JP7065204B2 - 基板処理装置及び基板搬送方法 - Google Patents
基板処理装置及び基板搬送方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7065204B2 JP7065204B2 JP2020556624A JP2020556624A JP7065204B2 JP 7065204 B2 JP7065204 B2 JP 7065204B2 JP 2020556624 A JP2020556624 A JP 2020556624A JP 2020556624 A JP2020556624 A JP 2020556624A JP 7065204 B2 JP7065204 B2 JP 7065204B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- module
- transfer mechanism
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 250
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 233
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 227
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 148
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 39
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 37
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 541
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 18
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 14
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
- B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
- B25J15/0052—Gripping heads and other end effectors multiple gripper units or multiple end effectors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
- B25J15/06—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means
- B25J15/0616—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means with vacuum
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67294—Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54406—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising alphanumeric information
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Robotics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
本開示は、基板処理装置及び基板搬送方法に関する。
特許文献1には、被処理基板を搬送する基板搬送ユニットを内部に有する基板搬送装置が開示されている。特許文献1に記載の技術によれば、基板搬送ユニットは基板搬送装置に接続された各種モジュール間において、被処理基板を1つずつ搬送している。
本開示にかかる技術は、基板搬送装置内における基板の受け渡し及び搬送を適切に行い、スループットを向上させる。
本開示の一態様は、大気圧下で基板が処理される大気部において、少なくとも1つの基板が収容された基板収容容器を配置するように構成されたロードポートと、前記大気部と減圧下で基板が処理される減圧部との間で基板を受け渡すように構成されたロードロック室と、前記大気部において基板に対して処理を行う処理モジュールと、前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で基板を搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構の動作を制御する制御部と、を有し、前記基板搬送機構は、複数の基板保持部を有し、各基板保持部は、1つの基板を保持するように構成され、前記制御部は、前記処理モジュールが基板を1つずつ処理する場合は、第1の基板保持部は前記ロードポートと前記処理モジュールとの間で基板を搬送し、第2の基板保持部は前記ロードロック室及び前記処理モジュールとの間で基板を搬送するように前記基板搬送機構を制御し、前記処理モジュールが複数の基板を同時に処理する場合は、前記複数の基板保持部が前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で複数の基板を同時に搬送するように前記基板搬送機構を制御する。
本開示によれば、基板搬送装置内における基板の受け渡し及び搬送を適切に行い、スループットを向上させることができる。
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウェハ(基板;以下、「ウェハ」という場合がある。)を収納した処理モジュールの内部を減圧状態にし、当該ウェハに予め決められた処理を施す、様々な処理工程が行われている。これら処理工程は、処理モジュールを複数備えたウェハ処理装置を用いて行われる。
ウェハ処理装置は、例えば、減圧雰囲気下でウェハの処理や搬送を行う減圧部と、大気雰囲気下でウェハの処理や搬送を行う大気部とが、ロードロックモジュールを介して接続された構成を有している。減圧部には、上述した複数の処理モジュールなど設けられる。また大気部には、ウェハを搬送するウェハ搬送機構を備えるローダーモジュールなどが設けられる。
ウェハ処理装置に配置される処理モジュールとしては、複数、例えば2つのウェハをセットで処理することができる、いわゆる2枚葉式の処理モジュールが用いられる場合がある。2枚葉式の処理モジュールにおいては、2つのウェハを同時に処理することができるため、ウェハ処理にかかる時間を削減することができ、これによりスループットを向上させることができる。
しかしながら、これら処理モジュールが2枚葉式にもかかわらず、ウェハ搬送機構においては、従来、1つずつのウェハが搬送されている。例えば、特許文献1に記載のウェハ搬送機構(基板搬送装置)においても、ウェハは1つずつの搬送が行われている。
すなわち、2枚葉式の処理モジュールでは2つ同時に処理が行われ、ロードロックモジュールに搬送されるが、ウェハ搬送機構では1つずつウェハが搬送される。このため、ウェハ搬送機構は、ロードロックモジュールに対して複数回のアクセスを行う必要がある。
このように、2枚葉式の処理モジュールに対してウェハ搬送機構を用いてウェハの搬入出を行う方法については、搬送効率を改善し、スループットを向上させる余地があった。
そこで、本開示にかかる技術は、ウェハ処理装置内におけるウェハの受け渡し及び搬送を適切に行い、スループットを向上させる。具体的には、ウェハ搬送機構により複数のウェハを同時に搬送可能であるように構成し、さらにウェハ搬送機構が同時に搬送を行うウェハの枚数を状況に応じて判定し、動作を最適化する。
以下、本実施形態にかかる基板搬送方法としてのウェハ搬送方法を実施する、基板処理装置としてのウェハ処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
<ウェハ処理装置1>
図1は、本実施形態にかかる基板処理装置としてのウェハ処理装置1の構成の概略を示す平面図である。本実施形態においては、ウェハ処理装置1が、ウェハWにCOR処理、PHT処理、CST処理、及びオリエント処理を行う、各種処理モジュールを備える場合を例に説明する。なお、ウェハ処理装置1のモジュール構成はこれに限られず、任意に選択され得る。
図1は、本実施形態にかかる基板処理装置としてのウェハ処理装置1の構成の概略を示す平面図である。本実施形態においては、ウェハ処理装置1が、ウェハWにCOR処理、PHT処理、CST処理、及びオリエント処理を行う、各種処理モジュールを備える場合を例に説明する。なお、ウェハ処理装置1のモジュール構成はこれに限られず、任意に選択され得る。
図1に示すようにウェハ処理装置1は、大気部10と減圧部11とロードロックモジュール20a、20bとを有し、大気部10と減圧部11は、ロードロックモジュール20a、20bを介して一体に接続されている。大気部10は、大気圧下でウェハWを処理するように構成される。大気部10は、大気圧雰囲気下においてウェハWに何らかの処理を行う大気圧下処理モジュール、例えばCSTモジュール32及びオリエンタモジュール33を備える。減圧部11は、減圧下でウェハWを処理するように構成される。減圧部11は、減圧雰囲気下においてウェハWに何らかの処理を行う減圧下処理モジュール、例えばCORモジュール61及びPHTモジュール62を備える。
図2に示すようにロードロック室としてのロードロックモジュール20aは、大気部10の後述するローダーモジュール30から搬送されたウェハWを、減圧部11の後述するトランスファモジュール60に引き渡すため、ウェハWを一時的に保持する。ロードロックモジュール20aは、2つのウェハWを鉛直方向に沿って保持する、基板載置部としての上部ストッカ21aと下部ストッカ22aを有している。各ストッカ21a、22aは、1つのウェハWを載置するように構成されている。なお、上部ストッカ21aと下部ストッカ22aとの間には間隔(距離)d1(例えば間隔d1=12mm)が設けられている。
図1に示すようにロードロックモジュール20aは、ゲートバルブ23aが設けられたゲート24aを介してローダーモジュール30に接続されている。また、ロードロックモジュール20aは、ゲートバルブ25aが設けられたゲート26aを介してトランスファモジュール60に接続されている。
なお、ロードロックモジュール20bはロードロックモジュール20aと同様の構成を有している。すなわち、ロードロックモジュール20bは、上部ストッカ21bと、下部ストッカ22bと、ローダーモジュール30側のゲートバルブ23bとゲート24b、トランスファモジュール60側のゲートバルブ25bとゲート26bを有している。
なお、ロードロックモジュール20a、20bの数や配置は、本実施形態に限定されるものではなく、任意に設定できる。
大気部10は、後述のウェハ搬送機構40を備えたローダーモジュール30と、複数のウェハWを等しい間隔(距離)d2(例えば間隔d2=10mm)で多段及び搬送可能なフープ100を載置する載置台を備えたロードポート31と、ウェハWを冷却する、冷却モジュールとしてのCSTモジュール(大気圧下処理モジュール)32と、ウェハWの水平方向の向きを調節するオリエンタモジュール(大気圧下処理モジュール)33とを有している。
なお、ロードポート31、CSTモジュール32及びオリエンタモジュール33の数や配置は、本実施形態に限定されるものではなく、任意に設計できる。
CSTモジュール32は、複数、例えばフープ100に収容される枚数以上のウェハWを等しい間隔(例えば間隔d2=10mm)で多段に収容することができ、当該複数のウェハWの冷却処理を行う。
オリエンタモジュール33は、ウェハWの基準位置(例えばノッチ位置)からの水平方向の向きを調節する。
ローダーモジュール30には、上述したように、ウェハ搬送機構40を有している。図3は、ウェハ搬送機構40の構成の概略を模式的に示す斜視図である。
図1及び図3に示すように、ウェハ搬送機構40は、アーム部41と、アーム部41の先端に接続されウェハWを保持するウェハ保持面を有する基板保持部としてのピック部42と、アーム部41を回転可能に支持する回転台43と、回転台43を搭載した回転載置台44とを有している。またアーム部41は、保持されたウェハWを高さ方向に昇降自在な昇降機構45を介して、回転台43に接続されている。
アーム部41は、一端が昇降機構45に対して回転自在に接続された第1アーム41aと、第1アーム41aの他端に対して一端が回転自在に接続された第2アーム41bと、第2アーム41bの他端に対して一端が回転自在に接続され、後述の上部ピック42aに接続される第3アーム41cと、第2アーム41bの他端に対して一端が回転自在に接続され、後述の下部ピック42bに接続される第4アーム41dとを有している。なお、第3アーム41c及び第4アーム41dは、それぞれ第2アーム41bの他端に対して独立して回転可能に接続されている。
ピック部42は、第3アーム41cの他端に対して回転自在に接続され、二股フォーク状の上部ピック(基板保持部)42aと、第4アーム41dの他端に対して回転自在に接続され、二股フォーク状の下部ピック(基板保持部)42bを間隔d2(例えば間隔d2=10mm)だけ離間して積層した構成を有している。ピック部42は、上部ピック42aの上面に1つのウェハWを搭載し、下部ピック42bの上面に更に1つのウェハWを搭載する。すなわち、各ピック42a、42bは、1つのウェハWを保持するように構成され、ウェハ搬送機構40は、ピック部42によって2つのウェハWを多段に保持するように構成されている。
なお、ウェハ搬送機構40は、アーム部41の伸縮及び回転台43の回転により、ロードポート31に載置されたフープ100、ロードロックモジュール20a、20b及びCSTモジュール32及びオリエンタモジュール33との間でウェハWを搬送することができる。
減圧部11は、減圧雰囲気下でウェハWを搬送するトランスファモジュール60と、トランスファモジュール60から搬送されたウェハWに対して減圧雰囲気下でCOR処理を行うCORモジュール(減圧下処理モジュール)61と、減圧雰囲気下でPHT処理を行う加熱モジュールとしてのPHTモジュール(減圧下処理モジュール)62とを有している。トランスファモジュール60に対し、CORモジュール61及びPHTモジュール62は複数、例えば3つずつ設けられている。
上述したようにトランスファモジュール60は、ゲートバルブ25a、25bを介してロードロックモジュール20a、20bに接続されている。トランスファモジュール60は内部が矩形の筐体からなり、ロードロックモジュール20aに搬入されたウェハWを一のCORモジュール61に搬送し、順次COR処理とPHT処理を施した後、ロードロックモジュール20bを介して大気部10に搬出する。
CORモジュール61は、2つのステージ63a、63bにウェハWを並べて載置してCOR処理を行う。また、CORモジュール61は、ゲートバルブ64が設けられたゲート65を介してトランスファモジュール60に接続されている。
PHTモジュール62は、2つのステージ66a、66bにウェハWを並べて載置してPHT処理を行う。また、PHTモジュール62は、ゲートバルブ67が設けられたゲート68を介してトランスファモジュール60に接続されている。
また、トランスファモジュール60の内部には、ウェハWを搬送するウェハ搬送機構70が設けられている。ウェハ搬送機構70は、2つのウェハWを多段に保持して移動するアーム部71a、71bと、アーム部71a、71bの先端においてウェハWを保持するピック部72a、72bと、アーム部71a、71bを回転可能に支持する回転台73と、回転台73を搭載した回転載置台74とを有している。また、トランスファモジュール60の内部には、トランスファモジュール60の長手方向に延伸するガイドレール75が設けられている。回転載置台74はガイドレール75上に設けられ、ウェハ搬送機構70をガイドレール75に沿って移動可能に構成されている。
なお、ピック部72a、72bは、それぞれ二股フォーク状の上部ピック(図示せず)と、下部ピック(図示せず)を間隔d1(例えば間隔d1=12mm)だけ離間して積層した構成を有している。ピック部72a、72bは、上部ピックの上面に1つのウェハWを搭載し、下部ピックの上面(上部ピックと下部ピックとの間)に更に1つのウェハWを搭載する。すなわちピック部72a、72bはそれぞれ、2つのウェハWを多段に保持することができ、ウェハ搬送機構70においては合計4つのウェハWを同時に保持することができる。
トランスファモジュール60では、ロードロックモジュール20aにおいて上部ストッカ21aと下部ストッカ22aに保持されたウェハWをピック部72aで受け取り、CORモジュール61に搬送する。また、COR処理が施されたウェハWを、ピック部72aが保持し、PHTモジュール62に搬送する。また更に、PHT処理が施されたウェハWを、ピック部72bが保持し、ロードロックモジュール20bに搬出する。
以上のように本実施形態のウェハ処理装置1では、各モジュールにおいて保持されるウェハWは、大気部10においては間隔d2(例えば10mm)、減圧部11においては間隔d1(例えば12mm)、だけ離間されて保持される。なお、上記間隔d1の12mm及び間隔d2の10mmは例示であり、それぞれ任意の間隔を設定することができる。但し、装置構成上の制約から、間隔d1と間隔d2は異なる。
以上のウェハ処理装置1には制御部80が設けられている。制御部80は、前記大気圧下処理モジュールがウェハWを1つずつ処理する場合は、上部ピック42aはロードポート31と前記大気圧下処理モジュールとの間でウェハWを搬送し、下部ピック42bはロードロック20a及び前記大気圧下処理モジュールとの間でウェハWを搬送するようにウェハ搬送機構40を制御するように構成されている。ここで、ウェハWを1つずつ処理する場合とは、例えば、前記大気圧下処理モジュールがウェハを1枚ずつ処理する仕様になっていることを含む。あるいは、ウェハWを1つずつ処理する場合とは、例えば、前記大気圧下処理モジュールが複数枚を同時に処理可能であるが1つずつ処理するようシーケンスが組まれていることを含む。制御部80は、前記大気圧下処理モジュールが複数のウェハWを同時に処理する場合は、ピック部42がロードポート31、ローダーモジュール30及び前記大気圧下処理モジュールの間で複数のウェハWを同時に搬送するようにウェハ搬送機構40を制御する。ここで、複数のウェハWを同時に処理する場合とは、例えば、前記大気圧下処理モジュールが複数枚を同時に処理可能な仕様になっていることを含む。制御部80は、ウェハ搬送機構40によるロードロックモジュール20a、20bに対するウェハWの受け渡しを1つずつ行うようにウェハ搬送機構40を制御する。制御部80は、ウェハ搬送機構40によりロードロックモジュール20bから複数のウェハWを受け取る際、下部ピック42b、上部ピック42aの順でウェハWを受け取るようにウェハ搬送機構40を制御する。制御部80は、ウェハ搬送機構40によりロードロックモジュール20bから複数のウェハWを受け取る際、下部ピック42bから上部ピック42aに向けて後述の識別番号が昇順となるようにウェハWを受け取るようにウェハ搬送機構40を制御する。制御部80は、後述するように、ウェハ搬送機構40によりウェハWを1つずつ受け取る際、一のピック部42でウェハWを吸引保持した後、他のピック部42におけるウェハWの吸引を開始するようにウェハ搬送機構40を制御する。制御部80は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理装置1におけるウェハWの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、各種処理をプロセッサにより制御するための制御プログラムや、処理条件に応じてウェハ処理装置1の各構成部にウェハWを搬送するためのプログラム、即ち、搬送レシピが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部80にインストールされたものであってもよい。
なお、ウェハ処理装置1には、制御部80に加えて各モジュールに対して個々に制御部(図示せず)が設けられていてもよい。すなわち、例えばウェハ搬送機構40の動作を制御する搬送用制御部が更に設けられていてもよい。
なお、以下の説明において、オリエンタモジュール33、CORモジュール61、PHTモジュール62、CSTモジュール32及びロードロックモジュール20a、20bを、「処理モジュール」という場合がある。また、ウェハ搬送機構40及びウェハ搬送機構70を、「搬送モジュール」という場合がある。
<ウェハ処理装置1におけるウェハ処理の流れ>
次に、本実施形態にかかるウェハ処理装置1におけるウェハ処理について説明する。図4は、ウェハ処理装置1におけるウェハ処理の処理経路の一例を示す説明図である。
次に、本実施形態にかかるウェハ処理装置1におけるウェハ処理について説明する。図4は、ウェハ処理装置1におけるウェハ処理の処理経路の一例を示す説明図である。
先ず、複数のウェハWを収納したフープ100が、ロードポート31に搬入される(図4のポジションP1)。ロードポート31にフープ100が配置されると、制御部80は、フープ100からウェハWを取り出し、一連のウェハ処理工程を行うようにウェハ処理装置1を制御する。一連のウェハ処理工程においては、まず、フープ100に対してウェハ搬送機構40がアクセスし、フープ100からウェハWが取り出される。
フープ100から搬出されたウェハWは、先ず、ウェハ搬送機構40によりオリエンタモジュール33に搬送される(図4のポジションP2)。オリエンタモジュール33においてウェハWは、基準位置(例えばノッチ位置)からの水平方向からの向きが調節(オリエント処理)される。
水平方向の向きが調節されたウェハWは、ウェハ搬送機構40によりロードロックモジュール20aに搬入される(図4のポジションP3)。
次に、ウェハ搬送機構70のピック部72aによってウェハWが取り出され、ロードロックモジュール20aからトランスファモジュール60に搬入される。
続いて、ゲートバルブ64が開放され、ウェハWを保持するピック部72aがCORモジュール61に進入する。そして、ピック部72aからステージ63a、63bに、ウェハWが載置される(図4のポジションP4)。
次に、ゲートバルブ64が閉じられ、CORモジュール61においてウェハWに対してCOR処理が行われる。
CORモジュール61におけるCOR処理が終了すると、ステージ63a、63bからピック部72aにウェハWが受け渡され、ピック部72aでウェハWが保持される。
続いて、ゲートバルブ67が開放され、ウェハWを保持するピック部72aがPHTモジュール62に進入する。そして、ピック部72aからステージ66a、66bにウェハWが載置される(図4のポジションP5)。その後、ゲートバルブ67が閉じられ、ウェハWに対してPHT処理が行われる。
なおこの際、フープ100から次のウェハWが取り出され、オリエンタモジュール33を介してロードロックモジュール20aに搬入され、更にトランスファモジュール60を介してCORモジュール61に搬送される。そして、当該次のウェハWに対してCOR処理が行われる。
ウェハWのPHT処理が終了すると、ステージ66a、66bからピック部72bにウェハWが受け渡され、ピック部72bでウェハWが保持される。
その後、ゲートバルブ25bが開放され、ウェハ搬送機構70によってウェハWがロードロックモジュール20bに搬入される(図4のポジションP6)。ロードロックモジュール20b内が密閉され、大気開放される。そして、ゲートバルブ23bが開放され、ウェハ搬送機構40によって、ウェハWがCSTモジュール32に収納され(図4のポジションP7)、例えば1分のCST処理が行われる。
この際、COR処理が終了した次のウェハWがウェハ搬送機構70によりPHTモジュール62に搬送され、PHT処理が行われる。また更に、フープ100から更に次のウェハWが取り出され、オリエンタモジュール33を介してロードロックモジュール20aに搬入され、更にトランスファモジュール60を介してCORモジュール61に搬送される。そして、更に次のウェハWに対してCOR処理が行われる。
CST処理が完了するとウェハWは、ウェハ搬送機構40によってロードポート31に載置されたフープ100に収容される(図4のポジションP1)。そして、当該フープ100に収容されたすべてのウェハWのウェハ処理が完了し、フープ100に回収されるまで待機状態となる。
すべてのウェハWがフープ100に回収されると、ウェハ処理装置1における一連のウェハ処理が終了する。
なお、図1に示したようにウェハ処理装置1においてCORモジュール61及びPHTモジュール62が複数設けられている場合、複数のCORモジュール61及びPHTモジュール62はそれぞれ、並行して作動させることができる。すなわち、例えばウェハW、次のウェハW、更に次のウェハWは、同時にCOR処理、及びPHT処理を行うことができる。
また、ウェハ処理装置1においてウェハWは、2つ以上のウェハWを同時に搬送、処理することができる。すなわち、オリエンタモジュール33を除く、ウェハ搬送機構40、ウェハ搬送機構70、ロードロックモジュール20a、20b、CORモジュール61、PHTモジュール62及びCSTモジュール32においては、複数のウェハWを同時にこれらモジュールの内部に収容して処理を行うことができる。
<ウェハ処理装置1におけるウェハWの受け渡し及び搬送方法>
続いて、本実施形態にかかる、ウェハ処理装置1におけるウェハWの受け渡し及び搬送方法の詳細について説明する。ウェハ処理装置1のローダーモジュール30におけるウェハWの受け渡し及び搬送方法は、例えば以下の(A)第1の搬送パターン及び(B)第2の搬送パターンを選択的に実行することができる。
続いて、本実施形態にかかる、ウェハ処理装置1におけるウェハWの受け渡し及び搬送方法の詳細について説明する。ウェハ処理装置1のローダーモジュール30におけるウェハWの受け渡し及び搬送方法は、例えば以下の(A)第1の搬送パターン及び(B)第2の搬送パターンを選択的に実行することができる。
(A)第1の搬送パターン:大気圧下処理モジュールがウェハWを1つずつ処理する場合において、当該大気圧下処理モジュール、ロードロックモジュール20a、20b、ロードポート31の間でウェハWを搬送するパターンをいう。
(B)第2の搬送パターン:大気圧下処理モジュールが複数のウェハWを処理する場合において、当該大気圧下処理モジュール、ロードロックモジュール20a、20b、ロードポート31の間でウェハWを搬送するパターンをいう。
(B)第2の搬送パターン:大気圧下処理モジュールが複数のウェハWを処理する場合において、当該大気圧下処理モジュール、ロードロックモジュール20a、20b、ロードポート31の間でウェハWを搬送するパターンをいう。
図5は、以下に示す本実施形態にかかるウェハWの搬送パターンの例を示す説明図である。図5においては、2つのウェハW1及びW2を搬送及び処理する場合を例に説明を行う。また、図5においては、ローダーモジュール30で第1の搬送パターン(図5中の(A))と第2の搬送パターン(図5中の(B))の両方が行われる。なお、図5において縦軸の「t」は、ウェハ処理装置1における時間軸を示している。また、横軸に示す「FOUP100」はフープ100、「Pick42a」及び「Pick42b」はそれぞれ上部ピック42a及び下部ピック42b、「ORT33」はオリエンタモジュール33、「UST21a」及び「LST22a」はそれぞれロードロックモジュール20aの上部ストッカ21a及び下部ストッカ22a、「UST21b」及び「LST22b」はそれぞれロードロックモジュール20bの上部ストッカ21b及び下部ストッカ22b、「COR61」はCORモジュール61、「PHT62」はPHTモジュール62、「CST32」はCSTモジュール32を示している。
(A)第1の搬送パターン
図5の(A)は、後段の減圧下処理モジュール(例えばCOR61及びPHT62)が2つのウェハWを同時に処理する一方で、大気圧下処理モジュール(例えばORT33)がウェハWを1つずつ処理する場合を示している。この場合、上部ピック42a及び下部ピック42bは、大気部10におけるウェハWの搬送処理(例えばフープ100からロードロックモジュール20aへの搬送処理)を分担して行うように、制御部80により制御される。すなわち、例えば第1の基板保持部としての上部ピック42aはフープ100とオリエンタモジュール33との間でウェハWの搬送を行うように制御される。また、例えば第2の基板保持部としての下部ピック42bはオリエンタモジュール33とロードロックモジュール20aとの間でウェハWの搬送を行うように制御される。
図5の(A)は、後段の減圧下処理モジュール(例えばCOR61及びPHT62)が2つのウェハWを同時に処理する一方で、大気圧下処理モジュール(例えばORT33)がウェハWを1つずつ処理する場合を示している。この場合、上部ピック42a及び下部ピック42bは、大気部10におけるウェハWの搬送処理(例えばフープ100からロードロックモジュール20aへの搬送処理)を分担して行うように、制御部80により制御される。すなわち、例えば第1の基板保持部としての上部ピック42aはフープ100とオリエンタモジュール33との間でウェハWの搬送を行うように制御される。また、例えば第2の基板保持部としての下部ピック42bはオリエンタモジュール33とロードロックモジュール20aとの間でウェハWの搬送を行うように制御される。
具体的には、例えばウェハW1及びW2が収容されたフープ100がウェハ処理装置1に搬入されると(図5における時間t0)、上部ピック42aはフープ100内のウェハW1を保持し、ウェハW1をオリエンタモジュール33に搬入する(図5における時間t1)。そして、オリエンタモジュール33がウェハW1に対してオリエント処理を行っている間、上部ピック42aは、フープ100内のウェハW2を保持し、オリエンタモジュール33に向けてウェハW2の搬送を行う(図5における時間t2)。なお、下部ピック42bは、ウェハW1のオリエント処理が終了するまでの間(例えば時間t0~t2の間)、ウェハW1及びW2の搬送処理に関与しない。
ウェハW1のオリエント処理が終了すると、下部ピック42bは、オリエンタモジュール33内のウェハW1を保持し、ウェハW1をオリエンタモジュール33から搬出する。それに続いて、上部ピック42aは、ウェハW2をオリエンタモジュール33に搬入する。そして、オリエンタモジュール33がウェハW2に対してオリエント処理を行っている間、下部ピック42bは、ウェハW1をロードロックモジュール20aに向けて搬送する(図5における時間t3)。
その後、下部ピック42bがウェハW1をロードロックモジュール20aの上部ストッカ21aに搬入すると、上部ピック42a及び下部ピック42bは、ウェハWを保持しない状態、いわゆるフリーの状態になる。上部ピック42a及び下部ピック42bの双方がフリーになる状態は、ロードロックモジュール20aへのウェハW1の搬入が終了してからウェハW2に対するオリエント処理が完了するまでの間、持続する。従って、上部ピック42a及び下部ピック42bは、このようなフリーの状態の間であれば、他の搬送処理、例えば減圧処理が施されたウェハWをロードロックモジュール20aからフープ100へ搬送する処理に関与することも可能である。そして、ウェハW2に対するオリエント処理が完了すると、下部ピック42bは、オリエンタモジュール33内のウェハW2を保持し、ウェハW2を搬送し(図5における時間t4)、ウェハW2をロードロックモジュール20aの下部ストッカ22aに搬入する(図5における時間t5)。なお、上部ピック42aは、ウェハW2をオリエンタモジュール33に搬入した後に(例えば時間t3以降)、ウェハW1及びW2の搬送処理に関与しない。
以上のように、上部ピック42a、下部ピック42bを用いて2つのウェハW1、W2の搬送を連続的に行うことにより、従来1つの搬送アームによりウェハWの搬送を行っていたローダーモジュール30内において、ウェハWの搬送にかかるスループットを向上させることができる。また、上述のように第1の搬送パターンによれば、2つのウェハWを搬送するにあたって、上部ピック42a及び下部ピック42bのいずれもがウェハWを保持していないフリー状態となるタイミングが存在する。これにより、例えば2つのウェハWに先行して処理が行われている他のウェハWの搬送や、例えば処理工程中に発生したエラーウェハWeの回収に関与することができ、ウェハ処理工程にかかるスループットを向上させることができる。
なお、以上第1の搬送パターンによれば、上部ピック42aはフープ100とオリエンタモジュール33との間、下部ピック42bはオリエンタモジュール33とロードロックモジュール20aとの間でウェハWの搬送を行うように制御されたが、搬送パターンはこれに限定されない。すなわち、例えば下部ピック42bがフープ100とオリエンタモジュール33との間、上部ピック42aがオリエンタモジュール33とロードロックモジュール20aとの間でウェハWの搬送を行うように制御されてもよい。
(減圧下処理におけるウェハの搬送)
減圧部11が備える減圧下処理モジュールは、上述のように2つのウェハW1、W2を同時に処理することができる。かかる場合、2つのウェハW1、W2は、当該減圧下処理モジュールに対して同時に搬送が行われる。
減圧部11が備える減圧下処理モジュールは、上述のように2つのウェハW1、W2を同時に処理することができる。かかる場合、2つのウェハW1、W2は、当該減圧下処理モジュールに対して同時に搬送が行われる。
具体的には、例えば前記時間t5において2つのウェハW1及びW2がロードロックモジュール20aに搬入されると、次に、ウェハW1及びW2がウェハ搬送機構70のピック部72a、72bに保持され、順次、CORモジュール61、PHTモジュール62、ロードロックモジュール20bに同時搬送され、また同時処理される(図5における時間t6~t8)。
(B)第2の搬送パターン
図5の(B)は、後段の減圧下処理モジュール(例えばCOR61及びPHT62)が2つのウェハWを同時に処理し、かつ、大気圧下処理モジュール(例えばORT33)が2つのウェハWを同時に処理する場合を示している。この場合、上部ピック42a及び下部ピック42bは、大気部10における2つのウェハW1、W2の搬送処理(例えばロードロックモジュール20aからフープ100への搬送処理)を同時に行うように、制御部80により制御される。
図5の(B)は、後段の減圧下処理モジュール(例えばCOR61及びPHT62)が2つのウェハWを同時に処理し、かつ、大気圧下処理モジュール(例えばORT33)が2つのウェハWを同時に処理する場合を示している。この場合、上部ピック42a及び下部ピック42bは、大気部10における2つのウェハW1、W2の搬送処理(例えばロードロックモジュール20aからフープ100への搬送処理)を同時に行うように、制御部80により制御される。
例えば、減圧部11においてCOR処理やPHT処理等の減圧下処理が施された2つのウェハ(減圧下処理済みウェハ)W1及びW2がロードロックモジュール20a内に載置される。その後、上部ピック42a及び下部ピック42bは、2つの減圧下処理済みウェハW1及びW2をCSTモジュール32に同時に搬送し、CST処理の後に2つのウェハW1及びW2をフープ100に同時に搬送する(図5における時間t10~t13)。
以上第2の搬送パターンによれば、2つのウェハW1及びW2の搬送を同時に行うことができるため、従来ウェハWの搬送が1つずつ行われていたローダーモジュール30において2つのウェハWを同時に搬送することができ、ウェハWの搬送にかかるスループットを適切に向上させることができる。
なお、上述したように、本実施形態にかかるウェハ処理装置1によれば、減圧部11及びロードロックモジュール20a、20bにおいて2つのウェハW1、W2は、間隔d1離隔されて保持される。一方、大気部10において2つのウェハW1、W2は、間隔d2離隔されて保持される。すなわち、ロードロックモジュール20a内の各ストッカにおける隣接するストッカ21a、22aの間の間隔d1と大気部10内の各ピックにおける隣接するピック42a、42bの間の間隔d2は異なる。
かかる際、同一の保持間隔を有するモジュール間でのウェハWの受け渡しを行う際、すなわち、保持間隔が間隔d1同士であるモジュール間、又は保持間隔がd2同士であるモジュール間でウェハWの受け渡しを行う際には、当該保持間隔を保って搬入先の処理モジュールに対して搬送モジュールがアクセスできるため、2つのウェハWを同時に受け渡すことができる。
一方、保持間隔が異なるモジュール間でウェハWの受け渡しを行う際、すなわち、ロードロックモジュール20a、20bとウェハ搬送機構40との間でウェハWの受け渡しを行う際には、2つのウェハWを同時に受け渡すことができない。例えば、間隔d1が12mmであり、間隔d2が10mmである場合(すなわちd1>d2の場合)、各ピック42a、42bは、ロードロックモジュール20a内の各ストッカ21a、22aに載置されたウェハW1、W2を同時に保持することができない。このため、制御部80により前記第2の搬送パターンが行われる場合であっても、2つのウェハWは、1つずつ受け渡し(保持)が行われる。よって、制御部80は、ウェハ搬送機構40によるロードロックモジュール20a、20bに対するウェハWの受け渡しを1つずつ行うようにウェハ搬送機構40を制御する。すなわち、ウェハ搬送機構40の第1のピックが1つ目のウェハWを保持した後、昇降機構45により間隔d1及び間隔d2の差分高さが調節され、第2のピックが2つ目のウェハWを保持する。
具体的には、2つのウェハW1、W2がロードロックモジュール20bに搬入された後(図5の時間t8)、下部ピック42bは、例えば下部ストッカ22bに載置されたウェハW2を保持する(図5の時間t9)。その後、ウェハ搬送機構40は昇降機構45の動作により上部ピック42aの高さが上部ストッカ21bの高さに調節され、上部ピック42aは、当該上部ストッカ21bに載置されたウェハW1を保持する(図5の時間t10)。すなわち、制御部80は、ウェハ搬送機構40によりロードロックモジュール20aから複数のウェハWを受け取る際、下方に位置するピック42bから上方に位置するピック42aに向けて順次ウェハWを受け取る(保持する)ようにウェハ搬送機構40を制御する。
このように、本実施形態にかかるウェハ搬送機構40においては間隔d1及び間隔d2の高さ差分を昇降機構45の動作により補正することができるため、当該高さ差分に合わせて適切にウェハWの受け渡しを行うことができる。なお、高さ差分を調節するにあたっては、上部ピック42a及び下部ピック42bを同時にロードロックモジュール20bに挿入した後、ピック部42を挿入したまま昇降機構45を動作させてもよい。また、下部ピック42bのみを挿入してウェハW2を受け取った後、下部ピック42bを退却させ、その後、昇降機構45を動作させた後、上部ピック42aのみを挿入するようにしてもよい。
また、上記説明においては下部ピック42bにより下部ストッカ22bに保持されたウェハW2を受け取った後、上部ピック42aにより上部ストッカ21bに保持されたウェハW1を受け取るように制御された。しかしながら、ウェハ搬送機構40の制御方法はこれに限定されず、例えば上部ピック42aによりウェハW2を受け取り、下部ピック42bによりウェハW1を受け取るように制御を行ってもよい。また、上部ピック42aを先にロードロックモジュール20bにアクセスするように制御を行ってもよい。
<他の実施形態>
なお、ウェハ処理装置1において制御部80により制御される搬送パターンは、上記の例には限定されない。
なお、ウェハ処理装置1において制御部80により制御される搬送パターンは、上記の例には限定されない。
図6は、他の実施形態にかかるウェハ処理装置1における搬送パターンの一例を示す説明図である。なお、本実施形態においては、オリエンタモジュール33が2つのウェハWの処理を同時に行うことができる場合を示している。かかる場合、フープ100から搬出され、オリエンタモジュール33を介してロードロックモジュール20aに搬入される2つのウェハWは、同時に搬送及び処理を行うことができる。
具体的には、図6の(B)に示すように、例えばウェハW1及びW2がフープ100に収容されてウェハ処理装置1に搬入されると(図6における時間t0)、ウェハW1及びW2が上部ピック42a及び下部ピック42bに保持されてオリエンタモジュール33に向けて同時搬送を行う(図6における時間t1)。
そして、オリエンタモジュール33において同時にオリエント処理された2つのウェハW1、W2は、再びウェハ搬送機構40の上部ピック42a及び下部ピック42bに保持されてロードロックモジュール20aに向けて搬送される(図6の時間t2~時間t3)。
ここで、上述したようにウェハ搬送機構40の保持間隔とロードロックモジュール20aの保持間隔とが異なる、このため、ウェハ搬送機構40に保持された2つのウェハW1、W2は、まず、上部ピック42aに保持されたウェハW1が上部ストッカ21aに受け渡される(図6の時間t4)。その後、ウェハ搬送機構40は昇降機構45の動作により下部ピック42bの高さが下部ストッカ22aの高さに調節され、下部ピック42bに保持されたウェハW2が下部ストッカ22aに受け渡される(図6の時間t5)。
このように、2つのウェハW1及びW2の搬送を同時に行うことにより、ウェハWの搬送にかかるスループットを適切に向上させることができる。
なお、このような2つのウェハWの同時搬送は、ウェハWに対してオリエント処理を行う必要が無い場合、すなわち、フープ100からロードロックモジュール20aに直接的にウェハWの搬送を行う場合にも適用することができる。これによりウェハWの搬送にかかるスループットを適切に向上させることができる。
また、上述の第2の搬送パターンにおいては、各処理モジュールがウェハWの処理を2つ同時に処理するため、ウェハWの搬送を同時に行ったが、例えばモジュールの不具合や搬送中のウェハWの紛失等によりウェハWの搬送を1つずつ行う必要がある場合には、ウェハW1、W2の搬送を1つずつ行ってもよい。
具体的には、図6の(A)に示すように、例えばロードロックモジュール20bに収容された2つのウェハW1、W2は(図6における時間t8)、まず、ウェハW1が上部ピック42aに保持されて(図6における時間t9)、CSTモジュール32に搬入される。そして、ウェハW1がCST処理をされる間、ウェハW1をCSTモジュール32に搬入して空いた上部ピック42aは、ウェハW2を保持して、CSTモジュール32に向けてウェハW2の搬送を行う(図6における時間t10)。
ウェハW1のCST処理が終了すると、ウェハW1は下部ピック42bに保持され、それに続いてウェハW2がCSTモジュール32に搬入される。そして、ウェハW2がCST処理をされる間、ウェハW1はフープ100に向けて搬送される(図6における時間t11)。
その後、ウェハW1がフープ100に搬入されると、ウェハW1をフープ100に搬入して空いた下部ピック42bは、ウェハW2を保持して、フープ100に向けてウェハW2の搬送を行い(図6における時間t12)、その後ウェハW2をフープ100に搬入する(図6における時間t13)。
このように、ウェハ処理装置1において行われるウェハWの搬送パターンは任意に選択することが可能である。これにより、ウェハ処理の状況に応じて適切にウェハWの搬送パターンを選択することができるため、ウェハWの搬送にかかるスループットを適切に向上させることができる。
そして、本実施形態にかかるウェハ処理装置1においては、上述した各種搬送パターンの組み合わせが制御部80により自動的に判定され、ウェハWの搬送が行われる。このように、状況に応じて制御部80が自動的に適切なウェハWの搬送パターンを選択することにより、ウェハWの搬送にかかるスループットを更に適切に向上させることができる。また、以上の搬送パターンの判定は、ウェハWが搬入出される処理モジュール毎に行われていてもよい。
このように、ウェハ処理装置1におけるウェハWの搬送パターンは、任意に選択することが可能である。すなわち、図5及び図6においては、ウェハWの搬送経路中において第1の搬送パターン及び第2の搬送パターンのそれぞれが1回ずつ行われていたが、搬送パターンの組み合わせとしての選択例はこれに限定されない。例えば前記搬送経路の前半、(オリエンタモジュール33を介した図5における(A)及び図6における(B))と、前記搬送経路の後半(CSTモジュール32を介した図5における(B)及び図6における(A))の両方において、前記第1の搬送パターンが選択されてもよい。また、当然に前記搬送経路の前半及び鋼板の両方において第2の搬送パターンのみが選択されてもよい。
なお、以上の搬送パターンの選択は、制御部80による制御に加え、例えばオペレーターによって更に手動で判断を行うことができるように構成されていてもよい。
また、本実施形態においては、昇降機構45によりウェハ搬送機構40のピック部42の高さ差分を調節するように構成したが、高さ差分の調節方法はこれに限定されない。例えば昇降機構45に代えて、ピック間隔調節機構(図示せず)を設けることにより、ウェハ搬送機構40の上部ピック42a及び下部ピック42bの間隔を調節できるように構成してもよい。かかる場合、ピック間隔の調節により、処理モジュールのウェハWの保持間隔がいかなる場合であっても、2つ同時の受け渡し動作を行うことができるため、ウェハ受け渡しにかかるスループットを更に向上させることができる。
なお、以上の説明においては、ウェハWを2枚葉で処理する場合を例に説明を行ったが、ウェハWの同時処理枚数はこれに限定されない。例えばウェハ処理が3つ以上同時に行われる場合であっても、昇降機構45の動作により高さ差分を補正してウェハWの受け渡しを行うことができるため、適切にウェハWの受け渡しを行うことができる。
なお、以上の搬送パターンに示したようにウェハWの搬送を2つ同時に行うにあたっては、下部ピック42bで保持されるウェハWに設定された識別番号が、上部ピック42aに保持されたウェハWの識別番号よりも小さくなるように制御されることが好ましい。すなわち、同一のウェハ搬送機構40により複数のウェハWを搬送するにあたっては、下方に位置するピックから上方に位置するピックに向けて、識別番号が昇順となるようにウェハWを保持することが好ましい。さらに望ましくは、識別番号が下方から順に連番となっていることが望ましい。すなわち、例えば図5に示す例にあたっては、下部ピック42bに保持されるウェハW2の識別番号が、上部ピックW1に保持されるウェハW1の識別番号よりも大きい場合が好ましい。
フープ100の内部に多段に収容される複数のウェハWは、一般的に下方から順に識別番号が昇順となるように収容されている。このことから、ウェハWの搬送時においても識別番号が下方から昇順となるように保持されることにより、フープ100に対するウェハWの搬入動作を適切化することができる。そしてその結果、ウェハWの受け渡し、搬送にかかるスループットを向上させることができる。
なお、例えばフープ100にウェハWを搬入するにあたっては、ウェハ搬送機構40が保持する2つのウェハWの識別番号が下方から昇順となっており、かつ、当該識別番号が連番である場合には2つ同時に搬入(第1の搬送パターン)し、連番となっていない場合には1つずつ連続して搬入(第2の搬送パターン)するように制御してもよい。すなわち、すべてのウェハWがフープ100に対して搬入された際に、フープ100の内部において識別番号が下方から昇順の連番となるようにウェハWの搬入が行われる。
また、これと同様の理由により、CSTモジュール32に多段に搬入されるウェハWは、当該CSTモジュール32の内部において下方から昇順となるように搬入されることが望ましい。これにより、例えばウェハWの搬送にあたって識別番号がずれてしまった場合であっても、CSTモジュール32において識別番号のソートを行い、フープ100に対するウェハWの搬入動作を適切化することができる。
すなわち、CSTモジュール32に対してウェハWを搬入するに際しては、当該CSTモジュール32の内部において下方から昇順の連番となるようにウェハWを搬入できる場合には2つのウェハWを同時に搬入し、昇順の連番とならない場合には1つずつ連続して搬入するように制御してもよい。また、CSTモジュール32からウェハWを搬出する際にも同様である。
なお、これらウェハWの識別番号の並びは、フープの100の内部において、識別番号が上方から順に昇順となるように収容されている場合には、それぞれ上方に位置するウェハWの識別番号が小さくなるように制御されてもよい。
なお、例えば上述の高さ差分を調節する場合のようにウェハ搬送機構40に対して2つのウェハWが1つずつ受け渡される場合、当該2つのウェハWは、下部ピック42bに対して先に受け渡されるように制御することが好ましい。すなわち、同一のウェハ搬送機構に複数のウェハWを1つずつ受け渡す際には、図5の時間t8~時間t10に示すように、下方に位置するピックから上方に位置するピックに向けて順番に、ウェハWが載置されていくことが好ましい。これにより、ウェハ搬送機構40に対するウェハWの受け渡し動作を適切に行うことができるとともに、ウェハWの受け渡し動作に起因するパーティクルが下方に落下するのを抑制することができる。
<ピック部42の構成の例>
なお、ウェハ搬送機構40によるウェハWの保持形式は任意に選択することができる。例えば、図7に示すように、ウェハ搬送機構40の各ピック42a、42bは、吸引保持部を有し、各吸引保持部は、複数の吸引孔140a、140bを有する。図7に示す例では、上部ピック42aのウェハ載置面には、3つの吸引孔140a、140a、140a及び3つのバキュームパッド141a、141a、141aが設けられている。また、下部ピック42bのウェハ載置面には、3つの吸引孔140b、140b、140b及び3つのバキュームパッド141b、141b、141bが設けられている。そしてこれらバキュームパッド141a、141a、141a、141b、141b、141bにより、ウェハWを載置面上に吸着保持することができる。
なお、ウェハ搬送機構40によるウェハWの保持形式は任意に選択することができる。例えば、図7に示すように、ウェハ搬送機構40の各ピック42a、42bは、吸引保持部を有し、各吸引保持部は、複数の吸引孔140a、140bを有する。図7に示す例では、上部ピック42aのウェハ載置面には、3つの吸引孔140a、140a、140a及び3つのバキュームパッド141a、141a、141aが設けられている。また、下部ピック42bのウェハ載置面には、3つの吸引孔140b、140b、140b及び3つのバキュームパッド141b、141b、141bが設けられている。そしてこれらバキュームパッド141a、141a、141a、141b、141b、141bにより、ウェハWを載置面上に吸着保持することができる。
また、各吸引保持部には、共通の吸引機構143が接続されている。すなわち、吸引機構143は、上部ピック42aの吸引保持部と下部ピック42bの吸引保持部とに接続されている。例えば、図8に示すように、上部ピック部42a上に形成されたバキュームパッド141aには、真空ライン142aが接続されている。また、下部ピック部42b上に形成されたバキュームパッド141bには、真空ライン142bが接続されている。真空ライン142a、142bは、アーム部41及び昇降機構45の内部を通って、ウェハ搬送機構40の外部に設けられた吸引機構143に接続されている。吸引機構143には、例えば真空ポンプが用いられる。ウェハ搬送機構40は、吸引機構143を動作させることによりバキュームパッド141の吸引孔140を介してウェハWを吸引し、吸着保持することができる。なお、真空ライン142a、142bには、昇降機構45の下流側においてバルブVが設けられている。このバルブVにより、上部ピック42aにおけるウェハWの吸引のオンオフと、下部ピック42bにおけるウェハWの吸引のオンオフを切り換えることができる。
<第1のウェハWの未検知対策>
以上の構成のウェハ搬送機構40を用いて第2の搬送パターンを行う場合、すなわち2つのウェハWの受け渡しを1つずつ行う場合、1つ目のウェハWの保持後、2つ目のウェハWを保持する際に、1つ目のウェハWがピック部42から跳ね上げられてしまうおそれがある。本発明者らはこのウェハWの跳ね上げの原因を解明した。すなわち、2つ目のウェハWを吸着しようとする際、当該2つ目のウェハWの載置前に、1つ目のウェハWに対して吸引機構143による吸引が行われていると、吸引孔140から少量の大気を吸引してしまう。そうすると、吸引された大気が1つ目のウェハWを保持しているバキュームパッド141に対して揚力を与える。この揚力により、1つ目のウェハWが跳ね上げられる。また、特に1つ目のウェハWが変形(例えば上に凸形状)していた場合や、ウェハWの吸着面にデポが付着していた場合、当該揚力の影響を受けやすくなってしまう。
以上の構成のウェハ搬送機構40を用いて第2の搬送パターンを行う場合、すなわち2つのウェハWの受け渡しを1つずつ行う場合、1つ目のウェハWの保持後、2つ目のウェハWを保持する際に、1つ目のウェハWがピック部42から跳ね上げられてしまうおそれがある。本発明者らはこのウェハWの跳ね上げの原因を解明した。すなわち、2つ目のウェハWを吸着しようとする際、当該2つ目のウェハWの載置前に、1つ目のウェハWに対して吸引機構143による吸引が行われていると、吸引孔140から少量の大気を吸引してしまう。そうすると、吸引された大気が1つ目のウェハWを保持しているバキュームパッド141に対して揚力を与える。この揚力により、1つ目のウェハWが跳ね上げられる。また、特に1つ目のウェハWが変形(例えば上に凸形状)していた場合や、ウェハWの吸着面にデポが付着していた場合、当該揚力の影響を受けやすくなってしまう。
このようにウェハWに揚力が与えられ、跳ね上げられてしまった場合、当該ウェハWに損傷を与えてしまったり、あるいは、当該ウェハWをウェハ搬送機構40が検知できなくなってしまったりする場合がある。すなわち、通常ウェハ搬送機構40は、ウェハWを保持した際に検知される保持圧力によりウェハWの保持状況を把握しているが、当該ウェハWの跳ね上がりにより保持圧力を検知できなくなってしまう場合がある。
かかるウェハWの未検知を防止するための方法は、例えば以下の(a)~(c)に示すようなものが挙げられる。
(a)ウェハWの搬送を一つずつ行う方法
上記したようなウェハWの未検知は、例えばウェハ搬送機構40において2つのウェハWを1つずつ連続的に受け渡しする場合に懸念されるものである。そこで、このようなウェハWの跳ね上がりによる未検知が懸念される場合であって、例えばウェハWの変形が既知である場合には、ウェハ搬送機構40による2つ搬送を中止する。そして、跳ね上がりが懸念されるウェハWを1つで受け渡し、搬送を行うように制御する。これにより、2つ目のウェハWの保持を行うことが無いため、1つ目のウェハWの跳ね上がりを防止することができる。
上記したようなウェハWの未検知は、例えばウェハ搬送機構40において2つのウェハWを1つずつ連続的に受け渡しする場合に懸念されるものである。そこで、このようなウェハWの跳ね上がりによる未検知が懸念される場合であって、例えばウェハWの変形が既知である場合には、ウェハ搬送機構40による2つ搬送を中止する。そして、跳ね上がりが懸念されるウェハWを1つで受け渡し、搬送を行うように制御する。これにより、2つ目のウェハWの保持を行うことが無いため、1つ目のウェハWの跳ね上がりを防止することができる。
(b)2つ目のウェハWを保持するピック部42における吸引開始のタイミングを制御する方法
上述したようなウェハWの未検知は、2つ目のウェハWを吸着保持するに際して吸引孔140から大気を吸引してしまうことにより発生する。そこで、例えば図9に示すように真空ライン142a、142bのそれぞれにバルブVa、Vbを設けることにより、真空引きをそれぞれ任意のタイミングで行うことができるように構成する。そして、2つ目のウェハWの吸引保持は、当該ウェハWをピック部42上に載置した後、すなわちウェハWとバキュームパッド141との間に隙間がなくなった後に吸引を開始するように制御する。これにより2つ目のウェハWの吸引保持を開始する際に大気が吸引されることを防止することができ、1つ目のウェハWの跳ね上がりを防止することができる。
上述したようなウェハWの未検知は、2つ目のウェハWを吸着保持するに際して吸引孔140から大気を吸引してしまうことにより発生する。そこで、例えば図9に示すように真空ライン142a、142bのそれぞれにバルブVa、Vbを設けることにより、真空引きをそれぞれ任意のタイミングで行うことができるように構成する。そして、2つ目のウェハWの吸引保持は、当該ウェハWをピック部42上に載置した後、すなわちウェハWとバキュームパッド141との間に隙間がなくなった後に吸引を開始するように制御する。これにより2つ目のウェハWの吸引保持を開始する際に大気が吸引されることを防止することができ、1つ目のウェハWの跳ね上がりを防止することができる。
(c)上部ピック42a及び下部ピック42bの真空ライン142をそれぞれ独立させる方法
図10に示すように、上部ピック42a及び下部ピック42bに対してそれぞれ吸引機構143a、143bを独立して設ける。これより、上述のように2つ目のウェハWを吸着保持するに際して吸引孔140から大気を吸引してしまった場合であっても、1つ目のウェハWの跳ね上がりを防止することができる。
図10に示すように、上部ピック42a及び下部ピック42bに対してそれぞれ吸引機構143a、143bを独立して設ける。これより、上述のように2つ目のウェハWを吸着保持するに際して吸引孔140から大気を吸引してしまった場合であっても、1つ目のウェハWの跳ね上がりを防止することができる。
以上、3つのウェハWの未検知防止手法によれば、2つ目のウェハWの吸引保持の際に懸念される、1つ目のウェハWの跳ね上がりを適切に防止することができる。そして、ウェハWの跳ね上がりに起因するウェハWの未検知を防止しつつ、ウェハWの受け渡しにかかるスループットを向上させることができる。また更に、適切にウェハWの2つ同時搬送、又は1つ搬送を判定して搬送を行うことができるため、搬送にかかるスループットを向上させることができる。
<第2のウェハWの未検知対策>
上述のように、ウェハWに変形(例えば上に凸形状)が生じていた場合や、ウェハWの吸着面にデポが付着していた場合、当該ウェハWをウェハ搬送機構40が検知できなくなる場合がある。通常、ウェハ処理装置1においてエラーが通知された場合、一連のウェハ処理を中断してエラー要因の確認及びメンテナンスを行った後、ウェハ処理を初期化してウェハ処理装置1の立ち上げが行われる。そしてかかる初期化動作が行われる場合、ウェハ搬送機構40上におけるウェハWの有無を確認して動作を行うが、実際にはウェハ搬送機構40上にウェハWが存在していたとしても、未検知によりウェハWがないものとして、そのままウェハ処理装置1が動作してしまう場合がある。そして、このようにウェハWがいないものとして動作した場合、当該ウェハWに損傷を与えてしまうおそれがある。
上述のように、ウェハWに変形(例えば上に凸形状)が生じていた場合や、ウェハWの吸着面にデポが付着していた場合、当該ウェハWをウェハ搬送機構40が検知できなくなる場合がある。通常、ウェハ処理装置1においてエラーが通知された場合、一連のウェハ処理を中断してエラー要因の確認及びメンテナンスを行った後、ウェハ処理を初期化してウェハ処理装置1の立ち上げが行われる。そしてかかる初期化動作が行われる場合、ウェハ搬送機構40上におけるウェハWの有無を確認して動作を行うが、実際にはウェハ搬送機構40上にウェハWが存在していたとしても、未検知によりウェハWがないものとして、そのままウェハ処理装置1が動作してしまう場合がある。そして、このようにウェハWがいないものとして動作した場合、当該ウェハWに損傷を与えてしまうおそれがある。
かかるウェハWの未検知を防止するため、例えばウェハ処理装置1の初期化動作においては、上述の保持圧力の検知に加え、ウェハ搬送機構40上のウェハWの有無を、図示しない例えばビームセンサなどの検知センサにより検知する。なお、かかる検知センサが本開示にかかる基板検知部に相当する。
また、検知センサはウェハ処理装置1における任意の位置に設置することができるが、ウェハ処理装置1の初期化時におけるウェハ搬送機構40のアーム位置によらずにウェハWの検知を行うことができる位置に設けられることが望ましい。すなわち、例えば図11に示すように、検知センサ200は第2アーム41bに設けることができる。以下の説明においては、検知センサ200が第2アーム41bに設けられた場合を例に説明を行う。
ウェハ処理装置1の初期化時におけるウェハWの検知においては、先ず、図12(a)に示すように第3アーム41cと第4アーム41dが重なるように配置する。
次に、図12(b)に示すように第3アーム41cを回転させ、検知センサ200により第3アーム41cのウェハWの保持状況を確認する。なおこの際、検知センサ200によるウェハWの検知に加え、ウェハWを保持した際に検知される第3アーム41cの保持圧力を検知する。
続いて図12(c)に示すように第3アーム41c及び第4アーム41dを回転させ、検知センサ200により第4アーム41dのウェハWの保持状況を確認する。なおこの際、検知センサ200によるウェハWの検知に加え、ウェハWを保持した際に検知される第4アーム41dの保持圧力を検知する。
そして、第3アーム41c及び第4アーム41dにおけるウェハWの保持状況の確認が完了すると、再度、図12(d)に示すように第3アーム41cと第4アーム41dを重なるように配置し、ウェハWの検知動作を終了する。
次に、図12(b)に示すように第3アーム41cを回転させ、検知センサ200により第3アーム41cのウェハWの保持状況を確認する。なおこの際、検知センサ200によるウェハWの検知に加え、ウェハWを保持した際に検知される第3アーム41cの保持圧力を検知する。
続いて図12(c)に示すように第3アーム41c及び第4アーム41dを回転させ、検知センサ200により第4アーム41dのウェハWの保持状況を確認する。なおこの際、検知センサ200によるウェハWの検知に加え、ウェハWを保持した際に検知される第4アーム41dの保持圧力を検知する。
そして、第3アーム41c及び第4アーム41dにおけるウェハWの保持状況の確認が完了すると、再度、図12(d)に示すように第3アーム41cと第4アーム41dを重なるように配置し、ウェハWの検知動作を終了する。
ウェハWの検知において、第3アーム41c及び第4アーム41dのそれぞれにおいて、検知センサ200による検知結果と保持圧力による検知が一致した場合、ウェハ処理装置1の初期化動作を続行する。一方、第3アーム41c及び第4アーム41dの少なくともいずれかにおいて、検知センサ200による検知結果と保持圧力による検知が一致しなかった場合、ウェハ処理装置1の初期化動作を中断し、エラーを通知する。
第2のウェハWの未検知対策によれば、保持圧力によるウェハWの検知に加え、更に検知センサによってウェハWの検知を行い、その結果が一致した場合にのみ動作を継続する。これにより、アーム上におけるウェハWの有無を誤検知することが抑制され、その結果、ウェハWに損傷を与えられることが抑制される。
なお、保持圧力によるウェハWの検知、及び、検知センサによるウェハWの検知は、それぞれ同一のコントローラにより制御されることが好ましい。
また第2のウェハWの未検知対策によれば、例えば第2アーム41bに検知センサ200を設けることにより、ウェハ処理装置1の初期化時におけるウェハ搬送機構40のアーム位置によらず、適切にウェハWの有無を検知することができる。
また、例えば第2アーム41bに検知センサ200を設けることにより、図12に示したように第3アーム41c及び第4アーム41dをその場で回転させることのみによって、容易にそれぞれのアーム上におけるウェハWの有無を検知することができる。
なお、上記説明においては検知センサ200が第2アーム41bに設けられる場合を例に説明を行ったが、検知センサの数や設置位置は当然にこれに限られるものではない。例えば、検知センサは上部ピック42a及び下部ピック42bのそれぞれに設けられていてもよいし、第1アーム41aに設けられていてもよい。また例えば、上記説明においては検知センサ200がウェハ搬送機構40に設けられる場合を例に説明を行ったが、ウェハ搬送機構70に同様の検知センサがさらに設けられていてもよい。また、検知センサは必ずしもウェハ搬送機構に設けられる必要はなく、ウェハ処理装置1の内部において任意の場所に設けることができる。
また、上記説明においては第2のウェハWの未検知対策がウェハ処理装置1の初期化動作時に行われる場合を例に説明を行ったが、第2のウェハWの未検知対策は他のタイミングにおいて行われてもよい。例えばウェハ処理装置1の初期化時に加え、ウェハ処理装置1のメンテナンスや点検後の復帰動作に行われてもよい。
また例えば、第2のウェハWの未検知対策はウェハ搬送機構に対するウェハWの受け渡し時において、その都度行われてもよい。具体的には、例えばロードロックモジュール20a、20bに対するウェハWの搬入出を行う際に、ウェハWの受け渡しが確実に行われたことを確認するために行われてもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、ウェハ搬送機構40の構成は上述の実施形態には限定されず、ウェハWを複数同時に搬送できるものであればよく、保持方法も吸着保持には限定されない。
また例えば、以上の実施形態においてはウェハ処理装置1の内部でウェハWに対してCOR処理、PHT処理、CST処理が連続的に行われる場合を例に説明を行ったが、ウェハWに対してのウェハ処理の順序はこれに限定されない。また、ウェハ処理装置1の内部で行われる処理に関しても、これらの処理には限定されず、例えばエッチング処理が行われていてもよい。
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
(1)大気圧下で基板が処理される大気部において、少なくとも1つの基板が収容された基板収容容器を配置するように構成されたロードポートと、前記大気部と減圧下で基板が処理される減圧部との間で基板を受け渡すように構成されたロードロック室と、前記大気部において基板に対して処理を行う処理モジュールと、前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で基板を搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構の動作を制御する制御部と、を有し、前記基板搬送機構は、複数の基板保持部を有し、各基板保持部は、1つの基板を保持するように構成され、前記制御部は、前記処理モジュールが基板を1つずつ処理する場合は、第1の基板保持部は前記ロードポートと前記処理モジュールとの間で基板を搬送し、第2の基板保持部は前記ロードロック室及び前記処理モジュールとの間で基板を搬送するように前記基板搬送機構を制御し、前記処理モジュールが複数の基板を同時に処理する場合は、前記複数の基板保持部が前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で複数の基板を同時に搬送するように前記基板搬送機構を制御する、基板処理装置。
(2)前記複数の基板保持部は、鉛直方向に沿って設けられ、前記ロードロック室は、鉛直方向に沿って設けられた複数の基板載置部を備え、各基板載置部は、1つの基板を載置可能に構成され、各基板載置部における隣接する基板載置部の間の距離と各基板保持部における隣接する基板保持部の間の距離は異なり、前記制御部は、前記基板搬送機構による前記ロードロック室に対する基板の受け渡しを1つずつ行うように当該基板搬送機構を制御する、前記(1)記載の基板処理装置。
前記(1)~(2)によれば、基板処理装置における基板の処理枚数及び保持間隔に応じて基板の搬送パターンを任意に選択することができるため、ウェハ搬送にかかるスループットを向上させることができる。
(1)大気圧下で基板が処理される大気部において、少なくとも1つの基板が収容された基板収容容器を配置するように構成されたロードポートと、前記大気部と減圧下で基板が処理される減圧部との間で基板を受け渡すように構成されたロードロック室と、前記大気部において基板に対して処理を行う処理モジュールと、前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で基板を搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構の動作を制御する制御部と、を有し、前記基板搬送機構は、複数の基板保持部を有し、各基板保持部は、1つの基板を保持するように構成され、前記制御部は、前記処理モジュールが基板を1つずつ処理する場合は、第1の基板保持部は前記ロードポートと前記処理モジュールとの間で基板を搬送し、第2の基板保持部は前記ロードロック室及び前記処理モジュールとの間で基板を搬送するように前記基板搬送機構を制御し、前記処理モジュールが複数の基板を同時に処理する場合は、前記複数の基板保持部が前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で複数の基板を同時に搬送するように前記基板搬送機構を制御する、基板処理装置。
(2)前記複数の基板保持部は、鉛直方向に沿って設けられ、前記ロードロック室は、鉛直方向に沿って設けられた複数の基板載置部を備え、各基板載置部は、1つの基板を載置可能に構成され、各基板載置部における隣接する基板載置部の間の距離と各基板保持部における隣接する基板保持部の間の距離は異なり、前記制御部は、前記基板搬送機構による前記ロードロック室に対する基板の受け渡しを1つずつ行うように当該基板搬送機構を制御する、前記(1)記載の基板処理装置。
前記(1)~(2)によれば、基板処理装置における基板の処理枚数及び保持間隔に応じて基板の搬送パターンを任意に選択することができるため、ウェハ搬送にかかるスループットを向上させることができる。
(3)前記制御部は、前記基板搬送機構により前記ロードロック室から複数の基板を受け取る際、下方に位置する前記基板保持部から上方に位置する前記基板保持部に向けて順次基板を受け取るように当該基板搬送機構を制御する、前記(2)に記載の基板処理装置。
(4)複数の基板にはそれぞれ識別番号が設定され、前記制御部は、前記基板搬送機構により前記ロードロック室から複数の基板を受け取る際、下方に位置する前記基板保持部から上方に位置する前記基板保持部に向けて前記識別番号が昇順となるように基板を受け取るように当該基板搬送機構を制御する、前記(2)又は前記(3)に記載の基板処理装置。
前記(3)~(4)によれば、基板搬送機構で保持する基板の順序を適切に制御することができ、これにより基板収容容器に対する基板の受け渡しを効率的に行うことができる。その結果、基板の受け渡しにかかるスループットを向上させることができる。
(4)複数の基板にはそれぞれ識別番号が設定され、前記制御部は、前記基板搬送機構により前記ロードロック室から複数の基板を受け取る際、下方に位置する前記基板保持部から上方に位置する前記基板保持部に向けて前記識別番号が昇順となるように基板を受け取るように当該基板搬送機構を制御する、前記(2)又は前記(3)に記載の基板処理装置。
前記(3)~(4)によれば、基板搬送機構で保持する基板の順序を適切に制御することができ、これにより基板収容容器に対する基板の受け渡しを効率的に行うことができる。その結果、基板の受け渡しにかかるスループットを向上させることができる。
(5)各基板保持部は基板を吸引保持するため吸引保持部を有し、前記吸引保持部は、複数の吸引孔を有する、前記(1)~前記(4)のいずれかに記載の基板処理装置。
(6)各吸引保持部には共通の吸引機構が接続される、前記(5)に記載の基板処理装置。
(7)前記制御部は、前記基板搬送機構により前記処理モジュールから基板を1つずつ受け取る際、一の基板保持部で基板を吸引保持した後、他の基板保持部における基板の吸引を開始するように当該基板搬送機構を制御する、前記(6)に記載の基板処理装置。
(8)前記複数の基板保持部にはそれぞれ別の吸引機構が接続され、当該複数の基板保持部による基板の吸引保持を独立して行う、前記(5)に記載の基板処理装置。
前記(5)~(8)によれば、基板の吸着保持に起因する、先の基板の跳ね上がりを適切に防止することができる。その結果、基板の受け渡しを適切に行うことができる。
(6)各吸引保持部には共通の吸引機構が接続される、前記(5)に記載の基板処理装置。
(7)前記制御部は、前記基板搬送機構により前記処理モジュールから基板を1つずつ受け取る際、一の基板保持部で基板を吸引保持した後、他の基板保持部における基板の吸引を開始するように当該基板搬送機構を制御する、前記(6)に記載の基板処理装置。
(8)前記複数の基板保持部にはそれぞれ別の吸引機構が接続され、当該複数の基板保持部による基板の吸引保持を独立して行う、前記(5)に記載の基板処理装置。
前記(5)~(8)によれば、基板の吸着保持に起因する、先の基板の跳ね上がりを適切に防止することができる。その結果、基板の受け渡しを適切に行うことができる。
(9)前記処理モジュールは、大気圧下で処理を行う大気圧下処理モジュールを有し、前記大気圧下処理モジュールは、基板の水平方向の向きを調節するオリエンタモジュール、及び、基板に冷却処理を行う冷却モジュールのうち少なくとも1つである、前記(1)~前記(8)のいずれかに記載の基板処理装置。
(10)前記減圧部は、減圧下で処理を行う減圧下処理モジュールを有し、前記減圧下処理モジュールは、基板に対してCOR処理を行うCORモジュール、及び、基板に対して加熱処理を行う加熱モジュールのうち少なくとも1つであり、前記CORモジュール及び前記加熱モジュールは、複数の基板を同時に処理するように構成される、前記(1)~前記(9)のいずれかに記載の基板処理装置。
(10)前記減圧部は、減圧下で処理を行う減圧下処理モジュールを有し、前記減圧下処理モジュールは、基板に対してCOR処理を行うCORモジュール、及び、基板に対して加熱処理を行う加熱モジュールのうち少なくとも1つであり、前記CORモジュール及び前記加熱モジュールは、複数の基板を同時に処理するように構成される、前記(1)~前記(9)のいずれかに記載の基板処理装置。
(11)基板保持部上における前記基板の有無を検知する基板検知部をさらに有する、前記(1)~前記(10)のいずれかに記載の基板処理装置。
(12)前記基板検知部は前記基板搬送機構に設けられる、前記(11)に記載の基板処理装置。
(13)基板処理装置で行われる基板搬送方法であって、前記基板処理装置は、大気圧下で基板が処理される大気部において、少なくとも1つの基板が収容された基板収容容器を配置するように構成されたロードポートと、前記大気部と減圧下で基板が処理される減圧部との間で基板を受け渡すように構成されたロードロック室と、前記大気部において基板に対して処理を行う処理モジュールと、前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で基板を搬送する基板搬送機構と、を有し、前記基板搬送機構は、複数の基板保持部を有し、各基板保持部は、1つの基板を保持するように構成され、前記基板搬送方法は、前記処理モジュールが基板を1つずつ処理する場合は、第1の基板保持部を用いて前記ロードポートと前記処理モジュールとの間で基板を搬送するステップと、第2の基板保持部を用いて前記ロードロック室と前記処理モジュールとの間で基板を搬送するステップとを有し、前記基板搬送方法は、前記処理モジュールが複数の基板を同時に処理する場合は、前記複数の基板保持部を用いて前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で複数の基板を同時に搬送するステップを有する、基板搬送方法。
(14)基板保持部に保持された前記基板の有無を検知するステップをさらに有する、前記(13)に記載の基板搬送方法。。
1 ウェハ処理装置
10 大気部
11 減圧部
20 ロードロックモジュール
30 ローダーモジュール
31 ロードポート
32 CSTモジュール
33 オリエンタモジュール
40 ウェハ搬送機構
42 ピック部
42a 上部ピック
42b 下部ピック
80 制御部
100 フープ
W ウェハ
10 大気部
11 減圧部
20 ロードロックモジュール
30 ローダーモジュール
31 ロードポート
32 CSTモジュール
33 オリエンタモジュール
40 ウェハ搬送機構
42 ピック部
42a 上部ピック
42b 下部ピック
80 制御部
100 フープ
W ウェハ
Claims (14)
- 大気圧下で基板が処理される大気部において、少なくとも1つの基板が収容された基板収容容器を配置するように構成されたロードポートと、
前記大気部と減圧下で基板が処理される減圧部との間で基板を受け渡すように構成されたロードロック室と、
前記大気部において基板に対して処理を行う処理モジュールと、
前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で基板を搬送する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構の動作を制御する制御部と、を有し、
前記基板搬送機構は、複数の基板保持部を有し、各基板保持部は、1つの基板を保持するように構成され、
前記制御部は、
前記処理モジュールが基板を1つずつ処理する場合は、第1の基板保持部は前記ロードポートと前記処理モジュールとの間で基板を搬送し、第2の基板保持部は前記ロードロック室及び前記処理モジュールとの間で基板を搬送するように前記基板搬送機構を制御し、
前記処理モジュールが複数の基板を同時に処理する場合は、前記複数の基板保持部が前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で複数の基板を同時に搬送するように前記基板搬送機構を制御する、基板処理装置。 - 前記複数の基板保持部は、鉛直方向に沿って設けられ、
前記ロードロック室は、鉛直方向に沿って設けられた複数の基板載置部を備え、各基板載置部は、1つの基板を載置可能に構成され、
各基板載置部における隣接する基板載置部の間の距離と各基板保持部における隣接する基板保持部の間の距離は異なり、
前記制御部は、前記基板搬送機構による前記ロードロック室に対する基板の受け渡しを1つずつ行うように当該基板搬送機構を制御する、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記基板搬送機構により前記ロードロック室から複数の基板を受け取る際、下方に位置する前記基板保持部から上方に位置する前記基板保持部に向けて順次基板を受け取るように当該基板搬送機構を制御する、請求項2に記載の基板処理装置。
- 複数の基板にはそれぞれ識別番号が設定され、
前記制御部は、前記基板搬送機構により前記ロードロック室から複数の基板を受け取る際、下方に位置する前記基板保持部から上方に位置する前記基板保持部に向けて前記識別番号が昇順となるように基板を受け取るように当該基板搬送機構を制御する、請求項2又は3に記載の基板処理装置。 - 各基板保持部は基板を吸引保持するため吸引保持部を有し、前記吸引保持部は、複数の吸引孔を有する、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 各吸引保持部には共通の吸引機構が接続される、請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記基板搬送機構により前記処理モジュールから基板を1つずつ受け取る際、一の基板保持部で基板を吸引保持した後、他の基板保持部における基板の吸引を開始するように当該基板搬送機構を制御する、請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記複数の基板保持部にはそれぞれ別の吸引機構が接続され、当該複数の基板保持部による基板の吸引保持を独立して行う、請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記処理モジュールは、大気圧下で処理を行う大気圧下処理モジュールを有し、
前記大気圧下処理モジュールは、基板の水平方向の向きを調節するオリエンタモジュール、及び、基板に冷却処理を行う冷却モジュールのうち少なくとも1つである、請求項1~8のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記減圧部は、減圧下で処理を行う減圧下処理モジュールを有し、
前記減圧下処理モジュールは、基板に対してCOR処理を行うCORモジュール、及び、基板に対して加熱処理を行う加熱モジュールのうち少なくとも1つであり、
前記CORモジュール及び前記加熱モジュールは、複数の基板を同時に処理するように構成される、請求項1~9のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 基板保持部上における前記基板の有無を検知する基板検知部をさらに有する、請求項1~10のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板検知部は前記基板搬送機構に設けられる、請求項11に記載の基板処理装置。
- 基板処理装置で行われる基板搬送方法であって、
前記基板処理装置は、
大気圧下で基板が処理される大気部において、少なくとも1つの基板が収容された基板収容容器を配置するように構成されたロードポートと、
前記大気部と減圧下で基板が処理される減圧部との間で基板を受け渡すように構成されたロードロック室と、
前記大気部において基板に対して処理を行う処理モジュールと、
前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で基板を搬送する基板搬送機構と、を有し、
前記基板搬送機構は、複数の基板保持部を有し、各基板保持部は、1つの基板を保持するように構成され、
前記基板搬送方法は、
前記処理モジュールが基板を1つずつ処理する場合は、
第1の基板保持部を用いて前記ロードポートと前記処理モジュールとの間で基板を搬送するステップと、
第2の基板保持部を用いて前記ロードロック室と前記処理モジュールとの間で基板を搬送するステップとを有し、
前記基板搬送方法は、
前記処理モジュールが複数の基板を同時に処理する場合は、
前記複数の基板保持部を用いて前記ロードポート、前記ロードロック室及び前記処理モジュールの間で複数の基板を同時に搬送するステップを有する、基板搬送方法。 - 基板保持部に保持された前記基板の有無を検知するステップをさらに有する、請求項13に記載の基板搬送方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018213706 | 2018-11-14 | ||
JP2018213706 | 2018-11-14 | ||
PCT/JP2019/034577 WO2020100381A1 (ja) | 2018-11-14 | 2019-09-03 | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020100381A1 JPWO2020100381A1 (ja) | 2021-09-24 |
JP7065204B2 true JP7065204B2 (ja) | 2022-05-11 |
Family
ID=70731072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020556624A Active JP7065204B2 (ja) | 2018-11-14 | 2019-09-03 | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220013385A1 (ja) |
JP (1) | JP7065204B2 (ja) |
KR (1) | KR102512865B1 (ja) |
CN (1) | CN112956010B (ja) |
TW (1) | TWI835914B (ja) |
WO (1) | WO2020100381A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115020308B (zh) * | 2022-08-08 | 2022-11-22 | 上海果纳半导体技术有限公司武汉分公司 | 晶圆传输装置、设备平台***及其晶圆传输方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011228625A (ja) | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Yaskawa Electric Corp | 基板搬送用ハンドおよび基板搬送ロボット |
JP2013143558A (ja) | 2012-01-13 | 2013-07-22 | Sinfonia Technology Co Ltd | ウェーハ搬送装置 |
JP2016162936A (ja) | 2015-03-03 | 2016-09-05 | 川崎重工業株式会社 | 基板搬送ロボットおよび基板処理システム |
JP2016184664A (ja) | 2015-03-26 | 2016-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送方法及び基板処理装置 |
JP2016207767A (ja) | 2015-04-20 | 2016-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4227235B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2009-02-18 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置 |
TWI476855B (zh) * | 2006-05-03 | 2015-03-11 | Gen Co Ltd | 基板傳輸設備、和使用該設備的高速基板處理系統 |
KR101312621B1 (ko) * | 2006-11-29 | 2013-10-07 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼이송장치 |
JP5388643B2 (ja) | 2009-03-19 | 2014-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置及び基板搬送方法 |
JP5358366B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2013-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び方法 |
JP2011077399A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の搬送方法及び被処理体処理装置 |
KR101664939B1 (ko) * | 2010-12-09 | 2016-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 로드록 장치 |
JP2013171872A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR101686032B1 (ko) * | 2013-03-28 | 2016-12-13 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
US9378992B2 (en) * | 2014-06-27 | 2016-06-28 | Axcelis Technologies, Inc. | High throughput heated ion implantation system and method |
JP6316742B2 (ja) * | 2014-12-24 | 2018-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置および基板搬送方法 |
JP6339043B2 (ja) * | 2015-04-21 | 2018-06-06 | 三菱電機株式会社 | 負荷電流検出装置および負荷電流検出方法 |
JP6410689B2 (ja) * | 2015-08-06 | 2018-10-24 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置及びそれを用いた複数枚のウェハの処理方法 |
CN108028193B (zh) * | 2015-09-30 | 2022-04-22 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
JP6600588B2 (ja) * | 2016-03-17 | 2019-10-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送機構の洗浄方法及び基板処理システム |
JP6747136B2 (ja) * | 2016-07-22 | 2020-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6670713B2 (ja) * | 2016-09-20 | 2020-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
US10290523B2 (en) * | 2017-03-17 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer processing apparatus, recording medium and wafer conveying method |
-
2019
- 2019-09-03 WO PCT/JP2019/034577 patent/WO2020100381A1/ja active Application Filing
- 2019-09-03 US US17/291,713 patent/US20220013385A1/en active Pending
- 2019-09-03 CN CN201980072936.6A patent/CN112956010B/zh active Active
- 2019-09-03 KR KR1020217016724A patent/KR102512865B1/ko active IP Right Grant
- 2019-09-03 JP JP2020556624A patent/JP7065204B2/ja active Active
- 2019-11-05 TW TW108140026A patent/TWI835914B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011228625A (ja) | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Yaskawa Electric Corp | 基板搬送用ハンドおよび基板搬送ロボット |
JP2013143558A (ja) | 2012-01-13 | 2013-07-22 | Sinfonia Technology Co Ltd | ウェーハ搬送装置 |
JP2016162936A (ja) | 2015-03-03 | 2016-09-05 | 川崎重工業株式会社 | 基板搬送ロボットおよび基板処理システム |
JP2016184664A (ja) | 2015-03-26 | 2016-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送方法及び基板処理装置 |
JP2016207767A (ja) | 2015-04-20 | 2016-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202027207A (zh) | 2020-07-16 |
KR102512865B1 (ko) | 2023-03-23 |
US20220013385A1 (en) | 2022-01-13 |
JPWO2020100381A1 (ja) | 2021-09-24 |
WO2020100381A1 (ja) | 2020-05-22 |
KR20210086698A (ko) | 2021-07-08 |
CN112956010A (zh) | 2021-06-11 |
TWI835914B (zh) | 2024-03-21 |
CN112956010B (zh) | 2024-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI719534B (zh) | 基板對準方法、基板對準裝置、基板處理方法、及基板處理裝置 | |
CN117577503A (zh) | 等离子体处理***和处理*** | |
JP5548430B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6414338B2 (ja) | 保管装置および保管方法 | |
JP2015156437A (ja) | 基板処理装置、位置ずれ補正方法及び記憶媒体 | |
WO2013080408A1 (ja) | 部品実装方法及び部品実装システム | |
JP2010093169A (ja) | 基板搬送方法、制御プログラム及び記憶媒体 | |
JP2020061397A (ja) | 基板倉庫、基板処理システム及び基板検査方法 | |
CN114843168A (zh) | 收纳容器和处理*** | |
JP5374462B2 (ja) | 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP7065204B2 (ja) | 基板処理装置及び基板搬送方法 | |
KR102511267B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 수용 용기의 덮개를 개폐하는 방법 | |
JP2022002255A (ja) | 収納モジュール、基板処理システムおよび消耗部材の搬送方法 | |
CN115346903A (zh) | 基板输送装置和基板输送方法 | |
JP4737392B2 (ja) | 基板検査装置 | |
TW202226338A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
KR20220055424A (ko) | 처리 시스템 및 반송 방법 | |
KR100855877B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 그 장치에서의 기판 정렬 방법 | |
KR20230044020A (ko) | 기판 처리 시스템 및 반송 방법 | |
WO2023167043A1 (ja) | 基板搬送方法、および半導体製造システム | |
JP2020092130A (ja) | 搬送検知方法及び基板処理装置 | |
US20230230862A1 (en) | Substrate transport method and substrate processing system | |
JP2011138859A (ja) | 真空処理装置、および半導体デバイスの製造方法。 | |
JP4184018B2 (ja) | 半導体製造装置、半導体製造システムおよび半導体製造方法 | |
JP2005197543A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210506 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220329 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220425 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7065204 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |