JP7042796B2 - 弾性波装置、弾性波装置パッケージ及びマルチプレクサ - Google Patents
弾性波装置、弾性波装置パッケージ及びマルチプレクサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP7042796B2 JP7042796B2 JP2019504463A JP2019504463A JP7042796B2 JP 7042796 B2 JP7042796 B2 JP 7042796B2 JP 2019504463 A JP2019504463 A JP 2019504463A JP 2019504463 A JP2019504463 A JP 2019504463A JP 7042796 B2 JP7042796 B2 JP 7042796B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- equation
- elastic wave
- wave device
- support substrate
- sound velocity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 157
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 91
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 59
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 54
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 35
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 10
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 claims description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 7
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 66
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 57
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 28
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
- H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
- H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02866—Means for compensation or elimination of undesirable effects of bulk wave excitation and reflections
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1085—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
- H03H9/6496—Reducing ripple in transfer characteristic
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
式(1)におけるV1は、下記の式(2)の解である。
式(2)において、A、B、C及びDは、それぞれ、下記の式(2A)~(2D)で表される値である。
B=ρ2(L11+L22+L33) …式(2B)
C=ρ(L21 2+L23 2+L31 2-L11・L33-L22・L33-L11・L22) …式(2C)
D=2・L21・L23・L31+L11・L22・L33-L31 2・L22-L11・L23 2-L21 2・L33 …式(2D)
L22=c44・a1 2+c11・a2 2+c44・a3 2 …式(3B)
L33=c44・a1 2+c44・a2 2+c11・a3 2 …式(3C)
L21=(c12+c44)・a2・a1 …式(3D)
L31=(c12+c44)・a1・a3 …式(3E)
L23=(c44+c12)・a3・a2 …式(3F)
a2=sin(φ)・cos(ψ)+cos(φ)・cos(θ)・sin(ψ) …式(4B)
a3=sin(θ)・sin(ψ) …式(4C)
上記式(1)におけるV1は、下記の式(2)の解である。
式(2)において、A、B、C及びDは、それぞれ、下記の式(2A)~(2D)で表される値である。
B=ρ2(L11+L22+L33) …式(2B)
C=ρ(L21 2+L23 2+L31 2-L11・L33-L22・L33-L11・L22) …式(2C)
D=2・L21・L23・L31+L11・L22・L33-L31 2・L22-L11・L23 2-L21 2・L33 …式(2D)
L22=c44・a1 2+c11・a2 2+c44・a3 2 …式(3B)
L33=c44・a1 2+c44・a2 2+c11・a3 2 …式(3C)
L21=(c12+c44)・a2・a1 …式(3D)
L31=(c12+c44)・a1・a3 …式(3E)
L23=(c44+c12)・a3・a2 …式(3F)
a2=sin(φ)・cos(ψ)+cos(φ)・cos(θ)・sin(ψ) …式(4B)
a3=sin(θ)・sin(ψ) …式(4C)
2…支持基板
3…酸化ケイ素膜
4…圧電体
5…IDT電極
6,7…反射器
21…マルチプレクサ
22~24…第1~第3の帯域通過型フィルタ
25…アンテナ端子
31…支持基板
32…圧電体
33…IDT電極
41,41A…弾性波装置
42,52…支持基板
43…低音速材料層
44,53…圧電体
45…誘電体膜
46,54…IDT電極
51…弾性波装置パッケージ
55…支持層
56…カバー部材
57a,57b,60a,60b…端子電極
58a,58b…金属バンプ
59…ケース基板
61…封止樹脂層
65…弾性波装置パッケージ
71,84…弾性波装置
72,85…支持基板
73,86…低音速材料層
74,87…圧電体
75,88…IDT電極
76…誘電体層
77…支持層
78…カバー部材
79a,79b…ビア電極
80a,80b,83a,83b,89a,89b…端子電極
81…弾性波装置パッケージ
82…ケース基板
90a,90b…金属バンプ
91…封止樹脂層
101…弾性波装置
102,104…低音速材料層
103…高音速材料層
201A,201B…デュプレクサ
202…アンテナ素子
203…RF信号処理回路
211,212,221,222,231,232…フィルタ
214,224…ローノイズアンプ回路
225…スイッチ
230…高周波フロントエンド回路
234a,234b,244a,244b…パワーアンプ回路
240…通信装置
Claims (15)
- シリコンで構成されている支持基板と、
前記支持基板上に間接的に設けられており、対向し合う一対の主面を有する圧電体と、 前記圧電体の、前記支持基板側とは反対側の前記主面上に直接的または間接的に設けられており、電極指ピッチで定まる波長がλであるIDT電極と、
を備え、
前記支持基板内を伝搬するバルク波のうち、遅い横波の音速である下記の式(1)の音速VSiが、5500m/秒以上であり、
前記支持基板と前記圧電体との間に設けられており、かつ伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体を伝搬する弾性波の音速よりも低い低音速材料からなる低音速材料層と、
をさらに備え、
前記圧電体の膜厚が0.05λ以上、0.5λ以下である、弾性波装置。
VSi=(V1)1/2(m/秒) …式(1)
式(1)におけるV1は、下記の式(2)の解である。
Ax3+Bx2+Cx+D=0 …式(2)
式(2)において、A、B、C及びDは、それぞれ、下記の式(2A)~(2D)で表される値である。
A=-ρ3 …式(2A)
B=ρ2(L11+L22+L33) …式(2B)
C=ρ(L21 2+L23 2+L31 2-L11・L33-L22・L33-L11・L22) …式(2C)
D=2・L21・L23・L31+L11・L22・L33-L31 2・L22-L11・L23 2-L21 2・L33 …式(2D)
ただし、式(2A)、式(2B)、式(2C)または式(2D)において、ρは2.331(g/cm3)である。また、L11、L22、L33、L21、L31及びL23は、下記の式(3A)~(3F)で表される値である。
L11=c11・a1 2+c44・a2 2+c44・a3 2 …式(3A)
L22=c44・a1 2+c11・a2 2+c44・a3 2 …式(3B)
L33=c44・a1 2+c44・a2 2+c11・a3 2 …式(3C)
L21=(c12+c44)・a2・a1 …式(3D)
L31=(c12+c44)・a1・a3 …式(3E)
L23=(c44+c12)・a3・a2 …式(3F)
ただし、式(3A)~(3F)において、c11、c12、c44は、それぞれ、c11=1.674E+11(N/m2)、c12=6.523E+10(N/m2)、c44=7.957E+10(N/m2)である。また、a1、a2及びa3は、下記の式(4A)~(4C)で表される値である。
a1=cos(φ)・cos(ψ)-sin(φ)・cos(θ)・sin(ψ) …式(4A)
a2=sin(φ)・cos(ψ)+cos(φ)・cos(θ)・sin(ψ) …式(4B)
a3=sin(θ)・sin(ψ) …式(4C)
なお、式(4A)~(4C)におけるφ,θ及びψは、前記支持基板の結晶方位(φ,θ,ψ)における、φ,θ,ψである。 - シリコンで構成されている支持基板と、
前記支持基板上に間接的に設けられており、対向し合う一対の主面を有する圧電体と、 前記圧電体の、前記支持基板側とは反対側の前記主面上に直接的または間接的に設けられており、電極指ピッチで定まる波長がλであるIDT電極と、
を備え、
前記支持基板内を伝搬するバルク波のうち、遅い横波の音速である下記の式(1)の音速VSiが、5500m/秒以上であり、
前記支持基板と前記圧電体との間に設けられており、かつ伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体を伝搬する弾性波の音速よりも低い低音速材料からなる低音速材料層と、
をさらに備え、
前記低音速材料層が酸化ケイ素からなり、
前記圧電体の膜厚が0.05λ以上、0.5λ以下である、弾性波装置。
VSi=(V1)1/2(m/秒) …式(1)
式(1)におけるV1は、下記の式(2)の解である。
Ax3+Bx2+Cx+D=0 …式(2)
式(2)において、A、B、C及びDは、それぞれ、下記の式(2A)~(2D)で表される値である。
A=-ρ3 …式(2A)
B=ρ2(L11+L22+L33) …式(2B)
C=ρ(L21 2+L23 2+L31 2-L11・L33-L22・L33-L11・L22) …式(2C)
D=2・L21・L23・L31+L11・L22・L33-L31 2・L22-L11・L23 2-L21 2・L33 …式(2D)
ただし、式(2A)、式(2B)、式(2C)または式(2D)において、ρは2.331(g/cm3)である。また、L11、L22、L33、L21、L31及びL23は、下記の式(3A)~(3F)で表される値である。
L11=c11・a1 2+c44・a2 2+c44・a3 2 …式(3A)
L22=c44・a1 2+c11・a2 2+c44・a3 2 …式(3B)
L33=c44・a1 2+c44・a2 2+c11・a3 2 …式(3C)
L21=(c12+c44)・a2・a1 …式(3D)
L31=(c12+c44)・a1・a3 …式(3E)
L23=(c44+c12)・a3・a2 …式(3F)
ただし、式(3A)~(3F)において、c11、c12、c44は、それぞれ、c11=1.674E+11(N/m2)、c12=6.523E+10(N/m2)、c44=7.957E+10(N/m2)である。また、a1、a2及びa3は、下記の式(4A)~(4C)で表される値である。
a1=cos(φ)・cos(ψ)-sin(φ)・cos(θ)・sin(ψ) …式(4A)
a2=sin(φ)・cos(ψ)+cos(φ)・cos(θ)・sin(ψ) …式(4B)
a3=sin(θ)・sin(ψ) …式(4C)
なお、式(4A)~(4C)におけるφ,θ及びψは、前記支持基板の結晶方位(φ,θ,ψ)における、φ,θ,ψである。 - 前記式(1)における前記V1は、前記式(2)の解V1、V2、V3のうち、最も小さい値である、請求項1または2に記載の弾性波装置。
- 前記圧電体がタンタル酸リチウムからなる、請求項1~3のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記支持基板を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体を伝搬する弾性波の音速よりも高い、請求項1~4のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記圧電体がタンタル酸リチウムからなり、前記低音速材料層が酸化ケイ素からなる、請求項1~5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記支持基板の厚みが、10λ以上、180μm以下であり、
前記λが、18μm以下である、請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記圧電体と、前記IDT電極との間に設けられた誘電体層をさらに備える、請求項1~7のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記誘電体層が、酸化ケイ素または五酸化タンタルからなる、請求項8に記載の弾性波装置。
- 前記誘電体層が、酸化ケイ素からなる、請求項9に記載の弾性波装置。
- 前記支持基板上に設けられており、前記IDT電極を囲む支持層と、
前記支持層を覆っており、前記IDT電極を囲む中空空間を構成しているカバー部材と、
前記カバー部材上に設けられており、前記IDT電極に電気的に接続されている複数の金属バンプと、
をさらに備える、請求項1~10のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記支持基板上に設けられており、前記IDT電極を囲む支持層と、
前記支持層を覆っており、前記IDT電極を囲む中空空間を構成しており、無機材料からなるカバー部材と、
をさらに備え、
前記支持層で囲まれた領域内において、前記支持基板を貫通している貫通電極と、前記貫通電極に電気的に接続されており、かつ前記支持基板の前記IDT電極が設けられている側とは反対側の面に設けられている端子電極とが、前記支持基板に設けられており、
前記貫通電極が、前記IDT電極と前記端子電極とに電気的に接続されている、請求項1~10のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 複数の電極ランドが一方面に設けられたケース基板と、
前記ケース基板に搭載されている、請求項1~10のいずれか1項に記載の弾性波装置と、
を備え、
前記IDT電極に電気的に接続される金属バンプが、前記弾性波装置に設けられており、
前記金属バンプが、前記電極ランドに接合されており、
前記弾性波装置を封止するように前記ケース基板上に設けられた封止樹脂層をさらに備える、弾性波装置パッケージ。 - 複数の電極ランドが一方面に設けられたケース基板と、
前記ケース基板に搭載されている、請求項11に記載の弾性波装置と、
を備え、
前記複数の金属バンプが、前記ケース基板における前記複数の電極ランドに接合されており、
前記弾性波装置を封止するように設けられた封止樹脂層をさらに備える、弾性波装置パッケージ。 - 請求項1~12のいずれか1項に記載の弾性波装置を有する帯域通過型フィルタと、
前記帯域通過型フィルタと一端同士が接続されている、少なくとも1つの他の帯域通過型フィルタと、
を備え、
前記弾性波装置を有する前記帯域通過型フィルタの通過帯域が、前記少なくとも1つの他の帯域通過型フィルタの通過帯域より低い、マルチプレクサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021133053A JP7136293B2 (ja) | 2017-03-09 | 2021-08-18 | 弾性波装置、弾性波装置パッケージ及びマルチプレクサ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017044687 | 2017-03-09 | ||
JP2017044687 | 2017-03-09 | ||
PCT/JP2018/006418 WO2018163841A1 (ja) | 2017-03-09 | 2018-02-22 | 弾性波装置、弾性波装置パッケージ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021133053A Division JP7136293B2 (ja) | 2017-03-09 | 2021-08-18 | 弾性波装置、弾性波装置パッケージ及びマルチプレクサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018163841A1 JPWO2018163841A1 (ja) | 2019-11-21 |
JP7042796B2 true JP7042796B2 (ja) | 2022-03-28 |
Family
ID=63448657
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019504463A Active JP7042796B2 (ja) | 2017-03-09 | 2018-02-22 | 弾性波装置、弾性波装置パッケージ及びマルチプレクサ |
JP2021133053A Active JP7136293B2 (ja) | 2017-03-09 | 2021-08-18 | 弾性波装置、弾性波装置パッケージ及びマルチプレクサ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021133053A Active JP7136293B2 (ja) | 2017-03-09 | 2021-08-18 | 弾性波装置、弾性波装置パッケージ及びマルチプレクサ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11588467B2 (ja) |
JP (2) | JP7042796B2 (ja) |
KR (1) | KR102294238B1 (ja) |
CN (1) | CN110383686B (ja) |
WO (1) | WO2018163841A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018216417A1 (ja) * | 2017-05-26 | 2018-11-29 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、フィルタ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
JP7297329B2 (ja) * | 2019-05-16 | 2023-06-26 | 中芯集成電路(寧波)有限公司上海分公司 | エアギャップ型半導体デバイスのパッケージング構造及びその製作方法 |
JP7433873B2 (ja) * | 2019-12-06 | 2024-02-20 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタ、及びマルチプレクサ |
WO2023248636A1 (ja) * | 2022-06-24 | 2023-12-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017013968A1 (ja) | 2015-07-17 | 2017-01-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61269509A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-28 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
JPH1032464A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Fuji Electric Co Ltd | 弾性表面波コンボルバ |
JP4517992B2 (ja) * | 2005-09-14 | 2010-08-04 | セイコーエプソン株式会社 | 導通孔形成方法、並びに圧電デバイスの製造方法、及び圧電デバイス |
DE102006003850B4 (de) * | 2006-01-26 | 2015-02-05 | Epcos Ag | Elektroakustisches Bauelement |
JP2008078739A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイスおよびフィルタ |
CN101803189B (zh) | 2007-10-30 | 2014-01-08 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置 |
JP2010187373A (ja) | 2009-01-19 | 2010-08-26 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板及びそれを用いた弾性波デバイス |
JP5180889B2 (ja) * | 2009-03-25 | 2013-04-10 | 日本碍子株式会社 | 複合基板、それを用いた弾性波デバイス及び複合基板の製法 |
KR101340310B1 (ko) | 2009-10-13 | 2013-12-12 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 표면파 장치 |
JP2011166259A (ja) | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP2012010054A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板及びそれを用いた弾性波デバイス |
EP2658123B1 (en) * | 2010-12-24 | 2019-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device and method for manufacturing the same. |
WO2012120968A1 (ja) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
JP5811276B2 (ja) * | 2012-05-17 | 2015-11-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
CN106031034B (zh) | 2014-03-31 | 2018-09-14 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
WO2015178227A1 (ja) | 2014-05-20 | 2015-11-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
DE112015005769T5 (de) | 2014-12-25 | 2017-10-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Vorrichtung für elastische Wellen |
JP6397352B2 (ja) * | 2015-02-19 | 2018-09-26 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
JP6566033B2 (ja) | 2015-06-25 | 2019-08-28 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
US10536133B2 (en) * | 2016-04-22 | 2020-01-14 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Composite surface acoustic wave (SAW) device with absorbing layer for suppression of spurious responses |
CN107852145B (zh) | 2015-09-10 | 2021-10-26 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 |
WO2017209131A1 (ja) * | 2016-05-30 | 2017-12-07 | 京セラ株式会社 | 複合基板、およびそれを用いた弾性波素子 |
US10848121B2 (en) * | 2016-10-14 | 2020-11-24 | Qorvo Us, Inc. | Guided SAW device |
GB2569082A (en) * | 2016-10-20 | 2019-06-05 | Skyworks Solutions Inc | Elastic wave device with sub-wavelength thick piezoelectric layer |
-
2018
- 2018-02-22 KR KR1020197026316A patent/KR102294238B1/ko active IP Right Grant
- 2018-02-22 CN CN201880016515.7A patent/CN110383686B/zh active Active
- 2018-02-22 JP JP2019504463A patent/JP7042796B2/ja active Active
- 2018-02-22 WO PCT/JP2018/006418 patent/WO2018163841A1/ja active Application Filing
-
2019
- 2019-09-06 US US16/562,488 patent/US11588467B2/en active Active
-
2021
- 2021-08-18 JP JP2021133053A patent/JP7136293B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017013968A1 (ja) | 2015-07-17 | 2017-01-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102294238B1 (ko) | 2021-08-26 |
KR20190112134A (ko) | 2019-10-02 |
CN110383686A (zh) | 2019-10-25 |
US20190393857A1 (en) | 2019-12-26 |
JPWO2018163841A1 (ja) | 2019-11-21 |
US11588467B2 (en) | 2023-02-21 |
JP7136293B2 (ja) | 2022-09-13 |
CN110383686B (zh) | 2023-02-28 |
WO2018163841A1 (ja) | 2018-09-13 |
JP2021192523A (ja) | 2021-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6624336B2 (ja) | 弾性波装置、弾性波装置パッケージ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 | |
WO2019138810A1 (ja) | 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 | |
JP7136293B2 (ja) | 弾性波装置、弾性波装置パッケージ及びマルチプレクサ | |
US11482983B2 (en) | Elastic wave device, high-frequency front-end circuit, and communication device | |
US11496226B2 (en) | Acoustic wave device, multiplexer, high-frequency front end circuit, and communication device | |
US11984869B2 (en) | Acoustic wave device | |
WO2019124128A1 (ja) | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 | |
CN110166017B (zh) | 弹性波装置、多工器、高频前端电路以及通信装置 | |
JP6977703B2 (ja) | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 | |
US10886896B2 (en) | Acoustic wave device, high-frequency front-end circuit, and communication device | |
JP2019145886A (ja) | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190830 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190830 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20190830 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20191025 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200317 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200515 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201019 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20201019 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20201029 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20201104 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20201204 |
|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20201208 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20210302 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20210518 |
|
C13 | Notice of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13 Effective date: 20210622 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210818 |
|
C13 | Notice of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13 Effective date: 20211019 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211213 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20220208 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20220315 |
|
C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20220315 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220315 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7042796 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |