JP7427325B2 - テープ貼着方法 - Google Patents
テープ貼着方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7427325B2 JP7427325B2 JP2019112537A JP2019112537A JP7427325B2 JP 7427325 B2 JP7427325 B2 JP 7427325B2 JP 2019112537 A JP2019112537 A JP 2019112537A JP 2019112537 A JP2019112537 A JP 2019112537A JP 7427325 B2 JP7427325 B2 JP 7427325B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tape
- workpiece
- gas
- holding
- molecular weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 70
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 34
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65H—HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL, e.g. SHEETS, WEBS, CABLES
- B65H37/00—Article or web delivery apparatus incorporating devices for performing specified auxiliary operations
- B65H37/04—Article or web delivery apparatus incorporating devices for performing specified auxiliary operations for securing together articles or webs, e.g. by adhesive, stitching or stapling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
- Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
- Y10T156/1056—Perforating lamina
- Y10T156/1057—Subsequent to assembly of laminae
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Textile Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
本発明は、ワークにテープを貼着するテープ貼着方法に関する。
デバイスチップの製造工程においては、分割予定ライン（ストリート）によって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハが用いられる。このウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、複数のデバイスチップが得られる。
ウェーハに対しては、加工装置を用いた様々な加工が施される。例えば、研削装置でウェーハを研削して薄化する研削加工や、切削装置でウェーハを切削して分割する切削加工等が実施される。また、加工装置によってウェーハを加工する際には、ウェーハのハンドリング性の向上や、ウェーハに形成されたデバイスの保護等を目的として、ウェーハにテープが貼着される。
近年では、ウェーハへのテープの貼着を自動で行う手法が広く用いられている。例えば特許文献１には、ウェーハを保持する保持テーブルと、ウェーハにテープを貼着するための可動ローラーとを備えたテープ貼着装置が開示されている。このテープ貼着装置は、保持テーブルによって保持されたウェーハ上にテープが配置された状態で、可動ローラーをウェーハの一端側から他端側に向かって転がし、可動ローラーでテープをウェーハに向かって押圧する。これにより、テープがウェーハに自動で貼着される。
ウェーハには、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて構成されたデバイス（ＭＥＭＳデバイス）等、微細で緻密なデバイスが形成されることがある。このようなデバイスが形成されたウェーハにテープを貼着する際に、前述のテープ貼着装置を用いると、可動ローラーの強い押圧によってデバイスが損傷してしまう恐れがある。そのため、ウェーハに形成されるデバイスの構造、性質等によっては、可能な限りウェーハに負荷がかからない方法でテープを貼着することが望まれる。
そこで、平坦に支持されたテープ上にウェーハを配置することによって、ウェーハにテープを貼着する手法が用いられることがある。この手法では、ウェーハが過度に押圧されることがないため、ウェーハに形成されたデバイスの損傷等が生じにくい。
