、塗布法によって形成することが好ましい。

［６．硬化体を含む構造体］
硬化体は、再配線層に接続されるための接続端子部と組み合わせて構造体に含まれてもよい。構造体は、通常、硬化体の研磨面上に、接続端子部と接続されるための再配線層を形成される。

接続端子部は、通常、硬化体内に導体材料で形成される部材であり、例えば、硬化体内に形成された埋め込み配線層、硬化体内に形成された部品の端子、等が挙げられる。このような接続端子部は、再配線層に接続可能になるように、硬化体に覆われていない表面部分を有する。よって、接続端子部の表面部分は、露出している。そして、この接続端子部の表面部分に、再配線層が接続される。

通常、接続端子部は、硬化体内に設けられる。そして、接続端子部は、硬化体に研磨面を形成するために硬化体を研磨する際に硬化体と一緒に研磨されて、その表面部分が露出する。よって、接続端子部の表面部分は、通常、凹みを除いて、硬化体の研磨面と面一な研磨面となっている。以下の説明において、区別を明確にするために、硬化体の研磨面を「硬化体研磨面」、接続端子部の研磨面としての表面部分を「端子研磨面」と呼ぶことがある。さらに、これら硬化体研磨面及び端子研磨面を含む構造体全体の研磨面を、「構造体研磨面」ということがある。

接続端子部は、通常、導体材料で形成される。導体材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む材料が挙げられ、単金属及び合金のいずれも用いうる。

接続端子部としては、例えば、配線層が挙げられる。配線層は、通常、回路として機能できるようにパターン加工されている。この際、配線層のライン（回路幅）／スペース（回路間の幅）比は、特に制限されず、例えば、２０／２０μｍ以下（即ちピッチが４０μｍ以下）でありうる。また、ピッチは、配線層の全体にわたって同一でもよく、異なっていてもよい。配線層の厚さは、好ましくは３μｍ～３５μｍ、より好ましくは５μｍ～３０μｍ、さらに好ましくは１０μｍ～２０μｍ、特に好ましくは１５μｍ～２０μｍである。配線層の厚みは、均一でもよく、不均一でもよい。

別の接続端子部としては、例えば、部品の端子が挙げられる。部品としては、例えば、コンデンサ、インダクタ、抵抗等の受動部品；半導体ベアチップ等の能動部品；などが挙げられる。

接続端子部を設ける方法は、特に制限は無い。例えば、前記の硬化体の製造方法における工程（１）において、接続端子部を備える基材を用いることで、硬化体内に接続端子部を設けることができる。

接続端子部を備える基材上に樹脂組成物層を形成すると、接続端子部が樹脂組成物層内に埋め込まれる。よって、樹脂組成物を硬化させることにより、内部に接続端子部を含む硬化体を形成することができる。その後、硬化体を研磨して接続端子部を露出させることにより、硬化体に覆われていない端子研磨面を有する接続端子部を、硬化体内に設けることができる。通常、硬化体の研磨時に接続端子部も研磨されるので、接続端子部の端子研磨面と硬化体の硬化体研磨面とが面一になる。

以下、図面を示して、構造体の実施形態について説明する。ただし、構造体は、下記の実施形態に限定されない。

〔６．１．構造体の第一実施形態〕
図５は、構造体の第一実施形態としての配線板５００を模式的に示す断面図である。また、図６～図８は、それぞれ、構造体の第一実施形態としての配線板５００の製造過程を模式的に示す断面図である。図５～図８では、同様の部位は、同様の符号で示す。

図５に示すように、構造体の第一実施形態としての配線板５００は、樹脂組成物を硬化した硬化材料で形成された硬化体としての硬化層５１０と、硬化層５１０内に形成された接続端子部としての配線層５２０とを備える。硬化層５１０は、少なくとも一側に硬化体研磨面５１０Ｕを有する。また、配線層５２０は、少なくとも一側に端子研磨面５２０Ｕを有する。端子研磨面５２０Ｕは、硬化層５１０に覆われていない、硬化体研磨面５１０Ｕと面一な平面となっている。よって、硬化体研磨面５１０Ｕ及び端子研磨面５２０Ｕを含む構造体研磨面５００Ｕは、硬化体研磨面５１０Ｕにある凹み（図示せず）を除き、面一な平面となっている。

このような配線板５００において、硬化層５１０は、上述した樹脂組成物の硬化材料によって形成されている。よって、硬化体研磨面５１０Ｕにある凹みの最大深さＤは、１０μｍ未満と小さい。したがって、構造体研磨面５００Ｕには、フォトレジスト等の樹脂を均一に塗布することができる。そのため、均一な薄膜層（図示せず）を形成できるので、この薄膜層を介して構造体研磨面５００Ｕ上に、微細な再配線層を形成することが可能である。

このような配線板５００は、例えば、
（Ａ１）基材５３０と、この基材５３０に設けられた配線層５２０とを有する配線層付基材５４０を用意する工程（図６参照）、
（Ａ２）配線層５２０が樹脂組成物層（図示せず）に埋め込まれるように、配線層付基材５４０上に樹脂組成物層を形成する工程、
（Ａ３）樹脂組成物を硬化させて、硬化層５１０を形成する工程（図７参照）、
（Ａ４）硬化層５１０を研磨する工程（図８参照）、及び、
（Ａ５）基材を除去する工程（図５参照）、
を含む製造方法により、製造できる。

