JP7441088B2 - 窒化アルミニウム膜、圧電デバイス、共振器、フィルタおよびマルチプレクサ - Google Patents
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Description
本発明は、窒化アルミニウム膜、圧電デバイス、共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関する。
圧電薄膜共振器等の圧電デバイスおよび弾性波デバイスには圧電膜として窒化アルミニウム膜が用いられている。窒化アルミニウム膜にスカンジウムを添加することで、圧電性が向上することが知られている（例えば特許文献１）。窒化アルミニウム膜に２族元素または１２族元素と４族元素または５族元素を添加することで圧電性が向上することが知られている（例えば特許文献２および３）。窒化アルミニウム膜の厚さ方向の端部において粒界のスカンジウムの濃度を結晶粒のスカンジウムの濃度より高くすることが知られている（例えば特許文献４）。４族元素に対する２族元素または１２族元素の組成比を１未満とすることが知られている（例えば特許文献５）。
しかしながら、４族元素と２族元素または１２族元素との濃度が増加すると電気機械結合係数が大きくなるもののＱ値が低下する。特許文献５では、窒化アルミニウム膜における４族元素に対する２族元素または１２族元素の組成比を１未満とすることで圧電薄膜共振器のＦＯＭを向上させている。しかしながら、窒化アルミニウム膜における４族元素に対する２族元素または１２族元素の組成比を１未満としても圧電薄膜共振器のＱ値が低下することがある。このように、圧電デバイスの特性は十分ではない。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、特性を向上させることを目的とする。
本発明は、複数の結晶粒を有し、２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素と４族元素とを含み、前記少なくとも一方の元素、前記４族元素、窒素、アルミニウム、及び希ガス元素以外の元素を含まず、結晶粒の粒界を含む幅が４ｎｍの粒界領域における前記４族元素に対する前記２族元素および前記１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比は０．７以上１．５未満である窒化アルミニウム膜である。
上記構成において、前記粒界領域における前記４族元素に対する前記２族元素および前記１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比は１．３以下である構成とすることができる。
上記構成において、前記粒界領域以外の領域における前記４族元素に対する前記２族元素および前記１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比は０．９未満である構成とすることができる。
上記構成において、前記４族元素は、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムの少なくとも１つであり、前記２族元素および前記１２族元素の少なくとも一方の元素は、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウムおよび亜鉛の少なくとも１つである構成とすることができる。
上記構成において、前記４族元素はハフニウムであり、前記２族元素および前記１２族元素の少なくとも一方の元素はマグネシウムである構成とすることができる。
本発明は、複数の結晶粒を有し、２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素と５族元素とを含み、前記少なくとも一方の元素、前記５族元素、窒素、アルミニウム、及び希ガス元素以外の元素を含まず、結晶粒の粒界を含む幅が４ｎｍの粒界領域における前記５族元素に対する前記２族元素および前記１２族元素の原子組成比は１．４以上３．０未満である窒化アルミニウム膜である。
上記構成において、前記粒界領域における前記５族元素に対する前記２族元素および前記１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比は２．６以下である構成とすることができる。
上記構成において、前記粒界領域以外の領域における前記５族元素に対する前記２族元素および前記１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比は１．８未満である構成とすることができる。
上記構成において、前記５族元素は、バナジウム、ニオブおよびタンタルの少なくとも１つであり、前記２族元素および前記１２族元素の少なくとも一方の元素は、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウムおよび亜鉛の少なくとも１つである構成とすることができる。
本発明は、上記窒化アルミニウム膜を備える圧電デバイスである。
本発明は、上記窒化アルミニウム膜と、前記窒化アルミニウム膜の少なくとも一部を膜厚方向に挟み平面視において重なるよう設けられた一対の電極と、を備える共振器である。
本発明は、上記共振器を備えるフィルタである。
本発明は、上記フィルタを備えるマルチプレクサである。
本発明によれば、特性を向上させることができる。
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。なお、元素の族の名称は、ＩＵＰＡＣ（International Union of Pure and Applied Chemistry）の表記による。
図１（ａ）は、実施例１に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１（ｂ）および図１（ｃ）は、図１（ａ）のＡ－Ａ断面図である。図１（ｂ）は、例えばラダー型フィルタの直列共振器、図１（ｃ）は例えばラダー型フィルタの並列共振器の断面図を示している。