しかしながら、テープ上にウェーハを配置する方法を用いると、ウェーハとテープとの間に気体が閉じ込められ、気泡が形成されることがある。この気泡の残留は、ウェーハとテープとの適切な密着を阻害し、ウェーハを加工する際における加工不良の発生の原因となる。例えば、気泡によってウェーハが平坦に保持されず、ウェーハに研削加工を施す際にウェーハの全体を均一に研削することが困難になる場合がある。また、ウェーハを切削して複数のデバイスチップに分割した際、デバイスチップとテープとの接着が気泡によって妨げられ、チップが飛散する恐れがある。
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、デバイスが形成されたウェーハ等に代表されるワークとテープとの間に残存する気泡を容易に除去することが可能なテープ貼着方法の提供を目的とする。
本発明の一態様によれば、ワークにテープを貼着するテープ貼着方法であって、テープ貼着装置を用いて大気の平均分子量より分子量の小さい気体中で該ワークに該テープを貼着する貼着ステップと、該貼着ステップを実施した後、該ワークと該テープとの間に残存した該気体を、該テープを透過させて除去する透過ステップと、を備え、該テープは、基材及び粘着層を備え、且つ、該気体及び空気が透過可能であり、該テープ貼着装置は、該テープが保持されるテープ保持部と、該ワークが保持されるワーク保持部と、該ワーク保持部に設けられた保持テーブルと、を備え、該貼着ステップでは、該テープ保持部が該気体で満たされた状態で、該保持テーブルによって保持された該ワークと該テープとを該気体中で接触させるテープ貼着方法が提供される。
なお、好ましくは、該透過ステップでは、該テープを加熱する。また、好ましくは、該透過ステップでは、該ワークと該テープの一方又は両方に対して、該ワークと該テープとが密着する方向に圧力を付与する。また、好ましくは、該気体はヘリウムである。
本発明の一態様に係るテープ貼着方法では、大気の平均分子量より分子量の小さい気体中でワークにテープを貼着する貼着ステップと、ワークとテープとの間に残存した気体を、テープを透過させて除去する透過ステップと、を備える。このテープ貼着方法では、ワークとテープとの間に入り込む気体が、大気の平均分子量より分子量の小さい気体となるため、テープを透過しやすい。そのため、ワークとテープとの間に残存する気泡が容易に除去されやすくなる。
以下、添付図面を参照して本実施形態を説明する。まず、本実施形態に係るテープ貼着方法によってテープが貼着されるワークの構成例について説明する。図１は、ワーク１１を示す斜視図である。ワーク１１は、テープが貼着された状態で、加工、洗浄等の処理が施される部材（被加工物、被洗浄物）である。
ワーク１１は、例えば円盤状に形成されたシリコンウェーハであり、表面１１ａ及び裏面１１ｂを備える。ワーク１１は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）１３によって複数の領域に区画されており、この領域の表面１１ａ側にはそれぞれ、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイスによって構成されるデバイス１５が形成されている。すなわち、ワーク１１は複数のＭＥＭＳデバイスを備えるＭＥＭＳウェーハである。
ただし、ワーク１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えばワーク１１は、シリコン以外の半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等の材料によって形成されていてもよい。また、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。例えば、デバイス１５はＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等によって構成されていてもよい。また、ワーク１１にはデバイス１５が形成されていなくてもよい。
ワーク１１を分割予定ライン１３に沿って分割すると、デバイス１５をそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。なお、ワーク１１の分割には、ワーク１１を環状の切削ブレードで切削する切削装置や、レーザービームの照射によってワーク１１を加工するレーザー加工装置等が用いられる。また、デバイスチップの薄型化を目的として、分割前のワーク１１が薄化される場合がある。ワーク１１の薄化には、ワーク１１を研削砥石で研削する研削装置や、ワーク１１を研磨パッドで研磨する研磨装置等が用いられる。
上記のような各種の加工装置を用いてワーク１１を加工する際には、ワーク１１のハンドリング性の向上や、ワーク１１に形成されたデバイス１５の保護等を目的として、ワーク１１にテープが貼着される。例えば、ワーク１１の搬送及び保持を容易にするため、ワーク１１はテープを介して環状フレームによって支持されることがある。
図２（Ａ）は、ワーク１１にテープ１７が貼着される様子を示す斜視図である。ワーク１１には、例えばワーク１１よりも直径の大きい円形のテープ１７が貼付される。なお、テープ１７は、気体が透過可能な高分子フィルム等でなる。
テープ１７の外周部には、中央部にワーク１１よりも直径の大きい円形の開口１９ａを備える環状フレーム１９が貼付される。そして、例えばワーク１１は、裏面１１ｂ側が開口１９ａの内側で露出するテープ１７と接触するように、テープ１７上に配置される。これにより、ワーク１１の裏面１１ｂ側にテープ１７が貼着され、ワーク１１はテープ１７を介して環状フレーム１９によって支持される。図２（Ｂ）は、テープ１７が貼着されたワーク１１を示す断面図である。
ワーク１１にテープ１７を貼着する際、ワーク１１とテープ１７との間に気体が閉じ込められ、気泡が形成されることがある。例えば、テープ１７の貼着を大気中で実施すると、ワーク１１とテープ１７との間に空気が入り込み、テープ１７の貼着後、ワーク１１とテープ１７との間には空気を含む気泡が残留することがある。この気泡の残留は、ワーク１１とテープ１７との適切な密着を阻害し、ワーク１１を加工する際における加工不良の発生の原因となる。
例えば、気泡によってワーク１１が平坦に保持されず、ワーク１１に研削加工を施す際にワーク１１の全体を均一に研削することが困難になる場合がある。また、ワーク１１を切削して複数のデバイスチップに分割した際、デバイスチップとテープ１７との接着が気泡によって妨げられ、チップが飛散する恐れがある。そのため、ワーク１１とテープ１７との間に残留する気泡は除去されることが望まれる。
気泡の除去は、例えばテープ１７に対して加熱処理を施し、気泡に含まれる気体のテープ１７に対する透過性を上げることによって行われる。これにより、気体がテープ１７を透過しやすくなり、ワーク１１とテープ１７との間から抜けやすくなる。ただし、気泡に含まれる気体が空気である場合、上記の加熱処理等を行っても、気泡が十分に除去されない、又は気泡の除去に長時間を要することがある。
そこで、本実施形態では、大気の平均分子量より分子量の小さい気体中でワーク１１にテープ１７を貼着する。なお、大気の平均分子量は、地表における大気（空気）に含まれる気体の分子量の平均値に相当する。この気体中でワーク１１にテープ１７を貼着すると、ワーク１１とテープ１７との間に気泡が残留した場合に、気泡に含まれる気体の分子量が大気の平均分子量よりも小さくなる。
大気の平均分子量より分子量の小さい気体は、空気よりもテープ１７を透過しやすい。そのため、テープ１７の貼着の際にワーク１１とテープ１７との間にこの気体が入り込んで気泡が形成されても、この気泡はワーク１１とテープ１７との間からテープ１７を透過して抜けやすい。これにより、ワーク１１とテープ１７との間に残存する気体が容易に除去される。
大気の平均分子量より分子量の小さい気体の例としては、水素、ヘリウム（単原子分子）、窒素、ネオン（単原子分子）、メタン、アンモニア、フッ化水素、アセチレン、一酸化炭素、エチレン等が挙げられる。特にヘリウムは、分子量（原子量）が小さく安全性も高いため、ワーク１１とテープ１７との貼り合わせの際に用いる気体（雰囲気）として好ましい。
なお、ワーク１１へのテープの貼着は、手作業で行ってもよいし、専用の装置（テープ貼着装置）を用いて行ってもよい。図３（Ａ）は、テープ貼着装置２を示す断面図である。このテープ貼着装置２によって、本実施形態に係るテープ貼着方法が自動で実施される。
テープ貼着装置２は、ワーク１１と、ワーク１１に貼着されるテープ１７とを収容可能な円筒状のチャンバー４を備える。チャンバー４は、上側が開口した円筒状の本体部６と、本体部６の開口を開閉する蓋部８とを備える。
チャンバー４の内部には、テープ１７が保持されるテープ保持部４ａと、ワーク１１が保持されるワーク保持部４ｂとが形成されている。テープ保持部４ａは、チャンバー４の内部に形成された円柱状の空間である。また、ワーク保持部４ｂは、テープ保持部４ａの底から下側に向かって形成された円柱状の空間（凹部）である。なお、ワーク保持部４ｂの直径はテープ保持部４ａの直径よりも小さく、チャンバー４内には断面視でＴ字状の空間が形成されている。
テープ保持部４ａには、テープ１７が貼着された環状フレーム１９を支持する環状のフレーム支持部１０が設けられている。フレーム支持部１０は、その中心部にフレーム支持部１０を上下に貫通する円形の開口１０ａを備え、開口１０ａがワーク保持部４ｂと重なるように配置されている。なお、開口１０ａの直径は、例えば環状フレーム１９の開口１９ａの直径と概ね同一に設定される。
また、ワーク保持部４ｂには、ワーク１１を保持する保持テーブル１２が設けられている。保持テーブル１２は、その直径がワーク保持部４ｂの直径と概ね同一となるように形成され、上下方向に移動可能な状態でワーク保持部４ｂに嵌め込まれ、チャンバー４の本体部６によって支持されている。なお、保持テーブル１２の高さはワーク保持部４ｂの高さ未満であり、保持テーブル１２の下側には隙間が確保されている。また、保持テーブル１２の上面は、ワーク１１を保持する保持面１２ａを構成する。
テープ保持部４ａは、本体部６に形成された流路１４ａとバルブ１６ａとを介して、気体供給源１８に接続されている。気体供給源１８は、大気の平均分子量より分子量の小さい気体を、バルブ１６ａ及び流路１４ａを介してテープ保持部４ａに供給する。また、テープ保持部４ａは、本体部６に形成された流路１４ｂを介してバルブ１６ｂに接続されており、バルブ１６ｂを開くとテープ保持部４ａが大気開放される。
ワーク保持部４ｂのうち保持テーブル１２の下側の領域は、本体部６に形成された流路１４ｃとバルブ１６ｃとを介して、エアー供給源２０と接続されている。エアー供給源２０は、バルブ１６ｃ及び流路１４ｃを介してエアーをワーク保持部４ｂに供給する。また、ワーク保持部４ｂのうち保持テーブル１２の下側の領域は、本体部６に形成された流路１４ｄを介してバルブ１６ｄと接続されており、バルブ１６ｄを開くとワーク保持部４ｂが大気開放される。
なお、テープ保持部４ａと、ワーク保持部４ｂのうち保持テーブル１２の下側の領域とは、保持テーブル１２によって分離されている。そのため、この２つの領域間での気体の往来は遮断されている。
次に、ワーク１１にテープ１７を貼着する際のテープ貼着装置２の動作例について説明する。なお、以下では一例として、気体供給源１８からヘリウムが供給される場合について説明する。ただし、気体供給源１８から供給される気体（大気の平均分子量より分子量の小さい気体）は適宜変更できる。
まず、蓋部８を開け、ワーク１１のテープ１７が貼着される面が上方に露出するように、ワーク１１を保持テーブル１２で保持する。例えば、テープ１７をワーク１１の裏面１１ｂ側に貼着する場合は、ワーク１１の表面１１ａ側と保持面１２ａとが対向するように、ワーク１１を保持テーブル１２上に配置する。
また、テープ１７が貼着された環状フレーム１９を、フレーム支持部１０で支持する。環状フレーム１９は、テープ１７が貼着されていない面がフレーム支持部１０と接触するように支持される。なお、ワーク１１と環状フレーム１９とはそれぞれ、ワーク１１の中心と環状フレーム１９の開口１９ａの中心とが平面視で重なるように配置される。
次に、蓋部８を閉じ、テープ保持部４ａを密閉する。そして、バルブ１６ａ，１６ｂを開き、気体供給源１８からテープ保持部４ａにヘリウムガスを所定の流量で供給するとともに、流路１４ｂ及びバルブ１６ｂを介してテープ保持部４ａの内部に残留する大気を排出する。これにより、テープ保持部４ａがヘリウムガスで満たされる。
次に、バルブ１６ｄを閉じた状態でバルブ１６ｃを開き、エアー供給源２０からワーク保持部４ｂにエアーを所定の流量で供給する。これにより、ワーク保持部４ｂのうち保持テーブル１２の下側の領域の圧力が上昇し、保持テーブル１２が上方に押し上げられる。その結果、ワーク１１がテープ１７に向かって移動する。そして、ヘリウムガス中でワーク１１の裏面１１ｂ側とテープ１７とが接触し、ワーク１１にテープ１７が貼着される。図３（Ｂ）は、ワーク１１にテープ１７が貼着された状態のテープ貼着装置２を示す断面図である。
その後、バルブ１６ｃを閉じるとともにバルブ１６ｄを開き、ワーク保持部４ｂを大気開放する。これにより、ワーク保持部４ｂのうち保持テーブル１２の下側の領域の圧力が下がり、保持テーブル１２が下降する。このときワーク１１は、テープ１７に貼着されて保持された状態に維持される。
なお、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）ではワーク保持部４ｂにエアー供給源２０が接続された構成例を示しているが、例えば、ワーク保持部４ｂは流路１４ｃ及びバルブ１６ｃを介して気体供給源１８に接続されていてもよい。この場合、気体供給源１８から供給される気体によって保持テーブル１２の昇降が制御され、エアー供給源２０を省略することができる。
上記のように、本実施形態では、大気の平均分子量より分子量の小さい気体中でワーク１１にテープ１７を貼着する（貼着ステップ）。図４（Ａ）は、貼着ステップ後のワーク１１及びテープ１７の一部を拡大して示す断面図である。
例えばテープ１７は、円形のフィルム状の基材１７ａと、基材１７ａ上に形成された粘着層（糊層）１７ｂとを備える。基材１７ａは、例えばポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂でなる。また、粘着層１７ｂは、例えば紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化型の樹脂でなる。なお、基材１７ａと粘着層１７ｂとはそれぞれ、大気の平均分子量より分子量の小さい気体が透過可能な材質でなる。
ワーク１１にテープ１７を貼着すると、ワーク１１とテープ１７の粘着層１７ｂとの間に気体が入り込んで気泡２１が形成されることがある。ここで、本実施形態においては、ワーク１１とテープ１７との貼り合わせを大気の平均分子量より分子量の小さい気体中で行っている。そのため、気泡２１に含まれる気体は、大気の平均分子量より分子量の小さい気体となる。そして、この気体は空気と比較してテープ１７を透過しやすいため、ワーク１１とテープ１７との間から容易に除去される。
例えば、貼着ステップを実施した後、ワーク１１がテープ１７上に配置された状態（図２（Ｂ）参照）で、一定時間放置する。このとき、ワーク１１の自重によって気泡２１がテープ１７に押し込まれる。そして、ワーク１１とテープ１７との間に残存した気体が、テープ１７を透過して除去される（透過ステップ）。
図４（Ｂ）は、透過ステップ後のワーク１１及びテープ１７の一部を拡大して示す断面図である。気泡２１に含まれる気体がテープ１７を透過して除去されると、ワーク１１の裏面１１ｂ側の全体がテープ１７の粘着層１７ｂに平坦に密着する。これにより、後の工程でワーク１１が加工される際に、加工不良の発生が防止される。
なお、透過ステップでは、気泡２１の除去を促進するため、所定の処理を実施してもよい。例えば、テープ１７を加熱して、気泡２１に含まれる気体がテープ１７を透過しやすくしてもよい。図５は、テープ１７が加熱される様子を示す断面図である。
テープ１７の加熱は、例えばホットプレート３０を用いて実施される。ホットプレート３０は、電力の供給によって発熱するプレートであり、その上面はテープ１７を保持する保持面３０ａを構成する。テープ１７がホットプレート３０の保持面３０ａと接触した状態でホットプレート３０を発熱させることにより、テープ１７が加熱される。
テープ１７が加熱されると、気泡２１の除去に要する時間が短縮されることが確認された。これは、テープ１７の加熱によって、テープ１７を構成する高分子材料の高分子鎖の隙間が広がりやすくなるとともに、気泡２１が加熱されて気泡２１に含まれる気体の運動が活発化し、気体がテープ１７を透過しやすくなったためと推察される。
テープ１７は、例えば８０℃以上９０℃以下程度の温度に加熱される。ただし、テープ１７の加熱温度は、テープ１７の材質に応じて、テープ１７の変質が生じない範囲内で適宜設定できる。また、テープ１７の加熱にはオーブンやヒーターを用いてもよい。
また、透過ステップでは、ワーク１１とテープ１７の一方又は両方に対して、ワーク１１とテープ１７とが密着する方向に圧力を付与してもよい。例えば、ワーク１１が環状フレーム１９によって支持された状態（図２（Ｂ）参照）で、ワーク１１をテープ１７に向かって押圧し、気泡２１をテープ１７に押し込んでもよい。なお、ワーク１１を押圧する強さは、デバイス１５の破損等が生じない範囲で設定される。
また、ワーク１１への圧力の付与は、ワーク１１を吸引保持する保持テーブルを用いて行うこともできる。図６は、保持テーブル４０によって保持された状態のワーク１１を示す断面図である。保持テーブル４０は、ワーク１１に吸引力を作用させて圧力を付与する。
保持テーブル４０は、例えばワーク１１よりも直径の大きい円柱状に形成され、その上面はワーク１１を保持する保持面４０ａを構成する。また、保持テーブル４０は、保持面４０ａ側にポーラスセラミックス等によって構成されたポーラス部材４２を備える。ポーラス部材４２は、例えば保持テーブル４０よりも直径の小さい円盤状に形成され、保持テーブル４０の保持面４０ａ側に嵌め込まれている。なお、ポーラス部材４２の上面は、保持面４０ａの一部を構成する。
ポーラス部材４２は、保持テーブル４０の内部に形成された流路４０ｂと、バルブ４４とを介して、エジェクタ等の吸引源４６に接続されている。また、保持テーブル４０の周囲には、ワーク１１を支持する環状フレーム１９を把持して固定する複数のクランプ４８が設けられている。
ワーク１１は、テープ１７が貼着された面側（裏面１１ｂ側）が保持面４０ａと対向するように、保持テーブル４０上に配置される。また、環状フレーム１９が複数のクランプ４８によって固定される。この状態で、吸引源４６の負圧をバルブ４４、流路４０ｂ及びポーラス部材４２を介して保持面４０ａに作用させると、テープ１７を介してワーク１１に吸引力が作用し、ワーク１１に対してテープ１７側（保持面４０ａ側）に向かって圧力が付与される。
その結果、気泡２１（図４（Ａ）参照）がテープ１７に押し込まれるとともに、気泡２１が保持面４０ａに吸引される。これにより、気泡２１に含まれる気体がテープ１７を透過して除去されやすくなり、気泡２１の除去に要する時間が短縮される。なお、上記ではワーク１１に対してテープ１７に向かって圧力が付与される例について説明したが、テープ１７に対してワーク１１に向かって圧力が付与されてもよい。
また、保持テーブル４０は、テープ１７を加熱するためのヒーターを更に備えていてもよい。図７は、ヒーター５０を備える保持テーブル４０によって保持された状態のワーク１１を示す断面図である。例えばヒーター５０は、その直径がワーク１１以上である円盤状に形成され、保持テーブル４０の内部に埋め込まれる。
保持テーブル４０でワーク１１を吸引保持した状態で、ヒーター５０に電力を供給してヒーター５０を発熱させると、テープ１７が加熱される。このように、ワーク１１への圧力（吸引力）の付与とテープ１７の加熱との両方を実施することにより、気泡２１が素早く除去される。
