JP6926716B2 - 半導体集積装置及びそのゲートスクリーニング試験方法 - Google Patents
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- 238000012216 screening Methods 0.000 title claims description 69
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 60
- 238000010998 test method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
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Description
この特許文献1に記載された先行技術では、MOS型半導体素子であるMOSFETとその制御回路とをICチップ内に4チャンネル設けられ、各パワーMOSFETのゲート電極に電圧レベルシフト回路を接続し、各電圧レベルシフト回路に制御回路が接続されている。
各MOSFETのゲート電極が逆流防止回路を介して一つのゲートスクリーニング試験端子に接続されている。
そこで、本発明は、上記先行技術の課題に着目してなされたものであり、付加回路を設ける必要がないとともに、ゲートスクリーニング端子を別途設けることなく、ゲートスクリーニング試験を行うことができる半導体集積装置及びそのゲートスクリーニング試験方法を提供することを目的としている。
また、本発明に係る半導体集積装置のゲートスクリーニング試験方法は、電圧制御型半導体素子のゲートを駆動するゲート駆動部と、該ゲート駆動部にゲート駆動電圧を供給するレギュレータとを備える半導体集積装置のゲートスクリーニング試験方法であって、
ゲートスクリーニング試験時に、レギュレータの動作を停止させた状態で、レギュレータの外部接続端子に電圧制御型半導体素子に対するゲートスクリーニング用電圧を印加し、ゲート駆動部を通じて外部接続端子に印加したゲートスクリーニング用電圧を電圧制御型半導体素子に供給する。
また、以下に示す実施の形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
以下、本発明の一の実施形態に係る半導体集積装置について図面を参照して説明する。
レギュレータ13は、直流電源配線Lp及び接地配線Le間に接続されて入力される直流電源電圧Vccを降圧してゲート駆動電圧Vgを生成し、生成したゲート駆動電圧Vgをプリドライバ12に出力する。
さらに、位相補償回路22と出力端子toutとの接続点P3と接地配線Leとの間に分圧抵抗R1及びR2が直列に接続され、これら分圧抵抗R1及びR2の接続点P4から出力されるフィードバック電圧Vfが差動段21のpチャネルMOSFETQ11のゲートに供給されている。
一方、pチャネルMOSFETQ1については、プリドライバ12とpチャネルMOSFETQ1のゲートとの間にゲートスクリーニング用端子(パッド)tgspを接続し、pチャネルMOSFETQ1のゲートスクリーニング試験時にゲートスクリーニング用端子tgspにグランド電位を印加する。
まず、レギュレータ13では、動作切換端子tocに例えば外部のEPROMからハイレベルの動作切換信号Socが入力されている状態では、nチャネルMOSFETQ31がオン状態となり、差動段21の接続点P1及び出力端子toutが接地配線Leに接続されるので、出力端子toutからゲート駆動電圧Vgが接地レベルとなる動作停止状態となっている。
一方、pチャネルMOSFETQ1に対してゲートスクリーニング試験を行うには、スクリーニング用端子tgspに、図3(b)に示すように、所定時間t2の間にグランド電位Vbを印加する。これにより、pチャネルMOSFETQ1に図3(b)に示すように、電源電圧Vccからグランド電位Vbを減算したゲートスクリーニング用電圧Vgsが印加される。電源電圧Vccを任意に変化させることにより、ゲートスクリーニング試験を行うことができる。
しかも、先行技術のように電圧シフト回路等を設ける必要がなく、チップ面積の増加を抑制することができる。
この第2の実施形態では、プリドライバで複数のnチャネルMOSFETを駆動するようにしたものである。
すなわち、第2の実施形態では、図4に示すように、直流電源配線Lpに1つのpチャネルMOSFETQ1のソースが接続され、このpチャネルMOSFETQ1のドレイン及び接地配線Le間に複数例えば3つのnチャネルMOSFETQ2a、Q2b及びQ2cが並列に接続されている。
なお、pチャネルMOSFETQ1のゲートは、直流電源配線Lpとプリドライバ12との間に定電流回路42と直列に接続されたpチャネルMOSFETQ51のゲートに接続されている。そして、両pチャネルMOSFETQ1及びQ51のゲートがpチャネルMOSFETQ51及び定電流回路42の接続点に接続されているとともに、ダイオードD1を介して直流電源配線Lpに接続されている。
この第2の実施形態によると、pチャネルMOSFETQ1に対して並列に接続されたnチャネルMOSFETQ2a〜Q2cのゲートがそれぞれインバータ41a〜41cを介してプリドライバ12に並列に接続されている。このため、レギュレータ13からのゲート駆動電圧Vgがプリドライバ12を介して各nチャネルMOSFETQ2a〜Q2cに並列に供給される。
なお、上記第1及び第2の実施形態では、電圧制御型半導体素子としてパワーMOSFETQ1及びQ2を適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく絶縁ゲートバイポーラトランジスタやSiC等のワイドギャップ半導体素子を適用することができる。
さらに、上記第1及び第2の実施形態では、pチャネルMOSFETQ1及びnチャネルMOSFETQ2を1つのプリドライバ12で駆動する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、pチャネルMOSFETQ1とnチャネルMOSFETQ2とを個別のプリドライバで駆動するようにしてもよい。この場合、各プリドライバに対して共通のレギュレータからゲート駆動電圧Vgを供給するようにすればよい。
Claims (7)
- 電圧制御型半導体素子のゲートを駆動するゲート駆動部と、
該ゲート駆動部にゲート駆動電圧を供給するレギュレータとを備え、
前記レギュレータは、ゲートスクリーニング試験時に、前記電圧制御型半導体素子に対するゲートスクリーニング用電圧を印加可能な外部接続端子を備え、前記ゲート駆動部を通じて該外部接続端子に印加された該ゲートスクリーニング用電圧を前記電圧制御型半導体素子に供給する半導体集積装置。 - 前記レギュレータは、動作状態及び動作停止状態を制御する動作切換信号が入力される動作切換端子を備え、前記ゲートスクリーニング試験時に前記動作切換端子に動作停止状態に制御する動作切換信号が入力されたときに、前記ゲート駆動電圧の出力が停止される請求項1に記載の半導体集積装置。
- 前記レギュレータは、基準電圧が入力される差動段と、該差動段の出力電圧が位相補償回路を介して供給される出力端子と、前記差動段の出力側と前記位相補償回路との間の接続点と接地との間に接続されたスイッチ素子とをさらに備え、前記動作切換端子が前記スイッチ素子の制御端子に接続され、前記外部接続端子が前記位相補償回路及び前記出力端子間に接続されている請求項2に記載の半導体集積装置。
- 前記ゲート駆動部は、前記レギュレータのゲート駆動電圧に基づいて前記電圧制御型半導体素子のゲートを駆動するプリドライバで構成されている請求項1から3の何れか一項に記載の半導体集積装置。
- 前記プリドライバの出力側にnチャネル電圧制御型半導体素子のゲートとpチャネル電圧制御型半導体素子のゲートとが個別に接続され、前記プリドライバと前記pチャネル電圧制御型半導体素子のゲートとの間にゲートスクリーニング用端子が接続されている請求項4に記載の半導体集積装置。
- 前記ゲート駆動部に複数のnチャネル電圧制御型半導体素子のゲートが並列に接続されている請求項1から5の何れか一項に記載の半導体集積装置。
- 電圧制御型半導体素子のゲートを駆動するゲート駆動部と、該ゲート駆動部にゲート駆動電圧を供給するレギュレータとを備える半導体集積装置のゲートスクリーニング試験方法であって、
前記レギュレータの動作を停止させた状態で、前記レギュレータの外部接続端子に前記電圧制御型半導体素子に対するゲートスクリーニング用電圧を印加し、前記ゲート駆動部を通じて該外部接続端子に印加した該ゲートスクリーニング用電圧を前記電圧制御型半導体素子に供給してゲートスクリーニング試験を行う半導体装置のゲートスクリーニング試験方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017123350A JP6926716B2 (ja) | 2017-06-23 | 2017-06-23 | 半導体集積装置及びそのゲートスクリーニング試験方法 |
US15/959,786 US10725087B2 (en) | 2017-06-23 | 2018-04-23 | Semiconductor integrated device and gate screening test method of the same |
CN201810410764.6A CN109119418B (zh) | 2017-06-23 | 2018-05-02 | 半导体集成装置及其栅极筛查试验方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017123350A JP6926716B2 (ja) | 2017-06-23 | 2017-06-23 | 半導体集積装置及びそのゲートスクリーニング試験方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019007823A JP2019007823A (ja) | 2019-01-17 |
JP6926716B2 true JP6926716B2 (ja) | 2021-08-25 |
Family
ID=64693083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017123350A Active JP6926716B2 (ja) | 2017-06-23 | 2017-06-23 | 半導体集積装置及びそのゲートスクリーニング試験方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10725087B2 (ja) |
JP (1) | JP6926716B2 (ja) |
CN (1) | CN109119418B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7251276B2 (ja) * | 2019-04-02 | 2023-04-04 | 株式会社デンソー | 駆動回路 |
JP7419769B2 (ja) | 2019-06-18 | 2024-01-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置およびその試験方法 |
CN110412380B (zh) * | 2019-08-02 | 2022-02-18 | 西安太乙电子有限公司 | 一种基于图形化mosfet驱动器的测试方法 |
US11157028B1 (en) * | 2020-11-17 | 2021-10-26 | Centaur Technology, Inc. | Fast precision droop detector |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0567661A (ja) * | 1991-09-10 | 1993-03-19 | Nippondenso Co Ltd | 電力用半導体装置 |
JPH06112802A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Toshiba Corp | 出力バッファ回路 |
JP3353388B2 (ja) * | 1993-06-23 | 2002-12-03 | 株式会社デンソー | 電力用半導体装置 |
JP2000338191A (ja) * | 1999-05-28 | 2000-12-08 | Nec Corp | 半導体装置およびそのテスト方法 |
CN100501433C (zh) * | 2006-02-20 | 2009-06-17 | 江苏绿扬电子仪器集团有限公司 | 大功率半导体管测试方法及装置 |
JP2009257908A (ja) | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Denso Corp | 半導体集積回路のスクリーニング検査方法 |
US8179108B2 (en) * | 2009-08-02 | 2012-05-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Regulator having phase compensation circuit |
JP5382544B2 (ja) | 2010-08-17 | 2014-01-08 | 富士電機株式会社 | 半導体集積回路および半導体集積回路に対するゲートスクリーニング試験の方法 |
US20120062190A1 (en) * | 2010-09-10 | 2012-03-15 | Holger Haiplik | Dc-dc converters |
CN103187856B (zh) * | 2011-12-31 | 2015-08-19 | 意法半导体研发(深圳)有限公司 | 一种高侧驱动电路及操作驱动电路的方法 |
JP5997620B2 (ja) * | 2013-01-28 | 2016-09-28 | 株式会社東芝 | レギュレータ |
CN203722583U (zh) * | 2013-11-28 | 2014-07-16 | 杭州亿恒科技有限公司 | 一种伺服功率放大电路 |
US9331672B2 (en) * | 2014-06-30 | 2016-05-03 | STMicroelectronics (Shenzhen) R&D Co. Ltd | Driver circuit with gate clamp supporting stress testing |
CN107251433B (zh) * | 2015-02-16 | 2020-10-30 | 三菱电机株式会社 | 半导体器件驱动电路 |
US9970980B2 (en) * | 2016-08-26 | 2018-05-15 | Infineon Technologies Ag | Test circuit for stress leakage measurements |
-
2017
- 2017-06-23 JP JP2017123350A patent/JP6926716B2/ja active Active
-
2018
- 2018-04-23 US US15/959,786 patent/US10725087B2/en active Active
- 2018-05-02 CN CN201810410764.6A patent/CN109119418B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019007823A (ja) | 2019-01-17 |
US10725087B2 (en) | 2020-07-28 |
US20180372791A1 (en) | 2018-12-27 |
CN109119418A (zh) | 2019-01-01 |
CN109119418B (zh) | 2023-10-20 |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200514 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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