JP6920189B2

JP6920189B2 - 配線基板

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Publication number: JP6920189B2
Application number: JP2017250751A
Authority: JP
Inventors: 奈津子北城
Original assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Current assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date: 2017-12-27
Filing date: 2017-12-27
Publication date: 2021-08-18
Anticipated expiration: 2037-12-27
Also published as: US20190198433A1; US10854475B2; JP2019117854A

Description

本発明は、配線基板に関する。

絶縁層と配線層とが交互に積層された配線基板が知られている。このような配線基板を製造するには、例えば、第１絶縁層上に配線層を形成し、更に第１絶縁層上に配線層を被覆する樹脂フィルムをラミネートし、硬化させて第２絶縁層を形成する。

ここで、配線層を構成する隣接する配線パターンの間隔が広いと（例えば、４００μｍ程度）、ラミネートの際に軟化した樹脂フィルムが垂れ下がって気泡をトラップし、トラップされた気泡に起因して第２絶縁層にボイドが発生する場合がある。

特開２００７−６２１７５号公報

ボイドの発生は、例えば、配線層と他の配線層との間の絶縁抵抗の低下等の要因となるため、好ましくない。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、ボイドの発生を抑制した配線基板を提供することを課題とする。

本配線基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の一方の面に形成された複数の配線パターンと、前記第１絶縁層の一方の面において、隣接する前記配線パターン間に形成されたダミーパターンと、前記第１絶縁層の一方の面に、隣接する前記配線パターン及び前記ダミーパターンを被覆するように形成された、樹脂製の第２絶縁層と、を有し、前記ダミーパターンは、隣接する前記配線パターンの中央部に配置されたドットパターンであり、前記ダミーパターンを構成する各々のドットの高さが、隣接する前記配線パターンの高さよりも低く、前記ドットは、前記第１絶縁層の一方の面に向けて拡幅する傾斜側面を有していることを要件とする。

開示の技術によれば、ボイドの発生を抑制した配線基板を提供できる。

第１の実施の形態に係る配線基板を例示する図である。第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。比較例に係る配線基板を例示する図である。比較例に係る配線基板の製造工程の一部を例示する図（その１）である。比較例に係る配線基板の製造工程の一部を例示する図（その２）である。ダミーパターンの効果について説明する図である。他の比較例について説明する図である。第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板を例示する図である。第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板を例示する図である。第１の実施の形態の変形例３に係る配線基板を例示する図である。第１の実施の形態の変形例４に係る配線基板を例示する図である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る配線基板の構造］
まず、第１の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る配線基板を例示する図であり、図１（ａ）は部分平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。なお、図１（ａ）では、便宜上、配線パターン２１及び２２並びにダミーパターン２３を梨地模様で示している。又、図１（ａ）では、図１（ｂ）に示す絶縁層３０の図示を省略している。

図１を参照するに、配線基板１は、絶縁層１０と、配線層２０と、絶縁層３０とを有する。

なお、本実施の形態では、便宜上、配線基板１の絶縁層３０側を上側又は一方の側、絶縁層１０側を下側又は他方の側とする。又、各部位の絶縁層３０側の面を一方の面又は上面、絶縁層１０側の面を他方の面又は下面とする。但し、配線基板１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。又、平面視とは対象物を絶縁層１０の一方の面１０ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を絶縁層１０の一方の面１０ａの法線方向から視た形状を指すものとする。

絶縁層１０は、配線層２０等が形成される基体となる層である。絶縁層１０の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、フェノール系樹脂、シアネート系樹脂等を主成分とする熱硬化性の絶縁樹脂を用いることができる。絶縁層１０として用いる熱硬化性の絶縁樹脂は、非感光性絶縁樹脂であってもよいし、感光性絶縁樹脂であってもよい。又、絶縁層１０は、ガラス繊維やアラミド繊維等の織布や不織布からなる補強部材を有しても構わない。又、絶縁層１０は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１０の厚さは、例えば１０〜５０μｍ程度とすることができる。

配線層２０は、絶縁層１０の一方の面１０ａに形成されている。配線層２０は、配線パターン２１と、配線パターン２２と、ダミーパターン２３とを含んでいる。なお、配線層２０において、配線パターン２１及び２２並びにダミーパターン２３は、便宜上別符号としているが、これらは同一材料を用いて同一工程により形成することができる。配線パターン２１及び２２並びにダミーパターン２３は、シード層２０１上に電解めっき層２０２が積層された構造とすることができる。シード層２０１の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。電解めっき層２０２の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。

絶縁層３０は、絶縁層１０の一方の面１０ａ上に、配線層２０を被覆するように形成されている樹脂製の絶縁層である。絶縁層３０の材料や厚さは、例えば、絶縁層１０と同様とすることができる。絶縁層３０は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

以下、配線層２０について詳説する。配線パターン２１と配線パターン２２とは、間隔Ｓ（配線間隔）を空けて並置されている。但し、間隔Ｓは一定であってもよいし、場所により変わってもよい。配線パターン２１及び２２の幅は、任意に決定することができる。配線パターン２１及び２２の一方又は両方が、ベタパターンであってもよい。

ダミーパターン２３はドットパターンである。ここで、ドットパターンとは、互いに接しないように島状に配置された複数のパターンである。本実施の形態では、一例として、ダミーパターン２３は、円柱状の複数のドットが、隣接する配線パターン２１及び２２の中央部に一列に配置されたものである。

ここで、隣接する配線パターン２１及び２２の中央部とは、平面視において、配線パターン２１と配線パターン２２の対向する側面の中央を通る中心線Ｃ（間隔Ｓの中心）に対して、配線パターン２１と配線パターン２２の対向する側面方向に±２Ｌの範囲内の領域を指すものとする。又、円柱状のドットであればＬは直径、楕円柱状のドットであればＬは短径、円錐台状のドットであればＬは底面の直径とし、その他の形状のドットであればＬはダミーパターンを構成するドットの短手方向の幅とする。

Ｌは、配線パターン２１と配線パターン２２の対向する側面の間隔Ｓの２．５〜５％程度とすることができる。例えば、間隔Ｓが４００μｍであれば、Ｌは１０〜２０μｍ程度とすることができる。

ダミーパターン２３を構成する各々の円柱状のドットの高さは、隣接する配線パターン２１及び２２の高さよりも低い。配線パターン２１及び２２の高さは、例えば、１０〜２０μｍ程度とすることができる。ダミーパターン２３を構成する各々の円柱状のドットの高さは、例えば、配線パターン２１及び２２の高さの半分程度とすることができる。

［第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
次に、第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２は、第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。なお、本実施の形態では、単品の配線基板を作製する工程の例を示すが、配線基板となる複数の部分を作製後、各部分を個片化して複数の配線基板とする工程としてもよい。

まず、図２（ａ）に示す工程では、スパッタ法や無電解めっき法により、絶縁層１０の一方の面１０ａを連続的に被覆する厚さ０．１〜１μｍ程度のシード層２０１を銅（Ｃｕ）等を用いて形成する。次に、シード層２０１上に感光性レジストを塗布又はラミネートし、露光及び現像し、配線パターン２１に対応する開口部８００ｘ、配線パターン２２に対応する開口部８００ｙ、及びダミーパターン２３に対応する開口部８００ｚを備えたレジスト層８００を形成する。

次に、図２（ｂ）に示す工程では、シード層２０１を給電層に利用した電解めっき法により、レジスト層８００の開口部８００ｘ内、開口部８００ｙ内、及び開口部８００ｚ内に露出するシード層２０１上に電解めっき層２０２を銅（Ｃｕ）等を用いて形成する。

ここで、開口部８００ｘ及び８００ｙは幅が広いので、例えば銅めっきの場合であれば、開口部８００ｘ及び８００ｙには銅イオンが供給されやすく、めっきの析出速度が速いため、電解めっき層２０２は比較的厚く形成される。これに対して、開口部８００ｚは開口部８００ｘ及び８００ｙよりも幅が狭いので、銅イオンが供給されにくく、めっきの析出速度が遅いため、開口部８００ｚ内の電解めっき層２０２は開口部８００ｘ及び８００ｙ内の電解めっき層２０２より薄くなる。

このように、電解めっき層２０２が形成される開口部の大きさを調整することにより、同一のめっき工程で、高さの異なる電解めっき層２０２を形成することができる。又、開口部８００ｚの幅を変えることにより、開口部８００ｚ内に形成される電解めっき層２０２の高さを調整することができる。

次に、図２（ｃ）に示す工程では、レジスト層８００を除去した後に、電解めっき層２０２をマスクにして、電解めっき層２０２に覆われていない部分のシード層２０１をエッチングにより除去する。これにより、シード層２０１上に電解めっき層２０２が積層された配線層２０（配線パターン２１及び２２並びにダミーパターン２３）が形成される。なお、シード層２０１をエッチングする際に、各々の電解めっき層２０２の上面及び側面もエッチングされるため、各々の電解めっき層２０２の大きさ（幅及び高さ）は図２（ｂ）に示す工程よりも若干小さくなる。

次に、図２（ｄ）に示す工程では、絶縁層１０の一方の面１０ａ上に、配線層２０を被覆する樹脂製の絶縁層３０を形成する。具体的には、例えば、絶縁層１０の一方の面１０ａ上に、配線層２０を被覆するように半硬化状態である絶縁性の樹脂フィルムを真空中でラミネートし、その後加圧しながら加熱して硬化させ、絶縁層３０を形成する。以上の工程により、配線基板１が完成する。

ここで、比較例を交えながら、配線基板１がダミーパターン２３を有することの効果について説明する。

図３は、比較例に係る配線基板を例示する図であり、図３（ａ）は部分平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。なお、図３（ａ）では、便宜上、配線パターン２１及び２２を梨地模様で示している。又、図３（ａ）では、図３（ｂ）の絶縁層３０の図示を省略している。

図３を参照するに、配線基板１Ｘは、配線パターン２１及び２２を有しダミーパターン２３を有しない配線層２０Ｘが形成されている点が、配線基板１（図１等参照）と相違する。又、配線基板１Ｘでは、絶縁層３０にボイドＶが形成されている。なお、ボイドＶは意図的に形成したものではなく、配線基板１Ｘの製造工程で意図せずに形成されたものである。

図４及び図５は、比較例に係る配線基板の製造工程の一部を例示する図である。まず、第１の実施の形態に係る配線基板１と同様にして、絶縁層１０の一方の面１０ａに、配線パターン２１及び２２を形成する。次に、図４及び図５に示すように、絶縁層１０の一方の面１０ａに絶縁層３０を形成する。

絶縁層３０を形成するには、まず、図４（ａ）に示す工程で、真空中において加圧熱プレート９００の下側に、配線パターン２１及び２２が形成された絶縁層１０を配置し、更に配線パターン２１及び２２上に絶縁性の樹脂フィルム３００（硬化すると絶縁層３０となるもの）を配置する。この時、矢印で示す加圧熱プレート９００から輻射熱により、樹脂フィルム３００が加熱されて軟化し、垂れ下がると共にタック性を発現する。なお、図４（ａ）中に〇で示す『Ｂ』は、空間が残り易いところを示している（以降の図においても同様）。

次に、図４（ｂ）に示す工程では、加圧熱プレート９００を下降させて、樹脂フィルム３００を加熱しながら加圧する。このとき、減圧（真空引き）することにより、気泡が生じ易い配線パターン２１及び２２の端部に近い空間でも、配線パターン２１及び２２と樹脂フィルム３００との界面を通して矢印で示すように外部に排気されるため、樹脂フィルム３００に気泡がトラップされることはない。