透過ステップを実施した後は、テープ１７を介して環状フレーム１９によって保持されたワーク１１に対し、加工装置を用いた加工や、洗浄装置を用いた洗浄等が施される。なお、ワーク１１に施される加工の内容に制限はない。例えば、環状の切削ブレードでワーク１１を切削する切削装置、研削砥石でワーク１１を研削する研削装置、研磨パッドでワーク１１を研磨する研磨装置、レーザービームの照射によってワーク１１を加工するレーザー加工装置等によって、ワーク１１が加工される。
以上の通り、本実施形態に係るテープ貼着方法は、大気の平均分子量より分子量の小さい気体中でワーク１１にテープ１７を貼着する貼着ステップと、ワーク１１とテープ１７との間に残存した気体を、テープ１７を透過させて除去する透過ステップと、を備える。このテープ貼着方法では、ワーク１１とテープ１７との間に入り込む気体が、大気の平均分子量より分子量の小さい気体となるため、テープ１７を透過しやすい。そのため、ワーク１１とテープ１７との間に残存する気泡が容易に除去されやすくなる。
なお、透過ステップの実施後、ワーク１１とテープ１７との間には、ワーク１１の加工や洗浄に影響がない範囲で微細な気泡２１が残留していてもよい。すなわち、透過ステップでは、ワーク１１の加工や洗浄に悪影響がない程度にワーク１１とテープ１７との間から気体が除去され、気泡２１が縮小されればよい。
例えば、貼着ステップは、大気の平均分子量より分子量の小さい気体（第１の気体）のみを含む雰囲気下で実施されることが好ましい。しかしながら、実際には、第１の気体に他の気体（第２の気体）が微量に混合された雰囲気下で、ワーク１１にテープ１７を貼着されることがある。この場合、気泡２１には第１の気体と第２の気体とが含まれることがある。しかしながら、気泡２１に含まれる第２の気体が微量であれば、透過ステップで第１の気体を適切に除去することにより、気泡２１のサイズを十分に縮小することができる。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
１１ ワーク
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ デバイス
１７ テープ
１７ａ 基材
１７ｂ 粘着層（糊層）
１９ 環状フレーム
１９ａ 開口
２１ 気泡
２ テープ貼着装置
４ チャンバー
４ａ テープ保持部
４ｂ ワーク保持部
６ 本体部
８ 蓋部
１０ フレーム支持部
１０ａ 開口
１２ 保持テーブル
１２ａ 保持面
１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ 流路
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ バルブ
１８ 気体供給源
２０ エアー供給源
３０ ホットプレート
３０ａ 保持面
４０ 保持テーブル
４０ａ 保持面
４０ｂ 流路
４２ ポーラス部材
４４ バルブ
４６ 吸引源
４８ クランプ
５０ ヒーター
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ デバイス
１７ テープ
１７ａ 基材
１７ｂ 粘着層（糊層）
１９ 環状フレーム
１９ａ 開口
２１ 気泡
２ テープ貼着装置
４ チャンバー
４ａ テープ保持部
４ｂ ワーク保持部
６ 本体部
８ 蓋部
１０ フレーム支持部
１０ａ 開口
１２ 保持テーブル
１２ａ 保持面
１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ 流路
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ バルブ
１８ 気体供給源
２０ エアー供給源
３０ ホットプレート
３０ａ 保持面
４０ 保持テーブル
４０ａ 保持面
４０ｂ 流路
４２ ポーラス部材
４４ バルブ
４６ 吸引源
４８ クランプ
５０ ヒーター
Claims (4)
- ワークにテープを貼着するテープ貼着方法であって、
テープ貼着装置を用いて大気の平均分子量より分子量の小さい気体中で該ワークに該テープを貼着する貼着ステップと、
該貼着ステップを実施した後、該ワークと該テープとの間に残存した該気体を、該テープを透過させて除去する透過ステップと、を備え、
該テープは、基材及び粘着層を備え、且つ、該気体及び空気が透過可能であり、
該テープ貼着装置は、該テープが保持されるテープ保持部と、該ワークが保持されるワーク保持部と、該ワーク保持部に設けられた保持テーブルと、を備え、
該貼着ステップでは、該テープ保持部が該気体で満たされた状態で、該保持テーブルによって保持された該ワークと該テープとを該気体中で接触させることを特徴とするテープ貼着方法。 - 該透過ステップでは、該テープを加熱することを特徴とする請求項１に記載のテープ貼着方法。
- 該透過ステップでは、該ワークと該テープの一方又は両方に対して、該ワークと該テープとが密着する方向に圧力を付与することを特徴とする請求項１に記載のテープ貼着方法。
- 該気体はヘリウムであることを特徴とする請求項１に記載のテープ貼着方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019112537A JP7427325B2 (ja) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | テープ貼着方法 |
| US16/898,553 US20200399089A1 (en) | 2019-06-18 | 2020-06-11 | Tape attaching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019112537A JP7427325B2 (ja) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | テープ貼着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020205356A JP2020205356A (ja) | 2020-12-24 |
| JP7427325B2 true JP7427325B2 (ja) | 2024-02-05 |
Family
ID=73838040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019112537A Active JP7427325B2 (ja) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | テープ貼着方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20200399089A1 (ja) |
| JP (1) | JP7427325B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001210701A (ja) | 2000-01-24 | 2001-08-03 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハ保護用フィルムの貼付方法及びその装置 |
| JP2009194064A (ja) | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Takatori Corp | 基板への接着フィルム貼付け装置及び貼付け方法 |
| JP2015162652A (ja) | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 株式会社ディスコ | 保護テープの貼着方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3444732A (en) * | 1967-06-06 | 1969-05-20 | Albert L Robbins | Method and apparatus for determining optimum bonding parameters for thermoplastic material |
| US3826701A (en) * | 1972-10-31 | 1974-07-30 | Us Army | Controllable heat sealing process for optimum seal strength |
| US3925139A (en) * | 1974-01-10 | 1975-12-09 | Package Machinery Co | Seal monitoring apparatus |
| JPH0855824A (ja) * | 1994-08-10 | 1996-02-27 | Nikon Corp | 半導体ウエハのテープ貼付け方法 |
| CN104471108B (zh) * | 2012-07-09 | 2020-05-05 | 四国化成工业株式会社 | 铜覆膜形成剂及铜覆膜的形成方法 |
| JPWO2014038310A1 (ja) * | 2012-09-07 | 2016-08-08 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JP7355618B2 (ja) * | 2018-12-04 | 2023-10-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハ分割装置 |
-
2019
- 2019-06-18 JP JP2019112537A patent/JP7427325B2/ja active Active
-
2020
- 2020-06-11 US US16/898,553 patent/US20200399089A1/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001210701A (ja) | 2000-01-24 | 2001-08-03 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハ保護用フィルムの貼付方法及びその装置 |
| JP2009194064A (ja) | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Takatori Corp | 基板への接着フィルム貼付け装置及び貼付け方法 |