図１（ａ）および図１（ｂ）を参照し、直列共振器Ｓの構造について説明する。基板１０上に、下部電極１２が設けられている。基板１０の平坦主面と下部電極１２との間にドーム状の膨らみを有する空隙３０が形成されている。ドーム状の膨らみとは、例えば空隙３０の周辺では空隙３０の高さが小さく、空隙３０の内部ほど空隙３０の高さが大きくなるような形状の膨らみである。基板１０は例えばシリコン（Ｓｉ）基板である。下部電極１２は下層１２ａと上層１２ｂとを含んでいる。下層１２ａおよび上層１２ｂは例えばそれぞれクロム（Ｃｒ）膜およびルテニウム（Ｒｕ）膜である。
下部電極１２上に、圧電膜１４が設けられている。圧電膜１４は、（０００１）方向を主軸とする窒化アルミニウムを主成分とする窒化アルミニウム膜であり、２族元素または１２族元素と４族元素または５族元素とが添加されている。２族元素は例えばマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）またはストロンチウム（Ｓｒ）であり、１２族元素は例えば亜鉛（Ｚｎ）である。４族元素は例えばハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）またはジルコニウム（Ｚｒ）であり、５族元素は例えばバナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）またはタンタル（Ｔａ）である。圧電膜１４は下部電極１２上に設けられた下部圧電膜１４ａと下部圧電膜１４ａ上に設けられた上部圧電膜１４ｂとを備える。
下部圧電膜１４ａと上部圧電膜１４ｂとの間に挿入膜２８が設けられている。挿入膜２８は例えば酸化シリコン膜である。挿入膜２８は共振領域６０内の外周領域６２に設けられ、中央領域６４に設けられていない。すなわち、挿入膜２８は中央領域６４を囲むように設けられている。挿入膜２８は、外周領域６２から共振領域６０外まで連続して設けられている。
圧電膜１４上に上部電極１６が設けられている。共振領域６０は、圧電膜１４を挟み下部電極１２と上部電極とが平面視において対向する領域であり、厚み縦振動モードの弾性波が共振する領域である。平面視において空隙３０は共振領域６０を含む。平面視において、空隙３０の大きさは共振領域６０と同じまたは共振領域６０より大きい。共振領域６０の平面形状は楕円形状である。上部電極１６は下層１６ａおよび上層１６ｂを含んでいる。下層１６ａおよび上層１６ｂは例えばそれぞれルテニウム膜およびクロム膜である。
上部電極１６上には周波数調整膜２４として酸化シリコン膜が形成されている。共振領域６０内の積層膜１８は、下部電極１２、圧電膜１４、挿入膜２８、上部電極１６および周波数調整膜２４を含む。周波数調整膜２４はパッシベーション膜として機能してもよい。
共振領域６０から下部電極１２が引き出される領域では、共振領域６０の外周より上部圧電膜１４ｂの外周が外側に位置し、上部圧電膜１４ｂの外周より下部圧電膜１４ａの外周が外側に位置する。挿入膜２８の外周は下部圧電膜１４ａの外周に略一致する。これにより、圧電膜１４には段差が形成される。
図１（ａ）のように、下部電極１２には犠牲層をエッチングするための導入路３３が形成されている。犠牲層は空隙３０を形成するための層である。導入路３３の先端付近は圧電膜１４で覆われておらず、下部電極１２は導入路３３の先端に孔部３５を有する。
図１（ａ）および図１（ｃ）を参照し、並列共振器Ｐの構造について説明する。並列共振器Ｐは直列共振器Ｓと比較し、上部電極１６の下層１６ａと上層１６ｂとの間に、チタン層からなる質量負荷膜２０が設けられている。よって、積層膜１８は直列共振器Ｓの積層膜に加え、共振領域６０内の全面に形成された質量負荷膜２０を含む。その他の構成は直列共振器Ｓの図１（ｂ）と同じであり説明を省略する。
直列共振器Ｓと並列共振器Ｐとの共振周波数の差は、質量負荷膜２０の膜厚を用い調整する。直列共振器Ｓと並列共振器Ｐとの両方の共振周波数の調整は、周波数調整膜２４の膜厚を調整することにより行なう。
２ＧＨｚの共振周波数を有する圧電薄膜共振器の場合、下部電極１２のＣｒ膜からなる下層１２ａの膜厚は１００ｎｍ、Ｒｕ膜からなる上層１２ｂの膜厚は２５０ｎｍである。ＡｌＮ膜からなる圧電膜１４の膜厚は１１００ｎｍである。酸化シリコン膜からなる挿入膜２８の膜厚は１５０ｎｍである。上部電極１６のＲｕ膜からなる下層１６ａの膜厚は２５０ｎｍ、Ｃｒ膜からなる上層１６ｂの膜厚は５０ｎｍである。酸化シリコン膜からなる周波数調整膜２４の膜厚は５０ｎｍである。チタン膜からなる質量負荷膜２０の膜厚は１２０ｎｍである。各層の膜厚は、所望の共振特性を得るため適宜設定することができる。
基板１０としては、シリコン基板以外に、サファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、石英基板、ガラス基板、セラミック基板またはＧａＡｓ基板等を用いることができる。下部電極１２および上部電極１６としては、ルテニウムおよびクロム以外にもアルミニウム（Ａｌ）、チタン、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）またはイリジウム（Ｉｒ）等の単層膜またはこれらの積層膜を用いることができる。例えば、上部電極１６の下層１６ａをルテニウム、上層１６ｂをモリブデンとしてもよい。
挿入膜２８は、圧電膜１４よりヤング率および／または音響インピーダンスが小さい材料である。挿入膜２８は、酸化シリコン以外に、アルミニウム、金（Ａｕ）、銅、チタン、白金、タンタルまたはクロム等の単層膜またはこれらの積層膜を用いることができる。
周波数調整膜としては、酸化シリコン膜以外にも窒化シリコン膜または窒化アルミニウム等を用いることができる。質量負荷膜２０としては、チタン以外にも、下部電極１２および上部電極１６として例示した金属の単層膜を用いることができる。質量負荷膜２０としては、例えば窒化シリコンまたは酸化シリコン等の窒化金属または酸化金属からなる絶縁膜を用いることもできる。質量負荷膜２０は、上部電極１６の層間（下層１６ａと上層１６ｂとの間）以外にも、下部電極１２の下、下部電極１２の層間、上部電極１６の上、下部電極１２と圧電膜１４との間または圧電膜１４と上部電極１６との間に形成することができる。質量負荷膜２０は、共振領域６０を含むように形成されていれば、共振領域６０より大きくてもよい。
図２（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１に係る直列共振器の製造方法を示す断面図である。図２（ａ）に示すように、平坦主面を有する基板１０上に空隙を形成するための犠牲層３８を形成する。犠牲層３８の膜厚は、例えば１０～１００ｎｍであり、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）または酸化シリコン（ＳｉＯ２）等のエッチング液またはエッチングガスに容易に溶解できる材料から選択される。その後、犠牲層３８を、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。犠牲層３８の形状は、空隙３０の平面形状に相当する形状であり、例えば共振領域６０となる領域を含む。次に、犠牲層３８および基板１０上に下部電極１２として下層１２ａおよび上層１２ｂを形成する。犠牲層３８および下部電極１２は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用い成膜される。その後、下部電極１２を、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。下部電極１２は、リフトオフ法により形成してもよい。
図２（ｂ）に示すように、下部電極１２および基板１０上に下部圧電膜１４ａおよび挿入膜２８を、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い成膜する。挿入膜２８を、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。挿入膜２８は、リフトオフ法により形成してもよい。
図２（ｃ）に示すように、上部圧電膜１４ｂ、上部電極１６の下層１６ａおよび上層１６ｂを、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い成膜する。下部圧電膜１４ａおよび上部圧電膜１４ｂから圧電膜１４が形成される。上部電極１６上に周波数調整膜２４を例えばスパッタリング法またはＣＶＤ法を用い形成する。フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い周波数調整膜２４を所望の形状にパターニングする。フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い上部電極１６を所望の形状にパターニングする。フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い上部圧電膜１４ｂを所望の形状にパターニングする。フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い下部圧電膜１４ａを所望の形状にパターニングする。下部電極１２の引き出し領域では、挿入膜２８をマスクに下部圧電膜１４ａがエッチングされる。
圧電膜１４として、２族元素または１２族元素と４族元素または５族元素とが添加された窒化アルミニウム膜を成膜する方法として、例えば反応性スパッタリング法がある。例えば、窒素（Ｎ２）ガスを含む雰囲気（例えばアルゴン（Ａｒ）と窒素の混合ガス）中でＡｌ－２族元素または１２族元素－４族元素または５族元素の合金のターゲットから原子をスパタッリングさせ原子と窒素とを反応させ堆積させる。ターゲットへの電圧の印加方法としては例えば、ターゲットに交流（ＡＣ：Alternating Current)電圧を印加するＡＣマグネトロンスパッタリング方式を用いることができる。Ａｌ－２族元素または１２族元素－４族元素または５族元素の合金のターゲットおよびＡｌターゲットの２つのターゲットに同時に放電する２元系反応性スパッタリング法を用いてもよい。Ａｌターゲット、２族元素または１２族元素ターゲットおよび４族元素または５族元素ターゲットの３つのターゲットに同時に放電する多元系反応性スパッタリング法を用いてもよい。
図１（ｃ）に示す並列共振器においては、下層１６ａを形成した後に、質量負荷膜２０を、例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い成膜する。質量負荷膜２０をフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。その後、上層１６ｂを形成する。
その後、孔部３５および導入路３３（図１（ａ）参照）を介し、犠牲層３８のエッチング液を下部電極１２の下の犠牲層３８に導入する。これにより、犠牲層３８が除去される。犠牲層３８をエッチングする媒体としては、犠牲層３８以外の共振器を構成する材料をエッチングしない媒体であることが好ましい。特に、エッチング媒体は、エッチング媒体が接触する下部電極１２がエッチングされない媒体であることが好ましい。積層膜１８（図１（ｂ）、図１（ｃ）参照）の応力を圧縮応力となるように設定しておく。これにより、犠牲層３８が除去されると、積層膜１８が基板１０の反対側に基板１０から離れるように膨れる。下部電極１２と基板１０との間にドーム状の膨らみを有する空隙３０が形成される。以上により、図１（ａ）および図１（ｂ）に示した直列共振器Ｓ、および図１（ａ）および図１（ｃ）に示した並列共振器Ｐが作製される。
[実験１]
圧電膜１４として、ＭｇおよびＨｆを添加した窒化アルミニウム膜を用い、ＭｇとＨｆの原子比率を変えた圧電薄膜共振器のサンプルＡ～Ｅを作製した。作製条件は以下である。
下部電極１２の下層１２ａ：膜厚が１００ｎｍのＣｒ膜
下部電極１２の上層１２ｂ：膜厚が２１０ｎｍのＲｕ膜
圧電膜１４：膜厚が１１５０ｎｍの窒化アルミニウム膜
挿入膜２８：膜厚が１５０ｎｍの酸化シリコン膜
上部電極１６の下層１６ａ:膜厚が２３０ｎｍのＲｕ膜
上部電極１６の上層１６ｂ：膜厚が２０ｎｍのＣｒ膜
周波数調整膜２４：膜厚が５０ｎｍの酸化シリコン膜
質量負荷膜２０：なし
圧電膜１４として、ＭｇおよびＨｆを添加した窒化アルミニウム膜を用い、ＭｇとＨｆの原子比率を変えた圧電薄膜共振器のサンプルＡ～Ｅを作製した。作製条件は以下である。
下部電極１２の下層１２ａ：膜厚が１００ｎｍのＣｒ膜
下部電極１２の上層１２ｂ：膜厚が２１０ｎｍのＲｕ膜
圧電膜１４：膜厚が１１５０ｎｍの窒化アルミニウム膜
挿入膜２８：膜厚が１５０ｎｍの酸化シリコン膜
上部電極１６の下層１６ａ:膜厚が２３０ｎｍのＲｕ膜
上部電極１６の上層１６ｂ：膜厚が２０ｎｍのＣｒ膜
周波数調整膜２４：膜厚が５０ｎｍの酸化シリコン膜
質量負荷膜２０：なし
窒化アルミニウム膜の成膜方法は、ＡＣマグネトロンスパッタリング方式を用いた反応性スパッタリング法を用いた。Ａｌ－Ｍｇ－Ｈｆ合金ターゲットおよびＡｌターゲットの２つのターゲットを用いた。Ａｌ－Ｍｇ－Ｈｆ合金ターゲット中のＭｇとＨｆの原子比率を変えることで、ＭｇとＨｆの原子比率の異なるサンプルを作製した。Ａｌ－Ｍｇ－Ｈｆ合金ターゲットとＡｌターゲットとに印加するＡＣ電力を変えることで窒化アルミニウム中のＭｇおよびＨｆの濃度を変化させることができる。
サンプルＡ～Ｅに用いたＡｌ－Ｍｇ－Ｈｆ合金ターゲットは、以下の５つの組成のターゲットである。表１は、サンプルＡからＥにおけるターゲットのＭｇ、ＨｆおよびＡｌの組成比（原子％）を示す表である。
作製した圧電薄膜共振器の***振周波数におけるＱ値およびｔａｎδを測定した。図３（ａ）は、実験１において用いた圧電薄膜共振器の等価回路、図３（ｂ）は、キャパシタの等価回路である。図３（ａ）に示すように、圧電薄膜共振器のｍＢＶＤ（Modified Butterworth-Van Dyke）法での等価回路では、ノードＮ０１とＮ０２との間にインダクタＬ１、キャパシタＣ１および抵抗Ｒ１が直列接続された経路とキャパシタＣ０および抵抗Ｒ０が直列接続された経路とが並列接続されている。端子Ｔ０１とノードＮ０１との間に抵抗Ｒｓが接続されている。端子Ｔ０２とノードＮ０２とは直接接続されている。図３（ａ）の等価回路を用いフィッティングを行い各集中定数を求め、数式１の式より***振周波数におけるＱ値Ｑａを算出できる。
図３（ｂ）に示すように、キャパシタの等価回路では、ノードＮ０１とＮ０２との間に抵抗Ｒ１とキャパシタＣ１が直列接続されている。端子Ｔ０１とノードＮ０１との間に抵抗Ｒｓが接続されている。端子Ｔ０２とノードＮ０２とは直接接続されている。図３（ｂ）の等価回路を用いフィッティングを行い各集中定数を求め、数式２の式よりｔａｎδが算出できる。
作製した圧電薄膜共振器について、ネットワークアナライザを用い、１０ＭＨｚから５０００ＭＨｚまでのＳ１１特性を１ＭＨｚピッチで取得し、図３（ａ）の等価回路を用い、***振周波数のＱ値Ｑａを求めた。
共振周波数ｆｒから大きく外れる周波数では図３（ｂ）の等価回路が当てはまるため、５０ＭＨｚから４００ＭＨｚおよび３０００ＭＨｚから４５００ＭＨｚのＳ１１を用い、周波数ｆを２０００ＭＨｚとしてｔａｎδを求めた。
図４は、実験１におけるｔａｎδに対する***振周波数のＱ値Ｑａを示す図である。ドットは測定点を示し、直線は近似直線を示す。図４に示すように、２ＧＨｚにおけるｔａｎδと***振周波数のＱ値Ｑａとには負の相関がある。ＭｇおよびＨｆを窒化アルミニウム膜にドープすることで、Ｑ値が低下する要因はｔａｎδが大きくなっているためではないかと考えられる。
［実験２］
シリコン基板に意図的に不純物を添加していない窒化アルミニウム膜を形成したサンプルを作製した。窒化アルミニウム膜の平面方向の断面をＡＦＭ（Atomic Force Microscope）分析およびｓＭＩＭ（scanning Microwave Impedance Microscope）分析を行った。ＡＦＭ分析では、断面の凹凸を観察でき、凹凸により結晶粒と粒界が観察できる。ｓＭＩＭ分析で得られるＣ強度は伝導に寄与するアクティブキャリア密度に相当する。
シリコン基板に意図的に不純物を添加していない窒化アルミニウム膜を形成したサンプルを作製した。窒化アルミニウム膜の平面方向の断面をＡＦＭ（Atomic Force Microscope）分析およびｓＭＩＭ（scanning Microwave Impedance Microscope）分析を行った。ＡＦＭ分析では、断面の凹凸を観察でき、凹凸により結晶粒と粒界が観察できる。ｓＭＩＭ分析で得られるＣ強度は伝導に寄与するアクティブキャリア密度に相当する。
図５（ａ）および図５（ｂ）は、実験２における窒化アルミニウム膜のそれぞれＡＦＭ画像およびｓＭＩＭのＣ強度の画像を示す図である。図５（ａ）において、濃淡は窒化アルミニウム膜の断面の凹凸を示す。黒は凹んでいることを示し白は突出していることを示す。白い領域は結晶粒５０に相当し、黒い領域は粒界５２に相当する。図５（ｂ）において、黒から白になるほどｃＭＩＭのＣ強度が大きいことを示している。アクティブなキャリア密度が高いとＣ強度が大きくなる。図５（ａ）と図５（ｂ）を比較すると、粒界５２においてＣ強度が大きく、アクティブキャリア密度が高くなっている。
この結果から、例えばＭｇおよびＨｆ等のドーパントによって粒界５２におけるキャリア密度が変化すると、図３（ｂ）の等価回路におけるＲ１が変化し、ｔａｎδが変化すること考えられる。これにより、図４のように***振周波数におけるＱ値Ｑａが変化してしまう。特許文献５では、結晶粒５０と粒界５２とを区別せず全体の４族元素に対する２族元素または１２族元素の組成比を１未満としている。しかし、窒化アルミニウム膜の成膜条件等により、結晶粒５０と粒界５２の全体の組成比は同じでも、粒界５２における組成比は異なる可能性がある。そこで、粒界５２における４族元素に対する２族元素または１２族元素の組成比に着目した。
［実験３］
実験１において作製した圧電薄膜共振器と同じ条件で成膜した窒化アルミニウム膜をＥＤＳ（Energy Dispersive X-ray Spectrometry）分析とＥＰＭＡ（Electron Probe Micro Analyzer）分析を行った。ＥＤＳ分析は局所領域の面分析が可能である。一方、ＥＰＭＡ分析は面分析が難しい。ＥＤＳ分析は、軽元素の特定Ｘ線が試料に吸収されやすいためＮ等の軽元素の定量値は実際の値より低くなる傾向がある。ＥＰＭＡ分析においても軽元素の特定Ｘ線は試料に吸収されやすい。しかし、吸収を前提とした定量計算法としてＺＡＦ法を用いること、および標準試料を用い補正を行うことで、軽元素における特定Ｘ線の吸収による定量性の低下を抑制できる。このように、ＥＤＳ分析は定量性が低いが、ＥＰＭＡ分析は定量性が高い。
実験１において作製した圧電薄膜共振器と同じ条件で成膜した窒化アルミニウム膜をＥＤＳ（Energy Dispersive X-ray Spectrometry）分析とＥＰＭＡ（Electron Probe Micro Analyzer）分析を行った。ＥＤＳ分析は局所領域の面分析が可能である。一方、ＥＰＭＡ分析は面分析が難しい。ＥＤＳ分析は、軽元素の特定Ｘ線が試料に吸収されやすいためＮ等の軽元素の定量値は実際の値より低くなる傾向がある。ＥＰＭＡ分析においても軽元素の特定Ｘ線は試料に吸収されやすい。しかし、吸収を前提とした定量計算法としてＺＡＦ法を用いること、および標準試料を用い補正を行うことで、軽元素における特定Ｘ線の吸収による定量性の低下を抑制できる。このように、ＥＤＳ分析は定量性が低いが、ＥＰＭＡ分析は定量性が高い。
以下に上記を踏まえた粒界近傍のＨｆに対するＭｇの組成比Ｍｇ／Ｈｆを以下のように算出した。例としてサンプルＤを用いて形成した窒化アルミニウムの分析結果を説明する。
分析は以下のステップＳＴ１からＳＴ５にて行った。
［ステップＳＴ１］
ＥＰＭＡ分析法を用い結晶粒５０に対し十分に広い領域として直径が約１００μｍの領域の原子濃度を測定する。
［ステップＳＴ１］
ＥＰＭＡ分析法を用い結晶粒５０に対し十分に広い領域として直径が約１００μｍの領域の原子濃度を測定する。
［ステップＳＴ２］
ＥＤＳ分析法を用い同じサンプルの線ＥＤＳ分析を行なう。図６は、実験３におけるＨＡＡＤＦ－ＳＴＥＭ法を用いた窒化アルミニウムの断面の画像を示す図である。図６に示すように、ＨＡＡＤＦ－ＳＴＥＭ（High-Angle Annular Dark-Field Scanning Transmission Electron Microscopy）法を用い結晶粒５０と粒界５２が観察できる。
ＥＤＳ分析法を用い同じサンプルの線ＥＤＳ分析を行なう。図６は、実験３におけるＨＡＡＤＦ－ＳＴＥＭ法を用いた窒化アルミニウムの断面の画像を示す図である。図６に示すように、ＨＡＡＤＦ－ＳＴＥＭ（High-Angle Annular Dark-Field Scanning Transmission Electron Microscopy）法を用い結晶粒５０と粒界５２が観察できる。
図７は、実験３におけるＥＤＳ分析法を用い図６内の直線に沿った元素濃度を示す図である。図７では、図６の直線５７に沿った距離に対するＭｇ濃度（実線）とＨｆ（破線）の濃度を示している。ＥＤＳ分析のスポット径は０．２ｎｍである。図７に示すように、Ｈｆ濃度は場所によらずほぼ一定である。Ｍｇは５ケ所のピークが現れる。Ｍｇ濃度のピークの位置を５４ａ～５４ｅとする。ピークの位置５４ａ～５４ｅは図６の粒界５２の位置とほぼ一致する。このように、Ｈｆは結晶粒５０および粒界５２によらず一様に分布する。Ｍｇ濃度は粒界５２近傍において結晶粒５０より高い。
表２は、ＥＰＭＡ分析における元素濃度とＥＤＳ分析法における全領域の平均の元素濃度とＥＤＳ分析における各元素濃度とを示す表である。
表２に示すように、ＥＤＳ分析法ではＥＰＭＡ分析法に比べ窒素濃度が低くなり、他の元素濃度は高くなる。前述のようにＥＰＭＡ分析はＥＤＳ分析法に比べ定量性が高い。
［ステップＳＴ３］
ＥＤＳ線分析の各測定点の元素濃度をＥＰＭＡ分析法相当に換算する。各元素濃度につき、ＥＰＭＡ換算濃度として、［ＥＰＭＡ測定濃度］×（［ＥＤＳ各測定点の濃度］／［ＥＤＳ全域の濃度］）を算出した。図８（ａ）は、図７のＭｇ濃度をＥＰＭＡに換算した濃度を示す図である。図８（ａ）に示すように、５つのピークが観察できる。
ＥＤＳ線分析の各測定点の元素濃度をＥＰＭＡ分析法相当に換算する。各元素濃度につき、ＥＰＭＡ換算濃度として、［ＥＰＭＡ測定濃度］×（［ＥＤＳ各測定点の濃度］／［ＥＤＳ全域の濃度］）を算出した。図８（ａ）は、図７のＭｇ濃度をＥＰＭＡに換算した濃度を示す図である。図８（ａ）に示すように、５つのピークが観察できる。
［ステップＳＴ４］
Ｍｇ（２族元素または１２族元素）濃度に基づき、粒界５４およびその近傍の粒界領域５６と結晶粒５０内部の結晶粒領域５８に分離する。図８（ｂ）は、図８（ａ）に基づく窒化アルミニウム膜の断面模式図である。図８（ｂ）に示すように、シリコン基板１０上に圧電膜１４として窒化アルミニウム膜が積層されている。結晶粒５０は柱状であり、結晶粒５０の間が粒界５２である。窒化アルミニウム膜の平面方向における断面５１をＥＤＳ分析すると、粒界５２が断面５１に現れた個所がＭｇ濃度のピークとなる。そこで、Ｍｇ濃度のピークの位置５４ａ～５４ｅを中心に片側幅Ｗの範囲を粒界５２およびその近傍の粒界領域５６とし、粒界領域５６以外の領域を結晶粒５０内部の結晶粒領域５８と定義する。
Ｍｇ（２族元素または１２族元素）濃度に基づき、粒界５４およびその近傍の粒界領域５６と結晶粒５０内部の結晶粒領域５８に分離する。図８（ｂ）は、図８（ａ）に基づく窒化アルミニウム膜の断面模式図である。図８（ｂ）に示すように、シリコン基板１０上に圧電膜１４として窒化アルミニウム膜が積層されている。結晶粒５０は柱状であり、結晶粒５０の間が粒界５２である。窒化アルミニウム膜の平面方向における断面５１をＥＤＳ分析すると、粒界５２が断面５１に現れた個所がＭｇ濃度のピークとなる。そこで、Ｍｇ濃度のピークの位置５４ａ～５４ｅを中心に片側幅Ｗの範囲を粒界５２およびその近傍の粒界領域５６とし、粒界領域５６以外の領域を結晶粒５０内部の結晶粒領域５８と定義する。
図９は、実験３における粒界からの距離に対するＭｇ濃度を示す図である。図９では、図８（ａ）における各位置５４ａから５４ｅからの距離に対するＭｇ濃度を示している。図９に示すように、距離０ｎｍにおいてＭｇ濃度は最も高い。距離が大きくなるに従い、つまりピーク位置５４ａ～５４ｅから離れるに従い、Ｍｇ濃度が減少する。距離が２ｎｍ以上となるとＭｇ濃度はほぼ一定となる。結晶粒５０内部ではＭｇ濃度は一定であり、粒界５２付近でＭｇ濃度が高くなると考え、粒界領域５６の片側幅Ｗを２ｎｍとした。
［ステップＳＴ５］
粒界領域５６における各元素のＥＰＭＡ換算濃度の平均、および結晶粒領域５８における各元素のＥＰＭＡ換算濃度を平均を算出する。粒界領域５６および結晶粒領域５８におけるＭｇ／Ｈｆ濃度を算出する。
粒界領域５６における各元素のＥＰＭＡ換算濃度の平均、および結晶粒領域５８における各元素のＥＰＭＡ換算濃度を平均を算出する。粒界領域５６および結晶粒領域５８におけるＭｇ／Ｈｆ濃度を算出する。
サンプルＡ～Ｅの窒化アルミニウム膜の粒界領域５６におけるＭｇのＥＰＭＡ換算濃度／ＨｆのＥＰＭＡ換算濃度（Ｍｇ／Ｈｆ）と結晶粒領域５８におけるＭｇ／Ｈｆを算出した。
各サンプルＡ～Ｅについて、窒化アルミニウム膜で測定した粒界領域５６および結晶粒領域５８におけるＭｇ／Ｈｆと、サンプルＡ～Ｅの圧電薄膜共振器の２ＧＨｚにおけるｔａｎδを比較した。図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、それぞれ粒界領域５６および結晶粒領域５８におけるＭｇ／Ｈｆに対するｔａｎδを示す図である。
図１０（ａ）と図１０（ｂ）を比較すると、粒界領域５６では結晶粒領域５８よりＭｇ／Ｈｆが大きい。このように、粒界領域５６と結晶粒領域５８ではＭｇ／Ｈｆの値が異なる。図５（ｂ）のｃＭＩＭにおける考察より、粒界５２におけるアクティブキャリア密度が窒化アルミニウム膜の図３（ｂ）の等価回路における抵抗Ｒ１の大きさに寄与すると仮定すると、粒界領域５６においてアクティブなキャリア密度が小さくなるようにＭｇ濃度およびＨｆ濃度を制御することがｔａｎδを制御するには重要である。そこで、図１０（ａ）に着目する。
図１０（ａ）のように、Ｍｇ／Ｈｆが０ではｔａｎδが大きい。Ｍｇ／Ｈｆが大きくなるとｔａｎδが小さくなる。粒界領域５６におけるＭｇ／Ｈｆが１付近でｔａｎδが最も小さくなる。さらにＭｇ／Ｈｆが大きくなるｔａｎδが大きくなる。
２族元素または１２族元素および４族元素は窒化アルミニウム内の主にアルミニウムに置換する。１３族元素であるアルミニウムに４族元素（例えばＨｆ）が置換すると、電子が余分に供給される。アルミニウムに２族元素または１２族元素（例えばＭｇ）をドープすると余分な電子が補償される。よって、粒界領域５６におけるＭｇ／Ｈｆを１付近とすることで、Ｈｆから供給される電子をＭｇが補償する。よって、粒界５２におけるアクティブキャリア密度を低くできるため、図３（ｂ）の等価回路における抵抗Ｒ１が高くなりｔａｎδが小さくなる。よって、図４のように***振周波数におけるＱ値Ｑａを向上できる。
特許文献５では、結晶粒５０および粒界５２を含む全体の４族元素に対する２族元素または１２族元素の原子組成比を１未満としているが、結晶粒５０と粒界５２における各元素濃度は窒化アルミニウム膜の成膜条件によって異なることが考えられる。このため、結晶粒５０および粒界５２を含む全体の４族元素に対する２族元素または１２族元素の原子組成比を制御してもＱ値が低くなることがありうる。
実施例１によれば、窒化アルミニウム膜は複数の結晶粒５０を有し、２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素と４族元素とを含み、結晶粒５０の粒界５２を含む幅が４ｎｍの粒界領域５６における４族元素に対する２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比は０．７以上である。これにより、粒界５２におけるアクティブキャリア密度を低くできるため、図３（ｂ）の等価回路における抵抗Ｒ１が高くなる。よって、ｔａｎδが小さくなりＱ値が向上する。このように特性を向上できる。粒界領域５６における４族元素に対する２族元素または１２族元素の原子組成比は０．８以上が好ましく、０．９以上がより好ましい。
粒界領域５６における４族元素に対する２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比は１．５以下が好ましく、１．３以下がより好ましく、１．２以下がさらに好ましい。これにより、粒界領域５６における４族元素に対する２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比が１に近くなり、粒界５２におけるアクティブキャリア密度を低くできる。
結晶粒領域５８における４族元素に対する２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比は粒界領域５６より小さい。よって、粒界領域５６以外の結晶粒領域５８における４族元素に対する２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比は０．９以下が好ましく、０．８以下がより好ましい。これにより、粒界領域５６における４族元素に対する２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比が１に近くなり、粒界５２におけるアクティブキャリア密度を低くできる。
４族元素は、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムの少なくとも１つであり、２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素は、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウムおよび亜鉛の少なくとも１つであることが好ましい。
特許文献２および３のように、４族元素の代わりに５族元素を窒化アルミニウムにドープしても電気機械結合係数が向上する。この場合、５族元素は主にアルミニウムに置換し、１つの５族元素から２個の電子が供給される。よって、５族元素をドープする場合、２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素のドープ量は４族元素の２倍となる。
よって、窒化アルミニウム膜は複数の結晶粒５０を有し、２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素と５族元素とを含み、結晶粒５０の粒界５２を含む幅が４ｎｍの粒界領域５６における５族元素に対する２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比は１．４以上が好ましく、１．６以上がより好ましく、１．８以上がより好ましい。
粒界領域５６における５族元素に対する２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比は３．０以下が好ましく、２．６以下がより好ましく、２．４以下がさらに好ましい。粒界領域５６以外の結晶粒領域５８における５族元素に対する２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比は１．８以下が好ましく、１．６以下がより好ましい。
５族元素は、バナジウム、ニオブおよびタンタルの少なくとも１つであり、２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素は、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウムおよび亜鉛の少なくとも１つであることが好ましい。
窒化アルミニウム膜にはアルミニウム、窒素、４族元素、５族元素、２族元素および１２族元素以外は意図的には含まないことが好ましく、アルミニウム、窒素、４族元素、５族元素、２族元素および１２族元素以外の元素は５原子％以下が好ましく、１原子％以下がより好ましい。
なお、４族元素に対する２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比、および５族元素に対する２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比等は、隣り合う３つの結晶粒５０の粒界領域５６および結晶粒領域５８の原子組成比を測定した結果が上記範囲であればよい。これにより、窒化アルミニウム膜全体の粒界領域５６における原子組成比を擬制できる。
［実施例１の変形例１］
図１１は、実施例１の変形例１に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図１１に示すように、実施例１の変形例１では、挿入膜２８が設けられていない。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
図１１は、実施例１の変形例１に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図１１に示すように、実施例１の変形例１では、挿入膜２８が設けられていない。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
［実施例１の変形例２］
実施例１の変形例２および３は、空隙の構成を変えた例である。図１２（ａ）および図１２（ｂ）は、それぞれ実施例１の変形例２および３に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図１２（ａ）に示すように、基板１０の上面に窪みが形成されている。下部電極１２は、基板１０上に平坦に形成されている。これにより、空隙３０が、基板１０の窪みに形成されている。空隙３０は共振領域６０を含むように形成されている。その他の構成は、実施例１と同じであり説明を省略する。空隙３０は、基板１０を貫通するように形成されていてもよい。
実施例１の変形例２および３は、空隙の構成を変えた例である。図１２（ａ）および図１２（ｂ）は、それぞれ実施例１の変形例２および３に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図１２（ａ）に示すように、基板１０の上面に窪みが形成されている。下部電極１２は、基板１０上に平坦に形成されている。これにより、空隙３０が、基板１０の窪みに形成されている。空隙３０は共振領域６０を含むように形成されている。その他の構成は、実施例１と同じであり説明を省略する。空隙３０は、基板１０を貫通するように形成されていてもよい。
［実施例１の変形例３］
図１２（ｂ）に示すように、共振領域６０の下部電極１２下に音響反射膜３１が形成されている。音響反射膜３１は、音響インピーダンスの低い膜３０ａと音響インピーダンスの高い膜３０ｂとが交互に設けられている。膜３０ａおよび３０ｂの膜厚は例えばそれぞれλ／４（λは弾性波の波長）である。膜３０ａと膜３０ｂの積層数は任意に設定できる。音響反射膜３１は、音響特性の異なる少なくとも２種類の層が間隔をあけて積層されていればよい。また、基板１０が音響反射膜３１の音響特性の異なる少なくとも２種類の層のうちの１層であってもよい。例えば、音響反射膜３１は、基板１０中に音響インピーダンスの異なる膜が一層設けられている構成でもよい。その他の構成は、実施例１と同じであり説明を省略する。
図１２（ｂ）に示すように、共振領域６０の下部電極１２下に音響反射膜３１が形成されている。音響反射膜３１は、音響インピーダンスの低い膜３０ａと音響インピーダンスの高い膜３０ｂとが交互に設けられている。膜３０ａおよび３０ｂの膜厚は例えばそれぞれλ／４（λは弾性波の波長）である。膜３０ａと膜３０ｂの積層数は任意に設定できる。音響反射膜３１は、音響特性の異なる少なくとも２種類の層が間隔をあけて積層されていればよい。また、基板１０が音響反射膜３１の音響特性の異なる少なくとも２種類の層のうちの１層であってもよい。例えば、音響反射膜３１は、基板１０中に音響インピーダンスの異なる膜が一層設けられている構成でもよい。その他の構成は、実施例１と同じであり説明を省略する。
実施例１およびその変形例１において、実施例１の変形例２と同様の空隙３０を形成してもよく、実施例１の変形例３と同様に空隙３０の代わりに音響反射膜３１を形成してもよい。
実施例１およびその変形例１および２のように、圧電薄膜共振器は、共振領域６０において空隙３０が基板１０と下部電極１２との間に形成されているＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）でもよい。また、実施例１の変形例３のように、圧電薄膜共振器は、共振領域６０において下部電極１２下に圧電膜１４を伝搬する弾性波を反射する音響反射膜３１を備えるＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator）でもよい。共振領域６０を含む音響反射層は、空隙３０または音響反射膜３１を含めばよい。
実施例１およびその変形例２および３において、挿入膜２８が共振領域６０の外周領域６２に設けられているが、挿入膜２８は共振領域６０の外周領域６２の少なくとも一部に設けられていればよい。挿入膜２８は共振領域６０の外側に設けられてなくてもよい。実施例１の変形例１のように挿入膜２８は設けられていなくてもよい。共振領域６０の平面形状として楕円形状を例に説明したが、四角形状または五角形状等の多角形状でもよい。
実施例１およびその変形例では、窒化アルミニウム膜を用いる圧電デバイスとして、窒化アルミニウム膜の少なくとも一部を膜厚方向に挟み平面視において重なるよう設けられた上部電極１６および下部電極１２（一対の電極）を有する圧電薄膜共振器を例に説明した。圧電デバイスは、窒化アルミニウム膜を伝搬する弾性波を励振する電極を有する弾性波デバイスでもよい。例えば、窒化アルミニウム膜上に櫛型電極が設けられたラム波を利用する共振器でもよい。
実施例２は、実施例１およびその変形例の圧電薄膜共振器を用いたフィルタおよびデュプレクサの例である。図１３（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図である。図１３（ａ）に示すように、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４が直列に接続されている。入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ４が並列に接続されている。１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４および１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ４の少なくとも１つの共振器に実施例１およびその変形例の圧電薄膜共振器を用いることができる。ラダー型フィルタの共振器の個数等は適宜設定できる。
図１３（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。図１３（ｂ）に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ４０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ４２が接続されている。送信フィルタ４０は、送信端子Ｔｘから入力された信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ４２は、共通端子Ａｎｔから入力された信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ４０および受信フィルタ４２の少なくとも一方を実施例２のフィルタとすることができる。
マルチプレクサとしてデュプレクサを例に説明したがトリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。
圧電デバイスとして、弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサについて説明したが、圧電デバイスは、インクジェットを用いたマイクロポンプ、ＲＦ（Radio Frequency）－ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）スイッチ、光ミラーのようなアクチュエータでもよい。圧電デバイスは、加速度センサ、ジャイロセンサ、エナジーハーベス等のセンサでもよく、ＭＥＭＳ素子でもよい。
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
１０ 基板
１２ 下部電極
１４ 圧電膜
１６ 上部電極
１２ 下部電極
１４ 圧電膜
１６ 上部電極
Claims (13)
- 複数の結晶粒を有し、２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素と４族元素とを含み、前記少なくとも一方の元素、前記４族元素、窒素、アルミニウム、及び希ガス元素以外の元素を含まず、結晶粒の粒界を含む幅が４ｎｍの粒界領域における前記４族元素に対する前記２族元素および前記１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比は０．７以上１．５未満である窒化アルミニウム膜。
- 前記粒界領域における前記４族元素に対する前記２族元素および前記１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比は１．３以下である請求項１に記載の窒化アルミニウム膜。
- 前記粒界領域以外の領域における前記４族元素に対する前記２族元素および前記１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比は０．９未満である請求項１または２に記載の窒化アルミニウム膜。
- 前記４族元素は、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムの少なくとも１つであり、前記２族元素および前記１２族元素の少なくとも一方の元素は、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウムおよび亜鉛の少なくとも１つである請求項１から３のいずれか一項に記載の窒化アルミニウム膜。
- 前記４族元素はハフニウムであり、前記２族元素および前記１２族元素の少なくとも一方の元素はマグネシウムである請求項１から３のいずれか一項に記載の窒化アルミニウム膜。
- 複数の結晶粒を有し、２族元素および１２族元素の少なくとも一方の元素と５族元素とを含み、前記少なくとも一方の元素、前記５族元素、窒素、アルミニウム、及び希ガス元素以外の元素を含まず、結晶粒の粒界を含む幅が４ｎｍの粒界領域における前記５族元素に対する前記２族元素および前記１２族元素の原子組成比は１．４以上３．０未満である窒化アルミニウム膜。
- 前記粒界領域における前記５族元素に対する前記２族元素および前記１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比は２．６以下である請求項６に記載の窒化アルミニウム膜。
- 前記粒界領域以外の領域における前記５族元素に対する前記２族元素および前記１２族元素の少なくとも一方の元素の原子組成比は１．８未満である請求項６または７に記載の窒化アルミニウム膜。
- 前記５族元素は、バナジウム、ニオブおよびタンタルの少なくとも１つであり、前記２族元素および前記１２族元素の少なくとも一方の元素は、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウムおよび亜鉛の少なくとも１つである請求項６から８のいずれか一項に記載の窒化アルミニウム膜。
- 請求項１から９のいずれか一項に記載の窒化アルミニウム膜を備える圧電デバイス。
- 請求項１から９のいずれか一項に記載の窒化アルミニウム膜と、
前記窒化アルミニウム膜の少なくとも一部を膜厚方向に挟み平面視において重なるよう設けられた一対の電極と、を備える共振器。 - 請求項１１に記載の共振器を備えるフィルタ。
- 請求項１２に記載のフィルタを備えるマルチプレクサ。
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