これに対して、配線パターン２１と配線パターン２２との間隔が広い場合（例えば、４００μｍ程度）、樹脂フィルム３００は配線パターン２１及び２２の端部から垂れ下がり、内部に空間を残すように、配線パターン２１と配線パターン２２との間の絶縁層１０の一方の面１０ａに接触する。樹脂フィルム３００はタック性を発現しているため、配線パターン２１と配線パターン２２の中央付近に存在する空間は、気泡として樹脂フィルム３００にトラップされる。

すなわち、配線パターン２１及び２２の端部に近い空間では、外部との距離が短いため、容易に減圧されて空間が残らず気泡も生じない。これに対して、樹脂フィルム３００と絶縁層１０の一方の面１０ａとが接触している部分では、外部との距離が長く減圧しづらいため、減圧がなされる前にタック性により引き口が閉ざされ、残された空間が気泡として樹脂フィルム３００にトラップされる。

次に、図５（ａ）に示す工程では、加圧熱プレート９００を更に下降させて、樹脂フィルム３００を加熱しながら加圧する。これにより、樹脂フィルム３００にトラップされていた気泡は、樹脂フィルム３００中に小さく分散して気泡Ｄ１となる。

次に、図５（ｂ）に示す工程では、加圧していない状態で、樹脂フィルム３００を加熱する。このとき、樹脂フィルム３００に分散した小さな気泡Ｄ１は、加熱されることで凝集し、大きな気泡Ｄ２となる。

次に、図５（ｃ）に示す工程では、加圧していない状態で、樹脂フィルム３００を更に加熱し、硬化温度以上にする。これにより、樹脂フィルム３００が硬化して絶縁層３０が形成される。このとき、硬化の途中で、凝集した大きな気泡Ｄ２が体積膨張を起こして爆発し、絶縁層３０に陥没が生じてボイドＶとなる。

このように、配線基板１Ｘは、ダミーパターン２３が形成されていないため、ラミネートにより絶縁層３０を形成する工程において、絶縁層３０にボイドが生じる場合がある。特に、配線パターン２１と配線パターン２２との間隔が広い場合、ボイドが生じやすい。

これに対して、図６（ａ）に示すように、配線パターン２１と配線パターン２２との間にダミーパターン２３が形成されている場合には、樹脂フィルム３００が垂れ下がったとしても、樹脂フィルム３００は絶縁層１０の一方の面１０ａよりも先にダミーパターン２３と接触する。ダミーパターン２３はドットパターンであり、隣接するドット間に空間が存在する。そのため、樹脂フィルム３００がダミーパターン２３と接触しても、ドット間の空間を経由して空気が流れるため、減圧の際の空気の流れを阻害しない。

そのため、図６（ａ）に示す状態の後、減圧することにより、樹脂フィルム３００の内部に空間が残ることなく全て外部に排気され、樹脂フィルム３００と絶縁層１０の一方の面１０ａとの間に気泡は残存しない。その結果、図４（ｂ）〜図５（ｃ）と同様の工程を実行することにより、図６（ｂ）に示すように、ボイドが生じていない絶縁層３０を得ることができる。

なお、配線パターン２１及び２２とダミーパターン２３との間における樹脂フィルム３００の垂れ下がりは軽微なものであり、配線パターン２１及び２２とダミーパターン２３との間では、樹脂フィルム３００は絶縁層１０の一方の面１０ａとは接触しない。

このように、配線パターン２１と配線パターン２２との間にドットパターンであるダミーパターン２３を形成することで、樹脂フィルム３００が垂れ下がって絶縁層１０の一方の面１０ａと接触し、樹脂フィルム３００が空間を巻きこむことを回避できる。その結果、ボイドの発生が抑制され、配線層２０と他の配線層との間の絶縁抵抗の低下や、配線層２０と他の配線層との間の短絡を防止し、配線基板１の製品歩留りを向上することができる。

又、仮に配線パターン２１及び２２とダミーパターン２３との間における樹脂フィルム３００の垂れ下がりにより、樹脂フィルム３００が絶縁層１０の一方の面１０ａと接触したとしても、後述のようにダミーパターン２３の高さを配線パターン２１及び２２よりも低くすることによりボイドの発生を抑制することができる。

又、ダミーパターン２３を複数のドットの配列とすることで、いつどこで発生するか特定できない樹脂フィルム３００の垂れ下がりに対応することが可能となり、ボイドが発生するおそれを更に低減することができる。

ところで、図７（ａ）に示すように、配線パターン２１と配線パターン２２との間に、配線パターン２１及び２２と同じ高さの１本の連続したダミーパターン２３Ｘを形成する方法も考えられる。この場合も、樹脂フィルム３００が垂れ下がって絶縁層１０の一方の面１０ａと接触することを回避できる。

しかし、ダミーパターン２３Ｘの高さが配線パターン２１及び２２の高さと同じであるため、仮に配線パターン２１及び２２とダミーパターン２３との間における樹脂フィルム３００の垂れ下がりにより、樹脂フィルム３００が絶縁層１０の一方の面１０ａと接触した場合、ダミーパターン２３Ｘの側面と、樹脂フィルム３００と、絶縁層１０の一方の面１０ａとからなる空間が非常に大きくなる。又、垂れ下がった樹脂フィルム３００の下面からの距離も長いため、図７（ｂ）に示すように、ダミーパターン２３Ｘの側面近傍の空間は減圧しても動きにくく、樹脂が置換できずに気泡Ｄ３として残存する。その結果、絶縁層３０に大きな気泡が生じることとなりボイドが発生する。

一方、配線基板１では、ダミーパターン２３を構成する各々のドットの高さを隣接する配線パターン２１及び２２の高さより低くしているため、図７の場合とは異なり、以下の効果が得られる。

すなわち、ダミーパターン２３の側面と、樹脂フィルム３００と、絶縁層１０の一方の面１０ａとからなる空間の体積をできるだけ小さく留めることが可能となる。そのため、仮に配線パターン２１及び２２とダミーパターン２３との間における樹脂フィルム３００の垂れ下がりにより、樹脂フィルム３００が絶縁層１０の一方の面１０ａと接触した場合であっても、ダミーパターン２３の側面と、樹脂フィルム３００と、絶縁層１０の一方の面１０ａとからなる空間は小さく抑えられる。その結果、絶縁層３０にボイドが生じるおそれを低減できるか、ボイドが生じたとしても軽微なものに抑えることができる。

又、ダミーパターン２３を構成する各々のドットの高さを隣接する配線パターン２１及び２２の高さより低くすると共に、ダミーパターン２３の平面視における面積を小さく留めることで、更に以下の第１及び第２の効果が得られる。

第１に、ダミーパターン２３と配線パターン２１との間、及びダミーパターン２３と配線パターン２２との間の樹脂充填が容易になるため、ラミネートを阻害することがなくなる。

第２に、ダミーパターン２３と配線パターン２１との間、及びダミーパターン２３と配線パターン２２との間の距離を、図７（ｂ）に示す距離Ｐよりも長くすることができる。言い換えれば、隣接する配線パターン２１と配線パターン２２との間隔Ｓに占めるダミーパターン２３の幅を狭くすることができる。これにより、エレクトロマイグレーションの発生を抑制することが可能となる。

なお、以上では、配線基板１において、ダミーパターン２３を構成するドットを円柱状として説明したが、ドットは円柱状には限定されず、一部後述するように、楕円柱状、円錐台状、角柱状等の任意の形状として構わない。又、ここで言う円柱状、楕円柱状、円錐台状、角柱状等は、角部がＲ状のもの、上面が曲面状に形成されたもの等も含むものとする。

〈第１の実施の形態の変形例１〉
第１の実施の形態の変形例１では、第１の実施の形態とは異なるダミーパターンを有する配線基板の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

図８は、第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板を例示する図であり、図８（ａ）は部分平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。なお、図８（ａ）では、便宜上、配線パターン２１及び２２並びにダミーパターン２３Ａを梨地模様で示している。又、図８（ａ）では、図８（ｂ）に示す絶縁層３０の図示を省略している。

図８を参照するに、配線基板１Ａは、配線層２０が、配線パターン２１及び２２並びにダミーパターン２３Ａを有する配線層２０Ａに置換された点が、配線基板１（図１等参照）と相違する。

本実施の形態では、一例として、ダミーパターン２３Ａは、短径Ｌの楕円柱状の複数のドットが、長手方向をドットの配列方向に向けて、隣接する配線パターン２１及び２２の中央部に一列に配置されたものである。

第１の実施の形態と同様に、Ｌは、配線パターン２１と配線パターン２２の対向する側面の間隔Ｓ（配線間隔）の２．５〜５％程度とすることができる。例えば、間隔Ｓが４００μｍであれば、Ｌは１０〜２０μｍ程度とすることができる。

第１の実施の形態と同様に、ダミーパターン２３Ａを構成する各々の楕円柱状のドットの高さは、隣接する配線パターン２１及び２２の高さよりも低い。配線パターン２１及び２２の高さは、例えば、１０〜２０μｍ程度とすることができる。ダミーパターン２３Ａを構成する各々の楕円柱状のドットの高さは、例えば、配線パターン２１及び２２の高さの半分程度とすることができる。

このように、ダミーパターン２３Ａを構成するドットを楕円柱状としても、第１の実施の形態と同様の効果が得られる。

但し、短径Ｌの楕円柱状の複数のドットを、短手方向をドットの配列方向に向けて配置することは好ましくない。この配置では、隣接する配線パターン２１と配線パターン２２との間隔Ｓに占めるダミーパターン２３Ａの幅が広くなり、エレクトロマイグレーションの発生を抑制する効果が低減するからである。

〈第１の実施の形態の変形例２〉
第１の実施の形態の変形例２では、第１の実施の形態とは異なるダミーパターンを有する配線基板の他の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例２において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

図９は、第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板を例示する図であり、図９（ａ）は部分平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。なお、図９（ａ）では、便宜上、配線パターン２１及び２２並びにダミーパターン２３Ｂを梨地模様で示している。又、図９（ａ）では、図９（ｂ）に示す絶縁層３０の図示を省略している。

図９を参照するに、配線基板１Ｂは、配線層２０が、配線パターン２１及び２２並びにダミーパターン２３Ｂを有する配線層２０Ｂに置換された点が、配線基板１（図１等参照）と相違する。

本実施の形態では、一例として、ダミーパターン２３Ｂは、底面が直径Ｌの円錐台状の複数のドットが、隣接する配線パターン２１及び２２の中央部に一列に配置されたものである。

第１の実施の形態と同様に、ダミーパターン２３Ｂを構成する各々の円錐台状のドットの高さは、隣接する配線パターン２１及び２２の高さよりも低い。配線パターン２１及び２２の高さは、例えば、１０〜２０μｍ程度とすることができる。ダミーパターン２３Ｂを構成する各々の円錐台状のドットの高さは、例えば、配線パターン２１及び２２の高さの半分程度とすることができる。

円錐台状のドットを形成するには、図２（ｃ）に示す工程において不要なシード層２０１をエッチングで除去する際に、エッチング量（エッチング時間）を増やせばよい。この場合、シード層２０１をエッチングする際に、ダミーパターン２３Ｂの各々のドットの上面と側面との境界となる角部では、上面側と側面側の両方からエッチングされる。そのため、エッチング量（エッチング時間）を増やすほど、各々のドットの角部側が細くなり、底面に向けて拡幅する円錐台状のドットを形成することができる。なお、各々のドットの高さが低いほど、各々のドットの角部側が細くなり、底面に向けて拡幅する傾向が強くなる。

このように、ダミーパターン２３Ｂを構成するドットを円錐台状とすることで、第１の実施の形態の効果に加え、更に以下の効果が得られる。

すなわち、ダミーパターン２３Ｂを構成するドットが底面に向けて拡幅する（絶縁層１０の一方の面１０ａに向けて拡幅する）傾斜側面を有しているため、減圧の際にドット側面近傍の気泡が絶縁層１０の一方の面１０ａに沿って動きやすくなる。そのため、気泡を外部に排気することが更に容易になり、気泡のトラップを更に減少させることができる。

又、仮に配線パターン２１及び２２とダミーパターン２３Ｂとの間における樹脂フィルム３００の垂れ下がりにより、樹脂フィルム３００が絶縁層１０の一方の面１０ａと接触した場合であっても、ダミーパターン２３Ｂの側面と、樹脂フィルム３００と、絶縁層１０の一方の面１０ａとからなる空間は、実施例１に比べて更に小さくなる。その結果、絶縁層３０にボイドが生じるおそれを低減できるか、ボイドが生じたとしても軽微なものに抑えることができる。

又、ダミーパターン２３Ｂを構成するドットが底面に向けて拡幅する傾斜側面を有しているため、ラミネートの際の樹脂の埋め込み性を向上することが可能となる。その結果、ダミーパターン２３Ｂと配線パターン２１との間、及びダミーパターン２３Ｂと配線パターン２２との間の樹脂充填が更に容易になる。

なお、以上の効果は、ダミーパターン２３Ｂを構成するドットが底面に向けて拡幅する傾斜側面を有していれば得ることができる。従って、ダミーパターン２３Ｂを構成するドットは円錐台状には限定されず、底面に向けて拡幅する傾斜側面を有する任意の形状とすることができる。

〈第１の実施の形態の変形例３〉
第１の実施の形態の変形例３では、第１の実施の形態とは異なるダミーパターンを有する配線基板の更に他の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例３において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

図１０は、第１の実施の形態の変形例３に係る配線基板を例示する図であり、図１０（ａ）は部分平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。なお、図１０（ａ）では、便宜上、配線パターン２１及び２２並びにダミーパターン２３Ｃを梨地模様で示している。又、図１０（ａ）では、図１０（ｂ）に示す絶縁層３０の図示を省略している。

図１０を参照するに、配線基板１Ｃは、配線層２０が、配線パターン２１及び２２並びにダミーパターン２３Ｃを有する配線層２０Ｃに置換された点が、配線基板１（図１等参照）と相違する。

本実施の形態では、一例として、ダミーパターン２３Ｃは、円柱状の複数のドットが、隣接する配線パターン２１及び２２の中央部に千鳥状に配置されたものである。

第１の実施の形態と同様に、ダミーパターン２３Ｃを構成する各々の円柱状のドットの高さは、隣接する配線パターン２１及び２２の高さよりも低い。配線パターン２１及び２２の高さは、例えば、１０〜２０μｍ程度とすることができる。ダミーパターン２３Ｃを構成する各々の円柱状のドットの高さは、例えば、配線パターン２１及び２２の高さの半分程度とすることができる。

このように、ダミーパターン２３Ｃを構成するドットを千鳥状に配置することにより、樹脂フィルム３００の垂れ下がりに対応しやすくなる。すなわち、樹脂フィルム３００がどの部分に垂れ下がっても、何れかのドットが樹脂フィルム３００の垂れ下がりを受け止める可能性を高めることができる。

なお、以上の効果は、ダミーパターン２３Ｃを構成するドットが千鳥状に配置されていれば得ることができる。従って、ダミーパターン２３Ｃを構成するドットは円柱状には限定されず、任意の形状とすることができる。

〈第１の実施の形態の変形例４〉
第１の実施の形態の変形例４では、第１の実施の形態とは異なるダミーパターンを有する配線基板の更に他の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例４において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

図１１は、第１の実施の形態の変形例４に係る配線基板を例示する図であり、図１１（ａ）は部分平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。なお、図１１（ａ）では、便宜上、配線パターン２１及び２２並びにダミーパターン２３Ｄを梨地模様で示している。又、図１１（ａ）では、図１１（ｂ）に示す絶縁層３０の図示を省略している。

図１１を参照するに、配線基板１Ｄは、配線層２０が、配線パターン２１及び２２並びにダミーパターン２３Ｄを有する配線層２０Ｄに置換された点が、配線基板１（図１等参照）と相違する。

本実施の形態では、一例として、ダミーパターン２３Ｄは、円柱状の複数のドットが、隣接する配線パターン２１及び２２の中央部に２列に配置されたものである。

第１の実施の形態と同様に、ダミーパターン２３Ｄを構成する各々の円柱状のドットの高さは、隣接する配線パターン２１及び２２の高さよりも低い。配線パターン２１及び２２の高さは、例えば、１０〜２０μｍ程度とすることができる。ダミーパターン２３Ｄを構成する各々の円柱状のドットの高さは、例えば、配線パターン２１及び２２の高さの半分程度とすることができる。

このように、ダミーパターン２３Ｄを構成するドットを２列に配置することにより、樹脂フィルム３００の垂れ下がりに対応しやすくなる。すなわち、樹脂フィルム３００がどの部分に垂れ下がっても、何れかのドットが樹脂フィルム３００の垂れ下がりを受け止める可能性を高めることができる。

なお、以上の効果は、ダミーパターン２３Ｄを構成するドットが複数列に配置されていれば得ることができる。従って、ダミーパターン２３Ｄを構成するドットを３列以上としてもよい（但し、樹脂の充填性や耐エレクトロマイグレーション性を妨げない範囲に限る）。

又、以上の効果は、ダミーパターン２３Ｄを構成するドットが複数列に配置されていれば得ることができる。従って、ダミーパターン２３Ｄを構成するドットは円柱状には限定されず、任意の形状とすることができる。

以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

例えば、第１の実施の形態及び各変形例では、２層の絶縁層と１層の配線層とを有する配線基板を例示したが、これには限定されない。本発明は、隣接する配線パターンを被覆する樹脂製の絶縁層をラミネートにより形成する如何なる配線基板にも適用可能であり、絶縁層や配線層の数は任意として構わない。

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ配線基板
１０、３０絶縁層
１０ａ一方の面
２０、２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ配線層
２１配線パターン
２２配線パターン
２３、２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ、２３Ｄダミーパターン
２０１シード層
２０２電解めっき層
３００樹脂フィルム
９００加圧熱プレート

Claims

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の一方の面に形成された複数の配線パターンと、
前記第１絶縁層の一方の面において、隣接する前記配線パターン間に形成されたダミーパターンと、
前記第１絶縁層の一方の面に、隣接する前記配線パターン及び前記ダミーパターンを被覆するように形成された、樹脂製の第２絶縁層と、を有し、
前記ダミーパターンは、隣接する前記配線パターンの中央部に配置されたドットパターンであり、
前記ダミーパターンを構成する各々のドットの高さが、隣接する前記配線パターンの高さよりも低く、
前記ドットは、前記第１絶縁層の一方の面に向けて拡幅する傾斜側面を有している配線基板。
前記ドットは、複数配置されており、千鳥状に配置されている請求項１に記載の配線基板。
前記ドットは、複数配置されており、複数列に配置されている請求項１に記載の配線基板。
前記ドットは、平面視楕円形状からなり、その長辺が配線パターンの形成方向に沿って配置されている請求項１に記載の配線基板。