JP7409988B2 - パターン検査装置及び輪郭線同士のアライメント量取得方法 - Google Patents
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Description
図形パターンが形成された基板の被検査画像を取得する画像取得機構と、
被検査画像内の図形パターンの実画輪郭線上の複数の実画輪郭位置を含む所定の領域内の各画素の階調値が、自身の画素の中心から複数の実画輪郭位置のうち最も近い実画輪郭位置までの距離に依存する、導関数が連続な関数によって定義される、所定の領域の実画輪郭線画像を作成する実画輪郭線画像作成部と、
所定の領域内の各画素の階調値が、自身の画素の中心から実画輪郭線と比較するための参照輪郭線上の複数の参照輪郭位置のうち最も近い参照輪郭位置までの距離に依存する、導関数が連続な関数によって定義される、所定の領域の参照輪郭線画像を作成する参照輪郭線画像作成部と、
実画輪郭線画像と参照輪郭線画像との階調差を用い、実画輪郭線画像と参照輪郭線画像とを位置合わせするための位置合わせ量を算出する位置合わせ量算出部と、
位置合わせ量を用いて、実画輪郭線と参照輪郭線とを比較する比較部と、
を備えたことを特徴とする。
図形パターンが形成された基板の被検査画像を取得する工程と、
被検査画像内の図形パターンの実画輪郭線上の複数の実画輪郭位置を含む所定の領域内の各画素の階調値が、自身の画素の中心から複数の実画輪郭位置のうち最も近い実画輪郭位置までの距離に依存する、導関数が連続な関数によって定義される、所定の領域の実画輪郭線画像を作成する工程と、
所定の領域内の各画素の階調値が、自身の画素の中心から実画輪郭線と比較するための参照輪郭線上の複数の参照輪郭位置のうち最も近い参照輪郭位置までの距離に依存する、導関数が連続な関数によって定義される、所定の領域の参照輪郭線画像を作成する工程と、
実画輪郭線画像と参照輪郭線画像との階調差を用い、実画輪郭線画像と参照輪郭線画像とを位置合わせするための位置合わせ量を算出し、結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1におけるパターン検査装置の構成の一例を示す構成図である。図1において、基板に形成されたパターンを検査する検査装置100は、マルチ電子ビーム検査装置の一例である。検査装置100は、画像取得機構150(2次電子画像取得機構)、及び制御系回路160を備えている。画像取得機構150は、電子ビームカラム102(電子鏡筒)及び検査室103を備えている。電子ビームカラム102内には、電子銃201、電磁レンズ202、成形アパーチャアレイ基板203、電磁レンズ205、一括ブランキング偏向器212、制限アパーチャ基板213、電磁レンズ206、電磁レンズ207(対物レンズ)、主偏向器208、副偏向器209、ビームセパレーター214、偏向器218、電磁レンズ224、電磁レンズ226、及びマルチ検出器222が配置されている。図1の例において、電子銃201、電磁レンズ202、成形アパーチャアレイ基板203、電磁レンズ205、一括ブランキング偏向器212、制限アパーチャ基板213、電磁レンズ206、電磁レンズ207(対物レンズ)、主偏向器208、及び副偏向器209は、マルチ1次電子ビームを基板101に照射する1次電子光学系を構成する。ビームセパレーター214、偏向器218、電磁レンズ224、及び電磁レンズ226は、マルチ2次電子ビームをマルチ検出器222に照射する2次電子光学系を構成する。
(1) F(Lij)=A・exp(-Lij 2/2σ2)
(2) F(L)=A・max(0,min(1,S-abs(L)))
S:矩形のサイズ(S≧1、例えば3)
A:振幅(例えば255)
min(x,y): xとyの小さい方
max(x,y): xとyの大きい方
abs(x): xの絶対値
次に上記矩形関数の補間誤差を抑制するため、3×3画素の平均化処理を行う。具体的には、上記矩形関数によって得られた輪郭線画像の全ての画素について、各画素に縦横斜めに隣接する8画素を加えた9画素の平均値を求め、それを最終的な輪郭線画像の画素値とする(図14の従来例画像に相当)。
図16は、実施の形態1におけるシフト量誤差の一例を示す図である。図15及び図16は、1次元の像プロファイルを作成し、真のシフト量とSSDによるシフト量との誤差を測定した結果を示している。ここでは、基準画像と、シフトする画像の位置をそれぞれサブ画素単位(0~1画素)で振って、その全ての組み合わせについて、誤差を測定した結果を示す。各図におけるデータ系列はシフトする画像の位置が同じ条件を表し、横軸は基準画像の位置(単位:画素)を表し、縦軸はアライメント誤差(単位:画素)を表している。図15に示すように、比較例2では、最大誤差が0.0695画素であったのに対して、図16に示すように、実施の形態1では、最大誤差が0.0074画素に抑えることができた。実施の形態1では、導関数が略連続な関数(例えば、ガウス関数)を用いているので、シフト処理の際の補間の誤差が小さくなるため、位置合わせ誤差を大幅に小さくすることができる。
20 マルチ1次電子ビーム
22 穴
29 サブ照射領域
30 フレーム領域
31 フレーム画像
32 ストライプ領域
33 矩形領域
34 照射領域
50,52,56,57 記憶装置
54 フレーム画像作成部
58 実画輪郭位置抽出部
60 実画最短距離算出部
62 実画輪郭線画像作成部
64 参照最短距離算出部
66 参照輪郭線画像作成部
68 位置合わせ量算出部
82 欠陥位置ずれ量算出部
84 比較処理部
100 検査装置
101 基板
102 電子ビームカラム
103 検査室
105 ステージ
106 検出回路
107 位置回路
108 比較回路
109 記憶装置
110 制御計算機
112 参照輪郭位置抽出回路
114 ステージ制御回路
117 モニタ
118 メモリ
120 バス
122 レーザ測長システム
123 チップパターンメモリ
124 レンズ制御回路
126 ブランキング制御回路
128 偏向制御回路
142 駆動機構
144,146,148 DACアンプ
150 画像取得機構
160 制御系回路
201 電子銃
202 電磁レンズ
203 成形アパーチャアレイ基板
205,206,207,224,226 電磁レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
212 一括ブランキング偏向器
213 制限アパーチャ基板
214 ビームセパレーター
216 ミラー
218 偏向器
222 マルチ検出器
300 マルチ2次電子ビーム
330 検査領域
332 チップ
Claims (6)
- 図形パターンが形成された基板の被検査画像を取得する画像取得機構と、
前記被検査画像内の前記図形パターンの実画輪郭線上の複数の実画輪郭位置を含む所定の領域内の各画素の階調値が、自身の画素の中心から前記複数の実画輪郭位置のうち最も近い実画輪郭位置までの距離に依存する、導関数が連続な関数によって定義される、前記所定の領域の実画輪郭線画像を作成する実画輪郭線画像作成部と、
前記所定の領域内の各画素の階調値が、自身の画素の中心から前記実画輪郭線と比較するための参照輪郭線上の複数の参照輪郭位置のうち最も近い参照輪郭位置までの距離に依存する、前記導関数が連続な関数によって定義される、前記所定の領域の参照輪郭線画像を作成する参照輪郭線画像作成部と、
前記実画輪郭線画像と前記参照輪郭線画像との階調差を用い、前記実画輪郭線画像と前記参照輪郭線画像とを位置合わせするための位置合わせ量を算出する位置合わせ量算出部と、
前記位置合わせ量を用いて、前記実画輪郭線と前記参照輪郭線とを比較する比較部と、
を備えたことを特徴とするパターン検査装置。 - 前記位置合わせ量算出部は、前記実画輪郭線画像と前記参照輪郭線画像との間のシフト量を変えながら前記実画輪郭線画像と前記参照輪郭線画像との少なくとも一方をシフトし、各シフト量における前記実画輪郭線画像の階調値と前記参照輪郭線画像の階調値との差分二乗和がより小さくなるシフト量を前記位置合わせ量として算出することを特徴とする請求項1記載のパターン検査装置。
- 前記導関数が連続な関数として、ガウス関数を用いることを特徴とする請求項1又は2記載のパターン検査装置。
- 図形パターンが形成された基板の被検査画像を取得する工程と、
前記被検査画像内の前記図形パターンの実画輪郭線上の複数の実画輪郭位置を含む所定の領域内の各画素の階調値が、自身の画素の中心から前記複数の実画輪郭位置のうち最も近い実画輪郭位置までの距離に依存する、導関数が連続な関数によって定義される、前記所定の領域の実画輪郭線画像を作成する工程と、
前記所定の領域内の各画素の階調値が、自身の画素の中心から前記実画輪郭線と比較するための参照輪郭線上の複数の参照輪郭位置のうち最も近い参照輪郭位置までの距離に依存する、前記導関数が連続な関数によって定義される、前記所定の領域の参照輪郭線画像を作成する工程と、
前記実画輪郭線画像と前記参照輪郭線画像との階調差を用い、前記実画輪郭線画像と前記参照輪郭線画像とを位置合わせするための位置合わせ量を算出し、結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする輪郭線同士のアライメント量取得方法。 - 前記実画輪郭線画像と前記参照輪郭線画像との間のシフト量を変えながら前記実画輪郭線画像と前記参照輪郭線画像との少なくとも一方をシフトし、各シフト量における前記実画輪郭線画像の階調値と前記参照輪郭線画像の階調値との差分二乗和がより小さくなるシフト量を前記位置合わせ量として算出することを特徴とする請求項4記載の輪郭線同士のアライメント量取得方法。
- 前記導関数が連続な関数として、ガウス関数を用いることを特徴とする請求項4又は5記載の輪郭線同士のアライメント量取得方法。
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116071347B (zh) * | 2023-03-01 | 2023-07-28 | 山西戴德测控技术股份有限公司 | 一种磨损度确定方法、装置、***及存储介质 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6141038A (en) | 1995-10-02 | 2000-10-31 | Kla Instruments Corporation | Alignment correction prior to image sampling in inspection systems |
JP2001175857A (ja) | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Nec Corp | 参照画像作成方法、パターン検査装置及び参照画像作成プログラムを記録した記録媒体 |
JP2004163420A (ja) | 2002-10-22 | 2004-06-10 | Nano Geometry Kenkyusho:Kk | パターン検査装置および方法 |
JP2008151568A (ja) | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Toshiba Corp | フォトマスクの検査方法及びフォトマスクの検査装置 |
US20160292840A1 (en) | 2015-03-31 | 2016-10-06 | Kla-Tencor Corporation | Sub-Pixel and Sub-Resolution Localization of Defects on Patterned Wafers |
US20190206024A1 (en) | 2017-12-29 | 2019-07-04 | Montage Lz Technologies (Chengdu) Co., Ltd. | Method and device for interpolating image |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3120767B2 (ja) * | 1998-01-16 | 2000-12-25 | 日本電気株式会社 | 外観検査装置、外観検査方法及び外観検査プログラムを記録した記録媒体 |
US9561622B2 (en) * | 2008-05-05 | 2017-02-07 | Georgia Tech Research Corporation | Systems and methods for fabricating three-dimensional objects |
TW201430336A (zh) * | 2013-01-23 | 2014-08-01 | Huang Tian Xing | 缺陷檢測方法、裝置及系統 |
JP6233824B1 (ja) * | 2017-04-25 | 2017-11-22 | 合同会社ウイングビジョン | 画像検査装置、生産システム、画像検査方法、プログラム及び記憶媒体 |
JP6981811B2 (ja) * | 2017-08-25 | 2021-12-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
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-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6141038A (en) | 1995-10-02 | 2000-10-31 | Kla Instruments Corporation | Alignment correction prior to image sampling in inspection systems |
JP2001175857A (ja) | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Nec Corp | 参照画像作成方法、パターン検査装置及び参照画像作成プログラムを記録した記録媒体 |
JP2004163420A (ja) | 2002-10-22 | 2004-06-10 | Nano Geometry Kenkyusho:Kk | パターン検査装置および方法 |
JP2008151568A (ja) | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Toshiba Corp | フォトマスクの検査方法及びフォトマスクの検査装置 |
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