工程（Ａ１）では、図６に示すように、配線層５２０を有する配線層付基材５４０を用意する。本実施形態では、基板５３１と、基板５３１の両面に設けられた第一金属層５３２と、第一金属層５３２の表面に設けられた第二金属層５３３とを備える基材５３０を例に挙げて説明する。よって、配線層付基材５４０は、基材５３０の一方の第二金属層５３３の基板５３１とは反対側の面に、配線層５２０を備える。このような配線層付基材５４０は、例えば、特開２０１７－８２２０１号公報に記載の方法によって用意できる。

工程（Ａ２）では、用意した配線層付基材５４０上に、樹脂組成物層を形成する。この際、樹脂組成物層の形成は、配線層５２０が樹脂組成物層に埋め込まれるように行う。樹脂組成物層の形成は、樹脂シート（図示せず）と配線層付基材５４０とを積層することによって行ってもよく、圧縮成型法によって行ってもよい。

工程（Ａ３）では、図７に示すように、配線層付基材５４０上に樹脂組成物層を形成した後で、樹脂組成物を硬化させて、硬化層５１０を形成する。通常、樹脂組成物の硬化は、熱硬化によって行われる。

工程（Ａ４）では、図８に示すように、硬化層５１０を研磨する。これにより、硬化層５１０の表面に硬化体研磨面５１０Ｕが形成される。また、硬化層５１０の研磨により、配線層５２０が露出して、端子研磨面５２０Ｕが形成される。よって、塗布均一性に優れた構造体研磨面５００Ｕが得られる。

その後、必要に応じて、工程（Ａ５）のように、基材５３０を除去する。これにより、図５に示す薄い配線板５００を得ることができる。基材５３０の除去方法は、特に限定されない。例えば、第一金属層５３２と第二金属層５３３との界面を剥離し、第二金属層５３３を塩化銅水溶液等のエッチング液で除去してもよい。

〔６．２．構造体の第二実施形態〕
図９は、構造体の第二実施形態としての部品内蔵回路基板６００を模式的に示す断面図である。また、図１０～図１３は、それぞれ、構造体の第二実施形態としての部品内蔵回路基板６００の製造過程を模式的に示す断面図である。図９～図１３では、同様の部位は、同様の符号で示す。

図９に示すように、構造体の第二実施形態としての部品内蔵回路基板６００は、基板６１０と、基板６１０の一側に樹脂組成物を硬化した硬化材料で形成された硬化体としての硬化層６２０と、基板６１０の他側に設けられた絶縁層６３０と、硬化層６２０内に設けられた部品６４０とを備える。部品６４０は、導体材料で形成された接続端子部としての端子６４１を有している。本実施形態では、基板６１０に、当該基板６１０を厚み方向に貫通するキャビティ６１０Ｈが形成され、前記のキャビティ６１０Ｈ内に部品６４０が設けられた例を示す。また、基板６１０は、ビア配線及び表面配線等の配線層６１１を備えていてもよい。

硬化層６２０は、基板６１０とは反対側に硬化体研磨面６２０Ｕを有する。また、部品６４０の端子６４１は、端子研磨面６４１Ｕを有する。端子研磨面６４１Ｕは、硬化層６２０に覆われていない、硬化体研磨面６２０Ｕと面一な平面となっている。よって、硬化体研磨面６２０Ｕ及び端子研磨面６４１Ｕを含む構造体研磨面６００Ｕは、硬化体研磨面６２０Ｕにある凹み（図示せず）を除き、面一な平面となっている。

このような部品内蔵回路基板６００において、硬化層６２０は、上述した樹脂組成物の硬化材料によって形成されている。よって、硬化体研磨面６２０Ｕにある凹みの最大深さＤは、１０μｍ未満と小さい。したがって、構造体研磨面６００Ｕには、フォトレジスト等の樹脂を均一に塗布することができる。そのため、均一な薄膜層（図示せず）を形成できるので、この薄膜層を介して構造体研磨面６００Ｕ上に、微細な再配線層を形成することが可能である。

このような部品内蔵回路基板６００は、例えば、
（Ｂ１）基板６１０と、基板６１０の片側に設けられた仮付材６５０と、仮付材６５０に仮付されることで基板６１０のキャビティ６１０Ｈ内に収納された部品６４０とを備える部品仮付基材６６０を用意する工程（図１０参照）、
（Ｂ２）部品６４０が樹脂組成物層（図示せず）に埋め込まれるように、部品仮付基材６６０上に樹脂組成物層を形成する工程、
（Ｂ３）樹脂組成物を硬化させて、硬化層６２０を形成する工程（図１１参照）、
（Ｂ４）硬化層６２０を研磨する工程（図１２参照）、
（Ｂ５）仮付材６５０を除去する工程（図１３参照）、及び、
（Ｂ６）絶縁層６３０を形成する工程（図９参照）、
を含む製造方法により、製造できる。

工程（Ｂ１）では、図１０に示すように、基板６１０、部品６４０及び仮付材６５０を備える部品仮付基材６６０を用意する。本実施形態では、フィルム状の仮付材６５０を用いた例を示す。仮付材６５０は、基板６１０の片側に接合している。部品６４０は、基板６１０のキャビティ６１０Ｈの内部において仮付材６５０に仮付けされている。このような部品仮付基材６６０は、例えば、特開２０１７－０３９３０５号公報に記載の方法によって用意できる。

工程（Ｂ２）では、用意した部品仮付基材６６０上に、樹脂組成物層を形成する。この際、樹脂組成物層の形成は、部品６４０が樹脂組成物層に埋め込まれるように行う。樹脂組成物層の形成は、樹脂シート（図示せず）と部品仮付基材６６０とを積層することによって行ってもよく、圧縮成型法によって行ってもよい。

工程（Ｂ３）では、図１１に示すように、部品仮付基材６６０上に樹脂組成物層を形成した後で、樹脂組成物を硬化させて、硬化層６２０を形成する。通常、樹脂組成物の硬化は、熱硬化によって行われる。

工程（Ａ４）では、図１２に示すように、硬化層６２０を研磨する。これにより、硬化層６２０の表面に硬化体研磨面６２０Ｕが形成される。また、硬化層６２０の研磨により、部品６４０の端子６４１が露出して、端子研磨面６４１Ｕが形成される。よって、塗布均一性に優れた構造体研磨面６００Ｕが得られる。

また、必要に応じて、図１３に示すように仮付材６５０を除去する工程（Ａ５）と、絶縁層６３０を形成する工程（Ａ６）とを行う。これにより、図９に示すように内部に部品６４０が埋め込まれた部品内蔵回路基板６００を得ることができる。絶縁層６３０の形成方法は任意である。例えば、基板６１０上に樹脂組成物層を形成し、その樹脂組成物層を硬化させて、硬化層６２０と同じ組成の絶縁層を形成してもよい。

硬化層６２０の研磨は、硬化層６２０の形成後、任意の時点で行うことができる。よって、研磨は、仮付材６５０の除去及び絶縁層６３０の形成の前に行ってもよく、絶縁層６３０の形成後に行ってもよい。

〔６．３．構造体のその他の実施形態〕
上述した実施形態に係る構造体は、更に変更して実施してもよい。
例えば、前記の第一実施形態では、配線層５２０の厚みが均一な例を示したが、各配線層５２０の厚みは異なっていてもよい。また、硬化層５１０の研磨は、全ての配線層５２０を露出させる必要はなく、配線層５２０の一部を露出させるように行ってもよい。

さらに、例えば、第一実施形態にかかる配線板５００に、部品が設けられていてもよい。以下、その例を図面を示して説明する。図１４は、構造体の第一実施形態の変形例としての配線板７００を模式的に示す断面図である。図１４において、第一実施形態に係る配線板５００と同様の部位は、同様の符号で示す。図１４に示すように、第一実施形態の変形例としての配線板７００は、硬化層５１０内に部品としてのチップ７３０を備えること以外は、第一実施形態に係る配線板５００と同様に設けられている。チップ７３０は、導体材料で形成された接続端子部としてのピラー部７３１を有している。このピラー部７３１は、硬化層５１０に覆われていない表面部分としての端子研磨面７３１Ｕを有する。端子研磨面７３１Ｕは、硬化層５１０の硬化体研磨面５１０Ｕ及び配線層５２０の端子研磨面５２０Ｕと面一な平面となっている。よって、硬化体研磨面５１０Ｕ、端子研磨面５２０Ｕ及び端子研磨面７３１Ｕを含む構造体研磨面７００Ｕは、硬化体研磨面５１０Ｕにある凹み（図示せず）を除き、面一な平面となっている。このような配線板７００においても、第一実施形態に係る配線板５００と同様の利点を得ることができる。

前記の配線板７００は、例えば、第一実施形態に係る配線板５００の製造方法において、工程（Ａ２）よりも前に配線層付基材５４０にチップ７３０を設け、更に、工程（Ａ４）での研磨によって配線層５２０だけでなくチップ７３０のピラー部７３１を露出させることにより、製造できる。

また、前記の第二実施形態では、部品６４０の端子６４１だけを露出させたが、例えば、硬化層６２０の研磨によって、端子６４１だけでなく配線層６１１も露出させてもよい。

さらに、例えば、第二実施形態に係る部品内蔵回路基板を、キャビティ６１０Ｈの深さよりも薄い部品を用いて実施してもよい。以下、その例を図面を示して説明する。図１５は、構造体の第二実施形態の変形例としての部品内蔵回路基板８００を模式的に示す断面図である。図１５において、第二実施形態に係る部品内蔵回路基板６００と同様の部位は、同様の符号で示す。図１５に示すように、第二実施形態の変形例としての部品内蔵回路基板８００は、キャビティ６１０Ｈの深さよりも薄い部品８４０を用いたこと、及び、配線層６１１の表面としての端子研磨面８１１Ｕが硬化層６２０に覆われていないこと以外は、第二実施形態に係る部品内蔵回路基板６００と同様に設けられている。端子研磨面８１１Ｕは、硬化層６２０の硬化体研磨面６２０Ｕと面一な平面となっている。よって、硬化体研磨面６２０Ｕ及び端子研磨面８１１Ｕを含む構造体研磨面８００Ｕは、硬化体研磨面６２０Ｕにある凹み（図示せず）を除き、面一な平面となっている。このような部品内蔵回路基板８００においても、第二実施形態に係る部品内蔵回路基板６００と同様の利点を得ることができる。なお、部品８４０がキャビティ６１０Ｈの深さよりも薄いので、通常、部品８４０の端子部８４１は硬化層６２０によって覆われている。

前記の部品内蔵回路基板８００は、例えば、第二実施形態に係る部品内蔵回路基板６００の製造方法において、部品６４０の代わりに部品８４０を用い、更に、工程（Ｂ４）での研磨によって配線層６１１を露出させることにより、製造できる。

［７．再配線層の形成］
硬化体は、硬化体研磨面に再配線層を形成するために用いることが好ましい。このような再配線層は、硬化体研磨面に薄膜層を形成した後で、この薄膜層を介して硬化体研磨面上に形成されることが好ましい。以下、再配線層を形成する方法の一実施形態を、図面を参照して説明する。ただし、再配線層の形成方法は、下記の実施形態に限定されない。

図１６～図１８は、それぞれ、再配線層を形成する方法の一実施形態を説明するため、構造体９００を模式的に示す断面図である。これらの図１６～図１８に示すように、本実施形態では、硬化体としての硬化層９１０及び接続端子部９２０を備えた構造体９００を用いた例を示して、説明する。

図１６に示すように、この方法では、構造体９００の構造体研磨面９００Ｕに、薄膜層９３０を形成する工程（Ｃ１）を行う。通常、薄膜層９３０は、硬化体研磨面９１０Ｕ及び端子研磨面９２０Ｕの両方を覆うように形成される。この薄膜層９３０は、通常、適切な樹脂材料を構造体研磨面９００Ｕに塗布することを経て形成される。このような薄膜層９３０は、通常は、絶縁性を有する絶縁層として機能する。

薄膜層９３０の材料となる樹脂材料としては、例えば、感光性樹脂及び熱硬化性樹脂が挙げられる。中でも、感光性樹脂が好ましい。感光性樹脂は、フォトレジストとして用いることができるので、フォトリソグラフィーによる微細なパターン形成が容易である。よって、感光性樹脂を用いることにより、微細な再配線層の形成を容易に行うことができる。そして、このように微細な再配線層の形成を可能にできる点で、大きな凹みの無い硬化体研磨面９１０Ｕを有する前記の構造体９００は、有利である。

樹脂材料は、通常、液状状態で構造体９００の構造体研磨面９００Ｕに塗布された後、硬化させられて、薄膜層９３０を形成する。塗布の際、樹脂材料は、塗布に適した所定の粘度を有することが好ましい。塗布時の樹脂材料の粘度は、例えば、１Ｐａ・ｓ～３０Ｐａ・ｓでありうる。硬化層９１０の硬化体研磨面９１０Ｕに大きな凹みが無いので、前記のような粘度を有する樹脂材料が構造体研磨面９００Ｕに塗布されても、得られる薄膜層９３０には抜けが生じ難い。

樹脂材料の塗布方法は、特段の制限は無く、例えば、スピンコート法を用いることができる。スピンコートの条件は、所望の厚みの薄膜層９３０が得られるように適切に調整される。例えば、スピンコートの回転数は、好ましくは５００ｒｐｍ以上、より好ましくは７００ｒｐｍ以上であり、好ましくは７０００ｒｐｍ以下、より好ましくは６０００ｒｐｍ以下である。このような条件での塗布においても、薄膜層９３０の抜けの発生を抑制することは可能である。

薄膜層９３０の厚みは、薄型化の観点から、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは４０μｍ以下、更に好ましくは３０μｍ以下、特に好ましくは２５μｍ以下である。このように薄膜層９３０が薄い場合、仮に硬化体研磨面に大きな凹みがあると、薄膜層９３０に抜けが生じる可能性がある。しかし、本実施形態に係る構造体９００の硬化体研磨面９１０Ｕには大きな凹みが無いので、薄膜層９３０の抜けを抑制することができる。薄膜層９３０の厚みの下限は、特段の制限は無く、例えば１μｍ以上でありうる。

薄膜層９３０を形成した後で、図１７に示すように、薄膜層９３０にビアホール９３０Ｈを形成する工程（Ｃ２）を行ってもよい。このビアホール９３０Ｈを通じて、接続端子部９２０と再配線層とを接続することができる。

薄膜層９３０の材料が感光性樹脂である場合のビアホール９３０Ｈの形成方法では、通常、薄膜層９３０の表面に、マスクパターンを通して活性エネルギー線を照射して、照射部の薄膜層９３０を光硬化させる。活性エネルギー線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、特に紫外線が好ましい。紫外線の照射量及び照射時間は、感光性樹脂に応じて適切に設定できる。露光方法としては、例えば、マスクパターンを薄膜層９３０に密着させて露光する接触露光法、マスクパターンを薄膜層９３０に密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法、などが挙げられる。薄膜層９３０を光硬化させた後で、薄膜層９３０を現像し、未露光部を除去して、ビアホール９３０Ｈを形成する。現像は、ウェット現像、ドライ現像のいずれを行ってもよい。現像の方式としては、例えば、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング方式、スクラッピング方式等が挙げられ、解像性の観点から、パドル方式が好適である。

薄膜層９３０の材料が熱硬化性樹脂である場合のビアホール９３０Ｈの形成方法としては、例えば、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられる。中でも、レーザー照射が好ましい。レーザー照射は、炭酸ガスレーザー、ＵＶ－ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等の光源を用いる適切なレーザー加工機を用いて行うことができる。

ビアホール９３０Ｈの形状は、通常、円形又は略円形である。ビアホールのトップ径は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下であり、好ましくは３μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上である。ここで、ビアホールのトップ径とは、薄膜層９３０の表面でのビアホールの開口の直径をいう。

薄膜層９３０を形成し、更に必要に応じてビアホール９３０Ｈを形成した後で、図１８に示すように、薄膜層９３０を介して構造体研磨面９００Ｕ上に再配線層９４０を形成する工程（Ｃ３）を行う。

再配線層９４０は、例えば、薄膜層９３０上に感光性レジストフィルムとしてのドライフィルム（図示せず）を積層する工程、フォトマスクを用いてドライフィルムに対して所定の条件で露光及び現像を行ってパターンを形成してパターンドライフィルムを得る工程、現像したパターンドライフィルムをめっきマスクとして電解めっき法等のメッキ法によって再配線層９４０を形成する工程、及び、パターンドライフィルムを剥離する工程を含む方法によって、形成できる。

再配線層９４０は、通常、パターン加工されている。この再配線層９４０のライン（回路幅）／スペース（回路間の幅）比は、小さいことが好ましい。具体的な範囲を示すと、ライン／スペース比は、好ましくは２０／２０μｍ以下（即ちピッチが４０μｍ以下）、より好ましくは１０／１０μｍ以下、さらに好ましくは５／５μｍ以下、よりさらに好ましくは１／１μｍ以下、特に好ましくは０．５／０．５μｍ以上である。ピッチは、再配線層９４０の全体にわたって同一である必要はない。再配線層９４０の最小ピッチは、例えば、４０μｍ以下、３６μｍ以下、又は３０μｍ以下であってもよい。このように微細な再配線層９４０を形成可能であることが、硬化体研磨面９１０Ｕを有する硬化体としての硬化層９１０を用いる利点の一つである。

再配線層９４０の厚さは、配線デザインによるが、好ましくは３μｍ～３５μｍ、より好ましくは５μｍ～３０μｍ、さらに好ましくは１０μｍ～２０μｍ、特に好ましくは１５μｍ～２０μｍである。

本発明の優れた効果を活用する観点から、薄膜層９３０は、上述した実施形態のように塗布法によって形成することが好ましい。しかし、本発明は、薄膜層９３０を塗布法以外の方法によって形成する実施形態を排除するものでは無い。よって、例えば、薄膜層９３０は、当該薄膜層９３０に対応するフィルムを構造体９００に積層して形成してもよい。

［８．樹脂シート］
本発明の樹脂シートは、支持体と、この支持体上に設けられた樹脂組成物層と、を備える。樹脂組成物層は、前記の樹脂組成物を含む層であり、通常は、樹脂組成物で形成されている。このような樹脂シートを用いることにより、樹脂の塗布均一性に優れた硬化体研磨面を有する硬化体を得ることができる。

樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、更に好ましくは１００μｍ以下、８０μｍ以下、６０μｍ以下、５０μｍ以下、又は、４０μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されず、例えば１０μｍ以上でありうる。

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル；ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）；ポリメチルメタクリレート（以下「ＰＭＭＡ」と略称することがある。）等のアクリルポリマー；環状ポリオレフィン；トリアセチルセルロース（以下「ＴＡＣ」と略称することがある。）；ポリエーテルサルファイド（以下「ＰＥＳ」と略称することがある。）；ポリエーテルケトン；ポリイミド；等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられる。中でも、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。

支持体は、樹脂組成物層と接合する面に、マット処理、コロナ処理、帯電防止処理等の処理が施されていてもよい。

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型剤の市販品としては、例えば、アルキド樹脂系離型剤である、リンテック社製の「ＳＫ－１」、「ＡＬ－５」、「ＡＬ－７」等が挙げられる。また、離型層付き支持体としては、例えば、東レ社製の「ルミラーＴ６０」；帝人社製の「ピューレックス」；ユニチカ社製の「ユニピール」；等が挙げられる。

支持体の厚さは、５μｍ～７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ～６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。

樹脂シートは、例えば、樹脂組成物を、ダイコーター等の塗布装置を用いて支持体上に塗布して、製造することができる。また、必要に応じて、樹脂組成物を有機溶剤に溶解して樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを塗布して樹脂シートを製造してもよい。溶剤を用いることにより、粘度を調整して、塗布性を向上させることができる。樹脂ワニスを用いた場合、通常は、塗布後に樹脂ワニスを乾燥させて、樹脂組成物層を形成する。

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノン等のケトン溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル溶剤；セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール溶剤；トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素溶剤；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ－メチルピロリドン等のアミド系溶剤；等を挙げることができる。有機溶剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が、通常１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％～６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃～１５０℃で３分～１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。

樹脂シートは、必要に応じて、支持体及び樹脂組成物層以外の任意の層を含んでいてもよい。例えば、樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムが設けられていてもよい。保護フィルムの厚さは、例えば、１μｍ～４０μｍである。保護フィルムにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって樹脂シートは使用可能となる。また、樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。

［９．半導体装置］
上述した硬化体は、任意の半導体装置に適用可能である。半導体装置としては、例えば、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。

以下、本発明について、実施例を示して具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものでは無い。以下の説明において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示の無い限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。また、以下に説明する操作は、別途明示の無い限り、常温常圧の環境で行った。

［無機充填材の説明］
（無機充填材１）
無機充填材１は、球状シリカ１（平均粒径３μｍ、比表面積４ｍ^２／ｇ）を、アミノシラン化合物（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」；Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）で表面処理したものである。前記の球状シリカ１は、分級処理により、粒径１０μｍ以上の粒子が除かれている。また、前記の球状シリカ１は、内部に中空部を形成された中空充填材粒子を含むが、その中空部の長径は最大でも５μｍ未満であった。

（無機充填材２）
無機充填材２は、球状アルミナ２（平均粒径３．６μｍ、比表面積１ｍ^２／ｇ）を、アミノシラン化合物（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」；Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）で表面処理したものである。前記の球状アルミナ２は、分級処理により、粒径１５μｍ以上の粒子が除かれている。また、前記の球状アルミナ２は、内部に中空部を形成された中空充填材粒子を含むが、その中空部の長径は最大でも５μｍ未満であった。

（無機充填材３）
無機充填材３は、球状シリカ３（平均粒径３．５μｍ、比表面積３．９ｍ^２／ｇ）を、アミノシラン化合物（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」；Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）で表面処理したものである。前記の球状シリカ３は、分級処理により、粒径１０μｍ以上の粒子が除かれている。また、前記の球状シリカ３は、内部に中空部を形成された中空充填材粒子を含み、その中空部の長径が５μｍ以上の粒子が含まれていた。

（無機充填材４）
無機充填材４は、球状シリカ４（平均粒径３μｍ、比表面積４ｍ^２／ｇ）を、エポキシシラン化合物（信越化学工業社製「ＫＢＭ－４０３」；３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）で表面処理したものである。前記の球状シリカ４は、分級処理により、粒径１０μｍ以上の粒子が除かれている。また、前記の球状シリカ４は、内部に中空部を形成された中空充填材粒子を含むが、その中空部の長径は最大でも５μｍ未満であった。

［実施例１］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ．）２部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ４０３２ＳＳ」、エポキシ当量１５１ｇ／ｅｑ．）２部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０」、エポキシ当量９５ｇ／ｅｑ．）４部、無機充填材１を１１５部、ナフタレン型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＥＳＮ４７５Ｖ」、エポキシ当量約３３０ｇ／ｅｑ．）２部、酸無水物硬化剤（新日本理化社製「ＨＮＡ－１００」、酸無水物当量１７９ｇ／ｅｑ．）１０部、カーボンブラック（ＤＢＰ吸収量８０ｃｍ^３／１００ｇ、ｐＨ＝６．５、平均粒径２０ｎｍ）０．５部、ゴム粒子（ガンツ化成社製「スタフィロイド ＩＭ－４０１」）０．９質量部、及び、硬化促進剤（四国化成工業社製「１Ｂ２ＰＺ」、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール）０．１部をミキサーを用いて均一に分散して、樹脂組成物を得た。

［実施例２］
無機充填材１を１１５部用いる代わりに、無機充填材２を１５０部用いた。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作により、樹脂組成物を得た。

［実施例３］
無機充填材１の量を、１１５部から１３０部に変更した。また、樹脂組成物に、更に液状エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＬ７９８４」、エポキシ当量５４０ｇ／ｅｑ．）１部を加えた。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作により、樹脂組成物を得た。

［実施例４］
無機充填材１を１１５部用いる代わりに、無機充填材４を１１５部用いた。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作により、樹脂組成物を得た。

［比較例１］
無機充填材１を１１５部用いる代わりに、無機充填材３を１１５部用いた。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作により、樹脂組成物を得た。

［研磨面の凹みの深さの測定］
樹脂組成物を、真空ラミネーター乃至はコンプレッションモールドを用いて、８インチシリコンウエハ上に積層して、厚み１５０μｍの樹脂組成物層を形成した。
この樹脂組成物層を、１８０℃１時間で熱硬化して、樹脂組成物の硬化材料で形成された硬化体（研磨前硬化体）としての硬化層を得た。
続いて、硬化層の表面を、グラインダー（ディスコ社製「ＤＡＧ８１０」）を用いて研磨した。この研磨は、研磨後の硬化層の厚みが１００μｍとなるまで行った。研磨により、硬化層に、算術平均粗さＲａが１００ｎｍ以下の硬化体研磨面が形成された。これにより、シリコンウエハと、このシリコンウエハ上に形成された硬化体研磨面を有する硬化層とを備える試料部材を得た。

ＦＩＢ－ＳＥＭ複合装置（ＳＩＩナノテクノロジー社製「ＳＭＩ３０５０ＳＥ」）を用いて、硬化層を削り、その断面観察を行った。詳細には、硬化層の硬化体研磨面に垂直な断面が現れるように、ＦＩＢ（集束イオンビーム）によって硬化層を削った。現れた断面を撮影して、断面ＳＥＭ画像（観察幅６０μｍ、観察倍率２，０００倍）を取得した。この断面観察を、無作為に選んだ５０箇所で行った。
得られた５０箇所の断面ＳＥＭ画像から、硬化層の硬化体研磨面の凹みの深さを測定した。そして、得られた深さの測定値の最大値を、硬化体研磨面の凹みの最大深さとして採用した。
硬化体研磨面の凹みの最大深さが５μｍ未満を「○」、５μｍ以上１０μｍ未満を「△」、１０μｍ以上を「×」と判定した。

［研磨面の表面粗さの測定］
前記［研磨面の凹みの深さの測定］で製造した試料部材の硬化体研磨面の算術平均粗さＲａを、非接触型表面粗さ計（ビーコインスツルメンツ社製「ＷＹＫＯ ＮＴ３３００」）を用いて測定した。この測定は、ＶＳＩコンタクトモードで、５０倍レンズを用いて、測定範囲を１２１μｍ×９２μｍとして行った。この算術平均粗さＲａの測定を硬化体研磨面の１０箇所で行い、その平均値を採用した。

［研磨面の塗布均一性の評価］
前記［研磨面の凹みの深さの測定］で製造した試料部材を、直径４インチの円板状に加工した。その後、硬化層の硬化体研磨面に、感光性ポリイミド樹脂（粘度６Ｐａ・ｓ）を、スピンコーター（ミカサ社製「ＭＳ－Ａ１５０」）を用いて、回転数２０００ｒｐｍの条件でスピンコートした。塗布された感光性ポリイミド樹脂を、ホットプレート上で、１２０℃で５分間、プレベークした。これにより、厚さ４μｍの薄膜層を、硬化体研磨面上に得た。
以上の操作を、試料部材１０枚分実施した。

得られた薄膜層を観察し、下記の基準で、塗布均一性を判定した。
「○」：全ての試料部材において、薄膜層に抜けが無い。
「△」：１枚の試料部材において、薄膜層に抜けがある。
「×」：２枚以上の試料部材において、薄膜層に抜けがある。

［樹脂組成物の硬化材料の誘電正接（６０ＧＨｚ）の測定］
表面に離型処理を施されたＳＵＳ板上に、樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置（金型温度：１３０℃、圧力：６ＭＰａ、キュアタイム：１０分）を用いて圧縮成型して、厚さ３００μｍの樹脂組成物層を形成した。ＳＵＳ板を剥がし、樹脂組成物層を１８０℃９０分の加熱により熱硬化させて、樹脂組成物の硬化材料からなる誘電正接測定用の評価サンプルに用いた。この評価サンプルについて、分析装置（キーサイト・テクノロジー社製「ベクトルネットワークアナライザＮ５２２７Ａ」）を用いたファブリペロー法により、測定温度２４℃、測定周波数６０ＧＨｚで、硬化材料の誘電正接を測定した。

［樹脂組成物の硬化材料の引張弾性率の測定］
表面に離型処理を施されたＳＵＳ板上に、樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置（金型温度：１３０℃、圧力：６ＭＰａ、キュアタイム：１０分）を用いて圧縮成型して、厚さ３００μｍの樹脂組成物層を形成した。ＳＵＳ板を剥がし、樹脂組成物層を１８０℃９０分の加熱により熱硬化させて、樹脂組成物の硬化材料からなる硬化膜を得た。この硬化膜を、ダンベル状１号形に切り出し、試験片を得た。該試験片を、オリエンテック社製引張試験機「ＲＴＣ－１２５０Ａ」を用いて引張強度測定を行い、２５℃における弾性率を求めた。測定は、ＪＩＳ Ｋ７１２７に準拠して実施した。この弾性率の測定を３回行い、その平均値を硬化材料の引張弾性率として採用した。

［結果］
実施例及び比較例の結果を、下記の表に示す。

［検討］
硬化体研磨面の凹みの深さの測定のために撮影した硬化層の断面ＳＥＭ画像から、いずれの実施例及び比較例でも、硬化体研磨面に凹みがあることを確認された。
硬化体研磨面にある凹みには、無機充填材の粒子が研磨されることで硬化体研磨面に現れた充填材面部分に形成された凹みが含まれていた。この凹みは、無機充填材に含まれる中空充填材粒子が研磨されることにより、その中空部が開口して形成されたものと考えられる。
また、硬化体研磨面にある別の凹みには、周囲を樹脂成分（無機充填材以外の成分）に囲まれた凹みが含まれていた。この凹みは、硬化層の研磨の際に、無機充填材の粒子が外れることで、その外れた粒子の跡として形成されたものと考えられる。

表１から分かるように、これらの凹みの最大深さは、実施例では１０μｍ未満である。そのため、硬化層の硬化体研磨面に感光性ポリイミド樹脂を均一に塗布できるので、表面の平坦性に優れた薄膜層を得ることができる。このような薄膜層上には、微細な再配線層を形成することが可能であることから、再配線層の形成に適している。

また、表１から分かるように、実施例で得られた樹脂組成物の硬化材料は、誘電正接及び引張弾性率のいずれも優れる。よって、樹脂組成物の硬化材料は、絶縁層の材料として好適である。

前記の実施例１～４において、（Ｄ）成分～（Ｆ）成分を含有しない場合であっても、程度に差はあるものの、上記実施例と同様の結果に帰着することを確認している。

１００ 硬化体
１００Ｕ 研磨面
１１０ 凹み
２００ 中空充填材粒子
２１０ 中空部
３００ 硬化体
３００Ｕ 研磨面
３１０ 凹み
３２０ 無機充填材の粒子
４００ 硬化体
４００Ｕ 研磨面
４１０ 凹み
４２０ 中空充填材粒子
４２０Ｕ 充填材面部分
４３０ 中空部
５００ 配線板
５００Ｕ 構造体研磨面
５１０ 硬化層
５１０Ｕ 硬化体研磨面
５２０ 配線層
５２０Ｕ 端子研磨面
５３０ 基材
５３１ 基板
５３２ 第一金属層
５３３ 第二金属層
５４０ 配線層付基材
６００ 部品内蔵回路基板
６００Ｕ 構造体研磨面
６１０ 基板
６１０Ｈ キャビティ
６１１ 配線層
６２０ 硬化層
６２０Ｕ 硬化体研磨面
６３０ 絶縁層
６４０ 部品
６４１ 端子
６４１Ｕ 端子研磨面
６５０ 仮付材
６６０ 部品仮付基材
７００ 配線板
７００Ｕ 構造体研磨面
７３０ チップ
７３１ ピラー部
７３１Ｕ 端子研磨面
８００ 部品内蔵回路基板
８００Ｕ 構造体研磨面
８１１Ｕ 端子研磨面
８４０ 部品
８４１ 端子
９００ 構造体
９００Ｕ 構造体研磨面
９１０ 硬化層
９１０Ｕ 硬化体研磨面
９２０ 接続端子部
９２０Ｕ 端子研磨面
９３０ 薄膜層
９３０Ｈ ビアホール
９４０ 再配線層

Claims (13)

1. （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填材を含む樹脂組成物を硬化した硬化材料で形成され、（Ｃ）無機充填材が研磨されて形成された充填材面部分を含む研磨面を有する硬化体であって、
   （Ｃ）無機充填材の平均粒径が、０．５μｍ以上であり、
   （Ｃ）無機充填材の最大粒子径が、１５μｍ未満であり、
   前記研磨面に存在する凹みの最大深さが、１０μｍ未満であり、
   前記硬化材料の２５℃における引張弾性率が、５ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下である、硬化体。
2. （Ｂ）成分が、フェノール系硬化剤又は酸無水物系硬化剤である、請求項１に記載の硬化体。
3. （Ｃ）成分の平均粒径が、２．０μｍ以上である、請求項１又は２に記載の硬化体。
4. （Ｃ）成分が、アミノシラン化合物又はエポキシシラン化合物で処理されている、請求項１～３のいずれか一項に記載の硬化体。
5. 前記充填材面部分に、深さ１０μｍ未満の凹みが形成されている、請求項１～４のいずれか一項に記載の硬化体。
6. （Ｃ）成分が、内部に中空部を形成された中空充填材粒子を含み、
   （Ｃ）成分に含まれる前記中空充填材粒子の中空部の長径が最大でも５μｍ未満である、請求項１～５のいずれか一項に記載の硬化体。
7. 前記硬化体が、前記研磨面に再配線層を形成されるためのものである、請求項１～６のいずれか一項に記載の硬化体。
8. 前記硬化体が、前記研磨面と面一な表面部分を有する接続端子部と組み合わせて構造体に含まれ、前記研磨面に再配線層を形成されるためのものである、請求項１～７のいずれか一項に記載の硬化体。
9. 前記硬化体が、前記研磨面に薄膜層を形成された後に再配線層を形成されるためのものである、請求項１～８のいずれか一項に記載の硬化体。
10. 前記樹脂組成物によって樹脂組成物層を形成する工程と、
    前記樹脂組成物を硬化させて、硬化体を得る工程と、
    前記硬化体を研磨する工程と、を含む、請求項１～９のいずれか一項に記載の硬化体の製造方法。
11. 支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を備え、
    前記樹脂組成物が、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填材を含み、
    （Ｃ）無機充填材の平均粒径が、０．５μｍ以上であり、
    （Ｃ）無機充填材の最大粒子径が、１５μｍ未満であり、
    前記樹脂組成物を１８０℃１時間で硬化して硬化体を得て、（Ｃ）無機充填材を研磨しうるように前記硬化体を研磨して、算術平均粗さ５００ｎｍ以下の研磨面を形成した場合、前記研磨面に存在する凹みの最大深さが、１０μｍ未満であり、
    前記樹脂組成物を１８０℃９０分で硬化した硬化材料の２５℃における引張弾性率が、５ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下である、樹脂シート。
12. （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填材を含み、
    （Ｃ）無機充填材の平均粒径が、０．５μｍ以上であり、
    （Ｃ）無機充填材の最大粒子径が、１５μｍ未満である、液状の樹脂組成物であって、
    前記樹脂組成物を１８０℃１時間で硬化して硬化体を得て、（Ｃ）無機充填材を研磨しうるように前記硬化体を研磨して、算術平均粗さ５００ｎｍ以下の研磨面を形成した場合、前記研磨面に存在する凹みの最大深さが、１０μｍ未満であり、
    前記樹脂組成物を１８０℃９０分で硬化した硬化材料の２５℃における引張弾性率が、５ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下である、樹脂組成物。
13. 再配線層を形成される研磨面を有する硬化体を得るための樹脂組成物であって、
    前記樹脂組成物が、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填材を含み、
    前記研磨面が、（Ｃ）成分が研磨されて形成された充填材面部分を含み、
    （Ｃ）成分の平均粒径が、０．５μｍ以上であり、
    （Ｃ）成分が、アミノシラン化合物又はエポキシシラン化合物で処理されており、
    （Ｃ）成分が、内部に中空部を形成された中空充填材粒子を含み、
    （Ｃ）成分に含まれる前記中空充填材粒子の中空部の長径が最大でも５μｍ未満であり、
    （Ｃ）成分の最大粒子径が１５μｍ未満であり、
    前記樹脂組成物を１８０℃９０分で硬化した硬化材料の２５℃における引張弾性率が、５ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下である、樹脂組成物。

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