JP5548430B2 - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、基板処理装置に関する。
基板処理装置の一例として、ロードポート、ロードロック室、搬送室、処理室の順にウエハは搬送され、処理室において処理される。
処理室はゲートバルブで遮蔽された独立した空間であり、各処理室では個別にウエハの処理が可能である。
処理室はゲートバルブで遮蔽された独立した空間であり、各処理室では個別にウエハの処理が可能である。
通常、基板保持台上で処理を行うものにおいては、１室では１ウエハのみの処理となる。特許文献１は、未処理ウエハを処理室へ交互に搬送し、処理室それぞれから処理済ウエハ基板支持体へ戻す際に、次に処理する未処理ウエハと入れ替える技術を開示する。
従来の基板処理装置は、ウエハをストックするロードロック室が２室、各室にウエハを移載させるロボットを有する搬送室が１室、ウエハを処理する処理室が２室の構成になっている。本装置構成では、スループット１時間あたり２００枚を超えることは困難であった。更なるスループット向上を目指した場合、単純に搬送室外周部に処理室を追加することで、スループットの向上を図ることが可能である。しかしながら、相対的に搬送室内の搬送ロボットが大型化し、また処理室が追加されることでフットプリントが肥大することは避けられない。
本発明の目的は、高スループット化と省フットプリント化の相反する条件の両立を実現することのできる基板処理装置を提供することにある。
本発明の一態様によれば、搬送室を中心としてロードロック室と少なくとも二つの処理室が配置されている基板処理装置であって、前記搬送室は前記ロードロック室と前記処理室間で基板を搬送する基板搬送部を有し、前記基板搬送部は、第一のフィンガ及び第二のフィンガが設けられた第一のアームを有し、前記それぞれのフィンガの先端は水平方向であって同じ方向に延伸されるよう構成され、前記処理室は、第一の処理部と第二の処理部とを有し、前記第二の処理部は、前記搬送室から前記第一の処理部を挟んで遠方に配置される基板処理装置を提供する。
本発明によれば、高スループット化と省フットプリント化の相反する条件の両立を実現することができる。
次に、本発明の第一の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の全体構成図であり、装置１０を上面から見た概念図である。
基板処理装置１０は、例えば搬送室１２を中心として、２つのロードロック室１４ａ、１４ｂ及び２つの処理室１６ａ、１６ｂが配置されており、ロードロック室１４ａ、１４ｂの上流側にはフロントモジュールであるＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ＦｒｏｎｔＥｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）１８が配置されている。
ＥＦＥＭ１８にはウエハ１をストックするフープ（２５枚）を３台搭載することができる構造になっている。
ＥＦＥＭ１８内には大気中にて同時に複数枚（５枚）を移載することが可能な大気ロボット（図示せず）が載置されており、２つのロードロック室１４ａ、１４ｂとの間のウエハ移載を可能にしている。また、本装置は、各構成を制御するコントローラ８４を有する。
ＥＦＥＭ１８内には大気中にて同時に複数枚（５枚）を移載することが可能な大気ロボット（図示せず）が載置されており、２つのロードロック室１４ａ、１４ｂとの間のウエハ移載を可能にしている。また、本装置は、各構成を制御するコントローラ８４を有する。
図２に示すように、ロードロック室１４ａ、１４ｂには、例えば２５枚の基板を縦方向に一定間隔を隔てて収容する基板支持体（ボート）２０が設けられている。基板支持体２０は、例えば炭化珪素やアルミで構成しており、上部板２２と下部板２４とを接続する例えば３つの支柱２６を有する。支柱２６の長手方向内側には例えば２５個の載置部２８が平行に形成されている。また、基板支持体２０は、ロードロック室１４ａ、１４ｂ内において、鉛直方向に移動（上下方向に移動）するようにされているとともに、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するようにされている。
搬送室１２には、ロードロック室１４ａ、１４ｂと処理室１６ａ、１６ｂとの間でウエハ１を搬送する基板搬送部である第一の基板搬送部材３０が設けられている。第一の基板搬送部材３０は、上フィンガ３２ａ及び下フィンガ３２ｂから構成されるフィンガ対３２が設けられたアーム３４を有する。上フィンガ３２ａ及び下フィンガ３２ｂは、上下方向に所定の間隔で離間され、アーム３４からそれぞれ略水平に同じ方向に延びて、それぞれウエハ１を支持することができるようにされている。アーム３４は、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するようにされているとともに、水平方向に移動するようにされている。
搬送室１２とロードロック室１４ａの間には第一の基板通過口１３ａが、また搬送室１２とロードロック室１４ｂとの間には、第二の基板通過口１３ｂが設けられる。更に、搬送室１２と処理室１６ａとの間には、第三の基板通過口１５ａが、搬送室１２と処理室１６ｂの間には、第四の基板通過口１５ｂが設けられている。それぞれの基板通過口には、ゲートバルブ３５が設けられている。これらの基板通過口を介して、ロードロック室、搬送室、処理室は連通している。尚、これらの基板通過口は、装置に固定されたものである。
搬送室１２とロードロック室１４ａの間には第一の基板通過口１３ａが、また搬送室１２とロードロック室１４ｂとの間には、第二の基板通過口１３ｂが設けられる。更に、搬送室１２と処理室１６ａとの間には、第三の基板通過口１５ａが、搬送室１２と処理室１６ｂの間には、第四の基板通過口１５ｂが設けられている。それぞれの基板通過口には、ゲートバルブ３５が設けられている。これらの基板通過口を介して、ロードロック室、搬送室、処理室は連通している。尚、これらの基板通過口は、装置に固定されたものである。
したがって、ロードロック室１４ａ、１４ｂにストックされた未処理ウエハを搬送室１２に載置された第一の基板搬送部材３０により同時に２枚ずつゲートバルブ３５を介して処理室１６ａ、１６ｂへ移載し、処理済ウエハを処理室１６ａ、１６ｂから第一の基板搬送部材３０により一度に２枚ずつロードロック室１４ａ、１４ｂに移載する（第一の基板搬送機構）。
図３には、処理室１６の概要が示されている。
処理室１６には、２つの基板載置台が配置されており、搬送室１２側の第一の処理部３６の基板載置台を第一の基板載置台３７、他方の第二の処理部３８の基板載置台を第二の基板載置台４１とする。
第一の処理部３６と第二の処理部３８はおのおの独立した構造となっており、装置全体からみるとウエハ処理流れ方向と同方向一列になっている。
すなわち、第二の処理部３８は、搬送室１２から第一の処理部３６を挟んで遠方に配置されている。
第一の処理部３６と第二の処理部３８では、同じプロセスによって基板処理がなされる。
第一の処理部３６と第二の処理部３８とは連通し、処理室１６内は、３００℃までの昇温が可能である。
第一の基板載置台３７及び第二の基板載置台４１には、図２に記載のように、ヒータ６４が内挿され、加熱されている。また、第一の基板載置台３７と第二の基板載置台４１は、例えばアルミニウム（Ａ５０５２、Ａ５０５６等）で形成される。
省スペース、低コスト化の目的を達成するため、ロードロック室１４ａ、１４ｂ、搬送室１２及び処理室１６ａ、１６ｂを例えばアルミニウム（Ａ５０５２）一部品にて形成してもよい。
処理室１６には、２つの基板載置台が配置されており、搬送室１２側の第一の処理部３６の基板載置台を第一の基板載置台３７、他方の第二の処理部３８の基板載置台を第二の基板載置台４１とする。
第一の処理部３６と第二の処理部３８はおのおの独立した構造となっており、装置全体からみるとウエハ処理流れ方向と同方向一列になっている。
すなわち、第二の処理部３８は、搬送室１２から第一の処理部３６を挟んで遠方に配置されている。
第一の処理部３６と第二の処理部３８では、同じプロセスによって基板処理がなされる。
第一の処理部３６と第二の処理部３８とは連通し、処理室１６内は、３００℃までの昇温が可能である。
第一の基板載置台３７及び第二の基板載置台４１には、図２に記載のように、ヒータ６４が内挿され、加熱されている。また、第一の基板載置台３７と第二の基板載置台４１は、例えばアルミニウム（Ａ５０５２、Ａ５０５６等）で形成される。
省スペース、低コスト化の目的を達成するため、ロードロック室１４ａ、１４ｂ、搬送室１２及び処理室１６ａ、１６ｂを例えばアルミニウム（Ａ５０５２）一部品にて形成してもよい。
処理室１６内の第一の処理部３６と第二の処理部３８の間の内側、すなわち境界壁４８側寄りには、第二の基板搬送部材４０が設けられている。
第二の基板搬送部材４０は、軸部４３ｅを中心として回転するものであり、軸部４３ｅは、境界壁４８側に配置されている。
他方の処理室における第二の基板搬送部材４０は、境界壁４８を挟んで、一方の処理室の第二の基板搬送部材４０と対照的に配置される。対照的に配置することで、それぞれの第二の基板搬送部材４０を制御するための配線を、処理室１６の下部であって、水平方向で装置中央、即ち境界壁４８近辺に、集中して配設することが可能となる。この結果、配線スペースにおいて、部品ごとに配線を集中して設けることが可能となり、配線スペースを効率化することができる。また、境界壁４８付近に配置した軸部４３ｅを中心として回転するので、処理室１６の外側を円形とすることができる。円形とすることで、装置本体１１の外郭１１ａを斜め状とすることが可能となり、その結果、保守者が入るメンテナンススペース１７をより大きく確保することができる。仮に、軸部４３ｅを処理室１６の外
側に配置した場合、外郭１１ａを斜め状とすることはできず、保守者が入るメンテナンススペース１７を大きく確保することができない。
第二の基板搬送部材４０は、第一の基板搬送部材３０によって搬送された２枚の未処理ウエハのうちの１枚を第二の処理部３８の第二の基板載置台４１に移載し、さらに第二の基板載置台４１の処理済ウエハを第一の基板搬送部材３０のフィンガ上へ移載する（第二の基板搬送機構）。
第二の基板搬送部材４０は、軸部４３ｅを中心として回転するものであり、軸部４３ｅは、境界壁４８側に配置されている。
他方の処理室における第二の基板搬送部材４０は、境界壁４８を挟んで、一方の処理室の第二の基板搬送部材４０と対照的に配置される。対照的に配置することで、それぞれの第二の基板搬送部材４０を制御するための配線を、処理室１６の下部であって、水平方向で装置中央、即ち境界壁４８近辺に、集中して配設することが可能となる。この結果、配線スペースにおいて、部品ごとに配線を集中して設けることが可能となり、配線スペースを効率化することができる。また、境界壁４８付近に配置した軸部４３ｅを中心として回転するので、処理室１６の外側を円形とすることができる。円形とすることで、装置本体１１の外郭１１ａを斜め状とすることが可能となり、その結果、保守者が入るメンテナンススペース１７をより大きく確保することができる。仮に、軸部４３ｅを処理室１６の外
側に配置した場合、外郭１１ａを斜め状とすることはできず、保守者が入るメンテナンススペース１７を大きく確保することができない。
第二の基板搬送部材４０は、第一の基板搬送部材３０によって搬送された２枚の未処理ウエハのうちの１枚を第二の処理部３８の第二の基板載置台４１に移載し、さらに第二の基板載置台４１の処理済ウエハを第一の基板搬送部材３０のフィンガ上へ移載する（第二の基板搬送機構）。
図４は、処理部１６内の第二の基板搬送部材４０が第二の処理部３８側に待機している時（基板処理時）の様子を示す。
第二の基板搬送部材４０は、ウエハの外径より大きな円弧部４３ａと、円弧部４３ａから切欠かれた切欠き部４３ｂと、円弧部４３ａから円弧部の中心に向かって略水平に設けられたウエハを載置する爪部４３ｃと、円弧部４３ａを支えるフレーム部４３ｄが設けられたアーム４７を有する。
円弧部４３ａとフレーム部４３ｄは連続して形成され、アーム４７から略水平に装着され、爪部４３ｃを介してウエハ１を支持することができるようにされている。
アーム４７は、鉛直方向に延びる軸部４３ｅを回転軸として回転するようにされているとともに、鉛直方向に昇降するようにされている。
切欠き部４３ｂは、軸部４３ｅが回転し、第一の処理部３６側に有するときに、搬送室１２と処理室１６との間に設けられたゲートバルブ３５と向かい合う位置に配置する。
したがって、第二の基板搬送部材４０は、回転軸である軸部４３ｅが回転し、昇降する。このような動作を行うことで、第一の基板搬送部材３０によって処理室１６内に搬送された２枚のウエハのうち、１枚のウエハを第一の処理部３６上方から搬送室１２の遠方にある第二の処理部３８に搬送・載置することができる。
第二の基板搬送部材４０は、第一の基板載置台３７及び第二の基板載置台４１からの熱輻射により高温（２５０℃くらい）になるため、耐プラズマ性、耐高熱性である例えばアルミナセラミックス（純度９９．６％以上）、石英、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）等から形成するのが好ましい。金属部品に比べ熱膨張係数の小さい例えばアルミナセラミックス（純度９９．６％以上）で形成することで、熱変形によるたわみ等による搬送信頼性劣化を防止することができる。ただし、第二の基板搬送部材４０の基部には位置・レベル調整のため、金属部品を使用する。
第二の基板搬送部材４０は、ウエハの外径より大きな円弧部４３ａと、円弧部４３ａから切欠かれた切欠き部４３ｂと、円弧部４３ａから円弧部の中心に向かって略水平に設けられたウエハを載置する爪部４３ｃと、円弧部４３ａを支えるフレーム部４３ｄが設けられたアーム４７を有する。
円弧部４３ａとフレーム部４３ｄは連続して形成され、アーム４７から略水平に装着され、爪部４３ｃを介してウエハ１を支持することができるようにされている。
アーム４７は、鉛直方向に延びる軸部４３ｅを回転軸として回転するようにされているとともに、鉛直方向に昇降するようにされている。
切欠き部４３ｂは、軸部４３ｅが回転し、第一の処理部３６側に有するときに、搬送室１２と処理室１６との間に設けられたゲートバルブ３５と向かい合う位置に配置する。
したがって、第二の基板搬送部材４０は、回転軸である軸部４３ｅが回転し、昇降する。このような動作を行うことで、第一の基板搬送部材３０によって処理室１６内に搬送された２枚のウエハのうち、１枚のウエハを第一の処理部３６上方から搬送室１２の遠方にある第二の処理部３８に搬送・載置することができる。
第二の基板搬送部材４０は、第一の基板載置台３７及び第二の基板載置台４１からの熱輻射により高温（２５０℃くらい）になるため、耐プラズマ性、耐高熱性である例えばアルミナセラミックス（純度９９．６％以上）、石英、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）等から形成するのが好ましい。金属部品に比べ熱膨張係数の小さい例えばアルミナセラミックス（純度９９．６％以上）で形成することで、熱変形によるたわみ等による搬送信頼性劣化を防止することができる。ただし、第二の基板搬送部材４０の基部には位置・レベル調整のため、金属部品を使用する。
第一の基板載置台３７及び第二の基板載置台４１は、処理室１６内において固定部材（不図示）により装置本体１１に固定されている。また、第一の基板載置台３７の外周には、基板保持部である３つの第一の基板保持ピン３９ａが鉛直方向に貫通しており、基板保持ピンが上下に昇降することで、基板を略水平に昇降させる。また、第二の基板載置台４１の外周には、基板保持部である３つの第二の基板保持ピン３９ｂが鉛直方向に貫通しており、基板保持ピンが上下に昇降することで、基板を略水平に昇降させる。したがって、ゲートバルブ３５を介して第一の基板搬送部材３０により搬送されたウエハが基板保持ピン３９ａ、３９ｂを介して基板載置台に載置されるようになっている。つまり、コントローラ８４の制御により、モータが回転及び逆回転することにより、第一の基板保持ピン３９ａ、第二の基板保持ピン３９ｂが上下方向に移動するようにされている。
続いて図５から１２を用いて、ウエハがロードロック室から搬送室を経由し処理室１６へ供給/排出されるフローを説明する。
各図では次の説明を行う。尚、図５から図１２は、連続した処理である。
図５から図６：ロードロック室１４ａから第一の処理室１６ａへ、未処理のウエハを搬送する工程。
図７から図８：ロードロック室１４ａから第二の処理室１６ｂへ、未処理のウエハを搬送する工程。
図９から図１０：第一の処理室１６ａからロードロック室１４ａへ、処理済みのウエハを搬送する工程。
図１１から図１２：第二の処理室１６ｂからロードロック室１４ａへ、処理済みのウエハを搬送する工程。
各図では次の説明を行う。尚、図５から図１２は、連続した処理である。
図５から図６：ロードロック室１４ａから第一の処理室１６ａへ、未処理のウエハを搬送する工程。
図７から図８：ロードロック室１４ａから第二の処理室１６ｂへ、未処理のウエハを搬送する工程。
図９から図１０：第一の処理室１６ａからロードロック室１４ａへ、処理済みのウエハを搬送する工程。
図１１から図１２：第二の処理室１６ｂからロードロック室１４ａへ、処理済みのウエハを搬送する工程。
図５は、ロードロック室１４ａ（Ｌ/Ｌ１４ａ）から、ウエハ1を搬出する動作を説明する説明図である。図５では、ＥＦＥＭ１８から基板支持体２０にウエハ１が搬送され、その後初めて処理室１６へウエハ1を搬送する状態である。したがって、基板支持体２０に搭載されているウエハ1は、全て未処理ウエハである。
＜図５ ステップａ＞
初めに、これから処理する２枚のウエハが、第一の基板搬送部材３０のアーム３４の上フィンガ３２ａ、下フィンガ３２ｂの高さから若干高い位置に設定されるように、基板支持体２０の鉛直方向の位置が調整される。
即ち、一枚目のウエハであるＷ１は、鉛直方向の位置を下フィンガ３２ｂの鉛直方向の位置より高くなるよう調整される。二枚目のウエハであるＷ２と上フィンガ３２ａの鉛直方向の位置に関しても、同様の関係とする。
初めに、これから処理する２枚のウエハが、第一の基板搬送部材３０のアーム３４の上フィンガ３２ａ、下フィンガ３２ｂの高さから若干高い位置に設定されるように、基板支持体２０の鉛直方向の位置が調整される。
即ち、一枚目のウエハであるＷ１は、鉛直方向の位置を下フィンガ３２ｂの鉛直方向の位置より高くなるよう調整される。二枚目のウエハであるＷ２と上フィンガ３２ａの鉛直方向の位置に関しても、同様の関係とする。
<図５ ステップｂ>
鉛直方向の位置を調整後、アーム３４が基板支持体２０へ挿入される。即ち、Ｗ１の直下に下フィンガ３２ｂが、またＷ２の直下に上フィンガ３２ａが配置される。
鉛直方向の位置を調整後、アーム３４が基板支持体２０へ挿入される。即ち、Ｗ１の直下に下フィンガ３２ｂが、またＷ２の直下に上フィンガ３２ａが配置される。
<図５ ステップｃ>
アーム３４を挿入後、基板支持体２０が下降する。
これにより、各フィンガに基板が搭載される。
即ち、Ｗ１は下フィンガ３２ｂに搭載され、Ｗ２は上フィンガ３２ａへ搭載される。
アーム３４を挿入後、基板支持体２０が下降する。
これにより、各フィンガに基板が搭載される。
即ち、Ｗ１は下フィンガ３２ｂに搭載され、Ｗ２は上フィンガ３２ａへ搭載される。
<図５ ステップｄ>
フィンガ上にウエハが搭載された後、アーム３４は、フィンガ向きを維持したまま、処理室方向へ移動する。このようにして、未処理ウエハは、基板支持体２０から搬出される。
フィンガ上にウエハが搭載された後、アーム３４は、フィンガ向きを維持したまま、処理室方向へ移動する。このようにして、未処理ウエハは、基板支持体２０から搬出される。
続いて、図６を用いて、図５にて搬出したウエハが、処理室１６ａ（ＰＣ１６ａ）に搬入される動作を説明する。図６の搬入動作は、図５の搬出動作と連続する。
＜図６ ステップａ＞
ウエハを搭載したアーム３４は、フィンガ３２ａ、３２ｂそれぞれの先端が、処理室１６ａの方向に向くよう、回転する。
＜図６ ステップａ＞
ウエハを搭載したアーム３４は、フィンガ３２ａ、３２ｂそれぞれの先端が、処理室１６ａの方向に向くよう、回転する。
＜図６ ステップｂ>
処理室１６ａでは、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０が待機されている。
回転されたアーム３４は、処理室１６ａの第一の基板載置台３７上方にウエハが配置されるよう、且つ各ウエハの鉛直方向の位置が、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０の直上に配置されるよう、水平方向に処理室１６ａへ挿入される。
即ち、下フィンガ３２ｂに搭載されたウエハＷ１が第一の基板保持ピン３９ａの直上に、上フィンガ３２ａに搭載されたウエハＷ２が第二の基板搬送部材４０の直上に位置する。
処理室１６ａでは、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０が待機されている。
回転されたアーム３４は、処理室１６ａの第一の基板載置台３７上方にウエハが配置されるよう、且つ各ウエハの鉛直方向の位置が、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０の直上に配置されるよう、水平方向に処理室１６ａへ挿入される。
即ち、下フィンガ３２ｂに搭載されたウエハＷ１が第一の基板保持ピン３９ａの直上に、上フィンガ３２ａに搭載されたウエハＷ２が第二の基板搬送部材４０の直上に位置する。
<図６ ステップｃ>
各ウエハが第一の基板載置台３７上方に配置された後、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０が上昇し、各ウエハを掬い上げる。
即ち、下フィンガ３２ｂに搭載されたウエハＷ１が第一の基板保持ピン３９ａに搭載され、また、上フィンガ３２ａに搭載されたウエハＷ２が第二の基板搬送部材４０に搭載される。
各ウエハが第一の基板載置台３７上方に配置された後、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０が上昇し、各ウエハを掬い上げる。
即ち、下フィンガ３２ｂに搭載されたウエハＷ１が第一の基板保持ピン３９ａに搭載され、また、上フィンガ３２ａに搭載されたウエハＷ２が第二の基板搬送部材４０に搭載される。
<図６ ステップｄ>
各フィンガから、第一の基板保持ピン３９ａまたは第二の基板搬送部材４０に、ウエハが移し変えられた後、アーム３４は処理室１６ａから退避する。
各フィンガから、第一の基板保持ピン３９ａまたは第二の基板搬送部材４０に、ウエハが移し変えられた後、アーム３４は処理室１６ａから退避する。
図７は、ロードロック室１４ａ（Ｌ/Ｌ１４ａ）から、ウエハ1を搬出する動作を説明する説明図である。
＜図７ ステップａ＞
初めに、これから処理する２枚のウエハが、アーム３４の上フィンガ３２ａ、下フィンガ３２ｂの高さから若干高い位置に設定されるように、基板支持体２０の鉛直方向の位置が調整される。
即ち、三枚目のウエハであるＷ３の鉛直方向の位置を下フィンガ３２ｂの鉛直方向の位置より高く調整する。四枚目のウエハであるＷ４と上フィンガ３２ａの鉛直方向の位置に関しても、同様の関係とする。
＜図７ ステップａ＞
初めに、これから処理する２枚のウエハが、アーム３４の上フィンガ３２ａ、下フィンガ３２ｂの高さから若干高い位置に設定されるように、基板支持体２０の鉛直方向の位置が調整される。
即ち、三枚目のウエハであるＷ３の鉛直方向の位置を下フィンガ３２ｂの鉛直方向の位置より高く調整する。四枚目のウエハであるＷ４と上フィンガ３２ａの鉛直方向の位置に関しても、同様の関係とする。
<図７ ステップｂ>
鉛直方向の位置を調整後、アーム３４が基板支持体２０へ挿入される。即ち、Ｗ３の直下に下フィンガ３２ｂが、またＷ４の直下に上フィンガ３２ａが配置される。
鉛直方向の位置を調整後、アーム３４が基板支持体２０へ挿入される。即ち、Ｗ３の直下に下フィンガ３２ｂが、またＷ４の直下に上フィンガ３２ａが配置される。
<図７ ステップｃ>
アーム３４を挿入後、基板支持体２０が下降する。
これにより、各フィンガに基板が搭載される。
即ち、Ｗ３は下フィンガ３２ｂに搭載され、Ｗ４は上フィンガ３２ａへ搭載される。
アーム３４を挿入後、基板支持体２０が下降する。
これにより、各フィンガに基板が搭載される。
即ち、Ｗ３は下フィンガ３２ｂに搭載され、Ｗ４は上フィンガ３２ａへ搭載される。
<図７ ステップｄ>
フィンガ上にウエハが搭載された後、アーム３４は、フィンガ向きを維持したまま、処理室方向へ移動する。このようにして、未処理ウエハは、基板支持体２０から搬出される。
フィンガ上にウエハが搭載された後、アーム３４は、フィンガ向きを維持したまま、処理室方向へ移動する。このようにして、未処理ウエハは、基板支持体２０から搬出される。
続いて、図８を用いて、図７にて搬出したウエハが、処理室１６ｂ（ＰＣ１６ｂ）に搬入される動作を説明する。図８の搬入動作は、図７の搬出動作と連続する。
＜図８ ステップａ＞
ウエハを搭載したアーム３４は、フィンガ３２ａ、３２ｂそれぞれの先端が、処理室１６ｂの方向に向くよう、回転する。
＜図８ ステップａ＞
ウエハを搭載したアーム３４は、フィンガ３２ａ、３２ｂそれぞれの先端が、処理室１６ｂの方向に向くよう、回転する。
＜図８ ステップｂ>
処理室１６ｂでは、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０が待機されている。
回転されたアーム３４は、処理室１６ｂの第一の基板載置台３７上方にウエハが配置されるよう、且つ各ウエハの鉛直方向の位置が、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０の直上に位置するよう、水平方向に処理室１６ｂへ挿入される。
即ち、下フィンガ３２ｂに搭載されたウエハＷ３が第一の基板保持ピン３９ａの直上に、上フィンガ３２ａに搭載されたウエハＷ４が第二の基板搬送部材４０の直上に配置される。
処理室１６ｂでは、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０が待機されている。
回転されたアーム３４は、処理室１６ｂの第一の基板載置台３７上方にウエハが配置されるよう、且つ各ウエハの鉛直方向の位置が、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０の直上に位置するよう、水平方向に処理室１６ｂへ挿入される。
即ち、下フィンガ３２ｂに搭載されたウエハＷ３が第一の基板保持ピン３９ａの直上に、上フィンガ３２ａに搭載されたウエハＷ４が第二の基板搬送部材４０の直上に配置される。
＜図８ ステップｃ＞
各ウエハが第一の基板載置台３７上方に配置された後、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０が上昇し、各ウエハを掬い上げる。
即ち、下フィンガ３２ｂに搭載されたウエハＷ３が第一の基板保持ピン３９ａに搭載され、また、上フィンガ３２ａに搭載されたウエハＷ４が第二の基板搬送部材４０に搭載される。
各ウエハが第一の基板載置台３７上方に配置された後、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０が上昇し、各ウエハを掬い上げる。
即ち、下フィンガ３２ｂに搭載されたウエハＷ３が第一の基板保持ピン３９ａに搭載され、また、上フィンガ３２ａに搭載されたウエハＷ４が第二の基板搬送部材４０に搭載される。
＜図８ ステップｄ＞
各フィンガから、第一の基板保持ピン３９ａまたは第二の基板搬送部材４０に、ウエハが移し変えられた後、アーム３４は処理室１６ｂから退避する。
各フィンガから、第一の基板保持ピン３９ａまたは第二の基板搬送部材４０に、ウエハが移し変えられた後、アーム３４は処理室１６ｂから退避する。
処理室１６ａ、１６ｂに基板を搬入した後の処理動作については、後述する。
続いて、図９を用いて、処理済みウエハを処理室１６ａから搬出する工程を説明する。
＜図９ ステップａ＞
処理室１６ａの第一の処理部３６で処理されたウエハＷ１は、基板搬出時、第一の基板保持ピン３９ａに搭載される。また、第二の処理部３８で処理されたＷ２は、第二の基板搬送部材４０上に搭載される。これらのウエハは、第一の基板載置台３７上方にそれぞれ保持されている。
一方、処理室１６ｂから退避したアーム３４は、処理室１６ａにフィンガの先端が向くよう、回転する。
尚、このときの鉛直方向の位置は、第二の基板搬送部材４０に搭載されたウエハを上フィンガ３２ａより高い位置とし、また第一の基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハを、下フィンガ３２ｂより高い位置とする。
＜図９ ステップａ＞
処理室１６ａの第一の処理部３６で処理されたウエハＷ１は、基板搬出時、第一の基板保持ピン３９ａに搭載される。また、第二の処理部３８で処理されたＷ２は、第二の基板搬送部材４０上に搭載される。これらのウエハは、第一の基板載置台３７上方にそれぞれ保持されている。
一方、処理室１６ｂから退避したアーム３４は、処理室１６ａにフィンガの先端が向くよう、回転する。
尚、このときの鉛直方向の位置は、第二の基板搬送部材４０に搭載されたウエハを上フィンガ３２ａより高い位置とし、また第一の基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハを、下フィンガ３２ｂより高い位置とする。
＜図９ ステップｂ＞
アーム３４が処理室１６ａへ挿入される。
このとき、第二の基板搬送部材４０に搭載されたウエハの直下に上フィンガ３２ａを、
また第一の基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハの直下に、下フィンガ３２ｂを配置する。
アーム３４が処理室１６ａへ挿入される。
このとき、第二の基板搬送部材４０に搭載されたウエハの直下に上フィンガ３２ａを、
また第一の基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハの直下に、下フィンガ３２ｂを配置する。
＜図９ ステップｃ＞
第二の基板搬送部材４０及び第一の基板保持ピン３９ａが下降する。これにより、各ウエハがフィンガに搭載される。
即ち、第二の基板搬送部材４０に搭載されたウエハは上フィンガ３２ａに移載され、また第一の基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハは、下フィンガ３２ｂに移載される。
第二の基板搬送部材４０及び第一の基板保持ピン３９ａが下降する。これにより、各ウエハがフィンガに搭載される。
即ち、第二の基板搬送部材４０に搭載されたウエハは上フィンガ３２ａに移載され、また第一の基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハは、下フィンガ３２ｂに移載される。
＜図９ ステップｄ＞
各フィンガに、ウエハが移し変えられた後、アーム３４は処理室１６ａから退避する。
各フィンガに、ウエハが移し変えられた後、アーム３４は処理室１６ａから退避する。
続いて、図１０を用いて、処理室１６ａから搬出された処理済みウエハをロードロック室１４ａへ搬入し、基板支持体２０へ載置する動作を説明する。
＜図１０ ステップａ＞
処理室１６ａから退避したアーム３４は、フィンガ先端がロードロック室１４ａへ向くよう、回転する。
また、このとき基板支持体２０は次の位置になるよう位置を変更する。
即ち、搬入される処理済みウエハが、元の載置部２８（未処理状態のとき、ＥＦＥＭ１８から基板支持体へ搭載されたときに載置されていた載置部）に搭載されるよう、元の載置部が、各ウエハの鉛直方向の位置より低い位置であり、且つウエハの鉛直方向の位置が、元の載置部の一つ上の載置部より低い位置となるよう、設定される。
具体的には、処理済みウエハＷ１より低い位置にＷ１の載置部２８ａの位置が設定され、且つ処理済みウエハＷ１が、Ｗ１の載置部２８ａの一つ上の載置部２８ｂより低い位置に設定されるよう、基板支持体２０の位置を調整する。
尚、基板支持体２０は、この前の動作（図７のようなＷ３、Ｗ４を搬出する動作。）で下降しているため、Ｗ１，Ｗ２を供給するときは、上記のような位置に設定するため上昇している。
また、ここではＷ１、Ｗ２を例で説明したが、他のウエハの搬入においても、上記のような位置が設定される。
＜図１０ ステップａ＞
処理室１６ａから退避したアーム３４は、フィンガ先端がロードロック室１４ａへ向くよう、回転する。
また、このとき基板支持体２０は次の位置になるよう位置を変更する。
即ち、搬入される処理済みウエハが、元の載置部２８（未処理状態のとき、ＥＦＥＭ１８から基板支持体へ搭載されたときに載置されていた載置部）に搭載されるよう、元の載置部が、各ウエハの鉛直方向の位置より低い位置であり、且つウエハの鉛直方向の位置が、元の載置部の一つ上の載置部より低い位置となるよう、設定される。
具体的には、処理済みウエハＷ１より低い位置にＷ１の載置部２８ａの位置が設定され、且つ処理済みウエハＷ１が、Ｗ１の載置部２８ａの一つ上の載置部２８ｂより低い位置に設定されるよう、基板支持体２０の位置を調整する。
尚、基板支持体２０は、この前の動作（図７のようなＷ３、Ｗ４を搬出する動作。）で下降しているため、Ｗ１，Ｗ２を供給するときは、上記のような位置に設定するため上昇している。
また、ここではＷ１、Ｗ２を例で説明したが、他のウエハの搬入においても、上記のような位置が設定される。
＜図１０ ステップｂ＞
基板支持体２０の位置が設定されたら、アーム３４は基板支持体２０の方向に挿入される。
即ち、下フィンガ３２ｂに搭載されたウエハＷ１が載置部２８ａの上端と、載置部２８ｂの下端の間の位置に保持され、また上フィンガ３２ａに搭載されたＷ２が、載置部２８ｂの上端と、載置部２８ｃの下端の間の位置に保持される。
基板支持体２０の位置が設定されたら、アーム３４は基板支持体２０の方向に挿入される。
即ち、下フィンガ３２ｂに搭載されたウエハＷ１が載置部２８ａの上端と、載置部２８ｂの下端の間の位置に保持され、また上フィンガ３２ａに搭載されたＷ２が、載置部２８ｂの上端と、載置部２８ｃの下端の間の位置に保持される。
＜図１０ ステップｃ＞
アーム３４が挿入された後、基板支持体２０が上昇する。これにより、各載置部が処理済みウエハを掬い上げ、載置部上にウエハが移載される。
アーム３４が挿入された後、基板支持体２０が上昇する。これにより、各載置部が処理済みウエハを掬い上げ、載置部上にウエハが移載される。
＜図１０ ステップｄ＞
ウエハをフィンガから基板支持体２０へ移載した後、アーム３４はロードロック室１４ａから退避する。
ウエハをフィンガから基板支持体２０へ移載した後、アーム３４はロードロック室１４ａから退避する。
続いて、図１１を用いて、処理済みウエハを処理室１６ｂから搬出する工程を説明する。
＜図１１ ステップａ＞
処理室１６ｂの第一の処理部３６で処理されたウエハＷ３は、基板搬出時、第一の基板保持ピン３９ａに搭載される。また、第二の処理部３８で処理されたＷ４は、第二の基板搬送部材４０上に搭載される。これらのウエハは、第一の基板載置台３７上方にそれぞれ保持されている。
一方、ロードロック室１４ａから退避したアーム３４は、処理室１６ｂにフィンガの先端が向くよう、回転する。
尚、このときの鉛直方向の位置は、第二の基板搬送部材４０に搭載されたウエハを上フィンガ３２ａより高い位置とし、また第一の基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハを、下フィンガ３２ｂより高い位置とする。
＜図１１ ステップａ＞
処理室１６ｂの第一の処理部３６で処理されたウエハＷ３は、基板搬出時、第一の基板保持ピン３９ａに搭載される。また、第二の処理部３８で処理されたＷ４は、第二の基板搬送部材４０上に搭載される。これらのウエハは、第一の基板載置台３７上方にそれぞれ保持されている。
一方、ロードロック室１４ａから退避したアーム３４は、処理室１６ｂにフィンガの先端が向くよう、回転する。
尚、このときの鉛直方向の位置は、第二の基板搬送部材４０に搭載されたウエハを上フィンガ３２ａより高い位置とし、また第一の基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハを、下フィンガ３２ｂより高い位置とする。
＜図１１ ステップｂ＞
アーム３４が処理室１６ｂへ挿入される。
このとき、第二の基板搬送部材４０に搭載されたウエハの直下に上フィンガ３２ａを、
また第一の基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハの直下に、下フィンガ３２ｂを配置する。
アーム３４が処理室１６ｂへ挿入される。
このとき、第二の基板搬送部材４０に搭載されたウエハの直下に上フィンガ３２ａを、
また第一の基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハの直下に、下フィンガ３２ｂを配置する。
＜図１１ ステップｃ＞
第二の基板搬送部材４０及び第一の基板保持ピン３９ａが下降する。これにより、各ウエハがフィンガに搭載される。
即ち、第二の基板搬送部材４０に搭載されたウエハは上フィンガ３２ａに移載され、また第一の基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハは、下フィンガ３２ｂに移載される。
第二の基板搬送部材４０及び第一の基板保持ピン３９ａが下降する。これにより、各ウエハがフィンガに搭載される。
即ち、第二の基板搬送部材４０に搭載されたウエハは上フィンガ３２ａに移載され、また第一の基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハは、下フィンガ３２ｂに移載される。
＜図１１ ステップｄ＞
各フィンガに、ウエハが移し変えられた後、アーム３４は処理室１６ｂから退避する。
各フィンガに、ウエハが移し変えられた後、アーム３４は処理室１６ｂから退避する。
続いて、図１２を用いて、処理室１６ｂから搬出された処理済みウエハをロードロック室１４ａへ搬入し、基板支持体２０へ載置する動作を説明する。
＜図１２ ステップａ＞
処理室１６ｂから退避したアーム３４は、フィンガ先端がロードロック室１４ａへ向くよう、回転する。
また、このとき基板支持体２０は次の位置になるよう位置を変更する。
即ち、搬入される処理済みウエハが、元の載置部２８（未処理状態のとき、ＥＦＥＭ１８から基板支持体へ搭載されたときに載置されていた載置部）に搭載されるよう、元の載置部が、各ウエハの鉛直方向の位置より低い位置であり、且つウエハの鉛直方向の位置が、元の載置部の一つ上の載置部より低い位置となるよう、設定される。
具体的には、処理済みウエハＷ３より低い位置にＷ３の載置部２８ｃの位置が設定され、且つ処理済みウエハＷ３が、Ｗ３の載置部２８ｂの一つ上の載置部２８ｃより低い位置に設定されるよう、基板支持体２０の位置を調整する。
尚、基板支持体２０は、この前の動作（図１０のようなＷ１、Ｗ２を搬入する動作。）
で上昇しているため、Ｗ３、Ｗ４を供給するときは、上記のような位置に設定するため、
下降している。
また、ここではＷ３、Ｗ４を例で説明したが、他のウエハの搬入においても、上記のような位置が設定されることは言うまでも無い。
＜図１２ ステップａ＞
処理室１６ｂから退避したアーム３４は、フィンガ先端がロードロック室１４ａへ向くよう、回転する。
また、このとき基板支持体２０は次の位置になるよう位置を変更する。
即ち、搬入される処理済みウエハが、元の載置部２８（未処理状態のとき、ＥＦＥＭ１８から基板支持体へ搭載されたときに載置されていた載置部）に搭載されるよう、元の載置部が、各ウエハの鉛直方向の位置より低い位置であり、且つウエハの鉛直方向の位置が、元の載置部の一つ上の載置部より低い位置となるよう、設定される。
具体的には、処理済みウエハＷ３より低い位置にＷ３の載置部２８ｃの位置が設定され、且つ処理済みウエハＷ３が、Ｗ３の載置部２８ｂの一つ上の載置部２８ｃより低い位置に設定されるよう、基板支持体２０の位置を調整する。
尚、基板支持体２０は、この前の動作（図１０のようなＷ１、Ｗ２を搬入する動作。）
で上昇しているため、Ｗ３、Ｗ４を供給するときは、上記のような位置に設定するため、
下降している。
また、ここではＷ３、Ｗ４を例で説明したが、他のウエハの搬入においても、上記のような位置が設定されることは言うまでも無い。
＜図１２ ステップｂ＞
基板支持体２０の位置が設定されたら、アーム３４は基板支持体２０に挿入される。
即ち、下フィンガ３２ｂに搭載されたウエハＷ３が載置部２８ｃの上端と、載置部２８ｄの下端の間の位置に保持され、また上フィンガ３２ａに搭載されたＷ２が、載置部２８ｄの上端と、載置部２８ｅの下端の間の位置に保持される。
基板支持体２０の位置が設定されたら、アーム３４は基板支持体２０に挿入される。
即ち、下フィンガ３２ｂに搭載されたウエハＷ３が載置部２８ｃの上端と、載置部２８ｄの下端の間の位置に保持され、また上フィンガ３２ａに搭載されたＷ２が、載置部２８ｄの上端と、載置部２８ｅの下端の間の位置に保持される。
＜図１２ ステップｃ＞
各構成の位置が確定後、基板支持体２０は上昇する。これにより、各載置部が処理済みウエハを掬い上げ、載置部上にウエハが移載される。
各構成の位置が確定後、基板支持体２０は上昇する。これにより、各載置部が処理済みウエハを掬い上げ、載置部上にウエハが移載される。
＜図１２ ステップｄ＞
ウエハをフィンガから基板支持体へ移載した後、アーム３４はロードロック室１４ａから退避する。
ウエハをフィンガから基板支持体へ移載した後、アーム３４はロードロック室１４ａから退避する。
図１２の後、次に処理するウエハを、図７のように搬出し、図８のように処理済みウエハが搬出されたばかりの処理室１６ａに、未処理ウエハを供給する。
このように、基板支持体２０、第一の基板搬送部材３０（アーム３４）、第二の基板搬送部材４０及び基板保持ピン３９等の協働作業を繰り返してウエハ搬送作業を行う。
また、本実施例では、ロードロック室１４ａを用いて説明したが、それに限るものではなく、他方のロードロック室１４ｂでも同様の動作で処理を行うことが可能である。
このように、基板支持体２０、第一の基板搬送部材３０（アーム３４）、第二の基板搬送部材４０及び基板保持ピン３９等の協働作業を繰り返してウエハ搬送作業を行う。
また、本実施例では、ロードロック室１４ａを用いて説明したが、それに限るものではなく、他方のロードロック室１４ｂでも同様の動作で処理を行うことが可能である。
次に、処理室１６内へ供給されたウエハの移載フローを、図１３及び図１４を用いて説明する。
図１３（ａ）〜（ｄ）及び図１４(ｅ)〜（ｈ）において、上図は処理室１６の上面図である。下図は上図の断面をイメージした図で、説明用図面である。
下図では、基板保持ピン３９ａの一つが、第一の処理部３６の内、ゲートバルブ３５に近い箇所に設けられている。これは説明の便宜上のものである。実際には上図のように、第一の処理部３６の内、ゲートバルブ３５に近い箇所、即ち第一の基板搬送部材３０が図１３（ｃ）上図のように待機する箇所には、基板保持ピン３９ａは設けられていない。
まず、処理室１６内は、搬送室１２と同圧に真空化される。尚、以下の説明において、
基板処理装置１０を構成する各部の動作はコントローラ８４により制御される。
図１３（ａ）〜（ｄ）及び図１４(ｅ)〜（ｈ）において、上図は処理室１６の上面図である。下図は上図の断面をイメージした図で、説明用図面である。
下図では、基板保持ピン３９ａの一つが、第一の処理部３６の内、ゲートバルブ３５に近い箇所に設けられている。これは説明の便宜上のものである。実際には上図のように、第一の処理部３６の内、ゲートバルブ３５に近い箇所、即ち第一の基板搬送部材３０が図１３（ｃ）上図のように待機する箇所には、基板保持ピン３９ａは設けられていない。
まず、処理室１６内は、搬送室１２と同圧に真空化される。尚、以下の説明において、
基板処理装置１０を構成する各部の動作はコントローラ８４により制御される。
＜ステップ１ 図１３（ａ）＞
ゲートバルブ３５が開き、第一の処理部３６の第一の基板保持ピン３９ａと第二の処理部３８の第二の基板保持ピン３９ｂが上昇する。第二の基板搬送部材４０は第二の処理部３８側に待機し、第一の基板保持ピン３９ａ、第二の基板保持ピン３９ｂと共に上昇する。
ゲートバルブ３５が開き、第一の処理部３６の第一の基板保持ピン３９ａと第二の処理部３８の第二の基板保持ピン３９ｂが上昇する。第二の基板搬送部材４０は第二の処理部３８側に待機し、第一の基板保持ピン３９ａ、第二の基板保持ピン３９ｂと共に上昇する。
＜ステップ２ 図１３（ｂ）＞
第二の基板搬送部材４０は、軸部４３ｅが回転することで略水平に第一の処理部３６側へ移動する。この際、第二の基板搬送部材４０の切欠き部４３ｂは、ゲートバルブ３５と向かい合っている。
第二の基板搬送部材４０は、軸部４３ｅが回転することで略水平に第一の処理部３６側へ移動する。この際、第二の基板搬送部材４０の切欠き部４３ｂは、ゲートバルブ３５と向かい合っている。
＜ステップ３ 図１３（ｃ）＞
第一の基板搬送部材３０が上フィンガ３２ａと下フィンガ３２ｂに載置された２枚のウエハを同時搬送しながら、搬送室１２からゲートバルブ３５を介して処理室１６に移動し、第一の処理部３６上方にて停止する。その際、第二の基板搬送部材４０はフィンガ対３２の上フィンガ３２ａと下フィンガ３２ｂの間に収まる高さ位置にて待機する。
第一の基板搬送部材３０が上フィンガ３２ａと下フィンガ３２ｂに載置された２枚のウエハを同時搬送しながら、搬送室１２からゲートバルブ３５を介して処理室１６に移動し、第一の処理部３６上方にて停止する。その際、第二の基板搬送部材４０はフィンガ対３２の上フィンガ３２ａと下フィンガ３２ｂの間に収まる高さ位置にて待機する。
＜ステップ４ 図１３（ｄ）＞
第一の基板搬送部材３０はそのまま動作しない状態にて、第一の処理部３６の第一の基板保持ピン３９ａが上昇し、下フィンガ３２ｂに載置されたウエハを第一の基板保持ピン３９ａ上に載置する。さらに、第二の基板搬送部材４０が上昇することで、上フィンガ３２ａに載置されたウエハを第二の基板搬送部材４０の爪部４３ｃ上に載置する。
第一の基板搬送部材３０はそのまま動作しない状態にて、第一の処理部３６の第一の基板保持ピン３９ａが上昇し、下フィンガ３２ｂに載置されたウエハを第一の基板保持ピン３９ａ上に載置する。さらに、第二の基板搬送部材４０が上昇することで、上フィンガ３２ａに載置されたウエハを第二の基板搬送部材４０の爪部４３ｃ上に載置する。
＜ステップ５ 図１４（ｅ）＞
第一の基板搬送部材３０は、搬送室１２内に戻る。
第一の基板搬送部材３０は、搬送室１２内に戻る。
＜ステップ６ 図１４（ｆ）＞
第二の基板搬送部材４０は、ウエハ１を載置した状態で、軸部４３ｅが回転することで略水平に第二の処理部３８側へ移動する。
ゲートバルブ３５が閉まる。
第二の基板搬送部材４０は、ウエハ１を載置した状態で、軸部４３ｅが回転することで略水平に第二の処理部３８側へ移動する。
ゲートバルブ３５が閉まる。
＜ステップ７ 図１４（ｇ）＞
軸部４３ｅが下降して、第二の基板搬送部材４０は、第二の処理部３８の外周下方に移動する。
第二の基板搬送部材４０はウエハ処理中も処理室１６内に待機することになるため、第二の処理部３８上方から供給される処理ガス（例えばＯ2ラジカル等）のガスの流れを阻害し、ウエハ面内の均一性を悪化させる恐れがある。そのため、第二の処理部３８の外周のガス流れを阻害しない高さへと移動する。
軸部４３ｅが下降して、第二の基板搬送部材４０は、第二の処理部３８の外周下方に移動する。
第二の基板搬送部材４０はウエハ処理中も処理室１６内に待機することになるため、第二の処理部３８上方から供給される処理ガス（例えばＯ2ラジカル等）のガスの流れを阻害し、ウエハ面内の均一性を悪化させる恐れがある。そのため、第二の処理部３８の外周のガス流れを阻害しない高さへと移動する。
＜ステップ８ 図１４（ｈ）＞
第一の処理部３６の第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の処理部３８の第二の基板保持ピン３９ｂがウエハ１を略水平に保持した状態でほぼ同時に下降し、ウエハ１を第一の基板載置台３７及び第二の基板載置台４１にそれぞれ載置する。即ち、それぞれのウエハと、それらのウエハに対応した基板載置台との距離が互いに等しくなるよう、ウエハを下降させる。
第一の処理部３６及び第二の処理部３８それぞれのウエハへの熱影響を同じにするためである。熱影響を同じにすることにより、例えばそれぞれのウエハのアッシングレートを均一にすることができる。基板処理がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）の場合、それぞれの膜厚を略同じ厚みとすることができる。
なお、まったく同じ熱影響とする必要は無く、アッシングレートや膜厚が均一にさえなれば、誤差があってもよい。誤差は、例えば２秒程度である。
第一の基板保持ピン３９ａと第二の基板保持ピン３９ｂをほぼ同時に下降して、熱影響を同じとする代わりに、ヒータを個別に制御してもよい。
また、本装置では、基板保持ピン３９が下がるが、基板載置台が上下する構成にしてもよい。
第一の処理部３６の第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の処理部３８の第二の基板保持ピン３９ｂがウエハ１を略水平に保持した状態でほぼ同時に下降し、ウエハ１を第一の基板載置台３７及び第二の基板載置台４１にそれぞれ載置する。即ち、それぞれのウエハと、それらのウエハに対応した基板載置台との距離が互いに等しくなるよう、ウエハを下降させる。
第一の処理部３６及び第二の処理部３８それぞれのウエハへの熱影響を同じにするためである。熱影響を同じにすることにより、例えばそれぞれのウエハのアッシングレートを均一にすることができる。基板処理がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）の場合、それぞれの膜厚を略同じ厚みとすることができる。
なお、まったく同じ熱影響とする必要は無く、アッシングレートや膜厚が均一にさえなれば、誤差があってもよい。誤差は、例えば２秒程度である。
第一の基板保持ピン３９ａと第二の基板保持ピン３９ｂをほぼ同時に下降して、熱影響を同じとする代わりに、ヒータを個別に制御してもよい。
また、本装置では、基板保持ピン３９が下がるが、基板載置台が上下する構成にしてもよい。
その後、処理室１６内にガスを供給し、プラズマ生成（アッシング処理）がなされ、基板処理後は、逆のシーケンスを実行し、基板を搬出する。
続いて第二の実施形態を、図１５から図３１を用いて説明する。
第一の実施形態との相違点は、第一の基板搬送部材である。第一の実施形態における第一の基板搬送部材３０は、アームがアーム３４の一つであったが、第二の実施形態における第一の基板搬送部材７０は、アーム７４、７５の二つのアームを有する。また、各アームはそれぞれ二つのフィンガを有する。
以下に、第二の実施形態について詳細を説明する。
尚、第一の実施形態と同番号の構成については、第一の実施形態と同様の機能や構成であるため、説明を省略する。
第一の実施形態との相違点は、第一の基板搬送部材である。第一の実施形態における第一の基板搬送部材３０は、アームがアーム３４の一つであったが、第二の実施形態における第一の基板搬送部材７０は、アーム７４、７５の二つのアームを有する。また、各アームはそれぞれ二つのフィンガを有する。
以下に、第二の実施形態について詳細を説明する。
尚、第一の実施形態と同番号の構成については、第一の実施形態と同様の機能や構成であるため、説明を省略する。
図１５は、第二の実施形態の基板処理装置である。
図１５に示すように、ロードロック室１４ａ、１４ｂには、例えば２５枚の基板を縦方向に一定間隔を隔てて収容する基板支持体（ボート）２０が設けられている。基板支持体２０は、ロードロック室１４ａ、１４ｂ内において、鉛直方向に移動（上下方向に移動）するようにされているとともに、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するようにされている。
図１５に示すように、ロードロック室１４ａ、１４ｂには、例えば２５枚の基板を縦方向に一定間隔を隔てて収容する基板支持体（ボート）２０が設けられている。基板支持体２０は、ロードロック室１４ａ、１４ｂ内において、鉛直方向に移動（上下方向に移動）するようにされているとともに、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するようにされている。
搬送室１２には、ロードロック室１４ａ、１４ｂと処理室１６ａ、１６ｂとの間でウエハ１を搬送する基板搬送部である第一の基板搬送部材７０が設けられている。第一の基板搬送部材７０は、上フィンガ７２ａ及び下フィンガ７２ｂを有する上アーム７４、及び上フィンガ７２ｃ、下フィンガ７２ｄを有する下アーム７５を有する。上フィンガ７２ａ及び下フィンガ７２ｂは、上下方向に所定の間隔で離間され、上アーム７４からそれぞれ略水平に同じ方向に延びて、それぞれウエハ１を支持することができるようにされている。同様に、上フィンガ７２ｃ及び下フィンガ７２ｄは、上下方向に所定の間隔で離間され、下アーム７５からそれぞれ略水平に同じ方向に延びて、それぞれウエハ１を支持することができるようにされている。
上アーム７４及び下アーム７５は積層されており、またそれぞれ独立して水平方向に移動することができる。上アーム７４及び下アーム７５は、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するようにされているとともに、水平方向に移動するようにされている。さらに、鉛直方向に上下可能である。
ウエハ搬送時は、上アーム７４、もしくは下アーム７５のいずれか一方にウエハを搭載し、２枚ずつ搬送を行う。
搬送室１２とロードロック室１４ａの間には第一の基板通過口１３ａが、また搬送室１２とロードロック室１４ｂとの間には、第二の基板通過口１３ｂが設けられる。更に、搬送室１２と処理室１６ａとの間には、第三の基板通過口１５ａが、搬送室１２と処理室１６ｂの間には、第四の基板通過口１５ｂが設けられている。それぞれの基板通過口には、ゲートバルブ３５が設けられている。これらの基板通過口を介して、ロードロック室、搬送室、処理室は連通している。尚、これらの基板通過口は、装置に固定されたものである。
ウエハ搬送時は、上アーム７４、もしくは下アーム７５のいずれか一方にウエハを搭載し、２枚ずつ搬送を行う。
搬送室１２とロードロック室１４ａの間には第一の基板通過口１３ａが、また搬送室１２とロードロック室１４ｂとの間には、第二の基板通過口１３ｂが設けられる。更に、搬送室１２と処理室１６ａとの間には、第三の基板通過口１５ａが、搬送室１２と処理室１６ｂの間には、第四の基板通過口１５ｂが設けられている。それぞれの基板通過口には、ゲートバルブ３５が設けられている。これらの基板通過口を介して、ロードロック室、搬送室、処理室は連通している。尚、これらの基板通過口は、装置に固定されたものである。
したがって、ロードロック室１４ａ、１４ｂにストックされた未処理ウエハを搬送室１２に載置された第一の基板搬送部材７０により同時に２枚ずつゲートバルブ３５を介して処理室１６ａ、１６ｂへ移載し、処理済ウエハを処理室１６ａ、１６ｂから第一の基板搬送部材７０により一度に２枚ずつロードロック室１４ａ、１４ｂに移載する。
図１６は上アーム７４の各フィンガを上から見た図である。
図１６（ａ）は、上アーム７４の上フィンガ７２ａを示す。上フィンガ７２ａを第１フィンガとする。
第１フィンガ７２ａは、支持部８０によってアームに支持固定される。ウエハ載置部８２は座刳されており、ウエハを載置する。貫通孔８５は第1フィンガ７２ａの第１貫通孔、貫通孔８６は第１フィンガ７２ａの第２貫通孔であり、後述する反射型変位センサから投光される光が通過する。尚、これら貫通孔は、ウエハ載置時、ウエハ載置部８２側の一部がウエハと重なるように設定される。
第１貫通孔８５は、ウエハ載置時、ウエハ載置部８２側の基板載置部第１貫通孔８５ａがウエハと重なるように設定される。尚、一方の支持部側の支持部第１貫通孔８５ｂはウエハと重ならないよう設定されている。
同様に、第２貫通孔８６は、ウエハ載置時、ウエハ載置部８２側の基板載置第２貫通孔８６ａがウエハと重なるように設定される。尚、一方の支持部側の支持部第２貫通孔８６ｂはウエハと重ならないよう設定されている。
図１６（ａ）は、上アーム７４の上フィンガ７２ａを示す。上フィンガ７２ａを第１フィンガとする。
第１フィンガ７２ａは、支持部８０によってアームに支持固定される。ウエハ載置部８２は座刳されており、ウエハを載置する。貫通孔８５は第1フィンガ７２ａの第１貫通孔、貫通孔８６は第１フィンガ７２ａの第２貫通孔であり、後述する反射型変位センサから投光される光が通過する。尚、これら貫通孔は、ウエハ載置時、ウエハ載置部８２側の一部がウエハと重なるように設定される。
第１貫通孔８５は、ウエハ載置時、ウエハ載置部８２側の基板載置部第１貫通孔８５ａがウエハと重なるように設定される。尚、一方の支持部側の支持部第１貫通孔８５ｂはウエハと重ならないよう設定されている。
同様に、第２貫通孔８６は、ウエハ載置時、ウエハ載置部８２側の基板載置第２貫通孔８６ａがウエハと重なるように設定される。尚、一方の支持部側の支持部第２貫通孔８６ｂはウエハと重ならないよう設定されている。
図１６（ｂ）は、上アーム７４の下フィンガ７２ｂを示す。下フィンガ７２ｂを第２フィンガとする。
第２フィンガ７２ｂは、支持部８０によってアームに固定される。ウエハ載置部８８はウエハを載置する。ウエハ載置部８８先端に設けられた切欠き９０は、下方に設けられた反射型変位センサから第２フィンガ７２ｂの下面に光が投光されたときに、その光が通過する。ウエハ載置時は、切欠き９０上にウエハが載置される。第１フィンガ７２ａ及び第２フィンガ７２ｂを重ねたとき、切欠き９０は、第１フィンガ７２ａと重なるよう設定される。このような構成とすることで、ウエハが載置されていないときは、反射型変位センサから投光された光が切欠き９０を通過し、第１フィンガ７２ａの下面で反射される。この反射光を検出することで、反射変位センサから第１フィンガ７２ａまでの距離を計測することが可能となる。第１フィンガ７２ａの距離が計測された場合、ウエハが第２フィンガ７２ｂに無いと判断する。第２フィンガ７２ｂの距離が計測された場合、ウエハが第２フィンガ７２ｂに有ると判断する。
第２フィンガ７２ｂは、支持部８０によってアームに固定される。ウエハ載置部８８はウエハを載置する。ウエハ載置部８８先端に設けられた切欠き９０は、下方に設けられた反射型変位センサから第２フィンガ７２ｂの下面に光が投光されたときに、その光が通過する。ウエハ載置時は、切欠き９０上にウエハが載置される。第１フィンガ７２ａ及び第２フィンガ７２ｂを重ねたとき、切欠き９０は、第１フィンガ７２ａと重なるよう設定される。このような構成とすることで、ウエハが載置されていないときは、反射型変位センサから投光された光が切欠き９０を通過し、第１フィンガ７２ａの下面で反射される。この反射光を検出することで、反射変位センサから第１フィンガ７２ａまでの距離を計測することが可能となる。第１フィンガ７２ａの距離が計測された場合、ウエハが第２フィンガ７２ｂに無いと判断する。第２フィンガ７２ｂの距離が計測された場合、ウエハが第２フィンガ７２ｂに有ると判断する。
貫通孔９２は、上方にある反射型変位センサから投光される光が通過する第２フィンガ７２ｂの貫通孔である。貫通孔９２は、ウエハ載置時、ウエハ載置部８８側の基板載置部貫通孔９２ａがウエハと重なるように設定される。尚、一方の支持部側の支持部貫通孔９２ｂはウエハと重ならないよう設定されている。
図１７は下アーム７５の各フィンガを上から見た図である。
図１７（ａ）は下アーム７５の上フィンガ７２ｃを示す。上フィンガ７２ｃを第３フィンガとする。
第３フィンガ７２ｃは、支持部８０によってアームに支持固定される。ウエハ載置部９４は座刳されており、ウエハを載置する。ウエハ載置部９４の先端は、第一の先端部９４ａ、第二の先端部９４ｂ、第三の先端部９４ｃから構成される。第一の先端部９４ａは、支持部８０から最も遠い位置に有する。第二の先端部９４ｂは、第一の先端部９４ａに隣接し、ウエハ載置部９４の内側に有する。第三の先端部９４ｃは、第二の先端部９４ｂに隣接し、かつウエハ載置部９４の外側に有する。また、第一の先端部９４ａ及び第二の先端部９４ｃそれぞれと隣り合う場所であって、ウエハ載置部９４の外側には、切欠き９６が設けらている。
図１７（ａ）は下アーム７５の上フィンガ７２ｃを示す。上フィンガ７２ｃを第３フィンガとする。
第３フィンガ７２ｃは、支持部８０によってアームに支持固定される。ウエハ載置部９４は座刳されており、ウエハを載置する。ウエハ載置部９４の先端は、第一の先端部９４ａ、第二の先端部９４ｂ、第三の先端部９４ｃから構成される。第一の先端部９４ａは、支持部８０から最も遠い位置に有する。第二の先端部９４ｂは、第一の先端部９４ａに隣接し、ウエハ載置部９４の内側に有する。第三の先端部９４ｃは、第二の先端部９４ｂに隣接し、かつウエハ載置部９４の外側に有する。また、第一の先端部９４ａ及び第二の先端部９４ｃそれぞれと隣り合う場所であって、ウエハ載置部９４の外側には、切欠き９６が設けらている。
図１７（ｂ）は、下アーム７５の下フィンガ７２ｄを示す。下フィンガ７２ｄを第４フィンガとする。
第４フィンガ７２ｄは、支持部８０によってアームに支持固定される。ウエハ載置部９８は座刳されており、ウエハを載置する。ウエハ載置部９８の先端は、第一の先端部９８ａ、第二の先端部９８ｂから構成される。第一の先端部９８ａは、支持部８０から最も遠い位置に有する。第二の先端部９８ｂは、第一の先端部９８ａに隣接し、ウエハ支持部８０に近い位置に有する。また、第一の先端部９８ａ及び第二の先端部９８ｂそれぞれと隣り合う場所であって、ウエハ載置部９８の外側には、切欠き１００が設けらている。切欠き１００は、第一の先端部９８ａに隣接する第一の切欠き１００ａ及び第二の先端部９８ｂと隣接する第二の切欠き１００ｂを有する。
切欠き１００は、反射型センサから投光される光や、第３フィンガ７２ｃから反射される反射型センサの光が通過するよう形成されている。また、切欠き１００ｂは、第３フィンガ７２ｃの第三の先端部９４ｃと重なるよう、設定される。
第４フィンガ７２ｄは、支持部８０によってアームに支持固定される。ウエハ載置部９８は座刳されており、ウエハを載置する。ウエハ載置部９８の先端は、第一の先端部９８ａ、第二の先端部９８ｂから構成される。第一の先端部９８ａは、支持部８０から最も遠い位置に有する。第二の先端部９８ｂは、第一の先端部９８ａに隣接し、ウエハ支持部８０に近い位置に有する。また、第一の先端部９８ａ及び第二の先端部９８ｂそれぞれと隣り合う場所であって、ウエハ載置部９８の外側には、切欠き１００が設けらている。切欠き１００は、第一の先端部９８ａに隣接する第一の切欠き１００ａ及び第二の先端部９８ｂと隣接する第二の切欠き１００ｂを有する。
切欠き１００は、反射型センサから投光される光や、第３フィンガ７２ｃから反射される反射型センサの光が通過するよう形成されている。また、切欠き１００ｂは、第３フィンガ７２ｃの第三の先端部９４ｃと重なるよう、設定される。
次に、図１８を用いて、本発明に於けるウエハの検出部について説明する。
図１８（ａ）は、基板処理装置１０を下側から見た図であり、図１８（ｂ）は基板処理装置１０を上側から見た図である。
搬送室１２の下面には、反射型変位センサ１０２ａ、１０２ｂ、透過型センサ受光部１０４ａ、１０４ｂ、反射型変位センサ１０６ａ、１０６ｂ、透過型センサ受光部１０８ａ、１０８ｂが設けられている。
また、搬送室１２の上面には、透過型センサ投光部１１０ａ、１１０ｂ、反射型変位センサ１１２ａ、１１２ｂ、反射型変位センサ１１４ａ、１１４ｂ、透過型センサ投光部１１６ａ、１１６ｂが設けられている
図１８（ａ）は、基板処理装置１０を下側から見た図であり、図１８（ｂ）は基板処理装置１０を上側から見た図である。
搬送室１２の下面には、反射型変位センサ１０２ａ、１０２ｂ、透過型センサ受光部１０４ａ、１０４ｂ、反射型変位センサ１０６ａ、１０６ｂ、透過型センサ受光部１０８ａ、１０８ｂが設けられている。
また、搬送室１２の上面には、透過型センサ投光部１１０ａ、１１０ｂ、反射型変位センサ１１２ａ、１１２ｂ、反射型変位センサ１１４ａ、１１４ｂ、透過型センサ投光部１１６ａ、１１６ｂが設けられている
反射型変位センサ１０２ａは、ロードロック室１４ａにウエハを搬入出する際、上アーム７４の第２フィンガ７２ｂに、ウエハが存在するか否かを確認するために、ウエハの有無を検知するものである。反射型変位センサ１０２ｂも同様に、ロードロック室１４ｂに、ウエハを搬入出する際、上アーム７４の第２フィンガ７２ｂにウエハが存在するか否かを確認するものである。
透過型センサ受光部１０４ａ及び透過型センサ投光部１１０ａは対の装置であり、投光部１１０ａが投光した光を受光部１０４ａで受光する。
この透過型センサ受光部１０４ａ及び透過型センサ投光部１１０ａにより、ロードロック室１４ａにウエハを搬入出する際、下アーム７５にウエハが存在するか否かを確認するものである。
また、透過型センサ受光部１０４ｂ及び透過型センサ投光部１１０ｂも同様に、ロードロック室１４ｂにウエハを搬入出する際、下アーム７５にウエハが存在するか否かを確認するものである。
この透過型センサ受光部１０４ａ及び透過型センサ投光部１１０ａにより、ロードロック室１４ａにウエハを搬入出する際、下アーム７５にウエハが存在するか否かを確認するものである。
また、透過型センサ受光部１０４ｂ及び透過型センサ投光部１１０ｂも同様に、ロードロック室１４ｂにウエハを搬入出する際、下アーム７５にウエハが存在するか否かを確認するものである。
反射型変位センサ１０６ａは、処理室１６ａにウエハを搬入出する際、下アーム７５の第４フィンガ７２ｄに、ウエハが存在するか否かを確認するために、ウエハの有無を検知するものである。反射型変位センサ１０６ｂも同様に、処理室１６ｂに、ウエハを搬入出する際、下アーム７５の第４フィンガ７２ｄにウエハが存在するか否かを確認するものである。
透過型センサ受光部１０８ａ及び透過型センサ投光部１１６ａは対の装置であり、投光部１１６ａが投光した光を受光部１０８ａで受光する。
この透過型センサ受光部１０８ａ及び透過型センサ投光部１１６ａにより、処理室１６ａにウエハを搬入出する際、下アーム７５にウエハが存在するか否かを確認するものである。
また、透過型センサ受光部１０８ｂ及び透過型センサ投光部１１６ｂも同様に、処理室１６ｂにウエハを搬入出する際、下アーム７５にウエハが存在するか否かを確認するものである。
この透過型センサ受光部１０８ａ及び透過型センサ投光部１１６ａにより、処理室１６ａにウエハを搬入出する際、下アーム７５にウエハが存在するか否かを確認するものである。
また、透過型センサ受光部１０８ｂ及び透過型センサ投光部１１６ｂも同様に、処理室１６ｂにウエハを搬入出する際、下アーム７５にウエハが存在するか否かを確認するものである。
反射型変位センサ１１２ａは、ロードロック室１４ａにウエハを搬入出する際、上アーム７４の第１フィンガ７２ａに、ウエハが存在するか否かを確認するために、ウエハの有無を検知するものである。反射型変位センサ１１２ｂも同様に、ロードロック室１４ｂに、ウエハを搬入出する際、上アーム７４の第１フィンガ７２ａにウエハが存在するか否かを確認するものである。
反射型変位センサ１１４ａは、処理室１６ａにウエハを搬入出する際、下アーム７５の第３フィンガ７２ｃに、ウエハが存在するか否かを確認するために、ウエハの有無を検知するものである。反射型変位センサ１１４ｂも同様に、処理室１６ｂに、ウエハを搬入出する際、下アーム７５の第３フィンガ７２ｃにウエハが存在するか否かを確認するものである。
続いて図１９から図３１を用いて、ウエハがロードロック室から搬送室を経由し、処理室１６へ供給/排出されるフローを説明する。
各図では次の説明を行う。尚、図１９から図３１は、連続した処理である。
図１９から図２２：ロードロック室から第一の処理室１６ａへ、未処理のウエハを搬送する工程。
図２３から図２４：ロードロック室から第二の処理室１６ｂへ、未処理のウエハを搬送する工程。
図２５から図３１：ロードロック室から第一の処理室１６ａへ、未処理のウエハを搬送し、第一の処理室１６ａの処理済みウエハと未処理ウエハを入れ替え、処理済みウエハをロードロック室へ搬送する工程。
各図では次の説明を行う。尚、図１９から図３１は、連続した処理である。
図１９から図２２：ロードロック室から第一の処理室１６ａへ、未処理のウエハを搬送する工程。
図２３から図２４：ロードロック室から第二の処理室１６ｂへ、未処理のウエハを搬送する工程。
図２５から図３１：ロードロック室から第一の処理室１６ａへ、未処理のウエハを搬送し、第一の処理室１６ａの処理済みウエハと未処理ウエハを入れ替え、処理済みウエハをロードロック室へ搬送する工程。
図１９は、ロードロック室１４ａ（Ｌ/Ｌ１４ａ）から、ウエハ1を搬出する動作を説明する説明図である。図１９では、ＥＦＥＭ１８から基板支持体２０に基板が搬送され、その後初めて基板処理装置１０へウエハ1を搬送する状態である。したがって、基板支持体２０に搭載されているウエハ1は、全て未処理ウエハである。
＜図１９ ステップａ＞
初めに、これから処理する２枚のウエハと、第一の基板搬送部材７０の上アーム７４の第１フィンガ７２ａ、第２フィンガ７２ｂの高さから若干高い位置に設定されるように、基板支持体２０の鉛直方向の位置が調整される。
ここでは、一枚目のウエハであるＷ１の鉛直方向の位置を第２フィンガ７２ｂの鉛直方向の位置より高く調整する。二枚目のウエハであるＷ２と第１フィンガ７２ａの鉛直方向の位置に関しても、同様の関係とする。
初めに、これから処理する２枚のウエハと、第一の基板搬送部材７０の上アーム７４の第１フィンガ７２ａ、第２フィンガ７２ｂの高さから若干高い位置に設定されるように、基板支持体２０の鉛直方向の位置が調整される。
ここでは、一枚目のウエハであるＷ１の鉛直方向の位置を第２フィンガ７２ｂの鉛直方向の位置より高く調整する。二枚目のウエハであるＷ２と第１フィンガ７２ａの鉛直方向の位置に関しても、同様の関係とする。
＜図１９ ステップｂ＞
鉛直方向の位置を調整後、上アーム７４が基板支持体２０へ挿入される。即ち、Ｗ１の直下に第２フィンガ７２ｂが、またＷ２の直下に第１フィンガ７２ａが配置される。
鉛直方向の位置を調整後、上アーム７４が基板支持体２０へ挿入される。即ち、Ｗ１の直下に第２フィンガ７２ｂが、またＷ２の直下に第１フィンガ７２ａが配置される。
＜図１９ ステップｃ＞
上アーム７４を挿入後、基板支持体２０が下降する。
これにより、各フィンガにウエハが搭載される。
即ち、Ｗ１は第２フィンガ７２ｂに搭載され、Ｗ２は第１フィンガ７２ａへ搭載される。
上アーム７４を挿入後、基板支持体２０が下降する。
これにより、各フィンガにウエハが搭載される。
即ち、Ｗ１は第２フィンガ７２ｂに搭載され、Ｗ２は第１フィンガ７２ａへ搭載される。
＜図１９ ステップｄ＞
フィンガ上にウエハが搭載された後、上アーム７４は、フィンガ向きを維持したまま、
処理室方向へ移動する。このようにして、未処理ウエハは、基板支持体２０から搬出される。
フィンガ上にウエハが搭載された後、上アーム７４は、フィンガ向きを維持したまま、
処理室方向へ移動する。このようにして、未処理ウエハは、基板支持体２０から搬出される。
ここで、各センサによるウエハ検出方法を、図２０を用いて説明する。それらの図において、×マークはセンサの光の道筋である光軸を表す。
図２０を用いて、ロードロック室１４ａから搬送室１２へウエハを搬出する場合の、ウエハの検出方法について説明する。
図２０（ａ−１）は、ロードロック室１４ａからウエハを搬出するために、第一の基板搬送部材７０が、搬送室中で待機している状態を表す図である。この時、ロードロック室１４ａで待機されているウエハが移載される第１フィンガ７２ａ、第２フィンガ７２ｂに、ウエハが載置されていないことを確認するために、センサを用いてウエハの有無を確認する。
図２０（ａ−２）は、（ａ−１）の状態のときの、フィンガとセンサから受ける光の関連を示す図である。
図２０（ａ−１）は、ロードロック室１４ａからウエハを搬出するために、第一の基板搬送部材７０が、搬送室中で待機している状態を表す図である。この時、ロードロック室１４ａで待機されているウエハが移載される第１フィンガ７２ａ、第２フィンガ７２ｂに、ウエハが載置されていないことを確認するために、センサを用いてウエハの有無を確認する。
図２０（ａ−２）は、（ａ−１）の状態のときの、フィンガとセンサから受ける光の関連を示す図である。
以下に具体的に説明する。
反射型変位センサ１０２ａは、第２フィンガ７２ｂの裏面（ウエハを載置しない面）方向から、第２フィンガ切欠き９０に向けて光を投光する。ウエハは第２フィンガ７２ｂに載置されていないので、光は第２フィンガ切欠き９０を通過し、第１フィンガ７２ａ先端の裏面に当たる。そこで反射された光は、再び第２フィンガ切欠き９０を通過し、反射型変位センサ１０２ａが受光する。このようにして、距離を計測する。この場合、計測された距離は、予めコントローラ８４に記憶されている反射型変位センサ１０２ａの基準値（第１フィンガ７２ａと反射型変位センサ１０２ａとの距離）と比較され、それが誤差内であれば、第２フィンガ７２ｂにはウエハが存在しないことがわかる。
このとき、反射型変位センサ１０２ａと第１フィンガ７２ａの距離が基準値の誤差の範囲であった場合、基板が存在するか、もしくは異常が起きたと判断される。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
反射型変位センサ１０２ａは、第２フィンガ７２ｂの裏面（ウエハを載置しない面）方向から、第２フィンガ切欠き９０に向けて光を投光する。ウエハは第２フィンガ７２ｂに載置されていないので、光は第２フィンガ切欠き９０を通過し、第１フィンガ７２ａ先端の裏面に当たる。そこで反射された光は、再び第２フィンガ切欠き９０を通過し、反射型変位センサ１０２ａが受光する。このようにして、距離を計測する。この場合、計測された距離は、予めコントローラ８４に記憶されている反射型変位センサ１０２ａの基準値（第１フィンガ７２ａと反射型変位センサ１０２ａとの距離）と比較され、それが誤差内であれば、第２フィンガ７２ｂにはウエハが存在しないことがわかる。
このとき、反射型変位センサ１０２ａと第１フィンガ７２ａの距離が基準値の誤差の範囲であった場合、基板が存在するか、もしくは異常が起きたと判断される。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
反射型センサ１１２ａは、第１フィンガ７２ａの第二貫通孔８６に向けて光を投光する。投光された光は、第二貫通孔８６を通過し、第２フィンガ７２ｂの支持部に当たる。そこで反射された光は、第二貫通孔８６を通過し、反射型変位センサ１１２ａによって受光される。このようにして、距離を計測する。この場合、反射型変位センサ１１２ａと第２フィンガ７２ｂの距離が計測される。計測された距離は、予めコントローラ８４に記憶されている反射型変位センサ１１２ａの基準値（第２フィンガ７２ｂと反射型変位センサ１１２ａとの距離）と比較され、結果誤差内であれば第１フィンガ７２ａにはウエハが存在しないことがわかる。
このとき、基準値が誤差内で無かった場合、基板が存在するか、もしくは異常が起きたと判断される。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
このとき、基準値が誤差内で無かった場合、基板が存在するか、もしくは異常が起きたと判断される。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
各フィンガに基板が無いと判断されたら、基板通過口１３ａのゲートバルブ３５が開く。その後、（ｂ）のように、上アーム７４が、ロードロック室１４ａの方向へ移動する。このとき、基板支持体２０が相対的に移動することで、第１フィンガ７２ａ及び第２フィンガ７２ｂに、基板が移載される。
上アーム７４にウエハが保持されたら、上アーム７４は搬送室１２に移動し、ゲートバルブ３５が閉じられる。
搬送室１２に上アーム７４が戻ると、上アーム７４にウエハが移載されているのか否かを確認する。（ｃ−１）はその説明図であり、（ｃ−２）は、（ｃ−1）の状態のときの、フィンガと、センサから受ける光の関連を示す図である。
反射型変位センサ１０２ａは、第２フィンガ７２ｂの裏面（ウエハを載置しない面）方向から、第２フィンガ切欠き９０に向けて光を投光する。ウエハは第２フィンガ７２ｂに載置されており、また切欠き９０上に載置されているので、光軸はウエハによって遮断され、結果光はウエハ裏面によって反射される。ウエハ裏面で反射された光は、反射型変位センサ１０２ａによって受光される。このようにして、距離を計測する。この場合、反射型変位センサ１０２ａと第２フィンガ７２ｂの距離が計測される。計測された距離は、前述の反射型変位センサ１０２ａ基準値（反射型変位センサ１０２ａと第１フィンガ７２ａとの距離）と異なるので、第２フィンガ７２ｂにはウエハが存在することがわかる。
このとき、基準値と異なり、かつ反射型変位センサと第２フィンガ７２ｂとの距離と大幅に異なる場合は、ウエハが存在しないか、もしくは異常が起きたと判断される。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
反射型変位センサ１０２ａは、第２フィンガ７２ｂの裏面（ウエハを載置しない面）方向から、第２フィンガ切欠き９０に向けて光を投光する。ウエハは第２フィンガ７２ｂに載置されており、また切欠き９０上に載置されているので、光軸はウエハによって遮断され、結果光はウエハ裏面によって反射される。ウエハ裏面で反射された光は、反射型変位センサ１０２ａによって受光される。このようにして、距離を計測する。この場合、反射型変位センサ１０２ａと第２フィンガ７２ｂの距離が計測される。計測された距離は、前述の反射型変位センサ１０２ａ基準値（反射型変位センサ１０２ａと第１フィンガ７２ａとの距離）と異なるので、第２フィンガ７２ｂにはウエハが存在することがわかる。
このとき、基準値と異なり、かつ反射型変位センサと第２フィンガ７２ｂとの距離と大幅に異なる場合は、ウエハが存在しないか、もしくは異常が起きたと判断される。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
反射型センサ１１２ａは、第１フィンガ７２ａの第二貫通孔８６に向けて光を投光する。投光された光は、第一フィンガ７２に載置された基板に当たって反射する。そこで反射された光は、反射型変位センサ１１２ａによって受光される。このようにして、距離を計測する。この場合、計測された距離は、前述の反射型変位センサ１１２ａの基準値（反射型変位センサ１１２ａと第２フィンガ７２ｂとの距離）と異なるので、第１フィンガ７２ａにウエハが存在することがわかる。
このとき、基準値と異なり、かつ反射型変位センサと第１フィンガ７２ａのとの距離と大幅に異なる場合は、ウエハが存在しないか、もしくは異常が起きたと判断される。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
このとき、基準値と異なり、かつ反射型変位センサと第１フィンガ７２ａのとの距離と大幅に異なる場合は、ウエハが存在しないか、もしくは異常が起きたと判断される。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
続いて、図２１を用いて、図１９にて搬出されたウエハが、処理室１６ａ（ＰＣ１６ａ）に搬入される動作を説明する。図２１の搬入動作は、図１９の搬出動作と連続する。
＜図２１ ステップａ＞
ウエハを搭載した上アーム７４は、第１フィンガ７２ａ、第２フィンガ７２ｂそれぞれの先端が、処理室１６ａの方向に向くよう、下アーム７５と共に回転する。
＜図２１ ステップａ＞
ウエハを搭載した上アーム７４は、第１フィンガ７２ａ、第２フィンガ７２ｂそれぞれの先端が、処理室１６ａの方向に向くよう、下アーム７５と共に回転する。
＜図２１ ステップｂ>
処理室１６ａでは、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０が待機されている。
回転された上アーム７４は、処理室１６ａの第一の基板載置台３７上方にウエハが配置されるよう、且つ各ウエハの鉛直方向の位置が、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０の直上に位置するよう、水平方向に処理室１６ａへ挿入される。
即ち、第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハＷ１が第一の基板保持ピン３９ａの直上に、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハＷ２が第二の基板搬送部材４０の直上に位置する。
処理室１６ａでは、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０が待機されている。
回転された上アーム７４は、処理室１６ａの第一の基板載置台３７上方にウエハが配置されるよう、且つ各ウエハの鉛直方向の位置が、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０の直上に位置するよう、水平方向に処理室１６ａへ挿入される。
即ち、第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハＷ１が第一の基板保持ピン３９ａの直上に、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハＷ２が第二の基板搬送部材４０の直上に位置する。
＜図２１ ステップｃ＞
各ウエハが第一の基板載置台３７上方に配置された後、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０が上昇し、各ウエハを掬い上げる。
即ち、第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハＷ１が第一の基板保持ピン３９ａに搭載され、また、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハＷ２が第二の基板搬送部材４０に搭載される。
各ウエハが第一の基板載置台３７上方に配置された後、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０が上昇し、各ウエハを掬い上げる。
即ち、第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハＷ１が第一の基板保持ピン３９ａに搭載され、また、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハＷ２が第二の基板搬送部材４０に搭載される。
＜図２１ ステップｄ＞
各フィンガから、第一の基板保持ピン３９ａまたは第二の基板搬送部材４０に、ウエハが移し変えられた後、上アーム７４は処理室１６ａから退避する。
各フィンガから、第一の基板保持ピン３９ａまたは第二の基板搬送部材４０に、ウエハが移し変えられた後、上アーム７４は処理室１６ａから退避する。
続いて、図２２を用いて、ロードロック室１４ａから搬出した基板を、処理室１６ａへ搬入する場合の、ウエハの検出方法について説明する。
図２０（ｃ）にてロードロック室からウエハを搬出した上アーム７４は、下アームと共に、フィンガ先端が基板通過口１５ａの方向となるよう、回転される。結果、図２２（ａ）の状態で、搬送室１２に待機されている。
図２０（ｃ）にてロードロック室からウエハを搬出した上アーム７４は、下アームと共に、フィンガ先端が基板通過口１５ａの方向となるよう、回転される。結果、図２２（ａ）の状態で、搬送室１２に待機されている。
次に、ゲートバルブ３５が開けられ、上アーム７４が処理室１６ａ方向に移動され、図２２（ｂ）の状態となる。
このとき、処理室内の第一の基板保持ピン３９ａ及び上アーム７４の協働作業により、
処理室１６ａ内に基板が載置される。
このとき、処理室内の第一の基板保持ピン３９ａ及び上アーム７４の協働作業により、
処理室１６ａ内に基板が載置される。
ウエハが処理室１６内に移載された後、上アーム７４が搬送室１２方向へ移動する。移動後、ゲートバルブ３５が閉じられ、図２２（ｃ−１）のようになる。
図２２（ｃ−１）の状態において、上アーム７４のウエハの有無を次のように確認する。即ち、透過型センサ投光部１１６ａから、透過型センサ受光部１０８ａに向けて光が投光される。光は、図（ｃ−２）のように、各フィンガの両先端の間を通過するよう投光される。透過型センサ受光部１０８ａが光を受光すれば各アームに、ウエハが無いことが確認される。
図２２（ｃ−１）の状態において、上アーム７４のウエハの有無を次のように確認する。即ち、透過型センサ投光部１１６ａから、透過型センサ受光部１０８ａに向けて光が投光される。光は、図（ｃ−２）のように、各フィンガの両先端の間を通過するよう投光される。透過型センサ受光部１０８ａが光を受光すれば各アームに、ウエハが無いことが確認される。
ここで、透過型センサ受光部１０８ａが光を受光しなかった場合、ウエハが各アームの少なくともいずれかに載置されているか、もしくは装置の異常と判断される。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
図２３は、ロードロック室１４ａ（Ｌ/Ｌ１４ａ）から、ウエハ1を搬出する動作を説明する説明図である。
＜図２３ ステップａ＞
初めに、これから処理する２枚のウエハと、上アーム７４の第１フィンガ７２ａ、第２フィンガ７２ｂの高さから若干高い位置に設定されるように、基板支持体２０の鉛直方向の位置が調整される。
ここでは、三枚目のウエハであるＷ３の鉛直方向の位置を第２フィンガ７２ｂの鉛直方向の位置より高く調整する。四枚目のウエハであるＷ４と第１フィンガ７２aの鉛直方向の位置に関しても、同様の関係とする。
＜図２３ ステップａ＞
初めに、これから処理する２枚のウエハと、上アーム７４の第１フィンガ７２ａ、第２フィンガ７２ｂの高さから若干高い位置に設定されるように、基板支持体２０の鉛直方向の位置が調整される。
ここでは、三枚目のウエハであるＷ３の鉛直方向の位置を第２フィンガ７２ｂの鉛直方向の位置より高く調整する。四枚目のウエハであるＷ４と第１フィンガ７２aの鉛直方向の位置に関しても、同様の関係とする。
＜図２３ ステップｂ＞
鉛直方向の位置を調整後、上アーム７４が基板支持体２０へ挿入される。即ち、Ｗ３の直下に第２フィンガ７２ｂが、またＷ４の直下に第１フィンガ７２ａが配置される。
鉛直方向の位置を調整後、上アーム７４が基板支持体２０へ挿入される。即ち、Ｗ３の直下に第２フィンガ７２ｂが、またＷ４の直下に第１フィンガ７２ａが配置される。
＜図２３ ステップｃ＞
上アーム７４を挿入後、基板支持体２０が下降する。
これにより、各フィンガに基板が搭載される。
即ち、Ｗ３は第２フィンガ７２ｂに搭載され、Ｗ４は第１フィンガ７２ａへ搭載される。
上アーム７４を挿入後、基板支持体２０が下降する。
これにより、各フィンガに基板が搭載される。
即ち、Ｗ３は第２フィンガ７２ｂに搭載され、Ｗ４は第１フィンガ７２ａへ搭載される。
＜図２３ ステップｄ＞
フィンガ上にウエハが搭載された後、上アーム７４は、フィンガ向きを維持したまま、処理室方向へ移動する。このようにして、未処理ウエハは、基板支持体２０から搬出される。
フィンガ上にウエハが搭載された後、上アーム７４は、フィンガ向きを維持したまま、処理室方向へ移動する。このようにして、未処理ウエハは、基板支持体２０から搬出される。
続いて、図２４を用いて、図２３にて搬出したウエハが、処理室１６ｂ（ＰＣ１６ｂ）
に搬入される動作を説明する。図２４の搬入動作は、図２３の搬出動作と連続する。
＜図２４ ステップａ＞
ウエハを搭載した上アーム７４は、第１フィンガ７２ａ、第２フィンガ７２ｂそれぞれの先端が、処理室１６ｂの方向に向くよう、下アーム７５と共に回転する。
に搬入される動作を説明する。図２４の搬入動作は、図２３の搬出動作と連続する。
＜図２４ ステップａ＞
ウエハを搭載した上アーム７４は、第１フィンガ７２ａ、第２フィンガ７２ｂそれぞれの先端が、処理室１６ｂの方向に向くよう、下アーム７５と共に回転する。
＜図２４ ステップｂ＞
処理室１６ｂでは、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０が待機されている。
回転された上アーム７４は、処理室１６ｂの第一の基板載置台３７上方にウエハが配置されるよう、且つ各ウエハの鉛直方向の位置が、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０の直上に位置するよう、水平方向に処理室１６ｂへ挿入される。
即ち、第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハＷ３が第一の基板保持ピン３９ａの直上に、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハＷ４が第二の基板搬送部材４０の直上に位置する。
処理室１６ｂでは、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０が待機されている。
回転された上アーム７４は、処理室１６ｂの第一の基板載置台３７上方にウエハが配置されるよう、且つ各ウエハの鉛直方向の位置が、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０の直上に位置するよう、水平方向に処理室１６ｂへ挿入される。
即ち、第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハＷ３が第一の基板保持ピン３９ａの直上に、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハＷ４が第二の基板搬送部材４０の直上に位置する。
＜図２４ ステップｃ＞
各ウエハが第一の基板載置台３７上方に配置された後、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０が上昇し、各ウエハを掬い上げる。
即ち、第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハＷ３が第一の基板保持ピン３９ａに搭載され、また、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハＷ４が第二の基板搬送部材４０に搭載される。
各ウエハが第一の基板載置台３７上方に配置された後、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０が上昇し、各ウエハを掬い上げる。
即ち、第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハＷ３が第一の基板保持ピン３９ａに搭載され、また、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハＷ４が第二の基板搬送部材４０に搭載される。
＜図２４ ステップｄ＞
各フィンガから、第一の基板保持ピン３９ａまたは第二の基板搬送部材４０に、ウエハが移し変えられた後、上アーム７４は処理室１６ｂから退避する。
各フィンガから、第一の基板保持ピン３９ａまたは第二の基板搬送部材４０に、ウエハが移し変えられた後、上アーム７４は処理室１６ｂから退避する。
処理室１６ａ、１６ｂに基板を搬入した後の動作については、第一の実施形態の図１３及び図１４の動作と同様であるので説明を省略する。
図２５は、処理室１６ａにウエハがある状態で、ロードロック室１４ａ（Ｌ/Ｌ１４ａ）から、ウエハ1を搬出する動作を説明する説明図である。
＜図２５ ステップａ＞
これから処理する２枚のウエハを、上アーム７４の第１フィンガ７２ａ、第２フィンガ７２ｂの高さから若干高い位置に設定されるように、基板支持体２０の鉛直方向の位置が調整される。
ここでは、五枚目のウエハであるＷ５の鉛直方向の位置を第２フィンガ７２ｂの鉛直方向の位置より高く調整する。六枚目のウエハであるＷ６と第１フィンガ７２ａの鉛直方向の位置に関しても、同様の関係とする。
＜図２５ ステップａ＞
これから処理する２枚のウエハを、上アーム７４の第１フィンガ７２ａ、第２フィンガ７２ｂの高さから若干高い位置に設定されるように、基板支持体２０の鉛直方向の位置が調整される。
ここでは、五枚目のウエハであるＷ５の鉛直方向の位置を第２フィンガ７２ｂの鉛直方向の位置より高く調整する。六枚目のウエハであるＷ６と第１フィンガ７２ａの鉛直方向の位置に関しても、同様の関係とする。
＜図２５ ステップｂ＞
鉛直方向の位置を調整後、上アーム７４が基板支持体２０へ挿入される。即ち、Ｗ５の直下に第２フィンガ７２ｂが、またＷ６の直下に第１フィンガ７２ａが配置される。
鉛直方向の位置を調整後、上アーム７４が基板支持体２０へ挿入される。即ち、Ｗ５の直下に第２フィンガ７２ｂが、またＷ６の直下に第１フィンガ７２ａが配置される。
＜図２５ ステップｃ＞
上アーム７４を挿入後、基板支持体２０が下降する。
これにより、各フィンガに基板が搭載される。
即ち、Ｗ５は第２フィンガ７２ｂに搭載され、Ｗ６は第１フィンガ７２ａへ搭載される。
上アーム７４を挿入後、基板支持体２０が下降する。
これにより、各フィンガに基板が搭載される。
即ち、Ｗ５は第２フィンガ７２ｂに搭載され、Ｗ６は第１フィンガ７２ａへ搭載される。
＜図２５ ステップｄ＞
フィンガ上にウエハが搭載された後、上アーム７４は、フィンガ向きを維持したまま、
処理室方向へ移動する。このようにして、未処理ウエハは、基板支持体２０から搬出される。
フィンガ上にウエハが搭載された後、上アーム７４は、フィンガ向きを維持したまま、
処理室方向へ移動する。このようにして、未処理ウエハは、基板支持体２０から搬出される。
続いて、図２６を用いて、未処理基板と処理済み基板を入れ替える動作を説明する。前述のように、未処理基板は上アーム７４の第１フィンガ７２ａ、及び第２フィンガ７２ｂに搭載されたＷ５，Ｗ６である。処理済み基板は、第二の基板搬送部材４０に搭載されているＷ２、及び第一の基板保持ピン３９ａに搭載されているＷ１である。
＜図２６ ステップａ＞
処理室１６ａの第一の処理部で処理されたウエハＷ1は、基板搬出時、第一の基板保持ピン３９ａに搭載される。また、第二の処理部で処理されたＷ２は、第二の基板搬送部材４０上に搭載される。これらのウエハは、第一の基板載置台３７上方に保持されている。
一方、ロードロック室１４ａから基板を搬出した上アーム７４は、下アーム７５と共に、処理室１６ａに各フィンガの先端が向くよう、回転する。また回転と同時に、上アーム７４及び下アーム７５が一体となって上昇する。処理済みウエハを受け取る下アーム７５及び下アームの各フィンガが素早く基板通過口１５ａを通過できるよう、アームの鉛直方向高さと、基板通過口１５ａの高さを合わせる為である。このように、回転時にアームと基板通過口の高さを合わせることで、後の鉛直方向の位置調整が不要となり、結果素早く基板の搬出が可能となる。
尚、このときの鉛直方向の位置は、第二の基板搬送部材４０に搭載されたウエハを下アーム７５の第３フィンガ７２ｃより高い位置とし、また第一の基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハを、第４フィンガ７２ｄより高い位置とする。
＜図２６ ステップａ＞
処理室１６ａの第一の処理部で処理されたウエハＷ1は、基板搬出時、第一の基板保持ピン３９ａに搭載される。また、第二の処理部で処理されたＷ２は、第二の基板搬送部材４０上に搭載される。これらのウエハは、第一の基板載置台３７上方に保持されている。
一方、ロードロック室１４ａから基板を搬出した上アーム７４は、下アーム７５と共に、処理室１６ａに各フィンガの先端が向くよう、回転する。また回転と同時に、上アーム７４及び下アーム７５が一体となって上昇する。処理済みウエハを受け取る下アーム７５及び下アームの各フィンガが素早く基板通過口１５ａを通過できるよう、アームの鉛直方向高さと、基板通過口１５ａの高さを合わせる為である。このように、回転時にアームと基板通過口の高さを合わせることで、後の鉛直方向の位置調整が不要となり、結果素早く基板の搬出が可能となる。
尚、このときの鉛直方向の位置は、第二の基板搬送部材４０に搭載されたウエハを下アーム７５の第３フィンガ７２ｃより高い位置とし、また第一の基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハを、第４フィンガ７２ｄより高い位置とする。
＜図２６ ステップｂ＞
下アーム７５が処理室１６ａへ挿入される。
このとき、第二の基板搬送部材４０に搭載されたウエハの直下に第３フィンガ７２ｃを、また第一の基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハの直下に、第４フィンガ７２ｄを配置する。
下アーム７５が処理室１６ａへ挿入される。
このとき、第二の基板搬送部材４０に搭載されたウエハの直下に第３フィンガ７２ｃを、また第一の基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハの直下に、第４フィンガ７２ｄを配置する。
＜図２６ ステップｃ＞
第二の基板搬送部材４０及び第一の基板保持ピン３９ａが下降する。これにより、各ウエハがフィンガに搭載される。
即ち、第二の基板搬送部材４０に搭載されたウエハは第３フィンガ７２ｃに移載され、また第一の基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハは、第４フィンガ７２ｄに移載される。
第二の基板搬送部材４０及び第一の基板保持ピン３９ａが下降する。これにより、各ウエハがフィンガに搭載される。
即ち、第二の基板搬送部材４０に搭載されたウエハは第３フィンガ７２ｃに移載され、また第一の基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハは、第４フィンガ７２ｄに移載される。
＜図２６ ステップｄ＞
各フィンガに、ウエハが移し変えられた後、アーム７５は処理室１６ａから退避する。
各フィンガに、ウエハが移し変えられた後、アーム７５は処理室１６ａから退避する。
続いて、図２７を用いて、処理室１６ａに格納されている処理済みウエハを、搬送室１２へ移動する場合の、ウエハの検出方法について説明する。
図２７（ａ−１）は、上アーム７４に搭載されている未処理基板が搬送室１２にて待機している状態を表す図である。下アーム７５に処理済みウエハを搭載するため、下アーム７５は、基板通過口１５ａと同じ高さに設定される。また、(ａ−２)は、そのときのセンサから投光される光（光軸）とフィンガの関係を表した図である。
図２７（ａ−１）は、上アーム７４に搭載されている未処理基板が搬送室１２にて待機している状態を表す図である。下アーム７５に処理済みウエハを搭載するため、下アーム７５は、基板通過口１５ａと同じ高さに設定される。また、(ａ−２)は、そのときのセンサから投光される光（光軸）とフィンガの関係を表した図である。
反射型変位センサ１０６ａは、第４フィンガ７２ｄの裏面方向から、第４フィンガ７２ｄの切欠き１００ｂに向かって、光を投光する。投光された光は、切欠き１００ｂを通過し、第３フィンガ７２ｃの裏面に当たる。これにより反射された光は、再度切欠き１００ｂを通過し、反射型変位センサ１０６ａによって受光される。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１０６との距離）と比較し、誤差の範囲であれば、第４フィンガ７２ｄにウエハが無いと判断する。
基準値と大幅に異なる場合、第４フィンガ７２ｄにウエハが保持されているか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１０６との距離）と比較し、誤差の範囲であれば、第４フィンガ７２ｄにウエハが無いと判断する。
基準値と大幅に異なる場合、第４フィンガ７２ｄにウエハが保持されているか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
反射型変位センサ１１４ａは、第１フィンガ７２ａの表面方向から、第１フィンガ第一貫通孔８５に向けて、光を投光する。投光された光は、（ａ−２）に示すように、第１フィンガ７２ａの支持部第一貫通孔８５ｂ及び第２フィンガ７２ｂの支持部貫通孔９２ｂを通過し、第３フィンガ７２ｃの支持部８０に当たる。該支持部８０で反射された光は、同様に支持部第一貫通孔８５ｂ及び支持部貫通孔９２ｂを通過し、反射型変位センサ１１４ａによって受光される。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１１４ａとの距離）とを比較し、誤差の範囲であれば、第３フィンガ７２ｃにウエハが無いと判断する。
基準値と大幅に異なる場合、第３フィンガ７２ｃにウエハが保持されているか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１１４ａとの距離）とを比較し、誤差の範囲であれば、第３フィンガ７２ｃにウエハが無いと判断する。
基準値と大幅に異なる場合、第３フィンガ７２ｃにウエハが保持されているか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
第３及び第４フィンガにウエハが無いと判断された後、ゲートバルブ３５が開かれ、（ｂ）のように、下アーム７５が処理室１６ａ方向へ移動する。移動後、第一の基板保持ピン３９ａとの協働作業により、処理室１６ａ内の処理済みウエハを、下アーム７５の各フィンガに移載する。
下アーム７５の各フィンガに移載された後、（ｃ−１）のように、下アーム７５は搬送室１２へ移動する。移動後、下アーム７５の各フィンガにウエハが搭載されているか否かを、センサによって確認する。(ｃ−２)は、そのときのセンサから投光される光（光軸）とフィンガの関係を表した図である。
反射型変位センサ１０６ａは、第４フィンガ７２ｄの裏面方向から、第４フィンガ７２ｄの切欠き１００ｂに向かって、光を投光する。投光された光は、第４フィンガ７２ｄに保持されているウエハの裏面に当たる。ウエハ裏面から反射された光は、反射型変位センサ１０６ａによって受光される。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１０６との距離）と比較し、基準値と異なれば、第４フィンガ７２ｄにウエハが保持されていると判断する。
基準値と大幅に異なる場合、かつ第４フィンガ７２ｄと反射型変位センサ１０６ａとの距離が異なる場合には、ウエハが保持されていないか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１０６との距離）と比較し、基準値と異なれば、第４フィンガ７２ｄにウエハが保持されていると判断する。
基準値と大幅に異なる場合、かつ第４フィンガ７２ｄと反射型変位センサ１０６ａとの距離が異なる場合には、ウエハが保持されていないか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
反射型変位センサ１１４ａは、第１フィンガ７２ａの表面方向から、第１フィンガ第一貫通孔８５に向けて、光を投光する。投光された光は、（ｃ−２）に示すように、第１フィンガ７２ａの支持部第一貫通孔８５ｂ及び第２フィンガ７２ｂの支持部貫通孔９２ｂを通過し、第３フィンガ７２ｃに保持されているウエハに当たる。ウエハで反射された光は、同様に支持部第一貫通孔８５ｂ及び支持部貫通孔９２ｂを通過し、反射型変位センサ１１４ａによって受光される。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１１４ａとの距離）とを比較し、距離の差が誤差の範囲を超えた場合、第３フィンガ７２ｃにウエハが保持されていると判断する。
基準値と大幅に異なる場合、第３フィンガ７２ｃにウエハが保持されていないか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１１４ａとの距離）とを比較し、距離の差が誤差の範囲を超えた場合、第３フィンガ７２ｃにウエハが保持されていると判断する。
基準値と大幅に異なる場合、第３フィンガ７２ｃにウエハが保持されていないか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
続いて、図２８を用いて、図２６にて搬出したウエハが、処理室１６ａ（ＰＣ１６ａ）
に搬入される動作を説明する。図２８の搬入動作は、図２６の搬出動作に引き続いて行う。
＜図２８ ステップａ＞
処理済みウエハを搭載した下アーム７５が退避したとき、上アーム及び下アームは共に下降する。
未処理ウエハを搬入する上アーム７４及び上アームの各フィンガが基板通過口１５ａを通過できるよう、上アーム７４の鉛直方向高さと、基板通過口１５ａの高さを合わせる為である。
下降した後、未処理ウエハを搭載した上アーム７４は、処理室１６に挿入される。
尚、このときの鉛直方向の位置は、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハを第二の基板搬送部材４０より高い位置とし、また第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハを第一の基板保持ピン３９ａより高い位置とする。
に搬入される動作を説明する。図２８の搬入動作は、図２６の搬出動作に引き続いて行う。
＜図２８ ステップａ＞
処理済みウエハを搭載した下アーム７５が退避したとき、上アーム及び下アームは共に下降する。
未処理ウエハを搬入する上アーム７４及び上アームの各フィンガが基板通過口１５ａを通過できるよう、上アーム７４の鉛直方向高さと、基板通過口１５ａの高さを合わせる為である。
下降した後、未処理ウエハを搭載した上アーム７４は、処理室１６に挿入される。
尚、このときの鉛直方向の位置は、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハを第二の基板搬送部材４０より高い位置とし、また第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハを第一の基板保持ピン３９ａより高い位置とする。
＜図２８ ステップｂ＞
上アーム７４は、処理室１６ｂの第一の基板載置台３７上方にウエハが配置されるよう、且つ各ウエハの鉛直方向の位置が、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の搬送部材４０の直上に位置するよう、水平方向に処理室１６ａへ挿入される。
即ち、第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハＷ５が第一の基板保持ピン３９ａの直上に、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハＷ６が第二の基板搬送部材４０の直上に位置する。
上アーム７４は、処理室１６ｂの第一の基板載置台３７上方にウエハが配置されるよう、且つ各ウエハの鉛直方向の位置が、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の搬送部材４０の直上に位置するよう、水平方向に処理室１６ａへ挿入される。
即ち、第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハＷ５が第一の基板保持ピン３９ａの直上に、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハＷ６が第二の基板搬送部材４０の直上に位置する。
＜図２８ ステップｃ＞
各ウエハが第一の基板載置台３７上方に配置された後、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０が上昇し、各ウエハを掬い上げる。
即ち、第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハＷ５が第一の基板保持ピン３９ａに搭載され、また、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハＷ６が第二の搬送部材４０に搭載される。
各ウエハが第一の基板載置台３７上方に配置された後、第一の基板保持ピン３９ａ及び第二の基板搬送部材４０が上昇し、各ウエハを掬い上げる。
即ち、第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハＷ５が第一の基板保持ピン３９ａに搭載され、また、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハＷ６が第二の搬送部材４０に搭載される。
＜図２８ ステップｄ＞
各フィンガから、第一の基板保持ピン３９ａまたは第二の基板搬送部材４０に、ウエハが移し変えられた後、上アーム７４は処理室１６ａから退避する。
各フィンガから、第一の基板保持ピン３９ａまたは第二の基板搬送部材４０に、ウエハが移し変えられた後、上アーム７４は処理室１６ａから退避する。
続いて、図２９を用いて、処理室１６ａから搬出された処理済みウエハをロードロック室１４ａへ搬入する動作を説明する。
＜図２９ ステップａ＞
処理室１６ａから退避した上アーム７４及び下アーム７５は、フィンガ先端がロードロック室１４ａへ向くよう、回転する。
また、このとき基板支持体２０は次の位置になるよう位置を変更する。
即ち、搬入される処理済みウエハが、元の載置部２８（未処理状態のとき、ＥＦＥＭ１８から基板支持体へ搭載されたときに載置されていた載置部）に搭載されるよう、元の載置部が、各ウエハの鉛直方向の位置より低い位置であり、且つウエハの鉛直方向の位置が、元の載置部の一つ上の載置部より低い位置となるよう、設定される。
具体的には、処理済みウエハＷ１より低い位置にＷ１の載置部２８ａの位置が設定され、且つ処理済みウエハＷ１が、Ｗ１の載置部２８ａの一つ上の載置部２８ｂより低い位置に設定されるよう、基板支持体の位置を調整する。
尚、基板支持体２０は、この前の動作（図７のようなＷ３、Ｗ４を搬出する動作。）で下降しているため、Ｗ１，Ｗ２を供給するときは、上記のような位置に設定するため上昇している。
また、処理済みウエハを保持している下アーム７５が、ロードロック室１４ａと搬送室１２間の基板通過口１３ａの鉛直方向の位置に合わせるために、上アーム７４と共に下アーム７５が上昇する。
ここではＷ１、Ｗ２を例で説明したが、他のウエハの搬入においても、上記のような位置が設定されることは言うまでも無い。
＜図２９ ステップａ＞
処理室１６ａから退避した上アーム７４及び下アーム７５は、フィンガ先端がロードロック室１４ａへ向くよう、回転する。
また、このとき基板支持体２０は次の位置になるよう位置を変更する。
即ち、搬入される処理済みウエハが、元の載置部２８（未処理状態のとき、ＥＦＥＭ１８から基板支持体へ搭載されたときに載置されていた載置部）に搭載されるよう、元の載置部が、各ウエハの鉛直方向の位置より低い位置であり、且つウエハの鉛直方向の位置が、元の載置部の一つ上の載置部より低い位置となるよう、設定される。
具体的には、処理済みウエハＷ１より低い位置にＷ１の載置部２８ａの位置が設定され、且つ処理済みウエハＷ１が、Ｗ１の載置部２８ａの一つ上の載置部２８ｂより低い位置に設定されるよう、基板支持体の位置を調整する。
尚、基板支持体２０は、この前の動作（図７のようなＷ３、Ｗ４を搬出する動作。）で下降しているため、Ｗ１，Ｗ２を供給するときは、上記のような位置に設定するため上昇している。
また、処理済みウエハを保持している下アーム７５が、ロードロック室１４ａと搬送室１２間の基板通過口１３ａの鉛直方向の位置に合わせるために、上アーム７４と共に下アーム７５が上昇する。
ここではＷ１、Ｗ２を例で説明したが、他のウエハの搬入においても、上記のような位置が設定されることは言うまでも無い。
＜図２９ ステップｂ＞
基板支持体２０の位置が設定されたら、下アーム７５は基板支持体２０の方向に移動する。
即ち、第４フィンガ７２ｄに搭載されたウエハＷ１が載置部２８ａの上端と、載置部２８ｂの下端の間の位置に保持され、また第３フィンガ７２ｃに搭載されたＷ２が、載置部２８ｂの上端と、載置部２８ｃの下端の間の位置に保持される。
基板支持体２０の位置が設定されたら、下アーム７５は基板支持体２０の方向に移動する。
即ち、第４フィンガ７２ｄに搭載されたウエハＷ１が載置部２８ａの上端と、載置部２８ｂの下端の間の位置に保持され、また第３フィンガ７２ｃに搭載されたＷ２が、載置部２８ｂの上端と、載置部２８ｃの下端の間の位置に保持される。
＜図２９ ステップｃ＞
各構成の位置が確定後、基板支持体２０は上昇する。これにより、各載置部が処理済みウエハを掬い上げ、載置部上にウエハが載置される。
各構成の位置が確定後、基板支持体２０は上昇する。これにより、各載置部が処理済みウエハを掬い上げ、載置部上にウエハが載置される。
＜図２９ ステップｄ＞
ウエハをフィンガから基板支持体へ移載した後、下アーム７５はロードロック室１４ａから退避する。
ウエハをフィンガから基板支持体へ移載した後、下アーム７５はロードロック室１４ａから退避する。
図２９の動作の後、次に処理するウエハを、図２５のように搬出し、図２６及び図２８のように処理済みウエハと未処理ウエハの入れ替えを行う。
このように、基板支持体２０、第一の基板搬送部材７０（アーム７４、７５）、第二の基板搬送部材４０及び基板保持ピン３９等の協働作業を繰り返してウエハ搬送作業を行う。
このように、基板支持体２０、第一の基板搬送部材７０（アーム７４、７５）、第二の基板搬送部材４０及び基板保持ピン３９等の協働作業を繰り返してウエハ搬送作業を行う。
続いて、図３０を用いて、処理済みウエハを処理室１６ａから搬出する工程のウエハ検出方法を説明する。処理室１６ａに格納されている処理済みウエハは、ロードロック室１４ａの基板支持体２０の最後に格納されるウエハである。そのため、上アーム７４に未処理ウエハを搭載していない。
図３０（ａ−１）は、これから処理済みウエハが保持される下アーム７５が、搬送室１２で待機されている状態である。下アーム７５に処理済みウエハを移載するため、下アーム７５は、基板通過口１５ａと同じ高さに設定される。また、(ａ−２)は、そのときのセンサから投光される光（光軸）とフィンガの関係を表した図である。
反射型変位センサ１０６ａは、第４フィンガ７２ｄの裏面方向から、第４フィンガ７２ｄの切欠き根本部１００ｂに向かって、光を投光する。投光された光は、切欠き１００ｂを通過し、第３フィンガ７２ｃの裏面に当たる。これにより反射された光は、再度切欠き１００ｂを通過し、反射型変位センサ１０６ａによって受光される。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１０６との距離）と比較し、誤差の範囲であれば、第４フィンガ７２ｄにウエハが無いと判断する。
基準値と大幅に異なる場合、第４フィンガ７２ｄにウエハが保持されているか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１０６との距離）と比較し、誤差の範囲であれば、第４フィンガ７２ｄにウエハが無いと判断する。
基準値と大幅に異なる場合、第４フィンガ７２ｄにウエハが保持されているか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
反射型変位センサ１１４ａは、第１フィンガ７２ａの表面方向から、第１フィンガ第一貫通孔８５に向けて、光を投光する。投光された光は、（ａ−２）に示すように、第１フィンガ７２ａの支持部第一貫通孔８５ｂ及び第２フィンガ７２ｂの支持部貫通孔９２ｂを通過し、第３フィンガ７２ｃの支持部８０に当たる。該支持部８０で反射された光は、同様に支持部第一貫通孔８５ｂ及び支持部貫通孔９２ｂを通過し、反射型変位センサ１１４ａによって受光される。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１１４ａとの距離）とを比較し、誤差の範囲であれば、第３フィンガ７２ｃにウエハが無いと判断する。
基準値と大幅に異なる場合、第３フィンガ７２ｃにウエハが保持されているか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１１４ａとの距離）とを比較し、誤差の範囲であれば、第３フィンガ７２ｃにウエハが無いと判断する。
基準値と大幅に異なる場合、第３フィンガ７２ｃにウエハが保持されているか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
第３及び第４フィンガにウエハが無いと判断された後、ゲートバルブ３５が開かれ、（ｂ）のように、下アーム７５が処理室１６ａ方向へ移動する。移動後、第一の基板保持ピン３９ａとの協働作業により、処理室１６ａ内の処理済みウエハを、下アーム７５の各フィンガに移載する。
下アーム７５の各フィンガに移載された後、（ｃ−１）のように、下アーム７５は搬送室１２へ移動する。移動後、下アーム７５の各フィンガにウエハが搭載されているか否かを、センサによって確認する。(ｃ−２)は、そのときのセンサから投光される光（光軸）とフィンガの関係を表した図である。
反射型変位センサ１０６ａは、第４フィンガ７２ｄの裏面方向から、第４フィンガ７２ｄの切欠き根本部１００ｂに向かって、光を投光する。投光された光は、第４フィンガ７２ｄに保持されているウエハの裏面に当たる。ウエハ裏面から反射された光は、反射型変位センサ１０６ａによって受光される。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１０６との距離）と比較し、基準値と異なれば、第４フィンガ７２ｄにウエハが保持されていると判断する。
基準値と大幅に異なる場合、かつ第４フィンガ７２ｄと反射型変位センサ１０６ａとの距離が異なる場合には、ウエハが保持されていないか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１０６との距離）と比較し、基準値と異なれば、第４フィンガ７２ｄにウエハが保持されていると判断する。
基準値と大幅に異なる場合、かつ第４フィンガ７２ｄと反射型変位センサ１０６ａとの距離が異なる場合には、ウエハが保持されていないか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
反射型変位センサ１１４ａは、第１フィンガ７２ａの表面方向から、第１フィンガ第一貫通孔８５に向けて、光を投光する。投光された光は、（ｃ−２）に示すように、第１フィンガ７２ａの支持部第一貫通孔８５ｂ及び第２フィンガ７２ｂの支持部貫通孔９２ｂを通過し、第３フィンガ７２ｃに保持されているウエハに当たる。ウエハで反射された光は、同様に支持部第一貫通孔８５ｂ及び支持部貫通孔９２ｂを通過し、反射型変位センサ１１４ａによって受光される。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１１４ａとの距離）とを比較し、距離の差が誤差の範囲を超えた場合、第３フィンガ７２ｃにウエハが保持されていると判断する。
基準値と大幅に異なる場合、第３フィンガ７２ｃにウエハが保持されていないか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１１４ａとの距離）とを比較し、距離の差が誤差の範囲を超えた場合、第３フィンガ７２ｃにウエハが保持されていると判断する。
基準値と大幅に異なる場合、第３フィンガ７２ｃにウエハが保持されていないか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
続いて、図３１を用いて、図３０で下アーム７５に移載された処理済みウエハをロードロック室へ移載する方法を説明する。
図３０（ｃ−１）の各フィンガの先端が処理室１６ａに向かっている状態から、ロードロック室１４ａに各フィンガの先端が向くよう、上アーム７４及び下アーム７５と共に第一の基板搬送部材７０が回転し、図３１（ａ）の状態となる。
図３０（ｃ−１）の各フィンガの先端が処理室１６ａに向かっている状態から、ロードロック室１４ａに各フィンガの先端が向くよう、上アーム７４及び下アーム７５と共に第一の基板搬送部材７０が回転し、図３１（ａ）の状態となる。
次にゲートバルブ３５が開き、処理済みウエハが保持されている下アーム７５がロードロック室１４ａに向けて移動し、（ｂ）の状態となる。基板支持体２０との協働作業により、基板支持体２０に処理済みウエハが移載される。
このようにして、ＥＦＥＭ１８からロードロック室１４ａへ移載された全てのウエハが、処理室にて処理され、ロードロック室１４ａへ戻される。
このようにして、ＥＦＥＭ１８からロードロック室１４ａへ移載された全てのウエハが、処理室にて処理され、ロードロック室１４ａへ戻される。
基板支持体２０にウエハが移載された後、（ｃ−１）のように、下アーム７４が搬送室１２へ移動する。
このとき、全てのアーム（フィンガ）にウエハが無いことを確認する。即ち、透過型センサ投光部１１０ａから、第４フィンガ７２ｄのフィンガ先端の間に向けて光を投光し、各アーム（フィンガ）にウエハが存在しなければ、透過型センサ受光部１０４ａが、光を受光する。
このようにして、ウエハが各アームに無いことを確認する。
このとき、全てのアーム（フィンガ）にウエハが無いことを確認する。即ち、透過型センサ投光部１１０ａから、第４フィンガ７２ｄのフィンガ先端の間に向けて光を投光し、各アーム（フィンガ）にウエハが存在しなければ、透過型センサ受光部１０４ａが、光を受光する。
このようにして、ウエハが各アームに無いことを確認する。
ここで、透過型センサ受光部１０４ａが光を受光しなかった場合、ウエハが各アームの少なくともいずれかに載置されているか、もしくは装置の異常と判断される。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力しても良い。
次に、図３２を用いて比較例を説明する。
図３２は、比較例の基板処理装置５０の全体構成図であり、装置５０上面からみた概念図を示す。
比較例の基板処理装置５０は、ウエハをストックするロードロック室５２が２室、各室にウエハを移載させるロボットを有する搬送室５４が１室、ウエハを処理する処理室５６が２室の構成になっていて、処理室１室では１ウエハのみの処理となる。
図３２は、比較例の基板処理装置５０の全体構成図であり、装置５０上面からみた概念図を示す。
比較例の基板処理装置５０は、ウエハをストックするロードロック室５２が２室、各室にウエハを移載させるロボットを有する搬送室５４が１室、ウエハを処理する処理室５６が２室の構成になっていて、処理室１室では１ウエハのみの処理となる。
図３３に比較例の基板処理装置５０の処理室５６内におけるウエハ移載のフローの概要を示す。
なお、以下の説明において、比較例の基板処理装置５０を構成する各部の動作はコントローラ８４により制御される。
まず、処理室５６内は、搬送室５４と同圧に真空化される。
なお、以下の説明において、比較例の基板処理装置５０を構成する各部の動作はコントローラ８４により制御される。
まず、処理室５６内は、搬送室５４と同圧に真空化される。
（ステップ１）
ゲートバルブ６２が開く。
ゲートバルブ６２が開く。
（ステップ２）
第三の基板搬送部材６０がウエハ１を搬送しながら、搬送室５４からゲートバルブ６２を介して処理室５６内に移動し、基板保持台６６上方にて停止する。ここで、第三の基板搬送部材６０は、ウエハを１枚ずつ搬送可能なものである。
第三の基板搬送部材６０がウエハ１を搬送しながら、搬送室５４からゲートバルブ６２を介して処理室５６内に移動し、基板保持台６６上方にて停止する。ここで、第三の基板搬送部材６０は、ウエハを１枚ずつ搬送可能なものである。
（ステップ３）
第三の基板搬送部材６０はそのまま動作しない状態にて、基板保持ピン６８が上昇し、
ウエハ１は、基板保持ピン６８上に載置される。
第三の基板搬送部材６０はそのまま動作しない状態にて、基板保持ピン６８が上昇し、
ウエハ１は、基板保持ピン６８上に載置される。
（ステップ４）
第三の基板搬送部材６０は、搬送室５４内に戻る。
第三の基板搬送部材６０は、搬送室５４内に戻る。
（ステップ５）
基板保持ピン６８は、ウエハ１を略水平に保持した状態で下降し、基板保持台６６に載置し、ウエハ載置が完了する。
ゲートバルブ６２が閉まる。
基板保持ピン６８は、ウエハ１を略水平に保持した状態で下降し、基板保持台６６に載置し、ウエハ載置が完了する。
ゲートバルブ６２が閉まる。
その後、処理室５６内にガスを供給し、プラズマ生成（アッシング処理）がなされ、基板処理後は、逆のシーケンスを実行し、基板を搬出する。
以上のように本発明によれば、４反応室保持装置として比較例の基板処理装置５０と比べて省フットプリントでの配置が可能である。また、本発明によれば、搬送室からウエハを搬送する第一の基板搬送部材３０のほかに、第二の基板搬送部材４０を有するので、第一の基板搬送部材３０と第二の基板搬送部材４０が別の動作を同時に実行でき、高スループット対応が可能である。また、第一の基板搬送部材７０によればフィンガ対を有するアームを２つ有することでさらなる高スループット対応が可能となる。また、第二の基板搬送部材４０が処理室１６内に配置されるので、処理室１６内部にて減圧・高温を維持したままでウエハの搬送が可能であり、第二の基板搬送部材４０が例えばアルミナセラミックス製の場合には、処理室１６内に第二の基板搬送部材４０を残したままで処理が可能である。さらに、既存の基板処理装置の構成を流用するため、変更点を少なくすることが出来る。
したがって、本発明によれば、省フットプリントレイアウトを維持したままでスループットを高くすることができる。
また、本発明は、半導体製造技術、特に、被処理基板を処理室に収容してヒータによって加熱した状態で処理を施す熱処理技術に関し、例えば、半導体集積回路装置（半導体デバイス）が作り込まれる半導体ウエハに酸化処理や拡散処理、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローやアニール及び熱ＣＶＤ反応による成膜処理などに使用される基板処理装置に利用して有効なものに適用することができる。
本発明の一態様によれば、搬送室を中心としてロードロック室と少なくとも二つの処理室が配置されている基板処理装置であって、前記搬送室は前記ロードロック室と前記処理室間で基板を搬送する基板搬送部を有し、前記基板搬送部は、第一のフィンガ及び第二のフィンガが設けられた第一のアームを有し、前記それぞれのフィンガの先端は水平方向であって同じ方向に延伸されるよう構成され、前記処理室は、第一の処理部と第二の処理部とを有し、前記第二の処理部は、前記搬送室から前記第一の処理部を挟んで遠方に配置される基板処理装置が提供される。これにより、同時に少なくとも２枚の基板の抜き差し搬送が可能となる。
好ましくは、前記基板搬送部は、第三のフィンガ及び第四のフィンガが設けられた第二のアームを有し、前記第一、第二、第三、第四のフィンガの先端は水平方向であって同じ方向に延伸されるよう構成される。これにより、未処理基板を搬送するアームと処理済み基板を搬送するアームが存在するので、処理室から処理済み基板を搬出した後、すぐに未処理基板を搬入することができる。すなわち、処理のスループットを高くすることができる。
好ましくは、前記フィンガには基板を載置する載置部がそれぞれ設けられ、対になる一方のフィンガの載置部先端と、他方のフィンガの載置部先端は、重ならないように構成される。これにより、それぞれのアームに基板が搭載されていたとしても、未処理基板の有無、処理済み基板の有無等を基板検出器で検出することができる。
好ましくは、前記フィンガは、基板を載置する載置部と、前記載置部をアームに支持固定する支持部とを有し、前記支持部を固定することで、前記フィンガを鉛直方向に複数配設する第一のアームと、前記支持部を固定することで、前記フィンガを鉛直方向に複数配設し、前記載置部の先端が前記第一のアームのフィンガと重ならないように配設する第二のアームとを有する。これにより、それぞれのアームに基板が搭載されていたとしても未処理基板の有無、処理済み基板の有無等を基板検出器で検出することができる。
好ましくは、前記第二のアームに固定されたフィンガの内、前記第一のアーム側に設けられた前記フィンガの載置部先端には、切欠きが設けられる。
本発明の他の態様によれば、基板を載置する載置部と、前記載置部をアームに支持固定する支持部とを有する第一アーム用フィンガと、前記支持部を固定することで、前記第一アーム用フィンガを鉛直方向に複数配設する第一のアームと、基板を載置する載置部と、鉛直方向に貫通する貫通孔を有し、前記載置部をアームに支持固定する支持部とを有する第二アーム用フィンガと、前記支持部を固定することで、前記第二アーム用フィンガを鉛直方向に複数配設し、前記貫通孔が前記第一アーム用フィンガの支持部と重なるように配設する第二アームとを有する基板搬送装置が提供される。
好ましくは、前記複数の第二アーム用フィンガの貫通孔及び前記第一アーム用フィンガの支持部は直線状になるよう配設される。
好ましくは、前記支持部の内、前記貫通孔と直線状になる部分には、基板が載置される。
本発明のさらに他の態様によれば、搬送室を中心としてロードロック室と処理室が配置されている基板処理装置であって、前記搬送室は前記ロードロック室と前記処理室間で基板を搬送する基板搬送部及び基板検出部を有し、前記基板搬送部は、基板を載置する載置部と、前記載置部をアームに支持固定する支持部とを有するフィンガと、前記支持部を固定することで、前記フィンガを鉛直方向に複数配設する第一のアームと、前記支持部を固定することで、前記フィンガを鉛直方向に複数配設し、前記載置部の先端が前記第一のアームのフィンガと重ならないように配設する第二のアームとを有し、前記基板検出部は、前記第二のアームから見て、前記第一のアームを挟んだ前記搬送室の壁面に設けられる基板処理装置が提供される。
好ましくは、前記基板検出部は、基板裏面側と向かい合うように設けられ、前記第二のアームに配設されたフィンガの内、前記第一のアーム側に設けられたフィンガの載置部の先端には、切欠きが設けられる。
本発明のさらに他の態様によれば、搬送室を中心としてロードロック室と処理室が配置されている基板処理装置であって、前記搬送室は前記ロードロック室と前記処理室間で基板を搬送する基板搬送部及び基板検出部を有し、前記基板搬送部は、基板を載置する載置部と、前記載置部をアームに支持固定する支持部とを有する第一アーム用フィンガと、前記支持部を固定することで、前記第一アーム用フィンガを鉛直方向に複数配設する第一のアームと、基板を載置する載置部と、鉛直方向に貫通する貫通孔を有し、前記載置部をアームに支持固定する支持部とを有する第二アーム用フィンガと、前記支持部を固定することで、前記第二アーム用フィンガを鉛直方向に複数配設し、前記貫通孔が前記第一アーム用フィンガの支持部と重なるように配設する第二アームとを有し、前記基板検出部は、前記第一のアームから見て、前記第二のアームを挟んだ前記搬送室の壁面に設けられる基板処理装置が提供される。
１ ウエハ
１０ 基板処理装置
１２ 搬送室
１４ ロードロック室
１６ 処理室
３０ 第一の基板搬送部材
３５ ゲートバルブ
３６ 第一の処理部
３７ 第一の基板載置台
３８ 第二の処理部
３９ 基板保持ピン
４０ 第二の基板搬送部材
８４ コントローラ
１０ 基板処理装置
１２ 搬送室
１４ ロードロック室
１６ 処理室
３０ 第一の基板搬送部材
３５ ゲートバルブ
３６ 第一の処理部
３７ 第一の基板載置台
３８ 第二の処理部
３９ 基板保持ピン
４０ 第二の基板搬送部材
８４ コントローラ
Claims (11)
- 搬送室を中心としてロードロック室と処理室とが配置されている基板処理装置であって、
前記搬送室には、前記ロードロック室と前記処理室間で基板を搬送する基板搬送部と、基板の有無を検出する基板検出器と、が備えられ、
前記基板搬送部は、それぞれに基板が載置される載置部が設けられた第一のフィンガと第二のフィンガを有する第一のアームを有し、
前記第一のフィンガと第二のフィンガは同じ方向に水平に延伸され、
前記第一のフィンガと前記第二のフィンガのいずれか一方のフィンガの載置部先端の外側には切り欠きが設けられ、
前記第一のフィンガと前記第二のフィンガのいずれか他方のフィンガの載置部先端には切り欠きが設けられておらず、
前記切り欠きは、前記他方のフィンガの載置部先端に重なるように構成され、
前記基板検出器は、前記切り欠きに向けて光を投光し、前記切り欠きを経由した光を受光して、フィンガ上の基板の有無を検出する基板処理装置。 - 前記処理室は、
第一の処理部と、
前記搬送室から前記第一の処理部を挟んで遠方に配置される第二の処理部と、
前記第一の処理部と前記第二の処理部の間に設けられた第二の基板搬送部材と、
を有する請求項１に記載の基板処理装置。 - 前記基板搬送部は、第三のフィンガ及び第四のフィンガが設けられた第二のアームを有し、
前記第一、第二、第三、第四のフィンガの先端は水平方向であって同じ方向に延伸され、
前記第三のフィンガと前記第四のフィンガには基板を載置する載置部がそれぞれ設けられ、
前記第三のフィンガと前記第四のフィンガの載置部先端の外側にはそれぞれ切り欠きが設けられ、
前記第三のフィンガと前記第四のフィンガのいずれか一方のフィンガの載置部先端の切り欠きが、前記第三のフィンガと前記第四のフィンガのいずれか他方のフィンガの載置部先端に重なるよう構成される請求項１又は２に記載の基板処理装置。 - 対になる一方のフィンガの載置部先端と、他方のフィンガの載置部先端は、重ならないように構成される請求項１乃至３いずれか記載の基板処理装置。
- 前記第一フィンガと前記第二フィンガには、前記それぞれのフィンガの支持部と前記載置部に跨って貫通孔が設けられている請求項１乃至４いずれか記載の基板処理装置。
- 前記切り欠きに向けて光を投光し、前記切り欠きを経由した光を受光することで前記切り欠きが設けられたフィンガ上の基板の有無を検出するように前記基板検出器を制御するコントローラが設けられる請求項1乃至５いずれか記載の基板処理装置。
- 前記基板検出器は反射型変位センサである請求項１乃至６いずれか記載の基板処理装置。
- 前記搬送室の上面に反射型変位センサが設けられ、該反射型変位センサは前記貫通孔に光を投光する請求項５に記載の基板処理装置。
- 前記対になる一方のフィンガの載置部先端に切り欠きが設けられていない方のフィンガに第２の貫通孔が設けられる請求項１乃至５いずれか記載の基板処理装置。
- 対になる一方のフィンガの載置部先端の外側には切り欠きが設けられ、前記切り欠きは、対になる他方のフィンガの載置部先端に重なるよう構成され、同じ方向に水平に延伸される第一のフィンガと第二のフィンガを備えた第一のアームを有する基板搬送部が搬送室に設けられ、該基板搬送部が複数の基板を処理室に搬入する工程と、
前記複数の基板を前記処理室内で処理する工程と、
前記基板搬送部が前記処理室から前記複数の基板を搬出する工程と、
前記搬送室の下面に設けられた基板検出器が、前記切り欠きに向けて光を投光し、前記切り欠きを経由した光を受光して、フィンガ上の基板の有無を検出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記切り欠きが設けられていない方のフィンガに第２の貫通孔を有し、前記搬送室の上面に基板検出器が設けられ、該基板検出器から前記第２の貫通孔に光を投光して、前記第２の貫通孔を有するフィンガ上の基板の有無を検出する工程を有する請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
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