| JP2015162652A (ja) | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 株式会社ディスコ | 保護テープの貼着方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2020205356A (ja) | 2020-12-24 |
| US20200399089A1 (en) | 2020-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI460215B (zh) | Resin coating method and resin coating device (2) | |
| TWI468255B (zh) | Resin coating method and resin coating apparatus (1) | |
| TWI625778B (zh) | Wafer processing method | |
| CN110802509B (zh) | 保护部件形成装置 | |
| JP2018200913A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP2019121646A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP2014003199A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| KR101966997B1 (ko) | 가공 방법 | |
| KR102184474B1 (ko) | 보호 부재 형성 장치 | |
| JP7427325B2 (ja) | テープ貼着方法 | |
| JP6298699B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| US9627241B2 (en) | Resin sheet attaching method | |
| WO2012174707A1 (en) | Dies prepeeling apparatus and method | |
| JP2014175541A (ja) | ウェーハ貼着方法 | |
| KR102144137B1 (ko) | 판형물의 접착 방법 | |
| US11315821B2 (en) | Processing method for wafer | |
| JP2016051779A (ja) | ウエーハの貼り合わせ方法及び貼り合わせワークの剥離方法 | |
| JP2018026673A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| US11325804B2 (en) | Tape attaching method | |
| JP2020035918A (ja) | 被加工物の加工方法 | |
| KR102116585B1 (ko) | 시트 | |
| JP2012115911A (ja) | 基板の研削方法およびそれを用いて作製された半導体素子 | |
| JP4621481B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP2024062583A (ja) | シートの固定方法 | |
| KR20220011074A (ko) | 시트, 및 보호 부재의 형성 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220428 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230208 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230307 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230419 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230808 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231106 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20231115 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240123 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240123 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7427325 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |