JP2001210701A - 半導体ウエハ保護用フィルムの貼付方法及びその装置 - Google Patents
半導体ウエハ保護用フィルムの貼付方法及びその装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハに粘着フィルムを貼付する際
に、半導体ウエハと粘着フィルムとの間の気泡の発生を
減少し、また気泡が発生してもその中に空気が入らない
ようにして紫外線を照射した時の空気による阻害を回避
し、粘着フィルムの粘着力を半導体ウエハの全域に亘っ
て確実に低下させ、粘着フィルムを剥離する際の作業性
及び薄板チップのピックアップ性の向上を図ると共に、
半導体ウエハに粘着剤の一部が残らないようにして製品
の信頼性向上を図ることである。 【解決手段】 密閉空間１４内で半導体ウエハ２と粘着
フィルム３とを対面させた状態で保持し、密閉空間１４
を窒素雰囲気に置き換えた後、半導体ウエハ２に粘着フ
ィルム３を押し付けて貼付する方法である。
に、半導体ウエハと粘着フィルムとの間の気泡の発生を
減少し、また気泡が発生してもその中に空気が入らない
ようにして紫外線を照射した時の空気による阻害を回避
し、粘着フィルムの粘着力を半導体ウエハの全域に亘っ
て確実に低下させ、粘着フィルムを剥離する際の作業性
及び薄板チップのピックアップ性の向上を図ると共に、
半導体ウエハに粘着剤の一部が残らないようにして製品
の信頼性向上を図ることである。 【解決手段】 密閉空間１４内で半導体ウエハ２と粘着
フィルム３とを対面させた状態で保持し、密閉空間１４
を窒素雰囲気に置き換えた後、半導体ウエハ２に粘着フ
ィルム３を押し付けて貼付する方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの電
子回路面又は裏面を粘着フィルムで保護する際の貼付方
法およびその装置に関する。
子回路面又は裏面を粘着フィルムで保護する際の貼付方
法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子回路が形成された半導体ウエハに対
して、その裏面を機械的に研削して半導体ウエハを薄く
するバックグラインディング工程と、電子回路が形成さ
れたチップ毎に半導体ウエハを切断するダイシング工程
が設けられる。これら各工程において、半導体ウエハを
切削屑等から保護するために、バックグラインディング
工程では粘着フィルムが電子回路面に、またダイシング
工程では粘着フィルムが裏面側にそれぞれ貼付される。
これらの粘着フィルムは、紫外線の照射によって架橋反
応が進行する所謂紫外線硬化型の粘着剤をポリエチレン
テレフタレートやポリオレフィンなど熱収縮性のあるプ
ラスチックフィルムに塗布したものであり、各工程終了
後に紫外線を照射することによって粘着フィルムの粘着
力を低下させるものである。バックグラインディング工
程の終了後は、粘着フィルムを更に紫外線硬化すること
で剥離し易くし、またダイシング工程の後では粘着力を
低下させた状態でダイシングされた半導体ウエハと一緒
に次のボンディング工程に移送する。
して、その裏面を機械的に研削して半導体ウエハを薄く
するバックグラインディング工程と、電子回路が形成さ
れたチップ毎に半導体ウエハを切断するダイシング工程
が設けられる。これら各工程において、半導体ウエハを
切削屑等から保護するために、バックグラインディング
工程では粘着フィルムが電子回路面に、またダイシング
工程では粘着フィルムが裏面側にそれぞれ貼付される。
これらの粘着フィルムは、紫外線の照射によって架橋反
応が進行する所謂紫外線硬化型の粘着剤をポリエチレン
テレフタレートやポリオレフィンなど熱収縮性のあるプ
ラスチックフィルムに塗布したものであり、各工程終了
後に紫外線を照射することによって粘着フィルムの粘着
力を低下させるものである。バックグラインディング工
程の終了後は、粘着フィルムを更に紫外線硬化すること
で剥離し易くし、またダイシング工程の後では粘着力を
低下させた状態でダイシングされた半導体ウエハと一緒
に次のボンディング工程に移送する。
【０００３】ところで、上記したバックグラインディン
グ工程及びダイシング工程において、半導体ウエハ上に
粘着フィルムを貼付する場合、従来にあっては図４に示
すように、大気中において、テーブル１の上に半導体ウ
エハ２を載置する一方、この半導体ウエハ２の近接上方
に粘着フィルム３を傾斜させた状態で張り渡し、この粘
着フィルム３を転動ローラ４で押し付けながら半導体ウ
エハ２の上面に貼付する方法が知られている。また、バ
ックグラインディング工程のように、電子回路が形成さ
れている凹凸面に粘着フィルムを貼付する場合にも同様
に、ピンと張ってある粘着フィルムに対して半導体ウエ
ハを平行に保ち、粘着フィルムを傾斜させた状態で半導
体ウエハを平行にして近づけ、そのまま半導体ウエハ２
の凹凸面全体に粘着フィルムを転動ローラで押し付けな
がら貼付する方法が知られている。
グ工程及びダイシング工程において、半導体ウエハ上に
粘着フィルムを貼付する場合、従来にあっては図４に示
すように、大気中において、テーブル１の上に半導体ウ
エハ２を載置する一方、この半導体ウエハ２の近接上方
に粘着フィルム３を傾斜させた状態で張り渡し、この粘
着フィルム３を転動ローラ４で押し付けながら半導体ウ
エハ２の上面に貼付する方法が知られている。また、バ
ックグラインディング工程のように、電子回路が形成さ
れている凹凸面に粘着フィルムを貼付する場合にも同様
に、ピンと張ってある粘着フィルムに対して半導体ウエ
ハを平行に保ち、粘着フィルムを傾斜させた状態で半導
体ウエハを平行にして近づけ、そのまま半導体ウエハ２
の凹凸面全体に粘着フィルムを転動ローラで押し付けな
がら貼付する方法が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように大気中で半導体ウエハ２に粘着フィルム３を貼付
する際に空気を巻き込んでしまうと、図５に示したよう
に、半導体ウエハ２と粘着フィルム３との間に空気を閉
じ込めた状態で気泡６ができてしまう。その結果、バッ
クグラインディング工程又はダイシング工程の終了後に
紫外線を照射した時に、気泡６内に閉じ込められた空気
が原因で架橋反応による硬化を阻害されて粘着力が低下
せず、気泡６の周縁部では粘着剤７が残ってしまい半導
体ウエハ２に粘着フィルム３が貼り付いたままの状態に
ある。そのため、粘着フィルム３を剥離する際の作業性
が低下し、また有機系粘着剤が半導体ウエハ２に残って
しまうと製品信頼性が低下するといった問題があった。
特に最近では半導体ウエハ２の厚みが１００μｍ以下、
さらには５０μｍ以下になるまで薄く裏面研削を行う場
合があるが、このような薄さではボンディング工程にお
いて粘着フィルム３の下から半導体ウエハ２のチップを
ピンで下から突き上げることができず、粘着フィルム３
を僅かに押し上げるだけでチップをピックアップするた
めに、前述のように気泡６の周縁部に粘着剤７が残って
いるとピックアップを確実に実行できないといった問題
があった。
ように大気中で半導体ウエハ２に粘着フィルム３を貼付
する際に空気を巻き込んでしまうと、図５に示したよう
に、半導体ウエハ２と粘着フィルム３との間に空気を閉
じ込めた状態で気泡６ができてしまう。その結果、バッ
クグラインディング工程又はダイシング工程の終了後に
紫外線を照射した時に、気泡６内に閉じ込められた空気
が原因で架橋反応による硬化を阻害されて粘着力が低下
せず、気泡６の周縁部では粘着剤７が残ってしまい半導
体ウエハ２に粘着フィルム３が貼り付いたままの状態に
ある。そのため、粘着フィルム３を剥離する際の作業性
が低下し、また有機系粘着剤が半導体ウエハ２に残って
しまうと製品信頼性が低下するといった問題があった。
特に最近では半導体ウエハ２の厚みが１００μｍ以下、
