JP7427325B2 - Tape attachment method - Google Patents

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Description

本発明は、ワークにテープを貼着するテープ貼着方法に関する。 The present invention relates to a tape adhesion method for adhering a tape to a workpiece.

デバイスチップの製造工程においては、分割予定ライン（ストリート）によって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハが用いられる。このウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、複数のデバイスチップが得られる。 In the manufacturing process of device chips, a wafer is used in which devices are formed in each of a plurality of regions defined by dividing lines (street). By dividing this wafer along the planned division lines, a plurality of device chips are obtained.

ウェーハに対しては、加工装置を用いた様々な加工が施される。例えば、研削装置でウェーハを研削して薄化する研削加工や、切削装置でウェーハを切削して分割する切削加工等が実施される。また、加工装置によってウェーハを加工する際には、ウェーハのハンドリング性の向上や、ウェーハに形成されたデバイスの保護等を目的として、ウェーハにテープが貼着される。 Wafers are subjected to various processing using processing equipment. For example, a grinding process in which a wafer is ground and thinned using a grinding device, a cutting process in which a wafer is cut and divided using a cutting device, and the like are performed. Further, when a wafer is processed by a processing device, a tape is attached to the wafer for the purpose of improving handling of the wafer, protecting devices formed on the wafer, and the like.

近年では、ウェーハへのテープの貼着を自動で行う手法が広く用いられている。例えば特許文献１には、ウェーハを保持する保持テーブルと、ウェーハにテープを貼着するための可動ローラーとを備えたテープ貼着装置が開示されている。このテープ貼着装置は、保持テーブルによって保持されたウェーハ上にテープが配置された状態で、可動ローラーをウェーハの一端側から他端側に向かって転がし、可動ローラーでテープをウェーハに向かって押圧する。これにより、テープがウェーハに自動で貼着される。 In recent years, methods for automatically attaching tape to wafers have been widely used. For example, Patent Document 1 discloses a tape sticking device that includes a holding table that holds a wafer and a movable roller that sticks a tape to the wafer. This tape application device rolls a movable roller from one end of the wafer toward the other end with the tape placed on the wafer held by a holding table, and the movable roller presses the tape toward the wafer. do. This automatically attaches the tape to the wafer.

特開平６－１７７２４３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-177243

ウェーハには、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて構成されたデバイス（ＭＥＭＳデバイス）等、微細で緻密なデバイスが形成されることがある。このようなデバイスが形成されたウェーハにテープを貼着する際に、前述のテープ貼着装置を用いると、可動ローラーの強い押圧によってデバイスが損傷してしまう恐れがある。そのため、ウェーハに形成されるデバイスの構造、性質等によっては、可能な限りウェーハに負荷がかからない方法でテープを貼着することが望まれる。 Fine and dense devices, such as devices constructed using MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technology (MEMS devices), are sometimes formed on wafers. If the above-described tape attaching apparatus is used to attach a tape to a wafer on which such devices are formed, the devices may be damaged by the strong pressure of the movable roller. Therefore, depending on the structure, properties, etc. of devices to be formed on the wafer, it is desirable to attach the tape in a manner that places as little load on the wafer as possible.

そこで、平坦に支持されたテープ上にウェーハを配置することによって、ウェーハにテープを貼着する手法が用いられることがある。この手法では、ウェーハが過度に押圧されることがないため、ウェーハに形成されたデバイスの損傷等が生じにくい。 Therefore, a technique is sometimes used in which the tape is attached to the wafer by placing the wafer on a flatly supported tape. With this method, the wafer is not pressed excessively, so devices formed on the wafer are less likely to be damaged.

しかしながら、テープ上にウェーハを配置する方法を用いると、ウェーハとテープとの間に気体が閉じ込められ、気泡が形成されることがある。この気泡の残留は、ウェーハとテープとの適切な密着を阻害し、ウェーハを加工する際における加工不良の発生の原因となる。例えば、気泡によってウェーハが平坦に保持されず、ウェーハに研削加工を施す際にウェーハの全体を均一に研削することが困難になる場合がある。また、ウェーハを切削して複数のデバイスチップに分割した際、デバイスチップとテープとの接着が気泡によって妨げられ、チップが飛散する恐れがある。 However, using the wafer-on-tape method, gas can become trapped between the wafer and the tape, resulting in the formation of air bubbles. The remaining air bubbles prevent proper adhesion between the wafer and the tape, and cause processing defects when processing the wafer. For example, air bubbles may prevent the wafer from being held flat, making it difficult to uniformly grind the entire wafer when grinding the wafer. Furthermore, when a wafer is cut and divided into a plurality of device chips, air bubbles may prevent adhesion between the device chips and the tape, causing the chips to scatter.

本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、デバイスが形成されたウェーハ等に代表されるワークとテープとの間に残存する気泡を容易に除去することが可能なテープ貼着方法の提供を目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and provides a tape attachment method that can easily remove air bubbles remaining between the tape and a workpiece, such as a wafer on which a device is formed. With the goal.

本発明の一態様によれば、ワークにテープを貼着するテープ貼着方法であって、テープ貼着装置を用いて大気の平均分子量より分子量の小さい気体中で該ワークに該テープを貼着する貼着ステップと、該貼着ステップを実施した後、該ワークと該テープとの間に残存した該気体を、該テープを透過させて除去する透過ステップと、を備え、該テープは、基材及び粘着層を備え、且つ、該気体及び空気が透過可能であり、該テープ貼着装置は、該テープが保持されるテープ保持部と、該ワークが保持されるワーク保持部と、該ワーク保持部に設けられた保持テーブルと、を備え、該貼着ステップでは、該テープ保持部が該気体で満たされた状態で、該保持テーブルによって保持された該ワークと該テープとを該気体中で接触させるテープ貼着方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a tape adhering method for adhering a tape to a workpiece, the tape adhering device being used to apply the tape to the workpiece in a gas having a molecular weight smaller than the average molecular weight of the atmosphere. and a permeation step of removing the gas remaining between the workpiece and the tape after performing the adhesion step, by permeating the tape, The tape applying device includes a tape holding section for holding the tape, a workpiece holding section for holding the workpiece, and a tape sticking section for holding the tape, and a workpiece holding section for holding the workpiece. a holding table provided in a holding part, and in the pasting step, the workpiece held by the holding table and the tape are placed in the gas while the tape holding part is filled with the gas. A method of applying a tape is provided.

なお、好ましくは、該透過ステップでは、該テープを加熱する。また、好ましくは、該透過ステップでは、該ワークと該テープの一方又は両方に対して、該ワークと該テープとが密着する方向に圧力を付与する。また、好ましくは、該気体はヘリウムである。 Note that preferably, in the permeation step, the tape is heated. Preferably, in the permeation step, pressure is applied to one or both of the workpiece and the tape in a direction in which the workpiece and the tape come into close contact with each other. Also preferably, the gas is helium.

本発明の一態様に係るテープ貼着方法では、大気の平均分子量より分子量の小さい気体中でワークにテープを貼着する貼着ステップと、ワークとテープとの間に残存した気体を、テープを透過させて除去する透過ステップと、を備える。このテープ貼着方法では、ワークとテープとの間に入り込む気体が、大気の平均分子量より分子量の小さい気体となるため、テープを透過しやすい。そのため、ワークとテープとの間に残存する気泡が容易に除去されやすくなる。 The tape attachment method according to one aspect of the present invention includes an attachment step of attaching the tape to the workpiece in a gas having a molecular weight smaller than the average molecular weight of the atmosphere, and a step of attaching the tape to the workpiece in a gas having a molecular weight smaller than the average molecular weight of the atmosphere. a permeation step of transmitting and removing. In this tape attachment method, the gas that enters between the workpiece and the tape has a molecular weight smaller than the average molecular weight of the atmosphere, so it easily passes through the tape. Therefore, air bubbles remaining between the workpiece and the tape can be easily removed.

ワークを示す斜視図である。It is a perspective view showing a workpiece. 図２（Ａ）はワークにテープが貼着される様子を示す斜視図であり、図２（Ｂ）はテープが貼着されたワークを示す断面図である。FIG. 2(A) is a perspective view showing how the tape is attached to a workpiece, and FIG. 2(B) is a sectional view showing the workpiece to which the tape is attached. 図３（Ａ）はテープ貼着装置を示す断面図であり、図３（Ｂ）はワークにテープが貼着された状態のテープ貼着装置を示す断面図である。FIG. 3(A) is a sectional view showing a tape sticking device, and FIG. 3(B) is a sectional view showing the tape sticking device in a state where a tape is stuck to a workpiece. 図４（Ａ）は貼着ステップ後のワーク及びテープの一部を拡大して示す断面図であり、図４（Ｂ）は透過ステップ後のワーク及びテープの一部を拡大して示す断面図である。FIG. 4(A) is an enlarged sectional view of a part of the workpiece and tape after the adhesion step, and FIG. 4(B) is an enlarged sectional view of a part of the workpiece and tape after the transmission step. It is. テープが加熱される様子を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing how the tape is heated. 保持テーブルによって保持された状態のワークを示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a workpiece held by a holding table. ヒーターを備える保持テーブルによって保持された状態のワークを示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a workpiece held by a holding table equipped with a heater.

以下、添付図面を参照して本実施形態を説明する。まず、本実施形態に係るテープ貼着方法によってテープが貼着されるワークの構成例について説明する。図１は、ワーク１１を示す斜視図である。ワーク１１は、テープが貼着された状態で、加工、洗浄等の処理が施される部材（被加工物、被洗浄物）である。 The present embodiment will be described below with reference to the accompanying drawings. First, an example of the structure of a workpiece to which a tape is attached by the tape attaching method according to the present embodiment will be described. FIG. 1 is a perspective view showing a workpiece 11. As shown in FIG. The workpiece 11 is a member (workpiece, object to be cleaned) to which processes such as processing and cleaning are performed while the tape is attached.

ワーク１１は、例えば円盤状に形成されたシリコンウェーハであり、表面１１ａ及び裏面１１ｂを備える。ワーク１１は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）１３によって複数の領域に区画されており、この領域の表面１１ａ側にはそれぞれ、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイスによって構成されるデバイス１５が形成されている。すなわち、ワーク１１は複数のＭＥＭＳデバイスを備えるＭＥＭＳウェーハである。 The work 11 is, for example, a silicon wafer formed into a disk shape, and includes a front surface 11a and a back surface 11b. The workpiece 11 is divided into a plurality of regions by a plurality of dividing lines (street) 13 arranged in a grid pattern so as to intersect with each other, and MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) are installed on the surface 11a side of each region. ) device 15 is formed. That is, the work 11 is a MEMS wafer including a plurality of MEMS devices.

ただし、ワーク１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えばワーク１１は、シリコン以外の半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等の材料によって形成されていてもよい。また、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。例えば、デバイス１５はＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等によって構成されていてもよい。また、ワーク１１にはデバイス１５が形成されていなくてもよい。 However, there are no restrictions on the material, shape, structure, size, etc. of the workpiece 11. For example, the workpiece 11 may be made of a material other than silicon, such as a semiconductor (GaAs, InP, GaN, SiC, etc.), glass, ceramics, resin, metal, or the like. Furthermore, there are no restrictions on the type, quantity, shape, structure, size, arrangement, etc. of the device 15. For example, the device 15 may be configured by an IC (Integrated Circuit), an LSI (Large Scale Integration), or the like. Further, the device 15 may not be formed on the work 11.

ワーク１１を分割予定ライン１３に沿って分割すると、デバイス１５をそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。なお、ワーク１１の分割には、ワーク１１を環状の切削ブレードで切削する切削装置や、レーザービームの照射によってワーク１１を加工するレーザー加工装置等が用いられる。また、デバイスチップの薄型化を目的として、分割前のワーク１１が薄化される場合がある。ワーク１１の薄化には、ワーク１１を研削砥石で研削する研削装置や、ワーク１１を研磨パッドで研磨する研磨装置等が用いられる。 When the workpiece 11 is divided along the planned dividing line 13, a plurality of device chips each having a device 15 are obtained. Note that, to divide the work 11, a cutting device that cuts the work 11 with an annular cutting blade, a laser processing device that processes the work 11 by irradiating a laser beam, or the like is used. Furthermore, the workpiece 11 before division may be thinned in order to make the device chip thinner. To thin the workpiece 11, a grinding device that grinds the workpiece 11 with a grinding wheel, a polishing device that polishes the workpiece 11 with a polishing pad, or the like is used.

上記のような各種の加工装置を用いてワーク１１を加工する際には、ワーク１１のハンドリング性の向上や、ワーク１１に形成されたデバイス１５の保護等を目的として、ワーク１１にテープが貼着される。例えば、ワーク１１の搬送及び保持を容易にするため、ワーク１１はテープを介して環状フレームによって支持されることがある。 When processing the workpiece 11 using the various processing devices described above, tape is attached to the workpiece 11 for the purpose of improving the handling of the workpiece 11 and protecting the device 15 formed on the workpiece 11. It will be worn. For example, in order to facilitate transportation and holding of the workpiece 11, the workpiece 11 may be supported by an annular frame via a tape.

図２（Ａ）は、ワーク１１にテープ１７が貼着される様子を示す斜視図である。ワーク１１には、例えばワーク１１よりも直径の大きい円形のテープ１７が貼付される。なお、テープ１７は、気体が透過可能な高分子フィルム等でなる。 FIG. 2(A) is a perspective view showing how the tape 17 is attached to the workpiece 11. For example, a circular tape 17 having a larger diameter than the work 11 is attached to the work 11 . Note that the tape 17 is made of a gas-permeable polymer film or the like.

テープ１７の外周部には、中央部にワーク１１よりも直径の大きい円形の開口１９ａを備える環状フレーム１９が貼付される。そして、例えばワーク１１は、裏面１１ｂ側が開口１９ａの内側で露出するテープ１７と接触するように、テープ１７上に配置される。これにより、ワーク１１の裏面１１ｂ側にテープ１７が貼着され、ワーク１１はテープ１７を介して環状フレーム１９によって支持される。図２（Ｂ）は、テープ１７が貼着されたワーク１１を示す断面図である。 An annular frame 19 having a circular opening 19a with a larger diameter than the workpiece 11 in the center is attached to the outer circumference of the tape 17. For example, the workpiece 11 is placed on the tape 17 so that the back surface 11b side contacts the tape 17 exposed inside the opening 19a. As a result, the tape 17 is attached to the back surface 11b of the work 11, and the work 11 is supported by the annular frame 19 via the tape 17. FIG. 2(B) is a cross-sectional view showing the workpiece 11 to which the tape 17 is attached.

ワーク１１にテープ１７を貼着する際、ワーク１１とテープ１７との間に気体が閉じ込められ、気泡が形成されることがある。例えば、テープ１７の貼着を大気中で実施すると、ワーク１１とテープ１７との間に空気が入り込み、テープ１７の貼着後、ワーク１１とテープ１７との間には空気を含む気泡が残留することがある。この気泡の残留は、ワーク１１とテープ１７との適切な密着を阻害し、ワーク１１を加工する際における加工不良の発生の原因となる。 When attaching the tape 17 to the workpiece 11, gas may be trapped between the workpiece 11 and the tape 17, and air bubbles may be formed. For example, if the tape 17 is attached in the atmosphere, air will enter between the workpiece 11 and the tape 17, and after the tape 17 is attached, air bubbles containing air will remain between the workpiece 11 and the tape 17. There are things to do. The remaining air bubbles prevent proper adhesion between the workpiece 11 and the tape 17, and cause processing defects when processing the workpiece 11.

例えば、気泡によってワーク１１が平坦に保持されず、ワーク１１に研削加工を施す際にワーク１１の全体を均一に研削することが困難になる場合がある。また、ワーク１１を切削して複数のデバイスチップに分割した際、デバイスチップとテープ１７との接着が気泡によって妨げられ、チップが飛散する恐れがある。そのため、ワーク１１とテープ１７との間に残留する気泡は除去されることが望まれる。 For example, the work 11 may not be held flat due to air bubbles, making it difficult to uniformly grind the entire work 11 when grinding the work 11. Further, when the workpiece 11 is cut and divided into a plurality of device chips, the adhesion between the device chips and the tape 17 may be hindered by air bubbles, and the chips may be scattered. Therefore, it is desirable that air bubbles remaining between the workpiece 11 and the tape 17 be removed.

気泡の除去は、例えばテープ１７に対して加熱処理を施し、気泡に含まれる気体のテープ１７に対する透過性を上げることによって行われる。これにより、気体がテープ１７を透過しやすくなり、ワーク１１とテープ１７との間から抜けやすくなる。ただし、気泡に含まれる気体が空気である場合、上記の加熱処理等を行っても、気泡が十分に除去されない、又は気泡の除去に長時間を要することがある。 The bubbles are removed, for example, by subjecting the tape 17 to a heat treatment to increase the permeability of the gas contained in the bubbles to the tape 17. This makes it easier for gas to pass through the tape 17 and escape from between the workpiece 11 and the tape 17. However, if the gas contained in the bubbles is air, the bubbles may not be sufficiently removed, or it may take a long time to remove the bubbles, even if the above heat treatment or the like is performed.

そこで、本実施形態では、大気の平均分子量より分子量の小さい気体中でワーク１１にテープ１７を貼着する。なお、大気の平均分子量は、地表における大気（空気）に含まれる気体の分子量の平均値に相当する。この気体中でワーク１１にテープ１７を貼着すると、ワーク１１とテープ１７との間に気泡が残留した場合に、気泡に含まれる気体の分子量が大気の平均分子量よりも小さくなる。 Therefore, in this embodiment, the tape 17 is attached to the workpiece 11 in a gas having a molecular weight smaller than the average molecular weight of the atmosphere. Note that the average molecular weight of the atmosphere corresponds to the average molecular weight of gases contained in the atmosphere (air) at the earth's surface. When the tape 17 is attached to the workpiece 11 in this gas, if air bubbles remain between the workpiece 11 and the tape 17, the molecular weight of the gas contained in the air bubbles becomes smaller than the average molecular weight of the atmosphere.

大気の平均分子量より分子量の小さい気体は、空気よりもテープ１７を透過しやすい。そのため、テープ１７の貼着の際にワーク１１とテープ１７との間にこの気体が入り込んで気泡が形成されても、この気泡はワーク１１とテープ１７との間からテープ１７を透過して抜けやすい。これにより、ワーク１１とテープ１７との間に残存する気体が容易に除去される。 A gas having a molecular weight smaller than the average molecular weight of the atmosphere can more easily permeate the tape 17 than air. Therefore, even if this gas enters between the workpiece 11 and the tape 17 and air bubbles are formed when the tape 17 is attached, the air bubbles will pass through the tape 17 from between the workpiece 11 and the tape 17 and escape. Cheap. Thereby, the gas remaining between the workpiece 11 and the tape 17 is easily removed.

大気の平均分子量より分子量の小さい気体の例としては、水素、ヘリウム（単原子分子）、窒素、ネオン（単原子分子）、メタン、アンモニア、フッ化水素、アセチレン、一酸化炭素、エチレン等が挙げられる。特にヘリウムは、分子量（原子量）が小さく安全性も高いため、ワーク１１とテープ１７との貼り合わせの際に用いる気体（雰囲気）として好ましい。 Examples of gases with molecular weights smaller than the average molecular weight of the atmosphere include hydrogen, helium (monoatomic molecules), nitrogen, neon (monoatomic molecules), methane, ammonia, hydrogen fluoride, acetylene, carbon monoxide, and ethylene. It will be done. Particularly, helium is preferable as the gas (atmosphere) used when bonding the workpiece 11 and the tape 17 together because it has a small molecular weight (atomic weight) and high safety.

なお、ワーク１１へのテープの貼着は、手作業で行ってもよいし、専用の装置（テープ貼着装置）を用いて行ってもよい。図３（Ａ）は、テープ貼着装置２を示す断面図である。このテープ貼着装置２によって、本実施形態に係るテープ貼着方法が自動で実施される。 Note that the tape may be attached to the workpiece 11 manually or by using a dedicated device (tape attaching device). FIG. 3(A) is a sectional view showing the tape sticking device 2. FIG. This tape pasting device 2 automatically performs the tape pasting method according to this embodiment.

テープ貼着装置２は、ワーク１１と、ワーク１１に貼着されるテープ１７とを収容可能な円筒状のチャンバー４を備える。チャンバー４は、上側が開口した円筒状の本体部６と、本体部６の開口を開閉する蓋部８とを備える。 The tape applying device 2 includes a cylindrical chamber 4 that can accommodate a work 11 and a tape 17 applied to the work 11. The chamber 4 includes a cylindrical main body 6 with an open upper side and a lid 8 that opens and closes the opening of the main body 6.

チャンバー４の内部には、テープ１７が保持されるテープ保持部４ａと、ワーク１１が保持されるワーク保持部４ｂとが形成されている。テープ保持部４ａは、チャンバー４の内部に形成された円柱状の空間である。また、ワーク保持部４ｂは、テープ保持部４ａの底から下側に向かって形成された円柱状の空間（凹部）である。なお、ワーク保持部４ｂの直径はテープ保持部４ａの直径よりも小さく、チャンバー４内には断面視でＴ字状の空間が形成されている。 Inside the chamber 4, a tape holding section 4a for holding the tape 17 and a work holding section 4b for holding the workpiece 11 are formed. The tape holding portion 4a is a cylindrical space formed inside the chamber 4. Further, the workpiece holding section 4b is a cylindrical space (recess) formed downward from the bottom of the tape holding section 4a. Note that the diameter of the workpiece holding part 4b is smaller than the diameter of the tape holding part 4a, and a T-shaped space is formed in the chamber 4 when viewed in cross section.

テープ保持部４ａには、テープ１７が貼着された環状フレーム１９を支持する環状のフレーム支持部１０が設けられている。フレーム支持部１０は、その中心部にフレーム支持部１０を上下に貫通する円形の開口１０ａを備え、開口１０ａがワーク保持部４ｂと重なるように配置されている。なお、開口１０ａの直径は、例えば環状フレーム１９の開口１９ａの直径と概ね同一に設定される。 The tape holding section 4a is provided with an annular frame support section 10 that supports an annular frame 19 to which a tape 17 is attached. The frame support part 10 is provided with a circular opening 10a at its center that vertically passes through the frame support part 10, and is arranged so that the opening 10a overlaps with the workpiece holding part 4b. Note that the diameter of the opening 10a is set to be approximately the same as the diameter of the opening 19a of the annular frame 19, for example.

また、ワーク保持部４ｂには、ワーク１１を保持する保持テーブル１２が設けられている。保持テーブル１２は、その直径がワーク保持部４ｂの直径と概ね同一となるように形成され、上下方向に移動可能な状態でワーク保持部４ｂに嵌め込まれ、チャンバー４の本体部６によって支持されている。なお、保持テーブル１２の高さはワーク保持部４ｂの高さ未満であり、保持テーブル１２の下側には隙間が確保されている。また、保持テーブル１２の上面は、ワーク１１を保持する保持面１２ａを構成する。 Further, the work holding section 4b is provided with a holding table 12 that holds the work 11. The holding table 12 is formed so that its diameter is approximately the same as the diameter of the workpiece holding part 4b, is fitted into the workpiece holding part 4b in a vertically movable state, and is supported by the main body part 6 of the chamber 4. There is. Note that the height of the holding table 12 is less than the height of the workpiece holding part 4b, and a gap is ensured below the holding table 12. Further, the upper surface of the holding table 12 constitutes a holding surface 12a that holds the workpiece 11.

テープ保持部４ａは、本体部６に形成された流路１４ａとバルブ１６ａとを介して、気体供給源１８に接続されている。気体供給源１８は、大気の平均分子量より分子量の小さい気体を、バルブ１６ａ及び流路１４ａを介してテープ保持部４ａに供給する。また、テープ保持部４ａは、本体部６に形成された流路１４ｂを介してバルブ１６ｂに接続されており、バルブ１６ｂを開くとテープ保持部４ａが大気開放される。 The tape holding section 4a is connected to a gas supply source 18 via a flow path 14a formed in the main body section 6 and a valve 16a. The gas supply source 18 supplies a gas having a molecular weight smaller than the average molecular weight of the atmosphere to the tape holding section 4a via the valve 16a and the flow path 14a. Further, the tape holding section 4a is connected to a valve 16b via a flow path 14b formed in the main body section 6, and when the valve 16b is opened, the tape holding section 4a is exposed to the atmosphere.

ワーク保持部４ｂのうち保持テーブル１２の下側の領域は、本体部６に形成された流路１４ｃとバルブ１６ｃとを介して、エアー供給源２０と接続されている。エアー供給源２０は、バルブ１６ｃ及び流路１４ｃを介してエアーをワーク保持部４ｂに供給する。また、ワーク保持部４ｂのうち保持テーブル１２の下側の領域は、本体部６に形成された流路１４ｄを介してバルブ１６ｄと接続されており、バルブ１６ｄを開くとワーク保持部４ｂが大気開放される。 A region of the workpiece holding section 4b below the holding table 12 is connected to the air supply source 20 via a flow path 14c formed in the main body section 6 and a valve 16c. The air supply source 20 supplies air to the workpiece holding section 4b via the valve 16c and the flow path 14c. Further, the area below the holding table 12 in the workpiece holding part 4b is connected to a valve 16d via a flow path 14d formed in the main body part 6, and when the valve 16d is opened, the workpiece holding part 4b is exposed to the atmosphere. It will be released.

なお、テープ保持部４ａと、ワーク保持部４ｂのうち保持テーブル１２の下側の領域とは、保持テーブル１２によって分離されている。そのため、この２つの領域間での気体の往来は遮断されている。 Note that the tape holding section 4a and the region of the workpiece holding section 4b below the holding table 12 are separated by the holding table 12. Therefore, gas flow between these two regions is blocked.

次に、ワーク１１にテープ１７を貼着する際のテープ貼着装置２の動作例について説明する。なお、以下では一例として、気体供給源１８からヘリウムが供給される場合について説明する。ただし、気体供給源１８から供給される気体（大気の平均分子量より分子量の小さい気体）は適宜変更できる。 Next, an example of the operation of the tape adhering device 2 when adhering the tape 17 to the workpiece 11 will be described. Note that, as an example, a case where helium is supplied from the gas supply source 18 will be described below. However, the gas supplied from the gas supply source 18 (gas whose molecular weight is smaller than the average molecular weight of the atmosphere) can be changed as appropriate.

まず、蓋部８を開け、ワーク１１のテープ１７が貼着される面が上方に露出するように、ワーク１１を保持テーブル１２で保持する。例えば、テープ１７をワーク１１の裏面１１ｂ側に貼着する場合は、ワーク１１の表面１１ａ側と保持面１２ａとが対向するように、ワーク１１を保持テーブル１２上に配置する。 First, the lid part 8 is opened, and the workpiece 11 is held on the holding table 12 so that the surface of the workpiece 11 to which the tape 17 is attached is exposed upward. For example, when attaching the tape 17 to the back surface 11b of the work 11, the work 11 is placed on the holding table 12 so that the front surface 11a of the work 11 and the holding surface 12a face each other.

また、テープ１７が貼着された環状フレーム１９を、フレーム支持部１０で支持する。環状フレーム１９は、テープ１７が貼着されていない面がフレーム支持部１０と接触するように支持される。なお、ワーク１１と環状フレーム１９とはそれぞれ、ワーク１１の中心と環状フレーム１９の開口１９ａの中心とが平面視で重なるように配置される。 Further, the annular frame 19 to which the tape 17 is attached is supported by the frame support portion 10. The annular frame 19 is supported such that the surface to which the tape 17 is not attached is in contact with the frame support 10 . Note that the work 11 and the annular frame 19 are each arranged so that the center of the work 11 and the center of the opening 19a of the annular frame 19 overlap in plan view.

次に、蓋部８を閉じ、テープ保持部４ａを密閉する。そして、バルブ１６ａ，１６ｂを開き、気体供給源１８からテープ保持部４ａにヘリウムガスを所定の流量で供給するとともに、流路１４ｂ及びバルブ１６ｂを介してテープ保持部４ａの内部に残留する大気を排出する。これにより、テープ保持部４ａがヘリウムガスで満たされる。 Next, the lid section 8 is closed to seal the tape holding section 4a. Then, the valves 16a and 16b are opened, and helium gas is supplied from the gas supply source 18 to the tape holding section 4a at a predetermined flow rate, and the atmosphere remaining inside the tape holding section 4a is removed via the flow path 14b and the valve 16b. Discharge. As a result, the tape holding section 4a is filled with helium gas.

次に、バルブ１６ｄを閉じた状態でバルブ１６ｃを開き、エアー供給源２０からワーク保持部４ｂにエアーを所定の流量で供給する。これにより、ワーク保持部４ｂのうち保持テーブル１２の下側の領域の圧力が上昇し、保持テーブル１２が上方に押し上げられる。その結果、ワーク１１がテープ１７に向かって移動する。そして、ヘリウムガス中でワーク１１の裏面１１ｂ側とテープ１７とが接触し、ワーク１１にテープ１７が貼着される。図３（Ｂ）は、ワーク１１にテープ１７が貼着された状態のテープ貼着装置２を示す断面図である。 Next, with the valve 16d closed, the valve 16c is opened, and air is supplied from the air supply source 20 to the workpiece holder 4b at a predetermined flow rate. As a result, the pressure in the area below the holding table 12 in the work holding part 4b increases, and the holding table 12 is pushed upward. As a result, the workpiece 11 moves toward the tape 17. Then, the tape 17 comes into contact with the back surface 11b side of the workpiece 11 in the helium gas, and the tape 17 is adhered to the workpiece 11. FIG. 3(B) is a sectional view showing the tape sticking device 2 in a state where the tape 17 is stuck to the workpiece 11.

その後、バルブ１６ｃを閉じるとともにバルブ１６ｄを開き、ワーク保持部４ｂを大気開放する。これにより、ワーク保持部４ｂのうち保持テーブル１２の下側の領域の圧力が下がり、保持テーブル１２が下降する。このときワーク１１は、テープ１７に貼着されて保持された状態に維持される。 Thereafter, the valve 16c is closed and the valve 16d is opened to expose the workpiece holder 4b to the atmosphere. As a result, the pressure in the area below the holding table 12 of the workpiece holding part 4b is reduced, and the holding table 12 is lowered. At this time, the workpiece 11 is maintained attached to and held by the tape 17.

なお、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）ではワーク保持部４ｂにエアー供給源２０が接続された構成例を示しているが、例えば、ワーク保持部４ｂは流路１４ｃ及びバルブ１６ｃを介して気体供給源１８に接続されていてもよい。この場合、気体供給源１８から供給される気体によって保持テーブル１２の昇降が制御され、エアー供給源２０を省略することができる。 Note that although FIGS. 3A and 3B show a configuration example in which the air supply source 20 is connected to the workpiece holding part 4b, for example, the workpiece holding part 4b is It may also be connected to the gas supply source 18. In this case, the lifting and lowering of the holding table 12 is controlled by the gas supplied from the gas supply source 18, and the air supply source 20 can be omitted.

上記のように、本実施形態では、大気の平均分子量より分子量の小さい気体中でワーク１１にテープ１７を貼着する（貼着ステップ）。図４（Ａ）は、貼着ステップ後のワーク１１及びテープ１７の一部を拡大して示す断面図である。 As described above, in this embodiment, the tape 17 is attached to the workpiece 11 in a gas having a molecular weight smaller than the average molecular weight of the atmosphere (attachment step). FIG. 4(A) is an enlarged cross-sectional view of a part of the workpiece 11 and tape 17 after the pasting step.

例えばテープ１７は、円形のフィルム状の基材１７ａと、基材１７ａ上に形成された粘着層（糊層）１７ｂとを備える。基材１７ａは、例えばポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂でなる。また、粘着層１７ｂは、例えば紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化型の樹脂でなる。なお、基材１７ａと粘着層１７ｂとはそれぞれ、大気の平均分子量より分子量の小さい気体が透過可能な材質でなる。 For example, the tape 17 includes a circular film-like base material 17a and an adhesive layer (glue layer) 17b formed on the base material 17a. The base material 17a is made of resin such as polyolefin, polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, or the like. Further, the adhesive layer 17b is made of, for example, an ultraviolet curing resin that is cured by irradiation with ultraviolet rays. Note that the base material 17a and the adhesive layer 17b are each made of a material through which gas having a molecular weight smaller than the average molecular weight of the atmosphere can pass through.

ワーク１１にテープ１７を貼着すると、ワーク１１とテープ１７の粘着層１７ｂとの間に気体が入り込んで気泡２１が形成されることがある。ここで、本実施形態においては、ワーク１１とテープ１７との貼り合わせを大気の平均分子量より分子量の小さい気体中で行っている。そのため、気泡２１に含まれる気体は、大気の平均分子量より分子量の小さい気体となる。そして、この気体は空気と比較してテープ１７を透過しやすいため、ワーク１１とテープ１７との間から容易に除去される。 When the tape 17 is attached to the workpiece 11, gas may enter between the workpiece 11 and the adhesive layer 17b of the tape 17, and air bubbles 21 may be formed. In this embodiment, the workpiece 11 and the tape 17 are bonded together in a gas having a molecular weight smaller than the average molecular weight of the atmosphere. Therefore, the gas contained in the bubbles 21 has a molecular weight smaller than the average molecular weight of the atmosphere. Since this gas permeates through the tape 17 more easily than air, it is easily removed from between the workpiece 11 and the tape 17.

例えば、貼着ステップを実施した後、ワーク１１がテープ１７上に配置された状態（図２（Ｂ）参照）で、一定時間放置する。このとき、ワーク１１の自重によって気泡２１がテープ１７に押し込まれる。そして、ワーク１１とテープ１７との間に残存した気体が、テープ１７を透過して除去される（透過ステップ）。 For example, after the pasting step is performed, the workpiece 11 is left on the tape 17 for a certain period of time (see FIG. 2(B)). At this time, the air bubbles 21 are pushed into the tape 17 by the weight of the work 11 . Then, the gas remaining between the workpiece 11 and the tape 17 is removed by passing through the tape 17 (permeation step).

図４（Ｂ）は、透過ステップ後のワーク１１及びテープ１７の一部を拡大して示す断面図である。気泡２１に含まれる気体がテープ１７を透過して除去されると、ワーク１１の裏面１１ｂ側の全体がテープ１７の粘着層１７ｂに平坦に密着する。これにより、後の工程でワーク１１が加工される際に、加工不良の発生が防止される。 FIG. 4(B) is an enlarged cross-sectional view of a part of the work 11 and tape 17 after the transmission step. When the gas contained in the bubbles 21 passes through the tape 17 and is removed, the entire back surface 11b side of the workpiece 11 is flatly and tightly adhered to the adhesive layer 17b of the tape 17. This prevents processing defects from occurring when the workpiece 11 is processed in a later step.

なお、透過ステップでは、気泡２１の除去を促進するため、所定の処理を実施してもよい。例えば、テープ１７を加熱して、気泡２１に含まれる気体がテープ１７を透過しやすくしてもよい。図５は、テープ１７が加熱される様子を示す断面図である。 Note that in the permeation step, a predetermined process may be performed to promote the removal of the bubbles 21. For example, the tape 17 may be heated to make it easier for the gas contained in the bubbles 21 to pass through the tape 17. FIG. 5 is a cross-sectional view showing how the tape 17 is heated.

テープ１７の加熱は、例えばホットプレート３０を用いて実施される。ホットプレート３０は、電力の供給によって発熱するプレートであり、その上面はテープ１７を保持する保持面３０ａを構成する。テープ１７がホットプレート３０の保持面３０ａと接触した状態でホットプレート３０を発熱させることにより、テープ１７が加熱される。 The tape 17 is heated using a hot plate 30, for example. The hot plate 30 is a plate that generates heat when supplied with electric power, and its upper surface constitutes a holding surface 30a that holds the tape 17. The tape 17 is heated by causing the hot plate 30 to generate heat while the tape 17 is in contact with the holding surface 30a of the hot plate 30.

テープ１７が加熱されると、気泡２１の除去に要する時間が短縮されることが確認された。これは、テープ１７の加熱によって、テープ１７を構成する高分子材料の高分子鎖の隙間が広がりやすくなるとともに、気泡２１が加熱されて気泡２１に含まれる気体の運動が活発化し、気体がテープ１７を透過しやすくなったためと推察される。 It was confirmed that when the tape 17 was heated, the time required to remove the air bubbles 21 was shortened. This is because by heating the tape 17, the gaps between the polymer chains of the polymer material constituting the tape 17 tend to expand, and the bubbles 21 are heated and the movement of the gas contained in the bubbles 21 becomes active, and the gas is transferred to the tape. It is presumed that this is because it has become easier to pass through 17.

テープ１７は、例えば８０℃以上９０℃以下程度の温度に加熱される。ただし、テープ１７の加熱温度は、テープ１７の材質に応じて、テープ１７の変質が生じない範囲内で適宜設定できる。また、テープ１７の加熱にはオーブンやヒーターを用いてもよい。 The tape 17 is heated, for example, to a temperature of about 80° C. or higher and 90° C. or lower. However, the heating temperature of the tape 17 can be appropriately set according to the material of the tape 17 within a range that does not cause deterioration of the tape 17. Further, an oven or a heater may be used to heat the tape 17.

また、透過ステップでは、ワーク１１とテープ１７の一方又は両方に対して、ワーク１１とテープ１７とが密着する方向に圧力を付与してもよい。例えば、ワーク１１が環状フレーム１９によって支持された状態（図２（Ｂ）参照）で、ワーク１１をテープ１７に向かって押圧し、気泡２１をテープ１７に押し込んでもよい。なお、ワーク１１を押圧する強さは、デバイス１５の破損等が生じない範囲で設定される。 Further, in the permeation step, pressure may be applied to one or both of the work 11 and the tape 17 in a direction in which the work 11 and the tape 17 come into close contact with each other. For example, with the workpiece 11 supported by the annular frame 19 (see FIG. 2(B)), the workpiece 11 may be pressed toward the tape 17 to force the air bubbles 21 into the tape 17. Note that the strength with which the workpiece 11 is pressed is set within a range that does not cause damage to the device 15 or the like.

また、ワーク１１への圧力の付与は、ワーク１１を吸引保持する保持テーブルを用いて行うこともできる。図６は、保持テーブル４０によって保持された状態のワーク１１を示す断面図である。保持テーブル４０は、ワーク１１に吸引力を作用させて圧力を付与する。 Moreover, the application of pressure to the workpiece 11 can also be performed using a holding table that holds the workpiece 11 under suction. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the workpiece 11 held by the holding table 40. As shown in FIG. The holding table 40 applies suction force to the workpiece 11 to apply pressure.

保持テーブル４０は、例えばワーク１１よりも直径の大きい円柱状に形成され、その上面はワーク１１を保持する保持面４０ａを構成する。また、保持テーブル４０は、保持面４０ａ側にポーラスセラミックス等によって構成されたポーラス部材４２を備える。ポーラス部材４２は、例えば保持テーブル４０よりも直径の小さい円盤状に形成され、保持テーブル４０の保持面４０ａ側に嵌め込まれている。なお、ポーラス部材４２の上面は、保持面４０ａの一部を構成する。 The holding table 40 is formed into a cylindrical shape having a diameter larger than that of the workpiece 11, for example, and its upper surface constitutes a holding surface 40a that holds the workpiece 11. Further, the holding table 40 includes a porous member 42 made of porous ceramics or the like on the holding surface 40a side. The porous member 42 is formed, for example, in the shape of a disk with a diameter smaller than that of the holding table 40, and is fitted into the holding surface 40a side of the holding table 40. Note that the upper surface of the porous member 42 constitutes a part of the holding surface 40a.

ポーラス部材４２は、保持テーブル４０の内部に形成された流路４０ｂと、バルブ４４とを介して、エジェクタ等の吸引源４６に接続されている。また、保持テーブル４０の周囲には、ワーク１１を支持する環状フレーム１９を把持して固定する複数のクランプ４８が設けられている。 The porous member 42 is connected to a suction source 46 such as an ejector via a flow path 40b formed inside the holding table 40 and a valve 44. Further, a plurality of clamps 48 are provided around the holding table 40 to grip and fix the annular frame 19 that supports the workpiece 11.

ワーク１１は、テープ１７が貼着された面側（裏面１１ｂ側）が保持面４０ａと対向するように、保持テーブル４０上に配置される。また、環状フレーム１９が複数のクランプ４８によって固定される。この状態で、吸引源４６の負圧をバルブ４４、流路４０ｂ及びポーラス部材４２を介して保持面４０ａに作用させると、テープ１７を介してワーク１１に吸引力が作用し、ワーク１１に対してテープ１７側（保持面４０ａ側）に向かって圧力が付与される。 The workpiece 11 is placed on the holding table 40 so that the surface side to which the tape 17 is attached (the back surface 11b side) faces the holding surface 40a. Further, the annular frame 19 is fixed by a plurality of clamps 48. In this state, when the negative pressure of the suction source 46 is applied to the holding surface 40a through the valve 44, the flow path 40b, and the porous member 42, suction force is applied to the workpiece 11 through the tape 17, and Pressure is applied toward the tape 17 side (holding surface 40a side).

その結果、気泡２１（図４（Ａ）参照）がテープ１７に押し込まれるとともに、気泡２１が保持面４０ａに吸引される。これにより、気泡２１に含まれる気体がテープ１７を透過して除去されやすくなり、気泡２１の除去に要する時間が短縮される。なお、上記ではワーク１１に対してテープ１７に向かって圧力が付与される例について説明したが、テープ１７に対してワーク１１に向かって圧力が付与されてもよい。 As a result, the air bubbles 21 (see FIG. 4(A)) are pushed into the tape 17, and the air bubbles 21 are attracted to the holding surface 40a. This makes it easier for the gas contained in the bubbles 21 to pass through the tape 17 and be removed, and the time required to remove the bubbles 21 is shortened. Note that although the example in which pressure is applied to the workpiece 11 toward the tape 17 has been described above, pressure may be applied to the tape 17 toward the workpiece 11.

また、保持テーブル４０は、テープ１７を加熱するためのヒーターを更に備えていてもよい。図７は、ヒーター５０を備える保持テーブル４０によって保持された状態のワーク１１を示す断面図である。例えばヒーター５０は、その直径がワーク１１以上である円盤状に形成され、保持テーブル４０の内部に埋め込まれる。 Further, the holding table 40 may further include a heater for heating the tape 17. FIG. 7 is a sectional view showing the workpiece 11 held by the holding table 40 including the heater 50. As shown in FIG. For example, the heater 50 is formed into a disk shape with a diameter equal to or larger than the workpiece 11, and is embedded inside the holding table 40.

保持テーブル４０でワーク１１を吸引保持した状態で、ヒーター５０に電力を供給してヒーター５０を発熱させると、テープ１７が加熱される。このように、ワーク１１への圧力（吸引力）の付与とテープ１７の加熱との両方を実施することにより、気泡２１が素早く除去される。 When the workpiece 11 is suctioned and held on the holding table 40 and electric power is supplied to the heater 50 to cause the heater 50 to generate heat, the tape 17 is heated. In this way, by applying both pressure (suction force) to the workpiece 11 and heating the tape 17, the air bubbles 21 are quickly removed.

透過ステップを実施した後は、テープ１７を介して環状フレーム１９によって保持されたワーク１１に対し、加工装置を用いた加工や、洗浄装置を用いた洗浄等が施される。なお、ワーク１１に施される加工の内容に制限はない。例えば、環状の切削ブレードでワーク１１を切削する切削装置、研削砥石でワーク１１を研削する研削装置、研磨パッドでワーク１１を研磨する研磨装置、レーザービームの照射によってワーク１１を加工するレーザー加工装置等によって、ワーク１１が加工される。 After performing the permeation step, the workpiece 11 held by the annular frame 19 via the tape 17 is subjected to processing using a processing device, cleaning using a cleaning device, and the like. Note that there is no restriction on the content of processing performed on the workpiece 11. For example, a cutting device that cuts the workpiece 11 with an annular cutting blade, a grinding device that grinds the workpiece 11 with a grinding wheel, a polishing device that polishes the workpiece 11 with a polishing pad, and a laser processing device that processes the workpiece 11 by irradiating a laser beam. The workpiece 11 is processed by the above steps.

以上の通り、本実施形態に係るテープ貼着方法は、大気の平均分子量より分子量の小さい気体中でワーク１１にテープ１７を貼着する貼着ステップと、ワーク１１とテープ１７との間に残存した気体を、テープ１７を透過させて除去する透過ステップと、を備える。このテープ貼着方法では、ワーク１１とテープ１７との間に入り込む気体が、大気の平均分子量より分子量の小さい気体となるため、テープ１７を透過しやすい。そのため、ワーク１１とテープ１７との間に残存する気泡が容易に除去されやすくなる。 As described above, the tape attaching method according to the present embodiment includes the attaching step of attaching the tape 17 to the workpiece 11 in a gas having a molecular weight smaller than the average molecular weight of the atmosphere, and the step of attaching the tape 17 to the workpiece 11 in a gas having a molecular weight smaller than the average molecular weight of the atmosphere. and a permeation step of transmitting the gas through the tape 17 and removing it. In this tape attachment method, the gas that enters between the workpiece 11 and the tape 17 has a molecular weight smaller than the average molecular weight of the atmosphere, and therefore easily permeates through the tape 17. Therefore, air bubbles remaining between the workpiece 11 and the tape 17 can be easily removed.

なお、透過ステップの実施後、ワーク１１とテープ１７との間には、ワーク１１の加工や洗浄に影響がない範囲で微細な気泡２１が残留していてもよい。すなわち、透過ステップでは、ワーク１１の加工や洗浄に悪影響がない程度にワーク１１とテープ１７との間から気体が除去され、気泡２１が縮小されればよい。 Note that, after the permeation step, fine air bubbles 21 may remain between the workpiece 11 and the tape 17 as long as they do not affect the processing or cleaning of the workpiece 11. That is, in the permeation step, gas may be removed from between the workpiece 11 and the tape 17 and the bubbles 21 may be reduced to such an extent that processing and cleaning of the workpiece 11 are not adversely affected.

例えば、貼着ステップは、大気の平均分子量より分子量の小さい気体（第１の気体）のみを含む雰囲気下で実施されることが好ましい。しかしながら、実際には、第１の気体に他の気体（第２の気体）が微量に混合された雰囲気下で、ワーク１１にテープ１７を貼着されることがある。この場合、気泡２１には第１の気体と第２の気体とが含まれることがある。しかしながら、気泡２１に含まれる第２の気体が微量であれば、透過ステップで第１の気体を適切に除去することにより、気泡２１のサイズを十分に縮小することができる。 For example, the adhesion step is preferably performed in an atmosphere containing only a gas (first gas) having a molecular weight smaller than the average molecular weight of the atmosphere. However, in reality, the tape 17 may be attached to the workpiece 11 in an atmosphere in which the first gas is mixed with a small amount of another gas (second gas). In this case, the bubbles 21 may contain the first gas and the second gas. However, if the second gas contained in the bubbles 21 is minute, the size of the bubbles 21 can be sufficiently reduced by appropriately removing the first gas in the permeation step.

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 In addition, the structure, method, etc. according to the above embodiments can be modified and implemented as appropriate without departing from the scope of the objective of the present invention.

１１ ワーク
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ デバイス
１７ テープ
１７ａ 基材
１７ｂ 粘着層（糊層）
１９ 環状フレーム
１９ａ 開口
２１ 気泡
２ テープ貼着装置
４ チャンバー
４ａ テープ保持部
４ｂ ワーク保持部
６ 本体部
８ 蓋部
１０ フレーム支持部
１０ａ 開口
１２ 保持テーブル
１２ａ 保持面
１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ 流路
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ バルブ
１８ 気体供給源
２０ エアー供給源
３０ ホットプレート
３０ａ 保持面
４０ 保持テーブル
４０ａ 保持面
４０ｂ 流路
４２ ポーラス部材
４４ バルブ
４６ 吸引源
４８ クランプ
５０ ヒーター 11 Work 11a Front side 11b Back side 13 Planned dividing line (street)
15 Device 17 Tape 17a Base material 17b Adhesive layer (glue layer)
19 Annular frame 19a Opening 21 Air bubble 2 Tape pasting device 4 Chamber 4a Tape holding part 4b Work holding part 6 Main body part 8 Lid part 10 Frame support part 10a Opening 12 Holding table 12a Holding surface 14a, 14b, 14c, 14d Channel 16a , 16b, 16c, 16d Valve 18 Gas supply source 20 Air supply source 30 Hot plate 30a Holding surface 40 Holding table 40a Holding surface 40b Channel 42 Porous member 44 Valve 46 Suction source 48 Clamp 50 Heater

Claims (4)

ワークにテープを貼着するテープ貼着方法であって、
テープ貼着装置を用いて大気の平均分子量より分子量の小さい気体中で該ワークに該テープを貼着する貼着ステップと、
該貼着ステップを実施した後、該ワークと該テープとの間に残存した該気体を、該テープを透過させて除去する透過ステップと、を備え、
該テープは、基材及び粘着層を備え、且つ、該気体及び空気が透過可能であり、
該テープ貼着装置は、該テープが保持されるテープ保持部と、該ワークが保持されるワーク保持部と、該ワーク保持部に設けられた保持テーブルと、を備え、
該貼着ステップでは、該テープ保持部が該気体で満たされた状態で、該保持テーブルによって保持された該ワークと該テープとを該気体中で接触させることを特徴とするテープ貼着方法。 A tape application method for applying tape to a workpiece, the method comprising:
an adhering step of adhering the tape to the workpiece in a gas having a molecular weight smaller than the average molecular weight of the atmosphere using a tape adhering device;
a permeation step of removing the gas remaining between the workpiece and the tape after performing the adhesion step by permeating the tape;
The tape includes a base material and an adhesive layer, and is permeable to the gas and air,
The tape pasting device includes a tape holding part for holding the tape, a work holding part for holding the work, and a holding table provided in the work holding part,
In the pasting step, the workpiece held by the holding table and the tape are brought into contact with each other in the gas while the tape holding section is filled with the gas. 該透過ステップでは、該テープを加熱することを特徴とする請求項１に記載のテープ貼着方法。 2. The tape application method according to claim 1, wherein the tape is heated in the permeation step. 該透過ステップでは、該ワークと該テープの一方又は両方に対して、該ワークと該テープとが密着する方向に圧力を付与することを特徴とする請求項１に記載のテープ貼着方法。 2. The tape adhesion method according to claim 1, wherein in the permeation step, pressure is applied to one or both of the workpiece and the tape in a direction in which the workpiece and the tape come into close contact with each other. 該気体はヘリウムであることを特徴とする請求項１に記載のテープ貼着方法。 2. The tape application method according to claim 1, wherein the gas is helium.
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