JP7432002B2 - オプトエレクトロニクス半導体素子のためのケーシングおよびオプトエレクトロニクス半導体素子 - Google Patents
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Description
10 組付け側
11 第1の側面
12 第2の側面
15 前面側
17 キャビティ
170 底面
19 凹設部
2 導体フレーム
200 導体フレームの背面側
205 導体フレーム前面側
21 第1の導体フレーム部分
211 第1の内側領域
2110 第1の内側領域の縁部
212 第1の縁部領域
215 第1の前面側の領域
217 第1の延長部
22 第2の導体フレーム部分
221 第2の内側領域
2210 第2の内側領域の縁部
222 第2の縁部領域
225 第2の前面側の領域
227 第2の延長部
31 第1の接続箇所
32 第2の接続箇所
4 切欠き
5 ケーシング本体
81 長手方向軸線
82 横方向軸線
83 中心点
85 線
9 半導体素子
95 オプトエレクトロニクス半導体チップ
951 オプトエレクトロニクス半導体チップの接点
97 結合手段
99 封止材
Claims (13)
- オプトエレクトロニクス半導体素子のためのケーシング(1)であって、導体フレーム(2)と、該導体フレームに一体成形されているケーシング本体(5)とを備えており、
前記導体フレームが、第1の導体フレーム部分(21)と、第2の導体フレーム部分(22)とを有しており、
前記ケーシング本体(5)が、組付け側(10)を有し、前記組付け側(10)とは反対に向いた前面側(15)において、オプトエレクトロニクス半導体チップを収容するためのキャビティ(17)を有しており、
前記導体フレームが、前記キャビティ内において、前記導体フレームの前記第1の導体フレーム部分の第1の接続箇所(31)と、前記第2の導体フレーム部分の第2の接続箇所(32)においてのみ露出しており、
前記第1の導体フレーム部分が、第1の内側領域(211)と第1の縁部領域(212)とを有しており、
前記第1の内側領域および前記第1の縁部領域が、前記ケーシングの前記組付け側(10)において露出しており、
前記第1の内側領域が、前記ケーシングを上から見た平面図において、前記第1の接続箇所に重なっており、
前記第1の縁部領域が、前記ケーシングの第1の側面(11)において露出しており、
前記第1の内側領域と前記第1の縁部領域とが、前記第1の導体フレーム部分の第1の前面側の領域(215)を介して互いに結合されており、前記第1の前面側の領域が、前記組付け側(10)から離間しており、
前記第1の導体フレーム部分の前記第1の前面側の領域が、第1の延長部(217)を有しており、該第1の延長部(217)が、前記第2の接続箇所と、前記ケーシングの長手方向軸線(81)に対して平行に延びる第2の側面(12)との間に延びている、ケーシング(1)。 - 前記キャビティの底面(170)が、前記第1の接続箇所および前記第2の接続箇所の領域において、凹設部(19)を有しており、該凹設部(19)内で、前記第1の接続箇所および前記第2の接続箇所が露出している、請求項1記載のケーシング。
- 前記第1の縁部領域が、切欠き(4)を有しており、該切欠き(4)に、前記ケーシングの前記組付け側(10)および前記側面においてアクセス可能である、請求項1または2記載のケーシング。
- 前記第1の前面側の領域が、前記ケーシングを上から見た平面図において、前記第1の内側領域の2つの縁部(2110)に沿って延びている、請求項1、2または3記載のケーシング。
- 前記第1の導体フレーム部分の前記第1の内側領域と前記第1の縁部領域とが、前記ケーシングを上から見た平面図において、前記ケーシングの前記長手方向軸線(81)に沿って互いに離間されている、請求項1から4までのいずれか1項記載のケーシング。
- 前記第1の内側領域と前記第1の縁部領域とが、前記ケーシングを上から見た平面図において、前記ケーシングの前記長手方向軸線(81)に沿って見て、前記長手方向軸線(81)の一方の側のみで、前記第1の前面側の領域を介して互いに結合されている、請求項5記載のケーシング。
- 前記第1の延長部が、前記長手方向軸線(81)に沿って見て、前記第2の接続箇所の少なくとも50%に相当する箇所まで延びている、請求項1から6までのいずれか1項記載のケーシング。
- 前記第1の接続箇所の面積サイズと前記第2の接続箇所の面積サイズとが、それぞれ、前記キャビティの前記底面の面積サイズの最大で30%である、請求項2または請求項2を引用する請求項3から7までのいずれか1項記載のケーシング。
- 前記第2の導体フレーム部分と、前記第1の導体フレーム部分とが、その基本形状に関して互いに点対称に形成されている、請求項1から8までのいずれか1項記載のケーシング。
- 請求項1から9までのいずれか1項記載のケーシング(1)と、オプトエレクトロニクス半導体チップ(95)とを備えたオプトエレクトロニクス半導体素子(9)であって、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(95)が、キャビティ内に配置されていて、第1の接続箇所および第2の接続箇所に導電接続されている、オプトエレクトロニクス半導体素子(9)。
- 前記半導体チップが、前記第1の接続箇所と前記第2の接続箇所とを完全に覆っている、請求項10記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。
- 前記第1の接続箇所および前記第2の接続箇所が、前記半導体素子を上から見た平面図において、前記半導体チップの最大で半分の大きさである、請求項10または11記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。
- 前記オプトエレクトロニクス半導体チップが、封止材(99)内に埋め込まれており、前記封止材が、いずれの箇所においても前記導体フレームに直接接していない、請求項10から12までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。
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