JP7176329B2 - 強誘電体薄膜の形成方法ならびに圧電素子および液体吐出ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Description
例えば特許文献2には、好ましいアクチュエータ性能を出現するPZT膜結晶のX線回折強度プロファイルが開示されている。特許文献2は本出願人によって開示されたものであり、少なくとも第一電極、圧電体、第二電極が順次積層され、駆動信号に応じた電圧を該第一電極と該第二電極との間に印加して該圧電体を変形させる電気機械変換素子において、前記圧電体は、(100)面及び/又は(001)面に優先配向されたペロブスカイト型構造を有する複合酸化物で構成され、X線回折のθ-2θ法による測定で得られた回折強度のピークのうち(200)面に対応する回折強度のピークにおいて回折強度が最大となる位置(2θ)で測定される(200)面及び/又は(002)面に対応するロッキングカーブ中に回折強度の落ち込み部分を有することを特徴とする電気機械変換素子を開示している。このような素子は、圧電体における圧電効果による変形(歪変位)を大きくして、駆動対象である変位板をより大きく変位させることが可能となることが確認されている。
また特許文献3には、前記した結晶性状のPZT膜結晶を成膜・製作するための下部電極構成・構造が開示されている。
1)鉛とジルコニウムとチタンとを含む強誘電体薄膜形成用溶液を加熱して脱脂処理および結晶化処理を順次行って強誘電体薄膜を形成する強誘電体薄膜の形成方法であって、
前記脱脂処理した後の処理物1の質量を質量Aとし、前記結晶化処理した後の処理物2の質量を質量Bとしたときに、下記式(1)で定義される減少率が、5.0%以上6.5%以下となるように前記脱脂処理および前記結晶化処理を行う、
ことを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。
減少率 = {(質量A-質量B)/質量A} × 100(%) 式(1)
なお、以下の実施形態では、強誘電体薄膜としてPZT膜を用いた場合について説明する。
まず、下記の説明で示される一連の化学反応式を記載する。
Pb(OOCCH3)2・3H2O → Pb(OOCCH3)2 + 3H2O↑
(酢酸鉛三水和物) (酢酸鉛) ((脱離)結晶水)
(2)酢酸鉛酢酸基と2-メトキシエタノール(のアルコール基)との置換反応
Pb(OOCCH3)2 + 2CH3O-CH2CH2OH
(2-メトキシエタノール)
→ CH3-COO-Pb-OCH2CH2OCH3 + CH3CO-OCH2CH2-OCH3 + H2O
(酢酸鉛-2-メトキシエチル) (酢酸-2-メトキシエチル)
(3)ジルコニウムプロポキシドと2-メトキシエタノールとのアルコール交換反応
Zr[O-(CH2)2CH3]4 + 4CH3O-CH2CH2OH
(ジルコニウム n-プロポキシド)
→ Zr [-OCH2CH2OCH3]4 + 4CH3(CH2)2OH
(ジルコニウム2-メトキシエトキシド) (n-プロパノール)
(4)チタニウム i-プロポキシドと2-メトキシエタノールとのアルコール交換反応
Ti[O-(CH2)2CH3]4 + 4CH3O-CH2CH2OH
(チタニウム i-プロポキシド)
→ Zr [-OCH2CH2OCH3]4 + 4(CH3)2CHOH
(チタニウム2-メトキシエトキシド) (i-プロパノール)
(5)酢酸n-プロピルを形成するエステル反応
CH3COOH + CH3(CH2)2OH → CH3COO(CH2)2CH3 + H2O
(酢酸n-プロピル)
(6)酢酸i-プロピルを形成するエステル反応
CH3COOH + CH3(CH2)2OH → CH3COOCH(CH3)2 + H2O
(酢酸i-プロピル)
前記手法では初めに、酢酸鉛三水和物の結晶粉末を狙いの化学量論比に合わせて秤量、共通溶媒の2-メトキシエタノールに溶解させた上、さらに加熱して結晶水を脱離させた(脱水工程)後、狙いの化学量論比に合わせて秤量したジルコニウムプロポキシド、チタニウムイソプロポキシドを加えてさらに所定時間加熱して得た溶液を、室温まで冷却した後に計量し、所望の濃度になるように共通溶媒を追加すると共に、所定の安定剤を加えることによって所望のPZT組成の前駆体溶液を得る。
以上から、前駆体溶液を加熱して脱脂処理および結晶化処理を順次行った際、結晶化処理前後の処理物の質量の減少率を測定することで、前駆体溶液としての鉛の抜けやすさを規定することができ、結果として、本発明によれば、良好な圧電特性を有する強誘電体薄膜をばらつきなく得ることができる。
減少率 = {(質量A-質量B)/質量A} × 100(%) 式(1)
つまり、前駆体溶液の質量減少の変動率が一定の値に落ち着くまで300℃で脱脂処理を行い、脱脂処理の終了と同時に結晶化処理のために速度10℃/分で昇温を行う。そして、前駆体溶液が700℃まで達した時点(この時点では、前駆体溶液は粉末状になっている)で結晶化処理を終了する。
{17.86/(207.2×α+323.5)}×100≦減少率(%)≦{22.32/(207.2×α+323.5)}×100 式(2)
式(2)中、αは強誘電体薄膜の目的とする鉛量に対して過剰に加えた鉛量(mol%)である。
まず、前記のように、酢酸鉛三水和物の結晶粉末を狙いの化学量論比に合わせて秤量し、共通溶媒の2-メトキシエタノールを加え、酢酸鉛三水和物を溶解させる(S1)。
脱脂処理条件としては、加熱温度は例えば80~160℃、好ましくは110~130℃、脱脂時間は例えば1分~10分、好ましくは2分~4分である。
結晶化処理条件としては、加熱温度は例えば650~750℃、好ましくは680~710℃、結晶化時間は例えば1分~10分、好ましくは2分~4分である。
本発明の強誘電体薄膜は、強誘電体薄膜形成用溶液を用いて形成される。
本発明の圧電素子は、本発明の強誘電体薄膜の上面と下面に夫々電極を設けてなる。
本発明の液体吐出ヘッドは、液体を吐出するノズル孔を有するノズル基板と、前記ノズル孔に連通する加圧液室を有する流路形成基板と、前記加圧液室の少なくとも一方の壁を構成する振動板と、前記振動板上に、本発明の圧電素子と、を備える。
本発明の液体吐出ユニットは、本発明の液体吐出ヘッドを備える。
本発明の液体吐出装置は、本発明の液体吐出ヘッドまたは液体吐出ユニットを備える。
本発明の圧電素子は、本発明の圧電素子を備える。
図1には、ノズル孔79、ノズル基板80、加圧液室70(キャビティーなどとも称される)、流路形成基板71、共通液室72、振動板11(成膜振動板などとも称される)、圧電体薄膜素子73が図示されている。また、アクチュエーター部逃げ74Aを有するサブフレーム76が図示されている。
図2には基板10、振動板11、下地膜20(密着層21、下部電極22、配向性制御層23)、圧電体膜30(PZT膜)、上部電極40(導電性酸化物層41、上部電極層42)、保護層50が図示されている。また、図3には、ノズル孔79、ノズル基板80、加圧液室70が図示されている。各構成を説明する。
基板10としては、シリコン単結晶基板を用いることが好ましく、100~600μmの厚みを持つことが好ましい。面方位としては、(100)、(110)、(111)の3種が挙げられ、半導体産業では一般的に(100)、(111)が広く使用されている。本実施形態においては、主に(100)の面方位を持つ単結晶基板を使用している。
従って、面方位(100)では約54.74°の傾斜を持つ構造体が作製できるのに対して、面方位(110)では深い溝をほることができるため、より剛性を保ちつつ、配列密度を高くすることができる。本実施形態としては(110)の面方位を持った単結晶基板を使用することも可能である。ただし、この場合、マスク材であるSiO2もエッチングされてしまうということが挙げられるため、この辺りも留意して利用することが好ましい。
振動板11としては、図3に示すように圧電体膜30によって発生した力を受けて、振動板11が変形変位して、加圧液室70のインク滴を吐出させる。そのため、振動板11としては所定の強度を有するものであることが好ましい。
なお、振動板11は単一の材料で構成してもよいし、複数の材料で複数の膜を積層して構成してもよい。
振動板11の材料としては、ポリシリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜やその組み合わせ等が挙げられる。
まず、(100)の面方位を持つシリコン単結晶基板に振動板構成膜として、例えばLPCVD法(あるいは熱処理製膜法で)でシリコン酸化膜(例えば厚さ200nm)を成膜し、その後ポリシリコン膜(例えば厚さ500nm)を成膜する。ポリシリコン層の厚さが0.1~3μm、表面粗さが算術平均粗さで5nm以下であることが望ましい。次に振動板構成膜として、LPCVD法でシリコン窒化膜を成膜する。
次に、振動板11上に形成される下地膜20について説明する。図示されているように、密着層21、下部電極22、配向性制御層23は下地膜20を形成し、配向性制御層23は圧電体膜30の結晶性を左右するとなるため特に重要である。
密着層21の膜厚としては、50~90nmが好ましい。
下部電極22の膜厚としては、140~200nmが好ましい。
配向性制御層23の膜厚としては、5~10nmが好ましい。
次に、本実施形態に係る圧電体膜30(PZT膜)について説明する。
圧電体膜30は、本発明の強誘電体薄膜形成用溶液から作製することができる。
金属アルコキシド化合物は大気中の水分により容易に加水分解してしまうので、前駆体溶液に安定剤としてアセチルアセトン、酢酸、ジエタノールアミンなどの安定化剤を適量、添加してもよい。
前記アルコキシドとしては、メトキシエトキシドであることが好ましく、前駆体溶液は、酢酸鉛と、Tiのメトキシエトキシドと、Zrのメトキシエトキシドとを含むことが好ましい。
本実施形態の上部電極40は導電性酸化物層41と上部電極層42から構成されている。上部電極としては特に制限はなく、Al、Cuなどの一般に半導体プロセスで用いられる材料及びその組み合わせが挙げられる。また、導電性酸化物層41、上部電極層42は特に制限されるものではないが、導電性酸化物層41としては、PZTとの密着性がよく、同じペロブスカイト系の構造を持つSRO(SrRuO3)が好ましく、上部電極層42としては、Ptが好ましい。
また、導電性酸化物層41の厚みとしては、35~50nmが好ましい。
また、上部電極層42の厚みとしては、100~150nmが好ましい。
保護層50の材料としては、酸化アルミニウム、酸化タンタル等が挙げられる。
保護層50の厚みとしては、40~70nmが好ましい。
保護層50としては、例えばALD(Atomic Layer Deposition)法により形成することができる。
次に、本発明に係る液体吐出装置の一例について図4及び図5を参照して説明する。図4は同装置の要部平面説明図、図5は同装置の要部側面説明図である。
本実施例ではゾルゲル法を利用したPb、Zr、Tiからなる前駆体溶液について説明するが、一般的に特性向上のために、V、Nb、Ta、Sb、Mo、W、K、Na、Li、Bi、La、Ba等のその他の元素を添加することもできる。前記その他の元素は、例えば、PZT膜中、例えば0~20モル%含むことができる。
出発材料としては、酢酸鉛三水和物Pb(CH3COO)2・3H2O、ジルコニウムテトラノルマルプロポキシドZr(OCH2CH2CH3)4、チタニウムテトライソプロポキシドTi[OCH(CH3)2]4を用いた。
これらの出発材料を用いて、Pb(Zr0.53Ti0.47)O3、一般的にはPZT(53/47)と称されるジルコン酸チタン酸鉛の化学量論組成となるように合成を行った。一般的にPZTのような鉛を含む複合酸化物を作製する場合には、熱処理中の鉛抜けを想定し、上述のように出発材料に化学量論組成に比べて5~25mol%程度Pbを過剰に加えることが一般的である。本実施の形態1では鉛量が10mol%過剰になる組成、即ちPb1.10(Zr0.53Ti0.47)O3となるように各出発材料を秤量した。
秤量後、まず酢酸鉛三水和物を2-メトキシエタノールCH3OCH2CH2OHに溶解した後、溶媒の沸点にて加熱・還流し、水和物の脱水および酢酸鉛のアルコール交換処理を行った。
続いて脱水・アルコ-ル交換処理した前記酢酸鉛の2-メトキシエタノール溶液に対し、ジルコニウムテトラノルマルプロポキシドおよびチタニウムテトライソプロポキシドを投入して加熱・還流し、アルコール交換反応、重縮合反応を進行させた。溶媒沸点に達した後の保持時間は12時間とする。最後に安定剤として微量の酢酸CH3COOHを添加した。
液体吐出ヘッドは第1電極205、第2電極207、アクチュエータ206、振動板202、基板201、基板内側壁に囲まれた圧力室204、吐出穴を有する圧力封止板203より形成されている。
基板201の材料としては、(100)の面方位を持つシリコン単結晶基板を用いた。
振動板202はアクチュエータ206としてのPZT膜によって発生した力を受け、変形変位して圧力室のインク滴を吐出させるため、所定の強度を有したものであることが好ましい。材料としては上述の材料のほか、Si、SiO2、Si3N4をCVD法により作製したものが挙げられる。また振動板202は、PZT膜の使用を考慮すると、線膨張係数8×10-6(1/K)に近い線膨張係数として、5×10-6~10×10-6の線膨張係数を有する材料が好ましく、さらには7×10-6~9×10-6の線膨張係数を有する材料がより好ましい。さらに振動板202は引張応力あるいは圧縮応力を持つ複数の膜をLPCVDにより積層させることで構築されていることが望ましい。その理由は、単層膜の場合SOIウェハが挙げられるが、その場合ウェハコストが非常にかかり、また曲げ剛性を揃えようとした時に任意の膜応力に設定できない。一方、積層振動板の場合、その積層構成を最適化することにより、振動板の剛性と膜応力を所望の値に設定する自由度を得ることができるため、振動板全体の剛性および応力の制御を、積層化とその膜厚、並びに積層構成の組み合わせで実現できる。したがって、圧電素子(電極層、強誘電体層)の材料、膜厚に適時対応でき、圧電素子の焼成温度による振動板の剛性、応力の変動が少なく安定した振動板が得られることから、液滴吐出特性を高精度にでき、かつ安定した液体吐出ヘッドを実現できる。
この形態において、所望の液滴吐出速度を満たすもの(良品)と満たさないもの(不良品)のについて、前駆体溶液の前記式(1)で定義される減少率は、良品が5.0~6.5%の範囲であり、不良品は、当該範囲外である結果となった。
11 振動板
20 下地膜
21 密着層
22 下部電極
23 配向性制御層
30 圧電体膜
40 上部電極
41 導電性酸化物層
42 上部電極層
50 保護層
70 加圧液室
71 流路形成基板
72 共通液室
73 アクチュエーター部
74A アクチュエーター部逃げ
74B インク流路
75 流体抵抗
76 サブフレーム
79 ノズル孔
80 ノズル基板
201 基板
202 振動板
203 圧力封止板
204 圧力室
205 第1電極
206 アクチュエータ
207 第2電極
401 ガイド部材
403 キャリッジ
404 液体吐出ヘッド
405 主走査モータ
406 駆動プーリ
407 従動プーリ
408 タイミングベルト
410 用紙
412 搬送ベルト
413 搬送ローラ
414 テンションローラ
421 キャップ部材
422 ワイパ部材
440 液体吐出ユニット
441 ヘッドタンク
442 カバー
443 コネクタ
444 流路部品
450 液体カートリッジ
451 カートリッジホルダ
452 送液ユニット
456 チューブ
491A、491B 側板
491C 背板
493 主走査移動機構
494 供給機構
495 搬送機構
Claims (6)
- 鉛とジルコニウムとチタンとを含む強誘電体薄膜形成用溶液を加熱して脱脂処理および結晶化処理を順次行って強誘電体薄膜を形成する強誘電体薄膜の形成方法であって、
前記脱脂処理した後の処理物1の質量を質量Aとし、前記結晶化処理した後の処理物2の質量を質量Bとしたときに、下記式(1)で定義される減少率が、5.0%以上6.5%以下となるように前記脱脂処理および前記結晶化処理を行う、
ことを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。
減少率 = {(質量A-質量B)/質量A} × 100(%) 式(1) - 前記強誘電体薄膜形成用溶液の前記脱脂処理を300℃で行い、前記強誘電体薄膜形成用溶液の質量減少の変動率が30分間にわたり0.05%以下となる時点で前記脱脂処理を終了させ、その状態から昇温速度10℃/分で700℃まで昇温させ結晶化処理を行い、前記式(1)で定義される減少率が、5.0%以上6.5%以下にすることを特徴とする請求項1に記載の強誘電体薄膜の形成方法。
- 前記減少率が、下記式(2)で表されることを特徴とする請求項1または2に記載の強誘電体薄膜の形成方法。
{17.86/(207.2×α+323.5)}×100≦減少率(%)≦{22.32/(207.2×α+323.5)}×100 式(2)
式(2)中、αは強誘電体薄膜の目的とする鉛量に対して過剰に加えた鉛量(mol%)である。 - 前記強誘電体薄膜形成用溶液は、V、Nb、Ta、Sb、Mo、W、K、Na、Li、Bi、LaおよびBaからなる群から選択された1種以上をさらに含むことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の強誘電体薄膜の形成方法。
- 請求項1~4のいずれかに記載の強誘電体薄膜の形成方法を用いた圧電体素子の製造方法であって、
前記強誘電体薄膜の上面と下面に夫々電極を設けることを特徴とする圧電素子の製造方法。 - 液体を吐出するノズル孔を有するノズル基板と、
前記ノズル孔に連通する加圧液室を有する流路形成基板と、
前記加圧液室の少なくとも一方の壁を構成する振動板と、
前記振動板上に、圧電素子と、を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、
前記圧電素子を請求項5に記載の圧電素子の製造方法により製造することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
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