JP6845042B2 - 圧電発振器 - Google Patents

Description

本発明は、電子機器等に用いられる電子部品の一つである圧電発振器に関するものである。

圧電発振器は、電子部品の一つとして、コンピュータ，携帯電話又は小型情報機器などの電子機器内部に、基準信号源やクロック信号源として搭載され使用されている。以下に従来の圧電発振器として、圧電材料として水晶を用い平面視形状が矩形の圧電振動素子と、発振回路を内蔵した集積回路素子を内部に搭載したものについて説明する。

従来の圧電発振器は、水晶等の圧電振動素子の圧電効果を利用して、特定の周波数の信号を発振出力させるものである。例えば、基板とその基板の上面に設けられた第一枠体によって基板の上面側に第一凹部が設けられ、且つ基板の下面に設けられた外部接続電極パッドを備えた第二枠体によって基板の下面側に第二凹部が設けられた素子搭載部材と、第一凹部内に露出した基板の上面に設けられた第一電極パッドに搭載された圧電振動素子と、第一凹部を気密封止する蓋部材と、基板の下面に設けられた導体パターンを構成する第二電極パッドに搭載されている集積回路素子と、を備えた圧電発振器が提案されている。

また、基板の下面に設けられた導体パターンは、第二電極パッドとこの第二電極パッドから第二枠体の内側面の方向に延設された配線部とから構成されている。所定の導体パターンの配線部の第二枠体の内側面側の端部と外部接続電極パッドとは、第二枠体の内側面上に設けられたビア導体により電気的に接続されている（例えば、下記特許文献１又は２参照）。

特開２０１６−２０８１９２号公報 特開２０１３−２１９５３９号公報

前述した圧電発振器では、小型化、特に低背化が進んだ場合、素子搭載部材を構成する第二枠体の高さ寸法も同様に低くなる。このような構成において、圧電発振器を外部の実装基板に実装した場合、圧電発振器に形成された外部接続電極パッドと実装基板に形成された実装用電極パッドとを導通固着するために設けられた半田等の導電性接合材が、ビア導体を這い上がり、導体パターンが設けられた基板下面にまで達し、基板下面上に流れ出たとき、その導電性接合材が他の導体パターンと接触して短絡を起こすおそれがあった。導電性接合材と導電パターンの短絡が生じた場合、圧電発振器として不発振を起こしたり、また、電気的特性に不具合を生じてしまうおそれがあった。

本発明は前記課題を鑑みてなされたものであり、ビア導体への導電性接合材の這い上がりを抑え、小型化低背化が進んでも、導電性接合材と導電パターンとの短絡や導電性接合材と導電パターンとの短絡を抑え、不発振及び電気的特性に不具合を生じることを低減できる圧電発振器を提供することを課題とする。

本発明の圧電発振器は、基板と、この基板の上面に設けられ第一凹部を成す第一枠体と、基板の下面に設けられ第二凹部を成す第二枠体と、を備えた素子搭載部材と、第一凹部内に搭載されている圧電振動素子と、第二凹部内に露出した基板の下面に設けられており第二電極パッドおよび配線部を含んでいる複数の導体パターンと、第二枠体の下面の四隅に設けられた外部接続電極パッドと、この外部接続電極パッドと所定の導体パターンとを電気的に接続するために、第二枠体の第二凹部内に露出した側面に設けられたビア導体と、第二凹部内に配置され且つ導体パターンの第二電極パッドに半田バンプによって電気的に接続された集積回路素子と、それぞれのビア導体に設けられた接合材這い上がり防止領域と、を備えたことを特徴とする。

本発明の圧電発振器は、基板と、この基板の上面に設けられ第一凹部を成す第一枠体と、基板の下面に設けられ第二凹部を成す第二枠体と、を備えた素子搭載部材と、第一凹部内に搭載されている圧電振動素子と、第二凹部内に露出した基板の下面に設けられており第二電極パッドおよび配線部を含んでいる複数の導体パターンと、第二枠体の下面の四隅に設けられた外部接続電極パッドと、この外部接続電極パッドと所定の導体パターンとを電気的に接続するために、第二枠体の第二凹部内に露出した側面に設けられたビア導体と、第二凹部内に配置され且つ前記導体パターンの第二電極パッドに半田バンプによって電気的に接続された集積回路素子と、それぞれの前記ビア導体に設けられた接合材這い上がり防止領域と、を備えている。

このような構成により、圧電発振器を外部の実装基板に実装したときに、ビア導体に這い上がった導電性接合材を接合材這い上がり防止領域によりビア導体の途中で抑えることができるので、ビア導体を這い上がった導電性接合材が基板下面に設けられた導体パターンから他の導体パターンに接触することが抑止されており、導電パターン間の短絡を低減することが可能となる。

よって、本発明は、ビア導体への導電性接合材の這い上がりを抑え、小型化低背化が進んでも、導電性接合材と導電パターンとの短絡や導電性接合材と導電パターンとの短絡を抑え、不発振及び電気的特性に不具合を生じることを低減できる圧電発振器を提供できる効果を奏する。

本発明の実施形態に係る圧電発振器を下方から示した分解斜視図である。 本発明の実施形態に係る圧電発振器を構成する素子搭載部材を下方から示した平面図である。 図２に示した仮想切断線Ａ−Ａで切断したときの断面図である。 図３に記載の仮想円Ｂ部分を拡大して示した拡大図である。 図４に記載の仮想切断線Ｃ−Ｃで切断したときの断面図である。 本発明の実施形態に係る圧電発振器の変形例を示した断面図である。

以下に、本発明の実施形態を、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態に係る圧電発振器を下方から示した分解斜視図である。図２は、本発明の実施形態に係る圧電発振器を構成する素子搭載部材を下方から示した平面図である。図３は、図２に示した仮想切断線Ａ−Ａで切断したときの断面図である。図４は、図３に記載の仮想円Ｂ部分を拡大して示した拡大図である。図５は、図４に記載の仮想切断線Ｃ−Ｃで切断したときの断面図である。図６は、本発明の実施形態に係る圧電発振器の変形例を示した断面図である。

尚、各図では、説明を明りょうとするため構造体の一部を図示せず、また寸法も一部誇張して図示している。また、各図面では説明を平易とするため、図１及び図２については、図示してある面を圧電発振器及びそれを構成する各構成要素の下面、反対側の面を上面として記述する。また、図３及び６については、図面が記載されている用紙上方を圧電発振器及びそれを構成する各構成要素の上方として記述する。

（実施形態）
本発明の実施形態に係る圧電発振器１００について説明する。圧電発振器１００は、図１に示すように、素子搭載部材１１０と、圧電振動素子１３０と、蓋部材１４０と、集積回路素子１５０とから主に構成されている。このような圧電発振器１００は、電子機器等で使用する基準信号を生成出力するために用いられる。

素子搭載部材１１０は、後述する圧電振動素子１３０及び集積回路素子１５０を安定的に搭載するためのものである。素子搭載部材１１０は、図１、２及び３に示すように、基板１１１と、第一枠体１１２と、第二枠体１１３と、第一電極パッド１１４と、外部接続電極パッド１１５と、導体パターン１２０と、ビア導体１２３と、接合材這い上がり防止領域１２４とを備えた構成となっている。

基板１１１は、その上面に圧電振動素子１３０を実装し、下面に集積回路素子１５０を実装するための実装部材として機能するものである。基板１１１は、平面視矩形の平板であり、その上面には、圧電振動素子１３０へ信号を入出力するための第一電極パッド１１４が設けられており、下面には、集積回路素子１５０への信号を入出力するための導体パターン１２０が設けられている。また、基板１１１の下面には、他に、第一電極パッド１１４と電気的に接続した第三電極パッド１１６が設けられている。この第三電極パッド１１６は、後述する蓋部材１４０を搭載後に圧電振動素子１３０の周波数特性や電気的特性を測定するために用いられる。基板１１１の表面及び内部には、第一電極パッド１１４と第三電極パッド１１６と、後述する導体パターン１２０とを電気的に接続するための配線パターン（図示せず）が設けられている。また、基板１１１の表面及び内部には、導体パターン１２０と、後述する外部接続電極パッド１１５とを電気的に接続するための配線パターン（図示せず）も設けられている。基板１１１は、例えば、アルミナセラミックスまたはガラス−セラミックス等のセラミック材料、またはガラス−エポキシである絶縁材料から構成されている。

第一枠体１１２は、基板１１１の上面の外周縁に沿って設けられており、基板１１１の上面側に第一凹部１１７を形成するためのものである。第一枠体１１２は、例えば、アルミナセラミックスまたはガラス−セラミックス等のセラミック材料、またはガラス−エポキシである絶縁材料から構成されている。尚、この第一枠体１１２の内周の大きさ、つまり第一凹部１１７の開口部分の大きさは、圧電振動素子１３０が横方向で第一凹部１１７内に搭載できる大きさとなっている。この第一枠体１１２の第一凹部１１７の開口側の上端面には、接合材１１８が設けられている。

第二枠体１１３は、基板１１１の下面の外周縁に沿って設けられており、基板１１１の下面側に第二凹部１１９を形成するためのものである。第二枠体１１３は、例えば、アルミナセラミックスまたはガラス−セラミックス等のセラミック材料、またはガラス−エポキシである絶縁材料から構成されている。尚、この第二枠体１１３の内周の大きさ、つまり第二凹部１１９の開口部分の大きさは、集積回路素子１５０が横方向で第二凹部１１９内に搭載できる大きさとなっている。この第二枠体１１３の第二凹部１１９の開口側の下端面には、後述する外部接続電極パッド１１５が設けられている。また、第二枠体１１３の内側面には、導体パターン１２０と外部接続電極パッド１１５とを電気的に接続するためのビア導体１２３が設けられている。

第一電極パッド１１４は、導電性接着剤を用いて圧電振動素子１３０を保持導通し、圧電振動素子１３０への信号の入出力をするものである。第一電極パッド１１４はそれぞれ一個ずつ計二個であり、第一凹部１１７内に露出した基板１１１の上面の一方の短辺に沿って並んで設けられている。この第一電極パッド１１４は、基板１１１及び第二枠体１１２内に設けられた配線パターン（図示せず）により所定の導体パターン１２０及び第三電極パッド１１６と電気的に接続されている。尚、第一電極パッド１１４は金等の導電性の金属のメタライズ処理によって形成される。

導体パターン１２０は、半田等を用いて後述する集積回路素子１５０を保持導通し、集積回路素子１５０への信号の入出力をするものである。導体パターン１２０は第二電極パッド１２１と、配線部１２２とを備えている。第二電極パッド１２１は例えば八個設けられており、第二凹部１１９内に露出した基板１１１の下面の２つの長辺に沿って四個ずつ並んで設けられている。配線部１２２は、それぞれの第二電極パッド１２１から、その第二電極パッド１２１の近傍の第二凹部１１９内に露出した基板１１１の下面の辺縁部に向かって延設されている。この複数個の導体パターン１２０のうち、例えば、第二凹部１１９内に露出した基板１１１の下面のそれぞれの四隅に最も近い導体パターン１２０の配線部１２２は、第二凹部１１９内に露出した基板１１１の下面の短辺縁部に向かって延設されており、後述するビア導体１２３と電気的に接続している。この導体パターン１２０のうち、ビア導体１２３と電気的に接続した前述の導体パターン１２０以外の二つの導体パターン１２０は、基板１１１内に設けられた配線パターン（図示せず）により、第一電極パッド１１４と電気的に接続している。尚、導体パターン１２０は金属をメタライズ処理によって形成されている。

ビア導体１２３は、例えば、第二凹部１１９内に露出した基板１１１の下面のそれぞれの四隅に最も近い導体パターン１２０の配線部１２２と、第二枠体１１３の下面の四隅に設けられた外部接続電極パッド１１５とを、それぞれ電気的に接続するために用いられる。ビア導体１２３は、第二枠体１１３の内側面のうち短辺側の内側面の両端部近傍に、第二枠体１１３の高さを長さ寸法とする帯状に設けられており、それぞれのビア導体１２３の下端は、所定の外部接続電極パッド１１５と電気的に接続しており、それぞれのビア導体１２３の上端は、例えば、第二凹部１１９内に露出した基板１１１の下面のそれぞれの四隅に最も近い導体パターン１２０のうちの所定の導体パターンの配線部１２２と電気的に接続している。尚、ビア導体１２３は金属をメタライズ処理によって形成されており、例えば、図５に示すように、第二枠体１１３の内側面側の第一層１２５にモリブデンが形成され、中間の第二層１２６にニッケルが形成され、最外の第三層１２７に金という三層構造になっている。

それぞれのビア導体１２３には接合材這い上がり防止領域１２４が設けられている。この接合材這い上がり防止領域１２４は、圧電発振器１００を外部の実装基板へ実装する際に、外部接続電極パッド１１５からビア導体１２３へ這い上がった半田等の導電性接合材をビア導体１２３の途中で這い上がりを堰き止めるために用いられる。接合材這い上がり防止領域１２４は、図４及び５に示すように、導電性接合材の這い上がりを妨げる高低差を有する凸部１２４ａと、導電性接合材との濡れ性が比較的低い金属酸化物から成る部分（図示しない）または導電性接合材がたまりやすい凹部１２４ｂとから構成されている。尚、ビア導体１２３においてこの接合材這い上がり防止領域１２４が設けられる位置は、ビア導体１２３のどの位置でも構わないが、這い上がりを基板１１１の下面からなるべく離して防止するために、ビア導体１２３の長さ寸法における中間から外部接続電極パッド１１５側に向かってオフセットした位置に設けられていることが好ましい。

尚、この接合材這い上がり防止領域１２４は、第二凹部１１９の開口側からビア導体１２３にレーザを照射することにより形成される。這い上がり防止領域１２４の凸部１２４ａは、例えば、ビア導体１２３にレーザを照射して形成される。また、金属酸化物から成る部分は、ビア導体１２３の第二層１２６のニッケルがレーザで削られ、また発熱することにより空気と反応して生成される。また凹部１２４ｂは、第二層１２６のニッケルと第三層１２７の金を除去することで形成される。以上のように、接合材這い上がり防止領域１２４を構成する凸部１２４ａ、金属酸化物および凹部１２４ｂは、ビア導体１２３にレーザを照射することで一度に形成される。尚、照射するレーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、半導体レーザ、またはエキシマレーザ等が用いられる。

外部接続電極パッド１１５は、素子搭載部材１１０を備えた圧電発振器１００を外部の実装基板に実装する際に、半田等の導電性接合材を介して電気的に接続し固着するための電極パッドとして機能する。外部接続電極パッド１１５は、少なくとも、素子搭載部材１１０を構成する第二枠体１１３の第二凹部１１９開口側の下主面の四隅にそれぞれ一つずつ、計四個設けられている。第二枠体１１３の第二凹部１１９開口側の下主面の四隅それぞれに設けられた外部接続電極パッド１１５は、例えば、信号入力端子、信号出力端子、電源電圧端子、グランド端子によって構成されている。それぞれの外部接続電極パッド１１５は、接合材這い上がり防止領域１２４が設けられたビア導体１２３により、所定の導体パターン１２０と電気的に接続されている。尚、外部接続電極パッド１１５は金等の導電性の金属のメタライズ処理によって形成される。

圧電振動素子１３０は、例えば、厚みすべり振動を用いて所望する周波数の電気信号を生成するものである。圧電振動素子１３０は、図１に示すように、圧電素子１３１と、圧電素子１３１の上下面に設けられた厚みすべり振動を励振する励振電極１３２と、接続電極１３３から主に構成されている。

圧電素子１３１は、平面視矩形の平板であり、人工水晶体からカットアングルがＡＴでカットされた後、外形加工された水晶薄板が用いられている。この外形加工には、ワイヤソーによる切断やラッピング等の研磨による機械的加工手段が主に用いられている。これらの外形加工により形成される圧電素子１３１の平面視大きさは、例えば平面視の長辺寸法で１ｍｍ〜３ｍｍとなっている。尚、第一実施形態においては、圧電素子１３１に水晶薄板を用いたが、他にタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電性を有する単結晶材料を材料とした薄板を使用しても良い。

励振電極１３２は、厚みすべり振動を圧電素子１３１に生成するためのものである。励振電極１３２は、圧電素子１３１の上面及び下面のほぼ中央に一つずつ、圧電素子１３１を挟んで対向して設けられている。励振電極１３２は、例えば、互いに同一の形状及び大きさであり、平面透視において重なっている。励振電極１３２の形状は、例えば、圧電素子１３１の主面の四辺と平行な四辺を有する概略矩形である。また、励振電極１３２は、圧電素子１３１の上下面に、金、アルミニウム、ニッケル、クロムやチタン、或いはこれらの金属を含む合金等の導電性の金属を蒸着あるいはスパッタリング等により薄膜状に積層形成した上で、フォトリソグラフィ法等の製造方法により形成されている。例えば、励振電極１３２は、圧電素子１３１の表面側から順にクロム、ニッケル、金の金属の三層構造となっていても良い。

接続電極１３３は、素子搭載部材１１０に設けられた第一電極パッド１１４と圧電振動素子１３０の励振電極１３２との間の信号の入出力を行うためのものである。接続電極１３３は、圧電素子１３１の表裏主面それぞれに設けられた励振電極１３２から延設された引出し電極１３４の圧電素子１３１の側面側の各終端部分に設けられおり、圧電素子１３１の一方の短辺の両角部の上面から側面を介して下面にかけて、それぞれ一個ずつ計二個形成されている。この接続電極１３３は、導電性接着剤により、素子搭載部材１１０に設けられた第一電極パッド１１４と電気的に接続されている。また、接続電極１３３は、圧電素子１２１の一方の短辺の両角部の上下側面に、金、アルミニウム、ニッケル、クロムやチタン、或いはこれらの金属を含む合金等の導電性の金属を蒸着あるいはスパッタリング等により薄膜状に積層形成した上で、フォトリソグラフィ法等の製造方法により形成されている。例えば、接続電極１３３は、圧電素子１３１の表面側から順にクロム、ニッケル、金の金属の三層構造となっていても良い。

蓋部材１４０は、圧電振動素子１３０を搭載した素子搭載部材１１０の真空状態にある第一凹部１１７、あるいは窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスが充填された第一凹部１１７を気密的に封止するためのものである。蓋部材１４０は、平面視矩形状の平板形状であり、第一凹部１１７の開口部を覆い塞ぎつつ接合材１１８の平面視外周の大きさと同じ平面視の大きさを有する。蓋部材１４０は、第一枠体１１２の上面に設けられた接合材１１８の上に第一凹部１１７の開口部を覆い塞ぐように配置され、第一枠体１１２の上面と接合材１１８を介して接合されている。蓋部材１４０は、例えば、鉄、ニッケルまたはコバルトの少なくともいずれかを含む合金あるいはセラミックからなり、その厚み寸法は、例えば０．２〜１．０ｍｍである。

集積回路素子１５０は、例えば、素子搭載部材１１０を構成する基板１１１側を向く主面に複数個の接続パッド１５１を有した平面視矩形のフリップチップ型集積回路素子が用いられ、その回路形成面には、所定の電子回路及び電子素子を組み合わせて、例えば、圧電振動素子１３０を励振する発振回路、波形成形回路、温度補償回路などが設けられている。この集積回路素子１５０は、接続パッド１５１と基板１１１の下面に設けられた導体パターン１２０を構成する第二電極パッド１２１とを半田等によって接合固着することにより、素子搭載部材１１０の第二凹部１１９内に搭載される。これにより、導体パターン１２０と基板１１１の表面及び内部に設けられた配線パターン（図示しない）とにより、第一電極パッド１１４に搭載された圧電振動素子１３０と、第二電極パッド１２１に接続された集積回路素子１５０とが電気的に接続されている。

前述のように、本発明の実施形態に係る圧電発振器１００は、基板１１１と、基板１１１の上面に設けられ第一凹部１１７を成す第一枠体１１２と、基板１１１の下面に設けられ第二凹部１１９を成す第二枠体１１３と、を備えた素子搭載部材と、第一凹部１１７内に搭載されている圧電振動素子１３０と、第二凹部１１９内に露出した基板１１１の下面に設けられており第二電極パッド１２１および配線部１２２を含んでいる複数の導体パターン１２０と、第二枠体１１３の下面の四隅に設けられた外部接続電極パッド１１５と、外部接続電極パッド１１５と所定の導体パターン１２０とを電気的に接続するために、第二枠体１１３の第二凹部１１９内に露出した内側面に設けられたビア導体１２３と、第二凹部１１９内に配置され且つ導体パターン１２０の第二電極パッド１２１に半田バンプによって電気的に接続された集積回路素子１５０と、それぞれのビア導体１２３に設けられた接合材這い上がり防止領域１２４と、を備えている。

このような構成により、圧電発振器１００を外部の実装基板に実装したときに、ビア導体１２３に這い上がった導電性接合材を接合材這い上がり防止領域１２４によりビア導体１２３の途中で抑えることができるので、ビア導体１２３を這い上がった導電性接合材が基板１１１下面に設けられた導体パターン１２０から他の導体パターン１２０に接触することが抑止されており、導電パターン１２０間の短絡を低減することが可能となる。

また、本発明の圧電発振器１００は、接合材這い上がり防止領域１２４が、ビア導体１２３の長さ寸法における中間から外部接続電極パッド１１５側に向かってオフセットした位置に設けられている。このような構成により、圧電発振器１００を外部の実装基板に実装したときに、ビア導体１２３に這い上がった導電性接合材を、外部接続電極パッド１１５側に向かってオフセットした位置に設けられている接合材這い上がり防止領域１２４によりビア導体１２３の基板１１１から更に離れた位置で抑えることができる。よって、ビア導体１２３を這い上がった導電性接合材が基板１１１下面に設けられた導体パターン１２０から他の導体パターン１２０に接触することを著しく抑止されており、導電パターン１２０間の短絡をより低減することが可能となる。

更に、本発明の圧電発振器１００は、接合材這い上がり防止領域１２４が、レーザをビア導体１２３に対し照射することにより形成されていることを特徴とする。このような構成により、レーザによりビア導体１２３の表層の第三層１２７を取り除くとともに、第三層１２７を取り除いた部分の近傍に取り除かれた層が盛り上がり凸部１２４ａを形成することができる。この凸部１２４ａの少なくとも表面部分が、例えばニッケルなどの半田濡れ性の低い金属酸化物から成っていることによって、レーザにより形成した接合材這い上がり防止領域１２４により半田などの導電性接合材の拡がりを止めることが可能となる。

（変形例）
次に、本発明の実施形態に係る圧電発振器の変形例について説明する。尚、本実施形態に係る圧電発振器の変形例において、前述した本実施形態である圧電発振器１００と同じ構成要素の部分には、圧電発振器１００の各構成要素に付与した符号と同じ符号を付してその説明を省略する。本実施形態の変形例である圧電発振器２００は、第二凹部１１９内に絶縁性樹脂が設けられていることで、本実施形態の圧電発振器１００と異なっている。

本実施形態の変形例である圧電発振器２００は、素子搭載部材１１０と、圧電振動素子１３０と、蓋部材１４０と、集積回路素子１５０と、絶縁性樹脂２６０から主に構成されている。このような圧電発振器２００は、電子機器等で使用する基準信号を生成出力するために用いられる。

図６に示すように、接合材這い上がり防止領域１２４が形成されたビア導体１２３が設けられており、且つ集積回路素子１５０が搭載されている第二凹部１１９内には、絶縁性樹脂２６０が充填されている。この絶縁性樹脂２６０は、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂によって構成されており、ディスペンサにより液状の絶縁性樹脂２６０を第二凹部１１９内に流入させた後、加熱等により絶縁性樹脂２６０を固化し充填している。また、絶縁性樹脂２６０の量は、接合材這い上がり防止領域１２４の機能を阻害しないように、第二凹部１１９内の基板１１１の下面から、接合材這い上がり防止領域１２４に絶縁性樹脂２６０が接触しない高さまでを充填する量となっている。

前述のように、本発明の実施形態に係る圧電発振器２００は、接合材這い上がり防止領域１２４が形成されたビア導体１２３が設けられている第二枠体１１３の内側面が露出した第二凹部１１９内に、絶縁性樹脂２６０が充填されている。このような構成により、例えば、外部からの異物や接合材這い上がり防止領域１２４により堰き止められた導電性接合材が剥がれ落ちて第二凹部１１９内の基板１１１の下面方向に侵入して、導体パターン１２０や集積回路素子１５０の回路形成面に付着することを防止できる。よって、この異物等により、基板１１１の下面に設けられた導体パターン１２０が短絡したり、集積回路素子１５０の回路形成面に形成された電子回路が短絡したりすることを低減させることが可能となる。

尚、本発明は上述の実施形態や各変形例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、前述した実施形態においては、圧電デバイス内に搭載する周波数決定素子として平面視矩形の圧電振動素子を例示したが、他に、平面視音叉型の圧電振動素子や、弾性表面波素子を用いても構わない。

１００、２００・・・圧電発振器
１１０・・・素子搭載部材
１１１・・・基板
１１２・・・第一枠体
１１３・・・第二枠体
１１４・・・第一電極パッド
１１５・・・外部接続電極パッド
１１６・・・第三電極パッド
１１７・・・第一凹部
１１８・・・接合材
１１９・・・第二凹部
１２０・・・導体パターン
１２１・・・第二電極パッド
１２２・・・配線部
１２３・・・ビア導体
１２４・・・接合材這い上がり防止領域
１３０・・・圧電振動素子
１４０・・・蓋部材
１５０・・・集積回路素子
２６０・・・絶縁性樹脂

Claims (4)

1. 基板と、前記基板の上面に設けられ第一凹部を成す第一枠体と、前記基板の下面に設けられ第二凹部を成す第二枠体と、を備えた素子搭載部材と、
   前記第一凹部内に搭載されている圧電振動素子と、
   前記第二凹部内に露出した前記基板の下面に設けられており第二電極パッドおよび配線部を含んでいる複数の導体パターンと、
   前記第二枠体の下面の四隅に設けられた外部接続電極パッドと、
   前記外部接続電極パッドと所定の前記導体パターンとを電気的に接続するために前記第二枠体の前記第二凹部内に露出した内側面に設けられたビア導体と、
   前記第二凹部内に配置され且つ前記導体パターンの前記第二電極パッドに半田バンプによって電気的に接続された集積回路素子と、
   それぞれの前記ビア導体の延出する方向に直交するように設けられた凸部と凹部とから構成されている接合材這い上がり防止領域と、
   を備えたことを特徴とする圧電発振器。
2. 前記接合材這い上がり防止領域が、前記ビア導体の長さ寸法における中間から前記外部接続電極パッド側に向かってオフセットした位置に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器。
3. 前記接合材這い上がり防止領域は、レーザを前記ビア導体に対し照射することにより形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の圧電発振器の製造方法。
4. 前記接合材這い上がり防止領域が形成された前記ビア導体が設けられている前記第二枠体の内側面が露出した前記第二凹部内には、絶縁性樹脂が充填されていることを特徴とする請求項１又は２記載の圧電発振器。

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