JP7003075B2 - ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物及び該組成物を用いたウェハーレベル光半導体デバイス - Google Patents
ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物及び該組成物を用いたウェハーレベル光半導体デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP7003075B2 JP7003075B2 JP2019026041A JP2019026041A JP7003075B2 JP 7003075 B2 JP7003075 B2 JP 7003075B2 JP 2019026041 A JP2019026041 A JP 2019026041A JP 2019026041 A JP2019026041 A JP 2019026041A JP 7003075 B2 JP7003075 B2 JP 7003075B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- semiconductor device
- wafer
- component
- resin composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 225
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 201
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 123
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title description 39
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 49
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 27
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 23
- 229920006136 organohydrogenpolysiloxane Polymers 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 11
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 152
- -1 trill group Chemical group 0.000 description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 26
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 24
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 23
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 19
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 17
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 17
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 15
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 15
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 13
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 10
- 229920001843 polymethylhydrosiloxane Polymers 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 8
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 8
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 7
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 6
- QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 1-ethynylcyclohexan-1-ol Chemical compound C#CC1(O)CCCCC1 QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 5
- BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L platinum dichloride Chemical compound Cl[Pt]Cl CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 125000005388 dimethylhydrogensiloxy group Chemical group 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 125000004218 chloromethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)* 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 3
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000000286 phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910003668 SrAl Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005998 bromoethyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000000555 isopropenyl group Chemical group [H]\C([H])=C(\*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- 125000004344 phenylpropyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 229910052815 sulfur oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N (dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)C KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001731 2-cyanoethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C#N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017639 MgSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHAQRCJYQAKQEE-UHFFFAOYSA-M [O-2].[OH-].O.[Al+3].P Chemical compound [O-2].[OH-].O.[Al+3].P UHAQRCJYQAKQEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013006 addition curing Methods 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N alumane;yttrium Chemical compound [AlH3].[Y] PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 229920005645 diorganopolysiloxane polymer Polymers 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 238000005243 fluidization Methods 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- NYMPGSQKHIOWIO-UHFFFAOYSA-N hydroxy(diphenyl)silicon Chemical class C=1C=CC=CC=1[Si](O)C1=CC=CC=C1 NYMPGSQKHIOWIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical group OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004365 octenyl group Chemical group C(=CCCCCCC)* 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 1
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical class S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 125000000725 trifluoropropyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C(F)(F)F 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/06—Preparatory processes
- C08G77/08—Preparatory processes characterised by the catalysts used
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/34—Silicon-containing compounds
- C08K3/36—Silica
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/002—Physical properties
- C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2201/00—Properties
- C08L2201/08—Stabilised against heat, light or radiation or oxydation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
- C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
- C08L2205/025—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
- C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
下記(A-1)~(A-4)成分及び(B)成分を含有するウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物であって、
(A-1)1分子中に2個以上の脂肪族不飽和結合を有し、分岐構造を有するオルガノポリシロキサン、
(A-2)1分子中に2個以上の脂肪族不飽和結合を有し、直鎖状であるオルガノポリシロキサン、
(A-3)1分子中に2個以上のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(A-4)白金族金属系触媒、
(B)平均粒径(D50)が4~50μmである溶融シリカ、
(A-1)成分及び(A-2)成分に対する(A-1)成分の含有割合は0.1~50質量%であり、
(A-1)成分及び(A-2)成分に含まれる脂肪族不飽和結合1モルに対する(A-3)成分に含まれるケイ素原子結合水素原子のモル数は0.8~4.0モルであり、
(A-1)~(A-3)成分の合計質量に対する(A-4)成分の含有割合は、白金金属元素換算で0.1~1,000ppmであり、
(A-1)~(A-4)成分100質量部に対する(B)成分の含有量は200~1,000質量部であり、
(A-1)~(A-4)成分が未硬化の状態において、JIS K 0062:1999に記載の方法でアッベ屈折率計によって測定した25℃における屈折率が、1.40以上1.50未満の範囲であることを特徴とするウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を提供する。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は、耐熱性、耐光性が高められていると共に、低線膨張率化、高硬度化が実現された硬化物を与えるものである。
前記タイプA硬度計を用いて測定した硬さが前記範囲であると、このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材として成型した時に、反りが発生しづらく、ダイシング加工時に加工面のバリが発生しにくくなる。
前記タイプD硬度計を用いて測定した硬さが前記範囲であると、このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物をウェハーレベル光半導体デバイス用部材として成型した時に十分な部材強度が得られ、実装工程で破損する等の問題が発生するおそれがないため好ましい。
また、前記線膨張率が前記範囲であると、このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を使用したウェハーレベル光半導体デバイスを動作させた際の繰り返し点灯・消灯動作における熱衝撃による剥離や樹脂クラックなどが生じにくくなるため、前記デバイスは長期信頼性に優れるものとなりやすい。
このウェハーレベル光半導体デバイスは機械的信頼性が高いものである。
下記(A-1)~(A-4)成分及び(B)成分を含有するウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物であって、
(A-1)1分子中に2個以上の脂肪族不飽和結合を有し、分岐構造を有するオルガノポリシロキサン、
(A-2)1分子中に2個以上の脂肪族不飽和結合を有し、直鎖状であるオルガノポリシロキサン、
(A-3)1分子中に2個以上のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(A-4)白金族金属系触媒、
(B)平均粒径(D50)が4~50μmである溶融シリカ、
(A-1)成分及び(A-2)成分に対する(A-1)成分の含有割合は0.1~50質量%であり、
(A-1)成分及び(A-2)成分に含まれる脂肪族不飽和結合1モルに対する(A-3)成分に含まれるケイ素原子結合水素原子のモル数は0.8~4.0モルであり、
(A-1)~(A-3)成分の合計質量に対する(A-4)成分の含有割合は、白金金属元素換算で0.1~1,000ppmであり、
(A-1)~(A-4)成分100質量部に対する(B)成分の含有量は200~1,000質量部であり、
(A-1)~(A-4)成分が未硬化の状態において、JIS K 0062:1999に記載の方法でアッベ屈折率計によって測定した25℃における屈折率が、1.40以上1.50未満の範囲であるウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物である。
[ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物]
本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は上記(A-1)~(A-4)成分を含む(A)熱硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物(以下、(A)成分という場合がある。)を含有する。本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は、室温(25℃)で液体であっても固体であってもよく、狭小部へのウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の充填性を高めるという観点から、好ましくは室温(25℃)で液状の材料であることが好ましく、JIS K 7117-1:1999記載の方法で円すい-平板型(コーン・プレート型)粘度計により測定した25℃での粘度が1~1,000Pa・sの範囲であることがより好ましい。
(A)成分は、(A)成分が未硬化の状態において、JIS K 0062:1999に記載の方法でアッベ屈折率計によって測定した25℃における屈折率が1.40以上1.50未満の範囲のものである。前記屈折率は好ましくは1.42以上1.48以下である。(A)成分の屈折率が1.40未満であれば、(A)成分を含むウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を使用して製造したウェハーレベル光半導体に通電した時の、LED素子からの発熱に対するウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の硬化物の耐熱変色性や耐クラック性が劣り、さらに後述する(B)成分との屈折率差が大きくなるために適切な光の散乱を得ることが出来ず、LEDデバイスの光取出し効率が低くなる。(A)成分の屈折率が1.50以上であれば、(A)成分を含むウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を使用したウェハーレベル光半導体に通電した時の、LED素子からの発熱に対するウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の硬化物の耐熱変色性や耐クラック性が劣り、通電試験後などに黄変等の不具合が発生する。更に後述する(B)成分との屈折率差が大きくなるために光の散乱が強くなり、LEDデバイスの光取出し効率が悪くなる。
(A-1)1分子中に2個以上の脂肪族不飽和結合を有し、分岐構造を有するオルガノポリシロキサン
(A-2)1分子中に2個以上の脂肪族不飽和結合を有し、直鎖状であるオルガノポリシロキサン
(A-3)1分子中に2個以上のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン
(A-4)白金族金属系触媒
(A-1)成分及び(A-2)成分に対する(A-1)成分の含有割合は0.1~50質量%であり、(A-1)成分及び(A-2)成分に含まれる脂肪族不飽和結合1モルに対する(A-3)成分に含まれるケイ素原子結合水素原子のモル数は0.8~4.0モルである。さらに、(A-1)~(A-3)成分の合計質量に対する(A-4)成分の含有割合は、白金金属元素換算で0.1~1,000ppmである。以下、各成分について詳述する。
(A-1)成分の1分子中に2個以上の脂肪族不飽和基を有し、分岐構造を有するオルガノポリシロキサンは、予め三次元架橋され、三次元網状構造を有する。該オルガノポリシロキサンは、R1 3SiO1/2単位とSiO4/2単位とからなることが好ましいが、さらにR1SiO3/2単位およびR1 2SiO2/2単位の少なくとも1種を含んでもよい。即ち、基本的に、R1 3SiO1/2単位とSiO4/2単位とからなる。ここで、R1は独立に、置換または非置換の炭素原子数1~10の1価炭化水素基であり、該オルガノポリシロキサンは、1分子中に2個以上、好ましくは2~10個の脂肪族不飽和結合を有する。
[GPCの測定条件]
展開溶媒:THF
流量:1mL/min
検出器:示差屈折率検出器(RI)
カラム:TSKgel GMH(7.8mmI.D.×30cm×1)
TSKgel G4000H(7.8mmI.D.×30cm×1)
TSKgel G2000H(7.8mmI.D.×30cm×2)
(いずれも東ソー社製)
カラム温度:40℃
試料注入量:10μL(濃度0.5質量%のTHF溶液)
ここで、QB単位のモル数をq、MB1単位のモル数をm1、MB2単位のモル数をm2としたときに、次の関係式(イ)および(ロ):
(m1+m2)/q=0.3~3、特に0.7~1 (イ)
m2/q=0.01~1、特に0.07~0.15 (ロ)
を満たすことが好ましい。
ここで、前記QB単位源としては、ケイ酸ソーダ、アルキルシリケート、ポリアルキルシリケート、四塩化ケイ素等を例示することができる。
また、MB1単位源としては、下記の化合物を例示することができる。
本発明の(A-2)成分は、1分子中に2個以上の脂肪族不飽和結合を有し、直鎖状であるオルガノポリシロキサンである。本発明において「直鎖状である」とは、本成分中の両末端を封鎖するトリオルガノシロキシ基以外のシロキサン単位が主に2官能単位(D単位)(具体的には、式:R1 2SiO2/2で表される単位)で構成されるが、全シロキサン単位の3モル%以下、好ましくは2モル%以下で分岐を形成する3官能単位(T単位)(具体的には、式:R1SiO3/2で表される単位)および4官能単位(QB単位)(具体的には、式:SiO4/2単位で表される単位)の少なくとも1種のシロキサン単位を含有してもよいことを意味する。好ましくは当該分子鎖の両末端のみが1官能性シロキサン単位(M単位)(具体的には、式:R1 3SiO1/2で表される単位)で構成され、その他のシロキサン単位がすべてD単位からなる直鎖状のジオルガノポリシロキサンである。ここで、R1は置換もしくは非置換の1価炭化水素基であり、前記(A-1)成分のR1と同じものを例示し得る。
また、R4の脂肪族不飽和結合を有しない1価炭化水素基としては、炭素原子数1~10、特に1~6のものが好ましく、上記R1の具体例と同様のものが例示できるが、アルケニル基およびシクロヘキセニル基は含まない。
sおよびtは、好ましくは0≦s≦2,000、1≦t≦10,000で、かつ、1≦s+t≦10,000を満足する0又は正の整数であり、より好ましくは5≦s+t≦2,000で、0≦s/(s+t)≦0.2を満足する整数である。
(A-3)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは架橋剤として作用するものであり、該成分中のヒドロシリル基(SiH基)と(A-1)成分および(A-2)成分中のアルケニル基等の脂肪族不飽和基とが付加反応することにより硬化物を形成する。かかるオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、1分子中にケイ素原子に結合した水素原子(即ち、SiH基)を2個以上、好ましくは3個以上、特に4~1,000個有するものであればよい。ケイ素原子に結合した水素原子の位置は特に制約されず、分子鎖の末端でも側鎖でもよい。
R5HcSiO(4-b-c)/2 (2)
(式中、R5は、脂肪族不飽和結合を含まない炭素原子数1~10の非置換又は置換の1価炭化水素基であり、bは0.7~2.1の数、cは0.001~1.0の数であって、かつb+cが0.8~3.0の範囲である。)
また、好ましくは、bは1.0~2.0の数、cは0.01~1.0の数であって、b+cが1.5~2.5の範囲である。
平均組成式(2)で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンとして、具体的には、例えば、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、トリス(ハイドロジェンジメチルシロキシ)メチルシラン、トリス(ハイドロジェンジメチルシロキシ)フェニルシラン、メチルハイドロジェンシクロポリシロキサン、メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン環状共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・メチルフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、(CH3)2HSiO1/2単位と(CH3)3SiO1/2単位とSiO4/2単位とからなる共重合体、(CH3)2HSiO1/2単位とSiO4/2単位とからなる共重合体、(CH3)2HSiO1/2単位とSiO4/2単位と(C6H5)3SiO1/2単位とからなる共重合体などが挙げられる。
(A-4)成分の白金族金属系触媒は本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の付加硬化反応を生じさせる作用を有する。該触媒としては、白金系、パラジウム系、ロジウム系のものがあるが、コスト等の見地から白金、白金黒、塩化白金酸などの白金系のもの、例えば、H2PtCl6・mH2O、K2PtCl6、KHPtCl6・mH2O、K2PtCl4、K2PtCl4・mH2O、PtO2・mH2O(mは、正の整数)等や、これらと、オレフィン等の炭化水素、アルコール又はビニル基含有オルガノポリシロキサンとの錯体等が挙げられる。これらは1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。
(A-1)~(A-3)成分の合計質量に対する(A-4)成分の含有割合は、白金金属元素換算で0.1~1,000ppmであり、好ましくは1~500ppmの範囲である。
本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は、上述のようにウェハーレベル光半導体デバイス用部材及びダイシング加工後の光半導体デバイスを支持するために硬化後に硬質となると共に、耐熱性、耐候性、耐光性に優れたものとなることが好ましい。このような目的に応じた機能を持たせるため、(A)成分に、充填材を添加することで硬化物に充填材を含ませることが必要である。
なお、本発明において平均粒径(D50)とは、レーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定して得られる体積基準粒度分布において、小粒径側からの通過分積算が50%となるときの粒子径のことをいう。
本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は、組成物の透明性を更に維持し、硬化物の着色、酸化劣化等の発生を抑えるために、2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノール等の従来公知の酸化防止剤を含んでいてよい。また、光劣化に対する抵抗性を付与するために、ヒンダードアミン系安定剤等の光安定剤を本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物に配合することもできる。
本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の強度を向上させ、チクソ性を付与するために、更に、ヒュームドシリカ、ナノアルミナ等の溶融シリカ以外の無機質充填剤を配合してもよい。また、必要に応じて、本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物に、染料、顔料、難燃剤等を配合してもよい。
また、本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物には、光半導体素子からの波長変換を目的とした蛍光体を含有させてもよい。蛍光体をウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物へ混合、分散させることで、光半導体素子から発せられた光を効率的に目的の波長の光に波長変換することが可能となる。
また、青色LEDに対応し発光する蛍光体としては、Y3(Al,Ga)5O12:Ce、(Y,Gd)3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ce、Y3Al5O12:CeなどのYAG系蛍光体、Tb3Al5O12:CeなどのTAG系蛍光体、(Ba,Sr)2SiO4:Eu系蛍光体やCa3Sc2Si3O12:Ce系蛍光体、(Sr,Ba,Mg)2SiO4:Euなどのシリケート系蛍光体、(Ca,Sr)2Si5N8:Eu、(Ca,Sr)AlSiN3:Eu、CaSiAlN3:Eu等のナイトライド系蛍光体、Cax(Si,Al)12(O,N)16:Euなどのオキシナイトライド系蛍光体、さらには(Ba,Sr,Ca)Si2O2N2:Eu系蛍光体、Ca8MgSi4O16Cl2:Eu系蛍光体、SrAl2O4:Eu,Sr4Al14O25:Eu等の蛍光体が挙げられる。
上記以外にも、用途や目的とする発光色に応じて公知の蛍光体を用いることができる。
上記蛍光体は、1種又は2種以上を混合して用いてもよい。
本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は、上記各成分を、公知の混合方法、例えば、ミキサー、ロール等を用いて混合することによって製造することができる。また、前記樹脂組成物は、JIS K 7117-2:1999に記載の方法で円すい-平板型粘度計により測定した25℃での粘度が1~1,000Pa・sであることが好ましい。
本発明のウェハーレベル光半導体デバイスは、本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を任意の成型方法を用いて成型し、製造することができる。例えば、圧縮成型機を用いて圧縮成型によって行うことが好ましい。以下に、圧縮成型機を用いた製造例を挙げて説明する。
はじめに、支持基板に粘着シートを介して複数の光半導体素子を搭載する。
前記支持基板は、粘着シート面に複数の光半導体素子を搭載した部材のハンドリングのしやすさを得るためのものであり、また、ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の成型工程で粘着シートが貼り合わされた光半導体素子と樹脂面の硬化後の形状の再現をさせるために重要であり、支持基板は平面度の高い状態が得られるものであることが好ましい。このような材料としては、金属、樹脂などを精度良く加工し、平面度を確保したものやシリコンウェハー等が好ましい。特に好ましいものは線膨張係数の小さい金属を加工してなる金属板やシリコンウェハーである。外形形状は特に指定はなく、例えば、取扱いが容易な四角形又は円形であるとよい。後に続く工程の作業性を考慮すると、前記外形形状は円形であることがより好ましい。
次に、所定の成型温度に加熱した基準面を有する圧縮成型機の下金型に、前記準備工程で製造した光半導体素子を搭載した支持基板を載置する。続いて、下金型に対向する上金型に剥離フィルムを設ける。なお、必要に応じて下金型にも前記支持基板との間に剥離フィルムを載置しても良い。
次いで、前記光半導体素子を覆うように本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を所定量塗布する。前記塗布量は、封止領域の内容積に合わせて必要量だけ供給するものであって、ディスペンサー等により定量吐出して供給することが好ましい。
仮硬化した後に、剥離フィルムとともに金型から脱型し、熱処理によって仮硬化した樹脂組成物を本硬化することで成型体を得て、該成型体から支持基板及び粘着シートを剥離することで、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材(以下光半導体デバイス用部材という。)を得る。
前記成型工程で得られた光半導体デバイス用部材を、ダイシングブレード等を用いて切断し、個片化する。これにより、光半導体素子を有する光半導体デバイスを得ることができる。
切断方法としては公知の方法を採用すればよく、回転ブレードによるダイシング加工、レーザー加工、ウォータージェット加工、金型加工等の公知の方法により切断することができるが、ダイシング加工が経済的、工業的な面で好ましい。
また、このようにして得られた光半導体デバイスを実装基板に接続する方法として、半田リフローによる実装、ボールバンプを設けた実装基板に対するフリップチップ実装等、最終モジュールの形態や設備に応じて自由に選択できる。工業的な観点から、半田リフローによる実装が好ましい。
MH:(CH3)2HSiO1/2
M:(CH3)3SiO1/2
MVi:(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2
DH:(CH3)HSiO2/2
Dφ:(C6H5)2SiO2/2
D:(CH3)2SiO2/2
Q:SiO4/2
[調製例1]
((A-1)成分)M単位とMVi単位とQ単位とから構成され、MVi単位に対するM単位のモル比が6.25であり、Q単位に対するM単位とMVi単位との合計のモル比が0.8である分岐構造を有するオルガノポリシロキサン[性状=固体(25℃)、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量=1,500]:35質量部、
((A-2)成分)平均組成式:MViD40MViの直鎖状オルガノポリシロキサン(粘度:600mPa・s):65質量部、
((A-3)成分)平均構造式:MDH 38Mで表されるメチルハイドロジェンシロキサン(粘度:2,000mPa・s):4質量部[(A-1)成分および(A-2)成分中のアルケニル基等の脂肪族不飽和結合の合計1モル当たりケイ素原子結合水素原子0.9モル]、
((A-4)成分)塩化白金酸/1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体を白金原子含有量として1質量%含有するトルエン溶液:0.06質量部、
エチニルシクロヘキサノール:0.05質量部、及び
γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン:3質量部
をよく撹拌、混合してシリコーン組成物(A-I)を調製した。
このシリコーン樹脂組成物(A-I)は粘度2,500mPa・sの液状であり、屈折率は1.42であった。該組成物(A-I)の150℃、4時間硬化後の硬さ(シリコーン組成物の硬さ)を測定したところ、タイプAで80であった。
((A-1)成分)[(C6H5)SiO3/2]0.3[(CH2=CH)(CH3)SiO2/2]0.1[(CH3)3SiO1/2]0.6で表される分岐構造を有するオルガノポリシロキサン[性状=固体(25℃)、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量=2,500]40質量部
((A-2)成分)平均組成式:MVi 2Dφ 40D230の直鎖状オルガノポリシロキサン(粘度:3,000mPa・s):60質量部、
((A-3)成分)平均組成式:MDH 6Dφ 2Mで表されるメチルハイドロジェンシロキサン(粘度:25mPa・s):10質量部[(A-1)成分および(A-2)成分中のアルケニル基等の脂肪族不飽和結合の合計1モル当たりケイ素原子結合水素原子1.3モル]、
((A-4)成分)塩化白金酸/1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体を白金原子含有量として1質量%含有するトルエン溶液:0.06質量部、
エチニルシクロヘキサノール:0.05質量部、及び
γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン:3質量部
をよく撹拌、混合してシリコーン組成物(A-II)を調製した。
このシリコーン樹脂組成物(A-II)は粘度3,500mPa・sの液状であり、屈折率は1.48であった。該組成物(A-II)の150℃、4時間硬化後の硬さ(シリコーン組成物の硬さ)を測定したところ、タイプAで60であった。
((A-1)成分)M単位とMVi単位とQ単位とから構成され、MVi単位に対するM単位のモル比が6.25であり、Q単位に対するM単位とMVi単位との合計のモル比が0.8である分岐構造を有するオルガノポリシロキサン[性状=固体(25℃)、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量=1,500]:15質量部、
((A-2)成分)平均組成式:MVi 2Dφ 20D390の直鎖状オルガノポリシロキサン(粘度:4,000mPa・s):85質量部、
((A-3)成分)平均構造式:MDH 38Mで表されるメチルハイドロジェンシロキサン(粘度:2,000mPa・s):2質量部[(A-1)成分および(A-2)成分中のアルケニル基等の脂肪族不飽和結合の合計1モル当たりケイ素原子結合水素原子1.8モル]、
((A-4)成分)塩化白金酸/1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体を白金原子含有量として1質量%含有するトルエン溶液0.06質量部、
エチニルシクロヘキサノール0.05質量部、及び
γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン3質量部
をよく撹拌、混合してシリコーン組成物(A-III)を調製した。
このシリコーン樹脂組成物(A-III)は粘度4,000mPa・sの液状であり、屈折率は1.44であった。該組成物(A-III)の150℃、4時間硬化後の硬さ(シリコーン組成物の硬さ)を測定したところ、タイプAで20であった。
((A-1)成分)M単位とMVi単位とQ単位とから構成され、MVi単位に対するM単位のモル比が6.25であり、Q単位に対するM単位とMVi単位との合計のモル比が0.8である分岐構造を有するオルガノポリシロキサン[性状=固体(25℃)、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量=1,500]:25質量部、
((A-2)成分)平均組成式:MViD500MViの直鎖状オルガノポリシロキサン(粘度:9,500mPa・s):75質量部
((A-3)成分)平均構造式:MDH 38Mで表されるメチルハイドロジェンシロキサン(粘度:2,000mPa・s):2質量部[(A-1)成分および(A-2)成分中のアルケニル基等の脂肪族不飽和結合の合計1モル当たりケイ素原子結合水素原子1.2モル]、
((A-4)成分)塩化白金酸/1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体を白金原子含有量として1質量%含有するトルエン溶液0.06質量部、
エチニルシクロヘキサノール0.05質量部、及び
γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン3質量部
をよく撹拌、混合してシリコーン組成物(A-IV)を調製した。
このシリコーン樹脂組成物(A-IV)は粘度10,000mPa・sの液状であり、屈折率は1.42であった。該組成物(A-IV)の150℃、4時間硬化後の硬さ(シリコーン組成物の硬さ)を測定したところ、タイプAで30であった。
((A-1)成分)[(C6H5)SiO3/2]0.75[(CH2=CH)(CH3)2SiO2/2]0.25で表される分岐構造を有するオルガノポリシロキサン[性状=固体(25℃)、ケイ素原子結合ビニル基の含有率=20モル%、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率=50モル%、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量=1,600]:59質量部、
((A-2)成分)平均組成式:MVi 2Dφ 2.8の直鎖状オルガノポリシロキサン(粘度:2,000mPa・s):31質量部、
((A-3)成分)平均組成式:MHDH 2Dφ 2MHで表されるメチルハイドロジェンシロキサン(粘度:25mPa・s):6.4質量部[(A-1)成分および(A-2)成分中のアルケニル基等の脂肪族不飽和結合の合計1モル当たりケイ素原子結合水素原子0.7モル]、
((A-4)成分)塩化白金酸/1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体を白金原子含有量として1質量%含有するトルエン溶液0.06質量部、
エチニルシクロヘキサノール0.05質量部、及び
γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン3質量部
をよく撹拌、混合してシリコーン組成物(A-V)を調製した。
このシリコーン樹脂組成物(A-V)は粘度2,500mPa・sの液状であり、屈折率は1.54であった。該組成物(A-V)の150℃、4時間硬化後の硬さ(シリコーン組成物の硬さ)を測定したところ、タイプDで40(タイプAで80超に相当)であった。
調製例1で得られたシリコーン樹脂組成物(A-I)100質量部、無機充填剤として平均粒径11.5μmの溶融シリカ粉(製品名 MSR-8050、龍森社製)400質量部を三本ロールで混練処理し、減圧脱泡してウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物(a)を製造した。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物(a)の150℃、4時間硬化後の硬さ(無機充填剤配合後の組成物の硬さ)を測定したところ、タイプDで75であった。
調製例1で得られたシリコーン樹脂組成物(A-I)100質量部、無機充填剤として平均粒径11.5μmの溶融シリカ粉(製品名 MSR-8050、龍森社製)200質量部を三本ロールで混練処理し、減圧脱泡してウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物(b)を製造した。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物(b)の150℃、4時間硬化後の硬さ(無機充填剤配合後の組成物の硬さ)を測定したところ、タイプDで58であった。
調製例2で得られたシリコーン樹脂組成物(A-II)100質量部、無機充填剤として平均粒径11.5μmの溶融シリカ粉(製品名 MSR-8050、龍森社製)400質量部を三本ロールで混練処理し、減圧脱泡してウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物(c)を製造した。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物(c)の150℃、4時間硬化後の硬さ(無機充填剤配合後の組成物の硬さ)を測定したところ、タイプDで75であった。
調製例3で得られたシリコーン樹脂組成物(A-III)100質量部、無機充填剤として平均粒径11.5μmの溶融シリカ粉(製品名 MSR-8050、龍森社製)400質量部を三本ロールで混練処理し、減圧脱泡してウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物(d)を製造した。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物(d)の150℃、4時間硬化後の硬さ(無機充填剤配合後の組成物の硬さ)を測定したところ、タイプDで68であった。
調製例4で得られたシリコーン樹脂組成物(A-IV)100質量部、無機充填剤として平均粒径11.5μmの溶融シリカ粉(製品名 MSR-8050、龍森社製)500質量部を三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物(e)を製造した。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物(e)の150℃、4時間硬化後の硬さ(無機充填剤配合後の組成物の硬さ)を測定したところ、タイプDで50であった。
調製例1で得られたシリコーン樹脂組成物(A-I)100質量部に無機充填剤を添加せずに減圧脱泡してウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物(f)としてそのまま用いた。
調製例5で得られたシリコーン樹脂組成物(A-V)100質量部、無機充填剤として平均粒径11.5μmの溶融シリカ粉(製品名 MSR-8050、龍森社製)500質量部を三本ロールで混練処理し、減圧脱泡してウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物(g)を製造した。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物(g)の150℃、4時間硬化後の硬さ(無機充填剤配合後の組成物の硬さ)を測定したところ、タイプDで80であった。
調製例1で得られたシリコーン樹脂組成物(A-I)100質量部、無機充填剤として一次粒径7nmの煙霧状シリカ(製品名:レオシロールDM-30S)400質量部を三本ロールで混練処理し、減圧脱泡してウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物(i)を製造した。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物(i)は、パテ状となり、下記に示す製造方法で使用される成型機上に安定に塗布することができなかった。
調製例1で得られたシリコーン樹脂組成物(A-I)100質量部、無機充填剤として平均粒径11.5μmの溶融シリカ粉(製品名 MSR-8050、龍森社製)150質量部を三本ロールで混練処理し、減圧脱泡してウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物(j)を製造した。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物(j)の150℃、4時間硬化後の硬さ(無機充填剤配合後の組成物の硬さ)を測定したところ、タイプAで85であった。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物(j)を用いて下記に示す製造方法でウェハーレベル光半導体用部材を製造したが、ダイシング工程へのハンドリング中に、たわみの影響で光半導体素子が部材から脱落し、次工程へ進むことができなかった。
前記実施例、及び比較例の各ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を用いて下記に示す製造方法で製造したウェハーレベル光半導体デバイス用部材、及びウェハーレベル光半導体デバイスについて、諸特性を測定した結果を表1と表2に示す。
ウェハーレベル光半導体デバイスの製造方法を図1~5を用いて説明する。まず、準備工程として、ウェハーレベル光半導体デバイスの素子搭載を目的とし、厚さ725μmの8インチ(直径200mm)シリコンウェハー3に、熱剥離性両面粘着シート2(日東電工社製 製品名 リバアルファ No.3195V)の発泡性粘着面がシリコンウェハー側となるようにゴムローラーを用いて貼り付け、表面に粘着面が設けられた支持基板を作製した。更に、前記熱剥離性両面粘着シート2は、前記シリコンウェハー3の形状と同一に切り抜いた。続いて得られた支持基板に、光半導体素子1(BXDA4040 Bridgelux社製)をチップマウンターを用いて縦横各3.2cmピッチ、40行40列に、電極面が前記粘着面と貼り付くように載置し、100℃、1時間の加熱処理を行って前記粘着面に密着固定した(図1)。
続いて、支持基板である8インチシリコンウェハー3と熱剥離性両面粘着シート2から、ウェハーレベル光半導体用部材の成形体を剥離することで、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材を製造した。この部材は直径200mm、厚さ1.2mmの円形状であった(図3)。前記部材の反り量をスケールで測定し、最大値を表1及び表2に示した。
更に、得られたウェハーレベル光半導体デバイスのうち任意の10個を個々に、クリーム半田8でアルミ製の放熱基板9にリフロー実装し、光半導体デバイスが実装されたモジュールを作製した(図5)。
前記モジュール10個を、全光束測定システム HM-9100(大塚電子(株)製)を用い、印加電流IF=350mAにおける全光束値(Lm)を測定し、平均値及びばらつき(σ)を求めた値を表1及び表2に示した。
前記モジュール10個を、温度サイクル試験(-40℃~125℃、各20分間を500サイクル)に用い、顕微鏡で、試験後のサンプルの導電性接着材部のクラックの有無を観察し、クラックが発生した試験片数/総試験片数を数えた。結果を表1及び表2に示した。
本発明の範囲よりも少ない量の(B)成分が添加された比較例4では、ウェハーレベル光半導体部材としたときの剛性が低下し、ダイシング工程によるデバイス化までの一連の工程、特にダイシングテープと貼り合わせた時に光半導体素子の脱落が確認された。
3・・・シリコンウェハー、4・・・圧縮成形機の上金型、
5・・・圧縮成形機の下金型、6・・・ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物、
7・・・離型フィルム、8・・・半田(クリーム半田)、
9・・・アルミ製放熱基板
Claims (4)
- 下記(A-1)~(A-4)成分及び(B)成分を含有するウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物であって、
(A-1)1分子中に2個以上の脂肪族不飽和結合を有し、分岐構造を有するオルガノポリシロキサン、
(A-2)1分子中に2個以上の脂肪族不飽和結合を有し、直鎖状であるオルガノポリシロキサン、
(A-3)1分子中に2個以上のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(A-4)白金族金属系触媒、
(B)平均粒径(D50)が4~50μmである溶融シリカ、
(A-1)成分及び(A-2)成分に対する(A-1)成分の含有割合は0.1~50質量%であり、
(A-1)成分及び(A-2)成分に含まれる脂肪族不飽和結合1モルに対する(A-3)成分に含まれるケイ素原子結合水素原子のモル数は0.8~4.0モルであり、
(A-1)~(A-3)成分の合計質量に対する(A-4)成分の含有割合は、白金金属元素換算で0.1~1,000ppmであり、
(A-1)~(A-4)成分100質量部に対する(B)成分の含有量は200~1,000質量部であり、
(A-1)~(A-4)成分が未硬化の状態において、JIS K 0062:1999に記載の方法でアッベ屈折率計によって測定した25℃における屈折率が、1.40以上1.50未満の範囲であることを特徴とするウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物。 - 前記(A-1)~(A-4)成分の硬化物のJIS K 6253-3:2012に記載の方法でタイプA硬度計を用いて測定した硬さが、20以上80以下であることを特徴とする請求項1に記載のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物。
- 前記(A-1)~(A-4)成分及び(B)成分からなる硬化物のJIS K 6253-3:2012に記載の方法でタイプD硬度計を用いて測定した硬さが30以上70以下であり、更にJIS K 7197:1991に記載の方法でTMAにより求めたα2領域の線膨張率が100ppm以下である硬化物を与えるものであることを特徴とする請求項1又は2に記載のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物。
- 請求項1~3のいずれか1項に記載のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の硬化物で封止されたものであることを特徴とするウェハーレベル光半導体デバイス。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019026041A JP7003075B2 (ja) | 2019-02-15 | 2019-02-15 | ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物及び該組成物を用いたウェハーレベル光半導体デバイス |
KR1020200016763A KR20200099989A (ko) | 2019-02-15 | 2020-02-12 | 웨이퍼 레벨 광반도체 디바이스용 수지 조성물 및 해당 조성물을 사용한 웨이퍼 레벨 광반도체 디바이스 |
TW109104504A TWI814986B (zh) | 2019-02-15 | 2020-02-13 | 晶圓級光半導體裝置用樹脂組成物,及使用該組成物之晶圓級光半導體裝置 |
CN202010090133.8A CN111574838B (zh) | 2019-02-15 | 2020-02-13 | 晶圆级光半导体装置用树脂组合物及使用了该组合物的晶圆级光半导体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019026041A JP7003075B2 (ja) | 2019-02-15 | 2019-02-15 | ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物及び該組成物を用いたウェハーレベル光半導体デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020136418A JP2020136418A (ja) | 2020-08-31 |
JP7003075B2 true JP7003075B2 (ja) | 2022-01-20 |
Family
ID=72089700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019026041A Active JP7003075B2 (ja) | 2019-02-15 | 2019-02-15 | ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物及び該組成物を用いたウェハーレベル光半導体デバイス |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7003075B2 (ja) |
KR (1) | KR20200099989A (ja) |
CN (1) | CN111574838B (ja) |
TW (1) | TWI814986B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7296748B2 (ja) * | 2019-03-08 | 2023-06-23 | 信越化学工業株式会社 | ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物、及び光半導体デバイス |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006335857A (ja) | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Ge Toshiba Silicones Co Ltd | 透明な硬化物を与えるポリオルガノシロキサン組成物 |
JP2009235265A (ja) | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性シリコーンゴム組成物、およびそれを封止材料として用いた光半導体装置 |
JP2015168698A (ja) | 2014-03-05 | 2015-09-28 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化型シリコーン組成物及び光学素子 |
JP2016171315A (ja) | 2015-03-09 | 2016-09-23 | 日東電工株式会社 | 貼着シート、貼着光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63183958A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-07-29 | Toray Silicone Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物 |
KR100479857B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2005-03-30 | 제일모직주식회사 | 반도체 패키지용 실리콘 수지 조성물 |
CN1720283A (zh) * | 2002-12-05 | 2006-01-11 | 日产化成工业株式会社 | 光学构件用薄膜,使用其的薄膜卷层体,光学构件及光盘 |
TWI447176B (zh) * | 2006-10-19 | 2014-08-01 | Momentive Performance Mat Jp | 硬化性聚有機矽氧烷組成物 |
JP5793824B2 (ja) * | 2009-06-02 | 2015-10-14 | Jnc株式会社 | 有機ケイ素化合物、該有機ケイ素化合物を含む熱硬化性組成物、および光半導体用封止材料 |
JP2010285571A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ダイボンディング用シリコーン樹脂組成物 |
US20130065999A1 (en) * | 2010-10-14 | 2013-03-14 | Momentive Performance Materials Japan Llc | Curable polyorganosiloxane composition |
JP5680472B2 (ja) | 2011-04-22 | 2015-03-04 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
JP5814175B2 (ja) * | 2012-04-16 | 2015-11-17 | 信越化学工業株式会社 | Ledのリフレクター用熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びにこれを用いたled用リフレクター及び光半導体装置 |
JP2014065900A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-04-17 | Dow Corning Toray Co Ltd | 硬化性シリコーン組成物およびその硬化物 |
JP5819866B2 (ja) * | 2013-01-10 | 2015-11-24 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化型シリコーン組成物、光学素子封止材および光学素子 |
JP5587519B1 (ja) * | 2013-05-08 | 2014-09-10 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | 画像表示装置用のダム材組成物、及びそれを用いた画像表示装置 |
CN103865475B (zh) * | 2014-03-26 | 2016-02-17 | 苏州桐力光电技术服务有限公司 | 一种透明有机硅凝胶粘接剂 |
JP2015216206A (ja) | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 信越化学工業株式会社 | ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、光半導体デバイスの製造方法、及び光半導体デバイス |
JP6215769B2 (ja) | 2014-05-09 | 2017-10-18 | 信越化学工業株式会社 | ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、及び光半導体デバイスの製造方法 |
JP2015216192A (ja) | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 信越化学工業株式会社 | ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、光半導体デバイスの製造方法、及び光半導体デバイス |
JPWO2016043082A1 (ja) * | 2014-09-17 | 2017-07-06 | 株式会社ダイセル | 硬化性シリコーン樹脂組成物及びその硬化物 |
JP6930817B2 (ja) * | 2016-08-08 | 2021-09-01 | ダウ・東レ株式会社 | 硬化性粒状シリコーン組成物、それからなる半導体用部材、およびその成型方法 |
JP7275100B2 (ja) * | 2018-03-01 | 2023-05-17 | 株式会社トクヤマ | 溶融球状シリカ粉末およびその製造方法 |
-
2019
- 2019-02-15 JP JP2019026041A patent/JP7003075B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-12 KR KR1020200016763A patent/KR20200099989A/ko unknown
- 2020-02-13 TW TW109104504A patent/TWI814986B/zh active
- 2020-02-13 CN CN202010090133.8A patent/CN111574838B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006335857A (ja) | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Ge Toshiba Silicones Co Ltd | 透明な硬化物を与えるポリオルガノシロキサン組成物 |
JP2009235265A (ja) | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性シリコーンゴム組成物、およびそれを封止材料として用いた光半導体装置 |
JP2015168698A (ja) | 2014-03-05 | 2015-09-28 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化型シリコーン組成物及び光学素子 |
JP2016171315A (ja) | 2015-03-09 | 2016-09-23 | 日東電工株式会社 | 貼着シート、貼着光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200099989A (ko) | 2020-08-25 |
TW202104376A (zh) | 2021-02-01 |
TWI814986B (zh) | 2023-09-11 |
CN111574838B (zh) | 2022-03-29 |
JP2020136418A (ja) | 2020-08-31 |
CN111574838A (zh) | 2020-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6930816B2 (ja) | 硬化性粒状シリコーン組成物、それからなる半導体用部材、およびその成型方法 | |
JP5552748B2 (ja) | 硬化性ポリシロキサン組成物、並びに、それを用いたポリシロキサン硬化物、光学部材、航空宇宙産業用部材、半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置 | |
JP6250065B2 (ja) | 圧縮成形又はラミネート用ホットメルト型硬化性シリコーン組成物 | |
JP5424843B2 (ja) | 熱硬化性シリコーン樹脂用組成物 | |
JP5814175B2 (ja) | Ledのリフレクター用熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びにこれを用いたled用リフレクター及び光半導体装置 | |
JP4872296B2 (ja) | シリコーンゴム封止型発光装置、及び該発光装置の製造方法 | |
JP5549568B2 (ja) | 光半導体素子封止用樹脂組成物及び当該組成物で封止した光半導体装置 | |
EP2589642B1 (en) | Wavelength conversion sheet filled with large amount of phosphor, method of producing light emitting semiconductor device using the sheet, and light emitting semiconductor device | |
JP6930815B2 (ja) | 硬化性粒状シリコーン組成物、それからなる光反射材、およびその製造方法 | |
JP5760655B2 (ja) | 半導体発光装置用樹脂パッケージ及び該樹脂パッケージを有してなる半導体発光装置並びにそれらの製造方法 | |
JP5821316B2 (ja) | 半導体発光装置用樹脂パッケージの製造方法及び該半導体発光装置用樹脂パッケージを有してなる半導体発光装置の製造方法 | |
JP2012256651A (ja) | 半導体発光装置用樹脂パッケージ及びその製造方法並びに該樹脂パッケージを有してなる半導体発光装置 | |
TW201347991A (zh) | 具有含磷光體層與不含磷光體層之可熱固化的矽氧樹脂片,利用彼製造發光裝置的方法以及由此方法製得的發光半導體裝置 | |
JPWO2020138409A1 (ja) | 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、およびその製造方法 | |
JP2013004923A (ja) | 半導体発光装置用後付リフレクタ、半導体発光装置用樹脂パッケージ及び半導体発光装置 | |
KR20140057166A (ko) | 열 경화성 실리콘 수지 시트 및 그의 제조 방법, 상기 열 경화성 실리콘 수지 시트를 사용하는 발광 장치 및 그의 제조 방법 | |
JP5919903B2 (ja) | 半導体発光装置用パッケージ及び該パッケージを有してなる半導体発光装置並びにそれらの製造方法 | |
WO2018062009A1 (ja) | 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 | |
TW201543724A (zh) | 片式白光發光二極體、製備片式白光發光二極體的方法及封裝膠材 | |
JP6362834B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP7003075B2 (ja) | ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物及び該組成物を用いたウェハーレベル光半導体デバイス | |
KR101859393B1 (ko) | 경화형 폴리오르가노실록산 조성물, 봉지재, 및 광학기기 | |
JPWO2020138408A1 (ja) | ホットメルト性を有する硬化性シリコーンシートの製造方法 | |
JP5578685B2 (ja) | 低ガス透過性シリコーン成形物およびそれを用いた光半導体装置 | |
JP7296748B2 (ja) | ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物、及び光半導体デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191219 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210121 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211214 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7003075 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |