TWI820004B - 樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

本發明的課題為提供一種抑制翹曲，強度及密著性優異之樹脂組成物；使用該組成物之樹脂薄片、電路基板及半導體晶片封裝。 　　本發明的解決手段係關於含有(a)於分子內具有聚碳酸酯構造之彈性體、(b)環氧樹脂、(c)無機填充材、(d)苯氧基樹脂及(e)碳二亞胺化合物之樹脂組成物等。

Description

樹脂組成物

[0001] 本發明係關於樹脂組成物。進而係關於使用樹脂組成物之樹脂薄片、電路基板及半導體晶片封裝。

[0002] 近年來，所謂智慧型手機、平板PC之小型高機能電子裝置的需要增大，伴隨此，此等小型之電子裝置所使用之半導體封裝用絕緣材料(絕緣層)亦正尋求更高機能化。 　　例如，扇出(Fan-out)型晶圓等級晶片尺寸封裝(Wafer Level Package)所使用之模具密封用之絕緣層，尋求翹曲之抑制、將樹脂晶圓從暫時固定膠帶剝離時之充分的強度、對再配線用絕緣層(例如氮化矽或聚醯亞胺等)之充分的密著性。又，具備嵌入型之配線層之配線板所使用之絕緣層，尋求翹曲之抑制、剝離芯基板時之充分的強度、對銅之充分的密著性。 　　專利文獻1中，揭示有作為低彈性率之熱硬化性樹脂組成物，含有特定之線狀改質聚醯亞胺樹脂與熱硬化性樹脂之熱硬化性樹脂組成物。然而，如此之低彈性率的絕緣材料，從與其他樹脂之相溶性的觀點來看，尚未達到限定樹脂組成物之設計，至滿足所要求之特性，乃為現狀。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0003] 　　[專利文獻1]日本特開2006-37083號公報

[發明欲解決之課題] 　　[0004] 本發明係解決上述課題而完成者，提供一種抑制翹曲，強度及密著性優異之樹脂組成物、使用該樹脂組成物之樹脂薄片、電路基板及半導體晶片封裝。 [用以解決課題之手段] 　　[0005] 本發明者們發現，含有(a)於分子內具有聚碳酸酯構造之彈性體、(b)環氧樹脂、(c)無機填充材、(d)苯氧基樹脂及(e)碳二亞胺化合物之樹脂組成物，抑制翹曲，強度及密著性優異，而終至完成本發明。 　　[0006] 亦即，本發明係包含以下之內容。 　　[1] 一種樹脂組成物，其係含有(a)於分子內具有聚碳酸酯構造之彈性體、(b)環氧樹脂、(c)無機填充材、(d)苯氧基樹脂及(e)碳二亞胺化合物。 　　[2] 如[1]所記載之樹脂組成物，其中，(c)成分的含量係將樹脂組成物之不揮發成分定為100質量%的情況下，為75質量%～95質量%。 　　[3] 如[1]或[2]所記載之樹脂組成物，其中，(a)成分的含量係將去除(c)成分之樹脂組成物之不揮發成分定為100質量%的情況下，為30質量%～85質量%。 　　[4] 如[1]～[3]中任一項記載之樹脂組成物，其中，使樹脂組成物於180℃熱硬化1小時之硬化物在23℃之彈性率為8GPa以上。 　　[5] 如[1]～[4]中任一項記載之樹脂組成物，其中，(a)成分係具有式(1-a)表示之構造及式(1-b)表示之構造的樹脂，[式中，R1係表示去除聚碳酸酯二醇的羥基之殘基，R2係表示去除多元酸或其酐的羧基或酸酐基之殘基，R3係表示去除二異氰酸酯化合物的異氰酸酯基之殘基]。 　　[6] 如[1]～[5]中任一項記載之樹脂組成物，其中，(a)成分具有可與(b)成分進行反應之官能基。 　　[7] 如[1]～[6]中任一項記載之樹脂組成物，其中，(a)成分具有酚性羥基。 　　[8] 如[1]～[7]中任一項記載之樹脂組成物，其係進一步包含(f)硬化劑，該硬化劑選自酚系硬化劑中之1種以上。 　　[9] 如[1]～[8]中任一項記載之樹脂組成物，其係半導體晶片封裝之絕緣層用樹脂組成物。 　　[10] 一種樹脂薄片，其係具有支持體、與樹脂組成物層，該樹脂組成物層係包含設置在該支持體上之如[1]～[9]中任一項記載之樹脂組成物。 　　[11] 如[10]所記載之樹脂薄片，其係半導體晶片封裝之絕緣層用樹脂薄片。 　　[12] 一種電路基板，其係包含藉由如[1]～[9]中任一項記載之樹脂組成物的硬化物形成之絕緣層。 　　[13] 一種半導體晶片封裝，其係於如[12]所記載之電路基板上搭載半導體晶片。 　　[14] 一種半導體晶片封裝，其係包含如[1]～[9]中任一項記載之樹脂組成物、或藉由[10]所記載之樹脂薄片密封之半導體晶片。 [發明的效果] 　　[0007] 根據本發明，可提供一種得到抑制翹曲，強度及密著性優異之硬化物(絕緣層)之樹脂組成物；使用該組成物之樹脂薄片、電路基板及半導體晶片封裝。

