JP7273665B2

JP7273665B2 - 熱媒体循環システム及び基板処理装置

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Publication number: JP7273665B2
Application number: JP2019165388A
Authority: JP
Inventors: 優砂金; 貴北澤
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2019-09-11
Filing date: 2019-09-11
Publication date: 2023-05-15
Anticipated expiration: 2039-09-11
Also published as: TW202127564A; CN112490102A; JP2021044385A; KR20210031379A; US20210074519A1

Description

本開示は、熱媒体循環システム及び基板処理装置に関するものである。

半導体ウエハ（以下、「ウエハ」と称する。）等の基板を処理する基板処理装置等において、装置内の部材の温度を制御する場合、温度制御対象となる部材に熱媒体を循環させる循環流路が形成される。熱媒体を循環させる循環流路には、柔軟性の高い樹脂製の配管が用いられることがある。

高温の熱媒体を循環させる循環流路の一部に樹脂製の配管が用いられる場合、樹脂製の配管内を流れる熱媒体の成分が樹脂製の配管を透過し、配管周囲に透過ガスとして放出されることがある。配管周囲への透過ガスの放出は、環境汚染の要因となり、好ましくない。

また、樹脂製の内部配管の外周面を外側配管で気密に囲み、内部配管と外側配管との間の気密な空間に排気管を接続し、配管を透過して放出される透過ガスを排気管から排気する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００１－２９７９６７号公報

本開示は、樹脂製の配管を透過する透過ガスの排気効率を向上することができる技術を提供する。

本開示の一態様による熱媒体循環システムは、温度制御対象物に熱媒体を循環させる循環流路の少なくとも一部を構成する、樹脂製の配管と、前記配管の外周面を囲むカバーと、前記配管と前記カバーとの間の空間に接続され、前記配管を透過して該空間へ放出される熱媒体を排気する排気管と、を有し、前記カバーは、前記排気管からの熱媒体の排気と並行して、前記配管と前記カバーとの間の空間へ空気を取り込む給気口を有する。

本開示によれば、樹脂製の配管を透過する透過ガスの排気効率を向上することができるという効果を奏する。

図１は、実施形態に係るプラズマ処理装置の概略的な構成の一例を示す断面図である。図２は、シャワーヘッドを温度制御対象部材とした熱媒体を循環させる従来の循環流路を概略的に示す図である。図３は、実施形態の配管の構成を概略的に示す図である。図４は、実施形態の配管の構成を概略的に示す図である。図５は、カバーの変形例を示す図である。

以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

透過ガスの周囲への拡散を防ぐには、特許文献１のように、配管周囲を外側配管（カバー）で密閉し、配管とカバーとの間の密閉空間をポンプで排気することが考えられる。しかしながら、密閉空間とポンプとの間の距離が長くなるとコンダクタンスが悪化するため、密閉空間内の透過ガスを十分に排気することができなくなる。また、配管が大気雰囲気に配置される場合、減圧された密閉空間と大気との圧力差により、配管とカバーとが近接して密閉空間が収縮してしまい、透過ガスの排気効率が低下する虞がある。そこで、樹脂製の配管を透過する透過ガスの排気効率を向上することが期待されている。

［基板処理装置の構成］
最初に、実施形態に係る基板処理装置の構成について説明する。基板処理装置は、ウエハ等の基板に対して所定の基板処理を行う装置である。本実施形態では、基板処理装置を、基板としてウエハＷに対してプラズマエッチング等の処理を行うプラズマ処理装置１０とした場合を例に説明する。図１は、実施形態に係るプラズマ処理装置１０の概略的な構成の一例を示す断面図である。図１に示すプラズマ処理装置１０は、容量結合プラズマ（ＣＣＰ：Capacitively Coupled Plasma）を用いたプラズマエッチング装置として構成される。プラズマ処理装置１０は、略円筒状の処理容器１２を備えている。処理容器１２は、例えば、アルミニウムから構成されている。また、処理容器１２の表面は、陽極酸化処理が施されている。

処理容器１２内には、載置台１６が設けられている。載置台１６は、静電チャック１８および基台２０を有する。静電チャック１８の上面は、プラズマ処理の対象となる被処理体が載置される載置面とされている。本実施形態では、被処理体としてウエハＷが静電チャック１８の上面に載置される。基台２０は、略円盤形状を有しており、主部が、例えばアルミニウムといった導電性の金属により構成されている。基台２０は、下部電極を構成している。基台２０は、支持部１４によって支持されている。支持部１４は、処理容器１２の底部から延びる円筒状の部材である。

基台２０上には、静電チャック１８が設けられている。静電チャック１８は、クーロン力等の静電力によりウエハＷを吸着し、当該ウエハＷを保持する。静電チャック１８は、セラミック製の本体部内に静電吸着用の電極Ｅ１が設けられている。電極Ｅ１には、スイッチＳＷ１を介して直流電源２２が電気的に接続されている。ウエハＷを保持する吸着力は、直流電源２２から印加される直流電圧の値に依存する。なお、図示しない伝熱ガス供給機構およびガス供給ラインによって伝熱ガス、例えばＨｅガスが静電チャック１８の上面とウエハＷの裏面との間に供給されてもよい。

載置台１６は、静電チャック１８上のウエハＷの周囲に、フォーカスリングＦＲが配置される。フォーカスリングＦＲは、プラズマ処理の均一性を向上させるために設けられている。フォーカスリングＦＲは、実行すべきプラズマ処理に応じて適宜選択される材料から構成されている。例えば、フォーカスリングＦＲは、シリコン、または石英により構成される。

基台２０の内部には、冷媒流路２４が形成されている。冷媒流路２４には、処理容器１２の外部に設けられたチラーユニットから配管２６ａを介して冷媒が供給される。冷媒流路２４に供給された冷媒は、配管２６ｂを介してチラーユニットに戻る。

処理容器１２内には、シャワーヘッド３０が設けられている。シャワーヘッド３０は、載置台１６の上方において、載置台１６と対向配置されている。載置台１６とシャワーヘッド３０とは、互いに略平行に設けられている。シャワーヘッド３０及び載置台１６は、一対の電極（上部電極及び下部電極）として機能する。

シャワーヘッド３０は、絶縁性遮蔽部材３２を介して、処理容器１２の上部に支持されている。シャワーヘッド３０は、載置台１６と対向するように配置された天板３４と、天板３４を支持する支持部３６とを備えている。

天板３４は、載置台１６と対向するように配置され、処理容器１２内に処理ガスを噴出する複数のガス孔３４ａが形成されている。天板３４は、例えばシリコンやＳｉＣ等により形成されている。

支持部３６は、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム等からなり、その下部に天板３４を着脱自在に支持できるように構成されている。

支持部３６の内部には、処理ガスを複数のガス孔３４ａに供給するためのガス拡散室３６ａが形成されている。支持部３６の底部には、ガス拡散室３６ａの下部に位置するように、複数のガス通流孔３６ｂが形成されている。複数のガス通流孔３６ｂは、複数のガス孔３４ａにそれぞれ連通している。

支持部３６には、ガス拡散室３６ａへ処理ガスを導入するためのガス導入口３６ｃが形成されている。ガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。

ガス供給管３８には、バルブ群４２および流量制御器群４４を介してガスソース群４０が接続されている。バルブ群４２は、複数の開閉バルブを有する。流量制御器群４４は、マスフローコントローラといった複数の流量制御器を有する。また、ガスソース群４０は、プラズマ処理に必要な複数種のガス用のガスソースを有する。ガスソース群４０の複数のガスソースは、対応の開閉バルブおよび対応のマスフローコントローラを介してガス供給管３８に接続されている。

プラズマ処理装置１０では、ガスソース群４０の複数のガスソースのうち選択された一以上のガスソースからの一以上のガスが、ガス供給管３８に供給される。ガス供給管３８に供給されたガスは、ガス拡散室３６ａに至り、ガス通流孔３６ｂおよびガス孔３４ａを介して処理空間Ｓにシャワー状に分散されて噴出される。

シャワーヘッド３０には、温調のための温調機構が設けられている。例えば、支持部３６の内部には、流路９２が形成されている。プラズマ処理装置１０は、流路９２中に、例えば、熱媒体（ブライン）を循環させることによって、シャワーヘッド３０の温度を制御可能に構成されている。流路９２は、配管を介して処理容器１２の外部に設けられたチラーユニットに接続され、熱媒体が循環供給される。すなわち、流路９２、配管及びチラーユニットにより、シャワーヘッド３０に熱媒体を循環させる循環流路が形成される。循環流路の詳細は、後述する。熱媒体は、例えば、炭素を含有する液体である。炭素を含有する液体としては、例えば、エチレングリコールやアルコールが用いられる。

上部電極としてのシャワーヘッド３０には、図示しないローパスフィルタ（ＬＰＦ）、整合器ＭＵ１、及び給電棒６０を介して、第１高周波電源６１が電気的に接続されている。第１高周波電源６１は、プラズマ生成用の電源であり、１３．５６ＭＨｚ以上の周波数、例えば６０ＭＨｚのＲＦ電力をシャワーヘッド３０に供給する。整合器ＭＵ１は、第１高周波電源６１の内部（または出力）インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させる整合器である。整合器ＭＵ１は、処理容器１２内にプラズマが生成されている時に第１高周波電源６１の出力インピーダンスと負荷インピーダンスが見かけ上一致するように機能する。整合器ＭＵ１の出力端子は、給電棒６０の上端に接続されている。

下部電極である載置台１６には、図示しないローパスフィルタ（ＬＰＦ）、整合器ＭＵ２を介して第２高周波電源６２が電気的に接続されている。第２高周波電源６２は、イオン引き込み用（バイアス用）の電源であり、３００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数、例えば２ＭＨｚのＲＦ電力を載置台１６に供給する。整合器ＭＵ２は、第２高周波電源６２の内部（または出力）インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させる整合器である。整合器ＭＵ２は、処理容器１２内にプラズマが生成されている時に第２高周波電源６２の内部インピーダンスと負荷インピーダンスが見かけ上一致するように機能する。

シャワーヘッド３０及び給電棒６０の一部は、処理容器１２の側壁からシャワーヘッド３０の高さ位置よりも上方に延びる略円筒状の上部筐体１２ａにより覆われている。上部筐体１２ａは、アルミニウム等の導電性の材料により形成されており、処理容器１１を介して接地されている。上部筐体１２ａとシャワーヘッド３０とで囲まれた空間内には、種々のパーツ（例えば、後述する配管１１１及びカバー１３１（図４参照））が配置されている。

また、プラズマ処理装置１０は、処理容器１２の内壁に沿ってデポシールド４６が着脱自在に設けられている。また、デポシールド４６は、支持部１４の外周にも設けられている。デポシールド４６は、処理容器１２にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止するものであり、アルミニウム材にＹ_２Ｏ_３等のセラミックスを被覆することにより構成されている。

処理容器１２の底部側においては、支持部１４と処理容器１２の内壁との間に排気プレート４８が設けられている。排気プレート４８は、例えば、アルミニウム材にＹ_２Ｏ_３等のセラミックスを被覆することにより構成されている。処理容器１２は、排気プレート４８の下方に排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有する。排気装置５０は、プラズマ処理を実施する際、処理容器１２内を所望の真空度まで減圧する。また、処理容器１２の側壁には、ウエハＷの搬入出口１２ｇが設けられている。搬入出口１２ｇは、ゲートバルブ５４により開閉可能となっている。

上記のように構成されたプラズマ処理装置１０は、制御部１００によって、その動作が統括的に制御される。制御部１００は、例えば、コンピュータであり、プラズマ処理装置１０の各部を制御する。プラズマ処理装置１０は、制御部１００によって、動作が統括的に制御される。

ところで、プラズマ処理装置１０は、温度制御対象部材に熱媒体を循環させる循環流路が形成されている。図２は、シャワーヘッド３０を温度制御対象部材とした熱媒体を循環させる従来の循環流路を概略的に示す図である。図２では、プラズマ処理装置１０のシャワーヘッド３０に、ブラインを循環させる循環流路１１０が概略的に示されている。循環流路１１０は、流路９２、配管１１１及び外部配管１１２により形成されている。流路９２は、シャワーヘッド３０（支持部３６）の内部に形成され、内部にブラインが通流する。配管１１１は、柔軟性を有する樹脂により形成され、上部筐体１２ａ内に配置される。配管１１１の一端は、継手１１３ａを介してシャワーヘッド３０の内部の流路９２に接続され、配管１１１の他端は、上部筐体１２ａに設けられた継手１１４ａを介して外部配管１１２の一端に接続される。外部配管１１２は、例えばステンレス等の金属により形成され、上部筐体１２ａの外部に配置される。外部配管１１２の一端は、上部筐体１２ａに設けられた継手１１４ａを介して配管１１１に接続され、外部配管１１２の他端は、チラーユニット１１５に接続される。

チラーユニット１１５は、ブラインを貯留するリザーバタンクが内蔵されている。リザーバタンクは、貯留するブラインを所望の温度に制御可能である。チラーユニット１１５は、リザーバタンクに貯留されたブラインを循環流路１１０の一端に送り出し、循環流路１１０の他端から流れ出すブラインをリザーバタンクに回収する。これにより、チラーユニット１１５は、ブラインを循環流路１１０に循環させて、循環流路１１０が形成されたシャワーヘッド３０の温度を制御する。

樹脂製の配管１１１内にブラインが流れると、図２に示すように、ブラインが配管１１１を透過して配管１１１周囲に気体として放出される。特に、ブラインがチラーユニット１１５により１００℃より高い温度に制御される場合に、ブラインが配管１１１を透過し易くなる傾向にある。図２には、上部筐体１２ａ内において、ブラインが配管１１１を透過して、配管１１１周囲に気体として放出される様子が示されている。メンテナンス等により上部筐体１２ａを取り外すと、気体として放出されたブラインがプラズマ処理装置１０の設置場所であるクリーンルームに拡散し、クリーンルーム内の汚染が発生する場合がある。

これに対して、樹脂製の配管１１１の外周面を管状のカバーで気密に囲み、配管１１１とカバーとの間の気密な空間に排気管を接続し、配管１１１を透過して放出されるブラインを排気管から排気することが考えられる。しかし、樹脂製の配管１１１とカバーとの間の気密な空間に接続された排気管からブラインを排気する場合、樹脂製の配管１１１とカバーとが近接してブラインの流路となる空間が収縮するため、空間の圧力損失が増大する。また、上部筐体１２ａ近傍にポンプを配置することは困難であることから、気密な空間とポンプとを接続する排気管は長くならざるをえない。その結果、樹脂製の配管１１１を透過するブラインの排気効率が低下する虞がある。

そこで、本実施形態のプラズマ処理装置１０では、樹脂製の配管１１１の外周面を囲むカバーに給気口を設けて、排気管からの熱媒体の排気と並行して、配管１１１とカバーとの間の空間へ空気を取り込む。

図３および図４は、実施形態の配管１１１の構成を概略的に示す図である。配管１１１は、温度制御対象物であるシャワーヘッド３０に熱媒体としてブラインを循環させる循環流路１１０の少なくとも一部を構成する。配管１１１は、柔軟性の高い樹脂により形成され、上部筐体１２ａ内に配置される。配管１１１の一端は、継手１１３ａを介してシャワーヘッド３０の内部の流路９２に接続され、配管１１１の他端は、上部筐体１２ａに設けられた継手１１４ａを介して外部配管１１２の一端に接続される。

配管１１１の外周面には、配管１１１の外周面を囲むように、管状のカバー１３１が設けられる。カバー１３１は、柔軟性の高い樹脂により形成される。カバー１３１を形成する樹脂は、配管１１１を形成する樹脂と同一であってよいし、異なってもよい。配管１１１とカバー１３１との間には、空間が形成される。

配管１１１とカバー１３１との間の空間には、排気管１３２が接続される。具体的には、排気管１３２は、カバー１３１の一端側に設けられた、配管１１１とカバー１３１との間の空間を閉塞する閉塞部材１３３に接続され、閉塞部材１３３に形成されたバッファ空間１３３ａを介して配管１１１とカバー１３１との間の空間に連通する。排気管１３２には、排気機構が接続される。排気機構は、排気装置５０であってもよく、排気装置５０とは別の排気装置であってもよい。配管１１１を透過して配管１１１とカバー１３１との間の空間へ放出される透過ガスは、排気管１３２から排気される。

また、カバー１３１は、排気管１３２からの透過ガスの排気と並行して、配管１１１とカバー１３１との間の空間へ空気を取り込む給気口１３１ａを有する。具体的には、カバー１３１は、閉塞部材１３３が設けられた一端側とは反対側に位置する他端側に、給気口１３１ａを有する。本実施形態では、給気口１３１ａは、カバー１３１の他端が開放されて形成される開放端である。なお、カバー１３１は、給気口１３１ａに近づくほど幅が大きくなる形状であってもよい。また、給気口１３１ａは、必ずしも開放端である必要はなく、カバー１３１を厚み方向に貫通する貫通孔であってもよい。また、給気口１３１ａは、カバー１３１の他端側に複数設けられてもよい。例えば、カバー１３１の他端側に、開放端としての給気口１３１ａと、貫通孔としての給気口１３１ａとが設けられてもよい。

排気管１３２からの透過ガスの排気が行われる場合、配管１１１とカバー１３１との間の空間には、給気口１３１ａから空気が取り込まれる。これにより、配管１１１とカバー１３１との間の空間の圧力損失の増大が抑制される。さらに、給気口１３１ａから取り込まれた空気は、配管１１１を透過して配管１１１とカバー１３１との間の空間へ放出される透過ガスを排気管１３２に向かって押し出す。その結果、樹脂製の配管１１１を透過するブラインの排気効率を向上することができる。

また、本実施形態のプラズマ処理装置１０では、配管１１１及びカバー１３１が配置される空間（つまり、上部筐体１２ａとシャワーヘッド３０とで囲まれた空間）の圧力が陽圧に維持される。例えば、上部筐体１２ａにファン１２１を設け、上部筐体１２ａ内に外気を送り込むことにより、上部筐体１２ａ内の圧力を上部筐体１２ａ外の圧力よりも高くすることができる。また、例えば、上部筐体１２ａに圧力計を設け、上部筐体１２ａとシャワーヘッド３０とで囲まれた空間の圧力を測定し、該空間の圧力が陽圧となるように、制御部１００によりファン１２１からの送風を制御してもよい。これにより、配管１１１及びカバー１３１が配置される空間からカバー１３１の給気口１３１ａを介して配管１１１とカバー１３１との間の空間へ大量の空気が取り込まれるので、透過ガスの排気効率をより向上することができる。

以上のように、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、シャワーヘッド３０に熱媒体を循環させる循環流路の少なくとも一部を構成する、樹脂製の配管１１１を有する。プラズマ処理装置１０は、配管１１１の外周面を囲むカバー１３１と、配管１１１とカバー１３１との間の空間に接続され、配管１１１を透過して該空間へ放出される熱媒体を排気する排気管１３２とを有する。そして、カバー１３１は、排気管１３２からの熱媒体の排気と並行して、配管１１１とカバー１３１との間の空間へ空気を取り込む給気口１３１ａを有する。これにより、プラズマ処理装置１０は、樹脂製の配管１１１を透過する熱媒体（透過ガス）の排気効率を向上することができる。また、プラズマ処理装置１０は、樹脂製の配管１１１を透過する熱媒体を効率的に排気することができるため、プラズマ処理装置１０の外部へ排出される熱媒体の量を抑制することができ、結果として、熱媒体による環境汚染を抑制することができる。

また、プラズマ処理装置１０において、排気管１３２は、カバー１３１の一端側に設けられた、配管１１１とカバー１３１との間の空間を閉塞する閉塞部材１３３に接続され、閉塞部材１３３に形成されたバッファ空間１３３ａを介して該空間に連通する。カバー１３１は、閉塞部材１３３が設けられた一端側とは反対側に位置する他端側に、給気口１３１ａを有する。これにより、プラズマ処理装置１０は、給気口１３１ａから配管１１１とカバー１３１との間の空間へ取り込まれる空気をカバー１３１の一端側から他端側へ向けて通流させ、空気により熱媒体を排気管１３２へ向かって効率的に押し出すことができる。

なお、今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

例えば、図３および４に示した例では、カバーは樹脂で形成された管状のカバーを用いたが、これに限られない。図５は、カバーの変形例を示す図である。図５に示す例は、上部筐体１２ａをカバーとして用いた例である。上部筐体１２ａには、給気口としてファン１２１が設けられており、ファン１２１と対向する位置に、排気装置と接続された排気管１３２が接続されている。ファン１２１から上部筐体１２ａ内に取り込まれる空気が排気管１３２へ向かって通流するため、樹脂製の配管１１１を透過し上部筐体１２ａ内に滞留する熱媒体を効率的に押し出すことができる。

例えば、上述したプラズマ処理装置１０は、ＣＣＰタイプのプラズマエッチング装置であったが、任意のプラズマ処理装置１０に採用され得る。例えば、プラズマ処理装置１０は、Inductively Coupled Plasma（ＩＣＰ）、Radial Line Slot Antenna、Electron Cyclotron Resonance Plasma（ＥＣＲ）、Helicon Wave Plasma（ＨＷＰ）の何れのタイプでも適用できる。

また、上述した実施形態では、基板処理装置をプラズマ処理装置１０とした場合を例に説明したが、チラーユニット１１５を設置しているその他の半導体製造装置に適用してもよい。

１０プラズマ処理装置
１２処理容器
１２ａ上部筐体
３０シャワーヘッド
９２流路
１１０循環流路
１１１配管
１３１カバー
１３１ａ給気口
１３２排気管
１３３閉塞部材
１３３ａバッファ空間

Claims

温度制御対象物に熱媒体を循環させる循環流路の少なくとも一部を構成する、樹脂製の配管と、
前記配管の外周面を囲むカバーと、
前記配管と前記カバーとの間の空間に接続され、前記配管を透過して該空間へ放出される熱媒体を排気する排気管と、
を有し、
前記カバーは、前記排気管からの熱媒体の排気と並行して、前記配管と前記カバーとの間の空間へ空気を取り込む給気口を有する、熱媒体循環システム。
前記カバーは、樹脂により形成された管状部材である請求項１に記載の熱媒体循環システム。
前記排気管は、前記カバーの一端側に設けられた、前記配管と前記カバーとの間の空間を閉塞する閉塞部材に接続され、前記閉塞部材に形成されたバッファ空間を介して前記空間に連通し、
前記カバーは、前記閉塞部材が設けられた一端側とは反対側に位置する他端側に、前記給気口を有する、
請求項２に記載の熱媒体循環システム。
前記給気口は、前記カバーの他端が開放されて形成される開放端である、請求項３に記載の熱媒体循環システム。
前記温度制御対象物を覆う筐体をさらに有し、
前記配管及び前記カバーは、前記筐体と前記温度制御対象物とで囲まれた空間内に配置され、
前記筐体と前記温度制御対象物とで囲まれた空間内の圧力は、陽圧に維持される、請求項１～４のいずれか一つに記載の熱媒体循環システム。
前記カバーは、前記温度制御対象物を覆う筐体である請求項１に記載の熱媒体循環システム。
前記配管は、前記温度制御対象物の内部に形成された流路に接続され、前記流路に熱媒体を循環させる、請求項１～６のいずれか一つに記載の熱媒体循環システム。
前記熱媒体は、炭素を含有する液体である、請求項１～７のいずれか一つに記載の熱媒体循環システム。
熱媒体循環システムを有する基板処理装置であって、
前記熱媒体循環システムは、
温度制御対象物に熱媒体を循環させる循環流路の少なくとも一部を構成する、樹脂製の配管と、
前記配管の外周面を囲むカバーと、
前記配管と前記カバーとの間の空間に接続され、前記配管を透過して該空間へ放出される熱媒体を排気する排気管と、
を有し、
前記カバーは、前記排気管からの熱媒体の排気と並行して、前記配管と前記カバーとの間の空間へ空気を取り込む給気口を有する、基板処理装置。