JP7386994B2 - スーパージャンクション逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、及び電気自動車モータ制御ユニット - Google Patents
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Description
10:N型バッファ層; 20:スーパージャンクション構造層; 201:P型ドリフト領域; 202: N型ドリフト領域; 30:Nドリフト層; 40:Pベース層; 50:N型エミッタ層; 60:P+コンタクト層; 70:ゲート電極; 80:ゲート酸化物層; 90:エミッタ電極; 100:コレクタ層; 1001:P+コレクタ; 1002:N+コレクタ; 110:コレクタ電極層; 120:スルーホール。
MCUの構造について、従来技術では通常、IGBT及びFRDが共に使用され、それ故に、電気自動車MCUの動作においては、FRDモード、MOSFETモード、及びIGBTモードの3つのモードが存在する。MCUが軽負荷状態であるとき、MCUは、いくらかの時間、MOSFETモードにあるかIGBTモードにあるかのいずれかである。比較として、従来技術では、相対的に長い時間、MCUは軽負荷状態にあり、MCUが軽負荷状態にあるときにMCUがMOSFETモードで動作する場合に、MCUの変換効率を向上させることができる。しかしながら、従来技術では、MCUが軽負荷状態にあるとき、MCUは相対的に短い時間だけMOSFETモードで動作する。これは、比較的低いMCUの変換効率をもたらす。
Claims (10)
- スーパージャンクション逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタであって、
N型バッファ層と、
前記N型バッファ層の第1主面上に形成されたスーパージャンクション構造層であり、当該スーパージャンクション構造層は複数のドリフト領域を有し、該複数のドリフト領域の一部はP型ドリフト領域であり、該複数のドリフト領域の他の一部はN型ドリフト領域であり、前記P型ドリフト領域と前記N型ドリフト領域とが第1方向に交互に配置され、前記第1方向は、前記N型バッファ層が当該スーパージャンクション構造層を向く方向に形成される第2方向に対して垂直である、スーパージャンクション構造層と、
前記スーパージャンクション構造層上に形成された、当該スーパージャンクション逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタのフロントサイドコンポーネントと、
前記N型バッファ層の第2主面上に形成されたコレクタ層であり、当該コレクタ層はP+コレクタ及びN+コレクタを有し、該P+コレクタ及び該N+コレクタが前記第1方向に交互に配置されている、コレクタ層と、
前記コレクタ層上に形成されたコレクタ電極層と、
を有し、
前記スーパージャンクション構造層内で、前記N+コレクタに対応する領域部分が第1領域を形成し、前記P+コレクタに対応する領域部分が第2領域を形成し、前記第2方向において、前記第1領域内の各ドリフト領域の長さは、前記第2領域内の各ドリフト領域の長さより大きい、
スーパージャンクション逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 前記フロントサイドコンポーネントは、
前記スーパージャンクション構造層上に形成されたNドリフト層と、
前記Nドリフト層上に形成されたPベース層と、
前記Pベース層の表面上に形成されたN型エミッタ層及びP+コンタクト層であり、前記第1方向に交互に配置されたN型エミッタ層及びP+コンタクト層と、
前記N型エミッタ層の表面から前記Nドリフト層まで突き抜けたゲート電極であり、当該ゲート電極の表面層上にゲート酸化物層が形成されているゲート電極と、
前記N型エミッタ層上に形成されたエミッタ電極であり、前記N型エミッタ層に電気的に接続されるとともに前記ゲート電極から絶縁されているエミッタ電極と、
を有する、請求項1に記載のスーパージャンクション逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 前記第2方向において、前記第1領域内の前記スーパージャンクション構造層の厚さは、前記第2領域内の前記スーパージャンクション構造層の厚さに等しくなく、前記第1領域内のドリフト領域は前記第2方向において連続しており、前記第2領域内のドリフト領域は前記第2方向において連続している、請求項2に記載のスーパージャンクション逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
- 前記第2方向において、前記第1領域内の前記スーパージャンクション構造層の厚さは、前記第2領域内の前記スーパージャンクション構造層の厚さに等しく、前記第1領域内のドリフト領域は前記第2方向において不連続であり、及び/又は前記第2領域内のドリフト領域は前記第2方向において不連続である、請求項2に記載のスーパージャンクション逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
- 前記第1領域内又は前記第2領域内で、各ドリフト領域が、前記第2方向にセグメント化した領域を持ち、複数のドリフト領域の前記セグメント化した領域が前記第1方向において連続している、請求項4に記載のスーパージャンクション逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
- 前記第1領域内又は前記第2領域内で、各ドリフト領域が、前記第2方向にセグメント化した領域を持ち、複数のドリフト領域の前記セグメント化した領域は前記第1方向において不連続である、請求項4に記載のスーパージャンクション逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
- 前記第1領域内及び前記第2領域内で、各ドリフト領域は、前記第2方向にセグメント化した領域を持ち、前記第2方向において、前記第1領域内の各ドリフト領域の前記セグメント化した領域の長さは、前記第2領域内の各ドリフト領域の前記セグメント化した領域の長さに等しくない、請求項4に記載のスーパージャンクション逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
- 前記第1領域内の複数のドリフト領域の前記セグメント化した領域は、前記第1方向において連続しており、且つ前記第2領域内の複数のドリフト領域の前記セグメント化した領域は、前記第1方向において連続している、又は
前記第1領域内の複数のドリフト領域の前記セグメント化した領域は、前記第1方向において不連続であり、且つ前記第2領域内の複数のドリフト領域の前記セグメント化した領域は、前記第1方向において不連続である、又は
前記第1領域内の複数のドリフト領域の前記セグメント化した領域は、前記第1方向において連続しており、且つ前記第2領域内の複数のドリフト領域の前記セグメント化した領域は、前記第1方向において不連続である、又は
前記第1領域内の複数のドリフト領域の前記セグメント化した領域は、前記第1方向において不連続であり、且つ前記第2領域内の複数のドリフト領域の前記セグメント化した領域は、前記第1方向において連続している、
請求項7に記載のスーパージャンクション逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 前記スーパージャンクション構造層は、前記第1領域において前記エミッタ電極に電気的に接続されている、又は
前記スーパージャンクション構造層は、前記第2領域において前記エミッタ電極に電気的に接続されている、又は
前記スーパージャンクション構造層は、前記第1領域において前記エミッタ電極に電気的に接続され、且つ前記スーパージャンクション構造層は、前記第2領域において前記エミッタ電極に電気的に接続されている、
請求項2乃至8のいずれか一項に記載のスーパージャンクション逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 請求項1乃至9のいずれか一項に記載のスーパージャンクション逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタを有する電気自動車モータ制御ユニット。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013179379A1 (ja) | 2012-05-29 | 2013-12-05 | 三菱電機株式会社 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
JP2015213141A (ja) | 2014-04-17 | 2015-11-26 | 富士電機株式会社 | 縦型半導体装置およびその製造方法 |
JP2016225583A (ja) | 2014-10-15 | 2016-12-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2019068096A (ja) | 2018-12-20 | 2019-04-25 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4843843B2 (ja) * | 2000-10-20 | 2011-12-21 | 富士電機株式会社 | 超接合半導体素子 |
JP4166627B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2008-10-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP4289123B2 (ja) * | 2003-10-29 | 2009-07-01 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置 |
US9559171B2 (en) * | 2014-10-15 | 2017-01-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6319454B2 (ja) * | 2014-10-24 | 2018-05-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2016063681A1 (ja) * | 2014-10-24 | 2016-04-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US9799725B2 (en) * | 2015-03-05 | 2017-10-24 | Infineon Technologies Americas Corp. | IGBT having a deep superjunction structure |
DE102015118322B4 (de) * | 2015-10-27 | 2024-04-04 | Infineon Technologies Ag | Bipolartransistor mit Superjunction-Struktur |
JP6693131B2 (ja) * | 2016-01-12 | 2020-05-13 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN107768429B (zh) * | 2017-10-27 | 2020-11-13 | 电子科技大学 | 一种具有混合导电模式的超结igbt器件 |
CN111129133B (zh) * | 2018-10-30 | 2021-03-02 | 比亚迪半导体股份有限公司 | 一种逆导型沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制作方法 |
CN109860284B (zh) * | 2019-01-24 | 2022-06-03 | 安建科技(深圳)有限公司 | 一种逆导型绝缘栅双极性晶体管结构及其制备方法 |
CN110444584A (zh) * | 2019-08-12 | 2019-11-12 | 电子科技大学 | 一种具有超结的逆导型igbt |
CN110993687B (zh) * | 2019-12-18 | 2021-03-16 | 电子科技大学 | 一种超结逆导型栅控双极型器件 |
-
2020
- 2020-06-12 CN CN202080012337.8A patent/CN114097094A/zh active Pending
- 2020-06-12 WO PCT/CN2020/095946 patent/WO2021248494A1/zh active Application Filing
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-
2022
- 2022-04-18 US US17/723,361 patent/US20220246720A1/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013179379A1 (ja) | 2012-05-29 | 2013-12-05 | 三菱電機株式会社 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
JP2015213141A (ja) | 2014-04-17 | 2015-11-26 | 富士電機株式会社 | 縦型半導体装置およびその製造方法 |
JP2016225583A (ja) | 2014-10-15 | 2016-12-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2019068096A (ja) | 2018-12-20 | 2019-04-25 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114097094A (zh) | 2022-02-25 |
US20220246720A1 (en) | 2022-08-04 |
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