[0008] 以下，針對本發明之樹脂組成物、樹脂薄片、電路基板及半導體晶片封裝進行詳細說明。 　　[0009] [樹脂組成物] 　　本發明之樹脂組成物可包含(a)於分子內具有聚碳酸酯構造之彈性體、(b)環氧樹脂、(c)無機填充材、(d)苯氧基樹脂及(e)碳二亞胺化合物。如有必要，可進一步包含(f)硬化劑、(g)硬化促進劑及(h)阻燃劑。以下，針對樹脂組成物所包含之各成分進行詳細說明。 　　[0010] ＜(a)於分子內具有聚碳酸酯構造之彈性體＞ 　　本發明之樹脂組成物係包含(a)於分子內具有聚碳酸酯構造之彈性體。藉由包含如(a)成分之柔軟樹脂，可得到絕緣信賴性優異，抑制翹曲的發生，線熱膨脹係數低之絕緣層。 　　在本發明，彈性體較佳為具有橡膠彈性之樹脂、或進行聚合或固形化而顯示橡膠彈性之樹脂。作為橡膠彈性，例如依據日本工業規格(JIS K7161)，在溫度25℃、濕度40%RH，進行拉伸試驗的情況下，較佳為顯示1GPa以下之彈性率之樹脂。 　　[0011] (a)成分之彈性體從抑制翹曲的觀點來看，較佳為選自玻璃轉移溫度(Tg)為25℃以下之樹脂及於25℃為液狀之樹脂中之1種以上的樹脂。 　　[0012] 玻璃轉移溫度(Tg)為25℃以下之樹脂的玻璃轉移溫度較佳為20℃以下，更佳為15℃以下。玻璃轉移溫度的下限雖並未特別限定，但通常可成為-15℃以上。又，作為於25℃為液狀之樹脂，較佳為於20℃以下為液狀之樹脂，更佳為於15℃以下為液狀之樹脂。 　　[0013] 作為(a)成分之適合的一實施形態，係具有式(1-a)表示之構造(胺基甲酸乙酯及聚碳酸酯構造以下有時簡稱為「構造(1-a)」)及式(1-b)表示之構造(醯亞胺構造以下有時簡稱為「構造(1-b)」)的樹脂。 　　[0014][0015] [式中，R1係表示去除聚碳酸酯二醇的羥基之殘基，R2係表示去除多元酸或其酐的羧基或酸酐基之殘基，R3係表示去除二異氰酸酯化合物的異氰酸酯基之殘基]。 　　尚，上述化學式之末端並非甲基而是表示鍵結位置。其他化學式亦相同。 　　[0016] 前述聚碳酸酯二醇之數平均分子量，從樹脂組成物之硬化物之柔軟性的觀點及從成分(A)之溶劑溶解性的觀點來看，較佳為500～5,000，更佳為1,000～3,000。前述聚碳酸酯二醇之羥基當量，從樹脂組成物之硬化物之柔軟性的觀點及從耐藥品性的觀點來看，較佳為250～1,250，更佳為500～1,000。 　　[0017] 作為前述二異氰酸酯化合物，例如可列舉甲苯-2,4-二異氰酸酯、甲苯-2,6-二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯等之芳香族二異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯等之脂肪族二異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯等之脂環式二異氰酸酯。此等當中，較佳為芳香族二異氰酸酯，更佳為甲苯-2,4-二異氰酸酯。 　　[0018] 作為前述多元酸或其酐，例如可列舉苯均四酸、二苯甲酮四羧酸、聯苯四羧酸、萘四羧酸、5-(2,5-二氧四氫呋喃基)-3-甲基-環己烯-1,2-二羧酸、3,3’-4,4’-二苯基碸四羧酸等之四元酸及此等之酐、偏苯三酸、環己烷三羧酸等之三元酸及此等之酐、1,3,3a,4,5,9b-六氫-5-(四氫-2,5-二氧代-3-呋喃基)-萘并(1,2-C)呋喃-1,3-二酮等。此等當中，較佳為四元酸酐，更佳為四元酸二酐，再更佳為二苯甲酮四羧酸二酐。 　　[0019] R1較佳為式(1-c)表示之2價基，[0020] [式中，k+1個之R4分別獨立表示可具有取代基之碳數1～20之伸烷基，k係表示5～30之整數]。 　　[0021] R4之伸烷基可為直鏈狀，亦可為分枝鏈狀。作為R4之伸烷基可具有之取代基，例如可列舉鹵素原子、碳數4～8之環烷基、碳數6～14之芳基。R4之伸烷基較佳為無取代。 　　[0022] 作為鹵素原子，例如可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。 　　作為碳數4～8之環烷基，例如可列舉環戊基、環己基、環庚基。 　　作為碳數6～14之芳基，例如可列舉苯基、1-萘基、2-萘基、1-蔥基、2-蔥基、9-蔥基。 　　[0023] k+1個之R4分別獨立為，較佳為碳數1～20之伸烷基，更佳為碳數2～18之伸烷基，再更佳為碳數3～16之伸烷基。k較佳為5～25之整數，更佳為5～20之整數。 　　[0024] R2較佳為選自由下述式中之任一種表示之4價基的群組中之1種以上， 　　[0025][0026] [式中，A係表示氧原子、硫原子、CO、SO、SO₂ 、CH₂ 、CH(CH₃ )、C(CH₃ )₂ 、C(CF₃ )₂ 、或C(CCl₃ )₂ 。式中，與碳原子鍵結之氫原子可用選自鹵素原子及碳數1～8之烷基中之取代基取代]。 　　[0027] 上述式表示之R2(4價基)當中，較佳為具有芳香環之4價基，更佳為具有2個以上芳香環之4價基，最佳為下述式表示之4價基， 　　[0028][0029] [式中，A係表示氧原子、硫原子、CO、SO、SO₂ 、CH₂ 、CH(CH₃ )、C(CH₃ )₂ 、C(CF₃ )₂ ，或C(CCl₃ )₂ 。式中，與碳原子鍵結之氫原子可用選自鹵素原子及碳數1～8之烷基中之取代基取代]。 　　[0030] A較佳為CO。 　　[0031] 與上述式中之碳原子鍵結之氫原子(即，與R2之4價基中之碳原子鍵結之氫原子)，可用選自鹵素原子及碳數1～8之烷基中之取代基取代。該氫原子較佳為未被取代。 　　[0032] 作為鹵素原子，可列舉上述者。 　　烷基可為直鏈狀亦可為分枝鏈。作為碳數1～8之烷基，例如可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基、1-乙基丙基、己基、異己基、1,1-二甲基丁基、2,2-二甲基丁基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、辛基。 　　[0033] R3較佳為選自由下述式中之任一種表示之2價基的群組中之1種以上， 　　[0034][0035] [式中，與碳原子鍵結之氫原子可用選自鹵素原子及碳數1～8之烷基中之取代基取代]。 　　尚，上述式之末端並非甲基而是表示鍵結位置。例如，上述式之最後並非辛烷，而是表示六亞甲基。 　　[0036] 與上述式中之碳原子鍵結之氫原子(即，與R3之2價基中之碳原子鍵結之氫原子)，可用選自鹵素原子及碳數1～8之烷基中之取代基(較佳為碳數1～8之烷基，更佳為碳數1～6之烷基，最佳為甲基)取代。 　　[0037] 作為鹵素原子及碳數1～8之烷基，可列舉上述者。作為碳數1～6之烷基，例如可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基、1-乙基丙基、己基、異己基、1,1-二甲基丁基、2,2-二甲基丁基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基。 　　[0038] 上述式表示之R3(2價基)當中，較佳為具有芳香環或脂環式環之2價基，更佳為具有脂環式環之2價有機基。具有芳香環之2價基的情況下，較佳為下述式之任一種表示之2價基， 　　[0039][0040] [式中，與碳原子鍵結之氫原子可用碳數1～8之烷基(較佳為碳數1～6之烷基，更佳為甲基)取代]。 　　特佳為4-甲基-1,3-伸苯基(即，去除甲苯-2,4-二異氰酸酯的異氰酸酯基之殘基)。 　　[0041] 作為(a)成分，較佳為具有可與後述之(b)成分進行反應之官能基。 　　[0042] 在適合之一實施形態，可與(b)成分進行反應之官能基，為選自由羥基(更佳為酚性羥基)、羧基、酸酐基、胺基、環氧基、異氰酸酯基及胺基甲酸乙酯基所構成之群組中之1種以上的官能基。其中，作為該官能基，較佳為羥基、酸酐基、環氧基、異氰酸酯基，更佳為羥基、酸酐基、環氧基。 　　[0043] 數平均分子量(Mn)較佳為1,000～100,000，更佳為5,000～50,000，更佳為7,500～30,000，再更佳為10,000～15,000。於此，樹脂之數平均分子量(Mn)係使用GPC(凝膠滲透層析)測定之聚苯乙烯換算的數平均分子量。 　　[0044] 具有官能基時之官能基當量較佳為100～10000，更佳為200～5000。尚，所謂官能基當量，係包含1克當量之官能基的樹脂之克數。例如，環氧基當量可依JIS K7236測定。羥基當量可藉由以依JIS K1557-1測定之羥基價除以KOH的分子量算出。 　　[0045] 作為(a)成分之適合的一實施形態，較佳為玻璃轉移溫度為25℃以下之聚碳酸酯樹脂，較佳為選自由含有羥基之聚碳酸酯樹脂(更佳為含有酚性羥基之聚碳酸酯樹脂)、含有羧基之聚碳酸酯樹脂、含有酸酐基之聚碳酸酯樹脂、含有環氧基之聚碳酸酯樹脂、含有異氰酸酯基之聚碳酸酯樹脂及含有胺基甲酸乙酯基之聚碳酸酯樹脂所構成之群組中之1種以上的樹脂。於此，所謂「聚碳酸酯樹脂」，係指含有聚碳酸酯構造之樹脂，在此等之樹脂，聚碳酸酯構造可包含在主鏈，亦可包含在側鏈。 　　[0046] 樹脂組成物中之(a)成分的含量從賦予柔軟性的觀點來看，將去除(c)成分之樹脂組成物的不揮發成分定為100質量%的情況下，較佳為85質量%以下，更佳為80質量%以下，再更佳為75質量%以下，又再更佳為73質量%以下。又，下限較佳為30質量%以上，更佳為35質量%以上，再更佳為45質量%以上，又再更佳為55質量%以上。 　　[0047] ＜(b)環氧樹脂＞ 　　樹脂組成物係包含環氧樹脂。作為環氧樹脂，例如可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、參酚型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、具有酯骨架之脂環式環氧樹脂、tert-丁基-兒茶酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蔥型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯構造之環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含有螺環之環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、伸萘醚型環氧樹脂、三羥甲基型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂等。環氧樹脂可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。 　　[0048] 環氧樹脂較佳為包含於1分子中具有2個以上環氧基之環氧樹脂。將環氧樹脂的不揮發成分定為100質量%的情況下，較佳為至少50質量%以上為於1分子中具有2個以上環氧基之環氧樹脂。其中，較佳為包含於1分子中具有2個以上環氧基，且於溫度20℃為液狀之環氧樹脂(以下稱為「液狀環氧樹脂」)、與於1分子中具有3個以上環氧基，且於溫度20℃為固體狀之環氧樹脂(以下稱為「固體狀環氧樹脂」)。作為環氧樹脂，藉由併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂，而得到具有優異可撓性之樹脂組成物。又，亦提昇樹脂組成物之硬化物的斷裂強度。 　　[0049] 作為液狀環氧樹脂，較佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、具有芳香族構造之縮水甘油酯型環氧樹脂、具有芳香族構造之縮水甘油胺型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、具有芳香族構造之具有酯骨架之脂環式環氧樹脂、具有具芳香族構造之環己烷二甲醇型環氧樹脂及具有芳香族構造之丁二烯構造之環氧樹脂，更佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂及萘型環氧樹脂，再更佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂。作為液狀環氧樹脂之具體例，可列舉DIC公司製之「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂)、三菱化學公司製之「828US」、「jER828EL」(雙酚A型環氧樹脂)、「JER806」、「jER807」(雙酚F型環氧樹脂)、「jER152」(酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「630」、「630LSD」(胺基酚型環氧樹脂)、新日鐵住金化學公司製之「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之混合品)、Nagase ChemteX公司製之「EX-721」(縮水甘油酯型環氧樹脂)、Daicel公司製之「Celoxide2021P」(具有酯骨架之脂環式環氧樹脂)、新日鐵化學公司製之「ZX1658」、「ZX1658GS」(液狀1,4-縮水甘油環己烷)。此等可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。 　　[0050] 樹脂組成物中之液狀環氧樹脂的含量，將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，從提昇(a)成分之相溶性的觀點來看，較佳為1質量%以上，更佳為2質量%以上，再更佳為2.5質量%以上。環氧樹脂的含量的上限，只要能發揮本發明的效果，雖並未特別限定，但較佳為15質量%以下，更佳為10質量%以下，再更佳為5質量%以下。 　　[0051] 液狀環氧樹脂的環氧當量較佳為50～5000，更佳為50～3000，再更佳為80～2000，又再更佳為110～1000。藉由成為此範圍，樹脂組成物之硬化物的交聯密度變充分，將硬化物作為絕緣層使用時，可帶來表面粗糙度較小之絕緣層。尚，液狀環氧樹脂之環氧當量可依JIS K7236測定，為包含1當量之環氧基之樹脂的質量。 　　[0052] 液狀環氧樹脂之重量平均分子量較佳為100～5000，更佳為250～3000，再更佳為400～1500。於此，液狀環氧樹脂之重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析(GPC)法測定之聚苯乙烯換算的重量平均分子量。 　　[0053] 作為固體狀環氧樹脂，較佳為萘型4官能環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、具有芳香族構造之雙環戊二烯型環氧樹脂、參酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、伸萘醚型環氧樹脂、蔥型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂，更佳為萘型4官能環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂及聯苯型環氧樹脂、伸萘醚型環氧樹脂，再更佳為萘型4官能環氧樹脂、伸萘醚型環氧樹脂。作為固體狀環氧樹脂之具體例，可列舉DIC公司製之「HP4032H」(萘型環氧樹脂)、「HP-4700」、「HP-4710」(萘型4官能環氧樹脂)、「N-690」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「N-695」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「HP-7200」、「HP-7200L」、「HP-7200HH」、「HP-7200H」、「HP-7200HHH」(雙環戊二烯型環氧樹脂)、「EXA7311」、「EXA7311-G3」、「EXA7311-G4」、「EXA7311-G4S」、「HP6000」(伸萘醚型環氧樹脂)、日本化藥公司製之「EPPN-502H」(參酚型環氧樹脂)、「NC7000L」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯型環氧樹脂)、新日鐵住金化學公司製之「ESN475V」(萘酚型環氧樹脂)、「ESN485」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)、三菱化學公司製之「YX4000H」、「YL6121」(聯苯型環氧樹脂)、「YX4000HK」(二甲酚型環氧樹脂)、「YL7760」(雙酚AF型環氧樹脂)、「YX8800」(蔥型環氧樹脂)、大阪Gas Chemicals公司製之「PG-100」、「CG-500」、三菱化學公司製之「YL7800」(茀型環氧樹脂)、三菱化學公司製之「jER1010」(固體狀雙酚A型環氧樹脂)、「jER1031S」(四苯基乙烷型環氧樹脂)、「157S70」(雙酚酚醛清漆型環氧樹脂)、三菱化學公司製之「YX4000HK」(二甲酚型環氧樹脂)、「YX8800」(蔥型環氧樹脂)、大阪Gas Chemicals公司製之「PG-100」、「CG-500」、三菱化學公司製之「YL7800」(茀型環氧樹脂)、三菱化學公司製之「jER1031S」(四苯基乙烷型環氧樹脂)等。此等可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。 　　[0054] 樹脂組成物中之固體狀環氧樹脂的含量，將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，從調整樹脂組成物黏度的觀點來看，較佳為0.1質量%以上，更佳為0.2質量%以上，再更佳為0.3質量%以上。環氧樹脂的含量的上限，只要能發揮本發明的效果，雖並未特別限定，但較佳為10質量%以下，更佳為5質量%以下，再更佳為1質量%以下。 　　[0055] 固體狀環氧樹脂之環氧當量較佳為50～5000，更佳為50～3000，再更佳為80～2000，又再更佳為110～1000。藉由成為此範圍，硬化物的交聯密度變充分，可帶來表面粗糙度較小之絕緣層。尚，固體狀環氧樹脂之環氧當量可依JIS K7236測定，為包含1當量之環氧基之樹脂的質量。 　　[0056] 固體狀環氧樹脂之重量平均分子量較佳為100～5000，更佳為250～3000，再更佳為400～1500。於此，固體狀環氧樹脂之重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析(GPC)法測定之聚苯乙烯換算的重量平均分子量。 　　[0057] 將液狀環氧樹脂的含量定為B1(質量%)，固體狀環氧樹脂的含量定為B2(質量%)時，從調整熔融黏度的觀點來看，較佳為滿足B1＞B2的關係。又，B1及B2的差(B1-B2)較佳為0.1質量%以上，更佳為0.2質量%以上，再更佳為0.3質量%以上、0.5質量%以上、或1質量%以上。差(B1-B2)的上限雖並未特別限定，但通常可成為10質量%以下、5質量%以下等。 　　[0058] 液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂的量比(固體狀環氧樹脂/液狀環氧樹脂)，以質量比較佳為0.01～1的範圍。藉由將液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂的量比定為該範圍，得到i)以樹脂薄片的形態使用時帶來適度的黏著性、ii)以樹脂薄片的形態使用時得到充分之可撓性，提昇操作性以及iii)可得到具有充分斷裂強度之硬化物等之效果。從上述i)～iii)之效果的觀點來看，液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂的量比(固體狀環氧樹脂/液狀環氧樹脂)以質量比，更佳為0.05～0.8的範圍，再更佳為0.1～0.5的範圍。 　　[0059] ＜(c)無機填充材＞ 　　樹脂組成物包含(c)無機填充材。無機填充材之材料雖並未特別限定，但例如可列舉二氧化矽、氧化鋁、玻璃、堇青石、矽氧化物、硫酸鋇、碳酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氧化鋅、水滑石、勃姆石、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、碳酸鍶、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、氧化鋯、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鋇、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯及磷酸鎢酸鋯等。此等當中，適合二氧化矽或氧化鋁，尤其適合二氧化矽。又，作為二氧化矽，較佳為球形二氧化矽。無機填充材可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。 　　[0060] 無機填充材之平均粒徑，從提昇電路嵌入性，得到表面粗糙度低之絕緣層的觀點來看，較佳為5μm以下，更佳為2.5μm以下，再更佳為2.2μm以下，更佳為2μm以下。該平均粒徑的下限雖並未特別限定，但較佳為0.01μm以上，更佳為0.05μm以上，再更佳為0.1μm以上。作為具有如此之平均粒徑之無機填充材的市售品，例如可列舉Admatechs公司製「YC100C」、「YA050C」、「YA050C-MJE」、「YA010C」、電氣化學工業公司製「UFP-30」、德山公司製「Sifil NSS-3N」、「Sifil NSS-4N」、「Sifil NSS-5N」、Admatechs公司製「SC2500SQ」、「SO-C6」、「SO-C4」、「SO-C2」、「SO-C1」等。 　　[0061] 無機填充材之平均粒徑可根據米氏(Mie)散射理論藉由雷射繞射暨散射法測定。具體而言，藉由雷射繞射散射式粒度分布測定裝置，將無機填充材之粒度分布以體積基準作成，可藉由將其中位徑作為平均粒徑來測定。測定樣品較佳可使用將無機填充材藉由超音波而使其分散於水中者。作為雷射繞射散射式粒度分布測定裝置，可使用堀場製作所公司製「LA-500」等。 　　[0062] 無機填充材從提高耐濕性及分散性的觀點來看，較佳為以胺基矽烷系偶合劑、環氧矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、矽烷系偶合劑、烷氧基矽烷化合物、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系偶合劑等之1種以上的表面處理劑處理。作為表面處理劑之市售品，例如可列舉信越化學工業公司製「KBM403」(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)、信越化學工業公司製「KBM103」(苯基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM-4803」(長鏈環氧型矽烷偶合劑)等。 　　[0063] 藉由表面處理劑之表面處理的程度可藉由每一無機填充材之單位表面積之碳量來評估。每一無機填充材之單位表面積之碳量，從無機填充材之分散性提昇的觀點來看，較佳為0.02mg/m² 以上，更佳為0.1mg/m² 以上，再更佳為0.2mg/m² 以上。另外，從防止樹脂清漆之熔融黏度或以薄片形態之熔融黏度的上昇觀點來看，較佳為1mg/m² 以下，更佳為0.8mg/m² 以下，再更佳為0.5mg/m² 以下。 　　[0064] 每一無機填充材之單位表面積之碳量，可將表面處理後之無機填充材藉由溶劑(例如甲基乙基酮(MEK))進行洗淨處理後來測定。具體而言，作為溶劑係將充分量之MEK加在以表面處理劑進行表面處理之無機填充材，再以25℃超音波洗淨5分鐘。去除上清液，使固形分乾燥後，可使用碳分析計測定每一無機填充材之單位表面積之碳量。作為碳分析計，可使用堀場製作所公司製「EMIA-320V」等。 　　[0065] 樹脂組成物中之無機填充材的含量較佳為75質量%～95質量%。較佳為78質量%以上，更佳為80質量%以上，再更佳為83質量%以上。上限從絕緣層之機械強度，尤其是從延伸的觀點來看，較佳為90質量%以下。 　　[0066] ＜(d)苯氧基樹脂＞ 　　本發明之樹脂組成物作為(d)成分，係包含苯氧基樹脂。 　　[0067] 從得到機械強度良好之絕緣層的觀點來看，苯氧基樹脂之重量平均分子量較佳為10000以上，更佳為15000以上，再更佳為20000以上，又再更佳為25000以上或30000以上。從得到良好之相溶性的觀點來看，熱塑性樹脂之重量平均分子量的上限較佳為200000以下，更佳為180000以下，再更佳為160000以下，又再更佳為150000以下。熱塑性樹脂之重量平均分子量，例如可用凝膠滲透層析(GPC)法測定。詳細而言，熱塑性樹脂之重量平均分子量(聚苯乙烯換算)可使用(股)島津製作所製LC-9A/RID-6A作為測定裝置，使用昭和電工(股)製Shodex K-800P/K-804L/K-804L作為管柱，使用氯仿等作為移動相，在管柱溫度40℃測定，使用標準聚苯乙烯之檢量線算出。 　　[0068] 在(a)於分子內具有聚碳酸酯構造之彈性體、(b)環氧樹脂、(c)無機填充材及(e)碳二亞胺化合物的組合，從得到強度及密著性的觀點，尤其是得到優異之密著性的觀點來看，熱塑性樹脂較佳為具有選自由氧原子、氮原子及硫原子所構成之群組中之1種以上的原子或含有碳-碳雙鍵之官能基。作為該官能基，可列舉選自由羥基、羧基、酸酐基、環氧基、胺基、硫醇基、烯醇基、烯胺基、脲基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫異氰酸酯基、二醯亞胺基、烯基、丙二烯基及烯酮基所構成之群組中之1種以上。作為酸酐基，較佳羧酸酐基。作為烯基之適合的例，可列舉乙烯基、烯丙基、苯乙烯基。藉由使用具有該官能基之熱塑性樹脂，所得之絕緣層的玻璃轉移溫度有提高的傾向，可實現顯示良好耐熱性之絕緣層。熱塑性樹脂包含該官能基的情況下，熱塑性樹脂之官能基當量較佳為100000以下，更佳為90000以下、80000以下、70000以下、60000以下、50000以下、40000以下、30000以下、20000以下、10000以下、8000以下、6000以下或5000以下。該官能基當量的下限雖並未特別限定，但通常可成為50以上、100以上等。 　　[0069] 作為苯氧基樹脂，例如可列舉具有選自由雙酚A骨架、雙酚F骨架、雙酚S骨架、雙酚苯乙酮骨架、酚醛清漆骨架、聯苯骨架、茀骨架、雙環戊二烯骨架、降莰烯骨架、萘骨架、蔥骨架、金剛烷骨架、萜烯骨架及三甲基環己烷骨架所構成之群組中之1種以上骨架的苯氧基樹脂。苯氧基樹脂的末端可為酚性羥基、環氧基等之任一種官能基。作為苯氧基樹脂之具體例，可列舉三菱化學(股)製之「1256」及「4250」(皆為含有雙酚A骨架之苯氧基樹脂)、「YX8100」(含有雙酚S骨架之苯氧基樹脂)及「YX6954」(含有雙酚苯乙酮骨架之苯氧基樹脂)，其他，亦可列舉新日鐵住金化學(股)製之「FX280」及「FX293」、三菱化學(股)製之「YL7553」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及「YL7482」等。 　　[0070] ＜(e)碳二亞胺化合物＞ 　　本發明之樹脂組成物作為(e)成分，係包含碳二亞胺化合物。 　　[0071] 碳二亞胺化合物係於1分子中具有1個以上碳二亞胺基(-N=C=N-)之化合物，藉由與上述之(a)於分子內具有聚碳酸酯構造之彈性體、(b)環氧樹脂、(c)無機填充材及(d)苯氧基樹脂組合使用，可帶來強度及密著性優異之絕緣層。作為碳二亞胺化合物，較佳為於1分子中具有2個以上碳二亞胺基之化合物。碳二亞胺化合物可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。 　　[0072] 在一實施形態，本發明之樹脂組成物所包含之碳二亞胺化合物，含有下述式(2)表示之構造單位。 　　[0073](式(2)中，X係表示伸烷基、環伸烷基或伸芳基，此等可具有取代基；p係表示1～5之整數；X為複數存在的情況下，該等可為相同亦可為相異；*係表示鍵結部)。

X表示之伸烷基的碳原子數較佳為1~20，更佳為1~10，再更佳為1~6、1~4、或1~3。於該碳原子數未包含取代基之碳原子數。作為該伸烷基之適合的例，可列舉亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基。

X表示之環伸烷基的碳原子數較佳為3~20，更佳為3~12，再更佳為3~6。於該碳原子數未包含取代基之碳原子數。作為該環伸烷基之適合的例，可列舉環伸丙基、環伸丁基、環伸戊基、環伸己基。

X表示之伸芳基係從芳香族烴去除2個芳香環上之氫原子之基。該伸芳基之碳原子數較佳為6~24，更佳為6~18，再更佳為6~14，又再更佳為6~10。於該碳原子數未包含取代基之碳原子數。作為該伸芳基之適合的例，可列舉伸苯基、伸萘基、伸蒽基。

在與(a)於分子內具有聚碳酸酯構造之彈性體、(b)環氧樹脂、(c)無機填充材及(d)苯氧基樹脂之組合，從實現強度及密著性更為優異之絕緣層的觀點來看，較佳為X為伸烷基或環伸烷基，此等可具有取代基。

X表示之伸烷基、環伸烷基或伸芳基可具有取代基。作為該取代基，雖並未特別限定，但例如可列舉鹵素原子、烷基、烷氧基、環烷基、環烷氧基、芳基、芳氧基、醯基及醯氧基。作為取代基所使用之鹵素原子，例如可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。作為取代基使用之烷基、烷氧基可為直鏈狀、分支狀之任一種，其碳原子數較佳為1~20，更佳為1~10，再更佳為1~6、1~4、 或1~3。作為取代基使用之環烷基、環烷氧基的碳原子數，較佳為3~20，更佳為3~12，再更佳為3~6。作為取代基使用之芳基，係從芳香族烴去除1個芳香環上之氫原子之基，其碳原子數較佳為6~24，更佳為6~18，再更佳為6~14，又再更佳為6~10。作為取代基使用之芳氧基之碳原子數較佳為6~24，更佳為6~18，再更佳為6~14，又再更佳為6~10。作為取代基使用之醯基係指式：-C(=O)-R1表示之基(式中，R1係表示烷基或芳基)。R1表示之烷基可為直鏈狀、分支狀之任一種，其碳原子數較佳為1~20，更佳為1~10，再更佳為1~6、1~4、或1~3。R1表示之芳基之碳原子數較佳為6~24，更佳為6~18，再更佳為6~14，又再更佳為6~10。作為取代基使用之醯氧基係指式：-O-C(=O)-R1表示之基(式中，R1係表示與上述相同意義)。其中，作為取代基，較佳為烷基、烷氧基及醯氧基，更佳為烷基。

式(2)中，p係表示1~5之整數。在與(a)於分子內具有聚碳酸酯構造之彈性體、(b)環氧樹脂、(c)無機填充材及(d)苯氧基樹脂的組合，從在強度及密著性實現更為優異之絕緣層的觀點來看，p較佳為1~4，更佳為2~4，再更佳為2或3。

式(2)中，X為複數存在的情況下，該等可為相同亦可為相異。在適合之一實施形態，至少一個之X為伸烷基或環伸烷基，此等可具有取代基。

在適合之一實施形態，碳二亞胺化合物將碳二亞胺化合物之分子全體的質量定為100質量%時，較佳為在50質量%以上，更佳為60質量%以上，再更佳為70質量%以上，又再更佳為在80質量%以上或90質量%以上，含有式(2)表示之構造單位。碳二亞胺化合物係去除末端構造，可實質上成為來自式(2)表示之構造單位。作為碳二亞胺化合物之末端構造，雖並未特別限定，但例如可列舉烷基、環烷基及芳基，此等可具有取代基。作為末端構造使用之烷基、環烷基、芳基，可為與對於X表示之基可具有之取代基所說明之烷基、環烷基、芳基相同。又，作為末端構造使用之基可具有之取代基，可為與X表示之基可具有之取代基相同。 　　[0082] 從可抑制硬化樹脂組成物時之排氣(Outgas)的發生的觀點來看，碳二亞胺化合物之重量平均分子量較佳為500以上，更佳為600以上，再更佳為700以上，又再更佳為800以上，特佳為900以上或1000以上。又，從得到良好之相溶性的觀點來看，碳二亞胺化合物之重量平均分子量的上限較佳為5000以下，更佳為4500以下，再更佳為4000以下，又再更佳為3500以下，特佳為3000以下。碳二亞胺化合物之重量平均分子量，例如可用凝膠滲透層析(GPC)法(聚苯乙烯換算)測定。 　　[0083] 尚，碳二亞胺化合物係源自其製法，有於分子中含有異氰酸酯基(-N=C=O)的情況。從得到顯示良好之保存安定性之樹脂組成物的觀點，從而從實現顯示所期望特性之絕緣層的觀點來看，碳二亞胺化合物中之異氰酸酯基的含量(亦稱為「NCO含量」)，較佳為5質量%以下，更佳為4質量%以下，再更佳為3質量%以下，又再更佳為2質量%以下，特佳為1質量%以下或0.5質量%以下。 　　[0084] 碳二亞胺化合物可使用市售品。作為市售之碳二亞胺化合物，例如可列舉日清紡Chemical(股)製之Carbodilite(註冊商標)V-02B、V-03、V-04K、V-07及V-09、萊茵化學公司製之Stavaxol(註冊商標)P、P400及Hykagil 510。 　　[0085] 在與(a)於分子內具有聚碳酸酯構造之彈性體、(b)環氧樹脂、(c)無機填充材及(d)苯氧基樹脂的組合，從得到強度及密著性之任一種特性皆優異之絕緣層的觀點來看，樹脂組成物中之碳二亞胺化合物的含量較佳為1質量%以上，更佳為2質量%以上，再更佳為3質量%以上、4質量%以上或5質量%以上。碳二亞胺化合物的含量的上限雖並未特別限定，但較佳為30質量%以下，更佳為20質量%以下，再更佳為15質量%以下。 　　[0086] ＜(f)硬化劑＞ 　　樹脂組成物可包含(f)硬化劑。作為硬化劑，只要是具有硬化(b)成分等之樹脂的機能，則並未特別限定，例如可列舉酚系硬化劑(亦包含萘酚系硬化劑)、活性酯系硬化劑、苯并噁嗪系硬化劑及氰酸酯酯系硬化劑等。硬化劑可1種單獨使用用、或併用2種以上。(d)成分較佳為選自酚系硬化劑、活性酯系硬化劑及氰酸酯酯系硬化劑中之1種以上，更佳為選自酚系硬化劑及活性酯系硬化劑中之1種以上，再更佳為酚系硬化劑。 　　[0087] 作為酚系硬化劑，從耐熱性及耐水性的觀點來看，較佳為具有酚醛清漆構造之酚系硬化劑、或具有酚醛清漆構造之萘酚系硬化劑。又，從與配線層之密著性的觀點來看，較佳為含氮酚系硬化劑，更佳為含有三嗪骨架之酚系硬化劑。其中，從高度滿足耐熱性、耐水性及與配線層之密著性的觀點來看，較佳為含有三嗪骨架之酚酚醛清漆硬化劑。 　　[0088] 作為酚系硬化劑之具體例，可列舉明和化成公司製之「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、日本化藥公司製之「NHN」、「CBN」、「GPH」、新日鐵住金公司製之「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495V」、「SN375」、「SN395」、DIC公司製之「TD-2090」、「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-1356」、「LA-3018-50P」、「EXB-9500」、「HPC-9500」、「KA-1160」、「KA-1163」、「KA-1165」、群榮化學公司製之「GDP-6115L」、「GDP-6115H」、三菱瓦斯化學(股)製「OPE-1000」等。 　　[0089] 從得到與配線層之密著性優異之絕緣層的觀點來看，活性酯系硬化劑亦佳。作為活性酯系硬化劑，雖並未特別限制，但一般而言，係優選使用酚酯類、硫酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等之於1分子中具有2個以上反應活性高之酯基的化合物。該活性酯系硬化劑，較佳為藉由羧酸化合物及/或硫羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物的縮合反應所得者。尤其是從提昇耐熱性的觀點來看，較佳為從羧酸化合物與羥基化合物所得之活性酯系硬化劑，更佳為從羧酸化合物與酚化合物及/或萘酚化合物所得之活性酯系硬化劑。作為羧酸化合物，例如可列舉苯甲酸、乙酸、琥珀酸、馬來酸、衣康酸、苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、苯均四酸等。作為酚化合物或萘酚化合物，例如可列舉對苯二酚、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞(Phenolphthalein)、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚、苯三酚、雙環戊二烯型二酚化合物、酚酚醛清漆等。於此，所謂「雙環戊二烯型二酚化合物」，係指於雙環戊二烯1分子縮合酚2分子所得之二酚化合物。 　　[0090] 具體而言，較佳為包含雙環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物、包含萘構造之活性酯化合物、包含酚酚醛清漆之乙醯化物之活性酯化合物、包含酚酚醛清漆之苯甲醯基化物的活性酯化合物，其中，更佳為包含萘構造之活性酯化合物、包含雙環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物。所謂「雙環戊二烯型二酚構造」，係表示由伸苯基-二環伸戊基-伸苯基所構成之2價構造單位。 　　[0091] 作為活性酯系硬化劑之市售品，作為包含雙環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物，可列舉「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000-65T」、「HPC-8000H-65TM」、「EXB-8000L-65TM」(DIC公司製)，作為包含萘構造之活性酯化合物，可列舉「EXB9416-70BK」(DIC公司製)，作為包含酚酚醛清漆之乙醯化物之活性酯化合物，可列舉「DC808」(三菱化學公司製)，作為包含酚酚醛清漆之苯甲醯基化物之活性酯化合物，可列舉「YLH1026」(三菱化學公司製)，作為酚酚醛清漆之乙醯化物之活性酯系硬化劑，可列舉「DC808」(三菱化學公司製)，作為酚酚醛清漆之苯甲醯基化物之活性酯系硬化劑，可列舉「YLH1026」(三菱化學公司製)、「YLH1030」(三菱化學公司製)、「YLH1048」(三菱化學公司製)等。 　　[0092] 作為苯并噁嗪系硬化劑之具體例，可列舉昭和高分子公司製之「HFB2006M」、四國化成工業公司製之「P-d」、「F-a」。 　　[0093] 作為氰酸酯酯系硬化劑，例如可列舉雙酚A二氰酸酯、聚酚氰酸酯、寡(3-亞甲基-1,5-伸苯基氰酸酯)、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚及雙(4-氰酸酯苯基)醚等之2官能氰酸酯樹脂、由酚酚醛清漆及甲酚酚醛清漆等所衍生之多官能氰酸酯樹脂、此等氰酸酯樹脂一部分經三嗪化之預聚物等。作為氰酸酯酯系硬化劑之具體例，可列舉Lonza Japan公司製之「PT30」及「PT60」(皆為酚酚醛清漆型多官能氰酸酯酯樹脂)、「BA230」、「BA230S75」(雙酚A二氰酸酯的一部分或全部成為經三嗪化之三聚物的預聚物)等。 　　[0094] 樹脂組成物含有(d)成分的情況下，樹脂組成物中之硬化劑的含量雖並未特別限定，但較佳為10質量%以下，更佳為8質量%以下，再更佳為5質量%以下。又，下限並未特別限制，較佳為1質量%以上。 　　[0095] ＜(g)硬化促進劑＞ 　　樹脂組成物可包含(g)硬化促進劑。作為硬化促進劑，例如可列舉磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、胍系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑等，較佳為磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑，更佳為胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑。硬化促進劑可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。 　　[0096] 作為磷系硬化促進劑，例如可列舉三苯基膦、鏻硼酸酯化合物、四苯基鏻四苯基硼酸酯、n-丁基鏻四苯基硼酸酯、四丁基鏻癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基鏻硫氰酸酯、四苯基鏻硫氰酸酯、丁基三苯基鏻硫氰酸酯等，較佳為三苯基膦、四丁基鏻癸酸鹽。 　　[0097] 作為胺系硬化促進劑，例如可列舉三乙基胺、三丁基胺等之三烷基胺、4-二甲基胺基吡啶、苄基二甲基胺、2,4,6,-參(二甲基胺基甲基)酚、1,8-二氮雜聯環(5,4,0)-十一碳烯等，較佳為4-二甲基胺基吡啶、1,8-二氮雜聯環(5,4,0)-十一碳烯。 　　[0098] 作為咪唑系硬化促進劑，例如可列舉2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三酸酯、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪異氰脲酸加成物、2-苯基咪唑異氰脲酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯[1,2-a]苯并咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等之咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂的加合物，較佳為2-乙基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑。 　　[0099] 作為咪唑系硬化促進劑，可使用市售品，例如可列舉三菱化學公司製之「P200-H50」等。 　　[0100] 作為胍系硬化促進劑，例如可列舉雙氰胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(o-甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雜聯環[4.4.0]癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三氮雜聯環[4.4.0]癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙胍、1-n-丁基雙胍、1-n-十八烷基雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(o-甲苯基)雙胍等，較佳為雙氰胺、1,5,7-三氮雜聯環[4.4.0]癸-5-烯。 　　[0101] 作為金屬系硬化促進劑，例如可列舉鈷、銅、鋅、鐵、鎳、錳、錫等之金屬的有機金屬錯合物或有機金屬鹽。作為有機金屬錯合物之具體例，可列舉鈷(II)乙醯丙酮酸鹽、鈷(III)乙醯丙酮酸鹽等之有機鈷錯合物、銅(II)乙醯丙酮酸鹽等之有機銅錯合物、鋅(II)乙醯丙酮酸鹽等之有機鋅錯合物、鐵(III)乙醯丙酮酸鹽等之有機鐵錯合物、鎳(II)乙醯丙酮酸鹽等之有機鎳錯合物、錳(II)乙醯丙酮酸鹽等之有機錳錯合物等。作為有機金屬鹽，例如可列舉辛酸鋅、辛酸錫、環烷酸鋅、環烷酸鈷、硬脂酸錫、硬脂酸鋅等。 　　[0102] 樹脂組成物含有(g)成分的情況下，樹脂組成物中之硬化促進劑的含量雖並未特別限定，但較佳為將(b)成分與(f)硬化劑的不揮發成分合計量定為100質量%時，為0.01質量%～3質量%。 　　[0103] ＜(h)阻燃劑＞ 　　樹脂組成物可包含(h)阻燃劑。作為阻燃劑，例如可列舉有機磷系阻燃劑、含有有機系氮之磷化合物、氮化合物、矽系阻燃劑、金屬氫氧化物等。阻燃劑可1種單獨使用、或併用2種以上。 　　[0104] 作為阻燃劑，可使用市售品，例如可列舉三光公司製之「HCA-HQ」等。 　　[0105] 樹脂組成物含有阻燃劑的情況下，阻燃劑的含量雖並未特別限定，但以較佳為0.5質量%～20質量%，更佳為0.5質量%～15質量%，再更佳為0.5質量%～10質量%。 　　[0106] ＜(i)任意添加劑＞ 　　樹脂組成物進而如有必要可包含其他添加劑，作為該其他添加劑，例如可列舉有機銅化合物、有機鋅化合物及有機鈷化合物等之有機金屬化合物以及黏結劑、增黏劑、消泡劑、整平劑、密著性賦予劑及著色劑等之樹脂添加劑等。 　　[0107] ＜樹脂組成物之物性＞ 　　使本發明之樹脂組成物於180℃熱硬化1小時之硬化物，在23℃之彈性率為8GPa以上。針對上限雖並未特別限定，但例如可成為18GPa以下、15GPa以下、13GPa以下、11GPa以下。藉由將彈性率定為8GPa以上，可抑制硬化物之翹曲的發生。上述彈性率可依後述之＜彈性率、拉伸斷裂點強度的測定＞所記載之方法測定。 　　[0108] 使本發明之樹脂組成物於180℃熱硬化1小時之硬化物，在23℃之斷裂點強度(MPa)為55以上，較佳為60以上，更佳為65以上。針對上限雖並未特別限定，但例如可成為100以下。上述斷裂點強度可依後述之＜彈性率、拉伸斷裂點強度的測定＞所記載之方法測定。 　　[0109] 本發明之樹脂組成物可帶來抑制翹曲，強度及密著性優異之硬化物(絕緣層)，又，由於包含(b)成分，故(a)成分的相溶性良好。據此，本發明之樹脂組成物，可適合作為用以形成半導體晶片封裝之絕緣層的樹脂組成物(半導體晶片封裝之絕緣層用樹脂組成物)、用以形成電路基板(包含印刷配線板)之絕緣層的樹脂組成物(電路基板之絕緣層用樹脂組成物)使用，此外亦可進一步適合作為用以形成藉由鍍敷形成導體層之層間絕緣層的樹脂組成物(藉由鍍敷形成導體層之電路基板的層間絕緣層用樹脂組成物)使用。 　　又，亦可適合作為用以密封半導體晶片之樹脂組成物(半導體晶片密封用樹脂組成物)、於半導體晶片用以形成配線之樹脂組成物(半導體晶片配線形成用樹脂組成物)使用。 　　[0110] [樹脂薄片] 　　本發明之樹脂薄片係包含支持體、與樹脂組成物層而成，該樹脂組成物層係與該支持體接合，樹脂組成物層由本發明之樹脂組成物所構成。 　　[0111] 樹脂組成物層的厚度從薄型化的觀點來看，較佳為200μm以下，更佳為150μm以下，再更佳為100μm以下、80μm以下、60μm以下、50μm以下或40μm以下。樹脂組成物層的厚度的下限雖並未特別限定，但通常可成為1μm以上、5μm以上、10μm以上等。 　　[0112] 作為支持體，例如可列舉由塑膠材料所構成之薄膜、金屬箔、脫模紙，較佳為由塑膠材料所構成之薄膜、金屬箔。 　　[0113] 作為支持體，使用由塑膠材料所構成之薄膜的情況下，作為塑膠材料，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(以下有時簡稱為「PET」)、聚萘二甲酸乙二酯(以下有時簡稱為「PEN」)等之聚酯、聚碳酸酯(以下有時簡稱為「PC」)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等之丙烯醯基、環狀聚烯烴、三乙醯基纖維素(TAC)、聚醚硫化物(PES)、聚醚酮、聚醯亞胺等。其中，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯，特佳為便宜之聚對苯二甲酸乙二酯。 　　[0114] 作為支持體，使用金屬箔的情況下，作為金屬箔，例如可列舉銅箔、鋁箔等，較佳為銅箔。作為銅箔，可使用由銅之單金屬所構成之箔，亦可使用由銅與其他金屬(例如錫、鉻、銀、鎂、鎳、鋯、矽、鈦等)的合金所構成之箔。 　　[0115] 支持體於和樹脂組成物層接合的面可實施磨砂處理、電暈處理。 　　[0116] 又，作為支持體，可使用於與樹脂組成物層接合的面具有脫模層之附脫模層的支持體。作為附脫模層的支持體之脫模層所使用之脫模劑，例如可列舉選自由醇酸樹脂、聚烯烴樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂及矽樹脂所構成之群組中之1種以上的脫模劑。附脫模層的支持體可使用市售品，例如可列舉具有將醇酸樹脂系脫模劑作為主成分之脫模層的PET薄膜之Lintec公司製之「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」、Toray公司製「Lumirror T60」帝人公司製之「Purex」、Unitika公司製之「Unipiel」等。 　　[0117] 作為支持體的厚度，雖並未特別限定，但較佳為5μm～75μm的範圍，更佳為10μm～60μm的範圍。尚，使用附脫模層的支持體的情況下，較佳為附脫模層的支持體全體的厚度為上述範圍。 　　[0118] 樹脂薄片例如可藉由於有機溶劑調製溶解樹脂組成物之樹脂清漆，將此樹脂清漆使用模塗佈機等塗佈在支持體上，進而使其乾燥，形成樹脂組成物層來製造。 　　[0119] 作為有機溶劑，例如可列舉丙酮、甲基乙基酮(MEK)及環己酮等之酮類、乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖劑乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯及卡必醇乙酸酯等之乙酸酯類、溶纖劑及丁基卡必醇等之卡必醇類、甲苯及二甲苯等之芳香族烴類、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺(DMAc)及N-甲基吡咯烷酮等之醯胺系溶劑等。有機溶劑可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。 　　[0120] 乾燥可藉由加熱、吹送熱風等之周知的方法實施。乾燥條件雖並未特別限定，但樹脂組成物層中之有機溶劑的含量成為10質量%以下，較佳為成為5質量%以下的方式來乾燥。雖因樹脂清漆中之有機溶劑的沸點而不同，但例如使用包含30質量%～60質量%之有機溶劑的樹脂清漆時，藉由使其於50℃～150℃乾燥3分鐘～10分鐘，可形成樹脂組成物層。 　　[0121] 在樹脂薄片，在未與樹脂組成物層之支持體接合的面(亦即，與支持體相反側的面)中，可進一步層合依照支持體之保護薄膜。保護薄膜的厚度雖並非被特別限定者，但例如為1μm～40μm。藉由層合保護薄膜，可防止對樹脂組成物層的表面之塵埃等之附著或傷痕。樹脂薄片可捲繞成輥狀保存。樹脂薄片具有保護薄膜的情況下，可藉由剝離保護薄膜來使用。 　　[0122] 取代本發明之樹脂薄片，可改使用於薄片狀纖維基材含浸本發明之樹脂組成物而形成之預浸料。 　　[0123] 預浸料所使用之薄片狀纖維基材並未特別限定，可使用常被作為玻璃布、芳綸不織布、液晶聚合物不織布等之預浸料用基材使用者。從薄型化的觀點來看，薄片狀纖維基材的厚度較佳為900μm以下。薄片狀纖維基材的厚度之下限雖並未特別限定，但通常可為1μm以上。 　　[0124] 預浸料可藉由熱熔法、溶劑法等之周知方法製造。 　　[0125] 預浸料的厚度可與在上述之樹脂薄片之樹脂組成物層為相同的範圍。 　　[0126] 本發明之樹脂薄片在半導體晶片封裝之製造，可適合使用在用以形成絕緣層(半導體晶片封裝之絕緣用樹脂薄片)。 　　例如，本發明之樹脂薄片，可適合使用在用以形成電路基板之絕緣層(電路基板之絕緣層用樹脂薄片)，此外，可適合進一步使用在用以形成藉由鍍敷形成導體層之層間絕緣層(藉由鍍敷形成導體層之電路基板的層間絕緣層用)。作為使用如此之基板的封裝之例，可列舉FC-CSP、MIS-BGA封裝、ETS-BGA封裝。 　　又，本發明之樹脂薄片，可適合使用在用以密封半導體晶片(半導體晶片密封用樹脂薄片)、或用以在半導體晶片形成配線(半導體晶片配線形成用樹脂薄片)，例如可適合使用在扇出(Fan-out)型WLP(Wafer Level Package)、Fan-in型WLP、扇出(Fan-out)型PLP(Panel Level Package)、Fan-in型PLP等。又，亦可適合使用在將半導體晶片連接在基板後所使用之MUF(Molding Under Filling)材料等。 　　本發明之樹脂薄片，又，要求高絕緣信賴性之其他廣泛用途，例如可適合使用在用以形成印刷配線板等之電路基板的絕緣層。 　　[0127] [電路基板] 　　本發明之電路基板，係包含藉由本發明之樹脂組成物的硬化物所形成之絕緣層。 　　本發明之電路基板之製造方法可包含： 　　(1)準備具有基材、與設置在該基材之至少一側的面之配線層的附配線層之基材之步驟、 　　(2)將本發明之樹脂薄片以配線層嵌入樹脂組成物層的方式，層合在附配線層之基材上，使其熱硬化而形成絕緣層之步驟、 　　(3)層間連接配線層之步驟。又，電路基板之製造方法可包含(4)去除基材之步驟。 　　[0128] 步驟(3)若可將配線層進行層間連接，雖並未特別限定，但較佳為於絕緣層形成通孔，形成配線層之步驟及研磨或研削絕緣層，使配線層露出之步驟中之至少任一種之步驟。 　　[0129] ＜步驟(1)＞ 　　步驟(1)係準備具有基材、與設置在該基材之至少一側的面之配線層的附配線層之基材之步驟。例如，附配線層之基材係於基材的兩面分別具有基材的一部分之第1金屬層、第2金屬層，與第2金屬層之基材側的面相反側的面具有配線層。詳細而言，係於基材上層合乾膜(感光性抗蝕薄膜)，使用光罩進行曝光、顯影而形成圖型乾膜。將經顯影之圖型乾膜作為鍍敷遮罩，藉由電解鍍敷法形成配線層後，剝離圖型乾膜。尚，可不具有第1金屬層、第2金屬層。 　　[0130] 作為基材，例如可列舉玻璃環氧基板、金屬基板(不銹鋼或冷軋鋼板(SPCC)等)、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚伸苯基醚基板等之基板，可於基板表面形成銅箔等之金屬層。又，可於表面形成可剝離之第1金屬層及第2金屬層(例如三井金屬之附載體銅箔之極薄銅箔、商品名「Micro Thin」)等之金屬層。 　　[0131] 作為乾膜，只要是由光阻組成物所構成之感光性的乾膜，則並未特別限定，例如可使用酚醛清漆樹脂、丙烯酸樹脂等之乾膜。乾膜可使用市售品。 　　[0132] 基材與乾膜的層合條件，係與以後述之步驟(2)之樹脂薄片嵌入配線層的方式，進行層合時的條件相同，較佳範圍亦相同。 　　[0133] 將乾膜層合於基材上後，為了對於乾膜形成所期望之圖型，使用光罩以預定的條件進行曝光、顯影。 　　[0134] 配線層之線(電路寬)/空間(電路間的寬)比雖並未特別限制，但較佳為20/20μm以下(即間距為40μm以下)，0.5/0.5μm以上。間距係通過配線層的全體不須為同一。配線層之最小間距可成為40μm以下。 　　[0135] 形成乾膜之圖型後，形成配線層，剝離乾膜。於此，配線層的形成，可將形成所期望圖型之乾膜作為鍍敷遮罩使用，且可藉由鍍敷法實施。 　　[0136] 配線層所使用之導體材料並未特別限定。於適合之實施形態，配線層係包含選自由金、鉑、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫及銦所構成之群組中之至少一種以上的金屬。配線層可為單金屬層亦可為合金層，作為合金層，例如可列舉選自由上述之群組中之2種以上的金屬之合金(例如鎳暨鉻合金、銅暨鎳合金及銅暨鈦合金)所形成者。 　　[0137] 配線層的厚度雖因所期望配線板的設計而定，但較佳為3μm～35μm。在步驟(3)，採用研磨或研削絕緣層，使配線層露出之層間連接配線層之步驟時，較佳為層間連接之配線、與未連接之配線的厚度不同。配線層的厚度可藉由重複前述之圖型形成來調整。各配線層當中，有最厚之厚度之配線層(導電性柱)的厚度雖因所期望配線板的設計而定，但，較佳為100μm以下2μm以上。又，層間連接之配線可成為凸型。 　　[0138] 形成配線層後，剝離乾膜。乾膜之剝離，例如可使用氫氧化鈉溶液等之鹼性剝離液實施。如有必要，可將不要之配線圖型藉由蝕刻等去除，亦可形成所期望之配線圖型。對於形成之配線層的間距係如先述。 　　[0139] ＜步驟(2)＞ 　　步驟(2)係將本發明之樹脂薄片以配線層嵌入樹脂組成物層的方式，層合在附配線層之基材上，使其熱硬化而形成絕緣層之步驟。詳細而言，係將於前述之步驟(1)所得之附配線層之基材的配線層以嵌入樹脂薄片的樹脂組成物層的方式，使其層合，使樹脂薄片之樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層。 　　[0140] 配線層與樹脂薄片的層合，去除樹脂薄片的保護薄膜後，例如可藉由從支持體側將樹脂薄片加熱壓著在配線層來進行。作為將樹脂薄片加熱壓著在配線層之構件(以下亦稱為「加熱壓著構件」)，例如可列舉經加熱之金屬板(SUS鏡板等)或金屬輥(SUS輥)等。尚，較佳為並非將加熱壓著構件直接沖壓在樹脂薄片，而是於配線層的表面凹凸以樹脂薄片充分追隨的方式，透過耐熱橡膠等之彈性材進行沖壓。 　　[0141] 配線層與樹脂薄片的層合，去除樹脂薄片的保護薄膜後，可藉由真空層合法實施。在真空層合法，加熱壓著溫度較佳為60℃～160℃的範圍，加熱壓著壓力較佳為0.098MPa～1.77MPa的範圍，加熱壓著時間較佳為20秒～400秒的範圍。層合較佳為以壓力13hPa以下之減壓條件下實施。 　　[0142] 層合之後，於常壓(大氣壓)下，例如藉由將加熱壓著構件從支持體側進行沖壓，可進行經層合之樹脂薄片的平滑化處理。平滑化處理的沖壓條件可成為與上述層合之加熱壓著條件相同的條件。尚，層合與平滑化處理可使用上述市售之真空層合機連續性進行。 　　[0143] 將樹脂組成物層以嵌入配線層的方式，層合在附配線層之基材上後，熱硬化樹脂組成物層而形成絕緣層。例如，樹脂組成物層之熱硬化條件，雖因樹脂組成物的種類等而不同，但硬化溫度可成為120℃～240℃的範圍，硬化時間可成為5分鐘～120分鐘的範圍。熱硬化樹脂組成物層之前，可將樹脂組成物層在較硬化溫度更低之溫度進行預備加熱。 　　[0144] 樹脂薄片之支持體可於附配線層之基材上層合樹脂薄片，進行熱硬化後剝離，亦可於附配線層之基材上層合樹脂薄片之前剝離支持體。又，可於後述之粗糙化處理步驟之前剝離支持體。 　　[0145] ＜步驟(3)＞ 　　步驟(3)係層間連接配線層之步驟。詳細而言，係於絕緣層形成通孔，形成導體層，層間連接配線層之步驟。或研磨或研削絕緣層，使配線層露出層間連接配線層之步驟。 　　[0146] 採用於絕緣層形成通孔，形成導體層，層間連接配線層之步驟的情況下，通孔的形成雖並未特別限定，雖可列舉雷射照射、蝕刻、機械鑽孔等，但較佳為藉由雷射照射進行。此雷射照射作為光源，可使用用碳酸氣體雷射、YAG雷射、準分子雷射等之任意適合的雷射加工機進行。詳細而言，係由樹脂薄片之支持體的面側進行雷射照射，貫通支持體及絕緣層使配線層露出而形成通孔。 　　[0147] 雷射照射的條件並未特別限定，雷射照射可依因應所選擇之手段的常法藉由任意適合的步驟實施。 　　[0148] 通孔之形狀，亦即於延伸方向所看到時之開口輪廓的形狀雖並未特別限定，但一般而言為圓形(略圓形)。 　　[0149] 通孔形成後，可進行通孔內之膠渣去除步驟，亦即進行除膠渣步驟。將後述之導體層的形成藉由鍍敷步驟進行的情況下，對於通孔，例如可進行濕式之除膠渣處理，將導體層的形成藉由濺鍍步驟進行的情況下，例如可進行電漿處理步驟等之乾式除膠渣步驟。又，除膠渣步驟可兼具粗糙化處理步驟。 　　[0150] 形成導體層之前，可對於通孔及絕緣層進行粗糙化處理。粗糙化處理可採用通常所進行之周知的順序、條件。作為乾式之粗糙化處理之例，可列舉電漿處理等，作為濕式之粗糙化處理之例，可列舉以此順序進行藉由膨潤液之膨潤處理、藉由氧化劑之粗糙化處理及藉由中和液之中和處理的方法。 　　[0151] 形成通孔後，形成導體層。構成導體層之導體材料並未特別限定，導體層可藉由鍍敷、濺鍍、蒸鍍等以往周知之任意適合的方法形成，以藉由鍍敷形成較佳。適合之一實施形態，例如可藉由半添加法、全添加法等之以往周知的技術鍍敷在絕緣層的表面，形成具有所期望之配線圖型的導體層。又，在樹脂薄片之支持體為金屬箔時，可藉由減去法等之以往周知的技術，形成具有所期望之配線圖型的導體層。導體層可為單層構造，亦可為由不同種類之金屬或合金所構成之單金屬層或層合2層以上合金層之複層構造。 　　[0152] 詳細而言，係於絕緣層的表面，藉由無電解鍍敷形成鍍敷種晶層。其次，於經形成之鍍敷種晶層上，對應所期望之配線圖型，形成使鍍敷種晶層的一部分露出之遮罩圖型。於經露出之鍍敷種晶層上藉由電解鍍敷形成電解鍍敷層。此時，與電解鍍敷層的形成同時，可將通孔藉由電解鍍敷嵌入而形成填孔(Filled via)。形成電解鍍敷層後，去除遮罩圖型。然後，將不要之鍍敷種晶層藉由蝕刻等去除，可形成具有所期望之配線圖型的導體層。尚，形成導體層時，遮罩圖型的形成所使用之乾膜係與上述乾膜相同。 　　[0153] 導體層不僅線狀之配線，例如亦可包含可搭載外部端子之電極墊(Land)等。又，導體層可為僅由電極墊所構成。 　　[0154] 又，導體層可藉由形成鍍敷種晶層後，未使用遮罩圖型即形成電解鍍敷層及填孔，然後，進行藉由蝕刻之圖型化來形成。 　　[0155] 採用研磨或研削絕緣層，使配線層露出，層間連接配線層之步驟的情況下，作為絕緣層之研磨方法或研削方法，可使配線層曝露，若研磨或研削面為水平，則並未特別限定，可適用以往周知之研磨方法或研削方法，例如可列舉藉由化學機械研磨裝置之化學機械研磨方法、拋光(buff)等之機械研磨方法、藉由研磨石回轉之平面研削方法等。與於絕緣層形成通孔，形成導體層，層間連接配線層之步驟相同，可進行去除膠渣之步驟、進行粗糙化處理之步驟，可形成導體層。又，不需要使全部之配線層露出，可使配線層的一部分露出。 　　[0156] ＜步驟(4)＞ 　　電路基板之製造方法係去除基材，形成本發明之電路基板之步驟。基材的去除方法並未特別限定。適合之一實施形態，於第1及第2金屬層的界面從電路基板剝離基材，將第2金屬層例如以氯化銅水溶液等蝕刻去除。如有必要，可將導體層以保護薄膜保護的狀態剝離基材。 　　[0157] [半導體晶片封裝] 　　本發明之半導體晶片封裝的第1態樣，係一種半導體晶片封裝，其係於上述本發明之電路基板上搭載半導體晶片。藉由於上述本發明之電路基板，接合半導體晶片，可製得半導體晶片封裝。 　　[0158] 只要半導體晶片之端子電極與電路基板的電路配線導體連接，則接合條件並未特別限定，可使用在半導體晶片之倒裝晶片實裝所使用之周知條件。又，於半導體晶片與電路基板間可透過絕緣性的接著劑接合。 　　[0159] 適合之一實施形態係將半導體晶片壓著在電路基板。作為壓著條件，例如壓著溫度可成為120℃～240℃的範圍，壓著時間可成為1秒～60秒的範圍。 　　[0160] 又，其他適合之一實施形態係將半導體晶片回流到電路基板進行接合。作為回流條件，例如可成為120℃～300℃的範圍。 　　[0161] 將半導體晶片接合在電路基板後，例如亦可藉由將半導體晶片以模具底部填充(Mold underfill)材填充，而得到半導體晶片封裝。以模具底部填充材填充之方法可用周知之方法實施。本發明之樹脂組成物或樹脂薄片亦可作為模具底部填充材使用。 　　[0162] 本發明之半導體晶片封裝的第2態樣為半導體晶片封裝(扇出(Fan-out)型WLP)。半導體晶片封裝之製造方法係包含： 　　(A)層合暫時固定薄膜於基材之步驟、 　　(B)將半導體晶片暫時固定在暫時固定薄膜上之步驟、 　　(C)將本發明之樹脂薄片的樹脂組成物層層合在半導體晶片上、或將本發明之樹脂組成物塗佈在半導體晶片上，使其熱硬化而形成密封層之步驟、 　　(D)將基材及暫時固定薄膜從半導體晶片剝離之步驟、 　　(E)於剝離半導體晶片之基材及暫時固定薄膜的面形成再配線形成層(絕緣層)之步驟、 　　(F)於再配線形成層(絕緣層)上形成導體層(再配線層)之步驟及 　　(G)於導體層上形成阻焊層之步驟。又，半導體晶片封裝之製造方法可包含(H)將複數之半導體晶片封裝切割成各個之半導體晶片封裝，進行個片化之步驟。 　　[0163] ＜步驟(A)＞ 　　步驟(A)係層合暫時固定薄膜於基材之步驟。基材與暫時固定薄膜的層合條件，係與在電路基板之製造方法之步驟(2)的配線層與樹脂薄片的層合條件相同，較佳範圍亦相同。 　　[0164] 基材所使用之材料並未特別限定。作為基材，可列舉由矽晶圓；玻璃晶圓；玻璃基板；銅、鈦、不銹鋼、冷軋鋼板(SPCC)等之金屬基板；於玻璃纖維浸漬環氧樹脂等之經熱硬化處理之基板(例如FR-4基板)；雙馬來醯亞胺三嗪樹脂(BT樹脂)所構成之基板等。 　　[0165] 暫時固定薄膜，若為可在後述之步驟(D)從半導體晶片剝離，同時暫時固定半導體晶片，則材料並未特別限定。暫時固定薄膜可使用市售品。作為市售品，可列舉日東電工公司製之Riva alpha等。 　　[0166] ＜步驟(B)＞ 　　步驟(B)係將半導體晶片暫時固定在暫時固定薄膜上之步驟。半導體晶片之暫時固定可使用倒裝晶片接合器、晶粒接合器等之周知的裝置進行。半導體晶片之配置的佈置及配置數可因應暫時固定薄膜的形狀、大小、作為目的之半導體封裝的生產數等適當設定，例如可整列成複數行，且整列成複數列之矩陣狀來暫時固定。 　　[0167] ＜步驟(C)＞ 　　步驟(C)係將本發明之樹脂薄片的樹脂組成物層層合在半導體晶片上、或將本發明之樹脂組成物塗佈在半導體晶片上，使其熱硬化而形成密封層之步驟。於步驟(C)，較佳為將本發明之樹脂薄片的樹脂組成物層層合在半導體晶片上，使其熱硬化而形成密封層。 　　[0168] 半導體晶片與樹脂薄片的層合可藉由去除樹脂薄片之保護薄膜後，例如藉由從支持體側將樹脂薄片加熱壓著在半導體晶片來進行。作為將樹脂薄片加熱壓著在半導體晶片之構件(以下亦稱為「加熱壓著構件」)，例如可列舉經加熱之金屬板(SUS鏡板等)或金屬輥(SUS輥)等。尚，較佳為並非將加熱壓著構件直接沖壓在樹脂薄片，而是於半導體晶片的表面凹凸以樹脂薄片充分追隨的方式，透過耐熱橡膠等之彈性材進行沖壓。 　　[0169] 又，半導體晶片與樹脂薄片的層合，可去除樹脂薄片的保護薄膜後，藉由真空層合法來實施。在真空層合法之層合條件，係與在電路基板之製造方法之步驟(2)之配線層與樹脂薄片的層合條件相同，較佳範圍亦相同。 　　[0170] 樹脂薄片之支持體可於半導體晶片上層合樹脂薄片，於經熱硬化後進行剝離，亦可於半導體晶片上層合樹脂薄片之前剝離支持體。 　　[0171] 作為樹脂組成物之塗佈條件，係與形成在本發明之樹脂薄片之樹脂組成物層時之塗佈條件相同，較佳範圍亦相同。 　　[0172] ＜步驟(D)＞ 　　步驟(D)係將基材及暫時固定薄膜從半導體晶片剝離之步驟。剝離之方法可因應暫時固定薄膜的材質等適當變更，例如可列舉使暫時固定薄膜加熱、發泡(或膨脹)而剝離之方法及從基材側照射紫外線，使暫時固定薄膜的黏著力降低而剝離之方法等。 　　[0173] 在使暫時固定薄膜加熱、發泡(或膨脹)而剝離之方法，加熱條件通常為於100℃～250℃1秒～90秒或5分鐘～15分鐘。又，在從基材側照射紫外線，使暫時固定薄膜的黏著力降低而剝離之方法，紫外線的照射量通常為10mJ/cm² ～1000mJ/cm² 。 　　[0174] ＜步驟(E)＞ 　　步驟(E)係於剝離半導體晶片之基材及暫時固定薄膜的面形成再配線形成層(絕緣層)之步驟。 　　[0175] 形成再配線形成層(絕緣層)之材料，若為於再配線形成層(絕緣層)形成時具有絕緣性，則並未特別限定，從半導體晶片封裝之製造的容易性的觀點來看，較佳為感光性樹脂、熱硬化性樹脂。作為熱硬化性樹脂，可使用與用以形成本發明之樹脂薄片的樹脂組成物為相同組成之樹脂組成物。 　　[0176] 形成再配線形成層(絕緣層)後，為了層間連接半導體晶片與後述之導體層，可於再配線形成層(絕緣層)形成通孔。 　　[0177] 在形成通孔，形成再配線形成層(絕緣層)之材料為感光性樹脂的情況下，首先，再配線形成層(絕緣層)的表面通過遮罩圖型，照射活性能量線，使照射部之最配線層光硬化。 　　[0178] 作為活性能量線，例如可列舉紫外線、可見光線、電子束、X光等，尤其是以紫外線較佳。紫外線的照射量、照射時間可因應感光性樹脂適當變更。作為曝光方法，可使用將遮罩圖型密著在再配線形成層(絕緣層)，進行曝光之接觸曝光法、與未將遮罩圖型密著在再配線形成層(絕緣層)，使用平行光線進行曝光之非接觸曝光法的任一種。 　　[0179] 其次，藉由顯影再配線形成層(絕緣層)，去除未曝光部，而形成通孔。顯影係濕顯影、乾顯影皆適合。於濕顯影所使用之顯影液可使用周知之顯影液。 　　[0180] 作為顯影之方式，例如可列舉浸漬方式、槳式方式、噴霧方式、刷塗方式、刮方式等，從解像性的觀點來看，適合槳式方式。 　　[0181] 形成再配線形成層(絕緣層)之材料為熱硬化性樹脂的情況下，通孔的形成雖並未特別限定，雖可列舉雷射照射、蝕刻、機械鑽孔等，但較佳為藉由雷射照射進行。雷射照射作為光源，可使用用碳酸氣體雷射、UV-YAG雷射、準分子雷射等之任意適合的雷射加工機來進行。 　　[0182] 通孔的形狀，亦即於延伸方向所看到時之開口輪廓的形狀雖並未特別限定，但一般而言為圓形(略圓形)。通孔的頂徑(再配線形成層(絕緣層)表面之開口的直徑)較佳為50μm以下。下限雖並未特別限定，但較佳為10μm以上。 　　[0183] ＜步驟(F)＞ 　　步驟(F)係於再配線形成層(絕緣層)上形成導體層(再配線層)之步驟。於再配線形成層(絕緣層)上形成導體層之方法，係與形成在電路基板之製造方法之步驟(3)的絕緣層形成通孔後之導體層的方法相同，較佳範圍亦相同。尚，可重複進行步驟(E)及步驟(F)，交替堆疊(Build up)導體層(再配線層)及再配線形成層(絕緣層)。 　　[0184] ＜步驟(G)＞ 　　步驟(G)係於導體層上形成阻焊層之步驟。 　　[0185] 形成阻焊層之材料，若為於阻焊層形成時具有絕緣性，則並未特別限定，從半導體晶片封裝之製造容易性的觀點來看，較佳為感光性樹脂、熱硬化性樹脂。作為熱硬化性樹脂，可使用與用以形成本發明之樹脂薄片的樹脂組成物為相同組成的樹脂組成物。 　　[0186] 又，於步驟(G)，如有必要可進行形成撞擊之碰撞加工。碰撞加工可用焊球、焊料鍍敷等周知的方法進行。又，在碰撞加工之通孔的形成可與步驟(E)同樣進行。 　　[0187] ＜步驟(H)＞ 　　半導體晶片封裝之製造方法除了步驟(A)～(G)之外可包含步驟(H)。步驟(H)係將複數之半導體晶片封裝切割成各個之半導體晶片封裝，進行個片化之步驟。 　　[0188] 本發明之半導體晶片封裝的第3態樣，係將在半導體晶片封裝(扇出(Fan-out)型WLP)之再配線形成層(絕緣層)、阻焊層，以本發明之樹脂組成物或樹脂薄片製造之半導體晶片封裝。 　　[0189] [半導體裝置] 　　作為成為實裝本發明之半導體晶片封裝的半導體裝置，可列舉供於電氣製品(例如電腦、手機、智慧型手機、平板型裝置、穿戴式裝置、數位相機、醫療機器及電視等)及交通工具(例如機車、汽車、電車、船舶及航空機等)等之各種半導體裝置。 [實施例] 　　[0190] 以下，雖將本發明藉由實施例具體說明，但本發明並非被限定於此等之實施例。尚，在以下之記載，「份」及「%」除另有明文規定，分別意指「質量份」及「質量%」。 　　[0191] [合成例1] ＜彈性體A之製造＞ 　　於附有攪拌裝置、溫度計及冷凝器之燒瓶，放置作為溶劑之乙基二甘醇乙酸酯368.41g、Solvesso150(芳香族系溶劑、埃克森美孚公司製)368.41g，放置二苯基甲烷二異氰酸酯100.1g(0.4莫耳)與聚碳酸酯二醇(數平均分子量：約2000、羥基當量：1000、不揮發分：100%、Kuraray(股)製「C-2015N」)400g(0.2莫耳)，於70℃進行4小時反應。接著，放置壬基酚酚醛清漆樹脂(羥基當量229.4g/eq、平均4.27官能、平均計算分子量979.5g/莫耳)195.9g(0.2莫耳)與乙二醇雙脫水偏苯三酸酯41.0g(0.1莫耳)，耗費2小時昇溫至150℃，反應12小時。由FT-IR進行2250cm-1之NCO峰值消失的確認。擁有NCO峰值消失的確認視為反應的終點，將反應物降溫至室溫後，以100網孔之濾布進行過濾，得到具有聚碳酸酯構造之樹脂(不揮發分50質量%)。數平均分子量為6100。 　　[0192] (評估用硬化物的製作) 　　於經脫模劑處理之PET薄膜(Lintec(股)製「501010」、厚度38μm、240mm平方)的脫模劑未處理面，重疊玻璃布基材環氧樹脂兩面覆銅層合板(Panasonic(股)製「R5715ES」、厚度0.7mm、255mm平方)，將四邊以聚醯亞胺接著膠帶(寬10mm)固定(以下為「固定PET薄膜」)。 　　將於實施例及比較例製得之樹脂清漆於以醇酸樹脂系脫模劑(Lintec(股)製「AL-5」)脫模處理之PET薄膜(Toray(股)製「Lumirror R80」、厚度38μm、軟化點130℃，以下為「脫模PET」)上，以乾燥後之暫時樹脂組成物層的厚度成為40μm的方式在模塗佈機進行塗佈，以80℃～120℃(平均100℃)乾燥10分鐘而得到接著薄膜。將各接著薄膜(厚度40μm、200mm平方)使用分批式真空加壓層合機(Nikko Materials(股)製2階段積聚層合機、CVP700)，以暫時樹脂組成物層與固定PET薄膜之脫模劑處理面接觸的方式，於中央進行層合處理，而得到附支持體之樹脂薄片。層合處理係藉由進行30秒減壓將氣壓降為13hPa以下後，在100℃、壓力0.74MPa壓著30秒來實施。 　　[0193] 其次，以100℃之溫度條件，投入100℃之烤箱後30分鐘，其次以175℃之溫度條件，再轉移至175℃之烤箱後30分鐘使其熱硬化。然後，將基板於室溫環境下取出，從附支持體之樹脂薄片剝離脫模PET後，進而投入180℃之烤箱後，以60分鐘的硬化條件使其熱硬化。 　　[0194] 熱硬化後，剝離聚醯亞胺接著膠帶，將硬化物從玻璃布基材環氧樹脂兩面覆銅層合板去除，進而亦剝離PET薄膜(Lintec(股)製「501010」)，而得到薄片狀之硬化物。將所得之硬化物稱為「評估用硬化物」。 　　[0195] ＜彈性率、拉伸斷裂點強度的測定＞ 　　將評估用硬化物切出啞鈴狀1號形，而得到試驗片。將該試驗片使用Orientech公司製拉伸試驗機「RTC-1250A」，進行拉伸強度測定，求得在23℃之彈性率、拉伸斷裂點強度。測定係依據JIS K7127實施。進行3次此操作，將其平均值示於表。 　　[0196] ＜強度評估＞ 　　於8英寸矽晶圓上將暫時固定薄膜(Riva alpha No.31950E、日東電工(股)製 Thermal release tape)之形成用膠帶(forming tape)面以輥層合機，貼附在晶圓後，於Riva alpha之基底黏接劑(base adhesive)面上將矽晶片(DIE尺寸9×6mm、高度150um)以等間隔配置97個。 　　將於實施例及比較例製得之樹脂清漆，於以醇酸樹脂系脫模劑(Lintec(股)製「AL-5」)脫模處理之PET薄膜(Toray(股)製「Lumirror R80」、厚度38μm、軟化點130℃，以下為「脫模PET」)上，以乾燥後之暫時樹脂組成物層的厚度成為200μm的方式，在模塗佈機進行塗佈，於80℃～120℃(平均100℃)乾燥10分鐘而得到接著薄膜。將所得之接著薄膜使用分批式真空加壓層合機(Nikko Materials(股)製2階段積聚層合機、CVP700)，於上述附矽晶片之晶圓的矽晶單面進行層合來密封矽晶片。將該矽晶圓以150℃於1小時烤箱加熱後，將該矽晶圓於200℃之熱板上進行加熱，將矽晶圓與Riva alpha以形成用膠帶(forming tape)面剝離後，將與Riva alpha以基底黏接劑(base adhesive)面密封之樹脂的界面以手剝離，矽晶片嵌入樹脂而得到樹脂晶圓。將於上述製程中產生樹脂的欠缺、破裂者定為「×」，將未產生樹脂的欠缺、破裂者定為「○」。 　　[0197] ＜密著性評估＞ 　　於8英寸矽晶圓上準備1000Å蒸鍍氮化矽之晶圓，將於實施例及比較例製得之樹脂清漆於以醇酸樹脂系脫模劑(Lintec(股)製「AL-5」)脫模處理之PET薄膜(Toray(股)製「Lumirror R80」、厚度38μm、軟化點130℃，以下為「脫模PET」)上，以乾燥後之暫時樹脂組成物層的厚度成為20μm的方式在模塗佈機進行塗佈，於80℃～120℃(平均100℃)乾燥10分鐘而得到接著薄膜。將所得之接著薄膜使用分批式真空加壓層合機(Nikko Materials(股)製2階段積聚層合機、CVP700)，層合在上述晶圓。於180℃以1小時烤箱熱硬化後，依「JIS K5400-8.5(1990)」，將樹脂組成物層橫切(100方格)成1mm×1mm之網格，進行壓力鍋處理(121℃/濕度100%/100小時)後，進行膠帶剝離試驗，計算剝離樹脂之方格數量。將經剝離之方格為0～5個定為「○」，將6～19個定為「△」，將20個以上定為「×」。 　　[0198] ＜翹曲評估＞ 　　將於實施例及比較例製得之樹脂清漆，於以醇酸樹脂系脫模劑(Lintec(股)製「AL-5」)脫模處理之PET薄膜(Toray(股)製「Lumirror R80」、厚度38μm、軟化點130℃，以下為「脫模PET」)上，以乾燥後之暫時樹脂組成物層的厚度成為300μm的方式，在模塗佈機進行塗佈，於80℃～120℃(平均100℃)乾燥10分鐘而得到接著薄膜。將所得之接著薄膜使用分批式真空加壓層合機(Nikko Materials(股)製2階段積聚層合機、CVP700)，層合在12英寸矽晶圓(厚度775um)，作成以180℃加熱1h使樹脂硬化之附樹脂之晶圓。於平坦的面將樹脂側定為上放置附樹脂之晶圓，進行翹曲量測定。翹曲最大地點的翹曲量未滿2mm定為○，2mm以上定為×。 　　[0199] [實施例1] 　　混合雙酚A型環氧樹脂(三菱化學(股)製「828EL」、環氧當量約186)3份、彈性體A10份、苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7553BH30」、固形分30質量%之環己酮：甲基乙基酮(MEK)之1：1溶液)17份、雙環戊二烯型環氧樹脂(DIC公司製「HP-7200」、環氧當量258)3份、碳二亞胺化合物(日清紡Chemical(股)製「V-07」、碳二亞胺當量200、不揮發成分50質量%之甲苯溶液)4份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理之球狀二氧化矽A(平均粒徑1.7μm、比表面積(m² /g)2.7um)115份、聚伸苯基醚寡聚物(三菱瓦斯化學(股)製「OPE-1000」、固形分約52%之甲苯溶液、酚性羥基當量：435g/eq)9.6份、阻燃劑(三光公司製「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷菲-10-氧化物、平均粒徑2μm)1.5份、硬化促進劑(四國化成工業公司製、「2P4MZ-5M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固形分5質量%之MEK溶液)3份，將環己酮100份以高速回轉混合器均一分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO公司製「SHP050」)過濾，製得樹脂清漆。 　　[0200] [實施例2] 　　混合雙酚A型環氧樹脂(三菱化學(股)製「828EL」、環氧當量約186)3份、彈性體A10份、苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX6954BH30」、固形分30質量%之環己酮：甲基乙基酮(MEK)之1：1溶液)17份、雙環戊二烯型環氧樹脂(DIC公司製「HP-7200」、環氧當量258)3份、碳二亞胺化合物(日清紡Chemical(股)製「V-07」、碳二亞胺當量200、不揮發成分50質量%之甲苯溶液)4份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理之球狀二氧化矽A(平均粒徑1.7μm、比表面積(m² /g)2.7um)115份、含有三嗪骨架之酚酚醛清漆系硬化劑(DIC(股)製「LA-7054」、羥基當量約125、固形分60%之MEK溶液)3.3份、萘酚系硬化劑(新日鐵住金化學(股)製「SN-485」、羥基當量：215g/eq)之甲基乙基酮溶液(固形分：50%)6份、阻燃劑(三光公司製「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷菲-10-氧化物、平均粒徑2μm)1.5份、硬化促進劑(四國化成工業公司製、「2P4MZ-5M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固形分5質量%之MEK溶液)3份，將環己酮100份以高速回轉混合器均一分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO公司製「SHP050」)過濾，製得樹脂清漆。 　　[0201] [實施例3] 　　混合雙酚A型環氧樹脂(三菱化學(股)製「828EL」、環氧當量約186)3份、彈性體A10份、苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX6954BH30」、固形分30質量%之環己酮：甲基乙基酮(MEK)之1：1溶液)27份、雙環戊二烯型環氧樹脂(DIC公司製「HP-7200」、環氧當量258)3份、碳二亞胺化合物(日清紡Chemical(股)製「V-07」、碳二亞胺當量200、不揮發成分50質量%之甲苯溶液)4份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理之球狀二氧化矽A(平均粒徑1.7μm、比表面積(m² /g)2.7um)115份、含有三嗪骨架之酚酚醛清漆系硬化劑(DIC(股)製「LA-7054」、羥基當量約125、固形分60%之MEK溶液)5份、阻燃劑(三光公司製「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷菲-10-氧化物、平均粒徑2μm)1.5份、硬化促進劑(四國化成工業公司製、「2P4MZ-5M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固形分5質量%之MEK溶液)3份，將環己酮100份以高速回轉混合器均一分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO公司製「SHP050」)過濾，製得樹脂清漆。 　　[0202] [實施例4] 　　混合雙酚A型環氧樹脂(三菱化學(股)製「828EL」、環氧當量約186)3份、彈性體A10份、雙環戊二烯型環氧樹脂(DIC公司製「HP-7200」、環氧當量258)3份、雙酚F型苯氧基樹脂(新日鐵住金化學(股)製「FX-316」)5份、聚伸苯基醚寡聚物(三菱瓦斯化學(股)製「OPE-1000」固形分約52%之甲苯溶液、酚性羥基當量：435g/eq)9.6份、碳二亞胺化合物(日清紡Chemical(股)製「V-07」、碳二亞胺當量200、不揮發成分50質量%之甲苯溶液)4份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理之球狀二氧化矽A(平均粒徑1.7μm、比表面積(m² /g)2.7um)115份、阻燃劑(三光公司製「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷菲-10-氧化物、平均粒徑2μm)1.5份、硬化促進劑(四國化成工業公司製、「2P4MZ-5M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固形分5質量%之MEK溶液)3份，將環己酮100份以高速回轉混合器均一分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO公司製「SHP050」)過濾，製得樹脂清漆。 　　[0203] [實施例5] 　　混合雙酚A型環氧樹脂(三菱化學(股)製「828EL」、環氧當量約186)3份、彈性體A5份、含有柔軟性構造之苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7180BH40」、固形分40質量%之環己酮：MEK之1：1溶液)25份、雙環戊二烯型環氧樹脂(DIC公司製「HP-7200」、環氧當量258)3份、碳二亞胺化合物(日清紡Chemical(股)製「V-07」、碳二亞胺當量200、不揮發成分50質量%之甲苯溶液)4份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理之球狀二氧化矽A(平均粒徑1.7μm、比表面積(m² /g)2.7um)120份、含有三嗪骨架之酚酚醛清漆系硬化劑(DIC(股)製「LA-7054」、羥基當量約125、固形分60%之MEK溶液)8.3份、阻燃劑(三光公司製「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷菲-10-氧化物、平均粒徑2μm)1.5份、硬化促進劑(四國化成工業公司製、「2P4MZ-5M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固形分5質量%之MEK溶液)3份，將環己酮100份以高速回轉混合器均一分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO公司製「SHP050」)過濾，製得樹脂清漆。 　　[0204] [比較例1] 　　混合雙酚A型環氧樹脂(三菱化學(股)製「828EL」、環氧當量約186)3份、彈性體A15份、雙環戊二烯型環氧樹脂(DIC公司製「HP-7200」、環氧當量258)3份、碳二亞胺化合物(日清紡Chemical(股)製「V-07」、碳二亞胺當量200、不揮發成分50質量%之甲苯溶液)4份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理之球狀二氧化矽A(平均粒徑1.7μm、比表面積(m² /g)2.7um)115份、聚伸苯基醚寡聚物(三菱瓦斯化學(股)製「OPE-1000」、固形分約52%之甲苯溶液、酚性羥基當量：435g/eq)9.6份、阻燃劑(三光公司製「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷菲-10-氧化物、平均粒徑2μm)1.5份、硬化促進劑(四國化成工業公司製、「2P4MZ-5M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固形分5質量%之MEK溶液)3份，將環己酮100份以高速回轉混合器均一分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO公司製「SHP050」)過濾，製得樹脂清漆。 　　[0205] [比較例2] 　　混合雙酚A型環氧樹脂(三菱化學(股)製「828EL」、環氧當量約186)3份、雙環戊二烯型環氧樹脂(DIC公司製「HP-7200」、環氧當量258)3份、雙酚F型苯氧基樹脂(新日鐵住金化學(股)製「FX-316」)15份、含有三嗪骨架之酚酚醛清漆系硬化劑(DIC(股)製「LA-7054」、羥基當量約125、固形分60%之MEK溶液)8.3份、碳二亞胺化合物(日清紡Chemical(股)製「V-07」、碳二亞胺當量200、不揮發成分50質量%之甲苯溶液)4份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理之球狀二氧化矽A(平均粒徑1.7μm、比表面積(m² /g)2.7um)115份、阻燃劑(三光公司製「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷菲-10-氧化物、平均粒徑2μm)1.5份、硬化促進劑(四國化成工業公司製、「2P4MZ-5M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固形分5質量%之MEK溶液)3份，將環己酮100份以高速回轉混合器均一分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO公司製「SHP050」)過濾，製得樹脂清漆。 　　[0206] [比較例3] 　　混合雙酚A型環氧樹脂(三菱化學(股)製「828EL」、環氧當量約186)3份、彈性體A10份、苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7553BH30」、固形分30質量%之環己酮：甲基乙基酮(MEK)之1：1溶液)17份、雙環戊二烯型環氧樹脂(DIC公司製「HP-7200」、環氧當量258)3份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理之球狀二氧化矽A(平均粒徑1.7μm、比表面積(m² /g)2.7um)115份、聚伸苯基醚寡聚物(三菱瓦斯化學(股)製「OPE-1000」、固形分約52%之甲苯溶液、酚性羥基當量：435g/eq)9.6份、阻燃劑(三光公司製「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷菲-10-氧化物、平均粒徑2μm)1.5份、硬化促進劑(四國化成工業公司製、「2P4MZ-5M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固形分5質量%之MEK溶液)3份，將環己酮100份以高速回轉混合器均一分散，以筒式過濾器(ROKITECHNO公司製「SHP050」)過濾，製得樹脂清漆。 　　[0207][0208] [製作例1] ＜扇出(Fan-out)型WLP用樹脂薄片的製作＞ 　　於聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度38μm)上，以乾燥後之樹脂組成物層的厚度成為200μm的方式，將實施例1記載之樹脂清漆在模塗佈機進行塗佈，於80～120℃(平均100℃)乾燥10分鐘而得到樹脂薄片。 　　[0209] 瞭解到將扇出(Fan-out)型WLP之密封層使用上述樹脂薄片製作時，作為扇出(Fan-out)型WLP，係具有充分之性能。 [製作例1] ＜層間絕緣用樹脂薄片的製作＞ 　　於聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度38μm)上，以乾燥後之樹脂組成物層的厚度成為200μm的方式，將實施例1記載之樹脂清漆在模塗佈機進行塗佈，於80～120℃(平均100℃)乾燥10分鐘而得到樹脂薄片。 　　[0210] 瞭解到將電路基板之層間絕緣層使用上述樹脂薄片製作時，本發明之電路基板具有充分之性能。

Claims (12)

1. 一種樹脂組成物，其係含有(a)於分子內具有聚碳酸酯構造之彈性體、(b)環氧樹脂、(c)無機填充材、(d)苯氧基樹脂及(e)碳二亞胺化合物，(a)成分係具有式(1-a)表示之構造及式(1-b)表示之構造的樹脂，

   

   

   [式中，R1係表示去除聚碳酸酯二醇的羥基之殘基，R2係表示去除多元酸或其酐的羧基或酸酐基之殘基，R3係表示去除二異氰酸酯化合物的異氰酸酯基之殘基]以及(a)成分具有可與(b)成分進行反應之官能基。
2. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(c)成分的含量係將樹脂組成物之不揮發成分定為100質量%的情況下，為75質量%~95質量%。
3. 如請求項1或2之樹脂組成物，其中，(a)成分的含量係將去除(c)成分之樹脂組成物之不揮發成分定為100質量%的情況下，為30質量%~85質量%。
4. 如請求項1或2之樹脂組成物，其中，使樹脂組成物於180℃熱硬化1小時之硬化物在23℃之彈性率為8GPa以上。
5. 如請求項1或2之樹脂組成物，其中，(a)成分具有酚性羥基。
6. 如請求項1或2之樹脂組成物，其係進一步包含(f)硬化劑，該硬化劑為選自酚系硬化劑中之1種以上。
7. 如請求項1或2之樹脂組成物，其係半導體晶片封裝之絕緣層用樹脂組成物。
8. 一種樹脂薄片，其係具有支持體、與樹脂組成物層，該樹脂組成物層係包含設置在該支持體上之如請求項1~7中任一項之樹脂組成物。
9. 如請求項8之樹脂薄片，其係半導體晶片封裝之絕緣層用樹脂薄片。
10. 一種電路基板，其係包含藉由如請求項1~7中任一項之樹脂組成物的硬化物所形成之絕緣層。
11. 一種半導體晶片封裝，其係於如請求項10之電路基板上搭載半導體晶片。
12. 一種半導體晶片封裝，其係包含如請求項1~7中任一項之樹脂組成物，或藉由如請求項8之樹脂薄片密封之半導體晶片。