JP6645626B2 - マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置 - Google Patents
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Description
[1.マルチプレクサの基本構成]
本実施の形態では、TD−LTE(Time Division Long Term Evolution)規格のBand25(送信通過帯域:1850−1915MHz、受信通過帯域:1930−1995MHz)およびBand66(送信通過帯域:1710−1780MHz、受信通過帯域:2010−2200MHz)に適用されるクワッドプレクサについて例示する。
次に、送信側フィルタ11および13ならびに受信側フィルタ12および14の基本構成について、Band25Rxを通過帯域とする受信側フィルタ12の基本構成を例に説明する。
次に、受信側フィルタ12を構成する各共振子(直列腕共振子および並列腕共振子)の基本構成について説明する。本実施の形態では、共振子は、弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)共振子である。
ここでは、本実施の形態の実施例に係る受信側フィルタ12において、並列腕共振子151と、それ以外の並列腕共振子152および153とでは、異なる共振子構造を有することを説明する。また、マルチプレクサ1との比較のために、後述する比較例に係るマルチプレクサの受信側フィルタ12の構成についても説明する。
図5Aは、本実施の形態に係るマルチプレクサ1におけるBand25の受信側フィルタの伝送特性を示すグラフである。図5Bは、図5Aの一部を拡大したグラフである。
本発明に係るマルチプレクサは、上述した実施の形態1に示したように、共通接続端子50とアンテナ接続端子60との接続経路と基準端子との間にインダクタンス素子31が接続された構成に限らない。
上述した実施の形態1およびその変形例に係るマルチプレクサは、高周波フロントエンド回路、さらには当該高周波フロントエンド回路を備える通信装置に適用することもできる。そこで、本実施の形態では、このような高周波フロントエンド回路および通信装置について説明する。
以上、本発明の実施の形態に係るマルチプレクサついて、クワッドプレクサの実施の形態を挙げて説明したが、本発明は、上述した実施の形態には限定されない。例えば、上述した実施の形態に次のような変形を施した態様も、本発明に含まれ得る。
2 アンテナ素子
3 RF信号処理回路(RFIC)
4 ベースバンド信号処理回路(BBIC)
5 高周波フロントエンド回路
6 通信装置
10、30 送信入力端子
11、13 送信側フィルタ
12、14 受信側フィルタ
20、40 受信出力端子
21 インダクタンス素子(第2インダクタンス素子)
31 インダクタンス素子(第1インダクタンス素子)
32a、32b 櫛歯状電極
32c 反射器
50 共通接続端子
54 IDT電極
55、326 保護層
57 圧電基板
60 アンテナ接続端子
62 受信入力端子
70 送信側スイッチ
71 パワーアンプ回路
80 受信側スイッチ
81 ローノイズアンプ回路
101 直列腕共振子
103 縦結合型フィルタ部
103a、103b、103c、103d、103e IDT
151、152、153 並列腕共振子
320 基板
321a、321b バスバー電極
322a 電極指(第1電極指)
322b 電極指(第2電極指)
322d、323d 端部
323a、323b、323a1、323a2 オフセット電極指
324 密着層
325 主電極層
327 圧電体層
328 低音速膜
329 高音速支持基板
Claims (12)
- 共通接続端子、第1端子及び第2端子と、
前記共通接続端子と前記第1端子とを結ぶ第1経路上に配置された第1フィルタと、
前記共通接続端子と前記第2端子とを結ぶ第2経路上に配置された第2フィルタと、を備え、
前記第1フィルタは、
前記第1経路上に配置された1以上の直列腕共振子と、
前記第1経路とグランドとを結ぶ経路上に配置された2以上の並列腕共振子と、
を有し、
前記1以上の直列腕共振子および前記2以上の並列腕共振子の各共振子は、基板上に形成された一対の櫛歯状電極からなるIDT電極および反射器を有し、
前記2以上の並列腕共振子の各共振子が有する前記IDT電極は、
複数の第1電極指と、前記第1電極指と間挿し合っている複数の第2電極指とを有し、
前記複数の第1電極指の先端を結ぶ方向及び前記複数の第2電極指の先端を結ぶ方向は、弾性波伝搬方向と交叉しており、
前記複数の第1電極指および前記複数の第2電極指は、先端における電極指幅が中央部における電極指幅よりも広い第3電極指、および、先端における電極指幅が中央部における電極指幅以下である第4電極指、の少なくとも一方で構成されており、
前記2以上の並列腕共振子のうち前記共通接続端子に最も近い並列腕共振子を構成する前記複数の第1の電極指および前記複数の第2の電極指に占める前記第4電極指の本数比率は、その他の前記2以上の並列腕共振子が有する前記複数の第1の電極指および前記複数の第2の電極指に占める前記第4電極指の本数比率よりも高い、
マルチプレクサ。 - 前記2以上の並列腕共振子のうち前記共通接続端子に最も近い並列腕共振子を構成する前記第3電極指の本数は、その他の前記2以上の並列腕共振子を構成する前記第3電極指の本数よりも少ない、
請求項1に記載のマルチプレクサ。 - 前記2以上の並列腕共振子のうち前記共通接続端子に最も近い並列腕共振子の前記IDT電極は、前記第3電極指を含まず、
前記その他の並列腕共振子の前記IDT電極は、前記第3電極指を含む、
請求項1または2に記載のマルチプレクサ。 - 前記複数の第1電極指の先端を結ぶ方向と、前記複数の第2電極指の先端を結ぶ方向とは、交叉していない、
請求項1〜3のいずれか1項に記載のマルチプレクサ。 - アンテナに接続されるアンテナ接続端子と前記共通接続端子との間の接続経路に接続された第1インダクタンス素子を有する、
請求項1〜4のいずれか1項に記載のマルチプレクサ。 - 前記共通接続端子と前記第1フィルタとの間の接続経路に直列接続された第2インダクタンス素子を有する、
請求項1〜5のいずれか1項に記載のマルチプレクサ。 - 前記第1フィルタは、前記1以上の直列腕共振子及び前記2以上の並列腕共振子で構成されるラダー型のフィルタ構造を有する、
請求項1〜6のいずれか1項に記載のマルチプレクサ。 - 前記第1フィルタは、さらに、前記第1経路上に配置された縦結合型のフィルタ構造を有する、
請求項1〜7のいずれか1項に記載のマルチプレクサ。 - 前記基板は、
前記IDT電極が一方の主面上に形成された圧電体層と、
前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板と、
前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜と、を備える、
請求項1〜8のいずれか1項に記載のマルチプレクサ。 - 前記第1フィルタを含む2つのフィルタを備える第1デュプレクサ、及び、第2デュプレクサによって構成されている、
請求項1〜9のいずれか1項に記載のマルチプレクサ。 - 請求項1〜10のいずれか1項に記載のマルチプレクサと、
前記マルチプレクサに接続された増幅回路と、を備える、
高周波フロントエンド回路。 - アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するRF信号処理回路と、
前記アンテナ素子と前記RF信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する請求項11に記載の高周波フロントエンド回路と、を備える、
通信装置。
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