JP7297329B2 - エアギャップ型半導体デバイスのパッケージング構造及びその製作方法 - Google Patents
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Description
キャリア及び半導体チップを提供し、前記キャリア上に接着層を形成するステップであって、前記接着層に第1の接着層開口が形成され、前記半導体チップがアクティブ領域及び入力/出力電極領域を含むステップと、
前記半導体チップを前記接着層上に載置するステップであって、前記半導体チップと前記キャリアとが前記第1の接着層開口において第1のキャビティを形成し、前記第1のキャビティが前記半導体チップの前記アクティブ領域の一部と少なくとも位置合わせられるステップと、
前記キャリアの前記接着層が形成される面に対して樹脂封止プロセスを行い、前記半導体チップを前記キャリア上に樹脂封止するステップと、
少なくとも前記入力/出力電極領域の一部と位置合わせられるように、前記キャリアに前記キャリアを貫通する貫通孔を形成するステップと、
前記キャリアの前記接着層が形成される面と異なる面に相互接続構造を形成するステップであって、前記相互接続構造が前記貫通孔を貫通して、前記入力/出力電極領域の入力/出力電極に電気的に接続されるステップとを含むエアギャップ型半導体デバイスのパッケージング構造の製作方法を提供する。
前記キャリア上に前記ドライフィルム層を形成して焼き付けるステップと、
前記キャリア上に開口が形成されるように、前記ドライフィルム層に対して露光、現像を行うステップと、
現像後の前記ドライフィルム層に対してポストベーク処理を行うステップとを含む。
前記相互接続構造に被覆される鈍化層を、前記キャリアの前記接着層が形成される面と異なる面に形成するステップと、
前記鈍化層に鈍化層開口を形成するステップと、
前記相互接続構造に電気的に接続されるアンダーバンプ金属層を前記鈍化層開口に形成するステップと、
前記アンダーバンプ金属層上にはんだボールバンプを形成するステップとをさらに含む。
キャリアと、
アクティブ領域及び入力/出力電極領域を含む半導体チップと、
接着層であって、前記接着層は、前記キャリアと前記半導体チップとの間に配置され、第1の接着層開口を有し、前記半導体チップと前記キャリアが前記第1の接着層開口において第1のキャビティを形成し、前記第1のキャビティが前記半導体チップのアクティブ領域の一部と少なくとも位置合わせられる接着層と、
前記接着層と前記キャリアの同一側に位置するとともに、前記半導体チップ及び前記接着層において露出する領域を覆う樹脂封止層と、
前記キャリアを貫通し、前記入力/出力電極領域の一部を少なくとも露出させる少なくとも1つの貫通孔と、
前記キャリアの前記接着層が形成される面と異なる面に形成されるとともに、前記貫通孔を貫通して前記入力/出力電極領域の入力/出力電極に電気的に接続される相互接続構造とを備えるエアギャップ型半導体デバイスのパッケージング構造を提供する。
前記半導体チップと前記キャリアとが前記第2の接着層開口において第2のキャビティを形成し、
前記第2のキャビティが少なくとも前記入力/出力電極領域の一部と位置合わせられる。
キャリア及び半導体チップを提供し、前記キャリア上に接着層を形成するステップであって、前記接着層に第1の接着層開口が形成され、前記半導体チップがアクティブ領域及び入力/出力電極領域を含むステップS01と
半導体チップを前記接着層上に置くステップであって、前記半導体チップと前記キャリアとが前記第1の接着層開口に第1のキャビティを形成し、前記第1のキャビティが前記半導体チップのアクティブ領域の一部と少なくとも位置合わせられるステップS02と、
前記キャリアの前記半導体チップが固定される面に対して樹脂封止プロセスを行って、前記フィルタチップを前記キャリア上に樹脂封止するステップS03と、
少なくとも前記入力/出力電極領域の一部と位置合わせられる、前記キャリアを貫通する貫通孔を形成するステップS04と、
前記キャリアの、前記接着層が形成される面と異なる面に相互接続構造を形成するステップであって、前記相互接続構造が前記貫通孔を貫通して、前記入力/出力電極領域の入力/出力電極に電気的に接続されるステップS05とを含む。
キャリア100と、
アクティブ領域201及び入力/出力電極202を含む半導体チップ200と、
接着層101であって、前記接着層101は、前記キャリア100と前記半導体チップ200との間に配置され、第1の接着層開口110´を有し、前記半導体チップ200と前記キャリア100が前記第1の接着層開口110´に第1のキャビティ110を形成し、前記第1のキャビティ110が前記半導体チップのアクティブ領域201の一部に少なくとも位置合わせられる接着層101と、
前記接着層101と前記キャリア100の同一側に位置するとともに、前記半導体チップ200及び前記接着層101から露出される領域に被覆される樹脂封止層102と、
前記キャリア100を貫通し、前記半導体チップ200の入力/出力電極領域202の一部を少なくとも露出させる少なくとも1つの貫通孔103と、
前記キャリア100の、前記接着層101が形成される面と異なる面に形成され、前記貫通孔103を貫通し、前記入力/出力電極領域202の入力/出力電極に電気的に接続される相互接続構造104とを備える、エアギャップ型半導体デバイスのパッケージング構造をさらに提供する。
100-キャリア、100a-キャリアの縁領域、101-接着層、110´-第1の接着層開口、120´-第2の接着層開口、110-第1のキャビティ、120-第2のキャビティ、102-樹脂封止層、103-貫通孔、104-相互接続構造、105-鈍化層、106-アンダーバンプ金属層、107-はんだボールバンプ、
200-半導体チップ、200a-半導体チップの機能面、200b-半導体チップの非機能面、201-アクティブ領域、202-入力/出力電極領域、300-いくつかの半導体チップを含むウェハー
Claims (15)
- キャリア及びフィルタチップを提供し、前記キャリア上に接着層を形成するステップであって、前記接着層に第1の接着層開口が形成され、前記フィルタチップの表面に位置する機能面がアクティブ領域及び入力/出力電極領域を含むステップと、
