JP6771881B2 - 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、圧電デバイス及びその製造方法に関する。圧電デバイスは、例えば、水晶発振器である。

水晶発振器として、いわゆるＨ型のパッケージを有するものが知られている。このＨ型のパッケージは、セラミック又は樹脂によって一体的に形成されており、上面に設けられた凹部と、下面に設けられた凹部とを有している。上面の凹部には、水晶片に励振電極を設けた振動素子が実装される。下面の凹部には、振動素子に電圧を印加して発振信号を生成する集積回路素子が実装される。

特許文献１は、上記のようなＨ型パッケージの水晶発振器に代替的な水晶発振器を開示している。具体的には、この水晶発振器は、開口を有する基板からなる実装枠体と、前記の開口を覆うように実装枠体の上面に実装される振動子と、前記の開口に収容され、振動子の下面に実装される集積回路素子とを有している。振動子は、振動素子と、振動素子を収容する容器体とを有している。振動子（容器体）と実装枠体とはその間に介在する半田バンプによって接合されている。

特開２０１５−９１１０３号公報

圧電素子（例えば振動子）とその周囲の部品乃至は部材との距離は、圧電デバイス（発振器）の電気特性に影響を及ぼす。例えば、圧電素子にパッド又は配線等の導電性部材が近づくことによって浮遊容量が増加し、圧電デバイスの周波数特性が変化する。一方、特許文献１に開示された構成では、従来のＨ型パッケージと異なり、圧電素子（振動子）と実装体（実装枠体）との距離はバンプ（半田バンプ）によって規定されている。従って、圧電素子と実装体との距離を安定して十分に確保できないおそれがある。ひいては、圧電デバイスの特性が低下したり、ばらついたりするおそれがある。

例えば、圧電デバイスが小型化されると、バンプを配置するための領域を十分に確保することが困難になる。その結果、バンプの体積が小さくなってバンプが薄くなり、圧電素子と実装枠体との距離が短くなる。また、例えば、圧電素子を実装体に実装するとき、圧電素子の重みによって圧電素子と実装体との間に介在するバンプが想定以上に潰れるおそれがある。この潰れにより、圧電素子と実装体との距離が小さくなる。また、圧電素子と実装体との距離が小さいときほど当該距離に対する潰れの量のばらつきが相対的に大きくなるから、圧電デバイスの特性のばらつきも大きくなる。

従って、圧電素子と当該圧電素子が実装される実装体との距離を確保することが容易な圧電デバイス及びその製造方法が提供されることが望まれる。

本発明の一態様に係る圧電デバイスは、下面に端子を有している圧電素子と、上面に前記端子と対向するパッドを有している実装体と、前記端子と前記パッドとの間に介在してこれらを接合している導電性のバンプと、を有しており、前記バンプは、前記実装体の側面と連続する切断面を有している。

好適には、前記実装体は、上面から下面へ貫通している開口を有しており、前記圧電素子は、前記開口の上面側を覆っており、前記開口に収容され、前記圧電素子の下面に実装された電子素子が設けられている。

好適には、前記圧電デバイスは、前記電子素子と前記圧電素子との間に介在してこれらに密着しているとともに、前記圧電素子と前記実装体との間に介在してこれらに密着しているアンダーフィルを更に有している。

好適には、前記圧電素子は、板状の圧電片、及び当該圧電片の両主面に位置する１対の励振電極を有している振動素子と、前記振動素子を収容しており、前記１対の励振電極に電気的に接続されている１対の前記端子を有している容器体と、を有している。

本発明の一態様に係る圧電デバイスの製造方法は、好適には、圧電素子、実装体及びこれらを接合する導電性のバンプを有する圧電デバイスの製造方法であって、前記実装体が多数個取りされる母基板を作製する母基板作製工程と、前記母基板の上面に複数の前記バンプを配置するバンプ配置工程と、前記母基板に配置された前記複数のバンプ上に複数の前記圧電素子を配置して前記複数の圧電素子を前記母基板に実装する圧電素子実装工程と、前記複数の圧電素子が実装された前記母基板を切断して複数の前記圧電デバイスに個片化する個片化工程と、を有しており、前記母基板作製工程では、前記複数の実装体となる複数の実装体領域とその間の捨て代領域とに亘って前記母基板の上面に複数のパッドを形成し、前記バンプ配置工程では、前記複数の実装体領域と前記捨て代領域とに亘って前記複数のパッド上に前記複数のバンプを配置し、前記個片化工程では、前記複数のバンプごと前記母基板を切断する。

好適には、前記製造方法は、前記圧電素子実装工程の前に、前記複数の圧電素子の下面に複数の電子素子を実装する電子素子実装工程を更に有し、前記母基板作製工程では、前記複数の実装体領域に複数の開口を形成し、前記圧電素子実装工程では、前記複数の電子素子が前記複数の開口に収容されるように前記複数の圧電素子を前記複数の実装体領域に実装する。

好適には、前記製造方法は、前記圧電素子実装工程の後かつ前記個片化工程の前に、前記複数の開口を介して、前記複数の電子素子と前記複数の振動子との間、及び前記複数の圧電素子と前記複数の実装体領域との間にアンダーフィルを充填するアンダーフィル充填工程を更に有している。

上記の構成によれば、圧電素子と実装体との距離を確保することが容易化される。

本発明の実施形態に係る水晶発振器の概略構成を示す分解斜視図。 図１のII−II線における断面図。 図３（ａ）は図２の領域IIIａの拡大図、図３（ｂ）は比較例を示す図３（ａ）に相当する図。 図１の水晶発振器の製造方法の手順を示すフローチャート。 図５（ａ）は図１の水晶発振器の作製に用いられる母基板の一部を示す上面図、図５（ｂ）は比較例に係る図５（ａ）に相当する図。 図６（ａ）〜図６（ｃ）は図１の水晶発振器の製造過程を模式的に示す、図５（ａ）のVI−VI線に対応する断面図。 図７（ａ）はバンプが配置された母基板の一部を示す上面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のVIIｂ−VIIｂ線における断面図、図７（ｃ）は比較例に係る図７（ａ）に相当する図、図７（ｄ）は図７（ｃ）のVIIｄ−VIIｄ線における断面図。 図８（ａ）は変形例に係る母基板の一部を示す上面図、図８（ｂ）は図８（ａ）の母基板に配置されるバンプの例を示す平面図、図８（ｃ）は図８（ａ）の母基板に配置されるバンプの他の例を示す平面図。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、図面には、図面相互の関係を明確にする等の目的で、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸及びＤ３軸からなる直交座標系を付すことがある。実施形態に係る水晶発振器は、いずれの方向が上方又は下方とされてもよいが、以下では、便宜的にＤ３軸方向の正側を上方として、上面又は下面等の用語を用いることがある。また、便宜上、導電層等の表面に（すなわち断面でない面に）ハッチングを付すことがある。

（水晶発振器の概略構成）
図１は、本発明の実施形態に係る水晶発振器１（以下、「水晶」は省略）の概略構成を示す分解斜視図である。図２は、図１のII−II線における断面図である。

発振器１は、例えば、全体として、概略、薄型の直方体状とされる電子部品であり、その寸法は適宜に設定されてよい。例えば、比較的小さいものでは、長辺又は短辺の長さは１ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、厚さは０．５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下である。

発振器１は、例えば、水晶振動子３（以下、「水晶」は省略）と、振動子３に実装される集積回路素子５（以下、「ＩＣ５」）と、振動子３が実装される実装枠体７とを有している。また、図２に示すように、発振器１は、ＩＣ５を振動子３に実装するためのＩＣ用バンプ９と、振動子３を実装枠体７に実装するための振動子用バンプ１１と、ＩＣ５を封止するためのアンダーフィル１２とを有している。

振動子３は、交流電圧が印加されるとその内部で固有振動を生じる。ＩＣ５は、発振回路（振動子を除く）を含んで構成されており、振動子３に電圧を印加して、振動子３内の固有振動を利用して発振信号を生成する。実装枠体７は、不図示の回路基板等に接続され、振動子３のパッケージを介して、回路基板とＩＣ５との間において電気信号を仲介する。これらの具体的な構成は、例えば、以下のとおりである。

振動子３は、例えば、水晶振動素子１３（以下、「水晶」は省略）と、振動素子１３を収容する素子搭載部材１５と、素子搭載部材１５を密閉する蓋部材１７とを有している。なお、素子搭載部材１５及び蓋部材１７によって、振動子３のパッケージである容器体１９が構成されている。

振動素子１３は、例えば、水晶片２１（圧電片）と、水晶片２１に電圧を印加するための１対の励振電極２３と、振動素子１３を素子搭載部材１５に実装するための１対の引出電極２５とを有している。

水晶片２１は、例えば、概ね長方形の板状に形成されている。水晶片２１は、例えば、ＡＴカット水晶片からなる。１対の励振電極２３は、例えば、水晶片２１の両主面の中央側に層状に設けられている。１対の引出電極２５は、例えば、１対の励振電極２３から引き出されて水晶片２１の長手方向の一端側部分に設けられている。１対の励振電極２３及び１対の引出電極２５は、例えば、振動素子１３の両主面のいずれが実装側とされてもよいように、水晶片２１の長手方向に延びる不図示の中心線に関して１８０°回転対称の形状に形成されている。

素子搭載部材１５は、例えば、絶縁性の基体２７と、基体２７に設けられた各種の導体（例えば金属）とを有している。各種の導体は、例えば、振動素子１３を素子搭載部材１５に搭載するための１対の素子搭載パッド２９、振動子３を実装枠体７に実装するための複数（本実施形態では４つ）の振動子端子３１、ＩＣ５を振動子３に実装するための複数（本実施形態では６つ）のＩＣ用パッド３３（図２）、及びこれらの端子及びパッドを接続する不図示の接続導体である。

基体２７は、例えば、セラミックによって一体的に形成されており、その形状は、振動素子１３を収容する凹部２７ｒを有した箱状である。基体２７は、例えば、平板状の基板部２７ａと、基板部２７ａに重ねられた枠部２７ｂとを有しており、これにより、凹部２７ｒが構成されている。

１対の素子搭載パッド２９は、例えば、凹部２７ｒの底面（基板部２７ａの枠部２７ｂ側の主面）に層状に設けられている。複数の振動子端子３１は、例えば、基板部２７ａの枠部２７ｂとは反対側の主面の４隅に層状に設けられている。複数のＩＣ用パッド３３は、例えば、基板部２７ａの枠部２７ｂとは反対側の主面において、複数の振動子端子３１に囲まれた領域内に２列で配列されている。不図示の接続導体は、例えば、基板部２７ａの主面に形成された層状導体、及び基板部２７ａを貫通するビア導体によって構成されている。

これらの端子又はパッドの平面形状及び面積は適宜に設定されてよい。ただし、振動子端子３１は、振動子３を小型化しつつも接合面積を大きくする観点から、素子搭載部材１５の下面外縁まで広がることによって、面積が大きくされていることが好ましい。すなわち、振動子端子３１は、平面視において、その外縁の一部が素子搭載部材１５の下面外縁（例えば角部を構成する２辺）と一致していることが好ましい。

振動素子１３は、１対の引出電極２５と１対の素子搭載パッド２９とが１対の素子用バンプ３５（図２）によって接合されることによって、素子搭載部材１５に片持ち梁のように固定されるとともに、素子搭載部材１５に電気的に接続される。なお、素子用バンプ３５は、例えば、熱硬化性樹脂に導電性フィラーを混ぜた導電性接着剤からなる。

蓋部材１７は、例えば、金属からなる。蓋部材１７は、素子搭載部材１５の枠部２７ｂと接合され、これにより、凹部２７ｒは密閉される。凹部２７ｒ内は、例えば、真空とされ、又は、適宜なガス（例えば窒素）が封入される。

蓋部材１７及び素子搭載部材１５の接合は適宜な方法によりなされてよい。例えば、枠部２７ｂの蓋部材１７側の面には、金属からなる枠状の第１接合用パターン３７が形成される。一方、蓋部材１７の枠部２７ｂ側の面には、金属からなる枠状の第２接合用パターン３９が形成される。そして、両者がシーム溶接によって接合されることにより、蓋部材１７及び素子搭載部材１５は互いに接合される。

ＩＣ５は、例えば、概略薄型直方体状に形成されており、一方の主面に複数（本実施形態では６つ）のＩＣ端子４１を有している。ＩＣ端子４１と、素子搭載部材１５に設けられたＩＣ用パッド３３とがＩＣ用バンプ９によって接合されることにより、ＩＣ５は、素子搭載部材１５に固定されるとともに、素子搭載部材１５に電気的に接続される。

ＩＣ端子４１の数及び役割は、発振器１に要求される機能等に応じて適宜に設定されてよい。例えば、６つのＩＣ端子４１のうち、１つは基準電位をＩＣ５に供給するためのものであり、１つは電源電圧（基準電位とは異なる電位）をＩＣ５に供給するためのものであり、２つはＩＣ５から振動素子１３に電圧を印加するためのものであり、１つは発振信号の周波数を調整するための制御信号をＩＣ５に入力するためのものであり、１つは発振信号をＩＣ５から出力するためのものである。

既に述べたように、ＩＣ５は、発振回路を含んで構成されている。発振回路は、例えば、帰還型のものである。また、ＩＣ５は、温度センサ、及び、温度センサの検出した温度に基づいて発振信号の温度変化を補償する温度補償回路を含んでいてもよい。ＩＣ５は、パッケージングされたものであってもよいし、ベアチップであってもよい。

実装枠体７は、例えば、リジッド式のプリント配線基板と同様の構成とされてよい。例えば、実装枠体７は、絶縁基板４３と、絶縁基板４３に設けられた各種の導体（例えば金属）とを有している。各種の導体は、例えば、振動子３を実装枠体７に実装するための複数（本実施形態では４つ）の振動子用パッド４５、実装枠体７（発振器１）を不図示の回路基板に実装するための複数（本実施形態では４つ）の外部端子４７、及び複数の振動子用パッド４５と複数の外部端子４７とを接続する不図示の接続導体である。なお、特に図示しないが、実装枠体７は、外部端子４７及び振動子用パッド４５を露出させつつ絶縁基板４３を覆うソルダーレジストを有していてもよい。

絶縁基板４３は、例えば、ガラスエポキシ材よりなる。絶縁基板４３（実装枠体７）には、当該絶縁基板４３を上面から下面へ貫通する開口４３ｈが形成されている。絶縁基板４３の外縁及び開口４３ｈの平面形状は適宜に設定されてよい。例えば、これらの平面形状は矩形である。平面視において、絶縁基板４３の外縁がなす領域は、例えば、振動子３よりも広く、振動子３は絶縁基板４３の外縁がなす領域に収まっている。

複数の振動子用パッド４５は、例えば、絶縁基板４３の上面の４隅側に層状に設けられており、開口４３ｈを囲んでいる。複数の外部端子４７は、例えば、絶縁基板４３の下面の４隅に層状に設けられており、開口４３ｈを囲んでいる。複数の振動子用パッド４５と複数の外部端子４７とを接合する不図示の接続導体は、開口４３ｈの内周面に層状に形成されていてもよいし、絶縁基板４３を上下に貫通するビア導体又はスルーホール導体によって構成されていてもよい。

振動子用パッド４５及び外部端子４７の平面形状及び面積は適宜に設定されてよい。ただし、これらは、実装枠体７を小型化しつつも接合面積を大きくする観点から、絶縁基板４３の内縁（開口４３ｈ）から外縁まで広がることによって、面積が大きくされていることが好ましい。すなわち、振動子用パッド４５又は外部端子４７は、その外縁の一部が絶縁基板４３の内縁（開口４３ｈの角部の点でもよい）及び外縁に一致することが好ましい。なお、図示の例では、振動子用パッド４５及び外部端子４７の平面形状は、実装枠体７の幅全体に広がり、開口４３ｈによって一の角部が切り欠かれた矩形である。

振動子３は、複数の振動子端子３１と振動子用パッド４５とが振動子用バンプ１１によって接合されることにより、実装枠体７に対して固定されるとともに、電気的に接続される。振動子用パッド４５は、開口４３ｈを囲むように配置されているから、振動子３は、開口４３ｈを上面側から覆うように実装枠体７に実装される。なお、平面視において、振動子３の面積は、例えば、開口４３ｈの面積よりも大きく、開口４３ｈはその全体が振動子３に覆われる。

また、振動子３に実装されたＩＣ５は、開口４３ｈに収容される。なお、図２では、ＩＣ５の天面（Ｄ３軸方向負側の面）は、絶縁基板４３の下面よりも内部側（Ｄ３軸方向正側）に位置しているが、当該天面は、絶縁基板４３の下面と概略面一とされてもよい。

ＩＣ用バンプ９及び振動子用バンプ１１は、例えば、半田によって構成されている。半田は、鉛フリー半田であってもよい。

ＩＣ用バンプ９のＩＣ用パッド３３及びＩＣ端子４１に対する接着面積は適宜に設定されてよいが、例えば、ＩＣ用バンプ９は、ＩＣ用パッド３３及びＩＣ端子４１の概ね全体に密着している。振動子３の基体２７とＩＣ５の本体との間には、ＩＣ用パッド３３、ＩＣ用バンプ９及びＩＣ端子４１の厚みに相当する隙間が構成されている。

振動子用バンプ１１の振動子用パッド４５及び振動子端子３１に対する接着面積は適宜に設定されてよいが、例えば、振動子用バンプ１１は、振動子用パッド４５及びＩＣ端子４１の概ね全体に密着している。振動子３の基体２７と実装枠体７の絶縁基板４３との間には、振動子端子３１、振動子用バンプ１１及び振動子用パッド４５の厚みに相当する隙間が構成されている。

アンダーフィル１２は、例えば、熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂）からなる。アンダーフィル１２は、樹脂よりも熱膨張係数が低いフィラー（例えばＳｉＯ_２からなる）を含んでいてもよい。

アンダーフィル１２は、振動子３とＩＣ５との間に介在してこれらに密着している。なお、アンダーフィル１２は、振動子３とＩＣ５との間に空間を生じることなく充填されていることが好ましい。なお、アンダーフィル１２は、ＩＣ５の側面を適宜な高さまで覆うように設けられてもよいし、ＩＣ５を側面だけでなく天面も覆うように設けられてもよい。

また、アンダーフィル１２は、ＩＣ５の周囲に広がった部分が開口４３ｈの内周面に到達しており、さらには、振動子３と実装枠体７との間に介在してこれらに密着している。アンダーフィル１２は、例えば、開口４３ｈの全周に亘って振動子３と実装枠体７とに密着している。従って、開口４３ｈは、振動子３と実装枠体７との隙間を介しては外部へ通じていない。アンダーフィル１２は、振動子３の外縁まで到達していなくてもよいし、振動子３の外縁まで到達していてもよいし、図示の例のように、実装枠体７の外縁まで到達していてもよい。なお、アンダーフィル１２によって振動子３と実装枠体７との接合を補強する観点からは、アンダーフィル１２は、振動子３の外縁まで、振動子３及び実装枠体７に密着していることが好ましい。

素子搭載部材１５においては、不図示の接続導体によって、６つのＩＣ用パッド３３のうちの２つと、１対の素子搭載パッド２９とが接続されている。これにより、ＩＣ用パッド３３に実装されたＩＣ５と、素子搭載パッド２９に実装された振動素子１３とが電気的に接続されている。ひいては、ＩＣ５により振動素子１３に電圧を印加して発振信号を生成することが可能となっている。

また、素子搭載部材１５においては、不図示の接続導体によって、６つのＩＣ用パッド３３のうち残りの４つと、４つの振動子端子３１とが接続されている。これにより、ＩＣ用パッド３３に実装されたＩＣ５と、振動子端子３１が接合された振動子用パッド４５を有する実装枠体７とが電気的に接続されている。ひいては、振動子用パッド４５と接続されている４つの外部端子４７に対する電気信号の入出力によって、ＩＣ５に対して電気信号を入出力することが可能となっている。

（振動子用バンプの形状の詳細）
図３（ａ）は図２の領域IIIａの拡大図である。また、図３（ｂ）は比較例を示す図３（ａ）に相当する図である。

本実施形態の振動子用バンプ１１と、比較例に係る振動子用バンプ１１１との比較から理解されるように、本実施形態では、振動子用バンプ１１が、実装枠体７の側面７ａ（絶縁基板４３の側面及び振動子用パッド４５の側面）に連続する側面１１ａを有していることを１つの特徴としている。

ここでいう連続は、段差を殆ど生じずに両面が隣接していることをいう。後述するように、実装枠体７の側面７ａ及び振動子用バンプ１１の側面１１ａは、実装枠体７及び振動子用バンプ１１が共に切断されることによって形成され、これにより連続する。従って、実装枠体７及び振動子用バンプ１１を共に切断しても生じる段差は無視されてよい。その具体的な大きさは、切断方法及び利用される機器構成によって異なるが、例えば、１０μｍ未満の段差、又は振動子用パッド４５の最大径の１％未満の段差は無視されてよい。

振動子用バンプ１１の側面１１ａが切断面であるか否かは、側面１１ａを適宜な顕微鏡を用いて観察することによって特定可能である。例えば、レーザー又はダイシングブレードによる切断が行われると、それぞれに特有の条痕が残る。側面１１ａ及び実装枠体７の側面７ａに亘って同様、類似又は連続した条痕が構成されていれば、より確実に切断面であることが特定される。

側面１１ａは、具体的には、例えば、側面７ａと概ね一平面を構成している（面一である。）。この一平面は、例えば、概ね実装枠体７の上下面に対して直交している。ただし、側面１１ａ及び側面７ａが構成する面は、実装枠体７の上下面に対して傾斜していたり、湾曲していたり、屈曲していたりしてもよい。このような傾斜、湾曲又は屈曲は、意図的なものであってもよいし、加工精度に起因して生じてしまうものであってもよい。

また、本実施形態の振動子用バンプ１１は、比較例の振動子用バンプ１１１に比較して厚く形成されている。これは、後述するように、側面１１ａを有するような構成とすると、厚みを確保しやすくなることからである。そして、本実施形態では、振動子用バンプ１１が厚く確保されていることによって、振動子３と実装枠体７との距離が確保されている。

（水晶発振器の製造方法）
以上の構成を有する水晶発振器１の製造方法を説明する。なお、以下の説明では、便宜上、製造過程の進行に伴って部材の形状等が変化しても、その変化の前後で同一の名称及び符号を用いることがある。

（製造方法の手順の概略）
図４は、水晶発振器１の製造方法の手順を示すフローチャートである。

ステップＳＴ１では、振動子３が作製される。この作製方法は、公知の方法と同様とされてよい。例えば、水晶ウェハに対してエッチング及び導電材料の成膜等を行って振動素子１３を作製する。セラミックグリーンシートに対して打ち抜き加工及び導電ペーストの塗布等を行ってこれを同時焼成し、素子搭載部材１５を作製する。そして、ディスペンサによって素子用バンプ３５を配置した素子搭載部材１５に振動素子１３を実装して、蓋部材１７を素子搭載部材１５に接合する。

ステップＳＴ２では、ＩＣ７を振動子３に実装する。すなわち、ＩＣ用バンプ９によってＩＣ７のＩＣ端子４１と振動子３のＩＣ用パッド３３とを接合する。この実装方法も公知の方法と同様とされてよい。例えば、ディスペンサによって半田バンプをＩＣ用パッド３３に供給し、その上にＩＣ７を配置して、ＩＣ７及び振動子３をリフロー炉に通す。

ステップＳＴ３では、ステップＳＴ１及びＳＴ２と並行して、実装枠体７が多数個取りされる母基板５１（図５（ａ）参照）が作製される。この作製方法は、振動子用パッド４５となるパッド構成パターン５３（図５（ａ）参照）の具体的な形状を除いては公知の方法と同様とされてよい。

例えば、絶縁基板４３が多数個取りされる母基板に対して、マスクを介した導電層の蒸着、又は全面に形成した導体層のマスクを介したエッチングによって、パッド構成パターン５３及び外部端子４７等の導電層を形成する。また、例えば、絶縁基板４３が多数個取りされる母基板に対して、打ち抜き加工、刃具による切削、又はマスクを介したエッチングによって開口４３ｈを形成する。なお、導電層の形成と開口４３ｈの形成とはいずれが先であってもよく、また、開口４３ｈの形成と、スルーホールのような貫通孔の形成とは、別個に行われてもよいし、同時に行われてもよい。

ステップＳＴ４では、引き続きステップＳＴ１及びＳＴ２と並行して、振動子用バンプ１１となるバンプ構成接合部６１（図６（ａ）参照）がパッド構成パターン５３上に配置される。配置方法は公知の方法と同様とされてよい。例えば、スクリーン印刷によって半田ペーストをパッド構成パターン５３上に配置する。その後、一旦、半田ペーストを加熱して溶融させ、冷却して固化させることにより、バンプ構成接合部６１の形状を整えてもよい。

ステップＳＴ５では、ＩＣ５が実装された振動子３を、バンプ構成接合部６１が配置された母基板５１に実装する。実装方法は公知の方法と同様でよい。例えば、複数の実装枠体７となる複数の実装体領域５５（図５（ａ）参照）上に、ＩＣ５が開口４３ｈに収容されるように配置する。その後、複数の振動子３が配置された母基板５１をリフロー炉に通して、バンプ構成接合部６１を溶融した後に固化させる。

ステップＳＴ６では、開口４３ｈを介して未硬化状態のアンダーフィル１２をＩＣ５と振動子３との間等に充填する。充填方法は公知の方法と同様でよい。例えば、ディスペンサによって未硬化状態のアンダーフィル１２を開口４３ｈへ供給する。このとき、十分な量のアンダーフィル１２を供給することによって、アンダーフィル１２は振動子３と母基板５１（実装枠体７）との間にも充填される。

ステップＳＴ７では、複数の振動子３（及びＩＣ５）が実装された母基板５１を切断して個片化する。これにより、複数の発振器１が作製される。切断方法としては、レーザーを用いるもの、又はダイシングブレードを用いるものなど、適宜な方法が採用されてよい。

（パッド構成パターン）
図５（ａ）は、ステップＳＴ３で作製される母基板５１の一部を示す上面図である。また、図５（ｂ）は、比較例に係る図５（ａ）に相当する図である。

母基板５１は、点線で区画して示すように、複数の実装枠体７となる複数の実装体領域５５と、当該複数の実装体領域５５間の捨て代領域５７とを有している。捨て代領域５７は、複数の実装体領域５５間の複数の境界線５９（スクライブライン）を含み、また、図示しないが、母基板５１の外周部も構成している。

実装体領域５５の平面形状は、実装枠体７の平面形状と同様である。複数の実装体領域５５は、例えば、一定のピッチで縦横に配列されている。別の観点では、複数の境界線５９は、一定の幅で直線状に縦横に延びている。なお、縦に延びる境界線５９の幅と、横に延びる境界線５９の幅とは同一であってもよいし、異なっていてもよい。

境界線５９の幅は、通常、生産性を高くするために極力小さくされる。本実施形態においても、そのように境界線５９の幅が設定されてよい。この場合の幅は、切断方法にもよるが、例えば、１００μｍ以下である。また、境界線５９の幅は、後述する本実施形態の効果が好適に得られるように比較的大きく設定されてもよい。例えば、境界線５９の幅は、２００μｍ以上、又は振動子用パッド４５の最大径の５０％以上とされてよい。なお、図５（ａ）等では、本実施形態の特徴部分を分かり易く図示するために、境界線５９の幅を極めて大きくしている。

図５（ａ）及び図５（ｂ）の比較から理解されるように、本実施形態では、振動子用パッド４５となるパッド構成パターン５３（ハッチングで示す）を、振動子用パッド４５よりも広く形成している。すなわち、本実施形態では、パッド構成パターン５３は、実装体領域５５と捨て代領域５７とに亘って形成されており、パッド構成パターン５３のうち一部（実装体領域５５上に位置する部分）が振動子用パッド４５となる。一方、比較例では、パッド構成パターン１５３は、実装体領域５５のみに形成されており、振動子用パッド４５の平面形状と基本的に同一の平面形状を有する。

パッド構成パターン５３の捨て代領域５７における形状自体は、個片化後の実装枠体７には現れない。従って、当該形状は、例えば、後述する振動子用バンプ１１（バンプ構成接合部６１）を好適に形成する効果を考慮して適宜に設定されてよい。図示の例では、パッド構成パターン５３は、開口４３ｈ側の角部に振動子用パッド４５が位置する概ね矩形（開口４３ｈによる切り欠きを除く）である。

また、パッド構成パターン５３の面積は、例えば、後述する振動子用バンプ１１（バンプ構成接合部６１）を好適に形成する効果を考慮して適宜に設定されてよい。例えば、捨て代領域５７の広さに対して最大限広くされてよい。具体的には、例えば、パッド構成パターン５３は、実装体領域５５から境界線５９の幅方向へ、１０μｍ以上、又は境界線５９の幅の１０％以上広がっていてよい。なお、捨て代領域５７の幅と、パッド構成パターン５３の捨て代領域５７上の広さとは、いずれが先に決定されてもよいし、両者の効果（生産性及び後述の効果）を総合的に考慮して同時に決定されてもよい。

（振動子用バンプの形成）
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、製造過程における発振器１を模式的に示す断面図であり、図５（ａ）のVI−VI線に対応している。

図６（ａ）は、ステップＳＴ４とステップＳＴ５との間に相当している。すなわち、母基板５１のパッド構成パターン５３の上には、振動子用バンプ１１となるバンプ構成接合部６１が配置されており、また、その上から振動子３が配置される。

このとき、バンプ構成接合部６１は、パッド構成パターン５３に対して比較的広い範囲で形成されている。従って、バンプ構成接合部６１は、パッド構成パターン５３と同様に、実装体領域５５だけでなく、境界線５９上にも位置している。

なお、バンプ構成接合部６１がスクリーン印刷によって配置される場合、バンプ構成接合部６１は、例えば、印刷された時点で実装体領域５５及び境界線５９に亘って配置されている。すなわち、バンプ構成接合部６１は、印刷後、加熱及び冷却によって形状が整えられるときに、パッド構成パターン５３を濡らすように広がることによって薄くなりながら境界線５９上に位置するのではない。

また、バンプ構成接合部６１は、例えば、半球状となっている。このような形状は、例えば、バンプ構成接合部６１がスクリーン印刷によって供給される場合、印刷後、バンプ構成接合部６１が加熱されて溶融されたときに表面張力によって生じる。なお、そのような処理が行われずに、バンプ構成接合部６１は、概ね柱状とされていてもよい。

図６（ｂ）は、ステップＳＴ５が完了したときに相当している。すなわち、バンプ構成接合部６１は、振動子３が載置された状態で、加熱されて溶融し、その後、冷却されて固化することによって、振動子端子３１とパッド構成パターン５３とを接合している。

バンプ構成接合部６１は、接合後も、接合前に引き続いて、パッド構成パターン５３の広い範囲に対して広がっており、ひいては、境界線５９上に位置している。また、バンプ構成接合部６１は、溶融状態のときに、振動子端子３１及びパッド構成パターン５３を濡らそうとする力と表面張力とが作用することから、いわゆるフィレット形状を形成する（図３（ａ）も参照）。すなわち、バンプ構成接合部６１は、振動子端子３１側及び／又はパッド構成パターン５３側に、薄くなりながら広がる裾野状部分を含む。

図６（ｃ）は、ステップＳＴ７に相当している。すなわち、振動子３が実装され、アンダーフィル１２の充填がなされた母基板５１を切断して個片化している。

切断は、母基板５１の境界線５９を除去するようにして行われる。例えば、レーザーを用いる場合においては、集光されたレーザー光Ｌ１が境界線５９上に照射されるとともに、矢印ｙ１で示すように、適宜なアシストガスが境界線５９上に吹き付けられる。除去される幅、並びに切断面の形状及び傾斜等は、レーザー光Ｌ１のスポット径及び焦点距離等によって調整可能である。また、特に図示しないが、ダイシングブレードを用いる場合においては、概ね境界線５９と同等の厚みを有するダイシングブレードによって境界線５９が切削される。切断面の形状及び傾斜は、ダイシングブレードの回転軸に交差する面（切断面に当接する面）の形状及び傾斜によって決定される。

ここで、パッド構成パターン５３及びバンプ構成接合部６１は、その一部が境界線５９上に位置している。従って、母基板５１は、パッド構成パターン５３及びバンプ構成接合部６１ごと切断される。その結果、パッド構成パターン５３及びバンプ構成接合部６１は、一部（境界線５９における部分）が除去されて、振動子用パッド４５及び振動子用バンプ１１となる。また、このようにして形成された振動子用バンプ１１は、実装枠体７の側面７ａ（絶縁基板４３の側面及び振動子用パッド４５の側面）と連続した側面１１ａ（切断面）を有することになる。なお、アンダーフィル１２が境界線５９まで広がっている場合においては、アンダーフィル１２も、母基板５１の切断に伴って境界線５９における部分が除去されて、切断面が形成される。

なお、以下では、便宜上、切断前後で部材を区別することをせずに、パッド構成パターン５３及び振動子用パッド４５を振動子用パッド（４５，５３）といい、振動子用バンプ１１及びバンプ構成接合部６１を振動子用バンプ（１１，６１）ということがある。

図７（ａ）は、バンプ構成接合部６１が配置された母基板５１の一部を示す上面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）のVIIｂ−VIIｂ線における断面図である。図７（ｃ）及び図７（ｄ）は、比較例を示す図７（ａ）及び図７（ｂ）に相当する図であり、図７（ｄ）は、図７（ｃ）のVIIｄ−VIIｄ線における断面図である。図７（ａ）及び図７（ｃ）では、便宜上、パッド構成パターン５３及び１５３並びにバンプ構成接合部６１及び１６１にハッチングを付している。

図７（ａ）と図７（ｃ）との比較から理解されるように、実施形態のパッド構成パターン５３は、実装体領域５５だけでなく、捨て代領域５７にも広がっていることから、実装体領域５５のみに広がっている比較例のパッド構成パターン１５３よりも面積が広い。ひいては、実施形態のバンプ構成接合部６１は、比較例のバンプ構成接合部１６１よりも、広い面積に亘って配置される。

その結果、図７（ｂ）と図７（ｄ）との比較から理解されるように、実施形態のバンプ構成接合部６１は、比較例のバンプ構成接合部１６１よりも体積が大きくなる。また、バンプ構成接合部６１の厚さｈ１は、バンプ構成接合部１６１の厚さｈ２よりも厚くなる。具体的には、例えば、バンプ構成接合部６１及び１６１のいずれも、溶融されて形状が整えられたときに表面張力によって半球状となり、このとき、裾野が広い振動子用バンプ１１の方が半球の半径が大きくなる。

また、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示したように、振動子３を実施形態の母基板５１又は比較例の母基板１５１に実装した後も、実施形態の振動子用バンプ１１は比較例の振動子用バンプ１１１よりも厚くなる。ひいては、実施形態においては、比較例よりも振動子３と実装枠体７との距離が確保される。その一方で、切断後の平面視における発振器１の大きさは、実施形態と比較例とで同等である。

以上のとおり、本実施形態では、発振器１は、下面に振動子端子３１を有している振動子３と、上面に振動子端子３１と対向する振動子用パッド４５を有している実装枠体７と、振動子端子３１と振動子用パッド４５との間に介在してこれらを接合している導電性の振動子用バンプ１１と、を有している。振動子用バンプ１１は、実装枠体７の側面７ａと連続する切断面（側面１１ａ）を有している。

また、別の観点では、発振器１の製造方法は、振動子３、実装枠体７及びこれらを接合する導電性の振動子用バンプ（１１，６１）を有する発振器１の製造方法であって、実装枠体７が多数個取りされる母基板５１を作製する母基板作製工程（ＳＴ３）と、母基板５１の上面に複数の振動子用バンプ（１１，６１）を配置するバンプ配置工程（ＳＴ４）と、母基板５１に配置された複数の振動子用バンプ（１１，６１）上に複数の振動子３を配置して複数の振動子３を母基板５１に実装する振動子実装工程（ＳＴ５）と、複数の振動子３が実装された母基板５１を切断して複数の発振器１に個片化する個片化工程（ＳＴ７）と、を有している。母基板作製工程では、複数の実装枠体７となる複数の実装体領域５５とその間の捨て代領域５７とに亘って母基板５１の上面に複数の振動子用パッド（４５，５３）を形成する。バンプ配置工程では、複数の実装体領域５５と捨て代領域５７とに亘って複数の振動子用パッド（４５，５３）上に複数の振動子用バンプ（１１，６１）を配置する。個片化工程では、複数の振動子用バンプ（１１，６１）ごと母基板５１を切断する。

従って、例えば、上述したように、発振器１の製造過程においては、バンプ構成接合部６１は、最終的な形状（振動子用バンプ１１の形状）よりも裾野が広くされ、その結果、厚くされることが可能である。これにより、振動子３と実装枠体７との距離を確保することが容易化される。ひいては、例えば、実装枠体７が発振器１の周波数特性に及ぼす影響を緩和したり、振動子用バンプ１１の厚みのばらつきに起因する周波数特性のばらつきを低減したりすることが容易化される。

また、例えば、振動子用バンプ１１が厚くなることによって、振動子用バンプ１１が破断しにくくなり、接合強度が向上する。また、例えば、比較例の振動子用バンプ１１１では、裾野（フィレット形状）の最も外側の厚さは０に近づくが、実施形態の振動子用バンプ１１では、裾野の最も外側においても側面１１ａ（切断面）の高さに相当する厚さが確保され、ひいては、ある程度の強度が確保される。また、例えば、発振器１の製造過程において、パッド構成パターン５３上に配置されるバンプ構成接合部６１の体積を大きくできるから、振動子端子３１を濡らすのに十分な量の体積を確保しやすい。その結果、接合強度が向上する。振動子３の４隅（側面同士がなす角部）に凹部が形成されて振動子端子３１に接続されたスルーホール導体が配置されているような場合においては、このスルーホール導体を濡らす量を確保することも容易化される。また、例えば、パッド構成パターン５３は、振動子端子３１に対して、より外側に広がることになるから、実装体領域５５を囲むように配列された複数（４つ）のバンプ構成接合部６１の表面張力によって振動子端子３１を実装体領域５５の中央に位置決めさせる作用（セルフアライメント）が強くなる。

また、本実施形態では、実装枠体７は、上面から下面へ貫通している開口４３ｈを有している。振動子３は、開口４３ｈの上面側を覆っている。発振器１は、開口４３ｈに収容され、振動子３の下面に実装されたＩＣ５を有している。

別の観点では、本実施形態では、発振器１の製造方法は、振動子実装工程（ＳＴ５）の前に、複数の振動子３の下面に複数のＩＣ５を実装する集積回路素子実装工程（ＳＴ２）を更に有している。母基板作製工程（ＳＴ３）では、複数の実装体領域５５に複数の開口４３ｈを形成する。振動子実装工程（ＳＴ５）では、複数のＩＣ５が複数の開口４３ｈに収容されるように複数の振動子３を複数の実装体領域５５上に実装する。

従って、例えば、開口４３ｈが形成されていることによって、振動子用バンプ（１１、６１）の体積を確保しにくく、また、振動子用バンプ（１１、６１）には、振動子３の重みだけでなく、ＩＣ５の重みも加えられる。すなわち、課題の欄で述べた不都合が生じやすい。しかし、上述したように、本実施形態では振動子用バンプ（１１、６１）の厚みが確保されやすいから、そのような不都合が解消される。すなわち、上述した効果が効果的に発揮される。

また、本実施形態では、発振器１は、ＩＣ５と振動子３との間に介在してこれらに密着しているとともに、振動子３と実装枠体７との間に介在してこれらに密着しているアンダーフィル１２を更に有している。

別の観点では、本実施形態では、発振器１の製造方法は、振動子実装工程（ＳＴ５）の後かつ個片化工程（ＳＴ７）の前に、複数の開口４３ｈを介して、複数のＩＣ５と複数の振動子３との間、複数の振動子３と複数の実装体領域５５との間にアンダーフィル１２を充填するアンダーフィル充填工程（ＳＴ６）を更に有している。

ここで、振動子３と実装体領域５５との隙間は、上述のようにバンプ構成接合部６１の厚みが厚くなっていることによって、大きくなっている。従って、アンダーフィル１２は、振動子３と実装体領域５５との間に流れ込みやすい。その結果、振動子３の広い範囲に亘って、アンダーフィル１２を振動子３及び実装枠体７に密着させることができる。ひいては、アンダーフィル１２による振動子３と実装枠体７との接合強度が向上する。

また、本実施形態では、振動子３は、板状の水晶片２１、及び水晶片２１の両主面に位置する１対の励振電極２３を有している振動素子１３と、振動素子１３を収容しており、前記１対の励振電極２３に電気的に接続されている１対の振動子端子３１を有している容器体１９と、を有している。

従って、振動子３は、容器体１９によって振動素子１３のパッケージングまでされており、基本的にそれ自体で利用可能である。発振器１は、そのような振動子３を用いていることから汎用部品の組み合わせで実現でき、コスト削減が期待される。その一方で、発振器１は、振動素子１３と実装枠体７との距離が確保されて周波数特性が安定している完成度の高い部品となる。

なお、以上の実施形態において、水晶発振器１は圧電デバイスの一例であり、水晶振動子３は圧電素子の一例であり、振動子端子３１は端子の一例であり、実装枠体７は実装体の一例であり、振動子用パッド（４５，５３）はパッドの一例であり、集積回路素子５は電子素子の一例であり、水晶片２１は圧電片の一例であり、振動子用バンプ（１１，６１）はバンプの一例であり、振動子用バンプ１１の側面１１ａはバンプの切断面の一例であり、振動子実装工程（ＳＴ５）は圧電素子実装工程の一例であり、ＩＣ実装工程（ＳＴ２）は電子素子実装工程の一例である。

（変形例）
図８（ａ）は、変形例に係る母基板２５１の一部を示す上面図であり、図５（ａ）に相当している。

母基板２５１において、振動子用パッド４５となるパッド構成パターン２５３は、実施形態におけるパッド構成パターン５３を隣り合うもの同士でつなげたような形状となっている。換言すれば、１つのパッド構成パターン２５３は、隣り合う実装体領域５５と、その間の境界線２５９（捨て代領域２５７）に亘って設けられており、２以上（図示の例では４つ）の振動子用パッド４５となる。

図８（ｂ）は、図８（ａ）のパッド構成パターン２５３に配置されるバンプ構成接合部の例を示す平面図であり、図７（ａ）と同様の図（範囲は異なる）である。

この例では、バンプ構成接合部２６１は、１つのパッド構成パターン２５３に対して１つ設けられている。換言すれば、１つのバンプ構成接合部２６１は、隣り合う実装体領域５５と、その間の境界線２５９（捨て代領域２５７）に亘って設けられており、２以上（図示の例では４つ）の振動子用バンプ２１１（バンプ構成接合部２６１のうち実装体領域５５に重なる部分）となる。

図８（ｃ）は、図８（ａ）のパッド構成パターン２５３に配置されるバンプ構成接合部の他の例を示す平面図であり、図８（ｂ）に相当する図である。

この例では、バンプ構成接合部６１は、実施形態と同様に、パッド構成パターン２５３に含まれる複数の振動子用パッド４５それぞれに対して１つずつ設けられている。換言すれば、１つのバンプ構成接合部６１は、１つの実装体領域５５と、当該実装体領域５５に隣接する境界線２５９（捨て代領域２５７）に亘って設けられており、１つの振動子用バンプ１１となる。なお、図８（ｂ）から理解されるように、図８（ｃ）の互いに隣接するバンプ構成接合部６１は、製造ばらつき等によって互いに短絡してしまっても問題ない。

このような変形例においても、実施形態と同様に、振動子用バンプ２１１又は１１の厚みを確保することが容易等の効果が奏される。さらに、パッド構成パターン２５３を振動子用パッド４５毎に分ける必要がないから、境界線２５９の幅を狭くすることができる。その結果、１枚の母基板２５１から切り出せる実装枠体７の数が増加し、生産性が向上する。

なお、実施形態の母基板５１は、例えば、隣り合う発振器１同士がパッド構成パターン５３によって短絡されていないことから、母基板５１の状態で、外部端子４７にプローブを当接させて発振器１の検査を行うことができる等のメリットがある。

本発明は、以上の実施形態及び変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

圧電デバイスは、発振器に限定されないし、圧電素子は、振動子に限定されない。例えば、圧電素子は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子であってもよい。すなわち、圧電デバイスは、ＳＡＷデバイスであってもよい。また、圧電デバイスは、回路基板等に実装される電子部品の一部であってよい。例えば、圧電デバイスは、恒温槽内に収容されて恒温槽付デバイスに含まれてよい。また、圧電デバイス（圧電素子）は、水晶を用いるものに限定されず、例えば、セラミックを用いるものであってもよい。

圧電デバイスが発振器である場合において、その用途乃至は機能は適宜に設定されてよい。例えば、圧電発振器は、クロック用発振器であってもよいし、電圧制御型発振器（例えばＶＣＸＯ）であってもよいし、温度補償型発振器（例えばＴＣＸＯ）であってもよいし、既述のように恒温槽付発振器(例えばＯＣＸＯ)の恒温槽内の発振器であってもよい。外部端子、振動子用パッド、振動子端子、ＩＣ用パッド及びＩＣ端子の数及びその配置は、圧電発振器に要求される機能に応じて適宜に設定されてよい。

圧電素子が振動子である場合において、その具体的構成は、適宜に変更されてよい。例えば、圧電振動素子（１３）は、２本の振動腕を有する音叉型のものであってもよいし、矩形の圧電片の対角線上に１対の引出電極が形成されるものであってもよい。また、例えば、素子搭載部材（１５）は、枠部が金属によって構成されるものであってもよい。

圧電素子は、電子素子を介さずに、圧電デバイスの外部の回路に接続されてもよい。例えば、圧電素子が振動子３である場合において、振動素子１３が実装される素子搭載パッド２９と振動子端子３１とがＩＣ５等を介さずに素子搭載部材１５内の接続導体によって直接的に接続され、ひいては、振動素子１３がＩＣ５等を介さずに外部端子４７に接続されてもよい。別の観点では、圧電デバイスは、振動子３と実装枠体７とを有していても、依然として振動子であってもよい。なお、この場合、例えば、圧電デバイスが実装される回路基板に設けられた発振回路によって振動子３に電圧が印加される。

このように圧電素子が電子素子を介さずに圧電デバイスの外部の回路に接続されてよいことからも理解されるように、圧電デバイスにおいて電子素子（ＩＣ５）は設けられなくてもよい。また、電子素子が設けられる場合において、電子素子は、集積回路素子に限定されない。例えば、電子素子は、温度センサ（例えばサーミスタ）であってもよい。この温度センサは、例えば、素子搭載部材１５の配線及び実装枠体７の配線を介して、圧電デバイスの外部に設けられた、圧電素子（振動子３）の特性の温度補償を行うための回路に接続される。

圧電デバイスの全体形状は、概略Ｈ型となるものに限定されない。例えば、実装体（実装枠体７）は、開口４３ｈが設けられなくてもよい。また、例えば、実装体は、圧電素子（振動子３）に比較して十分に広くされ、その上面に圧電素子（振動子３）と並んで他の素子（例えば発振回路を含む集積回路素子）が実装されてもよい。この場合であっても、例えば、平面視において、圧電素子の複数の端子のうち１つが実装体の１辺又は２辺に隣接している場合、本願発明を適用できる。

切断面を有するバンプ（振動子用バンプ１１）は、平面視において圧電素子（振動子３）の角部及び／又は実装体（実装枠体７）の角部に位置していなくてもよい。例えば、バンプは、平面視において圧電素子及び実装体の１辺の中央に位置していてもよい。この場合であっても、バンプは、製造過程において、捨て代領域のうちの１本の境界線に広がるように配置されることによって、１つの切断面を有する。また、バンプが有する切断面の数は、２つに限定されず、前記のように１つであってもよいし（バンプが実装体の角部に隣接する場合に１つの切断面とすることも可能である）、また、合計２つのバンプで圧電素子の両端を支持するような構成においては、３つの切断面も可能である。

アンダーフィルは設けられなくてもよい。また、アンダーフィルが設けられる場合において、アンダーフィルは、開口から、圧電素子（振動子３）と実装体（実装枠体７）との間にまで広がっていなくてもよい。換言すれば、開口と実装体の側面外部とは、圧電素子と実装体との隙間を介して連通されていてもよい。この場合、例えば、開口から外部へ熱を逃がしやすい。

製造工程の順番は、母基板の切断前に圧電素子（振動子３）が母基板に実装されるのであれば、適宜に変えられてよい。例えば、ＩＣ５は、振動子３が母基板５１に実装された後に振動子３に実装されてもよく、また、この場合、ＩＣ５は、母基板の切断の前及び後のいずれにおいて振動子３に実装されてもよい。また、例えば、圧電素子（振動子３）を母基板（実装体が多数個取りされる母基板とは別の母基板）から切り出して個片化する態様においては、その母基板に含まれる状態の圧電素子に電子素子（ＩＣ５）が実装されてもよい。

また、圧電素子を母基板から切り出す場合においては、圧電素子の母基板と、実装体の母基板とをバンプによって貼り合わせて、その後に切断を行ってもよい。この場合、実装体のパッドだけでなく、圧電素子の端子（振動子端子３１）も圧電素子の母基板の捨て代領域まで広がっていてもよい。別の観点では、バンプは、実装体の側面と連続する切断面だけでなく、圧電素子の側面と連続する切断面を有していてもよい。

なお、圧電素子の端子を圧電素子の母基板の捨て代領域まで広げる場合においては、実装体の母基板ではなく、圧電素子の母基板にバンプを配置して、その上に、複数の実装体又は実装体の母基板を配置することも考えられる。圧電素子の母基板に複数の実装体が配置される場合においては、バンプは、圧電素子の側面と連続する切断面を有し、実装体の側面と連続する切断面を有さない。

本願発明は、バンプ（振動子用バンプ１１）によって規定されている圧電素子と実装体との距離が圧電デバイスの特性に影響を及ぼすことに着目してなされている。ただし、その着目の結果得られた本願発明は、バンプの厚さが圧電デバイスの特性に影響を及ぼすような態様のものに限定されない。別の観点からの種々の効果（例えば、バンプにおける接合強度の向上又はアンダーフィルの充填容易化）が奏されるからである。

同様に、本願発明は、パッド（パッド構成パターン５３）が捨て代領域に広がっていることによって、パッドが捨て代領域に広がっていない場合に比較してバンプが厚くされるものに限定されない。例えば、バンプ（バンプ構成接合部６１）は、印刷時に実装体領域のみに配置され、その後、薄くなりながら捨て代領域に広がってもよい。この場合、例えば、バンプが逃げる領域が捨て代領域に確保されることになり、バンプが意図しない方向へ流れて短絡が生じるおそれが低減されるという効果が生じる。

１…水晶発振器（圧電デバイス）、３…水晶振動子（圧電素子）、７…実装枠体（実装体）、１１…振動子用バンプ（バンプ）、３１…振動子端子（端子）、４５…振動子用パッド（パッド）。

Claims (8)

1. 下面に端子を有している圧電素子と、
   上面に前記端子と対向するパッドを有している実装体と、
   前記端子と前記パッドとの間に介在してこれらを接合している導電性のバンプと、
   を有しており、
   前記バンプは、その厚さが前記実装体の側面に近づくほど薄くなった裾野状部分を有し、
   前記裾野状部分は、前記実装体の側面と連続する切断面を有している
   圧電デバイス。
2. 前記バンプは、前記端子の下面及び前記パッドの上面それぞれの全体に接合している
   請求項１記載の圧電デバイス。
3. 前記実装体は、上面から下面へ貫通している開口を有しており、
   前記圧電素子は、前記開口の上面側を覆っており、
   前記開口に収容され、前記圧電素子の下面に実装された電子素子が設けられている
   請求項１又は２に記載の圧電デバイス。
4. 前記電子素子と前記圧電素子との間に介在してこれらに密着しているとともに、前記圧電素子と前記実装体との間に介在してこれらに密着しているアンダーフィルを更に有している
   請求項３に記載の圧電デバイス。
5. 前記圧電素子は、
   板状の圧電片、及び当該圧電片の両主面に位置する１対の励振電極を有している振動素子と、
   前記振動素子を収容しており、前記１対の励振電極に電気的に接続されている１対の前記端子を有している容器体と、を有している
   請求項１〜４のいずれか１項に記載の圧電デバイス。
6. 圧電素子、実装体及びこれらを接合する導電性のバンプを有する圧電デバイスの製造方法であって、
   前記実装体が多数個取りされる母基板を作製する母基板作製工程と、
   前記母基板の上面に複数の前記バンプを配置するバンプ配置工程と、
   前記母基板に配置された前記複数のバンプ上に複数の前記圧電素子を配置して前記複数の圧電素子を前記母基板に実装する圧電素子実装工程と、
   前記複数の圧電素子が実装された前記母基板を切断して複数の前記圧電デバイスに個片化する個片化工程と、
   を有しており、
   前記母基板作製工程では、複数の前記実装体となる複数の実装体領域とその間の捨て代領域とに亘って前記母基板の上面に複数のパッドを形成し、
   前記バンプ配置工程では、前記複数の実装体領域と前記捨て代領域とに亘って前記複数のパッド上に前記複数のバンプを配置し、
   前記圧電素子実装工程では、前記複数のパッドと前記複数の圧電素子との間に前記複数のバンプが配置された状態でこれを溶融することにより、前記複数のバンプそれぞれに
   前記捨て代領域側ほど薄くなる裾野状部分を前記実装体領域と前記捨て代領域とに跨がって形成し、その後前記複数のバンプを固化させることによって、これら複数のパッドと複数の圧電素子とを接続し、
   前記個片化工程では、前記複数のバンプの前記裾野状部分ごと前記母基板を切断する
   圧電デバイスの製造方法。
7. 前記圧電素子実装工程の前に、前記複数の圧電素子の下面に複数の電子素子を実装する電子素子実装工程を更に有し、
   前記母基板作製工程では、前記複数の実装体領域に複数の開口を形成し、
   前記圧電素子実装工程では、前記複数の電子素子が前記複数の開口に収容されるように前記複数の圧電素子を前記複数の実装体領域に実装する
   請求項６に記載の圧電デバイスの製造方法。
8. 前記圧電素子実装工程の後かつ前記個片化工程の前に、前記複数の開口を介して、前記
   複数の電子素子と前記複数の圧電素子との間、及び前記複数の圧電素子と前記複数の実装体領域との間にアンダーフィルを充填するアンダーフィル充填工程を更に有している
   請求項７に記載の圧電デバイスの製造方法。

Images