さらには５０μｍ以下になるまで薄く裏面研削を行う場
合があるが、このような薄さではボンディング工程にお
いて粘着フィルム３の下から半導体ウエハ２のチップを
ピンで下から突き上げることができず、粘着フィルム３
を僅かに押し上げるだけでチップをピックアップするた
めに、前述のように気泡６の周縁部に粘着剤７が残って
いるとピックアップを確実に実行できないといった問題
があった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、半導体ウエハに
粘着フィルムを貼付する際に、半導体ウエハと粘着フィ
ルムとの間の気泡の発生を減少し、また気泡が発生して
もその中に空気が入らないようにして紫外線を照射した
時の空気による阻害を回避し、粘着フィルムの粘着力を
半導体ウエハの全域に亘って確実に低下させ、粘着フィ
ルムを剥離する際の作業性及び薄板チップのピックアッ
プ性の向上を図ると共に、半導体ウエハに粘着剤の一部
が残らないようにして製品の信頼性向上を図ることにあ
る。
粘着フィルムを貼付する際に、半導体ウエハと粘着フィ
ルムとの間の気泡の発生を減少し、また気泡が発生して
もその中に空気が入らないようにして紫外線を照射した
時の空気による阻害を回避し、粘着フィルムの粘着力を
半導体ウエハの全域に亘って確実に低下させ、粘着フィ
ルムを剥離する際の作業性及び薄板チップのピックアッ
プ性の向上を図ると共に、半導体ウエハに粘着剤の一部
が残らないようにして製品の信頼性向上を図ることにあ
る。
【０００６】また、本発明の他の目的は、上記の課題解
決を簡易な方法、及び簡易な装置で達成することにあ
る。
決を簡易な方法、及び簡易な装置で達成することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係る半導体ウエハ保護用フィルムの貼付方
法は、半導体ウエハに対する保護用フィルムの貼付を窒
素雰囲気中で実行することを特徴とする。
に、本発明に係る半導体ウエハ保護用フィルムの貼付方
法は、半導体ウエハに対する保護用フィルムの貼付を窒
素雰囲気中で実行することを特徴とする。
【０００８】また、本発明に係る半導体ウエハ保護用フ
ィルムの貼付方法は、密閉空間内で半導体ウエハと保護
用フィルムとを対面させた状態で保持し、密閉空間を窒
素雰囲気に置き換えた後、半導体ウエハに保護用フィル
ムを押し付けて貼付することを特徴とする。
ィルムの貼付方法は、密閉空間内で半導体ウエハと保護
用フィルムとを対面させた状態で保持し、密閉空間を窒
素雰囲気に置き換えた後、半導体ウエハに保護用フィル
ムを押し付けて貼付することを特徴とする。
【０００９】また、本発明に係る半導体ウエハ保護用フ
ィルムの貼付方法は、前記保護用フィルムが紫外線硬化
型フィルムであることを特徴とする。
ィルムの貼付方法は、前記保護用フィルムが紫外線硬化
型フィルムであることを特徴とする。
【００１０】さらに、本発明に係る半導体ウエハ保護用
フィルムの貼付装置は、密閉空間を構成する下ケース及
び上ケースと、該ケース内に配置された半導体ウエハを
載置するためのテーブルと、該テーブルに載置された半
導体ウエハに保護用フィルムを対面させた状態で支持す
るフィルム支持装置と、前記保護用フィルムを半導体ウ
エハ側に押圧して半導体ウエハに保護用フィルムを貼付
する押圧部材と、前記密閉空間を窒素雰囲気に置き換え
るための窒素ガス供給源及び真空ポンプとを備えたこと
を特徴とする。
フィルムの貼付装置は、密閉空間を構成する下ケース及
び上ケースと、該ケース内に配置された半導体ウエハを
載置するためのテーブルと、該テーブルに載置された半
導体ウエハに保護用フィルムを対面させた状態で支持す
るフィルム支持装置と、前記保護用フィルムを半導体ウ
エハ側に押圧して半導体ウエハに保護用フィルムを貼付
する押圧部材と、前記密閉空間を窒素雰囲気に置き換え
るための窒素ガス供給源及び真空ポンプとを備えたこと
を特徴とする。
【００１１】本発明における半導体ウエハは、シリコン
やセレン、ゲルマニウムなどの酸化物からなる公知のも
のであり、また半導体ウエハの大きさも特に限定されな
い。一方、半導体ウエハ保護用フィルムとしての粘着フ
ィルムも、上述したように紫外線によって３次元に架橋
構造をとる粘着剤をポリエチレンテレフタレートやポリ
オレフィンなどの熱収縮性プラスチックフィルムに塗布
した公知のものが使用される。
やセレン、ゲルマニウムなどの酸化物からなる公知のも
のであり、また半導体ウエハの大きさも特に限定されな
い。一方、半導体ウエハ保護用フィルムとしての粘着フ
ィルムも、上述したように紫外線によって３次元に架橋
構造をとる粘着剤をポリエチレンテレフタレートやポリ
オレフィンなどの熱収縮性プラスチックフィルムに塗布
した公知のものが使用される。
【００１２】半導体ウエハを粘着フィルムで保護する工
程としては、上述したようなバックグラインディング工
程とダイシング工程である。バックグラインディング工
程では電子回路が形成されている半導体ウエハの表面側
に、一方ダイシング工程では半導体ウエハの裏面側に粘
着フィルムが貼付される。
程としては、上述したようなバックグラインディング工
程とダイシング工程である。バックグラインディング工
程では電子回路が形成されている半導体ウエハの表面側
に、一方ダイシング工程では半導体ウエハの裏面側に粘
着フィルムが貼付される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて半導体
ウエハの裏面側に粘着フィルムを貼付する方法を説明す
る。図１は、本発明の貼付方法を実施するための装置の
概要を示したものであり、図２は貼付方法を実施するた
めの工程図である。
ウエハの裏面側に粘着フィルムを貼付する方法を説明す
る。図１は、本発明の貼付方法を実施するための装置の
概要を示したものであり、図２は貼付方法を実施するた
めの工程図である。
【００１４】図１に示した貼付装置１０において、符号
１１、１２は貼付装置１０のケーシングを構成する下ケ
ースと上ケースであり、両ケース１１，１２の接合部に
設けられたパッキン１３によって、ケーシング内部に密
閉空間１４を形成している。また、下ケース１１には一
対の貫通孔１８，１９が開設され、一方の間通孔１８は
窒素供給源１５に、他方の貫通孔１９は真空ポンプ１６
にそれぞれ接続されている。
１１、１２は貼付装置１０のケーシングを構成する下ケ
ースと上ケースであり、両ケース１１，１２の接合部に
設けられたパッキン１３によって、ケーシング内部に密
閉空間１４を形成している。また、下ケース１１には一
対の貫通孔１８，１９が開設され、一方の間通孔１８は
窒素供給源１５に、他方の貫通孔１９は真空ポンプ１６
にそれぞれ接続されている。
【００１５】前記密閉空間１４内では半導体ウエハ２を
載置するためのテーブル１７が下ケース１１の底面中央
に配設されると共に、テーブル１７の外周部には粘着フ
ィルム３を載置するための支持環２０がバネ２１によっ
て支持されている。粘着フィルム３は、ピンと張られた
状態でフレーム２２に張設されており、粘着面を下に向
けた状態で、前記フレーム２２が前記支持環２０の上に
載置される。テーブル１７に載置された半導体ウエハ２
と支持環２０上に載置された粘着フィルム３とはその間
に一定の隙間を保った状態で平行に設定される。また、
前記密閉空間１４内には粘着フィルム３の貼付時に、該
粘着フィルム３を上方から押し付ける押圧部材２３がテ
ーブル１７の上方に設けられている。この押圧部材２３
は、上ケース１２の上壁を貫通するシリンダロッド２４
の先端に取付けられた丸皿状のシリコーンゴム部材であ
り、直径が前記支持環２０の直径よりやや大きく、また
下面が曲面形状をしている。この押圧部材２３はシリン
ダロッド２４が伸びることで下降し、その曲面状下面で
