JP7378166B2 - Ｍｅｍｓソレノイドトランス及びその製造方法 - Google Patents
Ｍｅｍｓソレノイドトランス及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7378166B2 JP7378166B2 JP2021523612A JP2021523612A JP7378166B2 JP 7378166 B2 JP7378166 B2 JP 7378166B2 JP 2021523612 A JP2021523612 A JP 2021523612A JP 2021523612 A JP2021523612 A JP 2021523612A JP 7378166 B2 JP7378166 B2 JP 7378166B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon substrate
- solenoid
- spiral hole
- hole path
- core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 253
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 253
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 252
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 205
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 92
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 19
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 13
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co] Chemical compound [Fe].[Co] QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 8
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 241000252506 Characiformes Species 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/0206—Manufacturing of magnetic cores by mechanical means
- H01F41/0233—Manufacturing of magnetic circuits made from sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/10—Inductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/16—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys in the form of sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0033—Printed inductances with the coil helically wound around a magnetic core
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/04—Fixed inductances of the signal type with magnetic core
- H01F17/06—Fixed inductances of the signal type with magnetic core with core substantially closed in itself, e.g. toroid
- H01F17/062—Toroidal core with turns of coil around it
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/24—Magnetic cores
- H01F27/245—Magnetic cores made from sheets, e.g. grain-oriented
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/24—Magnetic cores
- H01F27/26—Fastening parts of the core together; Fastening or mounting the core on casing or support
- H01F27/263—Fastening parts of the core together
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F3/00—Cores, Yokes, or armatures
- H01F3/02—Cores, Yokes, or armatures made from sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
- H01F41/042—Printed circuit coils by thin film techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
- H01F41/046—Printed circuit coils structurally combined with ferromagnetic material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
本願は、２０１８年１０月３０日に提出された、出願番号が２０１８１１２７８３０８．７であり、発明の名称が「ＭＥＭＳ環状ソレノイドトランス及びその製造方法」である中国特許出願、および２０１８年１０月３０日に提出された、出願番号が２０１８１１２７８３２１．２であり、発明の名称が「ＭＥＭＳ回字状ソレノイドトランス及びその製造方法」である中国特許出願を引用し、その全体が参照により本願に組み込まれる。
本願の実施例は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）技術分野に関し、より具体的には、ＭＥＭＳソレノイドトランス及びその製造方法に関する。
微小電気機械システム（Ｍｉｃｒｏ－Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ、ＭＥＭＳ）のマイクロトランスは、電磁誘導原理を利用して電気エネルギーを２つの回路の間で伝達するものであって、磁心と巻線で構成され、従来のトランスに比べて、磁心のサイズが大幅に縮小され、巻線の形態も変化する。マイクロトランスは、マイクロ電子機器、情報機器において広く応用され、電圧変換、電流変換、インピーダンス変換、隔離、電圧安定化などの役割を果たすことができる。
現在、ＭＥＭＳプロセスに基づくマイクロトランスは、主に平面螺旋型とソレノイド型という２種類に分けられている。その中、平面螺旋型トランスの構造は、巻線の巻数が多くなるにつれて、コイル直径が大きくなり、鉄心に沿った総磁束量は線形的に増加せず、増加量が徐々に減少するため、このような構造の巻数は一般的に限られており、その結果、このようなトランスの総電力の向上にはボトルネックがある。ソレノイド型トランスは、巻線巻数の制限を克服し、基板内部の垂直空間を十分に利用し、同様のトランス電力を取得する時、占有するチップ表面空間がより小さくなり、トランスの小型化のさらなる発展に有利である。
然しながら、現在、ＭＥＭＳプロセスに基づくマイクロトランスは、薄膜製造プロセスを採用することが多く、薄膜製造プロセスはアディティブ製造方法であるため、得られたマイクロトランスのほとんどの構造は基板表面の上方にある。その結果、トランスの強度を確保することが困難であり、薄膜プロセスで作製されたトランスの導線面積が小さく、大電流を流すことができず、その動作電力の更なる向上が制限されてしまう。それと共に、薄膜製造プロセスを採用することで得られた垂直高さが限られたため、トランスの巻線断面積が小さくなり、その結果、トランスのインダクタンス値が低くなり、かつ磁束量が小さくなってしまい。
本願の実施例は、上記の問題を克服する、或いは少なくとも部分的に解決するＭＥＭＳ環状ソレノイドトランスおよびその製造方法を提供する。
一態様では、本願の実施例は、ＭＥＭＳソレノイドトランスを提供し、当該ＭＥＭＳソレノイドトランスは、シリコン基板と、軟磁性鉄心と、第１のソレノイドと、第２のソレノイドとを備え、前記軟磁性鉄心は、前記シリコン基板の内部に包まれ、前記シリコン基板には、第１の螺旋孔路と第２の螺旋孔路が設けられ、かつ前記軟磁性鉄心の２つの対向する辺はそれぞれ前記第１の螺旋孔路の中心と前記第２の螺旋孔路の中心を通過し、前記第１のソレノイド及び前記第２のソレノイドは、それぞれ前記第１の螺旋孔路と前記第２の螺旋孔路の内に設けられており、前記軟磁性鉄心は、環状軟磁性鉄心又は回示状軟磁性鉄心である。
さらに、前記シリコン基板は上シリコン基板と下シリコン基板に分けられており、前記軟磁性鉄心は上鉄心と下鉄心に分けられ、かつ前記上鉄心と前記下鉄心の形状は同じであり、前記上シリコン基板の下面には、前記上鉄心の形状に対応する鉄心溝が設けられ、前記下シリコン基板の上面には、前記下鉄心の形状に対応する鉄心溝が設けられ、前記上鉄心と前記下鉄心はそれぞれ、対応する鉄心溝に設けられ、かつ前記上シリコン基板の下面と前記下シリコン基板の上面とが互いにボンディングされており、前記上鉄心の下面と前記下鉄心の上面とが互いに位置合わせされている。
さらに、前記第１の螺旋孔路と前記第２の螺旋孔路はそれぞれ、複数本の第１の水平溝、複数本の第２の水平溝、及び複数の鉛直貫通孔を有しており、前記第１の水平溝は前記シリコン基板の上面に設けられ、前記第２の水平溝は前記シリコン基板の下面に設けられ、前記鉛直貫通孔は前記シリコン基板の上面及び下面を貫通しており、前記第１の螺旋孔路と前記第２の螺旋孔路におけるいずれか１つの前記第１の水平溝の頭と尾は、それぞれ２つの鉛直貫通孔に連通し、かつ前記２つの鉛直貫通孔は、それぞれ２つの隣接する第２の水平溝に連通する。
さらに、４つのピンと４つのピン溝をさらに備え、前記４つのピン溝は前記シリコン基板の上面に設けられ、前記４つのピン溝のうちの２つのピン溝はそれぞれ前記第１の螺旋孔路の頭と尾に連通し、前記４つのピン溝のうちの他の２つのピン溝はそれぞれ前記第２の螺旋孔路の頭と尾に連通し、前記４つのピンはそれぞれ前記４つのピン溝に設けられている。
さらに、前記軟磁性鉄心は、鉄ニッケル合金材料または鉄コバルト合金材料で作製されている。
さらに、前記第１のソレノイドと前記第２のソレノイドは、金属銅で作製されている。
別の態様では、本願の実施例は、ＭＥＭＳソレノイドトランスの製造方法を提供し、当該方法は、上シリコン基板と下シリコン基板をそれぞれに作製するステップ１であって、前記上シリコン基板を作製することは、第１のプリセット厚さの第１のシリコンウェハに対して第１回目の熱酸化を行うことと、第１の螺旋孔路及び第２の螺旋孔路の構造及び相対位置に応じて、第１回目酸化された前記第１のシリコンウェハの上面、内部及び下面のそれぞれに、複数本の第１の水平溝、複数の鉛直貫通孔の上半分、及び鉄心溝をディープシリコンエッチングすることと、ディープシリコンエッチングにより得られた前記第１のシリコンウェハに対して第２回目の熱酸化を行って、前記上シリコン基板を得ることと、を含み、前記下シリコン基板を作製することは、第１のプリセット厚さの第２のシリコンウェハに対して第１回目の熱酸化を行うことと、第１の螺旋孔路及び第２の螺旋孔路の構造及び相対位置に応じて、第１回目酸化された前記第２のシリコンウェハの上面、内部及び下面のそれぞれに、鉄心溝、複数の鉛直貫通孔の下半分、及び複数本の第２の水平溝をディープシリコンエッチングすることと、前記第２のシリコンウェハに対して第２回目の熱酸化を行って、前記下シリコン基板を得ることと、を含むステップ１と、前記上シリコン基板と前記下シリコン基板のそれぞれの鉄心溝内に、上鉄心と下鉄心をめっき形成するステップ２と、前記上シリコン基板の上面と前記下シリコン基板の下面を対向して設置し、かつ前記上鉄心の下面と前記下鉄心の上面を互いに位置合わせさせた後、前記上シリコン基板と前記下シリコン基板を低温でボンディングし、ボンディングされた前記上シリコン基板と前記下シリコン基板に前記第１の螺旋孔路と前記第２の螺旋孔路を形成するステップ３と、前記第１の螺旋孔路と前記第２の螺旋孔路の内に第１のソレノイドと第２のソレノイドをめっき形成して、ＭＥＭＳソレノイドトランスを得るステップ４と、を含む。
さらに、前記上シリコン基板の鉄心溝内に上鉄心をめっき形成することは、具体的に、鉄心溝パターン付きのメタルマスクを前記上シリコン基板の下面における鉄心溝に位置合わせした後、前記メタルマスクを前記上シリコン基板の下面に密着させることと、前記上シリコン基板の下面に、シード層として、第２のプリセット厚さの金属ニッケルまたは金属コバルトをマグネトロンスパッタリングした後、前記上シリコン基板の鉄心溝内に、第３のプリセット厚さの鉄ニッケル合金または鉄コバルト合金をめっきして、上鉄心を得ることと、を含み、それに対応して、前記下シリコン基板の鉄心溝内に下鉄心をめっき形成することは、具体的に、鉄心溝パターン付きのメタルマスクを前記下シリコン基板の上面における鉄心溝に位置合わせした後、前記メタルマスクを前記下シリコン基板の上面に密着させることと、前記下シリコン基板の上面に、シード層として、第２のプリセット厚さの金属ニッケルまたは金属コバルトをマグネトロンスパッタリングした後、前記下シリコン基板の鉄心溝内に第３のプリセット厚さの鉄ニッケル合金または鉄コバルト合金をめっきして、下鉄心を得ることと、を含む。
さらに、前記第１の螺旋孔路と前記第２の螺旋孔路の内に第１のソレノイドと第２のソレノイドをめっき形成することは、具体的に、前記下シリコン基板の下面に、中間層として、第４のプリセット厚さの金属チタンをマグネトロンスパッタリングし、前記中間層に、シード層として、第５のプリセット厚さの金属銅をマグネトロンスパッタリングし、さらに前記第１の螺旋孔路および前記第２の螺旋孔路の第２の溝と鉛直貫通孔の内に、金属銅が第１の溝の下平面の位置に充填されるまで金属銅をめっきすることと、前記上シリコン基板の上面に、シード層として金属銅をマグネトロンスパッタリングした後、前記第１の螺旋孔路と前記第２の螺旋孔路が完全に金属銅で充填されて満たされるまで金属銅をめっきして、前記第１のソレノイドと前記第２のソレノイドを得ることと、を含む。
さらに、前記上シリコン基板を作製することは、４つのピンの構造と位置に応じて、第１回目酸化された前記第１のシリコンウェハの上面に４つのピン溝をディープシリコンエッチングすることをさらに含み、それに対応して、ステップＳ４では、前記４つのピン溝に前記４つのピンをめっき形成することをさらに含む。
本願の実施例によって提供されるＭＥＭＳ回字状ソレノイドトランス及びその製造方法は、トランスの回字状軟磁性鉄心又は環状軟磁性鉄心、第１のソレノイド及び第２のソレノイドをすべてシリコン基板の内部に設けることにより、シリコン基板の厚さを十分に利用し、得られたトランスの巻線断面積をより大きくし、磁束量をより大きくすることで、トランスのインダクタンス値がより高くなる。それと共に、シリコン基板は、軟磁性鉄心、第１のソレノイド及び第２のソレノイドに対する保護作用を果たし、トランスの強度を向上させることができ、耐衝撃性に優れる。
本願の実施例または従来技術における技術案をより明確に説明するために、以下、実施例または従来技術の説明に必要な図面を簡単に説明する。勿論、以下に説明する図面は、本願のいくつかの実施例であり、当業者にとって、創造的な労働を要しない前提で、更にこれらの図面に基づいてその他の図面を得ることができる。
本願の実施例によって提供されるＭＥＭＳ環状ソレノイドトランスの構造の模式的斜視図である。
本願の実施例における上シリコン基板の構造の一つの模式的斜視図である。
本願の実施例における下シリコン基板の構造の一つの模式的斜視図である。
本願の実施例によって提供されるＭＥＭＳ回字状ソレノイドトランスの構造の模式的斜視図である。
本願の実施例における上シリコン基板の構造のもう一つの模式的斜視図である。
本願の実施例における下シリコン基板の構造のもう一つの模式的斜視図である。
本願の実施例によって提供される例におけるＭＥＭＳ環状ソレノイドトランスの製造プロセスのステップ（１）－（６）の模式的断面図である。
本願の実施例によって提供される例におけるＭＥＭＳ環状ソレノイドトランスの製造プロセスのステップ（７）－（１２）の模式的断面図である。
本願の実施例によって提供される例におけるＭＥＭＳ環状ソレノイドトランスの製造プロセスのステップ（１３）－（１７）の模式的断面図である。
以下、本願の実施例の目的、技術案及び利点をより明確にするために、本願の実施例における図面を参照しながら、本願の実施例における技術案を明確に説明する。勿論、説明する実施例はすべての実施例ではなく、本願の実施例の一部の実施例に過ぎない。当業者が本願における実施例に基づいて創造的な労働をしない前提で得たすべての他の実施例は、本発明の保護範囲に含まれる。
本願において説明するＭＥＭＳソレノイドトランスは、具体的に、環状軟磁性鉄心または回字状軟磁性鉄心を備えることができる。
図１は、本願の実施例によって提供されるＭＥＭＳ環状ソレノイドトランスの構造の模式的斜視図であり、図１に示すように、当該ＭＥＭＳ環状ソレノイドトランスは、シリコン基板１と、環状軟磁性鉄心２と、第１のソレノイド３と、第２のソレノイド４とを備え、環状軟磁性鉄心２は、シリコン基板１の内部に包まれ、図２および図３に示すように、シリコン基板１には、第１の螺旋孔路と第２の螺旋孔路が設けられ、かつ環状軟磁性鉄心２の２つの対向する辺はそれぞれ第１の螺旋孔路の中心と第２の螺旋孔路の中心を通過し、第１のソレノイド３及び第２のソレノイド４は、それぞれ第１の螺旋孔路と第２の螺旋孔路の内に設けられている。
その中、第１の螺旋孔路と第２の螺旋孔路は、いずれもシリコン基板１に設けられているため、それぞれ第１の螺旋孔路と第２の螺旋孔路の内に設けられている第１のソレノイド３及び第２のソレノイド４もシリコン基板１の内部に設けられている。即ち、トランスの環状軟磁性鉄心２、第１のソレノイド３及び第２のソレノイド４は、いずれもシリコン基板１の内部に設けられている。
具体的には、第１のソレノイド３と第１の螺旋孔路は同じ形状であり、第２のソレノイド４と第２の螺旋孔路は同じ形状であり、かつ第１のソレノイド３及び第２のソレノイド４は、それぞれ第１の螺旋孔路及び第２の螺旋孔路に設けられている。環状軟磁性鉄心２の２つの対向する辺はそれぞれ第１の螺旋孔路の中心と第２の螺旋孔路の中心を通過しているため、環状軟磁性鉄心２の２つの対向する辺もそれぞれ第１のソレノイド３と第２のソレノイド４の中心を通過している。トランスの動作時に、第１のソレノイド３はトランスの一次巻線であり、第２のソレノイド４はトランスの二次巻線であり、第１のソレノイド３の頭と尾の両端はトランスの入力端を構成し、第２のソレノイド４の頭と尾の両端はトランスの出力端を構成する。理解できるように、トランスの変圧比は、第１のソレノイド３および第２のソレノイド４の巻数によって決定される。
本願の実施例によって提供されるＭＥＭＳ環状ソレノイドトランスは、トランスの環状軟磁性鉄心、第１のソレノイド及び第２のソレノイドをすべてシリコン基板の内部に設けることにより、シリコン基板の厚さを十分に利用し、得られたトランスの巻線断面積をより大きくし、磁束量をより大きくすることで、トランスのインダクタンス値がより高くなる。それと共に、シリコン基板は、環状軟磁性鉄心、第１のソレノイド及び第２のソレノイドに対する保護作用を果たし、トランスの強度を向上させることができ、耐衝撃性に優れる。
上記の実施例において、図１－図３に示すように、シリコン基板１は上シリコン基板１１と下シリコン基板１２に分けられており、環状軟磁性鉄心２は上鉄心２１と下鉄心２２に分けられ、かつ上鉄心２１と下鉄心２２の形状は同じである。上シリコン基板１１の下面には、上鉄心２１の形状に対応する鉄心溝が設けられ、下シリコン基板１２の上面には、下鉄心２２の形状に対応する鉄心溝が設けられ、上鉄心２１と下鉄心２２はそれぞれ、対応する鉄心溝に設けられ、かつ上シリコン基板１１の下面と下シリコン基板１２の上面とが互いにボンディングされており、上鉄心２１の下面と下鉄心２２の上面とが互いに位置合わせされている。
その中、上鉄心２１と下鉄心２２は、同じ形状を有する２つの鉄心であり、環状軟磁性鉄心２が鉛直方向に二等分されて形成され、両者の形状も環状であり、厚さは環状軟磁性鉄心２の半分である。同様に、上シリコン基板１１と下シリコン基板１２は、シリコン基板１が鉛直方向に二等分されて形成され、両者は対称に配置されている。
シリコン基板と環状軟磁性鉄心をそれぞれ２つの部分に二等分することにより、トランス全体の加工を容易にすると同時に、環状軟磁性鉄心を上鉄心と下鉄心の２つの部分に分けることにより、鉄心内の渦電流損失を低減し、トランスの効率をさらに向上させることができる。
上記の実施例において、図２及び図３に示すように、第１の螺旋孔路と第２の螺旋孔路はそれぞれ、複数本の第１の水平溝３１’、複数本の第２の水平溝３２’、及び複数の鉛直貫通孔３３’を有する。第１の水平溝３１’はシリコン基板１の上面に設けられ、第２の水平溝３２’はシリコン基板１の下面に設けられ、鉛直貫通孔３３’はシリコン基板の上面及び下面を貫通しており、第１の螺旋孔路と第２の螺旋孔路におけるいずれか１つの第１の水平溝３１’の頭と尾は、それぞれ２つの鉛直貫通孔３３’に連通し、かつ２つの鉛直貫通孔３３’は、それぞれ２つの隣接する第２の水平溝３２’に連通する。
その中、シリコン基板１が上シリコン基板１１と下シリコン基板１２に分けられる場合、各鉛直貫通孔３３’も上シリコン基板１１と下側シリコン基板１２にそれぞれ位置する２つの部分に分けられる。
具体的に、一つの螺旋孔路内において、複数の第１の水平溝３１’と複数の第２の水平溝３２’は、複数の鉛直貫通孔３３’を介して連通している。理解できるように、鉛直貫通孔３３’は直線状または円弧状であってもよく、第１の水平溝３１’および第２の水平溝３２’も直線状または円弧状であってもよい。
上記の実施例において、図１に示すように、トランスは、４つのピン５と４つのピン溝５’をさらに備え、４つのピン溝５’はシリコン基板１の上面に設けられ、４つのピン溝５’のうちの２つのピン溝５’はそれぞれ第１の螺旋孔路の頭と尾に連通し、４つのピン溝５’のうちの他の２つのピン溝５’はそれぞれ第２の螺旋孔路の頭と尾に連通し、４つのピン５はそれぞれ４つのピン溝５’に設けられている。
具体的には、４つのピン溝５’のうちの２つのピン溝５’はそれぞれ第１の螺旋孔路の頭と尾に連通し、４つのピン溝５’のうちの他の２つのピン溝５’はそれぞれ第２螺旋孔路の頭と尾に連通しているため、４つのピン５のうちの２つのピン５はそれぞれ第１のソレノイド３の頭と尾に接続され、４つのピン５のうちの他の２つのピン５はそれぞれ第２のソレノイド４の頭と尾に接続される。トランスの動作時に、４つのピン５のうちの２つのピン５はトランスの入力端を構成し、４つのピン５のうちの他の２つのピン５はトランスの出力端を構成する。
上記実施例において、環状軟磁性鉄心２は、鉄ニッケル合金材料または鉄コバルト合金材料で作製されている。
上記実施例において、第１のソレノイド３と第２のソレノイド４は、金属銅で作製されている。
図４は、本願の実施例によって提供されるＭＥＭＳ回字状ソレノイドトランスの構造の模式的斜視図であり、図４に示すように、当該ＭＥＭＳ回字状ソレノイドトランスは、シリコン基板１と、回字状軟磁性鉄心２’と、第１のソレノイド３と、第２のソレノイド４とを備え、回字状軟磁性鉄心２’は、シリコン基板１の内部に包まれ、図５および図６に示すように、シリコン基板１には、第１の螺旋孔路と第２の螺旋孔路が設けられ、かつ回字状軟磁性鉄心２’の２つの対向する辺はそれぞれ第１の螺旋孔路の中心と第２の螺旋孔路の中心を通過し、第１のソレノイド３及び第２のソレノイド４は、それぞれ第１の螺旋孔路と第２の螺旋孔路の内に設けられている。
その中、第１の螺旋孔路と第２の螺旋孔路は、いずれもシリコン基板１に設けられているため、それぞれ第１の螺旋孔路と第２の螺旋孔路の内に設けられている第１のソレノイド３及び第２のソレノイド４もシリコン基板１の内部に設けられている。即ち、トランスの回字状軟磁性鉄心２’、第１のソレノイド３及び第２のソレノイド４は、いずれもシリコン基板１の内部に設けられている。
具体的には、第１のソレノイド３と第１の螺旋孔路は同じ形状であり、第２のソレノイド４と第２の螺旋孔路は同じ形状であり、かつ第１のソレノイド３及び第２のソレノイド４は、それぞれ第１の螺旋孔路及び第２の螺旋孔路に設けられている。回字状軟磁性鉄心２’の２つの対向する辺はそれぞれ第１の螺旋孔路の中心と第２の螺旋孔路の中心を通過しているため、回字状軟磁性鉄心２’の２つの対向する辺もそれぞれ第１のソレノイド３と第２のソレノイド４の中心を通過している。トランスの動作時に、第１のソレノイド３はトランスの一次巻線であり、第２のソレノイド４はトランスの二次巻線であり、第１のソレノイド３の頭と尾の両端はトランスの入力端を構成し、第２のソレノイド４の頭と尾の両端はトランスの出力端を構成する。理解できるように、トランスの変圧比は、第１のソレノイド３および第２のソレノイド４の巻数によって決定される。
シリコン基板１は上シリコン基板１１と下シリコン基板１２に分けられており、回字状軟磁性鉄心２’は上鉄心２１と下鉄心２２に分けられ、かつ上鉄心２１と下鉄心２２の形状は同じである。上シリコン基板１１の下面には、上鉄心２１の形状に対応する鉄心溝が設けられ、下シリコン基板１２の上面には、下鉄心２２の形状に対応する鉄心溝が設けられ、上鉄心２１と下鉄心２２はそれぞれ、対応する鉄心溝に設けられ、かつ上シリコン基板１１の下面と下シリコン基板１２の上面とが互いにボンディングされており、上鉄心２１の下面と下鉄心２２の上面とが互いに位置合わせされている。
その中、上鉄心２１と下鉄心２２は、同じ形状を有する２つの鉄心であり、回字状軟磁性鉄心２’が鉛直方向に二等分されて形成され、両者の形状も回字状であり、厚さは回字状軟磁性鉄心２’の半分である。同様に、上シリコン基板１１と下シリコン基板１２は、シリコン基板１が鉛直方向に二等分されて形成され、両者は対称に配置されている。
シリコン基板と回字状軟磁性鉄心をそれぞれ２つの部分に二等分することにより、トランス全体の加工を容易にすると同時に、回字状軟磁性鉄心を上鉄心と下鉄心の２つの部分に分けることにより、鉄心内の渦電流損失を低減し、トランスの効率をさらに向上させることができる。
上記の実施例において、図５及び図６に示すように、第１の螺旋孔路と第２の螺旋孔路はそれぞれ、複数本の第１の水平溝３１’、複数本の第２の水平溝３２’、及び複数の鉛直貫通孔３３’を有する。第１の水平溝３１’はシリコン基板１の上面に設けられ、第２の水平溝３２’はシリコン基板１の下面に設けられ、前記鉛直貫通孔３３’は前記シリコン基板の上面及び下面を貫通しており、第１の螺旋孔路と第２の螺旋孔路のいずれか１つの第１の水平溝３１’の頭と尾は、それぞれ２つの鉛直貫通孔３３’に連通し、かつ２つの鉛直貫通孔３３’は、それぞれ２つの隣接する第２の水平溝３２’に連通する。
その中、シリコン基板１が上シリコン基板１１と下シリコン基板１２に分けられる場合、各鉛直貫通孔３３’も上シリコン基板１１と下側シリコン基板１２にそれぞれ位置する２つの部分に分けられる。
具体的に、一つの螺旋孔路内において、複数の第１の水平溝３１’は互いに平行に設けられており、複数の第２の水平溝３２’も互いに平行に設けられており、かつ複数の鉛直貫通孔３３’を介して連通している。理解できるように、鉛直貫通孔３３’は直線状または円弧状であってもよく、第１の水平溝３１’および第２の水平溝３２’も直線状または円弧状であってもよい。
上記の実施例において、図１に示すように、トランスは、４つのピン５と４つのピン溝５’をさらに備え、４つのピン溝５’はシリコン基板１の上面に設けられ、４つのピン溝５’のうちの２つのピン溝５’はそれぞれ第１の螺旋孔路の頭と尾に連通し、４つのピン溝５’のうちの他の２つのピン溝５’はそれぞれ第２の螺旋孔路の頭と尾に連通し、４つのピン５はそれぞれ４つのピン溝５’に設けられている。
具体的には、４つのピン溝５’のうちの２つのピン溝５’はそれぞれ第１の螺旋孔路の頭と尾に連通し、４つのピン溝５’のうちの他の２つのピン溝５’はそれぞれ第２螺旋孔路の頭と尾に連通しているため、４つのピン５のうちの２つのピン５はそれぞれ第１のソレノイド３の頭と尾に接続され、４つのピン５のうちの他の２つのピン５はそれぞれ第２のソレノイド４の頭と尾に接続される。トランスの動作時に、４つのピン５のうちの２つのピン５はトランスの入力端を構成し、４つのピン５のうちの他の２つのピン５はトランスの出力端を構成する。
上記実施例において、回字状軟磁性鉄心２’は、鉄ニッケル合金材料または鉄コバルト合金材料で作製されている。
上記実施例において、第１のソレノイド３と第２のソレノイド４は、金属銅で作製されている。
本願の実施例は、ＭＥＭＳソレノイドトランスの製造方法を提供し、当該方法は、上シリコン基板と下シリコン基板をそれぞれに作製するステップ１であって、上記上シリコン基板を作製することは、第１のプリセット厚さの第１のシリコンウェハに対して第１回目の熱酸化を行うことと、第１の螺旋孔路及び第２の螺旋孔路の構造及び相対位置に応じて、第１回目酸化された上記第１のシリコンウェハの上面、内部及び下面のそれぞれに、複数本の第１の水平溝、複数の鉛直貫通孔の上半分、及び鉄心溝をディープシリコンエッチングすることと、ディープシリコンエッチングにより得られた上記第１のシリコンウェハに対して第２回目の熱酸化を行って、上記上シリコン基板を得ることと、を含み、上記下シリコン基板を作製することは、第１のプリセット厚さの第２のシリコンウェハに対して第１回目の熱酸化を行うことと、第１の螺旋孔路及び第２の螺旋孔路の構造及び相対位置に応じて、第１回目酸化された上記第２のシリコンウェハの上面、内部及び下面のそれぞれに、鉄心溝、複数の鉛直貫通孔の下半分、及び複数本の第２の水平溝をディープシリコンエッチングすることと、上記第２のシリコンウェハに対して第２回目の熱酸化を行って、上記下シリコン基板を得ることと、を含むステップ１と、上記上シリコン基板と上記下シリコン基板のそれぞれの鉄心溝内に、上鉄心と下鉄心をめっき形成するステップ２と、上記上シリコン基板の上面と上記下シリコン基板の下面を対向して設置し、かつ上記上鉄心の下面と上記下鉄心の上面を互いに位置合わせさせた後、上記上シリコン基板と上記下シリコン基板を低温でボンディングし、ボンディングされた上記上シリコン基板と上記下シリコン基板に上記第１の螺旋孔路と上記第２の螺旋孔路を形成するステップ３と、上記第１の螺旋孔路と上記第２の螺旋孔路の内に第１のソレノイドと第２のソレノイドをめっき形成して、ＭＥＭＳソレノイドトランスを得るステップ４と、を含む。
その中、ステップＳ１において、上シリコン基板１１と下シリコン基板１２との構造上の差異は、実質的に、上シリコン基板１１の上面に第１の水平溝３１’が設けられており、下シリコン基板１２の下面に第２の水平溝３２’が設けられていることのみであり、他の部分の構造はすべて同じであり、かつ上シリコン基板１１と下シリコン基板１２は対称的に設けられており、両者がボンディングされる前のプロセスはほぼ同じである。
ステップＳ２において、上シリコン基板１１および下シリコン基板１２に、それぞれ上鉄心２１および下鉄心２２をめっき形成する。鉄心をシリコン基板内に完全に包まれる必要があるため、鉄心のめっきというステップは、上シリコン基板１１と下シリコン基板１２をボンディングする前に完了する。
ステップＳ３において、上シリコン基板１１と下シリコン基板１２をボンディングする際に、上鉄心２１と下鉄心２２の磁界が互いに協調していることを確保するために、上鉄心２１の下面と下鉄心２２の上面とが互いに位置合わせされていることを確保する必要がある。それと共に、上シリコン基板１１と下シリコン基板１２がボンディングされた後、この前に上シリコン基板１１と下シリコン基板１２にそれぞれ設けられた水平溝と鉛直貫通孔を組み合わせることで第１の螺旋孔路と上記第２の螺旋孔路を形成する。
ステップＳ４において、第１の螺旋孔路と上記第２の螺旋孔路を形成した後、それらの内に関連金属をめっきするだけで、第１のソレノイド３及び第２のソレノイド４を形成することができる。
具体的には、第１のシリコンウェハおよび第２のシリコンウェハは、厚さ１０００μｍの両面研磨シリコンウェハを採用し、且つ、トランス全体の絶縁性を高め、高周波での渦電流損失を低減するために、高抵抗率のシリコンウェハを採用することができる。第１のシリコンウェハと第２のシリコンウェハに対して熱酸化を行う場合、一般的に厚さ２μｍの熱酸化層を形成すればよい。軟磁性鉄心２、第１の螺旋孔路３および第２の螺旋孔路４の構造および相対位置に応じて、第１のシリコンウェハと第２のシリコンウェハに対してディープシリコンエッチングを行って上シリコン基板１１と下シリコン基板１２を得て、ここで熱酸化処理を行うことで、上シリコン基板１１と下シリコン基板１２をベースとしてトランスの他の構造の製作に用いることができる。次に、上シリコン基板１１および下シリコン基板１２の対応する位置において、めっきにより上鉄心２１および下鉄心２２を形成する。ボンディングにより上鉄心２１と下鉄心２２をシリコン基板１の内部に包み、完全な第１の螺旋孔路と第２の螺旋孔路を形成する。第１の螺旋孔路と第２の螺旋孔路の内に第１のソレノイド３と第２のソレノイド４をめっき形成することで、ＭＥＭＳソレノイドトランスの製造を完了する。
本願の実施例によって提供されるＭＥＭＳ環状ソレノイドトランスの製造方法は、シリコン基板を２つの対称な部分に分けて個別に作製し、ボンディングを行う前に鉄心のめっきを完成させ、ボンディングを行った後にソレノイドをめっき形成する。製造プロセス全体は、多層のディープシリコンエッチングを採用する必要がなく、加工のフォールトトレランス率を向上させ、良好な再現性を有し、得られたトランスは、構造の精度が高く、かつＩＣ半導体プロセスと互換性があり、大量生産に適用できる。この技術案により製造されたトランスは、シリコン基板の厚さを十分に利用し、得られたトランスの巻線断面積をより大きくし、磁束量をより大きくすることで、トランスのインダクタンス値が高くなる。それと共に、シリコン基板は、軟磁性鉄心およびソレノイドに対する保護作用を果たし、トランスの強度を向上させることができ、耐衝撃性に優れる。
上記の実施例において、上シリコン基板１１の鉄心溝内に上鉄心２１をめっき形成することは、具体的に、鉄心溝パターン付きのメタルマスクを上シリコン基板１１の下面における鉄心溝に位置合わせした後、メタルマスクを上シリコン基板１１の下面に密着させることと、上シリコン基板１１の下面に、シード層として、第２のプリセット厚さの金属ニッケルまたは金属コバルトをマグネトロンスパッタリングした後、上シリコン基板１１の鉄心溝内に、第３のプリセット厚さの鉄ニッケル合金または鉄コバルト合金をめっきして、上鉄心２１を得ることと、を含み、それに対応して、下シリコン基板１２の鉄心溝内に下鉄心２２をめっき形成することは、具体的に、鉄心溝パターン付きのメタルマスクを下シリコン基板１２の上面における鉄心溝に位置合わせした後、メタルマスクを下シリコン基板１２の上面に密着させることと、下シリコン基板１２の上面に、シード層として、第２のプリセット厚さの金属ニッケルまたは金属コバルトをマグネトロンスパッタリングした後、下シリコン基板１２の鉄心溝内に第３のプリセット厚さの鉄ニッケル合金または鉄コバルト合金をめっきして、下鉄心２２を得ることと、を含む。
その中、鉄心は鉄ニッケル合金を採用する場合、対応するシード層は金属ニッケルを採用する。鉄心は鉄コバルト合金を採用する場合、対応するシード層は金属コバルトを採用する。シード層の厚さ、即ち第２のプリセット厚さは、実際のプロセスの要求に応じて決定されることができる。上鉄心２１と下鉄心２２の厚さ、即ち第３のプリセット厚さは、鉄心溝の深さに応じて決定される。
具体的には、上鉄心２１と下鉄心２２の製作プロセスに用いられるプロセスは全く同じであり、ただし、両者の形成される位置が異なるため、両者を同時に個別に加工して製作することができる。
上記の実施例において、第１の螺旋孔路と第２の螺旋孔路の内に第１のソレノイド３と第２のソレノイド４をめっき形成することは、具体的に、上記下シリコン基板の下面に、中間層として、第４のプリセット厚さの金属チタンをマグネトロンスパッタリングし、上記中間層に、シード層として、第５のプリセット厚さの金属銅をマグネトロンスパッタリングし、さらに上記第１の螺旋孔路および上記第２の螺旋孔路の第２の溝と鉛直貫通孔の内に、金属銅が第１の溝の下平面の位置に充填されるまで金属銅をめっきすることと、上記上シリコン基板の上面に、シード層として金属銅をマグネトロンスパッタリングした後、上記第１の螺旋孔路と上記第２の螺旋孔路が完全に金属銅で充填されて満たされるまで金属銅をめっきして、上記第１のソレノイドと上記第２のソレノイドを得ることと、を含む。
上記の実施例において、上記上シリコン基板を作製することは、４つのピンの構造と位置に応じて、第１回目酸化された上記第１のシリコンウェハの上面に４つのピン溝をディープシリコンエッチングすることをさらに含み、それに対応して、ステップＳ４では、上記４つのピン溝に上記４つのピンをめっき形成することをさらに含む。
以下、ＭＥＭＳソレノイドトランスの製造方法について一例を挙げてさらに説明する。なお、以下の説明は、本願の実施例の一例に過ぎず、本願の実施例を限定するものではない。
図７－図９は、本願の実施例によって提供される例におけるＭＥＭＳ環状ソレノイドトランスの製造プロセスのステップ（１）－（１７）の模式的断面図であり、環状ソレノイドトランスまたは回字状ソレノイドトランスの製造に用いられ、具体的には、
（１）厚さ１０００μｍの両面研磨シリコンウェハを採用する。全体構造の絶縁性を高め、高周波での渦電流損失を低減するために、高抵抗率のシリコンウェハを採用する。シリコンウェハに対して熱酸化を行って、両面に厚さ２μｍの熱酸化層を生成する。
（２）フォトレジストを塗布し、上シリコン基板の上面に、第１の水平溝（鉛直貫通孔を覆う箇所）、接点パターンを露光し、下シリコン基板の上面に、鉛直貫通孔と第２の水平溝を露光し、上シリコン基板と下シリコン基板の下面に、それぞれ、鉄心溝パターンを露光し、第１の水平溝、第２の水平溝、及び鉛直貫通孔は、螺旋孔路を構成する。
（３）ＢＯＥ（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ Ｏｘｉｄｅ Ｅｔｃｈ、緩衝酸化物エッチング）溶液を用いて露出部位のシリカを除去し、シリカをパターン化する。
（４）第２回目のフォトレジストの塗布を行い、上シリコン基板と下シリコン基板の上面と下面に鉛直貫通孔パターンを露光する。
（５）上面と下面をディープシリコンエッチングし、一定の深さまでシリコン貫通孔パターンをエッチングする。
（６）ｐｉｒａｎｈａ溶液を用いてフォトレジストを除去する。
（７）酸化層をマスキング層として上面のエッチングを行い、鉛直貫通孔と上面の水平溝をエッチングする。酸化層をマスキング層として下面のエッチングを行い、鉄心のパターンをエッチングする。
（８）熱酸化を行って、厚さ２μｍの酸化層を形成する。
（９）鉄心溝パターン付きのメタルマスクの代わりに、その鉄心溝パターンを１、２号のシリコンウェハの下面における鉄心溝パターンと位置合わせして、シリコンウェハの下面に密着させる。
（１０）下面に、シード層として、１００ｎｍの金属ニッケルをマグネトロンスパッタリングする。
（１１）鉄ニッケル合金を底部から、シリコンウェハ表面からの１００ｕｍまで充填するように、鉄ニッケル合金をメッキする。
（１２）上シリコン基板と下シリコン基板の下面を対向させて、低温でシリコン直接ボンディングを行う。
（１３）下面に、中間層として、１００ｎｍの金属チタンをマグネトロンスパッタリングしてから、シード層として、５００ｎｍの金属銅をスパッタリングする。
（１４）メッキ銅を底部から頂部の水平導線の下平面の位置まで充填するように、金属銅をメッキする。
（１５）上面に、５００ｎｍの金属銅をマグネトロンスパッタリングする。
（１６）上面のすべての構造がメッキ銅で完全に覆われるように、金属銅をメッキする。
（１７）金属銅がシリコンウェハの熱酸化層の表面と同じ高さに達するまで、ＣＭＰ（化学機械研磨機）を用いて上面と下面の金属銅の薄化を行い、その後、表面をＣＭＰで研磨して、ＭＥＭＳマイクロトランスの製造を完了する。
（１）厚さ１０００μｍの両面研磨シリコンウェハを採用する。全体構造の絶縁性を高め、高周波での渦電流損失を低減するために、高抵抗率のシリコンウェハを採用する。シリコンウェハに対して熱酸化を行って、両面に厚さ２μｍの熱酸化層を生成する。
（２）フォトレジストを塗布し、上シリコン基板の上面に、第１の水平溝（鉛直貫通孔を覆う箇所）、接点パターンを露光し、下シリコン基板の上面に、鉛直貫通孔と第２の水平溝を露光し、上シリコン基板と下シリコン基板の下面に、それぞれ、鉄心溝パターンを露光し、第１の水平溝、第２の水平溝、及び鉛直貫通孔は、螺旋孔路を構成する。
（３）ＢＯＥ（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ Ｏｘｉｄｅ Ｅｔｃｈ、緩衝酸化物エッチング）溶液を用いて露出部位のシリカを除去し、シリカをパターン化する。
（４）第２回目のフォトレジストの塗布を行い、上シリコン基板と下シリコン基板の上面と下面に鉛直貫通孔パターンを露光する。
（５）上面と下面をディープシリコンエッチングし、一定の深さまでシリコン貫通孔パターンをエッチングする。
（６）ｐｉｒａｎｈａ溶液を用いてフォトレジストを除去する。
（７）酸化層をマスキング層として上面のエッチングを行い、鉛直貫通孔と上面の水平溝をエッチングする。酸化層をマスキング層として下面のエッチングを行い、鉄心のパターンをエッチングする。
（８）熱酸化を行って、厚さ２μｍの酸化層を形成する。
（９）鉄心溝パターン付きのメタルマスクの代わりに、その鉄心溝パターンを１、２号のシリコンウェハの下面における鉄心溝パターンと位置合わせして、シリコンウェハの下面に密着させる。
（１０）下面に、シード層として、１００ｎｍの金属ニッケルをマグネトロンスパッタリングする。
（１１）鉄ニッケル合金を底部から、シリコンウェハ表面からの１００ｕｍまで充填するように、鉄ニッケル合金をメッキする。
（１２）上シリコン基板と下シリコン基板の下面を対向させて、低温でシリコン直接ボンディングを行う。
（１３）下面に、中間層として、１００ｎｍの金属チタンをマグネトロンスパッタリングしてから、シード層として、５００ｎｍの金属銅をスパッタリングする。
（１４）メッキ銅を底部から頂部の水平導線の下平面の位置まで充填するように、金属銅をメッキする。
（１５）上面に、５００ｎｍの金属銅をマグネトロンスパッタリングする。
（１６）上面のすべての構造がメッキ銅で完全に覆われるように、金属銅をメッキする。
（１７）金属銅がシリコンウェハの熱酸化層の表面と同じ高さに達するまで、ＣＭＰ（化学機械研磨機）を用いて上面と下面の金属銅の薄化を行い、その後、表面をＣＭＰで研磨して、ＭＥＭＳマイクロトランスの製造を完了する。
上記の実施例は、本願の技術案を説明するためのものに過ぎず、限定するものではない。前述の実施例を参照して本願を詳細に説明したが、当業者であれば、前述の各実施例に記載された技術案を修正し、またはその一部の技術特徴を等価的に置き換えることができ、これらの修正または置き換えは、対応する技術案の本質を本願の各実施例の技術案の精神及び範囲から逸脱させるものではないと理解できるはずである。
１ シリコン基板
２ 環状軟磁性鉄心
２’ 回字状軟磁性鉄心
３ 第１のソレノイド
４ 第２のソレノイド
５ ピン
５’ ピン溝
１１ 上シリコン基板
１２ 下シリコン基板
２１ 上鉄心
２２ 下鉄心
３１’ 第１の水平溝
３２’ 第２の水平溝
３３’ 鉛直貫通孔
２ 環状軟磁性鉄心
２’ 回字状軟磁性鉄心
３ 第１のソレノイド
４ 第２のソレノイド
５ ピン
５’ ピン溝
１１ 上シリコン基板
１２ 下シリコン基板
２１ 上鉄心
２２ 下鉄心
３１’ 第１の水平溝
３２’ 第２の水平溝
３３’ 鉛直貫通孔
Claims (10)
- シリコン基板と、軟磁性鉄心と、第１のソレノイドと、第２のソレノイドとを備え、
前記軟磁性鉄心は、前記シリコン基板の内部に包まれた環状軟磁性鉄心または回字状軟磁性鉄心であり、
前記シリコン基板には、第１の螺旋孔路と第２の螺旋孔路が設けられており、
前記軟磁性鉄心の周回部分が前記第１の螺旋孔路に囲まれた空間と前記第２の螺旋孔路に囲まれた空間とを通過するように配置されることで、前記第１の螺旋孔路と前記第２の螺旋孔路が前記軟磁性鉄心の前記周回部分の周囲に巻き回すように形成されており、
前記第１のソレノイド及び前記第２のソレノイドは、それぞれ前記第１の螺旋孔路と前記第２の螺旋孔路の内に設けられていることを特徴とする、ＭＥＭＳソレノイドトランス。 - 前記シリコン基板は上シリコン基板と下シリコン基板に分けられており、前記軟磁性鉄心は上鉄心と下鉄心に分けられ、かつ前記上鉄心と前記下鉄心の形状は同じであり、
前記上シリコン基板の下面には、前記上鉄心の形状に対応する鉄心溝が設けられ、前記下シリコン基板の上面には、前記下鉄心の形状に対応する鉄心溝が設けられ、前記上鉄心と前記下鉄心はそれぞれ、対応する鉄心溝に設けられ、かつ前記上シリコン基板の下面と前記下シリコン基板の上面とが互いにボンディングされており、前記上鉄心の下面と前記下鉄心の上面とが互いに位置合わせされていることを特徴とする、請求項１に記載のＭＥＭＳソレノイドトランス。 - 前記第１の螺旋孔路と前記第２の螺旋孔路はそれぞれ、複数本の第１の水平溝、複数本の第２の水平溝、及び複数の鉛直貫通孔を有しており、
前記第１の水平溝は前記シリコン基板の上面に設けられ、前記第２の水平溝は前記シリコン基板の下面に設けられ、前記鉛直貫通孔は前記シリコン基板の上面及び下面を貫通しており、
前記第１の螺旋孔路と前記第２の螺旋孔路におけるいずれか１つの前記第１の水平溝の頭と尾は、それぞれ２つの鉛直貫通孔に連通し、かつ前記２つの鉛直貫通孔は、それぞれ２つの隣接する第２の水平溝に連通することを特徴とする、請求項１に記載のＭＥＭＳソレノイドトランス。 - ４つのピンと４つのピン溝をさらに備え、
前記４つのピン溝は前記シリコン基板の上面に設けられ、前記４つのピン溝のうちの２つのピン溝はそれぞれ前記第１の螺旋孔路の頭と尾に連通し、前記４つのピン溝のうちの他の２つのピン溝はそれぞれ前記第２の螺旋孔路の頭と尾に連通し、前記４つのピンはそれぞれ前記４つのピン溝に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載のＭＥＭＳソレノイドトランス。 - 前記軟磁性鉄心は、鉄ニッケル合金材料または鉄コバルト合金材料で作製されていることを特徴とする、請求項１に記載のＭＥＭＳソレノイドトランス。
- 前記第１のソレノイドと前記第２のソレノイドは、金属銅で作製されていることを特徴とする、請求項１に記載のＭＥＭＳソレノイドトランス。
- 請求項１乃至６のいずれか１項に記載のＭＥＭＳソレノイドトランスの製造方法であって、
上シリコン基板と下シリコン基板をそれぞれに作製するステップ１であって、前記上シリコン基板を作製することは、
第１のプリセット厚さの第１のシリコンウェハに対して第１回目の熱酸化を行うことと、
第１の螺旋孔路及び第２の螺旋孔路の構造及び相対位置に応じて、第１回目酸化された前記第１のシリコンウェハの上面、内部及び下面のそれぞれに、複数本の第１の水平溝、複数の鉛直貫通孔の上半分、及び鉄心溝をディープシリコンエッチングすることと、
ディープシリコンエッチングにより得られた前記第１のシリコンウェハに対して第２回目の熱酸化を行って、前記上シリコン基板を得ることと、を含み、
前記下シリコン基板を作製することは、
第１のプリセット厚さの第２のシリコンウェハに対して第１回目の熱酸化を行うことと、
第１の螺旋孔路及び第２の螺旋孔路の構造及び相対位置に応じて、第１回目酸化された前記第２のシリコンウェハの上面、内部及び下面のそれぞれに、鉄心溝、複数の鉛直貫通孔の下半分、及び複数本の第２の水平溝をディープシリコンエッチングすることと、
前記第２のシリコンウェハに対して第２回目の熱酸化を行って、前記下シリコン基板を得ることと、を含むステップ１と、
前記上シリコン基板と前記下シリコン基板のそれぞれの鉄心溝内に、上鉄心と下鉄心をめっき形成するステップ２と、
前記上シリコン基板の上面と前記下シリコン基板の下面を対向して設置し、かつ前記上鉄心の下面と前記下鉄心の上面を互いに位置合わせさせた後、前記上シリコン基板と前記下シリコン基板を低温でボンディングし、ボンディングされた前記上シリコン基板と前記下シリコン基板に前記第１の螺旋孔路と前記第２の螺旋孔路を形成するステップ３と、
前記第１の螺旋孔路と前記第２の螺旋孔路の内に第１のソレノイドと第２のソレノイドをめっき形成して、ＭＥＭＳソレノイドトランスを得るステップ４と、を含むことを特徴とする、ＭＥＭＳソレノイドトランスの製造方法。 - 前記上シリコン基板の鉄心溝内に上鉄心をめっき形成することは、具体的に、
鉄心溝パターン付きのメタルマスクを前記上シリコン基板の下面における鉄心溝に位置合わせした後、前記メタルマスクを前記上シリコン基板の下面に密着させることと、
前記上シリコン基板の下面に、シード層として、第２のプリセット厚さの金属ニッケルまたは金属コバルトをマグネトロンスパッタリングした後、前記上シリコン基板の鉄心溝内に、第３のプリセット厚さの鉄ニッケル合金または鉄コバルト合金をめっきして、上鉄心を得ることと、を含み、
それに対応して、前記下シリコン基板の鉄心溝内に下鉄心をめっき形成することは、具体的に、
鉄心溝パターン付きのメタルマスクを前記下シリコン基板の上面における鉄心溝に位置合わせした後、前記メタルマスクを前記下シリコン基板の上面に密着させることと、
前記下シリコン基板の上面に、シード層として、第２のプリセット厚さの金属ニッケルまたは金属コバルトをマグネトロンスパッタリングした後、前記下シリコン基板の鉄心溝内に第３のプリセット厚さの鉄ニッケル合金または鉄コバルト合金をめっきして、下鉄心を得ることと、を含むことを特徴とする、請求項７に記載の方法。 - 前記第１の螺旋孔路と前記第２の螺旋孔路の内に第１のソレノイドと第２のソレノイドをめっき形成することは、具体的に、
前記下シリコン基板の下面に、中間層として、第４のプリセット厚さの金属チタンをマグネトロンスパッタリングし、前記中間層に、シード層として、第５のプリセット厚さの金属銅をマグネトロンスパッタリングし、さらに前記第１の螺旋孔路および前記第２の螺旋孔路の第２の溝と鉛直貫通孔の内に、金属銅が第１の溝の下平面の位置に充填されるまで金属銅をめっきすることと、
前記上シリコン基板の上面に、シード層として金属銅をマグネトロンスパッタリングした後、前記第１の螺旋孔路と前記第２の螺旋孔路が完全に金属銅で充填されて満たされるまで金属銅をめっきして、前記第１のソレノイドと前記第２のソレノイドを得ることと、を含むことを特徴とする、請求項７に記載の方法。 - 前記上シリコン基板を作製することは、
４つのピンの構造と位置に応じて、第１回目酸化された前記第１のシリコンウェハの上面に４つのピン溝をディープシリコンエッチングすることをさらに含み、
それに対応して、ステップＳ４では、前記４つのピン溝に前記４つのピンをめっき形成することをさらに含むことを特徴とする、請求項７に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811278308.7A CN109390144B (zh) | 2018-10-30 | 2018-10-30 | 一种mems环形螺线管变压器及其制造方法 |
| CN201811278321.2 | 2018-10-30 | ||
| CN201811278321.2A CN109599249B (zh) | 2018-10-30 | 2018-10-30 | 一种mems回形螺线管变压器及其制造方法 |
| CN201811278308.7 | 2018-10-30 | ||
| PCT/CN2019/095066 WO2020087973A1 (zh) | 2018-10-30 | 2019-07-08 | 一种mems螺线管变压器及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022519968A JP2022519968A (ja) | 2022-03-28 |
| JP7378166B2 true JP7378166B2 (ja) | 2023-11-13 |
Family
ID=70462508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021523612A Active JP7378166B2 (ja) | 2018-10-30 | 2019-07-08 | Ｍｅｍｓソレノイドトランス及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210358688A1 (ja) |
| JP (1) | JP7378166B2 (ja) |
| WO (1) | WO2020087973A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112016204B (zh) * | 2020-08-27 | 2022-04-26 | 西南交通大学 | 一种考虑自耦变压器卷铁心材料非线性磁性能的涡流损耗分析方法 |
| CN115954339B (zh) * | 2023-03-10 | 2023-07-07 | 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) | 一种硅基片上电感及其制作方法 |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002100733A (ja) | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Nec Corp | 高周波集積回路装置 |
| JP2002525846A (ja) | 1998-09-10 | 2002-08-13 | ブアンズ・インコーポレイテッド | 一体型の誘導性素子及びその製造方法 |
| US20030011458A1 (en) | 2001-07-12 | 2003-01-16 | Custom One Design, Inc. | Planar inductors and method of manufacturing thereof |
| JP2004006458A (ja) | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Canon Inc | コイル |
| US20050093669A1 (en) | 2000-03-10 | 2005-05-05 | Ahn Kie Y. | Integrated circuit inductor with a magnetic core |
| JP2005197638A (ja) | 2003-12-30 | 2005-07-21 | Hynix Semiconductor Inc | 高周波半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007214348A (ja) | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気誘導素子およびその製造方法 |
| US20080186124A1 (en) | 2006-11-14 | 2008-08-07 | Schaffer Christopher P | Wire-less inductive devices and methods |
| JP2009135325A (ja) | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | インダクタンス素子及びその製造方法 |
| JP2009135326A (ja) | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | インダクタンス素子及びその製造方法 |
| US20090322461A1 (en) | 2008-06-30 | 2009-12-31 | Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. | Planar grooved power inductor structure and method |
| JP2011114033A (ja) | 2009-11-24 | 2011-06-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | トランス |
| JP2013084914A (ja) | 2011-09-26 | 2013-05-09 | Kobe Steel Ltd | 配線構造およびその製造方法 |
| JP2013527620A (ja) | 2010-05-26 | 2013-06-27 | タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション | 平面インダクタデバイス |
| JP2018046181A (ja) | 2016-09-15 | 2018-03-22 | 大日本印刷株式会社 | インダクタおよびインダクタの製造方法 |
| JP2022506295A (ja) | 2018-10-30 | 2022-01-17 | 北京航空航天大学 | Ｍｅｍｓソレノイドインダクタ及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4777465A (en) * | 1986-04-28 | 1988-10-11 | Burr-Brown Corporation | Square toroid transformer for hybrid integrated circuit |
| JPH0377360A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2016051765A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 株式会社村田製作所 | インダクタ部品 |
| CN109599249B (zh) * | 2018-10-30 | 2020-11-10 | 北京航空航天大学 | 一种mems回形螺线管变压器及其制造方法 |
| CN109390144B (zh) * | 2018-10-30 | 2020-10-27 | 北京航空航天大学 | 一种mems环形螺线管变压器及其制造方法 |
-
2019
- 2019-07-08 JP JP2021523612A patent/JP7378166B2/ja active Active
- 2019-07-08 WO PCT/CN2019/095066 patent/WO2020087973A1/zh active Application Filing
- 2019-07-08 US US17/290,655 patent/US20210358688A1/en active Pending
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002525846A (ja) | 1998-09-10 | 2002-08-13 | ブアンズ・インコーポレイテッド | 一体型の誘導性素子及びその製造方法 |
| US20050093669A1 (en) | 2000-03-10 | 2005-05-05 | Ahn Kie Y. | Integrated circuit inductor with a magnetic core |
| JP2002100733A (ja) | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Nec Corp | 高周波集積回路装置 |
| US20030011458A1 (en) | 2001-07-12 | 2003-01-16 | Custom One Design, Inc. | Planar inductors and method of manufacturing thereof |
| JP2004006458A (ja) | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Canon Inc | コイル |
| JP2005197638A (ja) | 2003-12-30 | 2005-07-21 | Hynix Semiconductor Inc | 高周波半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007214348A (ja) | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気誘導素子およびその製造方法 |
| US20080186124A1 (en) | 2006-11-14 | 2008-08-07 | Schaffer Christopher P | Wire-less inductive devices and methods |
| JP2009135325A (ja) | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | インダクタンス素子及びその製造方法 |
| JP2009135326A (ja) | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | インダクタンス素子及びその製造方法 |
| US20090322461A1 (en) | 2008-06-30 | 2009-12-31 | Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. | Planar grooved power inductor structure and method |
| JP2011114033A (ja) | 2009-11-24 | 2011-06-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | トランス |
| JP2013527620A (ja) | 2010-05-26 | 2013-06-27 | タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション | 平面インダクタデバイス |
| JP2013084914A (ja) | 2011-09-26 | 2013-05-09 | Kobe Steel Ltd | 配線構造およびその製造方法 |
| JP2018046181A (ja) | 2016-09-15 | 2018-03-22 | 大日本印刷株式会社 | インダクタおよびインダクタの製造方法 |
| JP2022506295A (ja) | 2018-10-30 | 2022-01-17 | 北京航空航天大学 | Ｍｅｍｓソレノイドインダクタ及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020087973A1 (zh) | 2020-05-07 |
| US20210358688A1 (en) | 2021-11-18 |
| JP2022519968A (ja) | 2022-03-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7267641B2 (ja) | Ｍｅｍｓソレノイドインダクタ及びその製造方法 | |
| CN109741903B (zh) | 一种mems直线形螺线管电感器及其制造方法 | |
| CN109326421B (zh) | 一种mems环形螺线管电感器及其制造方法 | |
| CN102446916B (zh) | 具有磁芯电感器的集成电路及其制造方法 | |
| US7107666B2 (en) | Method of manufacturing an ultra-miniature magnetic device | |
| US20030070282A1 (en) | Ultra-miniature magnetic device | |
| JP7378166B2 (ja) | Ｍｅｍｓソレノイドトランス及びその製造方法 | |
| US9735102B2 (en) | High voltage device | |
| TW201737272A (zh) | 充電線圈及其製造方法 | |
| JP2013135232A (ja) | インダクタの製造方法 | |
| CN109036798B (zh) | 用于磁芯的通孔以及相关***和方法 | |
| US7423509B2 (en) | Coil comprising several coil branches and micro-inductor comprising one of the coils | |
| KR101887106B1 (ko) | 초소형 인덕터 및 이의 제조 방법 | |
| AU2020101712A4 (en) | A MEMS miniaturized solenoid transformer and its manufacturing method | |
| CN109390144B (zh) | 一种mems环形螺线管变压器及其制造方法 | |
| CN109599249B (zh) | 一种mems回形螺线管变压器及其制造方法 | |
| US7676922B1 (en) | Method of forming a saucer-shaped half-loop MEMS inductor with very low resistance | |
| AU2020101768A4 (en) | A MEMS miniaturized solenoid inductor and manufacturing method thereof | |
| EP3393966B1 (en) | A method for manufacturing a hollow mems structure | |
| JP2010056177A (ja) | トランス | |
| TWM527644U (zh) | 充電線圈 | |
| KR101853850B1 (ko) | 초소형 인덕터 및 이의 제조 방법 | |
| JP2003133136A5 (ja) | ||
| JP2003133136A (ja) | 磁性部品およびその製造方法 | |
| JP2011077372A (ja) | 磁気デバイス及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210527 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210527 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220714 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220802 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221012 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230214 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230512 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230703 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231010 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231024 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7378166 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |