JP2019145886A - 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】窒化ケイ素層を高音速膜として有する弾性波装置において、IMD特性の劣化が生じ難く、窒化ケイ素層の自壊が生じ難い、弾性波装置を提供する。【解決手段】半導体からなる支持基板2上にSiNx層3が直接または間接に積層されており、SiNx層3上に直接または間接に圧電膜5が積層されており、圧電膜5の少なくとも一方の主面上に直接または間接に積層されているIDT電極6とを備え、SiNx層3において、xが1.34以上、1.66以下の範囲にある、弾性波装置。【選択図】図1
Description
本発明は、高音速膜としてのSiNx層上に、低音速膜及び圧電膜が積層されている構造を有する弾性波装置、並びに該弾性波装置を用いた高周波フロントエンド回路及び通信装置に関する。
従来、高音速膜上に、低音速膜及び圧電膜が積層されている弾性波装置が知られている。下記の特許文献1に記載の弾性波装置では、支持基板上に、高音速膜、低音速膜及び圧電膜がこの順序で積層された積層体が用いられている。圧電膜上にIDT電極が設けられている。
特許文献1では、支持基板は、各種絶縁性セラミックスもしくはガラス等の誘電体、シリコンもしくは窒化ガリウムなどの半導体、または樹脂基板などにより構成され得る旨が記載されている。また、高音速膜については、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などにより構成し得る旨が示されている。低音速膜の材料としては、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素などが挙げられている。
しかしながら、本願発明者は、特許文献1に記載の弾性波装置において、支持基板が半導体からなり、かつ高音速膜として窒化ケイ素を用いた場合、その組成によって、IMD特性(混変調)が悪化することを見出した。また、窒化ケイ素の組成によっては、窒化ケイ素膜が自壊することのあることを見出した。本発明の目的は、本願発明者によって見出された、このような新規な課題を解決することにある。すなわち、本発明の目的は、IMD特性の劣化が生じ難く、窒化ケイ素膜の自壊が生じ難い、弾性波装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、本発明に係る弾性波装置を用いた高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することにある。
本発明に係る弾性波装置は、半導体からなる支持基板と、前記支持基板上に直接または間接に積層されたSiNx層と、前記SiNx層上に直接または間接に積層されており、対向し合う一対の主面を有する圧電膜と、前記圧電膜の少なくとも一方の主面上に直接または間接に設けられたIDT電極とを備え、前記SiNx層において、xが1.34以上、1.66以下の範囲にある。
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記SiNx層と、前記圧電膜との間に積層されており、伝搬するバルク波の音速が前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも低い低音速材料からなる低音速膜がさらに備えられている。
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記半導体が、シリコンである。
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記圧電膜と前記IDT電極との間に積層された絶縁膜がさらに備えられている。好ましくは、前記絶縁膜が酸化ケイ素からなる。その場合には、周波数温度係数TCFの絶対値を小さくでき、温度特性を改善することができる。
本発明に係る弾性波装置のさらに特定の局面では、前記IDT電極の弾性波伝搬方向両側に配置された反射器がさらに備えられており、弾性波共振子が提供される。
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、帯域通過型フィルタである、弾性波装置が提供される。
本発明に係る高周波フロントエンド回路は、本発明に従って構成された弾性波装置と、パワーアンプとを備える。
本発明に係る通信装置は、本発明に従って構成された高周波フロントエンド回路と、RF信号処理回路とを備える。
本発明によれば、IMD特性の劣化が生じ難く、SiNx層で表される高音速膜の自壊が生じ難い、弾性波装置を提供することができる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。弾性波装置1は、半導体からなる支持基板2を有する。支持基板2の上面2a上に、SiNx層3が直接積層されている。もっとも、SiNx層3は、支持基板2上に間接に積層されていてもよい。すなわち、支持基板2と、SiNx層3との間に絶縁膜などの他の材料層が介在していてもよい。
SiNx層3上に、低音速膜4が直接積層されている。低音速膜4は、SiNx層3上に間接に、すなわち他の材料層を介して積層されていてもよい。このような他の材料層についても、絶縁性材料からなる材料層などを用いることができる。なお、低音速膜4は本発明において必須ではない。
圧電膜5が、低音速膜4上に積層されている。圧電膜5は、低音速膜4上に直接積層されているが、間接に積層されていてもよい。すなわち、低音速膜4と圧電膜5との間に絶縁膜などの他の材料層が介在していてもよい。
圧電膜5は、対向し合う第1の主面5a及び第2の主面5bを有する。第1の主面5a上に、IDT電極6が設けられている。IDT電極6の弾性波伝搬方向両側に反射器7,8が設けられている。
IDT電極6及び反射器7,8は、第2の主面5b上に設けられていてもよく、第1の主面5a上及び第2の主面5b上の双方に設けられていてもよい。
低音速膜4は、伝搬するバルク波の音速が、圧電膜5を伝搬する弾性波の音速よりも低い低音速材料からなる。このような低音速材料としては、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、また、酸化ケイ素にフッ素や炭素やホウ素を加えた化合物など、上記材料を主成分とした媒質を用いることができる。
また、SiNx層3は、高音速材料である。ここで、高音速材料とは、伝搬するバルク波の音速が、圧電膜5を伝搬する弾性波の音速よりも高い材料をいう。
弾性波装置1では、圧電膜5の下方に、低音速膜4及び高音速膜としてのSiNx層3とが積層されているため、弾性波のエネルギーを圧電膜5内に閉じ込めることができる。この場合、圧電膜5の厚みは、3.5λ以下であり、好ましくは0.5λ以下である。圧電膜5内に、弾性波のエネルギーを効果的に閉じ込めることができる。
ところで、支持基板2は、半導体からなる。このような半導体としては、特に限定されず、シリコン、窒化ガリウム、ガリウムヒ素または酸化物半導体などを挙げることができる。本実施形態では、支持基板2はシリコンからなる。本願発明者は、上記弾性波装置1において、支持基板2が半導体からなる場合、SiNx層3の組成によっては、IMD特性が劣化したり、SiNx層3が自壊したりすることを初めて見出した。
なお、IDT電極6及び反射器7,8を構成する金属材料は特に限定されず、Al、Cu、Pt、Au、Ag、Ti、Ni、Cr、Mo、Wなどの金属あるいはこれらの金属を主体とする合金を用いることができる。また、複数の金属膜を積層してなる積層金属膜が用いられてもよい。
弾性波装置1では、上記構造において、SiNx層3のxが1.34以上、1.66以下の特定の範囲にあるため、上記IMD特性の劣化を抑制でき、かつSiNx層3の自壊も生じ難い。これを以下の具体的な実験例に基づき説明する。
弾性波装置1において、SiNxのxを種々変化させたSiNx層3を有する弾性波装置1を作製した。設計パラメータは以下の通りとした。なお、IDT電極6における電極指ピッチで定まる波長をλとした。
支持基板2:シリコンからなる。
SiNx層3:SiNxからなり、厚みは0.5λとした。
低音速膜4:酸化ケイ素からなり、厚みは0.35λとした。
圧電膜5:LTからなり、厚みは0.3λとした。
IDT電極6及び反射器7,8:材料としてアルミを用いた。厚みは0.08λとした。IDT電極6における電極指ピッチで定まる波長λは、2μmとした。IDT電極の電極指の対数は94対、反射器7,8における電極指の本数は各21本とした。
上記のようにして、SiNxのxが異なる様々な弾性波装置1を作製し、以下の方法で、IMD特性を測定した。
IMD特性の測定方法:シグナルジェネレータを用いてTX端から送信波をANT端から妨害波を入力し、シグナルアナライザーを用いてひずみ波をRX端から、IMDの3次ひずみを測定した。
上記IMD特性の測定の結果得られた、SiNxにおけるxと、IMD特性としての3次ひずみ特性の劣化量との関係を図2に示す。図2から明らかなように、xが1.34以上では、IMD特性が劣化し難く、1.33以下では、xが小さくなるにつれて、IMD特性劣化量が急激に増大することがわかる。従って、SiNxにおけるxは1.34以上であることが必要であり、それによって、IMD特性の劣化を抑制することができる。
他方、SiNxでは、xが1.67以上になると、吸湿により自壊するおそれがあることが知られている。従って、SiNxのxは1.67未満であることが必要である。それによって、弾性波装置1において、IMD特性の劣化の抑制と、SiNx層3の自壊の抑制を図ることができる。
なお、上記SiNxのxが1.34以上であれば上記のようにIMD特性の劣化が生じ難いのは、以下の理由によると考えられる。
支持基板2が半導体からなる場合、その表面に寄生容量成分が生成するおそれがある。ところが、弾性波装置1では、SiNxの組成が上記特定の範囲、すなわちxが1.34以上とされているため、半導体であるシリコンからなる支持基板2と、酸化ケイ素からなる低音速膜4との間の遮断性が高められ、この支持基板2の表面における寄生容量成分の生成が抑制されていると考えられる。よって、寄生容量成分が小さくなり、IMD特性が改善されている。
すなわち、本願発明者は、支持基板、高音速膜、低音速膜及び圧電膜が積層されている構造を有する弾性波装置において、支持基板が半導体からなる場合に、上記のようにIMD特性の劣化が生じることを初めて見出し、この問題を、SiNx層における組成比を特定の範囲とすれば解決し得ることを初めて見出したものである。
第1の実施形態では、圧電膜5の第1の主面5a上にIDT電極6が直接積層されていたが、図3に示す第2の実施形態の弾性波装置11のように、圧電膜5の第1の主面5a上に、絶縁膜9を介してIDT電極6が間接に積層されていてもよい。なお、このような絶縁膜9の材料としては、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、五酸化タンタル、アルミナ、ガラス、酸化タンタル、または、酸化ケイ素に、フッ素、炭素もしくはホウ素を加えた化合物などを用いることができ、特に限定されるものではない。また、図4に示す第3の実施形態のように、第2の実施形態の構造から低音速膜4が除かれた構造を有する弾性波装置21であってもよい。
図5は、高周波フロントエンド回路を有する通信装置の構成図である。なお、同図には、高周波フロントエンド回路230と接続される各構成要素、例えば、アンテナ素子202やRF信号処理回路(RFIC)203も併せて図示されている。高周波フロントエンド回路230及びRF信号処理回路203は、通信装置240を構成している。なお、通信装置240は、電源、CPUやディスプレイを含んでいてもよい。
高周波フロントエンド回路230は、スイッチ225と、デュプレクサ201A,201Bと、フィルタ231,232と、ローノイズアンプ回路214,224と、パワーアンプ回路234a,234b,244a,244bとを備える。なお、図5の高周波フロントエンド回路230及び通信装置240は、高周波フロントエンド回路及び通信装置の一例であって、この構成に限定されるものではない。
デュプレクサ201Aは、フィルタ211,212を有する。デュプレクサ201Bは、フィルタ221,222を有する。デュプレクサ201A,201Bは、スイッチ225を介してアンテナ素子202に接続される。なお、上記弾性波装置は、デュプレクサ201A,201Bであってもよいし、フィルタ211,212,221,222であってもよい。
さらに、上記弾性波装置は、例えば、3つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたトリプレクサや、6つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたヘキサプレクサなど、3以上のフィルタを備えるマルチプレクサについても適用することができる。
すなわち、上記弾性波装置は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、3以上のフィルタを備えるマルチプレクサを含む。そして、該マルチプレクサは、送信フィルタ及び受信フィルタの双方を備える構成に限らず、送信フィルタのみ、または、受信フィルタのみを備える構成であってもかまわない。
スイッチ225は、制御部(図示せず)からの制御信号に従って、アンテナ素子202と所定のバンドに対応する信号経路とを接続し、例えば、SPDT(Single Pole Double Throw)型のスイッチによって構成される。なお、アンテナ素子202と接続される信号経路は1つに限らず、複数であってもよい。つまり、高周波フロントエンド回路230は、キャリアアグリゲーションに対応していてもよい。
ローノイズアンプ回路214は、アンテナ素子202、スイッチ225及びデュプレクサ201Aを経由した高周波信号(ここでは高周波受信信号)を増幅し、RF信号処理回路203へ出力する受信増幅回路である。ローノイズアンプ回路224は、アンテナ素子202、スイッチ225及びデュプレクサ201Bを経由した高周波信号(ここでは高周波受信信号)を増幅し、RF信号処理回路203へ出力する受信増幅回路である。
パワーアンプ回路234a,234bは、RF信号処理回路203から出力された高周波信号(ここでは高周波送信信号)を増幅し、デュプレクサ201A及びスイッチ225を経由してアンテナ素子202に出力する送信増幅回路である。パワーアンプ回路244a,244bは、RF信号処理回路203から出力された高周波信号(ここでは高周波送信信号)を増幅し、デュプレクサ201B及びスイッチ225を経由してアンテナ素子202に出力する送信増幅回路である。
RF信号処理回路203は、アンテナ素子202から受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号を出力する。また、RF信号処理回路203は、入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号をパワーアンプ回路234a,234b,244a,244bへ出力する。RF信号処理回路203は、例えば、RFICである。なお、通信装置は、BB(ベースバンド)ICを含んでいてもよい。この場合、BBICは、RFICで処理された受信信号を信号処理する。また、BBICは、送信信号を信号処理し、RFICに出力する。BBICで処理された受信信号や、BBICが信号処理する前の送信信号は、例えば、画像信号や音声信号等である。
なお、高周波フロントエンド回路230は、上記デュプレクサ201A,201Bに代わり、デュプレクサ201A,201Bの変形例に係るデュプレクサを備えていてもよい。
他方、通信装置240におけるフィルタ231,232は、ローノイズアンプ回路214,224及びパワーアンプ回路234a,234b,244a,244bを介さず、RF信号処理回路203とスイッチ225との間に接続されている。フィルタ231,232も、デュプレクサ201A,201Bと同様に、スイッチ225を介してアンテナ素子202に接続される。
以上のように構成された高周波フロントエンド回路230及び通信装置240によれば、本発明の弾性波装置である、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、3以上のフィルタを備えるマルチプレクサなどを備えることにより、高次モードによる不要波を抑制することができる。加えて、上記構成を有する弾性波装置に接続されるフィルタ装置に対する不要波の影響を抑制することができる。
以上、本発明の実施形態に係る弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置について、実施形態を挙げて説明したが、本発明は、上記実施形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施形態や、上記実施形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フロントエンド回路及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
本発明は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、マルチバンドシステムに適用できるマルチプレクサ、フロントエンド回路及び通信装置として、携帯電話機などの通信機器に広く利用できる。
1…弾性波装置
2…支持基板
2a…上面
3…SiNx層
4…低音速膜
5…圧電膜
5a…第1の主面
5b…第2の主面
6…IDT電極
7,8…反射器
9…絶縁膜
11…弾性波装置
21…弾性波装置
201A,201B…デュプレクサ
202…アンテナ素子
203…RF信号処理回路
211,212…フィルタ
214…ローノイズアンプ回路
221,222…フィルタ
224…ローノイズアンプ回路
225…スイッチ
230…高周波フロントエンド回路
231,232…フィルタ
234a,234b…パワーアンプ回路
240…通信装置
244a,244b…パワーアンプ回路
2…支持基板
2a…上面
3…SiNx層
4…低音速膜
5…圧電膜
5a…第1の主面
5b…第2の主面
6…IDT電極
7,8…反射器
9…絶縁膜
11…弾性波装置
21…弾性波装置
201A,201B…デュプレクサ
202…アンテナ素子
203…RF信号処理回路
211,212…フィルタ
214…ローノイズアンプ回路
221,222…フィルタ
224…ローノイズアンプ回路
225…スイッチ
230…高周波フロントエンド回路
231,232…フィルタ
234a,234b…パワーアンプ回路
240…通信装置
244a,244b…パワーアンプ回路
Claims (9)
- 半導体からなる支持基板と、
前記支持基板上に直接または間接に積層されたSiNx層と、
前記SiNx層上に直接または間接に積層されており、対向し合う一対の主面を有する圧電膜と、
前記圧電膜の少なくとも一方の主面上に直接または間接に設けられたIDT電極とを備え、
前記SiNx層において、xが1.34以上、1.66以下の範囲にある、弾性波装置。 - 前記SiNx層と、前記圧電膜との間に積層されており、伝搬するバルク波の音速が前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも低い低音速材料からなる低音速膜をさらに備える、請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記半導体が、シリコンである、請求項1または2に記載の弾性波装置。
- 前記圧電膜と前記IDT電極との間に積層された絶縁膜をさらに備える、請求項1〜3のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記絶縁膜が酸化ケイ素からなる、請求項4に記載の弾性波装置。
- 前記IDT電極の弾性波伝搬方向両側に配置された反射器をさらに備え、弾性波共振子である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 帯域通過型フィルタである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の弾性波装置と、
パワーアンプと、
を備える、高周波フロントエンド回路。 - 請求項8に記載の高周波フロントエンド回路と、RF信号処理回路と、
を備える、通信装置。
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