JP7065204B2 - 基板処理装置及び基板搬送方法 - Google Patents

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Description

本開示は、基板処理装置及び基板搬送方法に関する。
特許文献１には、被処理基板を搬送する基板搬送ユニットを内部に有する基板搬送装置が開示されている。特許文献１に記載の技術によれば、基板搬送ユニットは基板搬送装置に接続された各種モジュール間において、被処理基板を１つずつ搬送している。
特開２０１０－２２５６４１号公報
本開示にかかる技術は、基板搬送装置内における基板の受け渡し及び搬送を適切に行い、スループットを向上させる。
本開示の一態様は、大気圧下で基板が処理される大気部において、少なくとも１つの基板が収容された基板収容容器を配置するように構成されたロードポートと、前記大気部と減圧下で基板が処理される減圧部との間で基板を受け渡すように構成されたロードロック室と、前記大気部において基板に対して処理を行う処理モジュールと、前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で基板を搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構の動作を制御する制御部と、を有し、前記基板搬送機構は、複数の基板保持部を有し、各基板保持部は、１つの基板を保持するように構成され、前記制御部は、前記処理モジュールが基板を１つずつ処理する場合は、第１の基板保持部は前記ロードポートと前記処理モジュールとの間で基板を搬送し、第２の基板保持部は前記ロードロック室及び前記処理モジュールとの間で基板を搬送するように前記基板搬送機構を制御し、前記処理モジュールが複数の基板を同時に処理する場合は、前記複数の基板保持部が前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で複数の基板を同時に搬送するように前記基板搬送機構を制御する。
本開示によれば、基板搬送装置内における基板の受け渡し及び搬送を適切に行い、スループットを向上させることができる。
本実施形態にかかるウェハ処理装置の構成の一例を示す平面図である。 ロードロックモジュールの構成の一例を模式的に示す側面図である。 ウェハ搬送機構の構成の一例を示す斜視図である。 ウェハ処理装置におけるウェハ処理の処理経路の一例を示す説明図である。 本実施形態にかかるウェハの搬送パターンの例を示す説明図である。 他の実施形態にかかるウェハの搬送パターンの例を示す説明図である。 ウェハ搬送機構のピック部の構成の一例を示す説明図である。 ウェハ搬送機構における真空ラインを模式的に示す説明図である。 ウェハ搬送機構における真空ラインを模式的に示す説明図である。 ウェハ搬送機構における真空ラインを模式的に示す説明図である。 他の実施形態にかかるウェハ搬送機構の構成の一例を示す斜視図である。 ウェハ搬送機構に保持されたウェハの検知動作の一例を示す説明図である。
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウェハ（基板；以下、「ウェハ」という場合がある。）を収納した処理モジュールの内部を減圧状態にし、当該ウェハに予め決められた処理を施す、様々な処理工程が行われている。これら処理工程は、処理モジュールを複数備えたウェハ処理装置を用いて行われる。
ウェハ処理装置は、例えば、減圧雰囲気下でウェハの処理や搬送を行う減圧部と、大気雰囲気下でウェハの処理や搬送を行う大気部とが、ロードロックモジュールを介して接続された構成を有している。減圧部には、上述した複数の処理モジュールなど設けられる。また大気部には、ウェハを搬送するウェハ搬送機構を備えるローダーモジュールなどが設けられる。
ウェハ処理装置に配置される処理モジュールとしては、複数、例えば２つのウェハをセットで処理することができる、いわゆる２枚葉式の処理モジュールが用いられる場合がある。２枚葉式の処理モジュールにおいては、２つのウェハを同時に処理することができるため、ウェハ処理にかかる時間を削減することができ、これによりスループットを向上させることができる。
しかしながら、これら処理モジュールが２枚葉式にもかかわらず、ウェハ搬送機構においては、従来、１つずつのウェハが搬送されている。例えば、特許文献１に記載のウェハ搬送機構（基板搬送装置）においても、ウェハは１つずつの搬送が行われている。
すなわち、２枚葉式の処理モジュールでは２つ同時に処理が行われ、ロードロックモジュールに搬送されるが、ウェハ搬送機構では１つずつウェハが搬送される。このため、ウェハ搬送機構は、ロードロックモジュールに対して複数回のアクセスを行う必要がある。
このように、２枚葉式の処理モジュールに対してウェハ搬送機構を用いてウェハの搬入出を行う方法については、搬送効率を改善し、スループットを向上させる余地があった。
そこで、本開示にかかる技術は、ウェハ処理装置内におけるウェハの受け渡し及び搬送を適切に行い、スループットを向上させる。具体的には、ウェハ搬送機構により複数のウェハを同時に搬送可能であるように構成し、さらにウェハ搬送機構が同時に搬送を行うウェハの枚数を状況に応じて判定し、動作を最適化する。
以下、本実施形態にかかる基板搬送方法としてのウェハ搬送方法を実施する、基板処理装置としてのウェハ処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
＜ウェハ処理装置１＞
図１は、本実施形態にかかる基板処理装置としてのウェハ処理装置１の構成の概略を示す平面図である。本実施形態においては、ウェハ処理装置１が、ウェハＷにＣＯＲ処理、ＰＨＴ処理、ＣＳＴ処理、及びオリエント処理を行う、各種処理モジュールを備える場合を例に説明する。なお、ウェハ処理装置１のモジュール構成はこれに限られず、任意に選択され得る。
図１に示すようにウェハ処理装置１は、大気部１０と減圧部１１とロードロックモジュール２０ａ、２０ｂとを有し、大気部１０と減圧部１１は、ロードロックモジュール２０ａ、２０ｂを介して一体に接続されている。大気部１０は、大気圧下でウェハＷを処理するように構成される。大気部１０は、大気圧雰囲気下においてウェハＷに何らかの処理を行う大気圧下処理モジュール、例えばＣＳＴモジュール３２及びオリエンタモジュール３３を備える。減圧部１１は、減圧下でウェハＷを処理するように構成される。減圧部１１は、減圧雰囲気下においてウェハＷに何らかの処理を行う減圧下処理モジュール、例えばＣＯＲモジュール６１及びＰＨＴモジュール６２を備える。
図２に示すようにロードロック室としてのロードロックモジュール２０ａは、大気部１０の後述するローダーモジュール３０から搬送されたウェハＷを、減圧部１１の後述するトランスファモジュール６０に引き渡すため、ウェハＷを一時的に保持する。ロードロックモジュール２０ａは、２つのウェハＷを鉛直方向に沿って保持する、基板載置部としての上部ストッカ２１ａと下部ストッカ２２ａを有している。各ストッカ２１ａ、２２ａは、１つのウェハＷを載置するように構成されている。なお、上部ストッカ２１ａと下部ストッカ２２ａとの間には間隔（距離）ｄ１（例えば間隔ｄ１＝１２ｍｍ）が設けられている。
図１に示すようにロードロックモジュール２０ａは、ゲートバルブ２３ａが設けられたゲート２４ａを介してローダーモジュール３０に接続されている。また、ロードロックモジュール２０ａは、ゲートバルブ２５ａが設けられたゲート２６ａを介してトランスファモジュール６０に接続されている。
なお、ロードロックモジュール２０ｂはロードロックモジュール２０ａと同様の構成を有している。すなわち、ロードロックモジュール２０ｂは、上部ストッカ２１ｂと、下部ストッカ２２ｂと、ローダーモジュール３０側のゲートバルブ２３ｂとゲート２４ｂ、トランスファモジュール６０側のゲートバルブ２５ｂとゲート２６ｂを有している。
なお、ロードロックモジュール２０ａ、２０ｂの数や配置は、本実施形態に限定されるものではなく、任意に設定できる。
大気部１０は、後述のウェハ搬送機構４０を備えたローダーモジュール３０と、複数のウェハＷを等しい間隔（距離）ｄ２（例えば間隔ｄ２＝１０ｍｍ）で多段及び搬送可能なフープ１００を載置する載置台を備えたロードポート３１と、ウェハＷを冷却する、冷却モジュールとしてのＣＳＴモジュール（大気圧下処理モジュール）３２と、ウェハＷの水平方向の向きを調節するオリエンタモジュール（大気圧下処理モジュール）３３とを有している。
なお、ロードポート３１、ＣＳＴモジュール３２及びオリエンタモジュール３３の数や配置は、本実施形態に限定されるものではなく、任意に設計できる。
ＣＳＴモジュール３２は、複数、例えばフープ１００に収容される枚数以上のウェハＷを等しい間隔（例えば間隔ｄ２＝１０ｍｍ）で多段に収容することができ、当該複数のウェハＷの冷却処理を行う。
オリエンタモジュール３３は、ウェハＷの基準位置（例えばノッチ位置）からの水平方向の向きを調節する。
ローダーモジュール３０には、上述したように、ウェハ搬送機構４０を有している。図３は、ウェハ搬送機構４０の構成の概略を模式的に示す斜視図である。
図１及び図３に示すように、ウェハ搬送機構４０は、アーム部４１と、アーム部４１の先端に接続されウェハＷを保持するウェハ保持面を有する基板保持部としてのピック部４２と、アーム部４１を回転可能に支持する回転台４３と、回転台４３を搭載した回転載置台４４とを有している。またアーム部４１は、保持されたウェハＷを高さ方向に昇降自在な昇降機構４５を介して、回転台４３に接続されている。
アーム部４１は、一端が昇降機構４５に対して回転自在に接続された第１アーム４１ａと、第１アーム４１ａの他端に対して一端が回転自在に接続された第２アーム４１ｂと、第２アーム４１ｂの他端に対して一端が回転自在に接続され、後述の上部ピック４２ａに接続される第３アーム４１ｃと、第２アーム４１ｂの他端に対して一端が回転自在に接続され、後述の下部ピック４２ｂに接続される第４アーム４１ｄとを有している。なお、第３アーム４１ｃ及び第４アーム４１ｄは、それぞれ第２アーム４１ｂの他端に対して独立して回転可能に接続されている。
ピック部４２は、第３アーム４１ｃの他端に対して回転自在に接続され、二股フォーク状の上部ピック（基板保持部）４２ａと、第４アーム４１ｄの他端に対して回転自在に接続され、二股フォーク状の下部ピック（基板保持部）４２ｂを間隔ｄ２（例えば間隔ｄ２＝１０ｍｍ）だけ離間して積層した構成を有している。ピック部４２は、上部ピック４２ａの上面に１つのウェハＷを搭載し、下部ピック４２ｂの上面に更に１つのウェハＷを搭載する。すなわち、各ピック４２ａ、４２ｂは、１つのウェハＷを保持するように構成され、ウェハ搬送機構４０は、ピック部４２によって２つのウェハＷを多段に保持するように構成されている。
なお、ウェハ搬送機構４０は、アーム部４１の伸縮及び回転台４３の回転により、ロードポート３１に載置されたフープ１００、ロードロックモジュール２０ａ、２０ｂ及びＣＳＴモジュール３２及びオリエンタモジュール３３との間でウェハＷを搬送することができる。
減圧部１１は、減圧雰囲気下でウェハＷを搬送するトランスファモジュール６０と、トランスファモジュール６０から搬送されたウェハＷに対して減圧雰囲気下でＣＯＲ処理を行うＣＯＲモジュール（減圧下処理モジュール）６１と、減圧雰囲気下でＰＨＴ処理を行う加熱モジュールとしてのＰＨＴモジュール（減圧下処理モジュール）６２とを有している。トランスファモジュール６０に対し、ＣＯＲモジュール６１及びＰＨＴモジュール６２は複数、例えば３つずつ設けられている。
上述したようにトランスファモジュール６０は、ゲートバルブ２５ａ、２５ｂを介してロードロックモジュール２０ａ、２０ｂに接続されている。トランスファモジュール６０は内部が矩形の筐体からなり、ロードロックモジュール２０ａに搬入されたウェハＷを一のＣＯＲモジュール６１に搬送し、順次ＣＯＲ処理とＰＨＴ処理を施した後、ロードロックモジュール２０ｂを介して大気部１０に搬出する。
ＣＯＲモジュール６１は、２つのステージ６３ａ、６３ｂにウェハＷを並べて載置してＣＯＲ処理を行う。また、ＣＯＲモジュール６１は、ゲートバルブ６４が設けられたゲート６５を介してトランスファモジュール６０に接続されている。
ＰＨＴモジュール６２は、２つのステージ６６ａ、６６ｂにウェハＷを並べて載置してＰＨＴ処理を行う。また、ＰＨＴモジュール６２は、ゲートバルブ６７が設けられたゲート６８を介してトランスファモジュール６０に接続されている。
また、トランスファモジュール６０の内部には、ウェハＷを搬送するウェハ搬送機構７０が設けられている。ウェハ搬送機構７０は、２つのウェハＷを多段に保持して移動するアーム部７１ａ、７１ｂと、アーム部７１ａ、７１ｂの先端においてウェハＷを保持するピック部７２ａ、７２ｂと、アーム部７１ａ、７１ｂを回転可能に支持する回転台７３と、回転台７３を搭載した回転載置台７４とを有している。また、トランスファモジュール６０の内部には、トランスファモジュール６０の長手方向に延伸するガイドレール７５が設けられている。回転載置台７４はガイドレール７５上に設けられ、ウェハ搬送機構７０をガイドレール７５に沿って移動可能に構成されている。
なお、ピック部７２ａ、７２ｂは、それぞれ二股フォーク状の上部ピック（図示せず）と、下部ピック（図示せず）を間隔ｄ１（例えば間隔ｄ１＝１２ｍｍ）だけ離間して積層した構成を有している。ピック部７２ａ、７２ｂは、上部ピックの上面に１つのウェハＷを搭載し、下部ピックの上面（上部ピックと下部ピックとの間）に更に１つのウェハＷを搭載する。すなわちピック部７２ａ、７２ｂはそれぞれ、２つのウェハＷを多段に保持することができ、ウェハ搬送機構７０においては合計４つのウェハＷを同時に保持することができる。
トランスファモジュール６０では、ロードロックモジュール２０ａにおいて上部ストッカ２１ａと下部ストッカ２２ａに保持されたウェハＷをピック部７２ａで受け取り、ＣＯＲモジュール６１に搬送する。また、ＣＯＲ処理が施されたウェハＷを、ピック部７２ａが保持し、ＰＨＴモジュール６２に搬送する。また更に、ＰＨＴ処理が施されたウェハＷを、ピック部７２ｂが保持し、ロードロックモジュール２０ｂに搬出する。
以上のように本実施形態のウェハ処理装置１では、各モジュールにおいて保持されるウェハＷは、大気部１０においては間隔ｄ２（例えば１０ｍｍ）、減圧部１１においては間隔ｄ１（例えば１２ｍｍ）、だけ離間されて保持される。なお、上記間隔ｄ１の１２ｍｍ及び間隔ｄ２の１０ｍｍは例示であり、それぞれ任意の間隔を設定することができる。但し、装置構成上の制約から、間隔ｄ１と間隔ｄ２は異なる。
以上のウェハ処理装置１には制御部８０が設けられている。制御部８０は、前記大気圧下処理モジュールがウェハＷを１つずつ処理する場合は、上部ピック４２ａはロードポート３１と前記大気圧下処理モジュールとの間でウェハＷを搬送し、下部ピック４２ｂはロードロック２０ａ及び前記大気圧下処理モジュールとの間でウェハＷを搬送するようにウェハ搬送機構４０を制御するように構成されている。ここで、ウェハＷを１つずつ処理する場合とは、例えば、前記大気圧下処理モジュールがウェハを１枚ずつ処理する仕様になっていることを含む。あるいは、ウェハＷを１つずつ処理する場合とは、例えば、前記大気圧下処理モジュールが複数枚を同時に処理可能であるが１つずつ処理するようシーケンスが組まれていることを含む。制御部８０は、前記大気圧下処理モジュールが複数のウェハＷを同時に処理する場合は、ピック部４２がロードポート３１、ローダーモジュール３０及び前記大気圧下処理モジュールの間で複数のウェハＷを同時に搬送するようにウェハ搬送機構４０を制御する。ここで、複数のウェハＷを同時に処理する場合とは、例えば、前記大気圧下処理モジュールが複数枚を同時に処理可能な仕様になっていることを含む。制御部８０は、ウェハ搬送機構４０によるロードロックモジュール２０ａ、２０ｂに対するウェハＷの受け渡しを１つずつ行うようにウェハ搬送機構４０を制御する。制御部８０は、ウェハ搬送機構４０によりロードロックモジュール２０ｂから複数のウェハＷを受け取る際、下部ピック４２ｂ、上部ピック４２ａの順でウェハＷを受け取るようにウェハ搬送機構４０を制御する。制御部８０は、ウェハ搬送機構４０によりロードロックモジュール２０ｂから複数のウェハＷを受け取る際、下部ピック４２ｂから上部ピック４２ａに向けて後述の識別番号が昇順となるようにウェハＷを受け取るようにウェハ搬送機構４０を制御する。制御部８０は、後述するように、ウェハ搬送機構４０によりウェハＷを１つずつ受け取る際、一のピック部４２でウェハＷを吸引保持した後、他のピック部４２におけるウェハＷの吸引を開始するようにウェハ搬送機構４０を制御する。制御部８０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理装置１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、各種処理をプロセッサにより制御するための制御プログラムや、処理条件に応じてウェハ処理装置１の各構成部にウェハＷを搬送するためのプログラム、即ち、搬送レシピが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部８０にインストールされたものであってもよい。
なお、ウェハ処理装置１には、制御部８０に加えて各モジュールに対して個々に制御部（図示せず）が設けられていてもよい。すなわち、例えばウェハ搬送機構４０の動作を制御する搬送用制御部が更に設けられていてもよい。
なお、以下の説明において、オリエンタモジュール３３、ＣＯＲモジュール６１、ＰＨＴモジュール６２、ＣＳＴモジュール３２及びロードロックモジュール２０ａ、２０ｂを、「処理モジュール」という場合がある。また、ウェハ搬送機構４０及びウェハ搬送機構７０を、「搬送モジュール」という場合がある。
＜ウェハ処理装置１におけるウェハ処理の流れ＞
次に、本実施形態にかかるウェハ処理装置１におけるウェハ処理について説明する。図４は、ウェハ処理装置１におけるウェハ処理の処理経路の一例を示す説明図である。
先ず、複数のウェハＷを収納したフープ１００が、ロードポート３１に搬入される（図４のポジションＰ１）。ロードポート３１にフープ１００が配置されると、制御部８０は、フープ１００からウェハＷを取り出し、一連のウェハ処理工程を行うようにウェハ処理装置１を制御する。一連のウェハ処理工程においては、まず、フープ１００に対してウェハ搬送機構４０がアクセスし、フープ１００からウェハＷが取り出される。
フープ１００から搬出されたウェハＷは、先ず、ウェハ搬送機構４０によりオリエンタモジュール３３に搬送される（図４のポジションＰ２）。オリエンタモジュール３３においてウェハＷは、基準位置（例えばノッチ位置）からの水平方向からの向きが調節（オリエント処理）される。
水平方向の向きが調節されたウェハＷは、ウェハ搬送機構４０によりロードロックモジュール２０ａに搬入される（図４のポジションＰ３）。
次に、ウェハ搬送機構７０のピック部７２ａによってウェハＷが取り出され、ロードロックモジュール２０ａからトランスファモジュール６０に搬入される。
続いて、ゲートバルブ６４が開放され、ウェハＷを保持するピック部７２ａがＣＯＲモジュール６１に進入する。そして、ピック部７２ａからステージ６３ａ、６３ｂに、ウェハＷが載置される（図４のポジションＰ４）。
次に、ゲートバルブ６４が閉じられ、ＣＯＲモジュール６１においてウェハＷに対してＣＯＲ処理が行われる。
ＣＯＲモジュール６１におけるＣＯＲ処理が終了すると、ステージ６３ａ、６３ｂからピック部７２ａにウェハＷが受け渡され、ピック部７２ａでウェハＷが保持される。
続いて、ゲートバルブ６７が開放され、ウェハＷを保持するピック部７２ａがＰＨＴモジュール６２に進入する。そして、ピック部７２ａからステージ６６ａ、６６ｂにウェハＷが載置される（図４のポジションＰ５）。その後、ゲートバルブ６７が閉じられ、ウェハＷに対してＰＨＴ処理が行われる。
なおこの際、フープ１００から次のウェハＷが取り出され、オリエンタモジュール３３を介してロードロックモジュール２０ａに搬入され、更にトランスファモジュール６０を介してＣＯＲモジュール６１に搬送される。そして、当該次のウェハＷに対してＣＯＲ処理が行われる。
ウェハＷのＰＨＴ処理が終了すると、ステージ６６ａ、６６ｂからピック部７２ｂにウェハＷが受け渡され、ピック部７２ｂでウェハＷが保持される。
その後、ゲートバルブ２５ｂが開放され、ウェハ搬送機構７０によってウェハＷがロードロックモジュール２０ｂに搬入される（図４のポジションＰ６）。ロードロックモジュール２０ｂ内が密閉され、大気開放される。そして、ゲートバルブ２３ｂが開放され、ウェハ搬送機構４０によって、ウェハＷがＣＳＴモジュール３２に収納され（図４のポジションＰ７）、例えば１分のＣＳＴ処理が行われる。
この際、ＣＯＲ処理が終了した次のウェハＷがウェハ搬送機構７０によりＰＨＴモジュール６２に搬送され、ＰＨＴ処理が行われる。また更に、フープ１００から更に次のウェハＷが取り出され、オリエンタモジュール３３を介してロードロックモジュール２０ａに搬入され、更にトランスファモジュール６０を介してＣＯＲモジュール６１に搬送される。そして、更に次のウェハＷに対してＣＯＲ処理が行われる。
ＣＳＴ処理が完了するとウェハＷは、ウェハ搬送機構４０によってロードポート３１に載置されたフープ１００に収容される（図４のポジションＰ１）。そして、当該フープ１００に収容されたすべてのウェハＷのウェハ処理が完了し、フープ１００に回収されるまで待機状態となる。
すべてのウェハＷがフープ１００に回収されると、ウェハ処理装置１における一連のウェハ処理が終了する。
なお、図１に示したようにウェハ処理装置１においてＣＯＲモジュール６１及びＰＨＴモジュール６２が複数設けられている場合、複数のＣＯＲモジュール６１及びＰＨＴモジュール６２はそれぞれ、並行して作動させることができる。すなわち、例えばウェハＷ、次のウェハＷ、更に次のウェハＷは、同時にＣＯＲ処理、及びＰＨＴ処理を行うことができる。
また、ウェハ処理装置１においてウェハＷは、２つ以上のウェハＷを同時に搬送、処理することができる。すなわち、オリエンタモジュール３３を除く、ウェハ搬送機構４０、ウェハ搬送機構７０、ロードロックモジュール２０ａ、２０ｂ、ＣＯＲモジュール６１、ＰＨＴモジュール６２及びＣＳＴモジュール３２においては、複数のウェハＷを同時にこれらモジュールの内部に収容して処理を行うことができる。
＜ウェハ処理装置１におけるウェハＷの受け渡し及び搬送方法＞
続いて、本実施形態にかかる、ウェハ処理装置１におけるウェハＷの受け渡し及び搬送方法の詳細について説明する。ウェハ処理装置１のローダーモジュール３０におけるウェハＷの受け渡し及び搬送方法は、例えば以下の（Ａ）第１の搬送パターン及び（Ｂ）第２の搬送パターンを選択的に実行することができる。
（Ａ）第１の搬送パターン：大気圧下処理モジュールがウェハＷを１つずつ処理する場合において、当該大気圧下処理モジュール、ロードロックモジュール２０ａ、２０ｂ、ロードポート３１の間でウェハＷを搬送するパターンをいう。
（Ｂ）第２の搬送パターン：大気圧下処理モジュールが複数のウェハＷを処理する場合において、当該大気圧下処理モジュール、ロードロックモジュール２０ａ、２０ｂ、ロードポート３１の間でウェハＷを搬送するパターンをいう。
図５は、以下に示す本実施形態にかかるウェハＷの搬送パターンの例を示す説明図である。図５においては、２つのウェハＷ１及びＷ２を搬送及び処理する場合を例に説明を行う。また、図５においては、ローダーモジュール３０で第１の搬送パターン（図５中の（Ａ））と第２の搬送パターン（図５中の（Ｂ））の両方が行われる。なお、図５において縦軸の「ｔ」は、ウェハ処理装置１における時間軸を示している。また、横軸に示す「ＦＯＵＰ１００」はフープ１００、「Ｐｉｃｋ４２ａ」及び「Ｐｉｃｋ４２ｂ」はそれぞれ上部ピック４２ａ及び下部ピック４２ｂ、「ＯＲＴ３３」はオリエンタモジュール３３、「ＵＳＴ２１ａ」及び「ＬＳＴ２２ａ」はそれぞれロードロックモジュール２０ａの上部ストッカ２１ａ及び下部ストッカ２２ａ、「ＵＳＴ２１ｂ」及び「ＬＳＴ２２ｂ」はそれぞれロードロックモジュール２０ｂの上部ストッカ２１ｂ及び下部ストッカ２２ｂ、「ＣＯＲ６１」はＣＯＲモジュール６１、「ＰＨＴ６２」はＰＨＴモジュール６２、「ＣＳＴ３２」はＣＳＴモジュール３２を示している。
（Ａ）第１の搬送パターン
図５の（Ａ）は、後段の減圧下処理モジュール（例えばＣＯＲ６１及びＰＨＴ６２）が２つのウェハＷを同時に処理する一方で、大気圧下処理モジュール（例えばＯＲＴ３３）がウェハＷを１つずつ処理する場合を示している。この場合、上部ピック４２ａ及び下部ピック４２ｂは、大気部１０におけるウェハＷの搬送処理（例えばフープ１００からロードロックモジュール２０ａへの搬送処理）を分担して行うように、制御部８０により制御される。すなわち、例えば第１の基板保持部としての上部ピック４２ａはフープ１００とオリエンタモジュール３３との間でウェハＷの搬送を行うように制御される。また、例えば第２の基板保持部としての下部ピック４２ｂはオリエンタモジュール３３とロードロックモジュール２０ａとの間でウェハＷの搬送を行うように制御される。
具体的には、例えばウェハＷ１及びＷ２が収容されたフープ１００がウェハ処理装置１に搬入されると（図５における時間ｔ０）、上部ピック４２ａはフープ１００内のウェハＷ１を保持し、ウェハＷ１をオリエンタモジュール３３に搬入する（図５における時間ｔ１）。そして、オリエンタモジュール３３がウェハＷ１に対してオリエント処理を行っている間、上部ピック４２ａは、フープ１００内のウェハＷ２を保持し、オリエンタモジュール３３に向けてウェハＷ２の搬送を行う（図５における時間ｔ２）。なお、下部ピック４２ｂは、ウェハＷ１のオリエント処理が終了するまでの間（例えば時間ｔ０～ｔ２の間）、ウェハＷ１及びＷ２の搬送処理に関与しない。
ウェハＷ１のオリエント処理が終了すると、下部ピック４２ｂは、オリエンタモジュール３３内のウェハＷ１を保持し、ウェハＷ１をオリエンタモジュール３３から搬出する。それに続いて、上部ピック４２ａは、ウェハＷ２をオリエンタモジュール３３に搬入する。そして、オリエンタモジュール３３がウェハＷ２に対してオリエント処理を行っている間、下部ピック４２ｂは、ウェハＷ１をロードロックモジュール２０ａに向けて搬送する（図５における時間ｔ３）。
その後、下部ピック４２ｂがウェハＷ１をロードロックモジュール２０ａの上部ストッカ２１ａに搬入すると、上部ピック４２ａ及び下部ピック４２ｂは、ウェハＷを保持しない状態、いわゆるフリーの状態になる。上部ピック４２ａ及び下部ピック４２ｂの双方がフリーになる状態は、ロードロックモジュール２０ａへのウェハＷ１の搬入が終了してからウェハＷ２に対するオリエント処理が完了するまでの間、持続する。従って、上部ピック４２ａ及び下部ピック４２ｂは、このようなフリーの状態の間であれば、他の搬送処理、例えば減圧処理が施されたウェハＷをロードロックモジュール２０ａからフープ１００へ搬送する処理に関与することも可能である。そして、ウェハＷ２に対するオリエント処理が完了すると、下部ピック４２ｂは、オリエンタモジュール３３内のウェハＷ２を保持し、ウェハＷ２を搬送し（図５における時間ｔ４）、ウェハＷ２をロードロックモジュール２０ａの下部ストッカ２２ａに搬入する（図５における時間ｔ５）。なお、上部ピック４２ａは、ウェハＷ２をオリエンタモジュール３３に搬入した後に（例えば時間ｔ３以降）、ウェハＷ１及びＷ２の搬送処理に関与しない。
以上のように、上部ピック４２ａ、下部ピック４２ｂを用いて２つのウェハＷ１、Ｗ２の搬送を連続的に行うことにより、従来１つの搬送アームによりウェハＷの搬送を行っていたローダーモジュール３０内において、ウェハＷの搬送にかかるスループットを向上させることができる。また、上述のように第１の搬送パターンによれば、２つのウェハＷを搬送するにあたって、上部ピック４２ａ及び下部ピック４２ｂのいずれもがウェハＷを保持していないフリー状態となるタイミングが存在する。これにより、例えば２つのウェハＷに先行して処理が行われている他のウェハＷの搬送や、例えば処理工程中に発生したエラーウェハＷｅの回収に関与することができ、ウェハ処理工程にかかるスループットを向上させることができる。
なお、以上第１の搬送パターンによれば、上部ピック４２ａはフープ１００とオリエンタモジュール３３との間、下部ピック４２ｂはオリエンタモジュール３３とロードロックモジュール２０ａとの間でウェハＷの搬送を行うように制御されたが、搬送パターンはこれに限定されない。すなわち、例えば下部ピック４２ｂがフープ１００とオリエンタモジュール３３との間、上部ピック４２ａがオリエンタモジュール３３とロードロックモジュール２０ａとの間でウェハＷの搬送を行うように制御されてもよい。
（減圧下処理におけるウェハの搬送）
減圧部１１が備える減圧下処理モジュールは、上述のように２つのウェハＷ１、Ｗ２を同時に処理することができる。かかる場合、２つのウェハＷ１、Ｗ２は、当該減圧下処理モジュールに対して同時に搬送が行われる。
具体的には、例えば前記時間ｔ５において２つのウェハＷ１及びＷ２がロードロックモジュール２０ａに搬入されると、次に、ウェハＷ１及びＷ２がウェハ搬送機構７０のピック部７２ａ、７２ｂに保持され、順次、ＣＯＲモジュール６１、ＰＨＴモジュール６２、ロードロックモジュール２０ｂに同時搬送され、また同時処理される（図５における時間ｔ６～ｔ８）。
（Ｂ）第２の搬送パターン
図５の（Ｂ）は、後段の減圧下処理モジュール（例えばＣＯＲ６１及びＰＨＴ６２）が２つのウェハＷを同時に処理し、かつ、大気圧下処理モジュール（例えばＯＲＴ３３）が２つのウェハＷを同時に処理する場合を示している。この場合、上部ピック４２ａ及び下部ピック４２ｂは、大気部１０における２つのウェハＷ１、Ｗ２の搬送処理（例えばロードロックモジュール２０ａからフープ１００への搬送処理）を同時に行うように、制御部８０により制御される。
例えば、減圧部１１においてＣＯＲ処理やＰＨＴ処理等の減圧下処理が施された２つのウェハ（減圧下処理済みウェハ）Ｗ１及びＷ２がロードロックモジュール２０ａ内に載置される。その後、上部ピック４２ａ及び下部ピック４２ｂは、２つの減圧下処理済みウェハＷ１及びＷ２をＣＳＴモジュール３２に同時に搬送し、ＣＳＴ処理の後に２つのウェハＷ１及びＷ２をフープ１００に同時に搬送する（図５における時間ｔ１０～ｔ１３）。
以上第２の搬送パターンによれば、２つのウェハＷ１及びＷ２の搬送を同時に行うことができるため、従来ウェハＷの搬送が１つずつ行われていたローダーモジュール３０において２つのウェハＷを同時に搬送することができ、ウェハＷの搬送にかかるスループットを適切に向上させることができる。
なお、上述したように、本実施形態にかかるウェハ処理装置１によれば、減圧部１１及びロードロックモジュール２０ａ、２０ｂにおいて２つのウェハＷ１、Ｗ２は、間隔ｄ１離隔されて保持される。一方、大気部１０において２つのウェハＷ１、Ｗ２は、間隔ｄ２離隔されて保持される。すなわち、ロードロックモジュール２０ａ内の各ストッカにおける隣接するストッカ２１ａ、２２ａの間の間隔ｄ１と大気部１０内の各ピックにおける隣接するピック４２ａ、４２ｂの間の間隔ｄ２は異なる。
かかる際、同一の保持間隔を有するモジュール間でのウェハＷの受け渡しを行う際、すなわち、保持間隔が間隔ｄ１同士であるモジュール間、又は保持間隔がｄ２同士であるモジュール間でウェハＷの受け渡しを行う際には、当該保持間隔を保って搬入先の処理モジュールに対して搬送モジュールがアクセスできるため、２つのウェハＷを同時に受け渡すことができる。
一方、保持間隔が異なるモジュール間でウェハＷの受け渡しを行う際、すなわち、ロードロックモジュール２０ａ、２０ｂとウェハ搬送機構４０との間でウェハＷの受け渡しを行う際には、２つのウェハＷを同時に受け渡すことができない。例えば、間隔ｄ１が１２ｍｍであり、間隔ｄ２が１０ｍｍである場合（すなわちｄ１＞ｄ２の場合）、各ピック４２ａ、４２ｂは、ロードロックモジュール２０ａ内の各ストッカ２１ａ、２２ａに載置されたウェハＷ１、Ｗ２を同時に保持することができない。このため、制御部８０により前記第２の搬送パターンが行われる場合であっても、２つのウェハＷは、１つずつ受け渡し（保持）が行われる。よって、制御部８０は、ウェハ搬送機構４０によるロードロックモジュール２０ａ、２０ｂに対するウェハＷの受け渡しを１つずつ行うようにウェハ搬送機構４０を制御する。すなわち、ウェハ搬送機構４０の第１のピックが１つ目のウェハＷを保持した後、昇降機構４５により間隔ｄ１及び間隔ｄ２の差分高さが調節され、第２のピックが２つ目のウェハＷを保持する。
具体的には、２つのウェハＷ１、Ｗ２がロードロックモジュール２０ｂに搬入された後（図５の時間ｔ８）、下部ピック４２ｂは、例えば下部ストッカ２２ｂに載置されたウェハＷ２を保持する（図５の時間ｔ９）。その後、ウェハ搬送機構４０は昇降機構４５の動作により上部ピック４２ａの高さが上部ストッカ２１ｂの高さに調節され、上部ピック４２ａは、当該上部ストッカ２１ｂに載置されたウェハＷ１を保持する（図５の時間ｔ１０）。すなわち、制御部８０は、ウェハ搬送機構４０によりロードロックモジュール２０ａから複数のウェハＷを受け取る際、下方に位置するピック４２ｂから上方に位置するピック４２ａに向けて順次ウェハＷを受け取る（保持する）ようにウェハ搬送機構４０を制御する。
このように、本実施形態にかかるウェハ搬送機構４０においては間隔ｄ１及び間隔ｄ２の高さ差分を昇降機構４５の動作により補正することができるため、当該高さ差分に合わせて適切にウェハＷの受け渡しを行うことができる。なお、高さ差分を調節するにあたっては、上部ピック４２ａ及び下部ピック４２ｂを同時にロードロックモジュール２０ｂに挿入した後、ピック部４２を挿入したまま昇降機構４５を動作させてもよい。また、下部ピック４２ｂのみを挿入してウェハＷ２を受け取った後、下部ピック４２ｂを退却させ、その後、昇降機構４５を動作させた後、上部ピック４２ａのみを挿入するようにしてもよい。
また、上記説明においては下部ピック４２ｂにより下部ストッカ２２ｂに保持されたウェハＷ２を受け取った後、上部ピック４２ａにより上部ストッカ２１ｂに保持されたウェハＷ１を受け取るように制御された。しかしながら、ウェハ搬送機構４０の制御方法はこれに限定されず、例えば上部ピック４２ａによりウェハＷ２を受け取り、下部ピック４２ｂによりウェハＷ１を受け取るように制御を行ってもよい。また、上部ピック４２ａを先にロードロックモジュール２０ｂにアクセスするように制御を行ってもよい。
＜他の実施形態＞
なお、ウェハ処理装置１において制御部８０により制御される搬送パターンは、上記の例には限定されない。
図６は、他の実施形態にかかるウェハ処理装置１における搬送パターンの一例を示す説明図である。なお、本実施形態においては、オリエンタモジュール３３が２つのウェハＷの処理を同時に行うことができる場合を示している。かかる場合、フープ１００から搬出され、オリエンタモジュール３３を介してロードロックモジュール２０ａに搬入される２つのウェハＷは、同時に搬送及び処理を行うことができる。
具体的には、図６の（Ｂ）に示すように、例えばウェハＷ１及びＷ２がフープ１００に収容されてウェハ処理装置１に搬入されると（図６における時間ｔ０）、ウェハＷ１及びＷ２が上部ピック４２ａ及び下部ピック４２ｂに保持されてオリエンタモジュール３３に向けて同時搬送を行う（図６における時間ｔ１）。
そして、オリエンタモジュール３３において同時にオリエント処理された２つのウェハＷ１、Ｗ２は、再びウェハ搬送機構４０の上部ピック４２ａ及び下部ピック４２ｂに保持されてロードロックモジュール２０ａに向けて搬送される（図６の時間ｔ２～時間ｔ３）。
ここで、上述したようにウェハ搬送機構４０の保持間隔とロードロックモジュール２０ａの保持間隔とが異なる、このため、ウェハ搬送機構４０に保持された２つのウェハＷ１、Ｗ２は、まず、上部ピック４２ａに保持されたウェハＷ１が上部ストッカ２１ａに受け渡される（図６の時間ｔ４）。その後、ウェハ搬送機構４０は昇降機構４５の動作により下部ピック４２ｂの高さが下部ストッカ２２ａの高さに調節され、下部ピック４２ｂに保持されたウェハＷ２が下部ストッカ２２ａに受け渡される（図６の時間ｔ５）。
このように、２つのウェハＷ１及びＷ２の搬送を同時に行うことにより、ウェハＷの搬送にかかるスループットを適切に向上させることができる。
なお、このような２つのウェハＷの同時搬送は、ウェハＷに対してオリエント処理を行う必要が無い場合、すなわち、フープ１００からロードロックモジュール２０ａに直接的にウェハＷの搬送を行う場合にも適用することができる。これによりウェハＷの搬送にかかるスループットを適切に向上させることができる。
また、上述の第２の搬送パターンにおいては、各処理モジュールがウェハＷの処理を２つ同時に処理するため、ウェハＷの搬送を同時に行ったが、例えばモジュールの不具合や搬送中のウェハＷの紛失等によりウェハＷの搬送を１つずつ行う必要がある場合には、ウェハＷ１、Ｗ２の搬送を１つずつ行ってもよい。
具体的には、図６の（Ａ）に示すように、例えばロードロックモジュール２０ｂに収容された２つのウェハＷ１、Ｗ２は（図６における時間ｔ８）、まず、ウェハＷ１が上部ピック４２ａに保持されて（図６における時間ｔ９）、ＣＳＴモジュール３２に搬入される。そして、ウェハＷ１がＣＳＴ処理をされる間、ウェハＷ１をＣＳＴモジュール３２に搬入して空いた上部ピック４２ａは、ウェハＷ２を保持して、ＣＳＴモジュール３２に向けてウェハＷ２の搬送を行う（図６における時間ｔ１０）。
ウェハＷ１のＣＳＴ処理が終了すると、ウェハＷ１は下部ピック４２ｂに保持され、それに続いてウェハＷ２がＣＳＴモジュール３２に搬入される。そして、ウェハＷ２がＣＳＴ処理をされる間、ウェハＷ１はフープ１００に向けて搬送される（図６における時間ｔ１１）。
その後、ウェハＷ１がフープ１００に搬入されると、ウェハＷ１をフープ１００に搬入して空いた下部ピック４２ｂは、ウェハＷ２を保持して、フープ１００に向けてウェハＷ２の搬送を行い（図６における時間ｔ１２）、その後ウェハＷ２をフープ１００に搬入する（図６における時間ｔ１３）。
このように、ウェハ処理装置１において行われるウェハＷの搬送パターンは任意に選択することが可能である。これにより、ウェハ処理の状況に応じて適切にウェハＷの搬送パターンを選択することができるため、ウェハＷの搬送にかかるスループットを適切に向上させることができる。
そして、本実施形態にかかるウェハ処理装置１においては、上述した各種搬送パターンの組み合わせが制御部８０により自動的に判定され、ウェハＷの搬送が行われる。このように、状況に応じて制御部８０が自動的に適切なウェハＷの搬送パターンを選択することにより、ウェハＷの搬送にかかるスループットを更に適切に向上させることができる。また、以上の搬送パターンの判定は、ウェハＷが搬入出される処理モジュール毎に行われていてもよい。
このように、ウェハ処理装置１におけるウェハＷの搬送パターンは、任意に選択することが可能である。すなわち、図５及び図６においては、ウェハＷの搬送経路中において第１の搬送パターン及び第２の搬送パターンのそれぞれが１回ずつ行われていたが、搬送パターンの組み合わせとしての選択例はこれに限定されない。例えば前記搬送経路の前半、（オリエンタモジュール３３を介した図５における（Ａ）及び図６における（Ｂ））と、前記搬送経路の後半（ＣＳＴモジュール３２を介した図５における（Ｂ）及び図６における（Ａ））の両方において、前記第１の搬送パターンが選択されてもよい。また、当然に前記搬送経路の前半及び鋼板の両方において第２の搬送パターンのみが選択されてもよい。
なお、以上の搬送パターンの選択は、制御部８０による制御に加え、例えばオペレーターによって更に手動で判断を行うことができるように構成されていてもよい。
また、本実施形態においては、昇降機構４５によりウェハ搬送機構４０のピック部４２の高さ差分を調節するように構成したが、高さ差分の調節方法はこれに限定されない。例えば昇降機構４５に代えて、ピック間隔調節機構（図示せず）を設けることにより、ウェハ搬送機構４０の上部ピック４２ａ及び下部ピック４２ｂの間隔を調節できるように構成してもよい。かかる場合、ピック間隔の調節により、処理モジュールのウェハＷの保持間隔がいかなる場合であっても、２つ同時の受け渡し動作を行うことができるため、ウェハ受け渡しにかかるスループットを更に向上させることができる。
なお、以上の説明においては、ウェハＷを２枚葉で処理する場合を例に説明を行ったが、ウェハＷの同時処理枚数はこれに限定されない。例えばウェハ処理が３つ以上同時に行われる場合であっても、昇降機構４５の動作により高さ差分を補正してウェハＷの受け渡しを行うことができるため、適切にウェハＷの受け渡しを行うことができる。
なお、以上の搬送パターンに示したようにウェハＷの搬送を２つ同時に行うにあたっては、下部ピック４２ｂで保持されるウェハＷに設定された識別番号が、上部ピック４２ａに保持されたウェハＷの識別番号よりも小さくなるように制御されることが好ましい。すなわち、同一のウェハ搬送機構４０により複数のウェハＷを搬送するにあたっては、下方に位置するピックから上方に位置するピックに向けて、識別番号が昇順となるようにウェハＷを保持することが好ましい。さらに望ましくは、識別番号が下方から順に連番となっていることが望ましい。すなわち、例えば図５に示す例にあたっては、下部ピック４２ｂに保持されるウェハＷ２の識別番号が、上部ピックＷ１に保持されるウェハＷ１の識別番号よりも大きい場合が好ましい。
フープ１００の内部に多段に収容される複数のウェハＷは、一般的に下方から順に識別番号が昇順となるように収容されている。このことから、ウェハＷの搬送時においても識別番号が下方から昇順となるように保持されることにより、フープ１００に対するウェハＷの搬入動作を適切化することができる。そしてその結果、ウェハＷの受け渡し、搬送にかかるスループットを向上させることができる。
なお、例えばフープ１００にウェハＷを搬入するにあたっては、ウェハ搬送機構４０が保持する２つのウェハＷの識別番号が下方から昇順となっており、かつ、当該識別番号が連番である場合には２つ同時に搬入（第１の搬送パターン）し、連番となっていない場合には１つずつ連続して搬入（第２の搬送パターン）するように制御してもよい。すなわち、すべてのウェハＷがフープ１００に対して搬入された際に、フープ１００の内部において識別番号が下方から昇順の連番となるようにウェハＷの搬入が行われる。
また、これと同様の理由により、ＣＳＴモジュール３２に多段に搬入されるウェハＷは、当該ＣＳＴモジュール３２の内部において下方から昇順となるように搬入されることが望ましい。これにより、例えばウェハＷの搬送にあたって識別番号がずれてしまった場合であっても、ＣＳＴモジュール３２において識別番号のソートを行い、フープ１００に対するウェハＷの搬入動作を適切化することができる。
すなわち、ＣＳＴモジュール３２に対してウェハＷを搬入するに際しては、当該ＣＳＴモジュール３２の内部において下方から昇順の連番となるようにウェハＷを搬入できる場合には２つのウェハＷを同時に搬入し、昇順の連番とならない場合には１つずつ連続して搬入するように制御してもよい。また、ＣＳＴモジュール３２からウェハＷを搬出する際にも同様である。
なお、これらウェハＷの識別番号の並びは、フープの１００の内部において、識別番号が上方から順に昇順となるように収容されている場合には、それぞれ上方に位置するウェハＷの識別番号が小さくなるように制御されてもよい。
なお、例えば上述の高さ差分を調節する場合のようにウェハ搬送機構４０に対して２つのウェハＷが１つずつ受け渡される場合、当該２つのウェハＷは、下部ピック４２ｂに対して先に受け渡されるように制御することが好ましい。すなわち、同一のウェハ搬送機構に複数のウェハＷを１つずつ受け渡す際には、図５の時間ｔ８～時間ｔ１０に示すように、下方に位置するピックから上方に位置するピックに向けて順番に、ウェハＷが載置されていくことが好ましい。これにより、ウェハ搬送機構４０に対するウェハＷの受け渡し動作を適切に行うことができるとともに、ウェハＷの受け渡し動作に起因するパーティクルが下方に落下するのを抑制することができる。
＜ピック部４２の構成の例＞
なお、ウェハ搬送機構４０によるウェハＷの保持形式は任意に選択することができる。例えば、図７に示すように、ウェハ搬送機構４０の各ピック４２ａ、４２ｂは、吸引保持部を有し、各吸引保持部は、複数の吸引孔１４０ａ、１４０ｂを有する。図７に示す例では、上部ピック４２ａのウェハ載置面には、３つの吸引孔１４０ａ、１４０ａ、１４０ａ及び３つのバキュームパッド１４１ａ、１４１ａ、１４１ａが設けられている。また、下部ピック４２ｂのウェハ載置面には、３つの吸引孔１４０ｂ、１４０ｂ、１４０ｂ及び３つのバキュームパッド１４１ｂ、１４１ｂ、１４１ｂが設けられている。そしてこれらバキュームパッド１４１ａ、１４１ａ、１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｂ、１４１ｂにより、ウェハＷを載置面上に吸着保持することができる。
また、各吸引保持部には、共通の吸引機構１４３が接続されている。すなわち、吸引機構１４３は、上部ピック４２ａの吸引保持部と下部ピック４２ｂの吸引保持部とに接続されている。例えば、図８に示すように、上部ピック部４２ａ上に形成されたバキュームパッド１４１ａには、真空ライン１４２ａが接続されている。また、下部ピック部４２ｂ上に形成されたバキュームパッド１４１ｂには、真空ライン１４２ｂが接続されている。真空ライン１４２ａ、１４２ｂは、アーム部４１及び昇降機構４５の内部を通って、ウェハ搬送機構４０の外部に設けられた吸引機構１４３に接続されている。吸引機構１４３には、例えば真空ポンプが用いられる。ウェハ搬送機構４０は、吸引機構１４３を動作させることによりバキュームパッド１４１の吸引孔１４０を介してウェハＷを吸引し、吸着保持することができる。なお、真空ライン１４２ａ、１４２ｂには、昇降機構４５の下流側においてバルブＶが設けられている。このバルブＶにより、上部ピック４２ａにおけるウェハＷの吸引のオンオフと、下部ピック４２ｂにおけるウェハＷの吸引のオンオフを切り換えることができる。
＜第１のウェハＷの未検知対策＞
以上の構成のウェハ搬送機構４０を用いて第２の搬送パターンを行う場合、すなわち２つのウェハＷの受け渡しを１つずつ行う場合、１つ目のウェハＷの保持後、２つ目のウェハＷを保持する際に、１つ目のウェハＷがピック部４２から跳ね上げられてしまうおそれがある。本発明者らはこのウェハＷの跳ね上げの原因を解明した。すなわち、２つ目のウェハＷを吸着しようとする際、当該２つ目のウェハＷの載置前に、１つ目のウェハＷに対して吸引機構１４３による吸引が行われていると、吸引孔１４０から少量の大気を吸引してしまう。そうすると、吸引された大気が１つ目のウェハＷを保持しているバキュームパッド１４１に対して揚力を与える。この揚力により、１つ目のウェハＷが跳ね上げられる。また、特に１つ目のウェハＷが変形（例えば上に凸形状）していた場合や、ウェハＷの吸着面にデポが付着していた場合、当該揚力の影響を受けやすくなってしまう。
このようにウェハＷに揚力が与えられ、跳ね上げられてしまった場合、当該ウェハＷに損傷を与えてしまったり、あるいは、当該ウェハＷをウェハ搬送機構４０が検知できなくなってしまったりする場合がある。すなわち、通常ウェハ搬送機構４０は、ウェハＷを保持した際に検知される保持圧力によりウェハＷの保持状況を把握しているが、当該ウェハＷの跳ね上がりにより保持圧力を検知できなくなってしまう場合がある。
かかるウェハＷの未検知を防止するための方法は、例えば以下の（ａ）～（ｃ）に示すようなものが挙げられる。
（ａ）ウェハＷの搬送を一つずつ行う方法
上記したようなウェハＷの未検知は、例えばウェハ搬送機構４０において２つのウェハＷを１つずつ連続的に受け渡しする場合に懸念されるものである。そこで、このようなウェハＷの跳ね上がりによる未検知が懸念される場合であって、例えばウェハＷの変形が既知である場合には、ウェハ搬送機構４０による２つ搬送を中止する。そして、跳ね上がりが懸念されるウェハＷを１つで受け渡し、搬送を行うように制御する。これにより、２つ目のウェハＷの保持を行うことが無いため、１つ目のウェハＷの跳ね上がりを防止することができる。
（ｂ）２つ目のウェハＷを保持するピック部４２における吸引開始のタイミングを制御する方法
上述したようなウェハＷの未検知は、２つ目のウェハＷを吸着保持するに際して吸引孔１４０から大気を吸引してしまうことにより発生する。そこで、例えば図９に示すように真空ライン１４２ａ、１４２ｂのそれぞれにバルブＶａ、Ｖｂを設けることにより、真空引きをそれぞれ任意のタイミングで行うことができるように構成する。そして、２つ目のウェハＷの吸引保持は、当該ウェハＷをピック部４２上に載置した後、すなわちウェハＷとバキュームパッド１４１との間に隙間がなくなった後に吸引を開始するように制御する。これにより２つ目のウェハＷの吸引保持を開始する際に大気が吸引されることを防止することができ、１つ目のウェハＷの跳ね上がりを防止することができる。
（ｃ）上部ピック４２ａ及び下部ピック４２ｂの真空ライン１４２をそれぞれ独立させる方法
図１０に示すように、上部ピック４２ａ及び下部ピック４２ｂに対してそれぞれ吸引機構１４３ａ、１４３ｂを独立して設ける。これより、上述のように２つ目のウェハＷを吸着保持するに際して吸引孔１４０から大気を吸引してしまった場合であっても、１つ目のウェハＷの跳ね上がりを防止することができる。
以上、３つのウェハＷの未検知防止手法によれば、２つ目のウェハＷの吸引保持の際に懸念される、１つ目のウェハＷの跳ね上がりを適切に防止することができる。そして、ウェハＷの跳ね上がりに起因するウェハＷの未検知を防止しつつ、ウェハＷの受け渡しにかかるスループットを向上させることができる。また更に、適切にウェハＷの２つ同時搬送、又は１つ搬送を判定して搬送を行うことができるため、搬送にかかるスループットを向上させることができる。
＜第２のウェハＷの未検知対策＞
上述のように、ウェハＷに変形（例えば上に凸形状）が生じていた場合や、ウェハＷの吸着面にデポが付着していた場合、当該ウェハＷをウェハ搬送機構４０が検知できなくなる場合がある。通常、ウェハ処理装置１においてエラーが通知された場合、一連のウェハ処理を中断してエラー要因の確認及びメンテナンスを行った後、ウェハ処理を初期化してウェハ処理装置１の立ち上げが行われる。そしてかかる初期化動作が行われる場合、ウェハ搬送機構４０上におけるウェハＷの有無を確認して動作を行うが、実際にはウェハ搬送機構４０上にウェハＷが存在していたとしても、未検知によりウェハＷがないものとして、そのままウェハ処理装置１が動作してしまう場合がある。そして、このようにウェハＷがいないものとして動作した場合、当該ウェハＷに損傷を与えてしまうおそれがある。
かかるウェハＷの未検知を防止するため、例えばウェハ処理装置１の初期化動作においては、上述の保持圧力の検知に加え、ウェハ搬送機構４０上のウェハＷの有無を、図示しない例えばビームセンサなどの検知センサにより検知する。なお、かかる検知センサが本開示にかかる基板検知部に相当する。
また、検知センサはウェハ処理装置１における任意の位置に設置することができるが、ウェハ処理装置１の初期化時におけるウェハ搬送機構４０のアーム位置によらずにウェハＷの検知を行うことができる位置に設けられることが望ましい。すなわち、例えば図１１に示すように、検知センサ２００は第２アーム４１ｂに設けることができる。以下の説明においては、検知センサ２００が第２アーム４１ｂに設けられた場合を例に説明を行う。
ウェハ処理装置１の初期化時におけるウェハＷの検知においては、先ず、図１２（ａ）に示すように第３アーム４１ｃと第４アーム４１ｄが重なるように配置する。
次に、図１２（ｂ）に示すように第３アーム４１ｃを回転させ、検知センサ２００により第３アーム４１ｃのウェハＷの保持状況を確認する。なおこの際、検知センサ２００によるウェハＷの検知に加え、ウェハＷを保持した際に検知される第３アーム４１ｃの保持圧力を検知する。
続いて図１２（ｃ）に示すように第３アーム４１ｃ及び第４アーム４１ｄを回転させ、検知センサ２００により第４アーム４１ｄのウェハＷの保持状況を確認する。なおこの際、検知センサ２００によるウェハＷの検知に加え、ウェハＷを保持した際に検知される第４アーム４１ｄの保持圧力を検知する。
そして、第３アーム４１ｃ及び第４アーム４１ｄにおけるウェハＷの保持状況の確認が完了すると、再度、図１２（ｄ）に示すように第３アーム４１ｃと第４アーム４１ｄを重なるように配置し、ウェハＷの検知動作を終了する。
ウェハＷの検知において、第３アーム４１ｃ及び第４アーム４１ｄのそれぞれにおいて、検知センサ２００による検知結果と保持圧力による検知が一致した場合、ウェハ処理装置１の初期化動作を続行する。一方、第３アーム４１ｃ及び第４アーム４１ｄの少なくともいずれかにおいて、検知センサ２００による検知結果と保持圧力による検知が一致しなかった場合、ウェハ処理装置１の初期化動作を中断し、エラーを通知する。
第２のウェハＷの未検知対策によれば、保持圧力によるウェハＷの検知に加え、更に検知センサによってウェハＷの検知を行い、その結果が一致した場合にのみ動作を継続する。これにより、アーム上におけるウェハＷの有無を誤検知することが抑制され、その結果、ウェハＷに損傷を与えられることが抑制される。
なお、保持圧力によるウェハＷの検知、及び、検知センサによるウェハＷの検知は、それぞれ同一のコントローラにより制御されることが好ましい。
また第２のウェハＷの未検知対策によれば、例えば第２アーム４１ｂに検知センサ２００を設けることにより、ウェハ処理装置１の初期化時におけるウェハ搬送機構４０のアーム位置によらず、適切にウェハＷの有無を検知することができる。
また、例えば第２アーム４１ｂに検知センサ２００を設けることにより、図１２に示したように第３アーム４１ｃ及び第４アーム４１ｄをその場で回転させることのみによって、容易にそれぞれのアーム上におけるウェハＷの有無を検知することができる。
なお、上記説明においては検知センサ２００が第２アーム４１ｂに設けられる場合を例に説明を行ったが、検知センサの数や設置位置は当然にこれに限られるものではない。例えば、検知センサは上部ピック４２ａ及び下部ピック４２ｂのそれぞれに設けられていてもよいし、第１アーム４１ａに設けられていてもよい。また例えば、上記説明においては検知センサ２００がウェハ搬送機構４０に設けられる場合を例に説明を行ったが、ウェハ搬送機構７０に同様の検知センサがさらに設けられていてもよい。また、検知センサは必ずしもウェハ搬送機構に設けられる必要はなく、ウェハ処理装置１の内部において任意の場所に設けることができる。
また、上記説明においては第２のウェハＷの未検知対策がウェハ処理装置１の初期化動作時に行われる場合を例に説明を行ったが、第２のウェハＷの未検知対策は他のタイミングにおいて行われてもよい。例えばウェハ処理装置１の初期化時に加え、ウェハ処理装置１のメンテナンスや点検後の復帰動作に行われてもよい。
また例えば、第２のウェハＷの未検知対策はウェハ搬送機構に対するウェハＷの受け渡し時において、その都度行われてもよい。具体的には、例えばロードロックモジュール２０ａ、２０ｂに対するウェハＷの搬入出を行う際に、ウェハＷの受け渡しが確実に行われたことを確認するために行われてもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、ウェハ搬送機構４０の構成は上述の実施形態には限定されず、ウェハＷを複数同時に搬送できるものであればよく、保持方法も吸着保持には限定されない。
また例えば、以上の実施形態においてはウェハ処理装置１の内部でウェハＷに対してＣＯＲ処理、ＰＨＴ処理、ＣＳＴ処理が連続的に行われる場合を例に説明を行ったが、ウェハＷに対してのウェハ処理の順序はこれに限定されない。また、ウェハ処理装置１の内部で行われる処理に関しても、これらの処理には限定されず、例えばエッチング処理が行われていてもよい。
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）大気圧下で基板が処理される大気部において、少なくとも１つの基板が収容された基板収容容器を配置するように構成されたロードポートと、前記大気部と減圧下で基板が処理される減圧部との間で基板を受け渡すように構成されたロードロック室と、前記大気部において基板に対して処理を行う処理モジュールと、前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で基板を搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構の動作を制御する制御部と、を有し、前記基板搬送機構は、複数の基板保持部を有し、各基板保持部は、１つの基板を保持するように構成され、前記制御部は、前記処理モジュールが基板を１つずつ処理する場合は、第１の基板保持部は前記ロードポートと前記処理モジュールとの間で基板を搬送し、第２の基板保持部は前記ロードロック室及び前記処理モジュールとの間で基板を搬送するように前記基板搬送機構を制御し、前記処理モジュールが複数の基板を同時に処理する場合は、前記複数の基板保持部が前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で複数の基板を同時に搬送するように前記基板搬送機構を制御する、基板処理装置。
（２）前記複数の基板保持部は、鉛直方向に沿って設けられ、前記ロードロック室は、鉛直方向に沿って設けられた複数の基板載置部を備え、各基板載置部は、１つの基板を載置可能に構成され、各基板載置部における隣接する基板載置部の間の距離と各基板保持部における隣接する基板保持部の間の距離は異なり、前記制御部は、前記基板搬送機構による前記ロードロック室に対する基板の受け渡しを１つずつ行うように当該基板搬送機構を制御する、前記（１）記載の基板処理装置。
前記（１）～（２）によれば、基板処理装置における基板の処理枚数及び保持間隔に応じて基板の搬送パターンを任意に選択することができるため、ウェハ搬送にかかるスループットを向上させることができる。
（３）前記制御部は、前記基板搬送機構により前記ロードロック室から複数の基板を受け取る際、下方に位置する前記基板保持部から上方に位置する前記基板保持部に向けて順次基板を受け取るように当該基板搬送機構を制御する、前記（２）に記載の基板処理装置。
（４）複数の基板にはそれぞれ識別番号が設定され、前記制御部は、前記基板搬送機構により前記ロードロック室から複数の基板を受け取る際、下方に位置する前記基板保持部から上方に位置する前記基板保持部に向けて前記識別番号が昇順となるように基板を受け取るように当該基板搬送機構を制御する、前記（２）又は前記（３）に記載の基板処理装置。
前記（３）～（４）によれば、基板搬送機構で保持する基板の順序を適切に制御することができ、これにより基板収容容器に対する基板の受け渡しを効率的に行うことができる。その結果、基板の受け渡しにかかるスループットを向上させることができる。
（５）各基板保持部は基板を吸引保持するため吸引保持部を有し、前記吸引保持部は、複数の吸引孔を有する、前記（１）～前記（４）のいずれかに記載の基板処理装置。
（６）各吸引保持部には共通の吸引機構が接続される、前記（５）に記載の基板処理装置。
（７）前記制御部は、前記基板搬送機構により前記処理モジュールから基板を１つずつ受け取る際、一の基板保持部で基板を吸引保持した後、他の基板保持部における基板の吸引を開始するように当該基板搬送機構を制御する、前記（６）に記載の基板処理装置。
（８）前記複数の基板保持部にはそれぞれ別の吸引機構が接続され、当該複数の基板保持部による基板の吸引保持を独立して行う、前記（５）に記載の基板処理装置。
前記（５）～（８）によれば、基板の吸着保持に起因する、先の基板の跳ね上がりを適切に防止することができる。その結果、基板の受け渡しを適切に行うことができる。
（９）前記処理モジュールは、大気圧下で処理を行う大気圧下処理モジュールを有し、前記大気圧下処理モジュールは、基板の水平方向の向きを調節するオリエンタモジュール、及び、基板に冷却処理を行う冷却モジュールのうち少なくとも１つである、前記（１）～前記（８）のいずれかに記載の基板処理装置。
（１０）前記減圧部は、減圧下で処理を行う減圧下処理モジュールを有し、前記減圧下処理モジュールは、基板に対してＣＯＲ処理を行うＣＯＲモジュール、及び、基板に対して加熱処理を行う加熱モジュールのうち少なくとも１つであり、前記ＣＯＲモジュール及び前記加熱モジュールは、複数の基板を同時に処理するように構成される、前記（１）～前記（９）のいずれかに記載の基板処理装置。
（１１）基板保持部上における前記基板の有無を検知する基板検知部をさらに有する、前記（１）～前記（１０）のいずれかに記載の基板処理装置。
（１２）前記基板検知部は前記基板搬送機構に設けられる、前記（１１）に記載の基板処理装置。
（１３）基板処理装置で行われる基板搬送方法であって、前記基板処理装置は、大気圧下で基板が処理される大気部において、少なくとも１つの基板が収容された基板収容容器を配置するように構成されたロードポートと、前記大気部と減圧下で基板が処理される減圧部との間で基板を受け渡すように構成されたロードロック室と、前記大気部において基板に対して処理を行う処理モジュールと、前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で基板を搬送する基板搬送機構と、を有し、前記基板搬送機構は、複数の基板保持部を有し、各基板保持部は、１つの基板を保持するように構成され、前記基板搬送方法は、前記処理モジュールが基板を１つずつ処理する場合は、第１の基板保持部を用いて前記ロードポートと前記処理モジュールとの間で基板を搬送するステップと、第２の基板保持部を用いて前記ロードロック室と前記処理モジュールとの間で基板を搬送するステップとを有し、前記基板搬送方法は、前記処理モジュールが複数の基板を同時に処理する場合は、前記複数の基板保持部を用いて前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で複数の基板を同時に搬送するステップを有する、基板搬送方法。
（１４）基板保持部に保持された前記基板の有無を検知するステップをさらに有する、前記（１３）に記載の基板搬送方法。。
１ ウェハ処理装置
１０ 大気部
１１ 減圧部
２０ ロードロックモジュール
３０ ローダーモジュール
３１ ロードポート
３２ ＣＳＴモジュール
３３ オリエンタモジュール
４０ ウェハ搬送機構
４２ ピック部
４２ａ 上部ピック
４２ｂ 下部ピック
８０ 制御部
１００ フープ
Ｗ ウェハ

Claims (14)

  1. 大気圧下で基板が処理される大気部において、少なくとも１つの基板が収容された基板収容容器を配置するように構成されたロードポートと、
    前記大気部と減圧下で基板が処理される減圧部との間で基板を受け渡すように構成されたロードロック室と、
    前記大気部において基板に対して処理を行う処理モジュールと、
    前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で基板を搬送する基板搬送機構と、
    前記基板搬送機構の動作を制御する制御部と、を有し、
    前記基板搬送機構は、複数の基板保持部を有し、各基板保持部は、１つの基板を保持するように構成され、
    前記制御部は、
    前記処理モジュールが基板を１つずつ処理する場合は、第１の基板保持部は前記ロードポートと前記処理モジュールとの間で基板を搬送し、第２の基板保持部は前記ロードロック室及び前記処理モジュールとの間で基板を搬送するように前記基板搬送機構を制御し、
    前記処理モジュールが複数の基板を同時に処理する場合は、前記複数の基板保持部が前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で複数の基板を同時に搬送するように前記基板搬送機構を制御する、基板処理装置。
  2. 前記複数の基板保持部は、鉛直方向に沿って設けられ、
    前記ロードロック室は、鉛直方向に沿って設けられた複数の基板載置部を備え、各基板載置部は、１つの基板を載置可能に構成され、
    各基板載置部における隣接する基板載置部の間の距離と各基板保持部における隣接する基板保持部の間の距離は異なり、
    前記制御部は、前記基板搬送機構による前記ロードロック室に対する基板の受け渡しを１つずつ行うように当該基板搬送機構を制御する、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記制御部は、前記基板搬送機構により前記ロードロック室から複数の基板を受け取る際、下方に位置する前記基板保持部から上方に位置する前記基板保持部に向けて順次基板を受け取るように当該基板搬送機構を制御する、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 複数の基板にはそれぞれ識別番号が設定され、
    前記制御部は、前記基板搬送機構により前記ロードロック室から複数の基板を受け取る際、下方に位置する前記基板保持部から上方に位置する前記基板保持部に向けて前記識別番号が昇順となるように基板を受け取るように当該基板搬送機構を制御する、請求項２又は３に記載の基板処理装置。
  5. 各基板保持部は基板を吸引保持するため吸引保持部を有し、前記吸引保持部は、複数の吸引孔を有する、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 各吸引保持部には共通の吸引機構が接続される、請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記制御部は、前記基板搬送機構により前記処理モジュールから基板を１つずつ受け取る際、一の基板保持部で基板を吸引保持した後、他の基板保持部における基板の吸引を開始するように当該基板搬送機構を制御する、請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記複数の基板保持部にはそれぞれ別の吸引機構が接続され、当該複数の基板保持部による基板の吸引保持を独立して行う、請求項５に記載の基板処理装置。
  9. 前記処理モジュールは、大気圧下で処理を行う大気圧下処理モジュールを有し、
    前記大気圧下処理モジュールは、基板の水平方向の向きを調節するオリエンタモジュール、及び、基板に冷却処理を行う冷却モジュールのうち少なくとも１つである、請求項１～８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  10. 前記減圧部は、減圧下で処理を行う減圧下処理モジュールを有し、
    前記減圧下処理モジュールは、基板に対してＣＯＲ処理を行うＣＯＲモジュール、及び、基板に対して加熱処理を行う加熱モジュールのうち少なくとも１つであり、
    前記ＣＯＲモジュール及び前記加熱モジュールは、複数の基板を同時に処理するように構成される、請求項１～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  11. 基板保持部上における前記基板の有無を検知する基板検知部をさらに有する、請求項１～１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  12. 前記基板検知部は前記基板搬送機構に設けられる、請求項１１に記載の基板処理装置。
  13. 基板処理装置で行われる基板搬送方法であって、
    前記基板処理装置は、
    大気圧下で基板が処理される大気部において、少なくとも１つの基板が収容された基板収容容器を配置するように構成されたロードポートと、
    前記大気部と減圧下で基板が処理される減圧部との間で基板を受け渡すように構成されたロードロック室と、
    前記大気部において基板に対して処理を行う処理モジュールと、
    前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で基板を搬送する基板搬送機構と、を有し、
    前記基板搬送機構は、複数の基板保持部を有し、各基板保持部は、１つの基板を保持するように構成され、
    前記基板搬送方法は、
    前記処理モジュールが基板を１つずつ処理する場合は、
    第１の基板保持部を用いて前記ロードポートと前記処理モジュールとの間で基板を搬送するステップと、
    第２の基板保持部を用いて前記ロードロック室と前記処理モジュールとの間で基板を搬送するステップとを有し、
    前記基板搬送方法は、
    前記処理モジュールが複数の基板を同時に処理する場合は、
    前記複数の基板保持部を用いて前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で複数の基板を同時に搬送するステップを有する、基板搬送方法。
  14. 基板保持部に保持された前記基板の有無を検知するステップをさらに有する、請求項１３に記載の基板搬送方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115020308B (zh) * 2022-08-08 2022-11-22 上海果纳半导体技术有限公司武汉分公司 晶圆传输装置、设备平台***及其晶圆传输方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011228625A (ja) 2010-03-31 2011-11-10 Yaskawa Electric Corp 基板搬送用ハンドおよび基板搬送ロボット
JP2013143558A (ja) 2012-01-13 2013-07-22 Sinfonia Technology Co Ltd ウェーハ搬送装置
JP2016162936A (ja) 2015-03-03 2016-09-05 川崎重工業株式会社 基板搬送ロボットおよび基板処理システム
JP2016184664A (ja) 2015-03-26 2016-10-20 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法及び基板処理装置
JP2016207767A (ja) 2015-04-20 2016-12-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4227235B2 (ja) * 1998-12-24 2009-02-18 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置
TWI476855B (zh) * 2006-05-03 2015-03-11 Gen Co Ltd 基板傳輸設備、和使用該設備的高速基板處理系統
KR101312621B1 (ko) * 2006-11-29 2013-10-07 삼성전자주식회사 웨이퍼이송장치
JP5388643B2 (ja) 2009-03-19 2014-01-15 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
JP5358366B2 (ja) * 2009-09-14 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び方法
JP2011077399A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Tokyo Electron Ltd 被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置
KR101664939B1 (ko) * 2010-12-09 2016-10-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 로드록 장치
JP2013171872A (ja) * 2012-02-17 2013-09-02 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
KR101686032B1 (ko) * 2013-03-28 2016-12-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
US9378992B2 (en) * 2014-06-27 2016-06-28 Axcelis Technologies, Inc. High throughput heated ion implantation system and method
JP6316742B2 (ja) * 2014-12-24 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置および基板搬送方法
JP6339043B2 (ja) * 2015-04-21 2018-06-06 三菱電機株式会社 負荷電流検出装置および負荷電流検出方法
JP6410689B2 (ja) * 2015-08-06 2018-10-24 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 イオン注入装置及びそれを用いた複数枚のウェハの処理方法
CN108028193B (zh) * 2015-09-30 2022-04-22 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法
JP6600588B2 (ja) * 2016-03-17 2019-10-30 東京エレクトロン株式会社 基板搬送機構の洗浄方法及び基板処理システム
JP6747136B2 (ja) * 2016-07-22 2020-08-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6670713B2 (ja) * 2016-09-20 2020-03-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法
US10290523B2 (en) * 2017-03-17 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Wafer processing apparatus, recording medium and wafer conveying method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011228625A (ja) 2010-03-31 2011-11-10 Yaskawa Electric Corp 基板搬送用ハンドおよび基板搬送ロボット
JP2013143558A (ja) 2012-01-13 2013-07-22 Sinfonia Technology Co Ltd ウェーハ搬送装置
JP2016162936A (ja) 2015-03-03 2016-09-05 川崎重工業株式会社 基板搬送ロボットおよび基板処理システム
JP2016184664A (ja) 2015-03-26 2016-10-20 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法及び基板処理装置
JP2016207767A (ja) 2015-04-20 2016-12-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム

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