粘着フィルム３を中心部から外周部に向けて同心円状に
下方へ押圧していく。この時、粘着フィルム３は、中心
部から外周部に向かって次第に撓んでいき、また支持環
２０がバネ２１によって弾性的に支持されていることか
ら、下方側への全体的な沈み込みも加わって、テーブル
１７上に載置された半導体ウエハ２に貼付される。
載置するためのテーブル１７が下ケース１１の底面中央
に配設されると共に、テーブル１７の外周部には粘着フ
ィルム３を載置するための支持環２０がバネ２１によっ
て支持されている。粘着フィルム３は、ピンと張られた
状態でフレーム２２に張設されており、粘着面を下に向
けた状態で、前記フレーム２２が前記支持環２０の上に
載置される。テーブル１７に載置された半導体ウエハ２
と支持環２０上に載置された粘着フィルム３とはその間
に一定の隙間を保った状態で平行に設定される。また、
前記密閉空間１４内には粘着フィルム３の貼付時に、該
粘着フィルム３を上方から押し付ける押圧部材２３がテ
ーブル１７の上方に設けられている。この押圧部材２３
は、上ケース１２の上壁を貫通するシリンダロッド２４
の先端に取付けられた丸皿状のシリコーンゴム部材であ
り、直径が前記支持環２０の直径よりやや大きく、また
下面が曲面形状をしている。この押圧部材２３はシリン
ダロッド２４が伸びることで下降し、その曲面状下面で
粘着フィルム３を中心部から外周部に向けて同心円状に
下方へ押圧していく。この時、粘着フィルム３は、中心
部から外周部に向かって次第に撓んでいき、また支持環
２０がバネ２１によって弾性的に支持されていることか
ら、下方側への全体的な沈み込みも加わって、テーブル
１７上に載置された半導体ウエハ２に貼付される。
【００１６】次に、ダイシング工程において、上記構成
からなる貼付装置１０を使用して半導体ウエハ２に粘着
フィルム３貼付する工程を、図１及び図２に基づいて説
明する。先ず、ケーシングの密閉空間１４内を大気圧に
してから上ケース１２を開き、テーブル１７の上に半導
体ウエハ２を載置する（Ｓ１）。ダイシング工程では、
電子回路面を下にし、半導体ウエハ２の裏面を上にして
載置する。次に、支持環２０の上に粘着フィルム３の外
周のフレーム２２を載置する（Ｓ２）。この時、テーブ
ル１７の上に載置された半導体ウエハ２の裏面と粘着フ
ィルム３との間には、一定の隙間が確保される。次に、
上ケース１２を閉じて内部を密閉し、シリンダロッド２
４を伸ばして押圧部材２３の曲面状下面を粘着フィルム
３の上方近傍に位置させたのち、真空ポンプ１６によっ
てケーシング内の空気を徐々に引いて減圧する（Ｓ
３）。そして、所定の真空度になった所で真空ポンプ１
６を停止する。一方、窒素供給源１５からケーシング内
に窒素を流入し、密閉空間１４内を窒素雰囲気にする
（Ｓ４）。さらに、窒素を流入させながら真空ポンプ１
６を再び作動させることで、密閉空間１４内では窒素の
流れが発生して完全に窒素に置き換わる。
からなる貼付装置１０を使用して半導体ウエハ２に粘着
フィルム３貼付する工程を、図１及び図２に基づいて説
明する。先ず、ケーシングの密閉空間１４内を大気圧に
してから上ケース１２を開き、テーブル１７の上に半導
体ウエハ２を載置する（Ｓ１）。ダイシング工程では、
電子回路面を下にし、半導体ウエハ２の裏面を上にして
載置する。次に、支持環２０の上に粘着フィルム３の外
周のフレーム２２を載置する（Ｓ２）。この時、テーブ
ル１７の上に載置された半導体ウエハ２の裏面と粘着フ
ィルム３との間には、一定の隙間が確保される。次に、
上ケース１２を閉じて内部を密閉し、シリンダロッド２
４を伸ばして押圧部材２３の曲面状下面を粘着フィルム
３の上方近傍に位置させたのち、真空ポンプ１６によっ
てケーシング内の空気を徐々に引いて減圧する（Ｓ
３）。そして、所定の真空度になった所で真空ポンプ１
６を停止する。一方、窒素供給源１５からケーシング内
に窒素を流入し、密閉空間１４内を窒素雰囲気にする
（Ｓ４）。さらに、窒素を流入させながら真空ポンプ１
６を再び作動させることで、密閉空間１４内では窒素の
流れが発生して完全に窒素に置き換わる。
【００１７】上述のように、密閉空間１４内を窒素雰囲
気に置き換え、さらに真空ポンプ１６で減圧した状態で
シリンダロッド２４を伸ばして押圧部材２３を下降さ
せ、粘着フィルム３を下方側に押し付けながら半導体ウ
エハ２の裏面に中心部から外周部に向かって粘着フィル
ム３を貼付する（Ｓ５）。この時、半導体ウエハ２には
その中心部から外周部に向かって同心円状に粘着フィル
ム３が貼付されていくために、従来の転動ローラで押し
付けながら貼付するのと同じような効果が得られ、半導
体ウエハ２と粘着フィルム３との間には気泡が発生し難
いものとなる。貼付が完了したのち押圧部材２３を上昇
させ、真空ポンプ１６の作動を停止したのちバルブ２
６，２７を開放し、密閉空間１４内を大気圧にしてから
上ケース１２を開き、半導体ウエハ２を取り出す（Ｓ
６）。
気に置き換え、さらに真空ポンプ１６で減圧した状態で
シリンダロッド２４を伸ばして押圧部材２３を下降さ
せ、粘着フィルム３を下方側に押し付けながら半導体ウ
エハ２の裏面に中心部から外周部に向かって粘着フィル
ム３を貼付する（Ｓ５）。この時、半導体ウエハ２には
その中心部から外周部に向かって同心円状に粘着フィル
ム３が貼付されていくために、従来の転動ローラで押し
付けながら貼付するのと同じような効果が得られ、半導
体ウエハ２と粘着フィルム３との間には気泡が発生し難
いものとなる。貼付が完了したのち押圧部材２３を上昇
させ、真空ポンプ１６の作動を停止したのちバルブ２
６，２７を開放し、密閉空間１４内を大気圧にしてから
上ケース１２を開き、半導体ウエハ２を取り出す（Ｓ
６）。
【００１８】取出された半導体ウエハ２に対しては、公
知の方法でダイシングが実行される（Ｓ７）。上述のよ
うな窒素雰囲気の中で半導体ウエハ２に粘着フィルム３
を貼付した場合、図３に示すように、仮に半導体ウエハ
２と粘着フィルム３との貼付面に気泡２５が形成された
としても、従来とは異なって気泡２５内には窒素ガスが
閉じ込められた状態にあるので、ダイシング工程が終了
した後に紫外線を照射した場合（Ｓ８）、気泡２５の部
分での酸素阻害が回避され、粘着剤の架橋反応が進んで
硬化するため、気泡２５の周縁部２５ａでも他の粘着面
２５ｂと同様に粘着力が低下し、従来のように気泡２５
の周縁部２５ａに粘着剤が残るといったことがない。
知の方法でダイシングが実行される（Ｓ７）。上述のよ
うな窒素雰囲気の中で半導体ウエハ２に粘着フィルム３
を貼付した場合、図３に示すように、仮に半導体ウエハ
２と粘着フィルム３との貼付面に気泡２５が形成された
としても、従来とは異なって気泡２５内には窒素ガスが
閉じ込められた状態にあるので、ダイシング工程が終了
した後に紫外線を照射した場合（Ｓ８）、気泡２５の部
分での酸素阻害が回避され、粘着剤の架橋反応が進んで
硬化するため、気泡２５の周縁部２５ａでも他の粘着面
２５ｂと同様に粘着力が低下し、従来のように気泡２５
の周縁部２５ａに粘着剤が残るといったことがない。
【００１９】そのため、次のダイボンド工程において、
ダイシングしたチップを粘着フィルム３の下からピンで
押し上げたり、ピンを使わずに粘着フィルム３を僅かに
押し上げた時にも粘着フィルム３からのチップの剥離性
がよく、ピックアップ作業がスムーズに実行されること
になり（Ｓ９）、板厚が非常に薄い半導体ウエハでのダ
イボンド工程においても支障が生ずるといったことがな
い。
ダイシングしたチップを粘着フィルム３の下からピンで
押し上げたり、ピンを使わずに粘着フィルム３を僅かに
押し上げた時にも粘着フィルム３からのチップの剥離性
がよく、ピックアップ作業がスムーズに実行されること
になり（Ｓ９）、板厚が非常に薄い半導体ウエハでのダ
イボンド工程においても支障が生ずるといったことがな
い。
【００２０】上述した窒素雰囲気での貼付方法は、バッ
クグラインディング工程においても同様の効果が期待で
きる。即ち、バックグラインディング工程では電子回路
が形成された凹凸面に粘着フィルムを貼付することにな
るので、当然半導体ウエハと粘着フィルムとの間に形成
される気泡の数も多くなるが、この場合にも気泡内は窒
素ガスが閉じ込められているため、紫外線を照射した時
に気泡部分での粘着力の低下を阻害するといったことが
なく、粘着フィルムの引き剥を容易に実行することがで
きる。
クグラインディング工程においても同様の効果が期待で
きる。即ち、バックグラインディング工程では電子回路
が形成された凹凸面に粘着フィルムを貼付することにな
るので、当然半導体ウエハと粘着フィルムとの間に形成
される気泡の数も多くなるが、この場合にも気泡内は窒
素ガスが閉じ込められているため、紫外線を照射した時
に気泡部分での粘着力の低下を阻害するといったことが
なく、粘着フィルムの引き剥を容易に実行することがで
きる。
【００２１】なお、粘着フィルム３の押圧方法及び押圧
部材２３の構成などが上記実施例のものに限定されない
のは勿論である。
部材２３の構成などが上記実施例のものに限定されない
のは勿論である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体ウエハ保護用フィルムの貼付方法によれば、バックグ
ラインディング工程やダイシング工程において、半導体
ウエハに保護用フィルムを貼付するのに窒素雰囲気中で
実行するようにしたので、紫外線を照射した時にその粘
着力の低下を阻害する空気が貼付面に閉じ込められると
いったことがなく、各工程終了後には保護用フィルムの
引き剥がし作業を容易に行える他、半導体ウエハに粘着
剤の一部が残るようなこともなく製品の信頼性が向上す
る。また、引き剥がし性がよくなることから、ダイボン
ド工程においても薄板チップのピックアップ性の向上が
図られることになる。
体ウエハ保護用フィルムの貼付方法によれば、バックグ
ラインディング工程やダイシング工程において、半導体
ウエハに保護用フィルムを貼付するのに窒素雰囲気中で
実行するようにしたので、紫外線を照射した時にその粘
着力の低下を阻害する空気が貼付面に閉じ込められると
いったことがなく、各工程終了後には保護用フィルムの
引き剥がし作業を容易に行える他、半導体ウエハに粘着
剤の一部が残るようなこともなく製品の信頼性が向上す
る。また、引き剥がし性がよくなることから、ダイボン
ド工程においても薄板チップのピックアップ性の向上が
図られることになる。
【００２３】また、本発明に係る半導体ウエハ保護用フ
ィルムの貼付方法によれば、密閉空間内で半導体ウエハ
と保護用フィルムとを対面させた状態で保持し、密閉空
間を窒素雰囲気に置き換えた後、半導体ウエハに保護用
フィルムを押し付けて貼付したので、簡易な手段であり
ながら気泡などの発生が少ない貼付を実行できるといっ
た効果がある。
ィルムの貼付方法によれば、密閉空間内で半導体ウエハ
と保護用フィルムとを対面させた状態で保持し、密閉空
間を窒素雰囲気に置き換えた後、半導体ウエハに保護用
フィルムを押し付けて貼付したので、簡易な手段であり
ながら気泡などの発生が少ない貼付を実行できるといっ
た効果がある。
【００２４】また、本発明に係る半導体ウエハ保護用フ
ィルムの貼付装置によれば、密閉空間を窒素雰囲気に置
き換えるための手段と、保護用フィルムを半導体ウエハ
側に押圧して半導体ウエハに保護用フィルムを貼付する
押圧部材とを備えたので、貼付面には気泡の発生が少な
くて済み、また発生した気泡の中には窒素が封じ込めら
れるので、紫外線を照射した時にその粘着力の低下を阻
害されるといったことがない。
ィルムの貼付装置によれば、密閉空間を窒素雰囲気に置
き換えるための手段と、保護用フィルムを半導体ウエハ
側に押圧して半導体ウエハに保護用フィルムを貼付する
押圧部材とを備えたので、貼付面には気泡の発生が少な
くて済み、また発生した気泡の中には窒素が封じ込めら
れるので、紫外線を照射した時にその粘着力の低下を阻
害されるといったことがない。
【図１】本発明に係る貼付方法を実施するための貼付装
置の概要図である。
置の概要図である。
【図２】本発明に係る貼付方法を実施するための工程図
である。
である。
【図３】本発明の貼付方法において、紫外線照射した時
の気泡周縁部の状態を示す断面図である。
の気泡周縁部の状態を示す断面図である。
【図４】従来における貼付方法の一例を示す概要図であ
る。
る。
【図５】従来の貼付方法において、紫外線照射した時の
気泡周縁部の状態を示す断面図である。
気泡周縁部の状態を示す断面図である。
２ 半導体ウエハ ３ 粘着フィルム １０ 貼付装置 １１ 下ケース １２ 上ケース １４ 密閉空間 １５ 窒素供給源 １６ 真空ポンプ １７ テーブル ２０ 支持環（支持装置） ２３ 押圧部材 ２５ 気泡
Claims (4)
- 【請求項１】 窒素雰囲気中で半導体ウエハに保護用フ
ィルムを貼付することを特徴とする半導体ウエハ保護用
フィルムの貼付方法。 - 【請求項２】 密閉空間内で半導体ウエハと保護用フィ
ルムとを対面させた状態で保持し、密閉空間を窒素雰囲
気に置き換えた後、半導体ウエハに保護用フィルムを押
し付けて貼付することを特徴とする請求項１記載の半導
体ウエハ保護用フィルムの貼付方法。 - 【請求項３】 前記保護用フィルムが紫外線硬化型フィ
ルムであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導
体ウエハ保護用フィルムの貼付方法。 - 【請求項４】 密閉空間を構成する下ケース及び上ケー
スと、該ケース内に配置された半導体ウエハを載置する
ためのテーブルと、該テーブルに載置された半導体ウエ
ハに保護用フィルムを対面させた状態で支持するフィル
ム支持装置と、前記保護用フィルムを半導体ウエハ側に
押圧して半導体ウエハに保護用フィルムを貼付する押圧
部材と、前記密閉空間を窒素雰囲気に置き換えるための
窒素ガス供給源及び真空ポンプとを備えたことを特徴と
する半導体ウエハ保護用フィルムの貼付装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000013767A JP2001210701A (ja) | 2000-01-24 | 2000-01-24 | 半導体ウエハ保護用フィルムの貼付方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000013767A JP2001210701A (ja) | 2000-01-24 | 2000-01-24 | 半導体ウエハ保護用フィルムの貼付方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001210701A true JP2001210701A (ja) | 2001-08-03 |
Family
ID=18541314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000013767A Pending JP2001210701A (ja) | 2000-01-24 | 2000-01-24 | 半導体ウエハ保護用フィルムの貼付方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001210701A (ja) |
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- 2000-01-24 JP JP2000013767A patent/JP2001210701A/ja active Pending
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