前記フィルタチップを前記接着層上に載置するステップであって、前記フィルタチップと前記キャリアとが前記第1の接着層開口において第1のキャビティを形成し、前記第1のキャビティが前記フィルタチップの前記アクティブ領域の一部と少なくとも位置合わせられるステップと、
前記キャリアの前記接着層が形成される面に対して樹脂封止プロセスを行い、前記フィルタチップを前記キャリア上に樹脂封止するステップと、
少なくとも前記入力/出力電極領域の一部と位置合わせられるように、前記キャリアに前記キャリアを貫通する貫通孔を形成するステップと、
前記キャリアの前記接着層が形成される面と異なる面に相互接続構造を形成するステップであって、前記相互接続構造が前記貫通孔を貫通して、前記入力/出力電極領域の入力/出力電極に電気的に接続されるステップとを含み、
前記第1のキャビティは、前記フィルタチップの共振周波数を特定する共振空間であり、前記共振空間の厚さが前記機能面の前記アクティブ領域においても、前記接着層の厚さと同じであり、
前記キャリアの前記フィルタチップと対向する片側は、平面である、
ことを特徴とするパッケージング構造の製作方法。 - 前記接着層には、さらに第2の接着層開口が形成され、
前記フィルタチップを前記接着層上に載置した後、前記フィルタチップと前記キャリアとが前記第2の接着層開口において第2のキャビティを形成し、前記第2のキャビティが少なくとも前記入力/出力電極領域の一部と位置合わせられる、
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージング構造の製作方法。 - 前記接着層は、パターン化されるドライフィルム層である、
ことを特徴とする請求項2に記載のパッケージング構造の製作方法。 - 前記接着層を形成するステップは、
前記キャリア上に前記ドライフィルム層を形成して焼き付けるステップと、
前記キャリア上に開口が形成されるように、前記ドライフィルム層に対して露光、現像を行うステップと、
現像後の前記ドライフィルム層に対してポストベーク処理を行うステップとを含む、
ことを特徴とする請求項3に記載のパッケージング構造の製作方法。 - 前記開口は、前記第1の接着層開口及び前記第2の接着層開口を含む、
ことを特徴とする請求項4に記載のパッケージング構造の製作方法。 - 前記開口において前記フィルタチップの縁領域をさらに露出させる、
ことを特徴とする請求項4に記載のパッケージング構造の製作方法。 - 前記キャリアは、ウェハーである、
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージング構造の製作方法。 - 樹脂封止プロセスを行った後、前記貫通孔を形成する前に、
前記キャリアの前記接着層が形成される面と異なる面に対して薄型化プロセスを行うステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージング構造の製作方法。 - 前記相互接続構造を形成した後に、
前記相互接続構造に被覆される不動態層を、前記キャリアの前記接着層が形成される面と異なる面に形成するステップと、
前記不動態層に不動態層開口を形成するステップと、
前記相互接続構造に電気的に接続されるアンダーバンプ金属層を前記不動態層開口に形成するステップと、
前記アンダーバンプ金属層上にはんだボールバンプを形成するステップとをさらに含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージング構造の製作方法。 - 前記相互接続構造の材質は、金、銀、銅、鉄、アルミニウム、ニッケル、パラジウムまたは錫を含む、
ことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のパッケージング構造の製作方法。 - 前記樹脂封止プロセスは、ホットプレスプラスチック射出成形プロセスであり、
前記樹脂封止プロセスに用いられる樹脂封止材料は、エポキシ樹脂を含む、
ことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のパッケージング構造の製作方法。 - キャリアと、
表面に位置する機能面がアクティブ領域及び入力/出力電極領域を含むフィルタチップと、
接着層であって、前記接着層は、前記キャリアと前記フィルタチップとの間に配置され、第1の接着層開口を有し、前記フィルタチップと前記キャリアが前記第1の接着層開口において第1のキャビティを形成し、前記第1のキャビティが前記フィルタチップのアクティブ領域の一部と少なくとも位置合わせられる接着層と、
前記接着層と前記キャリアの同一側に位置するとともに、前記フィルタチップ及び前記接着層において露出する領域を覆う樹脂封止層と、
前記キャリアを貫通し、前記入力/出力電極領域の一部を少なくとも露出させる少なくとも1つの貫通孔と、
前記キャリアの前記接着層が形成される面と異なる面に形成されるとともに、前記貫通孔を貫通して前記入力/出力電極領域の入力/出力電極に電気的に接続される相互接続構造とを備え、
前記第1のキャビティは、前記フィルタチップの共振周波数を特定する共振空間であり、前記共振空間の厚さが前記機能面の前記アクティブ領域においても、前記接着層の厚さと同じであり、
前記キャリアの前記フィルタチップと対向する片側は、平面である、
ことを特徴とするパッケージング構造。 - 前記接着層は、第2の接着層開口をさらに有し、
前記フィルタチップと前記キャリアとが前記第2の接着層開口において第2のキャビティを形成し、
前記第2のキャビティが少なくとも前記入力/出力電極領域の一部と位置合わせられる、
ことを特徴とする請求項12に記載のパッケージング構造。 - 前記接着層において前記フィルタチップの縁領域をさらに露出させる、
ことを特徴とする請求項12に記載のパッケージング構造。 - 前記キャリアは、ウェハーである、
ことを特徴とする請求項12に記載のパッケージング構造。
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