JP6742748B2 - 現像ユニット、基板処理装置、現像方法および基板処理方法 - Google Patents

現像ユニット、基板処理装置、現像方法および基板処理方法 Download PDF

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Description

本発明は、基板に現像処理を行う現像ユニット、基板処理装置、現像方法および基板処理方法に関する。
半導体デバイス等の製造におけるリソグラフィ工程では、基板表面の下地層上にレジスト液等の塗布液が供給されることにより塗布膜が形成される。塗布膜が露光された後、塗布膜に現像液が供給されることにより、塗布膜に所定のパターンが形成される（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１４−７５５７５号公報
近年、より微細なパターンを形成するために、金属成分を含有する塗布膜（以下、金属含有塗布膜と呼ぶ。）を適用することが研究されている。しかしながら、発明者の実験によると、リンス液を用いて現像後の基板を洗浄しても、金属成分が完全には除去されずに残存する可能性があることが判明した。
金属成分が基板表面の下地層に残存すると、エッチングにより形成される下地層のパターンに欠陥が生じることがある。そのため、基板処理の精度が低下する。また、金属成分が基板の端部または裏面に付着すると、搬送機構を備えた基板処理装置および隣接する露光装置が汚染することがある。
本発明の目的は、金属汚染の発生を防止しつつ基板処理の精度を向上させることが可能な現像ユニット、基板処理装置、現像方法および基板処理方法を提供することである。
（１）第１の発明に係る現像ユニットは、金属を含有する塗布液の膜が被処理面に金属含有塗布膜として形成された基板に現像処理を行う現像ユニットであって、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板を保持する基板保持部と、基板保持部に支持された基板の被処理面に現像液を供給する現像液供給部と、現像液供給部により現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液を供給する洗浄液供給部とを備え、基板保持部は、ポジティブトーン現像処理を受けるべき基板を保持し、現像液はアルカリ性水溶液を含み、洗浄液は、キレート剤が添加された水溶液、アルカリ性水溶液または酸性水溶液を含む。
この現像ユニットにおいては、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板が基板保持部により保持される。基板保持部により支持された基板の被処理面に現像液が供給される。現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液が供給される。
この構成によれば、現像液が供給された後の基板の被処理面に現像液に溶解した金属含有塗布膜の金属が付着した場合でも、洗浄液により当該金属が溶解される。これにより、洗浄液が供給された後の基板表面の下地層には金属が残存しないので、エッチングにより形成される下地層のパターンには、金属に起因する欠陥が生じない。これらの結果、金属汚染の発生を防止しつつ基板処理の精度を向上させることができる。
また、基板保持部は、ポジティブトーン現像処理を受けるべき基板を保持し、現像液はアルカリ性水溶液を含み、洗浄液は、キレート剤が添加された水溶液、アルカリ性水溶液または酸性水溶液を含む。
この場合、基板に付着した金属を容易に除去するかまたは容易に溶解させることができる。また、現像液および洗浄液を分離して回収する必要がない。これにより、現像液および洗浄液の廃棄コストを低減することができる。
（２）現像ユニットは、洗浄液供給部により洗浄液が供給された後の基板の被処理面にリンス液を供給するリンス液供給部をさらに備え、リンス液は純水を含んでもよい。
この場合、基板に付着した洗浄液がリンス液により除去されるので、基板をより清浄に維持することができる。また、現像液、洗浄液およびリンス液を分離して回収する必要がない。これにより、現像液、洗浄液およびリンス液の廃棄コストを低減することができる。
（３）キレート剤は、有機酸、有機酸の塩、アミノ酸、アミノ酸の誘導体、無機アルカリ、無機アルカリの塩、アルキルアミン、アルキルアミンの誘導体、アルカノールアミンおよびアルカノールアミンの誘導体よりなる群から選択された一種または複数種を含んでもよい。
この場合、金属含有塗布膜のパターンに損傷を与えることなく基板に付着した金属を十分に除去するかまたは十分に溶解させることができる。これにより、基板処理の精度をより向上させることができる。
（４）第２の発明に係る現像ユニットは、金属を含有する塗布液の膜が被処理面に金属含有塗布膜として形成された基板に現像処理を行う現像ユニットであって、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板を保持する基板保持部と、基板保持部に支持された基板の被処理面に現像液を供給する現像液供給部と、現像液供給部により現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液を供給する洗浄液供給部とを備え、基板保持部は、ネガティブトーン現像処理を受けるべき基板を保持し、現像液は有機溶媒を含み、洗浄液は、キレート剤が添加された有機溶媒を含む。
この現像ユニットにおいては、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板が基板保持部により保持される。基板保持部により支持された基板の被処理面に現像液が供給される。現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液が供給される。
この構成によれば、現像液が供給された後の基板の被処理面に現像液に溶解した金属含有塗布膜の金属が付着した場合でも、洗浄液により当該金属が溶解される。これにより、洗浄液が供給された後の基板表面の下地層には金属が残存しないので、エッチングにより形成される下地層のパターンには、金属に起因する欠陥が生じない。これらの結果、金属汚染の発生を防止しつつ基板処理の精度を向上させることができる。
また、基板に付着した金属を容易に除去するかまたは容易に溶解させることができる。さらに、現像液と洗浄液とを分離して回収する必要がない。これにより、現像液および洗浄液の廃棄コストを低減することができる。
（５）現像ユニットは、洗浄液供給部により洗浄液が供給された後の基板の被処理面にリンス液を供給するリンス液供給部をさらに備え、リンス液は有機溶媒を含んでもよい。
この場合、基板に付着した洗浄液がリンス液により除去されるので、基板をより清浄に維持することができる。また、現像液、洗浄液およびリンス液を分離して回収する必要がない。これにより、現像液、洗浄液およびリンス液の廃棄コストを低減することができる。
（６）第３の発明に係る現像ユニットは、金属を含有する塗布液の膜が被処理面に金属含有塗布膜として形成された基板に現像処理を行う現像ユニットであって、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板を保持する基板保持部と、基板保持部に支持された基板の被処理面に現像液を供給する現像液供給部と、現像液供給部により現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液を供給する洗浄液供給部とを備え、基板保持部は、ネガティブトーン現像処理を受けるべき基板を保持し、現像液は有機溶媒を含み、洗浄液は、キレート剤が添加された水溶液を含んでもよい。
この現像ユニットにおいては、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板が基板保持部により保持される。基板保持部により支持された基板の被処理面に現像液が供給される。現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液が供給される。
この構成によれば、現像液が供給された後の基板の被処理面に現像液に溶解した金属含有塗布膜の金属が付着した場合でも、洗浄液により当該金属が溶解される。これにより、洗浄液が供給された後の基板表面の下地層には金属が残存しないので、エッチングにより形成される下地層のパターンには、金属に起因する欠陥が生じない。これらの結果、金属汚染の発生を防止しつつ基板処理の精度を向上させることができる。また、基板に付着した金属を容易に除去するかまたは容易に溶解させることができる。
（７）現像ユニットは、洗浄液供給部により洗浄液が供給された後の基板の被処理面にリンス液を供給するリンス液供給部をさらに備え、リンス液は純水を含んでもよい。
この場合、基板に付着した洗浄液がリンス液により除去されるので、基板をより清浄に維持することができる。
（８）キレート剤は、有機酸または有機酸の塩を含んでもよい。
この場合、金属含有塗布膜のパターンに損傷を与えることなく基板に付着した金属を十分に除去するかまたは十分に溶解させることができる。これにより、基板処理の精度をより向上させることができる。
（９）洗浄液には、界面活性剤がさらに添加されてもよい。この場合、金属含有塗布膜のパターンが倒壊することを抑制することができる。また、金属含有塗布膜のパターンの荒さ（ラフネス）を改善することができる。その結果、基板処理の精度をより向上させることができる。
（１０）現像ユニットは、現像液供給部により現像液が供給された後の基板の被処理面と反対側の裏面に金属を溶解させる洗浄液を供給する裏面洗浄部をさらに備えてもよい。
この構成によれば、現像液が供給された後の基板の裏面に金属含有塗布膜の金属が付着した場合でも、洗浄液により当該金属が溶解される。これにより、金属による現像ユニットの汚染をより十分に防止することができる。
（１１）第４の発明に係る基板処理装置は、基板の被処理面を露光する露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として基板の被処理面に供給することにより被処理面に金属含有塗布膜を形成する膜形成ユニットと、膜形成ユニットによる金属含有塗布膜の形成後に、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように金属を溶解させる除去液を基板の周縁部に供給する周縁部除去ユニットと、露光装置により被処理面の金属含有塗布膜が露光された基板に現像処理を行う現像ユニットと、周縁部除去ユニットにより除去液が供給された後の基板を露光装置に搬送するとともに、露光装置により露光された後の基板を現像ユニットに搬送する搬送機構とを備え、現像ユニットは、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板を保持する基板保持部と、基板保持部に支持された基板の被処理面に現像液を供給する現像液供給部と、現像液供給部により現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液を供給する洗浄液供給部とを含む。
この基板処理装置においては、金属を含有する塗布液が金属含有塗布液として基板の被処理面に供給されることにより被処理面に金属含有塗布膜が形成される。金属含有塗布膜の形成後に、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように金属を溶解させる除去液が基板の周縁部に供給される。除去液が供給された後の基板が搬送機構により露光装置に搬入されるとともに、露光装置により露光された後の基板が搬送機構により露光装置から搬出される。露光装置により被処理面の金属含有塗布膜が露光された基板に現像ユニットによる現像処理が行われる。
この構成によれば、周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板の周縁部に金属が残存することが防止される。そのため、基板の周縁部を搬送機構が保持した場合でも、搬送機構には金属が付着しない。これにより、基板上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能となる。
また、現像液が供給された後の基板の被処理面に現像液に溶解した金属含有塗布膜の金属が付着した場合でも、洗浄液により当該金属が溶解される。これにより、洗浄液が供給された後の基板表面の下地層には金属が残存しないので、エッチングにより形成される下地層のパターンには、金属に起因する欠陥が生じない。これらの結果、金属汚染の発生を防止しつつ基板処理の精度を向上させることができる。
（１２）第５の発明に係る現像方法は、金属を含有する塗布液の膜が被処理面に金属含有塗布膜として形成された基板に現像処理を行う現像方法であって、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板を基板保持部により保持するステップと、基板保持部により支持された基板の被処理面に現像液を供給するステップと、現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液を供給するステップとを含み、基板を基板保持部により保持するステップは、基板保持部によりポジティブトーン現像処理を受けるべき基板を保持することを含み、現像液を供給するステップは、アルカリ性水溶液を現像液として供給することを含み、洗浄液を供給するステップは、キレート剤が添加された水溶液、アルカリ性水溶液または酸性水溶液を洗浄液として供給することを含む。
この現像方法によれば、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板が基板保持部により保持される。基板保持部により支持された基板の被処理面に現像液が供給される。現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液が供給される。
この方法によれば、現像液が供給された後の基板の被処理面に現像液に溶解した金属含有塗布膜の金属が付着した場合でも、洗浄液により当該金属が溶解される。これにより、洗浄液が供給された後の基板表面の下地層には金属が残存しないので、エッチングにより形成される下地層のパターンには、金属に起因する欠陥が生じない。これらの結果、金属汚染の発生を防止しつつ基板処理の精度を向上させることができる。
また、基板保持部は、ポジティブトーン現像処理を受けるべき基板を保持し、現像液はアルカリ性水溶液を含み、洗浄液は、キレート剤が添加された水溶液、アルカリ性水溶液または酸性水溶液を含む。この場合、基板に付着した金属を容易に除去するかまたは容易に溶解させることができる。また、現像液および洗浄液を分離して回収する必要がない。これにより、現像液および洗浄液の廃棄コストを低減することができる。
（１３）第６の発明に係る現像方法は、金属を含有する塗布液の膜が被処理面に金属含有塗布膜として形成された基板に現像処理を行う現像方法であって、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板を基板保持部により保持するステップと、基板保持部により支持された基板の被処理面に現像液を供給するステップと、現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液を供給するステップとを含み、基板を基板保持部により保持するステップは、基板保持部によりネガティブトーン現像処理を受けるべき基板を保持することを含み、現像液を供給するステップは、有機溶媒を現像液として供給することを含み、洗浄液を供給するステップは、キレート剤が添加された有機溶媒を洗浄液として供給することを含む。
この現像方法によれば、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板が基板保持部により保持される。基板保持部により支持された基板の被処理面に現像液が供給される。現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液が供給される。
この方法によれば、現像液が供給された後の基板の被処理面に現像液に溶解した金属含有塗布膜の金属が付着した場合でも、洗浄液により当該金属が溶解される。これにより、洗浄液が供給された後の基板表面の下地層には金属が残存しないので、エッチングにより形成される下地層のパターンには、金属に起因する欠陥が生じない。これらの結果、金属汚染の発生を防止しつつ基板処理の精度を向上させることができる。
また、基板に付着した金属を容易に除去するかまたは容易に溶解させることができる。さらに、現像液と洗浄液とを分離して回収する必要がない。これにより、現像液および洗浄液の廃棄コストを低減することができる。
（１４）第７の発明に係る現像方法は、金属を含有する塗布液の膜が被処理面に金属含有塗布膜として形成された基板に現像処理を行う現像方法であって、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板を基板保持部により保持するステップと、基板保持部により支持された基板の被処理面に現像液を供給するステップと、現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液を供給するステップとを含み、基板を基板保持部により保持するステップは、基板保持部によりネガティブトーン現像処理を受けるべき基板を保持することを含み、現像液を供給するステップは、有機溶媒を現像液として供給することを含み、洗浄液を供給するステップは、キレート剤が添加された水溶液を洗浄液として供給することを含む。
この現像方法によれば、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板が基板保持部により保持される。基板保持部により支持された基板の被処理面に現像液が供給される。現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液が供給される。
この方法によれば、現像液が供給された後の基板の被処理面に現像液に溶解した金属含有塗布膜の金属が付着した場合でも、洗浄液により当該金属が溶解される。これにより、洗浄液が供給された後の基板表面の下地層には金属が残存しないので、エッチングにより形成される下地層のパターンには、金属に起因する欠陥が生じない。これらの結果、金属汚染の発生を防止しつつ基板処理の精度を向上させることができる。また、基板に付着した金属を容易に除去するかまたは容易に溶解させることができる。
（１５）第８の発明に係る基板処理方法は、基板の被処理面を露光する露光装置を用いた基板処理方法であって、金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として基板の被処理面に供給することにより被処理面に金属含有塗布膜を形成するステップと、金属含有塗布膜の形成後に、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように金属を溶解させる除去液を基板の周縁部に供給するステップと、除去液が供給された後の基板を搬送機構により露光装置に搬入するとともに、露光装置により露光された後の基板を搬送機構により露光装置から搬出するステップと、露光装置により被処理面の金属含有塗布膜が露光された基板に現像処理を行うステップとを含み、現像処理を行うステップは、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板を基板保持部により保持することと、基板保持部により支持された基板の被処理面に現像液を供給することと、現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液を供給することとを含む。
この基板処理方法によれば、金属を含有する塗布液が金属含有塗布液として基板の被処理面に供給されることにより被処理面に金属含有塗布膜が形成される。金属含有塗布膜の形成後に、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように金属を溶解させる除去液が基板の周縁部に供給される。除去液が供給された後の基板が搬送機構により露光装置に搬入されるとともに、露光装置により露光された後の基板が搬送機構により露光装置から搬出される。露光装置により被処理面の金属含有塗布膜が露光された基板に現像処理が行われる
この方法によれば、周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板の周縁部に金属が残存することが防止される。そのため、基板の周縁部を搬送機構が保持した場合でも、搬送機構には金属が付着しない。これにより、基板上に金属含有塗布膜を形成するとともに搬送機構または露光装置に対する金属汚染の発生を防止することが可能となる。
また、現像液が供給された後の基板に金属含有塗布膜の金属が付着した場合でも、洗浄液により当該金属が溶解される。これにより、洗浄液が供給された後の基板表面の下地層には金属が残存しないので、エッチングにより形成される下地層のパターンには、金属に起因する欠陥が生じない。これらの結果、金属汚染の発生を防止しつつ基板処理の精度を向上させることができる。
本発明によれば、金属汚染の発生を防止しつつ基板処理の精度を向上させることができる。
本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 図１の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。 塗布処理ユニットの構成を示す模式的平面図である。 現像処理ユニットの構成を示す模式的平面図である。 図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。 金属除去ユニットの第１の構成例を示す図である。 金属除去ユニットの第２の構成例を示す図である。 搬送部の内部構成を示す模式的側面図である。 搬送機構を示す斜視図である。 レジスト膜が形成された基板の部分拡大縦断面図である。 レジスト膜が形成された基板の部分拡大縦断面図である。 第１の変形例に係る基板処理装置の模式的平面図である。 第２の変形例における現像兼金属除去ユニットの構成を示す模式的側面図である。 第３の変形例における現像処理ユニットの構成を示す模式的側面図である。
以下、本発明の一実施の形態に係る現像ユニット、基板処理装置、現像方法および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。また、本実施の形態で用いられる基板は、少なくとも一部が円形の外周部を有する。例えば、位置決め用のノッチを除く外周部が円形を有する。
［１］第１の実施の形態
（１）基板処理装置
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、塗布ブロック１２、現像ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。本例において、露光装置１５は、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet；超紫外線）により基板Ｗに露光処理を行う。ＥＵＶの波長は、１３ｎｍ以上１４ｎｍ以下である。
図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送機構１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
塗布ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４（図８参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７，１２８（図８参照）が設けられる。
現像ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５〜ＰＡＳＳ８（図８参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７，１３８（図８参照）が設けられる。
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図８参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。
また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９、後述のエッジ露光部ＥＥＷ（図８参照）および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図８参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４３が設けられる。搬送機構１４３は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。
（２）塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部
図２は、図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１の内部構成を示す模式的側面図である。図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。図３は、塗布処理ユニット１２９の構成を示す模式的平面図である。
図３に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、待機部２０、複数のスピンチャック２５、複数のカップ２７、複数の塗布液ノズル２８、ノズル搬送機構２９および複数のエッジリンスノズル４１を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５、カップ２７およびエッジリンスノズル４１は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。
各スピンチャック２５は、基板Ｗを保持した状態で、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。カップ２７はスピンチャック２５の周囲を取り囲むように設けられる。待機時には、各塗布液ノズル２８は待機部２０に挿入される。各塗布液ノズル２８には、図示しない塗布液貯留部から塗布液配管を通して種々の塗布液が供給される。複数の塗布液ノズル２８のうちのいずれかの塗布液ノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。スピンチャック２５が回転しつつ塗布液ノズル２８から塗布液が吐出されることにより、回転する基板Ｗ上に塗布液が塗布される。
本実施の形態においては、図２の塗布処理室２２，２４の塗布液ノズル２８からは、反射防止膜用の塗布液（反射防止液）が吐出される。塗布処理室２１，２３の塗布液ノズル２８からは、レジスト膜用の塗布液（レジスト液）が吐出される。
反射防止液およびレジスト液には、ＥＵＶを効率よく吸収するための金属成分または金属酸化物等の金属成分が組成物として含有されている。本例では、金属成分として、例えばＳｎ（スズ）、ＨｆＯ２（酸化ハフニウム）またはＺｒＯ２（二酸化ジルコニウム）が反射防止液およびレジスト液に含有される。以下、金属成分を含有する反射防止液またはレジスト液等の塗布液を金属含有塗布液と総称する。また、金属含有塗布液により形成される膜を金属含有塗布膜と呼ぶ。
エッジリンスノズル４１は、スピンチャック２５により保持された基板Ｗの被処理面の周縁部を向くように配置される。ここで、被処理面とは回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面をいう。基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの被処理面において、基板Ｗの外周部に沿った一定幅の領域をいう。
エッジリンスノズル４１からは、基板Ｗの周縁部から金属含有塗布膜を除去する除去液を吐出可能である。かかる除去液として、例えばシンナー、酢酸ブチル（butyl acetate）、ＰＧＭＥＡ（propyleneglycol monomethyl ether acetate：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、ＰＧＭＥ（propyleneglycol monomethyl ether：プロピレングリコールモノメチルエーテル）を含む有機溶媒のほか、ＴＭＡＨ（tetra methyl ammonium hydroxide：水酸化テトラメチルアンモニウム）または、アンモニアおよび過酸化水素水を含む水溶液等の除去液が吐出されてもよい。以下、エッジリンスノズル４１から吐出される除去液を膜除去液と呼ぶ。
スピンチャック２５により基板Ｗが回転された状態で、エッジリンスノズル４１から基板Ｗの周縁部に膜除去液が吐出される。この場合、基板Ｗの周縁部に塗布された塗布液が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部の塗布膜が除去される。これにより、搬送アームが基板Ｗの周縁部を把持しても、パーティクルの発生を回避でき、基板処理装置１００がパーティクルにより汚染されることを防止することができる。
図２に示すように、現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１〜３４には、現像処理ユニット１３９が設けられる。図４は、現像処理ユニット１３９の構成を示す模式的平面図である。
図４に示すように、各現像処理ユニット１３９は、複数の洗浄ノズル３０、複数のスピンチャック３５、複数のリンスノズル３６および複数のカップ３７を備える。また、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそれらのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。本実施の形態においては、洗浄ノズル３０、スピンチャック３５、リンスノズル３６およびカップ３７は、各現像処理ユニット１３９に３つずつ設けられる。
各スピンチャック３５は、基板Ｗを保持した状態で、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。カップ３７はスピンチャック３５の周囲を取り囲むように設けられる。各スリットノズル３８には、図示しない現像液貯留部から現像液配管を通して現像液が供給される。いずれかのスリットノズル３８が移動機構３９により基板Ｗの上方に移動される。スピンチャック３５が回転しつつスリットノズル３８から現像液が吐出されることにより、基板Ｗの現像処理が行われる。
洗浄ノズル３０は、カップ３７の外側の待避位置とスピンチャック３５により保持される基板Ｗの中心部の上方の洗浄位置との間で回動可能に設けられる。基板の洗浄処理時には、洗浄ノズル３０が洗浄位置に移動される。スピンチャック３５が回転しつつ洗浄ノズル３０から洗浄液が吐出されることにより、基板Ｗの洗浄処理が行われる。
リンスノズル３６は、カップ３７の外側の待避位置とスピンチャック３５により保持される基板Ｗの中心部の上方のリンス位置との間で回動可能に設けられる。基板のリンス処理時には、リンスノズル３６がリンス位置に移動される。スピンチャック３５が回転しつつリンスノズル３６からリンス液が吐出されることにより、基板Ｗのリンス処理が行われる。
図２に示すように、洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では３つ）の洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳが設けられる。各洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳにおいては、前述した有機溶媒、前述した水溶液または純水を用いて露光処理前の基板Ｗの周縁部および裏面の洗浄ならびに乾燥処理が行われる。ここで、裏面とは基板Ｗの被処理面と反対側の面をいう。
（３）熱処理部
図５は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の内部構成を示す模式的側面図である。図５に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。
熱処理部１２３の最上部にはローカルコントローラＬＣ１が設けられる。ローカルコントローラＬＣ１は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３の動作を制御する。
熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰおよび複数の熱処理ユニットＰＨＰが設けられる。
熱処理部１３３の最上部には、ローカルコントローラＬＣ２が設けられる。ローカルコントローラＬＣ２は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３の動作を制御する。
（４）金属除去ユニット
上記のように、図３のスピンチャック２５により基板Ｗが回転された状態で、エッジリンスノズル４１から基板Ｗの周縁部に膜除去液が吐出されることにより、基板Ｗの周縁部に塗布された金属含有塗布液が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部の金属含有塗布膜が除去される。しかしながら、基板Ｗの周縁部には金属含有塗布液に含有されていた金属成分が残存している。また、基板Ｗの裏面に金属含有塗布液が回り込んだ場合には、基板Ｗの裏面には金属含有塗布液に含有されていた金属成分が残存している。
基板Ｗの周縁部または裏面に金属成分が付着した状態で基板Ｗが基板処理装置１００内で搬送されると、基板処理装置１００の内部および露光装置１５の内部に金属成分による汚染が発生する。そこで、洗浄乾燥処理部１６２には、露光処理前の基板Ｗの周縁部および裏面に付着した金属成分を除去する複数（本例では６つ）の金属除去ユニットＭＲが設けられる。
金属除去ユニットＭＲにおいては、除去液としてアルカリ性除去液または酸性除去液が用いられる。アルカリ性除去液は、例えばアンモニアおよび過酸化水素を含む水溶液である。アルカリ性除去液は、例えばＴＭＡＨであってもよい。酸性除去液は、例えば希フッ酸を含む水溶液である。酸性除去液は、例えば硫酸および過酸化水素を含む水溶液であってもよいし、酢酸またはキレート剤を含む水溶液であってもよい。キレート剤は、有機酸、有機酸の塩、アミノ酸、アミノ酸の誘導体、無機アルカリ、無機アルカリの塩、アルキルアミン、アルキルアミンの誘導体、アルカノールアミンおよびアルカノールアミンの誘導体よりなる群から選択された一種または複数種を含む。以下、アルカリ性除去液または酸性除去液を金属用除去液と呼ぶ。金属用除去液は、反射防止液またはレジスト液に含有された金属成分を溶解可能である。
本例では、３つの金属除去ユニットＭＲと残り３つの金属除去ユニットＭＲとでは、異なる金属用除去液が用いられる。この場合、金属含有塗布液に含有された金属成分の種類に応じて、適した金属除去ユニットＭＲにより基板Ｗの周縁部および裏面に付着した金属成分を除去することができる。
図６は、金属除去ユニットＭＲの第１の構成例を示す図である。図６に示すように、金属除去ユニットＭＲには、モータ１、スピンチャック３、カップ４、２つの裏面洗浄ノズル７、周縁部洗浄ノズル８および気体供給部９が設けられる。スピンチャック３は、鉛直軸の周りで回転可能にモータ１の回転軸２の上端に取り付けられる。カップ４は、スピンチャック３に保持された基板Ｗの周囲を取り囲むように配置される。カップ４の下部には排液部５および排気部６が形成される。
２つの裏面洗浄ノズル７は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの裏面を向くように配置される。裏面洗浄ノズル７から基板Ｗの裏面に金属用除去液が吐出される。周縁部洗浄ノズル８は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの周縁部を向くように配置される。周縁部洗浄ノズル８から基板Ｗの周縁部に金属用除去液が吐出される。
気体供給部９は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの略中央部の上方に配置される。気体供給部９から基板Ｗの被処理面の略中央部に不活性ガス、例えば窒素ガスが噴出される。この場合、気体供給部９から噴出される気体は、基板Ｗの被処理面の略中央部に拡散する。これにより、周縁部洗浄ノズル８から吐出される金属用除去液が基板Ｗの被処理面に形成された塗布膜に付着することが防止される。
図７は、金属除去ユニットＭＲの第２の構成例を示す図である。図７に示すように、第２の構成例における金属除去ユニットＭＲには、図６の周縁部洗浄ノズル８および気体供給部９に代えて気液供給ノズル１０が設けられる。気液供給ノズル１０は、水平方向に並ぶ液体ノズル１０ａおよび気体ノズル１０ｂを含む。気液供給ノズル１０は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの周縁部を向くように配置される。ここで、気体ノズル１０ｂは、液体ノズル１０ａよりも基板Ｗの中心の近くに配置される。
液体ノズル１０ａから基板Ｗの周縁部に金属用除去液が吐出される。気体ノズル１０ｂから基板Ｗの周縁部に不活性ガス、例えば窒素ガスが噴出される。この場合、気体ノズル１０ｂから気体が噴出される基板Ｗの位置は、液体ノズル１０ａから金属用除去液が吐出される位置よりも基板Ｗの中心に近い。そのため、液体ノズル１０ａから吐出される金属用除去液は、気体ノズル１０ｂから噴出される気体により基板Ｗの中心に向かうことが妨げられる。これにより、液体ノズル１０ａから吐出される金属用除去液が基板Ｗの被処理面に形成された塗布膜に付着することが防止される。
図６および図７の金属除去ユニットＭＲにおいては、周縁部洗浄ノズル８または液体ノズル１０ａから基板Ｗの周縁部に金属用除去液が供給されるので、基板Ｗの周縁部における金属含有塗布膜中の金属成分が溶解され、基板Ｗの被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存する。また、裏面洗浄ノズル７から基板Ｗの裏面に金属用除去液が供給されるので、金属含有塗布液が基板Ｗの裏面に回り込んだ場合でも、基板Ｗの裏面に付着した金属含有塗布液中の金属成分が除去される。
また、本例では、熱処理部１２３により金属含有塗布膜が硬化された後の基板Ｗが金属除去ユニットＭＲに搬送されるので、気体供給部９または気体ノズル１０ｂから基板Ｗに気体が吐出されても金属含有塗布膜の膜厚に影響しない。これらの結果、基板Ｗの被処理面に金属含有塗布膜を均一な厚みに形成することができる。
（５）搬送部
図８は、搬送部１２２，１３２，１６３の内部構成を示す模式的側面図である。図８に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。
塗布処理室２１，２２（図２）と上段熱処理部３０１（図５）とは上段搬送室１２５を挟んで対向し、塗布処理室２３，２４（図２）と下段熱処理部３０２（図５）とは下段搬送室１２６を挟んで対向する。同様に、現像処理室３１，３２（図２）と上段熱処理部３０３（図５）とは上段搬送室１３５を挟んで対向し、現像処理室３３，３４（図２）と下段熱処理部３０４（図５）とは下段搬送室１３６を挟んで対向する。
搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９、複数のエッジ露光部ＥＥＷおよび複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９、エッジ露光部ＥＥＷおよび載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４３による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。
エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。
基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から塗布ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、塗布ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、塗布ブロック１２から現像ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、現像ブロック１３から塗布ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、現像ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。
次に、搬送機構１２７について説明する。図９は、搬送機構１２７を示す斜視図である。図８および図９に示すように、搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図８に示すように、ガイドレール３１１は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように上段搬送室１３５側に固定される。
ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３の長手方向に移動可能に設けられる。
移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗの外周部を保持するためのハンドＨ１，Ｈ２，Ｈ３が取り付けられる。ハンドＨ１〜Ｈ３は、回転部材３１５の長手方向に移動可能に設けられる。ハンドＨ１はハンドＨ２よりも上方に配置され、ハンドＨ２はハンドＨ３よりも上方に配置される。
上記のような構成により、搬送機構１２７は、上段搬送室１２５内においてＸ方向およびＺ方向に自在に移動することができる。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１〜Ｈ３を用いて塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図８）および上段熱処理部３０１（図５）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
なお、図８に示すように、搬送機構１２８，１３７，１３８は搬送機構１２７と同様の構成を有する。また、本実施の形態においては、図１の搬送機構１４１は、搬送機構１２７と同様の３つのハンドＨ１〜Ｈ３を有する。
（６）現像処理部の動作
図１の現像処理部１３１の動作について説明する。図１０および図１１は、レジスト膜が形成された基板Ｗの部分拡大縦断面図である。なお、図１０および図１１においては、反射防止膜の図示および説明を省略している。図１０（ａ）に示すように、基板Ｗは、中心層Ｗ１上に下地層Ｗ２が形成された構成を有する。中心層Ｗ１は、例えばシリコンを含む。下地層Ｗ２は、例えばシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜等の薄膜を含む。塗布ブロック１２（図１）により基板Ｗの下地層Ｗ２の被処理面上にレジスト膜ＲＦが形成される。
次に、図１０（ｂ）に示すように、露光装置１５（図１）により所定のパターン形状を有するマスクＭｋを介して基板Ｗが露光される。これにより、レジスト膜ＲＦに除去部Ｒｍが形成される。続いて、図１０（ｃ）に示すように、熱処理部１３３（図５）により露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。これにより、露光時の光化学反応により生じた生成物の触媒作用を促進し、現像液に対するレジスト膜ＲＦの溶解速度の変化を引き起こす化学反応を活性化することができる。
次に、図１０（ｄ）に示すように、現像処理ユニット１３９（図４）により現像処理が行われる。これにより、レジスト膜ＲＦの除去部Ｒｍが基板Ｗの下地層Ｗ２から除去され、レジスト膜ＲＦに所定のパターンが形成される。上記の一連の処理により、本実施の形態における基板処理が終了する。その後、図１０（ｅ）に示すように、図示しないエッチング装置により基板Ｗにエッチングが行われることとなる。この場合、レジスト膜ＲＦから露出する下地層Ｗ２の部分が除去される。これにより、下地層Ｗ２に所定のパターンを形成することができる。
しかしながら、レジスト液には金属成分が含有されている。そのため、図１０（ｄ）の現像処理においてレジスト膜ＲＦの除去部Ｒｍを除去した際に、図１１（ａ）に示すように、レジスト膜ＲＦに含まれていた金属成分ＭＣが下地層Ｗ２の露出部分に付着することがある。下地層Ｗ２において金属成分ＭＣが付着した部分のエッチングレートは、下地層Ｗ２の他の部分のエッチングレートよりも小さい。したがって、図１１（ｂ）に示すように、エッチングにおいて除去されるべき下地層Ｗ２の部分Ｗ３が除去されずに残存する。すなわち、下地層Ｗ２のパターンに欠陥が発生する。
そこで、図１０（ｄ）の現像処理の後に、図４の洗浄ノズル３０から洗浄液が吐出されることにより、基板Ｗの洗浄処理が行われる。また、図４のリンスノズル３６からリンス液が吐出されることにより、基板Ｗのリンス処理が行われる。その後、基板Ｗのスピン乾燥が行われる。これにより、基板Ｗの下地層Ｗ２に付着した金属成分ＭＣが除去される。その結果、下地層Ｗ２のパターンに欠陥が発生することを防止することができる。
本実施の形態においては、現像処理ユニット１３９において、基板Ｗのポジティブトーン現像処理が行われる。この場合、現像液として、アルカリ性水溶液が用いられる。アルカリ性水溶液は、例えば、ＴＭＡＨまたはＫＯＨ（potassium hydroxide：水酸化カリウム）を含む。
洗浄液として、例えばキレート剤が添加された水溶液が用いられる。あるいは、洗浄液として、金属除去ユニットＭＲにおける金属用除去液と同様の処理液が用いられてもよい。洗浄液として、例えばアンモニアおよび過酸化水素が添加された水溶液が用いられてもよいし、希フッ酸が添加された水溶液が用いられてもよい。
本実施の形態では、キレート剤として、酢酸、シュウ酸、酒石酸もしくはクエン酸等の有機酸またはその塩が用いられてもよい。あるいは、キレート剤として、グリシン、アラニン、システイン、ヒスチジン、アスパラギン酸、アルギニンもしくはメチオニン等のアミノ酸またはその誘導体が用いられてもよい。
あるいは、キレート剤として、アンモニア等の無機アルカリまたはその塩が用いられてもよい。あるいは、キレート剤として、トリメチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミンもしくはエチレンジアミン四酢酸等のアルキルアミンまたはその誘導体が用いられてもよい。あるいは、キレート剤として、モノエタノールアミン等のアルカノールアミンまたはその誘導体が用いられてもよい。
これらの場合、レジスト膜ＲＦのパターンに損傷を与えることなく基板に付着した金属を十分に除去するかまたは十分に溶解させることができる。これにより、基板処理の精度をより向上させることができる。洗浄液には、１種類のキレート剤が添加されてもよいし、２種類以上のキレート剤が任意の割合で添加されてもよい。また、洗浄液には、界面活性剤がさらに添加されてもよい。
洗浄液に含まれる添加物の量は適宜調整されてもよい。また、現像処理ユニット１３９は、金属含有塗布液に含有される金属成分の種類に応じて基板Ｗに吐出される洗浄液の種類を切り替え可能に構成されてもよい。さらに、現像処理ユニット１３９は、洗浄液の温度を調整可能に構成されてもよい。これにより、金属成分ＭＣの除去性能を最適化することができる。また、洗浄液によりレジスト膜ＲＦに与えられる損傷を最小限にすることができる。
本実施の形態においては、リンス液として、例えば純水が用いられる。この場合、基板に付着した洗浄液がリンス液により除去されるので、基板をより清浄に維持することができる。
リンス処理は省略されてもよい。あるいは、洗浄処理において用いられる洗浄液の種類に応じてリンス処理を実行するか否かが選択されてもよい。特に、洗浄液に界面活性剤が添加されている場合には、基板Ｗに洗浄液を供給することにより下地層Ｗ２のパターンの倒壊を抑制する効果および荒さ（ラフネス）を改善する効果が得られる。そのため、リンス処理は実行されないことが好ましい。また、リンス処理を省略することにより基板処理のコストを低減させるとともに、処理時間の短縮およびスループットの向上を行うことができる。
（７）基板処理
図１、図２、図５および図８を参照しながら基板処理を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図８）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図８）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
塗布ブロック１２において、搬送機構１２７（図８）は、中段および下段のハンドＨ２，Ｈ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図５）、冷却ユニットＣＰ（図５）および塗布処理室２２（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２，Ｈ３を用いて塗布処理室２２の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図５）、冷却ユニットＣＰ（図５）、塗布処理室２１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図５）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図８）に順に搬送する。
この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
また、搬送機構１２７は、上段のハンドＨ１を用いて基板載置部ＰＡＳＳ６（図８）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図８）に搬送する。
搬送機構１２８（図８）は、中段および下段のハンドＨ２，Ｈ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図５）、冷却ユニットＣＰ（図５）および塗布処理室２４（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２８は、ハンドＨ２，Ｈ３を用いて塗布処理室２４の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図５）、冷却ユニットＣＰ（図５）、塗布処理室２３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図５）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図８）に順に搬送する。
また、搬送機構１２８（図８）は、上段のハンドＨ１を用いて基板載置部ＰＡＳＳ８（図８）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図８）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図５）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図５）における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
現像ブロック１３において、搬送機構１３７（図８）は、下段のハンドＨ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図８）に搬送する。
また、搬送機構１３７（図８）は、上段および中段のハンドＨ１，Ｈ２を用いて洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図５）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３７は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いてその基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図５）、現像処理室３１，３２（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図５）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図８）に順に搬送する。
この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理、洗浄処理およびリンス処理が順次行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。
搬送機構１３８（図８）は、下段のハンドＨ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図８）に搬送する。
また、搬送機構１３８（図８）は、上段および中段のハンドＨ１，Ｈ２を用いてインターフェイスブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図５）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いてその基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図５）、現像処理室３３，３４（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図５）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図８）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１）は、下段のハンドＨ３を用いて載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図８）に載置された基板Ｗを金属除去ユニットＭＲ（図５）に搬送する。また、搬送機構１４１は、上段および中段のハンドＨ１，Ｈ２を用いて、金属除去ユニットＭＲの基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳ（図２）、エッジ露光部ＥＥＷ（図８）および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図８）に順に搬送する。
この場合、金属除去ユニットＭＲにおいて、基板Ｗの周縁部および裏面に残存する金属成分の除去が行われる。また、洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳにおいて、基板Ｗの周縁部および裏面の洗浄ならびに乾燥処理が行われる。続いて、エッジ露光部ＥＥＷにおいて基板Ｗのエッジ露光処理が行われる。その後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて露光装置１５（図１）による露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図８）に載置された露光処理後の基板Ｗをおよび上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図５）に順に搬送する。この場合、熱処理ユニットＰＨＰにおいてＰＥＢ処理が行われる。
搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４３（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図８）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５（図１）の基板搬入部に搬送する。また、搬送機構１４３は、露光装置１５の基板搬出部から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図８）に搬送する。
露光装置１５においては、極めて短い波長を有するＥＵＶにより基板Ｗに露光処理が行われる。この場合、基板Ｗ上の塗布膜に金属成分が含有されているので、ＥＵＶが効率よく吸収され、微細な露光パターンを高い解像度で形成することができる。なお、露光方法はこれに限定されず、他の方法により基板Ｗに露光処理が行われてもよい。
上記の基板Ｗの搬送によれば、金属成分が除去される前の基板Ｗと金属成分が除去された後の基板Ｗとが搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１の異なるハンドにより保持される。これにより、金属成分が除去された後の基板Ｗに搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１のハンドを介して金属成分が付着することが防止される。その結果、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１を介した金属汚染の拡大が防止される。
（８）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００において、周縁部を除く基板Ｗの被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板Ｗの周縁部に金属が残存することが防止される。そのため、基板Ｗの周縁部を搬送機構１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１〜１４３が保持した場合でも、搬送機構１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１〜１４３には金属が付着しない。これにより、基板Ｗ上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能となる。
また、現像液が供給された後の基板Ｗに金属含有塗布膜の金属が付着した場合でも、洗浄液により当該金属が溶解される。これにより、金属による基板処理装置１００および隣接する露光装置１５の汚染が防止される。また、洗浄液が供給された後の基板Ｗの表面の下地層Ｗ２には金属が残存しないので、エッチングにより形成される下地層Ｗ２のパターンには、金属に起因する欠陥が生じない。これらの結果、金属汚染の発生を防止しつつ基板処理の精度を向上させることができる。
（９）変形例
（ａ）第１の変形例
上記実施の形態において、インデクサブロック１１、塗布ブロック１２、現像ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂがこの順序で配置されるが、本発明はこれに限定されない。インデクサブロック１１、塗布ブロック１２、現像ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂは、他の順序で配置されてもよい。
図１２は、第１の変形例に係る基板処理装置１００の模式的平面図である。図１２に示すように、第１の変形例においては、インデクサブロック１１、現像ブロック１３、塗布ブロック１２、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂがこの順序で配置される。
図１２の基板処理装置１００においては、現像ブロック１３の搬送機構１３７，１３８により基板Ｗがインデクサブロック１１から塗布ブロック１２に搬送される。塗布ブロック１２において、基板Ｗに反射防止膜およびレジスト膜が形成される。その後、基板Ｗは、インターフェイスブロック１４を通して露光装置１５に搬送され、露光装置１５により露光される。
露光後の基板Ｗは、塗布ブロック１２の搬送機構１２７，１２８により現像ブロック１３に搬送される。現像ブロック１３において、基板Ｗに現像処理、洗浄処理およびリンス処理が順次行われる。リンス処理後の基板Ｗは、搬送機構１３７，１３８によりインデクサブロック１１に搬送される。
上記の構成によれば、基板Ｗの周縁部の金属含有塗布膜中の金属は、塗布処理部１２１に隣接する洗浄乾燥処理部１６２の金属除去ユニットＭＲにより即座に除去される。これにより、基板処理装置１００が金属により汚染されることを十分に防止することができる。また、この構成においては、搬送機構１３７，１３８は３つ以上のハンドを有する必要がないし、洗浄前の基板Ｗを保持するハンドと洗浄後の基板Ｗを保持するハンドとを使い分ける必要がない。
基板処理装置１００の他の構成例として、インデクサブロック１１、塗布ブロック１２、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａ、現像ブロック１３および搬入搬出ブロック１４Ｂがこの順序で配置されてもよい。
この構成においても、基板Ｗの周縁部の金属含有塗布膜中の金属は、塗布処理部１２１に隣接する洗浄乾燥処理部１６２の金属除去ユニットＭＲにより即座に除去される。これにより、基板処理装置１００が金属により汚染されることを十分に防止することができる。また、搬送機構１３７，１３８，１４１は３つ以上のハンドを有する必要がないし、洗浄前の基板Ｗを保持するハンドと洗浄後の基板Ｗを保持するハンドとを使い分ける必要がない。
（ｂ）第２の変形例
第２の変形例に係る基板処理装置１００について、図１の基板処理装置１００と異なる点を説明する。第２の変形例においては、図１の洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに洗浄乾燥処理部１６２（金属除去ユニットＭＲ）が設けられない。また、図４の現像処理ユニット１３９に代えて、図１３の現像兼金属除去ユニットが設けられる。図１３は、第２の変形例における現像兼金属除去ユニットの構成を示す模式的側面図である。なお、図１３においては、洗浄ノズル３０、リンスノズル３６、スリットノズル３８および移動機構３９の図示を省略する。
図１３に示すように、現像兼金属除去ユニット１３９ＭＲは、各スピンチャック３５に対応するエッジリンスノズル４５およびバックリンスノズル４６をさらに備える。エッジリンスノズル４５は、スピンチャック３５により保持された基板Ｗの被処理面の周縁部を向くように配置される。バックリンスノズル４６は、スピンチャック３５により保持された基板Ｗの裏面を向くように配置される。エッジリンスノズル４５は、図４のリンスノズル３６により実現されてもよい。
本実施の形態における基板処理について、図２、図８および図１３を参照しながら上記の実施の形態における基板処理と異なる点を説明する。塗布ブロック１２によりレジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。現像ブロック１３において、搬送機構１３７は、下段のハンドＨ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗを現像処理室３１または現像処理室３２に搬送する。
現像処理室３１，３２において、現像兼金属除去ユニット１３９ＭＲにより基板Ｗの洗浄が行われる。具体的には、スピンチャック３５により基板Ｗが回転された状態で、エッジリンスノズル４５から基板Ｗの周縁部に金属用除去液が吐出される。また、バックリンスノズル４６から基板Ｗの裏面に金属用除去液が吐出される。この場合、基板Ｗの周縁部および裏面に残存した金属成分が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部および裏面に残存した金属成分が除去される。金属用除去液による基板Ｗの洗浄後、基板Ｗが純水等によりさらに洗浄されてもよい。
現像兼金属除去ユニット１３９ＭＲにより基板Ｗが洗浄された後、搬送機構１３７は、上段および中段のハンドＨ１，Ｈ２を用いて洗浄後の基板Ｗを現像処理室３１，３２から載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に搬送する。その後の基板処理は、上記の実施の形態における基板処理と同様である。
同様に、現像ブロック１３において、搬送機構１３８は、下段のハンドＨ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗを現像処理室３３または現像処理室３４に搬送する。その後、搬送機構１３８は、上段および中段のハンドＨ１，Ｈ２を用いて洗浄後の基板Ｗを現像処理室３３，３４から載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に搬送する。
この構成によれば、周縁部を除く基板Ｗの被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板Ｗの周縁部および裏面に金属が付着することが防止される。これにより、基板Ｗ上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能となる。そのため、搬送機構１４１は３つ以上のハンドを有する必要がないし、洗浄前の基板Ｗを保持するハンドと洗浄後の基板Ｗを保持するハンドとを使い分ける必要がない。
また、この構成においては、現像液と金属用除去液とで同じ種類の処理液（例えばＴＭＡＨ）を用いることができる。この場合、現像液と金属用除去液とを分離して回収する必要がない。これにより、処理液の廃棄コストを低減することができる。一方で、現像液と金属用除去液とで異なる種類の処理液を用いることも可能である。この場合、現像兼金属除去ユニット１３９ＭＲに現像液と金属用除去液とを分離して回収するための機構が設けられてもよい。
さらに、金属用除去液としてＴＭＡＨを用いる場合には、金属成分を溶解するとともに、基板Ｗにわずかに付着した金属含有塗布膜を金属成分と一体的にエッチングすることにより金属成分を除去することができる。これにより、基板Ｗの周縁部および裏面に付着した金属成分を効率よく除去することができる。
基板処理装置１００の他の構成例として、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに洗浄乾燥処理部１６２が設けられず、図３の塗布処理ユニット１２９に代えて図示しない塗布兼金属除去ユニットが設けられてもよい。塗布兼金属除去ユニットは、塗布処理ユニット１２９と同様の塗布処理に加えて、図１３の現像兼金属除去ユニット１３９ＭＲと同様の金属成分の除去処理を行うことが可能である。塗布兼金属除去ユニットに塗布液と金属用除去液とを分離して回収するための機構が設けられてもよい。
この構成においても、周縁部を除く基板Ｗの被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板Ｗの周縁部および裏面に金属が付着することが防止される。これにより、基板Ｗ上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能となる。そのため、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１は３つ以上のハンドを有する必要がないし、洗浄前の基板Ｗを保持するハンドと洗浄後の基板Ｗを保持するハンドとを使い分ける必要がない。
（ｃ）第３の変形例
第３の変形例に係る基板処理装置１００について、図１の基板処理装置１００と異なる点を説明する。図１４は、第３の変形例における現像処理ユニット１３９の構成を示す模式的側面図である。図１４に示すように、本例における現像処理ユニット１３９には、スピンチャック３５に対応して１または複数の裏面洗浄ノズル４０がさらに設けられる。図１４の例では、スピンチャック３５に対応して２個の裏面洗浄ノズル４０が設けられている。
各裏面洗浄ノズル４０は、洗浄ノズル３０から吐出される洗浄液と同様の洗浄液を基板Ｗの裏面に吐出することにより、基板Ｗの裏面を洗浄する。これにより、図１１および図１２において、レジスト膜ＲＦの除去部Ｒｍを除去した際に金属成分ＭＣが基板Ｗの裏面に付着した場合でも、基板Ｗの裏面の金属成分ＭＣが除去される。その結果、金属成分ＭＣによる基板処理装置１００および露光装置１５の汚染をより確実に防止することができる。
［２］第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る基板処理装置１００について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。本実施の形態においては、現像処理ユニット１３９において、基板Ｗのネガティブトーン現像処理が行われる。この場合、現像液として、有機溶媒が用いられる。有機溶媒は、例えば、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤もしくはエーテル系溶剤等の極性溶剤または炭化水素系溶剤を含む。具体的には、現像液として、例えば酢酸ブチル、酢酸アミルまたは２−ヘプタノンが用いられる。
洗浄液として、例えばキレート剤が添加された有機溶媒が用いられる。この場合、現像液および洗浄液を分離して回収する必要がない。これにより、現像液および洗浄液の廃棄コストを低減することができる。
本実施の形態では、キレート剤として、酢酸、シュウ酸、酒石酸もしくはクエン酸等の有機酸またはその塩が用いられてもよい。これらの場合、レジスト膜ＲＦのパターンに損傷を与えることなく基板に付着した金属を十分に除去するかまたは十分に溶解させることができる。これにより、基板処理の精度をより向上させることができる。洗浄液には、１種類のキレート剤が添加されてもよいし、２種類以上のキレート剤が任意の割合で添加されてもよい。また、洗浄液には、界面活性剤がさらに添加されてもよい。
第１の実施の形態と同様に、洗浄液に含まれる添加物の量は適宜調整されてもよい。また、現像処理ユニット１３９は、金属含有塗布液に含有される金属成分の種類に応じて基板Ｗに吐出される洗浄液の種類を切り替え可能に構成されてもよい。さらに、現像処理ユニット１３９は、洗浄液の温度を調整可能に構成されてもよい。これにより、金属成分ＭＣの除去性能を最適化することができる。また、洗浄液によりレジスト膜ＲＦに与えられる損傷を最小限にすることができる。
本実施の形態においては、リンス液として、例えば有機溶媒が用いられる。この場合、基板に付着した洗浄液がリンス液により除去されるので、基板をより清浄に維持することができる。また、現像液、洗浄液およびリンス液を分離して回収する必要がない。これにより、現像液、洗浄液およびリンス液の廃棄コストを低減することができる。有機溶媒は、例えばＭＩＢＣ（methyl isobutyl carbinol：メチルイソブチルカルビノール）またはＭＩＢＫ（methyl isobutyl ketone：メチルイソブチルケトン）を含む。
第１の実施の形態と同様に、リンス処理は省略されてもよい。あるいは、洗浄処理において用いられる洗浄液の種類に応じてリンス処理を実行するか否かが選択されてもよい。特に、洗浄液に界面活性剤が添加されている場合には、基板Ｗに洗浄液を供給することにより下地層Ｗ２のパターンの倒壊を抑制する効果およびラフネスを改善する効果が得られる。そのため、リンス処理は実行されないことが好ましい。また、リンス処理を省略することにより基板処理のコストを低減させるとともに、処理時間の短縮およびスループットの向上を行うことができる。
［３］第３の実施の形態
第３の実施の形態に係る基板処理装置１００について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。本実施の形態においては、第２の実施の形態と同様に、現像処理ユニット１３９において、基板Ｗのネガティブトーン現像処理が行われる。この場合、現像液として、有機溶媒が用いられる。有機溶媒は、例えば、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤もしくはエーテル系溶剤等の極性溶剤または炭化水素系溶剤を含む。具体的には、現像液として、例えば酢酸ブチル、酢酸アミルまたは２−ヘプタノンが用いられる。
洗浄液として、例えばキレート剤が添加された水溶液が用いられる。本実施の形態では、キレート剤として、酢酸、シュウ酸、酒石酸もしくはクエン酸等の有機酸またはその塩が用いられてもよい。これらの場合、レジスト膜ＲＦのパターンに損傷を与えることなく基板に付着した金属を十分に除去するかまたは十分に溶解させることができる。これにより、基板処理の精度をより向上させることができる。洗浄液には、１種類のキレート剤が添加されてもよいし、２種類以上のキレート剤が任意の割合で添加されてもよい。また、洗浄液には、界面活性剤がさらに添加されてもよい。
第１の実施の形態と同様に、洗浄液に含まれる添加物の量は適宜調整されてもよい。また、現像処理ユニット１３９は、金属含有塗布液に含有される金属成分の種類に応じて基板Ｗに吐出される洗浄液の種類を切り替え可能に構成されてもよい。さらに、現像処理ユニット１３９は、洗浄液の温度を可能に構成されてもよい。これにより、金属成分ＭＣの除去性能を最適化することができる。また、洗浄液によりレジスト膜ＲＦに与えられる損傷を最小限にすることができる。
本実施の形態においては、リンス液として、例えば純水が用いられる。この場合、基板に付着した洗浄液がリンス液により除去されるので、基板をより清浄に維持することができる。また、洗浄液およびリンス液を分離して回収するようにすればよい。
第１の実施の形態と同様に、リンス処理は省略されてもよい。あるいは、洗浄処理において用いられる洗浄液の種類に応じてリンス処理を実行するか否かが選択されてもよい。特に、洗浄液に界面活性剤が添加されている場合には、基板Ｗに洗浄液を供給することにより下地層Ｗ２のパターンの倒壊を抑制する効果およびラフネスを改善する効果が得られる。そのため、リンス処理は実行されないことが好ましい。また、リンス処理を省略することにより基板処理のコストを低減させるとともに、処理時間の短縮およびスループットの向上を行うことができる。
［４］他の実施の形態
（１）上記実施の形態において、現像処理ユニット１３９は基板処理装置１００に設けられ、基板処理装置１００の一部として用いられるが、本発明はこれに限定されない。現像処理ユニット１３９は、基板処理装置１００に設けられずに、被処理面に金属含有塗布膜が形成された基板に現像処理を行うために単体で用いられてもよい。
（２）上記実施の形態において、洗浄ノズル３０がリンスノズル３６およびスリットノズル３８と別体的に設けられるが、本発明はこれに限定されない。洗浄ノズル３０は、リンスノズル３６または現像液供給用の他のノズルと一体的に設けられてもよい。
（３）上記実施の形態において、洗浄ノズル３０は基板Ｗの略中心に洗浄液を吐出するが、本発明はこれに限定されない。洗浄ノズル３０は洗浄液を吐出しながら基板Ｗ上を移動してもよい。また、洗浄ノズル３０は、基板Ｗの周縁部の上方で静止し、基板Ｗの周縁部に重点的に洗浄液を吐出してもよい。この場合、基板Ｗの周縁部を重点的に洗浄することができる。
（４）上記実施の形態において、スピンチャック３５により回転する基板Ｗに洗浄液が供給されるが、本発明はこれに限定されない。静止した基板Ｗに洗浄液が供給されてもよい。例えば、基板Ｗの被処理面上に洗浄液の液層が形成されてもよい。この場合、基板Ｗが静止され、洗浄液の液層が保持されることにより、基板Ｗの被処理面上の金属成分が除去される。
（５）上記実施の形態において、反射防止液およびレジスト液の両方に金属成分が含有されているが、本発明はこれに限定されない。反射防止液に金属成分が含有されなくてもよい。
（６）上記実施の形態において、塗布処理室２１〜２４に２つのスピンチャック２５が設けられ、現像処理室３１〜３４に３つのスピンチャック３５が設けられるが、本発明はこれに限定されない。塗布処理室２１〜２４に１つまたは３つ以上のスピンチャック２５が設けられてもよい。また、現像処理室３１〜３４に２つ以下または４つ以上のスピンチャック３５が設けられてもよい。
（７）上記実施の形態において、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１のハンドＨ１〜Ｈ３は基板Ｗの外周部を保持するが、本発明はこれに限定されない。搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１のハンドＨ１〜Ｈ３は、基板Ｗを吸着することにより基板Ｗの裏面を保持してもよい。
（８）上記実施の形態において、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１は３つのハンドＨ１〜Ｈ３を有することが好ましいが、本発明はこれに限定されない。搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１は２つ以下のハンドを有してもよいし、４つ以上のハンドを有してもよい。
特に、吸着式のハンドにより基板Ｗを保持する場合において、基板Ｗの裏面に金属含有塗布液が付着しない場合には、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１は３つ以上のハンドを有する必要がない。また、洗浄前の基板Ｗを保持するハンドと洗浄後の基板Ｗを保持するハンドとを使い分ける必要がない。
（９）上記実施の形態において、洗浄乾燥処理部１６１に複数の洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳが配置され、洗浄乾燥処理部１６２に複数の金属除去ユニットＭＲが配置されるが、本発明はこれに限定されない。一部または全部の洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳが洗浄乾燥処理部１６２に配置されてもよいし、一部または全部の金属除去ユニットＭＲが洗浄乾燥処理部１６１に配置されてもよい。
（１０）上記実施の形態において、塗布処理ユニット１２９にエッジリンスノズル４１が設けられるが、本発明はこれに限定されない。塗布処理ユニット１２９にエッジリンスノズル４１が設けられなくてもよい。あるいは、エッジリンスノズル４１は、塗布処理ユニット１２９に設けられず、金属除去ユニットＭＲに設けられてもよい。この場合、金属除去ユニットＭＲには、金属用除去液とリンス液とを分離して回収するための機構が設けられてもよい。
（１１）上記実施の形態において、インターフェイスブロック１４にエッジ露光部ＥＥＷが設けられるが、本発明はこれに限定されない。エッジ露光部ＥＥＷはインターフェイスブロック１４に設けられず、塗布ブロック１２の上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２に設けられてもよい。この場合、レジスト膜の形成後、基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ７に載置される前に基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。
あるいは、エッジ露光部ＥＥＷは現像ブロック１３に設けられてもよい。この場合、第１〜第３の実施の形態においては、現像ブロック１３の搬送機構１３７，１３８は、ハンドＨ１〜Ｈ３に加えて、ハンドＨ３の下方に位置する第４のハンドを有することが好ましい。
搬送機構１３７は、ハンドＨ３および第４のハンドを用いて塗布ブロック１２によりレジスト膜が形成された基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷおよび載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に順に搬送する。また、搬送機構１３８は、ハンドＨ３および第４のハンドを用いて塗布ブロック１２によりレジスト膜が形成された基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷおよび載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に順に搬送する。
この構成においては、塗布ブロック１２からインターフェイスブロック１４への基板Ｗの搬送は下段の２つのハンドを用いて行われる。一方、インターフェイスブロック１４から塗布ブロック１２への基板Ｗの搬送は上段の２つのハンドを用いて行われる。そのため、洗浄前の基板Ｗを保持するハンドと洗浄後の基板Ｗを保持するハンドとを使い分けつつスループットを向上させることができる。
（１２）上記実施の形態において、洗浄乾燥処理部１６２（金属除去ユニットＭＲ）が洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに設けられるが、本発明はこれに限定されない。洗浄乾燥処理部１６２は、現像ブロック１３に設けられてもよい。
この場合、搬送機構１３７，１３８は、下段のハンドＨ３を用いて塗布ブロック１２によりレジスト膜が形成された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２に搬送する。これにより、洗浄乾燥処理部１６２の金属除去ユニットＭＲにより基板Ｗの周縁部および裏面に残存した金属成分が除去される。金属除去ユニットＭＲにより基板Ｗが洗浄された後、搬送機構１３７，１３８は、上段および中段のハンドＨ１，Ｈ２を用いて洗浄後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２から載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１、Ｐ−ＢＦ２に搬送する。
［５］請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
上記の実施の形態では、現像処理ユニット１３９または現像兼金属除去ユニット１３９ＭＲが現像ユニットの例であり、スピンチャック３５が基板保持部の例であり、スリットノズル３８が現像液供給部の例である。洗浄ノズル３０が洗浄液供給部の例であり、リンスノズル３６がリンス液供給部の例であり、裏面洗浄ノズル４０が裏面洗浄部の例であり、露光装置１５が露光装置の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例である。塗布処理ユニット１２９が膜形成ユニットの例であり、金属除去ユニットＭＲまたは現像兼金属除去ユニット１３９ＭＲが周縁部除去ユニットの例であり、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１〜１４３が搬送機構の例である。
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
［６］参考形態
（１）第１の参考形態に係る現像ユニットは、金属を含有する塗布液の膜が被処理面に金属含有塗布膜として形成された基板に現像処理を行う現像ユニットであって、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板を保持する基板保持部と、基板保持部に支持された基板の被処理面に現像液を供給する現像液供給部と、現像液供給部により現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を除去するかまたは金属を溶解させる洗浄液を供給する洗浄液供給部とを備える。
この現像ユニットにおいては、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板が基板保持部により保持される。基板保持部により支持された基板の被処理面に現像液が供給される。現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を除去するかまたは金属を溶解させる洗浄液が供給される。
この構成によれば、現像液が供給された後の基板の被処理面に現像液に溶解した金属含有塗布膜の金属が付着した場合でも、洗浄液により当該金属が除去されるかまたは金属が溶解される。これにより、洗浄液が供給された後の基板表面の下地層には金属が残存しないので、エッチングにより形成される下地層のパターンには、金属に起因する欠陥が生じない。これらの結果、金属汚染の発生を防止しつつ基板処理の精度を向上させることができる。
（２）基板保持部は、ポジティブトーン現像処理を受けるべき基板を保持し、現像液はアルカリ性水溶液を含み、洗浄液は、キレート剤が添加された水溶液、アルカリ性水溶液または酸性水溶液を含んでもよい。
この場合、基板に付着した金属を容易に除去するかまたは容易に溶解させることができる。また、現像液および洗浄液を分離して回収する必要がない。これにより、現像液および洗浄液の廃棄コストを低減することができる。
（３）現像ユニットは、洗浄液供給部により洗浄液が供給された後の基板の被処理面にリンス液を供給するリンス液供給部をさらに備え、リンス液は水溶液を含んでもよい。
この場合、基板に付着した洗浄液がリンス液により除去されるので、基板をより清浄に維持することができる。また、現像液、洗浄液およびリンス液を分離して回収する必要がない。これにより、現像液、洗浄液およびリンス液の廃棄コストを低減することができる。
（４）キレート剤は、有機酸、有機酸の塩、アミノ酸、アミノ酸の誘導体、無機アルカリ、無機アルカリの塩、アルキルアミン、アルキルアミンの誘導体、アルカノールアミンおよびアルカノールアミンの誘導体よりなる群から選択された一種または複数種を含んでもよい。
この場合、金属含有塗布膜のパターンに損傷を与えることなく基板に付着した金属を十分に除去するかまたは十分に溶解させることができる。これにより、基板処理の精度をより向上させることができる。
（５）基板保持部は、ネガティブトーン現像処理を受けるべき基板を保持し、現像液は有機溶媒を含み、洗浄液は、キレート剤が添加された有機溶媒を含んでもよい。
この場合、基板に付着した金属を容易に除去するかまたは容易に溶解させることができる。また、現像液と洗浄液とを分離して回収する必要がない。これにより、現像液および洗浄液の廃棄コストを低減することができる。
（６）現像ユニットは、洗浄液供給部により洗浄液が供給された後の基板の被処理面にリンス液を供給するリンス液供給部をさらに備え、リンス液は有機溶媒を含んでもよい。
この場合、基板に付着した洗浄液がリンス液により除去されるので、基板をより清浄に維持することができる。また、現像液、洗浄液およびリンス液を分離して回収する必要がない。これにより、現像液、洗浄液およびリンス液の廃棄コストを低減することができる。
（７）基板保持部は、ネガティブトーン現像処理を受けるべき基板を保持し、現像液は有機溶媒を含み、洗浄液は、キレート剤が添加された水溶液を含んでもよい。この場合、基板に付着した金属を容易に除去するかまたは容易に溶解させることができる。
（８）現像ユニットは、洗浄液供給部により洗浄液が供給された後の基板の被処理面にリンス液を供給するリンス液供給部をさらに備え、リンス液は水溶液を含んでもよい。
この場合、基板に付着した洗浄液がリンス液により除去されるので、基板をより清浄に維持することができる。
（９）キレート剤は、有機酸または有機酸の塩を含んでもよい。
この場合、金属含有塗布膜のパターンに損傷を与えることなく基板に付着した金属を十分に除去するかまたは十分に溶解させることができる。これにより、基板処理の精度をより向上させることができる。
（１０）洗浄液には、界面活性剤がさらに添加されてもよい。この場合、金属含有塗布膜のパターンが倒壊することを抑制することができる。また、金属含有塗布膜のパターンの荒さ（ラフネス）を改善することができる。その結果、基板処理の精度をより向上させることができる。
（１１）現像ユニットは、現像液供給部により現像液が供給された後の基板の被処理面と反対側の裏面に金属を除去するかまたは金属を溶解させる洗浄液を供給する裏面洗浄部をさらに備えてもよい。
この構成によれば、現像液が供給された後の基板の裏面に金属含有塗布膜の金属が付着した場合でも、洗浄液により当該金属が除去されるかまたは金属が溶解される。これにより、金属による現像ユニットの汚染をより十分に防止することができる。
（１２）第２の参考形態に係る基板処理装置は、基板の被処理面を露光する露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として基板の被処理面に供給することにより被処理面に金属含有塗布膜を形成する膜形成ユニットと、膜形成ユニットによる金属含有塗布膜の形成後に、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように金属を溶解させる除去液を基板の周縁部に供給する周縁部除去ユニットと、露光装置により被処理面の金属含有塗布膜が露光された基板に現像処理を行う第１の参考形態に係る現像ユニットと、周縁部除去ユニットにより除去液が供給された後の基板を露光装置に搬送するとともに、露光装置により露光された後の基板を現像ユニットに搬送する搬送機構とを備える。
この基板処理装置においては、金属を含有する塗布液が金属含有塗布液として基板の被処理面に供給されることにより被処理面に金属含有塗布膜が形成される。金属含有塗布膜の形成後に、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように金属を溶解させる除去液が基板の周縁部に供給される。除去液が供給された後の基板が搬送機構により露光装置に搬入されるとともに、露光装置により露光された後の基板が搬送機構により露光装置から搬出される。露光装置により被処理面の金属含有塗布膜が露光された基板に上記の現像ユニットによる現像処理が行われる。
この構成によれば、周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板の周縁部に金属が残存することが防止される。そのため、基板の周縁部を搬送機構が保持した場合でも、搬送機構には金属が付着しない。これにより、基板上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能となる。
また、現像液が供給された後の基板の被処理面に現像液に溶解した金属含有塗布膜の金属が付着した場合でも、洗浄液により当該金属が除去されるかまたは金属が溶解される。これにより、洗浄液が供給された後の基板表面の下地層には金属が残存しないので、エッチングにより形成される下地層のパターンには、金属に起因する欠陥が生じない。これらの結果、金属汚染の発生を防止しつつ基板処理の精度を向上させることができる。
（１３）第３の参考形態に係る現像方法は、金属を含有する塗布液の膜が被処理面に金属含有塗布膜として形成された基板に現像処理を行う現像方法であって、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板を基板保持部により保持するステップと、基板保持部により支持された基板の被処理面に現像液を供給するステップと、現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を除去するかまたは金属を溶解させる洗浄液を供給するステップとを含む。
この現像方法によれば、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板が基板保持部により保持される。基板保持部により支持された基板の被処理面に現像液が供給される。現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を除去するかまたは金属を溶解させる洗浄液が供給される。
この方法によれば、現像液が供給された後の基板の被処理面に現像液に溶解した金属含有塗布膜の金属が付着した場合でも、洗浄液により当該金属が除去されるかまたは金属が溶解される。これにより、洗浄液が供給された後の基板表面の下地層には金属が残存しないので、エッチングにより形成される下地層のパターンには、金属に起因する欠陥が生じない。これらの結果、金属汚染の発生を防止しつつ基板処理の精度を向上させることができる。
（１４）第４の参考形態に係る基板処理方法は、基板の被処理面を露光する露光装置を用いた基板処理方法であって、金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として基板の被処理面に供給することにより被処理面に金属含有塗布膜を形成するステップと、金属含有塗布膜の形成後に、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように金属を溶解させる除去液を基板の周縁部に供給するステップと、除去液が供給された後の基板を搬送機構により露光装置に搬入するとともに、露光装置により露光された後の基板を搬送機構により露光装置から搬出するステップと、露光装置により被処理面の金属含有塗布膜が露光された基板に第３の参考形態に係る現像方法を用いて現像処理を行うステップとを含む。
この基板処理方法によれば、金属を含有する塗布液が金属含有塗布液として基板の被処理面に供給されることにより被処理面に金属含有塗布膜が形成される。金属含有塗布膜の形成後に、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように金属を溶解させる除去液が基板の周縁部に供給される。除去液が供給された後の基板が搬送機構により露光装置に搬入されるとともに、露光装置により露光された後の基板が搬送機構により露光装置から搬出される。露光装置により被処理面の金属含有塗布膜が露光された基板に上記の現像方法による現像処理が行われる。
この方法によれば、周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板の周縁部に金属が残存することが防止される。そのため、基板の周縁部を搬送機構が保持した場合でも、搬送機構には金属が付着しない。これにより、基板上に金属含有塗布膜を形成するとともに搬送機構または露光装置に対する金属汚染の発生を防止することが可能となる。
また、現像液が供給された後の基板に金属含有塗布膜の金属が付着した場合でも、洗浄液により当該金属が除去されるかまたは金属が溶解される。これにより、洗浄液が供給された後の基板表面の下地層には金属が残存しないので、エッチングにより形成される下地層のパターンには、金属に起因する欠陥が生じない。これらの結果、金属汚染の発生を防止しつつ基板処理の精度を向上させることができる。
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
１ モータ
２ 回転軸
３，２５，３５ スピンチャック
４，２７，３７ カップ
５ 排液部
６ 排気部
７，４０ 裏面洗浄ノズル
８ 周縁部洗浄ノズル
９ 気体供給部
１０ 気液供給ノズル
１０ａ 液体ノズル
１０ｂ 気体ノズル
１１ インデクサブロック
１２ 塗布ブロック
１３ 現像ブロック
１４Ａ 洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ 搬入搬出ブロック
１４ インターフェイスブロック
１５ 露光装置
２０ 待機部
２１〜２４ 塗布処理室
２８ 塗布液ノズル
２９ ノズル搬送機構
３０ 洗浄ノズル
３１〜３４ 現像処理室
３６ リンスノズル
３８ スリットノズル
３９ 移動機構
４１，４５ エッジリンスノズル
４６ バックリンスノズル
１００ 基板処理装置
１１１ キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３ 搬送部
１１３ キャリア
１１４ メインコントローラ
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１〜１４３ 搬送機構
１２１ 塗布処理部
１２３，１３３ 熱処理部
１２５，１３５ 上段搬送室
１２６，１３６ 下段搬送室
１２９ 塗布処理ユニット
１３１ 現像処理部
１３９ 現像処理ユニット
１６１，１６２ 洗浄乾燥処理部
３０１，３０３ 上段熱処理部
３０２，３０４ 下段熱処理部
３１１〜３１３ ガイドレール
３１４ 移動部材
３１５ 回転部材
ＢＳＳ 洗浄乾燥処理ユニット
ＣＰ 冷却ユニット
ＥＥＷ エッジ露光部
Ｈ１〜Ｈ３ ハンド
ＬＣ１，ＬＣ２ ローカルコントローラ
Ｍｋ マスク
ＭＲ 金属除去ユニット
ＰＡＨＰ 密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９ 基板載置部
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２ 載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ 載置兼冷却部
ＰＨＰ 熱処理ユニット
ＲＦ レジスト膜
Ｒｍ 除去部
Ｗ 基板
Ｗ１ 中心層
Ｗ２ 下地層
Ｗ３ 部分

Claims (15)

  1. 金属を含有する塗布液の膜が被処理面に金属含有塗布膜として形成された基板に現像処理を行う現像ユニットであって、
    金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に支持された基板の被処理面に現像液を供給する現像液供給部と、
    前記現像液供給部により現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液を供給する洗浄液供給部とを備え、
    前記基板保持部は、ポジティブトーン現像処理を受けるべき基板を保持し、
    現像液はアルカリ性水溶液を含み、
    洗浄液は、キレート剤が添加された水溶液、アルカリ性水溶液または酸性水溶液を含む、現像ユニット。
  2. 前記洗浄液供給部により洗浄液が供給された後の基板の被処理面にリンス液を供給するリンス液供給部をさらに備え、
    リンス液は純水を含む、請求項１記載の現像ユニット。
  3. キレート剤は、有機酸、有機酸の塩、アミノ酸、アミノ酸の誘導体、無機アルカリ、無機アルカリの塩、アルキルアミン、アルキルアミンの誘導体、アルカノールアミンおよびアルカノールアミンの誘導体よりなる群から選択された一種または複数種を含む、請求項１または２記載の現像ユニット。
  4. 金属を含有する塗布液の膜が被処理面に金属含有塗布膜として形成された基板に現像処理を行う現像ユニットであって、
    金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に支持された基板の被処理面に現像液を供給する現像液供給部と、
    前記現像液供給部により現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液を供給する洗浄液供給部とを備え、
    前記基板保持部は、ネガティブトーン現像処理を受けるべき基板を保持し、
    現像液は有機溶媒を含み、
    洗浄液は、キレート剤が添加された有機溶媒を含む、現像ユニット。
  5. 前記洗浄液供給部により洗浄液が供給された後の基板の被処理面にリンス液を供給するリンス液供給部をさらに備え、
    リンス液は有機溶媒を含む、請求項４記載の現像ユニット。
  6. 金属を含有する塗布液の膜が被処理面に金属含有塗布膜として形成された基板に現像処理を行う現像ユニットであって、
    金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に支持された基板の被処理面に現像液を供給する現像液供給部と、
    前記現像液供給部により現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液を供給する洗浄液供給部とを備え、
    前記基板保持部は、ネガティブトーン現像処理を受けるべき基板を保持し、
    現像液は有機溶媒を含み、
    洗浄液は、キレート剤が添加された水溶液を含む、現像ユニット。
  7. 前記洗浄液供給部により洗浄液が供給された後の基板の被処理面にリンス液を供給するリンス液供給部をさらに備え、
    リンス液は純水を含む、請求項６記載の現像ユニット。
  8. キレート剤は、有機酸または有機酸の塩を含む、請求項４〜７のいずれか一項に記載の現像ユニット。
  9. 洗浄液には、界面活性剤がさらに添加される請求項１〜８のいずれか一項に記載の現像ユニット。
  10. 前記現像液供給部により現像液が供給された後の基板の被処理面と反対側の裏面に金属を溶解させる洗浄液を供給する裏面洗浄部をさらに備える、請求項１〜９のいずれか一項に記載の現像ユニット。
  11. 基板の被処理面を露光する露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
    金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として基板の被処理面に供給することにより被処理面に金属含有塗布膜を形成する膜形成ユニットと、
    前記膜形成ユニットによる金属含有塗布膜の形成後に、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように金属を溶解させる除去液を基板の周縁部に供給する周縁部除去ユニットと、
    前記露光装置により被処理面の金属含有塗布膜が露光された基板に現像処理を行う現像ユニットと、
    前記周縁部除去ユニットにより除去液が供給された後の基板を前記露光装置に搬送するとともに、前記露光装置により露光された後の基板を前記現像ユニットに搬送する搬送機構とを備え、
    前記現像ユニットは、
    金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に支持された基板の被処理面に現像液を供給する現像液供給部と、
    前記現像液供給部により現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液を供給する洗浄液供給部とを含む、基板処理装置。
  12. 金属を含有する塗布液の膜が被処理面に金属含有塗布膜として形成された基板に現像処理を行う現像方法であって、
    金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板を基板保持部により保持するステップと、
    前記基板保持部により支持された基板の被処理面に現像液を供給するステップと、
    現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液を供給するステップとを含み、
    前記基板を基板保持部により保持するステップは、前記基板保持部によりポジティブトーン現像処理を受けるべき基板を保持することを含み、
    前記現像液を供給するステップは、アルカリ性水溶液を現像液として供給することを含み、
    前記洗浄液を供給するステップは、キレート剤が添加された水溶液、アルカリ性水溶液または酸性水溶液を洗浄液として供給することを含む、現像方法。
  13. 金属を含有する塗布液の膜が被処理面に金属含有塗布膜として形成された基板に現像処理を行う現像方法であって、
    金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板を基板保持部により保持するステップと、
    前記基板保持部により支持された基板の被処理面に現像液を供給するステップと、
    現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液を供給するステップとを含み、
    前記基板を基板保持部により保持するステップは、前記基板保持部によりネガティブトーン現像処理を受けるべき基板を保持することを含み、
    前記現像液を供給するステップは、有機溶媒を現像液として供給することを含み、
    前記洗浄液を供給するステップは、キレート剤が添加された有機溶媒を洗浄液として供給することを含む、現像方法。
  14. 金属を含有する塗布液の膜が被処理面に金属含有塗布膜として形成された基板に現像処理を行う現像方法であって、
    金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板を基板保持部により保持するステップと、
    前記基板保持部により支持された基板の被処理面に現像液を供給するステップと、
    現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液を供給するステップとを含み、
    前記基板を基板保持部により保持するステップは、前記基板保持部によりネガティブトーン現像処理を受けるべき基板を保持することを含み、
    前記現像液を供給するステップは、有機溶媒を現像液として供給することを含み、
    前記洗浄液を供給するステップは、キレート剤が添加された水溶液を洗浄液として供給することを含む、現像方法。
  15. 基板の被処理面を露光する露光装置を用いた基板処理方法であって、
    金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として基板の被処理面に供給することにより被処理面に金属含有塗布膜を形成するステップと、
    金属含有塗布膜の形成後に、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように金属を溶解させる除去液を基板の周縁部に供給するステップと、
    除去液が供給された後の基板を搬送機構により前記露光装置に搬入するとともに、前記露光装置により露光された後の基板を前記搬送機構により前記露光装置から搬出するステップと、
    前記露光装置により被処理面の金属含有塗布膜が露光された基板に現像処理を行うステップとを含み、
    前記現像処理を行うステップは、
    金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された基板を基板保持部により保持することと、
    前記基板保持部により支持された基板の被処理面に現像液を供給することと、
    現像液が供給された後の基板の被処理面に金属を溶解させる洗浄液を供給することとを含む、基板処理方法。
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